JP3019723B2

JP3019723B2 - 回折光学素子の製造方法

Info

Publication number: JP3019723B2
Application number: JP6150628A
Authority: JP
Inventors: 則浩片倉
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1994-06-09
Filing date: 1994-06-09
Publication date: 2000-03-13
Anticipated expiration: 2015-03-13
Also published as: JPH07333396A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、生物用顕微鏡である軟
Ｘ線顕微鏡や、Ｘ線を集光させて物質に照射させて分析
を行う分析機器などに利用されるゾーンプレートや、回
折格子などのＸ線用回折光学素子の製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線顕微鏡やその他多くのＸ線を用いた
光学機器において、通常の光学レンズの代わりにゾーン
プレートなどの回折光学素子が使用されてきた。これ
は、Ｘ線の屈折率があらゆる物質でほとんど１であり、
従来から利用されている屈折を利用した光学レンズでは
集光することができないためである。

【０００３】ゾーンプレートのようにＸ線の回折性・干
渉性を利用した回折光学素子を用いればＸ線を集光する
ことができる。従って、Ｘ線光学においてゾーンプレー
トは重要な光学素子である。

【０００４】このようなゾーンプレートとは、基板上に
Ｘ線遮光輪帯が同心円状に形成され、各遮光輪帯間の基
板領域がＸ線透過輪帯とし、外周側に行くほど輪帯線幅
が細くなるように構成された回折格子である。その解像
力は最外周の最小な遮光輪帯線幅ｄｒとほぼ一致してい
る。従って、解像力を上げるためには最外周線幅を微細
にすることが必要である。

【０００５】最外周線幅を微細にするため、ゾーンプレ
ートの作製には、ＩＣ作製などに用いられる超微細加工
技術が必要となってくる。従来からの方法としては、電
子線描画装置やホログラフィー技術を利用したものがあ
る。これは、Ｘ線透過基板上に形成されたＡｕなどのＸ
線吸収帯層にレジストを塗布し、まずレジスト上に所望
の輪帯に応じたパタンを上述描画手段によって描画・現
像した後、形成されたレジストパタンをマスクとしてそ
の下層にあるＸ線吸収体をエッチングしたり、またはレ
ジストパタンのスペース部にメッキ法などによって輪帯
パタンを形成するという操作によってゾーンプレートを
作製していた。

【０００６】これらのゾーンプレートはＳｉＮ、ＳｉＣ
などのＸ線透過メンブレン上に形成されるか、各隣接す
る輪帯どうしを一体に接続して保持する保持支柱を形成
し、基板（メンブレン）をエッチング等で除去した自立
型などがあった。また、Ｘ線回折格子についても同様の
方法で作製されていた。

【０００７】しかし、所望の最小輪帯線幅が１００ｎｍ
以下となると、上述のような方法で形成する場合、電子
線や紫外線のレジスト内での散乱、または、エッチング
工程での諸問題により、ラインアンドスペース比を理論
値どおりにしたり、微細な線幅を高精度に形成させるこ
とは、非常に困難であった。

【０００８】そこで提案された方法が、特開平３−７８
７０５号公報に示されているように、ゾーンプレートに
おいて、メンブレンの両面側にＸ線遮光輪帯を交互に、
即ち一方の面上に中心から奇数番目の輪帯を、他方の面
上に中心から偶数番面のＸ線遮光輪帯を設けるというも
のであった。

【０００９】これは、基板表面の各透過領域を透過した
Ｘ線が基板裏面の各遮光輪帯によって分解されるもので
あり、各透過領域の幅を狭めることなく表面の透過領域
に対向する基板裏面に遮光輪帯を形成したため、片面だ
けに輪帯を設けた時よりも効率を低下させないまま分解
能を高めることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に提案された作製方法においても、電子線描画装置等
の性能その他に左右され、やはりある線幅以下の輪帯を
形成することは不可能であった。

