JP3027380B2 - マイクロ波によって動作する充填レベル測定器 - Google Patents
マイクロ波によって動作する充填レベル測定器Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/225—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles used in level-measurement devices, e.g. for level gauge measurement
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/284—Electromagnetic waves
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
- H01Q13/20—Non-resonant leaky-waveguide or transmission-line antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
- H01Q13/24—Non-resonant leaky-waveguide or transmission-line antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave constituted by a dielectric or ferromagnetic rod or pipe
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一方の端部側で背
壁によって短絡された導波管として構成されているケー
シング区分と、前記導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電
体から成る挿入体と、前記ケーシング区分内に侵入して
いてマイクロ波源に接続されている励振素子と、前記ケ
ーシング区分に境を接していてマイクロ波を送信及び／
又は受信するためのアンテナとを配備した形式のマイク
ロ波によって動作する充填レベル測定器に関する。
壁によって短絡された導波管として構成されているケー
シング区分と、前記導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電
体から成る挿入体と、前記ケーシング区分内に侵入して
いてマイクロ波源に接続されている励振素子と、前記ケ
ーシング区分に境を接していてマイクロ波を送信及び／
又は受信するためのアンテナとを配備した形式のマイク
ロ波によって動作する充填レベル測定器に関する。
【０００２】
【従来の技術】充填レベルを測定する場合、マイクロ波
がアンテナによって充填物の表面へ向かって送信され、
かつ該表面で反射されたエコー波が受信される。エコー
振幅を距離の関数として表わすエコー関数が形成され、
該エコー関数から確率的な有用エコーと該有用エコーの
走行時間が決定される。該走行時間から、充填物表面と
アンテナ間の距離が決定される。
がアンテナによって充填物の表面へ向かって送信され、
かつ該表面で反射されたエコー波が受信される。エコー
振幅を距離の関数として表わすエコー関数が形成され、
該エコー関数から確率的な有用エコーと該有用エコーの
走行時間が決定される。該走行時間から、充填物表面と
アンテナ間の距離が決定される。
【０００３】比較的短い距離を反射マイクロ波によって
測定することのできる公知の方法は全て適用することが
できる。最も良く知られた例は、パルスレーダ及び周波
数変調持続波レーダ（ＦＭＣＷ−Ｒａｄａｒ）である。
測定することのできる公知の方法は全て適用することが
できる。最も良く知られた例は、パルスレーダ及び周波
数変調持続波レーダ（ＦＭＣＷ−Ｒａｄａｒ）である。
【０００４】パルスレーダの場合は、周期的に短いマイ
クロ波送信パルス（以下、マイクロ波パケットと呼ぶ）
が送信され、該マイクロ波パケットは充填物表面によっ
て反射され、かつ距離に関連した走行時間を経た後に再
び受信される。時間の関数としての、受信された信号振
幅は、エコー関数を表わす。このエコー関数の各値は、
アンテナからの特定距離で反射されたエコーの振幅に相
当する。
クロ波送信パルス（以下、マイクロ波パケットと呼ぶ）
が送信され、該マイクロ波パケットは充填物表面によっ
て反射され、かつ距離に関連した走行時間を経た後に再
び受信される。時間の関数としての、受信された信号振
幅は、エコー関数を表わす。このエコー関数の各値は、
アンテナからの特定距離で反射されたエコーの振幅に相
当する。
【０００５】ＦＭＣＷ法の場合には、持続的なマイクロ
波が送信され、例えば鋸歯関数に従って周期的に一次関
数的に周波数を変調されている。受信したエコー信号の
周波数はそれ故に、受信時点に送信信号が有する瞬間周
波数に対して、エコー信号の走行時間に関連した周波数
差を有している。従って、送信信号と受信信号との混合
及び該混合信号のフーリエスペクトルの評価によって得
られるところの、送信信号と受信信号との間の周波数差
はアンテナからの反射面の距離に相当している。更に、
フーリエ変換によって得られる周波数スペクトルのスペ
クトルラインの振幅はエコー振幅に相当している。それ
故に前記フーリエスペクトルはこの場合エコー関数を表
わしている。
波が送信され、例えば鋸歯関数に従って周期的に一次関
数的に周波数を変調されている。受信したエコー信号の
周波数はそれ故に、受信時点に送信信号が有する瞬間周
波数に対して、エコー信号の走行時間に関連した周波数
差を有している。従って、送信信号と受信信号との混合
及び該混合信号のフーリエスペクトルの評価によって得
られるところの、送信信号と受信信号との間の周波数差
はアンテナからの反射面の距離に相当している。更に、
フーリエ変換によって得られる周波数スペクトルのスペ
クトルラインの振幅はエコー振幅に相当している。それ
故に前記フーリエスペクトルはこの場合エコー関数を表
わしている。
【０００６】マイクロ波によって動作する充填レベル測
定器は極めて多くの産業分野で、例えば化学産業分野や
食料品産業分野において使用される。典型的には容器内
の充填レベルが測定される。この容器は通常１つの開口
を有し、該開口には、測定器を固定するための接続管片
又はフランジが設けられている。
定器は極めて多くの産業分野で、例えば化学産業分野や
食料品産業分野において使用される。典型的には容器内
の充填レベルが測定される。この容器は通常１つの開口
を有し、該開口には、測定器を固定するための接続管片
又はフランジが設けられている。
