JP3033288U - ハロゲン調理器におけるセラミック遮熱体 - Google Patents

ハロゲン調理器におけるセラミック遮熱体

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JP3033288U
JP3033288U JP1996007265U JP726596U JP3033288U JP 3033288 U JP3033288 U JP 3033288U JP 1996007265 U JP1996007265 U JP 1996007265U JP 726596 U JP726596 U JP 726596U JP 3033288 U JP3033288 U JP 3033288U
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semiconductor sensor
halogen lamp
heat shield
hot plate
center
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JP1996007265U
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栄一 真鍋
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Sengoku Co Ltd
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Sengoku Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ハロゲンランプ調理器における温度センサーの
製造コストの低減 【解決手段】熱板1の下面中心部と対向し熱板1の中心
部下方をハロゲンランプ2に対し熱遮断する環状水平面
4aと、半導体センサー3を包囲して半導体センサー3
をハロゲンランプ2に対し熱遮断する筒状垂直面4cと
を有することを特徴とするセラミック遮熱体。第2考案
は、上向傾斜面4bを有する形状とし、第3考案は、下
向傾斜面4dを有する形状とする。 【効果】熱板の中心部下方および半導体センサーを、熱
板の周辺部に比して低温とし、半導体センサーの設定温
度の低減をはかることで、半導体センサーの設定規格を
低減することで、半導体センサーのコストを低減する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の属する技術分野】
本考案は、ハロゲンランプを熱源とする調理器、即ち本体ケースに内蔵したハ ロゲンランプにより本体ケース上面の熱板を加熱するハロゲン調理器に関するも のである。
【0002】
【従来の技術】
公知の電磁誘導調理器において、その加熱部に鉄鍋等を載置して加熱調理する にあたり、鉄鍋等の底面中央部の温度を検知することで温度制御している。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、ハロゲンランプ調理器に関するものであるが、鉄鍋等を載置して加 熱する熱板の温度が高温となることで、半導体センサーは高温規格のものを必要 とすることで製造コストが嵩む問題点がある。 よって、本考案は、検知温度を低くすることで低温規格の半導体センサーを適 用してハロゲンランプ調理器の温度制御機構の製造コストの低減をはかることを 課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本願第1考案は、本体ケースに内蔵したハロゲンランプにより本体ケース上面 の熱板を加熱するとともに、半導体センサーの先端感知部を熱板の下面中心部に 対向させて設けたハロゲン調理器において、熱板1の下面中心部と対向し熱板1 の中心部下方をハロゲンランプ2に対し熱遮断する環状水平面4aと、半導体セ ンサー3を包囲して半導体センサー3をハロゲンランプ2に対し熱遮断する筒状 垂直面4cとを有することを特徴とするセラミック遮熱体を提供する。 本願第2考案は、第1考案に加えて、環状水平面4aの内周端と筒状垂直面4 cの上端との間に形成された上向傾斜面4bを有することを特徴とするセラミッ ク遮熱体を提供する。 本願第3考案は、第1考案に加えて、ハロゲンランプ2と対向する下向傾斜面 4dを有することを特徴とするセラミック遮熱体を提供する。