【００１１】本発明は、上記問題を鑑み、Ｘ線透過基板
の表裏両面にＸ線遮光輪帯を交互に形成した形態のゾー
ンプレートまたは回折格子などの回折光学素子におい
て、描画装置・光露光装置では形成できなかった微小線
幅のパタンを形成し得る回折光学素子の製造方法を提供
することを主目的とする。また、本発明は、多層レジス
ト法を用い、エッチングガス圧を調整して等方性エッチ
ングを行なうことによって微細な線幅を持つ回折光学素
子を製造することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係る回折光学素子の製造方
法では、複数の第１の遮光帯部または位相シフト帯部を
基板の一方の表面に予め定められた寸法の間隙部を介し
て形成し、前記基板の裏面に前記間隙部に対応するよう
に複数の第２の遮光帯部または位相シフト帯部を形成す
る回折光学素子の製造方法において、前記第１の遮光帯
部または位相シフト帯部を形成する工程として、前記基
板上に、少なくとも基板側から順に、Ｘ線吸収体層また
は位相シフト体層、下層レジスト、上層レジストを形成
する積層工程ａ₁ と、前記上層レジストに前記第１の遮
光帯部または位相シフト帯部に応じたレジストパタンを
描画する工程ａ₂ と、該上層レジストのパタンを下層レ
ジストに転写する工程ａ₃ と、該下層レジストのパタン
をマスクとして前記Ｘ線吸収体層または位相シフト体層
をエッチングして前記第１の遮光帯部または位相シフト
帯部を形成するエッチング工程ａ₄ とを有し、前記第２
の遮光帯部または位相シフト帯部を形成する工程とし
て、前記基板上に、少なくとも基板側から順に、Ｘ線吸
収体層または位相シフト体層、下層レジスト、上層レジ
ストを形成する積層工程ｂ₁ と、前記上層レジストに前
記第２の遮光帯部又は位相シフト帯部に応じたレジスト
パタンを描画する工程ｂ₂ と、該上層レジストのパタン
を下層レジストに転写する工程ｂ₃ と、該下層レジスト
のパタンをマスクとして前記Ｘ線吸収体層または位相シ
フト体層をエッチングして前記第２の遮光帯部または位
相シフト帯部を形成するエッチング工程ｂ₄ とを有し、
前記上層レジストのパタンを前記下層レジストに転写す
る工程ａ₃ 及び工程ｂ₃ は、予め定められたサイドエッ
チング量が得られるエッチングガス圧に設定して行なう
等方性エッチング工程を含み、前記工程ａ₁ 及び工程ｂ
₁ において前記上層レジストに形成されるレジストパタ
ンのライン幅は、予め、所望の遮光帯幅または位相シフ
ト帯幅に前記サイドエッチング量を加算して設定するも
のである。

【００１３】また、請求項２に記載の発明に係る回折光
学素子の製造方法では、請求項１に記載の回折光学素子
の製造方法において、前記複数の遮光帯部及び間隙部
は、外周方向に向かって幅が小さくなるよう同心円状に
形成されるものである。

【００１４】また、請求項３に記載の発明に係る回折光
学素子の製造方法では、請求項１又は請求項２に記載の
回折光学素子の製造方法において、前記工程ａ₂ および
工程ｂ₂ は、互いに隣接する第１の遮光帯部または位相
シフト帯部どうしおよび互いに隣接する第２の遮光帯部
または位相シフト体部どうしを各々一体に接続する支持
部に対応するパタンを形成する工程を含むものである。

【００１５】

【作用】本発明は、Ｘ線用の回折光学素子を製造する方
法として、板の表裏両面に、少なくともＸ線吸収体層、
下層レジスト、上層レジストを形成する（工程ａ₁ ，ｂ
₁ ）所謂多層レジスト法を用い、各々表裏両面の上層レ
ジストに形成した遮光帯部または位相シフト帯部に応じ
たレジストパタン（工程ａ₂ ，ｂ₂ ）をさらに下層レジ
ストに転写する（工程ａ₃ ，ｂ₃ ）際に、等方性エッチ
ングを行なうものである。