【０００７】産業上の測定技術では通常、送信及び受信
のために誘電体の棒形アンテナ及びホルン形アンテナが
使用される。典型的には、短絡された導波管の、幾何学
的形状に形成されたケーシング区分を有するケーシング
が使用される。該ケーシング内には励振素子が導入さ
れ、該励振素子を介してマイクロ波が前記ケーシング区
分を通して送信及び／又は受信される。ホルン形アンテ
ナの場合はケーシングには、容器寄りの方向に拡がって
ホルンを形成する漏斗状区分が接続している。棒形アン
テナの場合は、容器の方に向いた誘電体から成る棒が設
けられている。一般にケーシングの内室は、誘電体から
成る挿入体によってほぼ完全に塞がれている。ホルン形
アンテナの場合は該挿入体は、容器の方へ向いた円錐形
端部を有している。棒形アンテナの場合は挿入体に棒形
アンテナが接続している。
のために誘電体の棒形アンテナ及びホルン形アンテナが
使用される。典型的には、短絡された導波管の、幾何学
的形状に形成されたケーシング区分を有するケーシング
が使用される。該ケーシング内には励振素子が導入さ
れ、該励振素子を介してマイクロ波が前記ケーシング区
分を通して送信及び／又は受信される。ホルン形アンテ
ナの場合はケーシングには、容器寄りの方向に拡がって
ホルンを形成する漏斗状区分が接続している。棒形アン
テナの場合は、容器の方に向いた誘電体から成る棒が設
けられている。一般にケーシングの内室は、誘電体から
成る挿入体によってほぼ完全に塞がれている。ホルン形
アンテナの場合は該挿入体は、容器の方へ向いた円錐形
端部を有している。棒形アンテナの場合は挿入体に棒形
アンテナが接続している。
【０００８】電磁波は同軸伝送線路に沿って分散無く電
気的−磁気的横波モード（ＴＥＭモード）で伝搬する。
従って該フィールドモードは、マイクロ波パケット又は
有限帯域幅（往々にして極めて大きな帯域幅）の周波数
スペクトルを有する電磁波を搬送するために特に適して
いる。無分散伝搬の利点は、送信すべき波又はマイクロ
波パケットがその周波数の前記帯域幅を有している場合
に特に重要である。その場合供給されるマイクロ波パケ
ットは事実上拡げられず、かつ一次関数的に周波数変調
されたマイクロ波の場合、線形偏差がおおむね回避され
る。
気的−磁気的横波モード（ＴＥＭモード）で伝搬する。
従って該フィールドモードは、マイクロ波パケット又は
有限帯域幅（往々にして極めて大きな帯域幅）の周波数
スペクトルを有する電磁波を搬送するために特に適して
いる。無分散伝搬の利点は、送信すべき波又はマイクロ
波パケットがその周波数の前記帯域幅を有している場合
に特に重要である。その場合供給されるマイクロ波パケ
ットは事実上拡げられず、かつ一次関数的に周波数変調
されたマイクロ波の場合、線形偏差がおおむね回避され
る。
【０００９】しかしながらアンテナによって電磁波を指
向送信するためには、顕著な順方向ローブをもった放射
特性を有するようなモードがより適している。この特性
は例えば円形導波管内を伝搬可能な基本モード、つまり
電気的横波１１モード（ＴＥ−１１モード）を有してい
る。所要のモード変換、例えばＴＥＭモードからＴＥ−
１１モードへのモード変換は、励振素子による短絡導波
管への結合によって行なわれる。
向送信するためには、顕著な順方向ローブをもった放射
特性を有するようなモードがより適している。この特性
は例えば円形導波管内を伝搬可能な基本モード、つまり
電気的横波１１モード（ＴＥ−１１モード）を有してい
る。所要のモード変換、例えばＴＥＭモードからＴＥ−
１１モードへのモード変換は、励振素子による短絡導波
管への結合によって行なわれる。
【００１０】ドイツ連邦共和国実用新案第９４１２２４
３号明細書には、一方の端部側で背壁によって短絡され
た導波管として構成されているケーシング区分と、前記
導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から成る挿入体
と、前記ケーシング区分内に侵入していてマイクロ波源
に接続されている励振素子と、前記ケーシング区分に境
を接していてマイクロ波を送信及び／又は受信するため
のアンテナとを配備した形式のマイクロ波によって動作
する充填レベル測定器が記載されている。
３号明細書には、一方の端部側で背壁によって短絡され
た導波管として構成されているケーシング区分と、前記
導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から成る挿入体
と、前記ケーシング区分内に侵入していてマイクロ波源
に接続されている励振素子と、前記ケーシング区分に境
を接していてマイクロ波を送信及び／又は受信するため
のアンテナとを配備した形式のマイクロ波によって動作
する充填レベル測定器が記載されている。
【００１１】この場合の励振素子は、導波管内へ側方か
ら導入された送信ピンである。このような非対称的な構
成の場合、円形導波管内では、前記の所望の基本モー
ド、つまりＴＥ−１１モード以外に、より高次のモード
も励振される。
ら導入された送信ピンである。このような非対称的な構
成の場合、円形導波管内では、前記の所望の基本モー
ド、つまりＴＥ−１１モード以外に、より高次のモード
も励振される。
【００１２】欧州特許出願公開第８２１４３１号明細書
でも矢張り、一方の端部側で背壁によって短絡された導
波管として構成されているケーシング区分と、前記導波
管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から成る挿入体と、前
記ケーシング区分内に侵入していてマイクロ波源に接続
されている励振素子と、前記ケーシング区分に境を接し
ていてマイクロ波を送信及び／又は受信するためのアン
テナとを配備した形式のマイクロ波によって動作する充
填レベル測定器が記載されている。
でも矢張り、一方の端部側で背壁によって短絡された導
波管として構成されているケーシング区分と、前記導波
管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から成る挿入体と、前
記ケーシング区分内に侵入していてマイクロ波源に接続
されている励振素子と、前記ケーシング区分に境を接し
ていてマイクロ波を送信及び／又は受信するためのアン
テナとを配備した形式のマイクロ波によって動作する充
填レベル測定器が記載されている。
【００１３】前記励振素子は送信ワイヤであり、該送信
ワイヤの両端部はケーシング区分の背壁に配置されてお
り、かつ前記送信ワイヤは３つの真直ぐのセグメントを
有し、その内の１つのセグメントは背壁に対して実質的
に平行に延びている。
ワイヤの両端部はケーシング区分の背壁に配置されてお