【0005】
【考案の実施の形態】
本願考案は、熱板の中心部下方および半導体センサーを包囲するセラミック遮 熱体を設ける。前記セラミック遮熱体は、ドーナツ状ないし筒状形状として中心 部に貫通孔を形成して筒状垂直面とを有する形状とし、前記貫通孔内に半導体セ ンサーを位置させ、ドーナツ状ないし筒状形状の頂面を平面として環状水平面を 形成し該環状水平面を熱板の中心部下方に位置させる。 本願第2考案は、上向傾斜面4bを有する形状とし、本願第3考案は、下向傾 斜面4dを有する形状とする。
【0006】
【実施例】
図1を参照して、1はハロゲンランプ2により加熱される熱板、3は、その先 端感知部3aを熱板1の下面中心部1aに接触させて設けられている半導体セン サーである。 本願考案は、熱板1の中心部下方および半導体センサー3を包囲 するセラミック遮熱体4を設ける。本願第1考案は、前記セラミック遮熱体4に ついて、ドーナツ状ないし筒状形状として中心部に貫通孔Aを形成して筒状垂直 面4cを有する形状とし、前記貫通孔内に半導体センサー3を位置させ、ドーナ ツ状ないし筒状形状の頂面を平面として環状水平面4aを形成し該環状水平面4 aを熱板の中心部下方に位置させる。
【0007】 図2のセラミック遮熱体4は筒状脚部5をドーナツ状形状の下面内面側より延 長した形状とし、筒状脚部5の貫通孔A側周面を筒状垂直面4cとする。 図3のセラミック遮熱体4は、筒状脚部5の存在しない形状とし、貫通孔A側 周面を筒状垂直面4cとする。 図4のセラミック遮熱体4は、ドーナツ状形状のドーナツ状本体部4Aと筒状 部4Bとで構成した形状とし、筒状部4Bの貫通孔A側周面を筒状垂直面4cと する。 図5のセラミック遮熱体4は、図4の筒状部4Bの頂面で環状水平面4aを構 成し、 図4のドーナツ状本体部4Aを省いた構成とする。 セラミック遮熱体4の材質としては、陶磁器、ガラス製品等の耐熱成型品、即 ち、一般的な耐熱セラミック製品を適用する。
【0008】 本願第2考案のセラミック遮熱体は、第1考案に加えて、環状水平面4aの内 周端と筒状垂直面4cの上端との間に形成された上向傾斜面4bを有する形状と する。 図2のセラミック遮熱体4は筒状脚部5をドーナツ状本体4Aの内周面を傾斜 面4bとすることで、セラミック遮熱体4の内面と半導体センサー3のセンサ部 との間に、空間Qを形成した。また、図3のセラミック遮熱体4においても、傾 斜面4bを有する形状とすることで空間Qを形成した。
【0009】 本願第3考案のセラミック遮熱体は、第1考案に加えて、ドーナツ状本体4A の下面に下向傾斜面4dを有する形状とする。 図3に示すセラミック遮熱体4はドーナツ状本体の外面を下向傾斜面4dとす ることで、ドーナツ状本体の外面を、熱源であるハロゲンランプ2との対向面と することで、ハロゲンランプ2に向けて突出部分の存在しない形状とすることで 、ハロゲンランプ2とセラミック遮熱体4との遮熱空間距離を大とする形状とし た。図5のセラミック遮熱体4においても、筒状形状の外周面を下向傾斜面4d に形成する。
【0010】 半導体センサー3は、図6を参照して、先端感知部3aを平板状として熱板1 との接触して温度測定に十分な検知面を容易に確保できるとする形状とし、先端 感知部3aに接近してサーミスター6を内装した保護管7を先端感知部3aに連 設して半導体センサー3のセンサ部を構成する。 保護管7に保護チューブ9、固定チューブ10、リード線11を連設する。
【0011】 図7および図8を参照して、14は反射板、15は円形の遮熱ケース、16は 本体ケース、17は本体カバーで、本体カバー17の開口に、リング状の熱板受 18を介して熱板1を支持し、円形の遮熱ケース15の上端は熱板1の周端の近 傍に位置している。 センサーカバー12の下端12aは、遮熱ケース15固定する。セラミック遮 熱体4は熱板1の中心部に接着固定したが、適宜の固定金具を介して(または直 接に)遮熱ケース15に固定してもよいものである。
【0012】 本願第1考案は、セラミック遮熱体3により、ハロゲンランプ2による熱板の 中心部への直接加熱および半導体センサー3のセンサ部への直接加熱は阻止され る。 その結果、熱板の中心部を熱板の周辺部に比して低温となるとともに、半導体 センサーの感知温度は低減する。 本願第2考案は、第1考案に加えて、空間Qが存在することで、半導体センサ ー3のセンサ部の感知温度は低減する。 本願第3考案は、第1考案に加えて、ハロゲンランプ2に向けて突出部分の存 在しない形状とすることで、セラミック遮熱体3の温度上昇が低下する。