【００１６】等方性エッチングは、垂直方向以外に横方
向にもエッチングが進む、即ちサイドエッチングが生じ
る反応性イオンエッチングである。従って、下層レジス
トの線幅はサイドエッチングによって従来のものより微
細となり、この下層レジストパターンをマスクとしてエ
ッチングされたＸ線遮光層では、微細な遮光帯部が形成
される。

【００１７】さて、本発明の多層レジスト法に等方性エ
ッチングを用いた工程の一例として、三層レジスト法の
場合を図３に示す。図３において、基板（Ｘ線吸収体）
１０１上に、下層レジスト１０２、中間層１０３、上層
レジスト１０４を順次成膜し、まず、所定の線幅のレジ
ストパタンを上層レジスト１０４に電子線描画装置等を
用いて描画する（図３ａ）。多層レジスト法によれば、
パタン形成機能を担当する上層レジスト１０４におい
て、比較的アスペクト比が大きく基板（Ｘ線吸収体）１
０１のエッチング加工時のマスク機能を担当する下層レ
ジスト１０２で隔てられることによって基板（Ｘ線吸収
体）１０１の影響が軽減され理想的なパタン形成がで
き、レジスト特性が最大限に発揮される。

【００１８】この上層レジスト１０４に形成されたパタ
ンを中間層１０３に転写し（図３ｂ）。さらに、中間層
１０３に形成されたパタンを下層レジスト１０２へと転
写する。この下層レジスト１０２へのパタン転写の際
に、通常の異方性エッチングなどの方法によれば、中間
層１０３のパターンは忠実に下層レジス１０２へ転写さ
れ、上層レジスト１０４のレジストパターンの線幅比が
ほぼそのまま再現される（図３ｃ）。

【００１９】しかしながら、ここで等方性エッチングを
行なうことによって、サイドエッチング効果により若干
逆樽型ではあるが、中間層１０３のパターンより線幅の
微細なパターンが得られる（図３ｄ）。上層レジスト１
０４及び中間層１０３のパターンのラインアンドスペー
ス比が１：１とすると、等方性エッチングによって形成
された下層レジスト１０２のラインアンドスペース比は
１：２、またはそれ以上となる。

【００２０】従って、当初の描画後のレジストパタンの
線幅が従来の限界幅であれば、上記の等方性エッチング
によって得られた下層レジスト１０２のパターンをマス
クとしてエッチングし形成された基板（Ｘ線吸収体）１
０１のパターンは、従来形成できなかったような微細な
線幅のラインをもつこととなる。

【００２１】さらに、等方性エッチングを行なうにあた
って、エッチングガス圧とサイドエッチング量とは、定
量的な相関関係をもつことが見出されたことから、この
エッチングガス圧を設定することによって所望のサイド
エッチングが得られる。例えば、図４に示したサイドエ
ッチング量（μｍ）とＯ₂ ガス圧（Ｐａ）の関係のよう
に、あるガス圧に設定すれば、等方性エッチングによっ
て得られるサイドエッチング量は決定されるので、線幅
自体がどのような大きさの場合であっても、常に、ほぼ
同程度のサイドエッチングを生じさせることができる。
従って、逆に当初のパターンの線幅を、最終的に形成し
たい線幅に設定エッチングガス圧によって得られるサイ
ドエッチング分を予め加算して設定することができる。

【００２２】本発明においては、以上のような等方性エ
ッチングにおけるエッチングガス圧の調整を利用するこ
とによって、従来の限界幅より微細なレジストパターン
をラインアンドスペース比１：２程度で基板表面の金属
層（Ｘ線吸収体）上に形成し、また同様に基板裏面の金
属層上に表面のスペース部ラインが来るようにレジスト
パタンを形成し、この両面パターンをマスクとしてイオ
ンミリングまたは反応性イオンエッチングなどで下部の
Ｘ線吸収体層をパターニングすれば、従来、描画装置な
どで実際に作製できた限界線幅の半分の線幅、また両面
併せて半分の回折定数を持つＸ線用の回折光学素子を製
造することができる。