り、かつ前記送信ワイヤは３つの真直ぐのセグメントを
有し、その内の１つのセグメントは背壁に対して実質的
に平行に延びている。
【００１４】この結合部の形状は、所望のモードの点
で、前述の横方向結合部に対比して著しく改良されては
いるが、高次モードが発生されるとは云え、著しく僅か
な高次モード成分に過ぎない。これは特にパルスレーダ
において、著しく短いパルスが発生される場合に確認さ
れる。パルスが短くなるに応じて、そこに含まれている
周波数の帯域幅は大きくなる。
で、前述の横方向結合部に対比して著しく改良されては
いるが、高次モードが発生されるとは云え、著しく僅か
な高次モード成分に過ぎない。これは特にパルスレーダ
において、著しく短いパルスが発生される場合に確認さ
れる。パルスが短くなるに応じて、そこに含まれている
周波数の帯域幅は大きくなる。
【００１５】高次モードの形成によって必然的に導波管
内では強い分散効果が発生する。周波数が設定されてい
る場合、高次モードにおける分散は、基本モードの場合
よりも著しく顕著になる。
内では強い分散効果が発生する。周波数が設定されてい
る場合、高次モードにおける分散は、基本モードの場合
よりも著しく顕著になる。
【００１６】高次モードは原則として不適当な放射特性
を有し、アンテナの指向特性を妨害する。
を有し、アンテナの指向特性を妨害する。
【００１７】更なる欠点は、より高次の磁気的横波モー
ド、つまりＴＭ−０１モードが基本モードに対比して長
いリンギング時間もしくは長い減衰時間を有している点
にある。これによって例えばパルスレーダでは送信パル
スは、比較的長い時間を経た後に始めて減衰することに
なる。この時期に生じるエコーは、該エコーの振幅が減
衰する送信パルスの振幅を著しく上回る場合にしか認識
できない。この時間によって、測定器と測定すべき充填
レベルとの間に存在せねばならない空間的な最小距離が
設定されている。この空間的な最小距離を下回る場合に
は、確実な測定は最早保証されていない。この最小距離
は、前記時間中に電磁波が辿る区間の半分に相当し、か
つ通常ブロッキング・ディスタンスと呼ばれている。
ド、つまりＴＭ−０１モードが基本モードに対比して長
いリンギング時間もしくは長い減衰時間を有している点
にある。これによって例えばパルスレーダでは送信パル
スは、比較的長い時間を経た後に始めて減衰することに
なる。この時期に生じるエコーは、該エコーの振幅が減
衰する送信パルスの振幅を著しく上回る場合にしか認識
できない。この時間によって、測定器と測定すべき充填
レベルとの間に存在せねばならない空間的な最小距離が
設定されている。この空間的な最小距離を下回る場合に
は、確実な測定は最早保証されていない。この最小距離
は、前記時間中に電磁波が辿る区間の半分に相当し、か
つ通常ブロッキング・ディスタンスと呼ばれている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、産業上の測定技術において使用でき、顕著な順方向
ローブをもった放射特性を有し、かつ大きな周波数帯域
幅をもったマイクロ波を送信及び／又は受信するために
使用できるような、マイクロ波によって動作する充填レ
ベル測定器を提供することである。
は、産業上の測定技術において使用でき、顕著な順方向
ローブをもった放射特性を有し、かつ大きな周波数帯域
幅をもったマイクロ波を送信及び／又は受信するために
使用できるような、マイクロ波によって動作する充填レ
ベル測定器を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本発明の構成手段は、一方の端部側で背壁によって短
絡された導波管として構成されているケーシング区分
と、前記導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から成る
挿入体と、前記ケーシング区分内に侵入していてマイク
ロ波源に接続されている励振素子と、前記ケーシング区
分に境を接していてマイクロ波を送信及び／又は受信す
るためのアンテナとを配備した形式の、マイクロ波によ
って動作する充填レベル測定器において、挿入体内で励
振素子とアンテナとの間にギャップが配置されており、
該ギャップが、導波管の高次モードを実質的に透過しな
いフィルタを形成している点にある。
の本発明の構成手段は、一方の端部側で背壁によって短
絡された導波管として構成されているケーシング区分
と、前記導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から成る
挿入体と、前記ケーシング区分内に侵入していてマイク
ロ波源に接続されている励振素子と、前記ケーシング区
分に境を接していてマイクロ波を送信及び／又は受信す
るためのアンテナとを配備した形式の、マイクロ波によ
って動作する充填レベル測定器において、挿入体内で励
振素子とアンテナとの間にギャップが配置されており、
該ギャップが、導波管の高次モードを実質的に透過しな
いフィルタを形成している点にある。
【００２０】
【発明の効果】本発明の第１の構成によれば、ギャップ
は、ケーシング区分の縦軸線に対して平行に延びてお
り、かつ、ギャップと誘電体とを有する導波管の基本モ
ードの波長の１／４の奇数倍に等しい長さを有してい
る。
は、ケーシング区分の縦軸線に対して平行に延びてお
り、かつ、ギャップと誘電体とを有する導波管の基本モ
ードの波長の１／４の奇数倍に等しい長さを有してい
る。
【００２１】本発明の第２の構成によれば、ギャップ
は、ケーシング区分の縦軸線に対して垂直に延びてお
り、かつ、前記ギャップ通過時に高次モードをほぼ完全
に減衰するように設計された幅ｂを有している。
は、ケーシング区分の縦軸線に対して垂直に延びてお
り、かつ、前記ギャップ通過時に高次モードをほぼ完全
に減衰するように設計された幅ｂを有している。
【００２２】第３の構成によれば、挿入体内で励振素子
とアンテナとの間に、縦方向で相前後して配置された２
つのギャップが設けられており、両ギャップの内、一方
のギャップがケーシング区分の縦軸線に対して平行に延
び、他方のギャップが前記ケーシング区分の縦軸線に対
して垂直に延びている。
とアンテナとの間に、縦方向で相前後して配置された２
つのギャップが設けられており、両ギャップの内、一方
のギャップがケーシング区分の縦軸線に対して平行に延
び、他方のギャップが前記ケーシング区分の縦軸線に対
して垂直に延びている。
【００２３】別の実施形態によれば励振素子は、背壁に
固定された送信ワイヤである。
固定された送信ワイヤである。
【００２４】更に本発明によれば励振素子は、背壁に境
を接するギャップの区域に配置されている。