【0013】 図2のセラミック遮熱体3は、外径=32mmφ、貫通孔の径=22mmφ、 ドーナツ状本体Aの厚さ=12mmφとする。 図1および図8において、熱板1は、直径=240mmφ、厚さ=4mmφと する。
【0014】
【考案の効果】
本願第1考案は、環状水平面4aと筒状垂直面4cとを有するセラミック遮熱 体により、半導体センサーの感知温度および熱板の中心部を熱板の周辺部に比し て低温に維持することにより、半導体センサーに低温規格のものを使用とするこ とができて、製造コストを低減することができる。 本願第2考案は、第1考案に加えて上向傾斜面4bを有するセラミック遮熱体 により、 半導体センサーとセラミック遮熱体との間に空間の存在させ、半導体センサーの 設定温度の低減をはかったことで、半導体センサーを、より低温規格のものを使 用とすることができて、製造コストを低減することができる。 本願第3考案は、第1考案に加えて、下向傾斜面4dをを有するセラミック遮 熱体により、セラミック遮熱体の温度上昇を低減することで、半導体センサーの 感知温度および熱板の中心部を熱板の周辺部に比してより低温に維持することに より、半導体センサーの設定温度の低減をはかったことで、半導体センサーを、 より低温規格のものを使用とすることができて、製造コストを低減することがで きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案を実施したハロゲン調理器の要部を示す
断面図。
【図2】本願第1考案の要部であるセラミック遮熱体を
示し、a図は断面図、b図は平面図、c図は底面図。
【図3】同じくセラミック遮熱体の他の実施例を示す断
面図。
【図4】同じくセラミック遮熱体の更に他の実施例を示
す断面図。
【図5】同じくセラミック遮熱体の更に他の実施例を示
す断面図。
【図6】本願第2考案の要部を示す断面図。
【図7】本考案を実施したハロゲン調理器の断面図。
【図8】同じく平面図。
【符号の説明】
1 熱板 3 半導体センサー 4 セラミック遮熱体 4a 環状水平面 4b 上向傾斜面 4c 筒状垂直面 4d 下向傾斜面

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】本体ケースに内蔵したハロゲンランプによ
    り本体ケース上面の熱板を加熱するとともに、半導体セ
    ンサーの先端感知部を熱板の下面中心部に対向させて設
    けたハロゲン調理器において、 熱板1の下面中心部と対向し熱板1の中心部下方をハロ
    ゲンランプ2に対し熱遮断する環状水平面4aと、半導
    体センサー3を包囲して半導体センサー3をハロゲンラ
    ンプ2に対し熱遮断する筒状垂直面4cとを有すること
    を特徴とするセラミック遮熱体。
  2. 【請求項2】本体ケースに内蔵したハロゲンランプによ
    り本体ケース上面の熱板を加熱するとともに、半導体セ
    ンサーの先端感知部を熱板の下面中心部に対向させて設
    けたハロゲン調理器において、 熱板1の下面中心部と対向し熱板1の中心部下方をハロ
    ゲンランプ2に対し熱遮断する環状水平面4aと、半導
    体センサー3を包囲して半導体センサー3をハロゲンラ
    ンプ2に対し熱遮断する筒状垂直面4cと、環状水平面
    4aの内周端と筒状垂直面4cの上端との間に形成され
    た上向傾斜面4bとを有することを特徴とするセラミッ
    ク遮熱体。
  3. 【請求項3】本体ケースに内蔵したハロゲンランプによ
    り本体ケース上面の熱板を加熱するとともに、半導体セ
    ンサーの先端感知部を熱板の下面中心部に対向させて設
    けたハロゲン調理器において、 熱板1の下面中心部と対向し熱板1の中心部下方をハロ
    ゲンランプ2に対し熱遮断する環状水平面4aと、半導
    体センサー3を包囲して半導体センサー3をハロゲンラ
    ンプ2に対し熱遮断する筒状垂直面4cと、ハロゲンラ
    ンプ2と対向する下向傾斜面4dとを有することを特徴
    とするセラミック遮熱体。
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