【００２３】さらに、上記の製造方法において、請求項
２に記載したように複数の遮光帯部及び間隙部を外周方
向に向かって幅が小さくなるよう同心円状に形成すれ
ば、両面併せて、最外周線幅が従来の実際に作製できた
限界線幅の半分の線幅、即ち解像力が倍のゾーンプレー
トを得ることができる。

【００２４】また、請求項３に記載したように、上記の
工程ａ₂ および工程ｂ₂ に互いに隣接する第１の遮光帯
部または位相シフト帯部どうしおよび互いに隣接する第
２の遮光帯部または位相シフト体部どうしを各々一体に
接続する支持部に対応するパタンを形成する工程をさら
に備えることによって、工程ａ₄ 及びｂ₄ のエッチング
で第１、第２の遮光帯部または位相シフト帯部と共に、
これらの支持部が形成されるため、その他の間隙部、即
ち基板のＸ線透過領域を除去して自立型の回折光学素子
を製造することができる。このような自立型の回折光学
素子では、基板を透過する際のＸ線の損失分がなくな
り、Ｘ線の利用効率が高まる。

【００２５】なお、本発明に用いる多層レジスト法は、
三層レジスト法に限られるものではなく、例えば二層レ
ジストを用いても構わない。この時、感光層である上層
レジストとして、例えば、Ｓｉ含有レジストやＳｅ−Ｇ
ｅ系無機レジストなどの工程ａ₃ ，ｂ₃ で行なわれる等
方性エッチング（反応性イオンエッチング）に耐性のあ
るものを用いれば良い。

【００２６】

【実施例】以下に、本発明を実施例をもって説明する。
まず、本発明の一実施例として三層レジスト法を用いた
Ｘ線用のゾーンプレートの製造方法を、図１の工程図で
示す。図１において、まず、環状のシリコンウエハ基台
３に張設されたＳｉＮ，ＳｉＣなどのＸ線透過メンブレ
ン１の表裏両面に、それぞれメンブレン１側から、ゾー
ンプレートの格子材料、即ち後にＸ線遮光輪帯となる金
やゲルマニウムの金属層２ａ，金属層２ｂ、ポジ型レジ
ストであるＡＺ−１３５０（商品名，ヘキスト社製：オ
ルソジアゾキノン化合物を混入したフェノール系樹脂）
を下層レジスト４ａ，４ｂとし、さらに、ＳｉＯ₂ の中
間層５ａ，５ｂ、電子線レジストであるＰＭＭＡ（ポリ
メチルメタクリレート）の上層レジスト６ａ，６ｂを順
次成膜した（図１（ａ））。

【００２７】次に、表面側の上層レジスト６ａには実際
のＸ線遮光輪帯の中心から外周側へ向けて奇数番目の第
１の遮光輪帯群に応じたパタンを、裏面側の上層レジス
ト６ｂには実際のＸ線遮光輪帯の中心から外周に向けて
偶数番目の第２の遮光輪帯群に応じたパタンを電子線描
画装置によって描画した。これによって形成されたパタ
ンは、図１（ｂ）の断面図に示すように、表裏でちょう
ど各輪帯が交互に形成された状態となっている。

【００２８】なお、上層レジスト６ａ，６ｂで描画され
るパタンの線幅は、後の等方性エッチングによってサイ
ドエッチングされる分を考慮し、最終的に得られる線幅
にサイドエッチング分を加算した幅に設定する。ここで
は、最終的に形成されるべきゾーンプレートの最外周
（最小）線幅を０．０５μｍ、サイドエッチング幅がパ
タンのライン両側で各々０．０２５μｍづつとする。従
って、当初の上層レジスト２ａ，２ｂで描画される最外
周輪帯に相当するパタン部の線幅は０．１μｍとする。