を接するギャップの区域に配置されている。
【００２５】本発明の利点は、付加的な構成部品を必要
としない点にある。産業上の使用のために適した充填レ
ベル測定器は原則として、導波管をほぼ完全に塞ぐ誘電
体から成る挿入体を有している。該誘電体は、励振素子
を機械的に防護するために役立ち、かつケーシング区分
内にダストの侵入及び凝縮物の生成するのを防止する。
としない点にある。産業上の使用のために適した充填レ
ベル測定器は原則として、導波管をほぼ完全に塞ぐ誘電
体から成る挿入体を有している。該誘電体は、励振素子
を機械的に防護するために役立ち、かつケーシング区分
内にダストの侵入及び凝縮物の生成するのを防止する。
【００２６】誘電体としては例えばフッ素樹脂、特にポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はポリフェニ
レンスルフィド（ＰＰＳ）が適している。前記材料は機
械的な加工のために好適であるので、多額の経費をかけ
ずにギャップを製作することが可能である。前記ギャッ
プが同時に励振素子を受容するために使用される場合で
も、付加的な作業工程を全く必要としない。励振素子を
受容するために設けられる切欠部は延長又は拡大するだ
けでよい。
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はポリフェニ
レンスルフィド（ＰＰＳ）が適している。前記材料は機
械的な加工のために好適であるので、多額の経費をかけ
ずにギャップを製作することが可能である。前記ギャッ
プが同時に励振素子を受容するために使用される場合で
も、付加的な作業工程を全く必要としない。励振素子を
受容するために設けられる切欠部は延長又は拡大するだ
けでよい。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に図面に基づいて本発明の実施
例を詳説する。
例を詳説する。
【００２８】なお本発明の構成及び利点を説明するため
の図面には、マイクロ波によって動作する充填レベル測
定器の２つの実施例が図示されているが、図面中、同一
の構成要素には同一の符号を付した。
の図面には、マイクロ波によって動作する充填レベル測
定器の２つの実施例が図示されているが、図面中、同一
の構成要素には同一の符号を付した。
【００２９】図１にはマイクロ波によって動作する充填
レベル測定器が図示されている。該充填レベル測定器は
測定部位に、例えば容器上に固定される。このために充
填レベル測定器は、固定装置を配備したケーシング１を
有している。この固定装置は例えば図１の左半部に図示
したように雄ねじ山１１であり、該雄ねじ山を介して充
填レベル測定器は、対応する容器開口内へ螺入可能であ
る。充填レベル測定器は同じく、図１の右半部に図示し
たようにフランジ１２によって測定部位に固定すること
もできる。その他の固定方式も同じく使用可能である。
レベル測定器が図示されている。該充填レベル測定器は
測定部位に、例えば容器上に固定される。このために充
填レベル測定器は、固定装置を配備したケーシング１を
有している。この固定装置は例えば図１の左半部に図示
したように雄ねじ山１１であり、該雄ねじ山を介して充
填レベル測定器は、対応する容器開口内へ螺入可能であ
る。充填レベル測定器は同じく、図１の右半部に図示し
たようにフランジ１２によって測定部位に固定すること
もできる。その他の固定方式も同じく使用可能である。
【００３０】ケーシング１はケーシング区分１３を有
し、該ケーシング区分は、一方の側の端部で背壁２によ
って短絡された導波管として構成されている。組付け状
態で、前記背壁２から離隔した方のケーシング区分１３
の開口は、充填レベルを測定すべき充填物の方向へ容器
内部へ向いている。図示の実施例ではケーシング１は実
質的に円筒形であり、かつケーシング区分１３は円形導
波管を成している。
し、該ケーシング区分は、一方の側の端部で背壁２によ
って短絡された導波管として構成されている。組付け状
態で、前記背壁２から離隔した方のケーシング区分１３
の開口は、充填レベルを測定すべき充填物の方向へ容器
内部へ向いている。図示の実施例ではケーシング１は実
質的に円筒形であり、かつケーシング区分１３は円形導
波管を成している。
【００３１】ケーシング区分１３は、誘電体から成る挿
入体３によってほぼ完全に塞がれている。該挿入体３は
図２に示されている。その誘電体材料としてはこの場
合、その化学的及び機械的安定性に基づいて産業上の利
用に適した、例えばポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）又はフッ素樹脂のような材料を用いるのが有利であ
る。フッ素樹脂とは、フッ素含有重合体、つまり高い比
率のフッ素成分を有するポリマーである。フッ素樹脂は
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が有利であ
る。またポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をベ
ース物質として使用するところのポリテトラフルオロエ
チレン（ＰＴＦＥ）の変態も同じく極めて適している。
このための例はテトラフルオロエチレン−ヘクサフルオ
ロプロピレン−共重合体（ＦＥＰ）及びパーフルオロア
ルコキシイ−共重合体（ＰＦＡ）である。
入体３によってほぼ完全に塞がれている。該挿入体３は
図２に示されている。その誘電体材料としてはこの場
合、その化学的及び機械的安定性に基づいて産業上の利
用に適した、例えばポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）又はフッ素樹脂のような材料を用いるのが有利であ
る。フッ素樹脂とは、フッ素含有重合体、つまり高い比
率のフッ素成分を有するポリマーである。フッ素樹脂は
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が有利であ
る。またポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をベ
ース物質として使用するところのポリテトラフルオロエ
チレン（ＰＴＦＥ）の変態も同じく極めて適している。
このための例はテトラフルオロエチレン−ヘクサフルオ
ロプロピレン−共重合体（ＦＥＰ）及びパーフルオロア
ルコキシイ−共重合体（ＰＦＡ）である。
【００３２】ケーシング区分１３に境を接してマイクロ
波を送信及び／又は受信するためのアンテナ４が配置さ
れている。本実施例では該アンテナは、組付け状態で被
測定充填レベルの方向に容器内部へ向いた誘電体から成
る棒形アンテナである。その他のアンテナ形状、例えば
明細書冒頭で述べたホルン形アンテナを同じく使用する
ことが可能である。図２から判るように挿入体３とアン
テナ４は、実質的に円筒形の単一構成部分である。挿入
体３は雄ねじ山３１を有し、該雄ねじ山によって、ケー
シング区分１３に配置された雌ねじ山１３１に螺合可能
である。
波を送信及び／又は受信するためのアンテナ４が配置さ
れている。本実施例では該アンテナは、組付け状態で被
測定充填レベルの方向に容器内部へ向いた誘電体から成
る棒形アンテナである。その他のアンテナ形状、例えば
明細書冒頭で述べたホルン形アンテナを同じく使用する
ことが可能である。図２から判るように挿入体３とアン
テナ４は、実質的に円筒形の単一構成部分である。挿入
体３は雄ねじ山３１を有し、該雄ねじ山によって、ケー
シング区分１３に配置された雌ねじ山１３１に螺合可能
である。
【００３３】ケーシング区分１３内へ侵入し、かつ同軸
伝送線路６を介して、図示を省いたマイクロ波源に接続
された励振素子５が設けられている。マイクロ波源は例
えばパルスレーダ装置、ＦＭＣＷ装置又は連続的に振動
するマイクロ波発振器である。
伝送線路６を介して、図示を省いたマイクロ波源に接続
された励振素子５が設けられている。マイクロ波源は例
えばパルスレーダ装置、ＦＭＣＷ装置又は連続的に振動
するマイクロ波発振器である。
【００３４】励振素子５は、ケーシング区分１３の背壁
２に固定された送信ワイヤである。このような励振素子
はドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６２９５９３号
明細書に記載されている。
２に固定された送信ワイヤである。このような励振素子
はドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６２９５９３号
明細書に記載されている。
【００３５】送信ワイヤは導電性金属、例えば真鍮、
銅、銀又はアルミニウムから成っている。送信ワイヤの
第１端部は同軸伝送線路６の内部導体と導電接続されて
いる。このために背壁２内には、絶縁されたブッシング
が設けられている。同軸伝送線路６の外部導体は背壁２
と導電接続されている。前記送信ワイヤの第２端部は背
壁２と導電接続されている。送信ワイヤは３つの区域、
つまりアンテナ４の背壁２から隔てて延びる直線区分
と、該直線区分に接して該直線区分から両端部へ達する
２つの脚片とを有している。所望の基本モードＴＥ−１
１を発生させるために、送信ワイヤの直線区分と背壁２
との間の平均距離は、円形導波管における基本モードＴ
Ｅ−１１の導波管波長λHの１／４に等しくなるように
選ばれねばならない。
銅、銀又はアルミニウムから成っている。送信ワイヤの
第１端部は同軸伝送線路６の内部導体と導電接続されて
いる。このために背壁２内には、絶縁されたブッシング
が設けられている。同軸伝送線路６の外部導体は背壁２
と導電接続されている。前記送信ワイヤの第２端部は背
壁２と導電接続されている。送信ワイヤは３つの区域、
つまりアンテナ４の背壁２から隔てて延びる直線区分
と、該直線区分に接して該直線区分から両端部へ達する
２つの脚片とを有している。所望の基本モードＴＥ−１
１を発生させるために、送信ワイヤの直線区分と背壁２
との間の平均距離は、円形導波管における基本モードＴ
Ｅ−１１の導波管波長λHの１／４に等しくなるように
選ばれねばならない。
【００３６】この導波管波長λHを決定するためには、
送信すべきマイクロ波の適当な周波数が使用されねばな
らない。この適当な周波数は、パルスレーダ装置を使用
する場合には送信パルスの周波数スペクトルの中心周波
数に等しく、また一次関数的に周波数の変調されたＦＭ
ＣＷ装置を使用する場合にはその中心周波数に等しい。
送信すべきマイクロ波の適当な周波数が使用されねばな
らない。この適当な周波数は、パルスレーダ装置を使用
する場合には送信パルスの周波数スペクトルの中心周波
数に等しく、また一次関数的に周波数の変調されたＦＭ
ＣＷ装置を使用する場合にはその中心周波数に等しい。
【００３７】この励振素子５ではマイクロ波のために、
寸法が規定されている場合、次に高いＴＭ−０１モード
を発生させて送信することなしにＴＥ−１１モードのみ
が伝搬可能である周波数範囲よりも大きな周波数範囲を
許容することが可能である。
寸法が規定されている場合、次に高いＴＭ−０１モード
を発生させて送信することなしにＴＥ−１１モードのみ
が伝搬可能である周波数範囲よりも大きな周波数範囲を
許容することが可能である。
【００３８】しかしながら、このマイクロ波結合方式の
場合でも、特にマイクロ波の周波数が著しく大きな帯域
幅を有している場合には、より高次のモードを完全には
抑圧することはできない。
場合でも、特にマイクロ波の周波数が著しく大きな帯域
幅を有している場合には、より高次のモードを完全には
抑圧することはできない。
【００３９】それ故に本発明では挿入体３内に、励振素
子５とアンテナ４との間でギャップ７が配置されてお
り、該ギャップは、導波管のより高次のモードを透過さ
せないフィルタを形成している。図２から判るように前
記ギャップ７はケーシング区分１３の縦軸線に対して平
行に延びており、かつ背壁２に接している。励振素子５
は、背壁２に境を接するギャップ７の領域内に配置され
ている。該励振素子５は、前記ギャップ７内に侵入する
ように背壁２に固定されている。
子５とアンテナ４との間でギャップ７が配置されてお
り、該ギャップは、導波管のより高次のモードを透過さ
せないフィルタを形成している。図２から判るように前
記ギャップ７はケーシング区分１３の縦軸線に対して平
行に延びており、かつ背壁２に接している。励振素子５
は、背壁２に境を接するギャップ７の領域内に配置され
ている。該励振素子５は、前記ギャップ７内に侵入する
ように背壁２に固定されている。
【００４０】図３及び図４には挿入体３がそれぞれ断面
図で図示されている。断面平面は図２においてＡ−Ａ線
で表わされている。ギャップ７はこの図示では挿入体３
の円形断面平面の中点を通ってダイアゴナルに延びてい
る。
図で図示されている。断面平面は図２においてＡ−Ａ線
で表わされている。ギャップ７はこの図示では挿入体３
の円形断面平面の中点を通ってダイアゴナルに延びてい
る。
【００４１】図３では基本モードＴＥ−１１の電気力線
が図示され、図４では次に高いモードＴＭ−０１の電気
力線が図示されている。基本モードＴＥ−１１の電気力
線はギャップ７の断面平面内でギャップ７に対して実質
的に平行に延びているのに対して、次に高いモードＴＭ
−０１の電気力線は、中点から半径方向外向きに向かっ
ている。ギャップ７に対する電気力線の種々異なった方
位づけによって、挿入体３は両モードに対して異なった
有効誘電率を有することになる。これによって両モード
の遮断周波数間の間隔は拡大される。これに伴って、所
望の基本モードＴＥ−１１のみが伝搬できる周波数範囲
は著しく拡大される。ギャップ７によってより高い周波
数値の方へシフトされた高次モードの遮断周波数の下方
範囲では、この高次のモードは極度に減衰されて伝搬不
能になる。
が図示され、図４では次に高いモードＴＭ−０１の電気
力線が図示されている。基本モードＴＥ−１１の電気力
線はギャップ７の断面平面内でギャップ７に対して実質
的に平行に延びているのに対して、次に高いモードＴＭ
−０１の電気力線は、中点から半径方向外向きに向かっ
ている。ギャップ７に対する電気力線の種々異なった方
位づけによって、挿入体３は両モードに対して異なった
有効誘電率を有することになる。これによって両モード
の遮断周波数間の間隔は拡大される。これに伴って、所
望の基本モードＴＥ−１１のみが伝搬できる周波数範囲
は著しく拡大される。ギャップ７によってより高い周波
数値の方へシフトされた高次モードの遮断周波数の下方
範囲では、この高次のモードは極度に減衰されて伝搬不
能になる。
【００４２】シミュレーション計算と模型実験の結果、
ギャップ７を有する挿入体３を配備した導波管の基本モ
ードＴＥ−１１の波長の１／４の奇数倍に等しい長さＬ
をギャップ７が有している場合にはフィルタ機能が格別
顕著であることが判った。その場合スリットを有する導
波管から、誘電体で完全に塞がれた導波管への移行は基
本モードにとって特に好ましい。
ギャップ７を有する挿入体３を配備した導波管の基本モ
ードＴＥ−１１の波長の１／４の奇数倍に等しい長さＬ
をギャップ７が有している場合にはフィルタ機能が格別
顕著であることが判った。その場合スリットを有する導
波管から、誘電体で完全に塞がれた導波管への移行は基
本モードにとって特に好ましい。
【００４３】これによって充填レベル測定器の放射特性
を著しく改善することが可能であり、しかもその場合付
加的な構成部品は必要でなく、かつ／又は製造時に付加
的な作業経費が生じることもない。これは、何れにして
も励振素子５を受容するために設けねばならない切欠部
が前記のギャップの形で形成されているからである。
を著しく改善することが可能であり、しかもその場合付
加的な構成部品は必要でなく、かつ／又は製造時に付加
的な作業経費が生じることもない。これは、何れにして
も励振素子５を受容するために設けねばならない切欠部
が前記のギャップの形で形成されているからである。
【００４４】またリンギング時間もしくは減衰時間が、
相応のギャップ７を有していない充填レベル測定器に対
比して著しく短縮される。その理由は、ＴＭ−０１モー
ドにおけるマイクロ波の成分比率がこのモードの遮断周
波数に近い周波数では、より高い周波数値の方への遮断
周波数のシフトに基づいて著しく僅かであるからであ
る。慣用の充填レベル測定器において長い減衰時間を生
ぜしめるものが、前記マイクロ波の成分比率に他ならな
い。
相応のギャップ７を有していない充填レベル測定器に対
比して著しく短縮される。その理由は、ＴＭ−０１モー
ドにおけるマイクロ波の成分比率がこのモードの遮断周
波数に近い周波数では、より高い周波数値の方への遮断
周波数のシフトに基づいて著しく僅かであるからであ
る。慣用の充填レベル測定器において長い減衰時間を生
ぜしめるものが、前記マイクロ波の成分比率に他ならな
い。
【００４５】図５には、マイクロ波によって動作する充
填レベル測定器の別の実施例が図示されている。但し、
図１に示した実施例との相違点だけを以下に説明する。
重要な相違点は、本実施例では第１挿入エレメント３ａ
と第２挿入エレメント３ｂとから成る２部構成の挿入体
が使用されている点にある。第１挿入エレメント３ａと
第２挿入エレメント３ｂとの間にギャップ８が配置され
ており、該ギャップはケーシング区分１３の縦軸線に対
して垂直に延びておりかつ幅ｂを有している。該幅ｂ
は、より高次のモードがギャップ８の通過時にほぼ完全
に減衰されように設計されている。その場合、高次モー
ドが伝搬方向でギャップ８を通過する際に該高次モード
が基本モードよりも強い減衰作用を受けるという効果が
活用される。
填レベル測定器の別の実施例が図示されている。但し、
図１に示した実施例との相違点だけを以下に説明する。
重要な相違点は、本実施例では第１挿入エレメント３ａ
と第２挿入エレメント３ｂとから成る２部構成の挿入体
が使用されている点にある。第１挿入エレメント３ａと
第２挿入エレメント３ｂとの間にギャップ８が配置され
ており、該ギャップはケーシング区分１３の縦軸線に対
して垂直に延びておりかつ幅ｂを有している。該幅ｂ
は、より高次のモードがギャップ８の通過時にほぼ完全
に減衰されように設計されている。その場合、高次モー
ドが伝搬方向でギャップ８を通過する際に該高次モード
が基本モードよりも強い減衰作用を受けるという効果が
活用される。
【００４６】ギャップ８では基本モード及び次に高いモ
ードのための導波路の遮断周波数は、誘電体におけるよ
りも高い値を有している。高次モードの両遮断周波数の
差量は以下、周波数シフト量Δνで表わされる。従って
誘電体内で高次モードの遮断周波数より上範囲に位置し
かつ高次モードの遮断周波数と周波数シフト量Δνとの
和より下範囲に位置している周波数を有するマイクロ波
の比率成分は、ギャップ８内では高次モードの遮断周波
数よりも下範囲に位置し、従って極度に減衰されてい
る。各適用のために最適の幅ｂは、実験的に第１挿入エ
レメント３ａと第２挿入エレメント３ｂとの間の間隔を
変化することによって、或いは相応のシミュレーション
計算によって決定することができる。
ードのための導波路の遮断周波数は、誘電体におけるよ
りも高い値を有している。高次モードの両遮断周波数の
差量は以下、周波数シフト量Δνで表わされる。従って
誘電体内で高次モードの遮断周波数より上範囲に位置し
かつ高次モードの遮断周波数と周波数シフト量Δνとの
和より下範囲に位置している周波数を有するマイクロ波
の比率成分は、ギャップ８内では高次モードの遮断周波
数よりも下範囲に位置し、従って極度に減衰されてい
る。各適用のために最適の幅ｂは、実験的に第１挿入エ
レメント３ａと第２挿入エレメント３ｂとの間の間隔を
変化することによって、或いは相応のシミュレーション
計算によって決定することができる。
【００４７】マイクロ波パルスが、約６ＧＨｚの中心周
波数と、ポリフェニルスルフィド（ＰＰＳ）によって充
填された約２０ｍｍの内径をもったケーシング区分１３
とを有する場合、ギャップ８は約１ｍｍの幅を有してい
るのが有利である。
波数と、ポリフェニルスルフィド（ＰＰＳ）によって充
填された約２０ｍｍの内径をもったケーシング区分１３
とを有する場合、ギャップ８は約１ｍｍの幅を有してい
るのが有利である。
【００４８】第２挿入エレメント３ｂとアンテナ４は一
体的な構成部分である。これは図６に図示されている。
図７及び図８には第１挿入エレメント３ａが縦断面図と
斜視図で示されている。
体的な構成部分である。これは図６に図示されている。
図７及び図８には第１挿入エレメント３ａが縦断面図と
斜視図で示されている。
【００４９】第１挿入エレメント３ａは円筒形であり、
かつ背壁２寄りの端面に２つの突出する係止突起３３を
有している。該係止突起は組付け状態では、背壁２に対
応配設された凹所に係合して第１挿入エレメント３ａの
回動を防止する。この手段は励振素子５を防護するため
に役立つ。前記背壁２から離反した方の第１挿入エレメ
ント３ａの端面は扁平である。
かつ背壁２寄りの端面に２つの突出する係止突起３３を
有している。該係止突起は組付け状態では、背壁２に対
応配設された凹所に係合して第１挿入エレメント３ａの
回動を防止する。この手段は励振素子５を防護するため
に役立つ。前記背壁２から離反した方の第１挿入エレメ
ント３ａの端面は扁平である。
【００５０】第２挿入エレメント３ｂには雄ねじ山３１
が一体成形されており、該雄ねじ山を介して第２挿入エ
レメント３ｂ及びアンテナ４はケーシング区分１３内へ
螺入可能である。第１挿入エレメント３ａに対面した方
の第２挿入エレメント３ｂの端面の中心には円筒形のス
ペーサ３２が一体成形されている。該スペーサ３２の高
さは、ギャップ８の幅ｂに等しい。
が一体成形されており、該雄ねじ山を介して第２挿入エ
レメント３ｂ及びアンテナ４はケーシング区分１３内へ
螺入可能である。第１挿入エレメント３ａに対面した方
の第２挿入エレメント３ｂの端面の中心には円筒形のス
ペーサ３２が一体成形されている。該スペーサ３２の高
さは、ギャップ８の幅ｂに等しい。
【００５１】前記雄ねじ山３１の下側で第２挿入エレメ
ント３ｂは、パッキン、例えばＯリングを収容するため
の２つの円環溝９を有している。前記の円環溝及びパッ
キンは、図１に図示した第１実施例の場合も勿論設ける
ことができる。
ント３ｂは、パッキン、例えばＯリングを収容するため
の２つの円環溝９を有している。前記の円環溝及びパッ
キンは、図１に図示した第１実施例の場合も勿論設ける
ことができる。
【００５２】ケーシング区分１３の縦軸線に対して垂直
方向に延びるギャップ８以外に、図５に図示した第１実
施例は、ケーシング区分１３の縦軸線に対して平行に延
びるギャップ７ａを有している。ギャップ７ａは、図１
の第１実施例におけるギャップ７と全く同様に、背壁２
に直接境を接しかつ励振素子５を受容するために使用さ
れる。両ギャップ７ａ及び８は、要するにケーシング区
分１３内の励振素子５とアンテナ４との間に縦方向で相
前後して配置されている。
方向に延びるギャップ８以外に、図５に図示した第１実
施例は、ケーシング区分１３の縦軸線に対して平行に延
びるギャップ７ａを有している。ギャップ７ａは、図１
の第１実施例におけるギャップ７と全く同様に、背壁２
に直接境を接しかつ励振素子５を受容するために使用さ
れる。両ギャップ７ａ及び８は、要するにケーシング区
分１３内の励振素子５とアンテナ４との間に縦方向で相
前後して配置されている。
【００５３】ギャップ７ａは勿論、図１に図示したギャ
ップ７に相応して、比較的大きな長さを有し、かつ同じ
く高次モードのためのフィルタとして構成されていても
よい。このような充填レベル測定器は、縦方向で相前後
して配置されて高次モード用のフィルタとして使用され
る２つのギャップを有することになる。
ップ７に相応して、比較的大きな長さを有し、かつ同じ
く高次モードのためのフィルタとして構成されていても
よい。このような充填レベル測定器は、縦方向で相前後
して配置されて高次モード用のフィルタとして使用され
る２つのギャップを有することになる。
【図１】ギャップがケーシング区分の縦軸線に対して平
行に延びる形式の、マイクロ波によって動作する充填レ
ベル測定器の縦断面図である。
行に延びる形式の、マイクロ波によって動作する充填レ
ベル測定器の縦断面図である。
【図２】図１に示した挿入体及びアンテナの縦断面図で
ある。
ある。
【図３】図１に示した挿入体の断面図及び該断面平面に
おける基本モードＴＥ−１１の電気力線経過を示す図で
ある。
おける基本モードＴＥ−１１の電気力線経過を示す図で
ある。
【図４】図１に示した挿入体の断面図及び該断面平面に
おける次に高いモードＴＭ−０１の電気力線経過を示す
図である。
おける次に高いモードＴＭ−０１の電気力線経過を示す
図である。
【図５】ギャップがケーシング区分の縦軸線に対して垂
直に延びる形式の、マイクロ波によって動作する充填レ
ベル測定器の縦断面図である。
直に延びる形式の、マイクロ波によって動作する充填レ
ベル測定器の縦断面図である。
【図６】図５に示したアンテナ及び挿入体の第２挿入エ
レメントの側面図である。
レメントの側面図である。
【図７】図５に示した第１挿入エレメントの縦断面図で
ある。
ある。
【図８】図５に示した第１挿入エレメントの斜視図であ
る。
る。
１ ケーシング、 ２ 背壁、 ３ 挿入体、 ３ａ
第１挿入エレメント、３ｂ 第２挿入エレメント、 ４
アンテナ、 ５ 励振素子、 ６ 同軸伝送線路、
７，７ａ，８ ギャップ、 ９ 円環溝、 １１ 雄
ねじ山、 １２ フランジ、 １３ ケーシング区分、
３１ 雄ねじ山、 ３２ スペーサ、 ３３ 係止突
起、 １３１ 雌ねじ山
第１挿入エレメント、３ｂ 第２挿入エレメント、 ４
アンテナ、 ５ 励振素子、 ６ 同軸伝送線路、
７，７ａ，８ ギャップ、 ９ 円環溝、 １１ 雄
ねじ山、 １２ フランジ、 １３ ケーシング区分、
３１ 雄ねじ山、 ３２ スペーサ、 ３３ 係止突
起、 １３１ 雌ねじ山
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュテファン ブルガー ドイツ連邦共和国 フライブルク トゥ ラシュトラーセ 30 (72)発明者 クラウス−ペーター オーベルレ ドイツ連邦共和国 ヴァイルハイム シ ュタインバッハシュトラーセ １ (72)発明者 アンドレアス ヴィーン ドイツ連邦共和国 カムプ−リントフォ ート フリーダーシュトラーセ 82 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01F 23/284
Claims (6)
- 【請求項１】 一方の端部側で背壁（２）によって短絡
された導波管として構成されているケーシング区分（１
３）と、前記導波管をほぼ完全に塞いでいる誘電体から
成る挿入体（３；３ａ，３ｂ）と、前記ケーシング区分
（１３）内に侵入していてマイクロ波源に接続されてい
る励振素子（５）と、前記ケーシング区分（１３）に境
を接していてマイクロ波を送信及び／又は受信するため
のアンテナ（４）とを配備した形式の、マイクロ波によ
って動作する充填レベル測定器において、 挿入体（３；３ａ，３ｂ）内で励振素子（５）とアンテ
ナ（４）との間にギャップ（７，７ａ，８）が配置され
ており、該ギャップが、導波管の高次モードを実質的に
透過しないフィルタを形成していることを特徴とする、
マイクロ波によって動作する充填レベル測定器。 - 【請求項２】 ギャップ（７）が、ケーシング区分（１
３）の縦軸線に対して平行に延びており、かつ、ギャッ
プ（７）と誘電体とを有する導波管の基本モードの波長
の１／４の奇数倍に等しい長さを有している、請求項１
記載のマイクロ波によって動作する充填レベル測定器。 - 【請求項３】 ギャップ（８）が、ケーシング区分（１
３）の縦軸線に対して垂直に延びており、かつ、前記ギ
ャップ（８）通過時に高次モードをほぼ完全に減衰する
ように設計された幅（ｂ）を有している、請求項１記載
のマイクロ波によって動作する充填レベル測定器。 - 【請求項４】 挿入体（３ａ，３ｂ）内で励振素子
（５）とアンテナ（４）との間に、縦方向で相前後して
配置された２つのギャップ（７，７ａ；８）が設けられ
ており、両ギャップの内、一方のギャップ（７，７ａ）
がケーシング区分（１３）の縦軸線に対して平行に延
び、他方のギャップ（８）が前記ケーシング区分（１
３）の縦軸線に対して垂直に延びている、請求項１記載
のマイクロ波によって動作する充填レベル測定器。 - 【請求項５】 励振素子（５）が、背壁（２）に固定さ
れた送信ワイヤである、請求項１から４までのいずれか
１項記載のマイクロ波によって動作する充填レベル測定
器。 - 【請求項６】 励振素子（５）が、背壁（２）に境を接
するギャップ（７，７ａ）の区域に配置されている、請
求項２から５までのいずれか１項記載のマイクロ波によ
って動作する充填レベル測定器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98105690A EP0947812A1 (de) | 1998-03-28 | 1998-03-28 | Mit Mikrowellen arbeitendes Füllstandsmessgerät |
| EP98105690.6 | 1998-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000065628A JP2000065628A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3027380B2 true JP3027380B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=8231672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11081938A Expired - Fee Related JP3027380B2 (ja) | 1998-03-28 | 1999-03-25 | マイクロ波によって動作する充填レベル測定器 |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (2) | US6202485B1 (ja) |
| EP (1) | EP0947812A1 (ja) |
| JP (1) | JP3027380B2 (ja) |
| CA (1) | CA2266874C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE10010713B4 (de) * | 2000-03-04 | 2008-08-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Füllstandmeßgerät zum Aussenden und Empfangen breitbandiger hochfrequenter Signale |
| DE10051297A1 (de) * | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Endress Hauser Gmbh Co | Füllstandsmeßgerät |
| DE10057441B4 (de) * | 2000-11-20 | 2014-02-13 | Vega Grieshaber Kg | Hornantenne für ein Radargerät |
| DE10064812A1 (de) | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zum Aussenden hochfrequenter Signale |
| US6677891B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-01-13 | Vega Grieshaber Kg | Method and device for transmitting and receiving electromagnetic waves |
| DE10159394A1 (de) * | 2001-12-04 | 2003-06-12 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Füllstandsmessgerät |
| CA2370433A1 (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-04 | Graham Fraser Mcgregor | Rod antenna with integrated installation thread |
| CA2405645A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-03-27 | Siemens Milltronics Process Instruments Inc. | Dielectric rod antenna |
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