【００２９】次に、表面側の上層レジスト６ａのパタン
をマスクとして表面側の中間層５ａにＣＨＦ₃ ガスを用
いた反応性イオンエッチングを行ない、同様に裏面側の
上層レジスト６ｂのパタンをマスクとして裏面側の中間
層５ｂにＣＨＦ₃ ガスを用いた反応性イオンエッチング
を行ない、各々上層レジストパタンを忠実に転写した
（図１（ｃ））。

【００３０】次に、上記の如く形成した表面側の中間層
５ａのパタンをマスクとして表面側の下層レジスト４ａ
に、また裏面側の中間層５ｂのパタンをマスクとして裏
面側下層レジスト４ｂに、それぞれＯ₂ ガスを使った反
応性イオンエッチングによってパタンを転写した（図１
（ｄ））。

【００３１】このとき、前述したように、サイドエッチ
ング幅としてそれぞれ０．０２５μｍ（両側で０．０５
μｍ）が生じる等方性エッチングとなるように、図４か
ら、Ｏ₂ ガス圧を約２．６Ｐａが設定した。このよう
に、Ｏ₂ ガス圧約２．６Ｐａ、Ｒｆ出力１５０Ｗの条件
で等方性エッチングを行なった結果、最外周輪帯に相当
するパタン部のライン幅が０．０５μｍでラインアンド
スペース比が１：２程度の下層レジストパタンが形成さ
れた。

【００３２】次に、この表面側下層レジスト４ａのパタ
ーンをマスクとして表面側の金属層２ａを、また裏面側
下層レジスト４ｂのパターンをマスクとして裏面側の金
属層２ｂを、それぞれ反応性イオンエッチング（異方
性）を用いてパタンニングを行うことにより、最外周線
幅が０．０５μｍの、両面併せて従来より微細な線幅の
遮光輪帯を持つゾーンプレートが得られた（図１
（ｅ））。

【００３３】次に、上記の実施例の変形例として、自立
型のゾーンプレートの製造方法を図２に示す。これは、
上記実施例と同様に、環状のシリコンウエハ基台１３に
張設されたＳｉＮ，ＳｉＣなどのＸ線透過メンブレン１
１の表裏両面に、それぞれメンブレン１１側から、ゾー
ンプレートの格子材料、即ち後にＸ線遮光輪帯となる金
やゲルマニウムの金属層１２ａ，金属層１２ｂ、ＡＺ−
１３５０の下層レジスト１４ａ，１４ｂ、ＳｉＯ₂ の中
間層１５ａ，１５ｂ、ＰＭＭＡの上層レジスト１６ａ，
１６ｂ、を順次成膜した（図２（ａ））後、表面側の上
層レジスト１６ａには実際のＸ線遮光輪帯の中心から外
周側へ向けて奇数番目の第１の遮光輪帯群に応じたパタ
ンを、裏面側の上層レジスト１６ｂには実際のＸ線遮光
輪帯の中心から外周に向けて偶数番目の第２の遮光輪帯
群に応じたパタンを電子線描画装置によって描画するも
のであるが、ここで、最終的にそれぞれ隣接する遮光輪
帯どうしを一体的に接続する支持部を形成するために、
該支持部に対応するパタン部１７ａ及び１７ｂも同時に
形成した（図２（ｂ））。この支持部は、ゾーンプレー
トを平面でみて各遮光輪帯に対して直交する状態で十字
型に設けるものとした。

【００３４】表面側上層レジスト１６ａ及び裏面側上層
レジスト１６ｂに各々形成された第１及び第２の遮光輪
帯に応じたパタンは、各々中間層１５ａ，１５ｂ、さら
に下層レジスト１４ａ，１４ｂへ転写されるが、支持部
に応じたパタン部１７ａ及び１７ｂも同時に転写され
る。

【００３５】前述したように、中間層１５ａ，１５ｂの
パタンを下層レジスト１４ａ，１４ｂへ転写する際に
は、エッチングガス圧を設定して等方性エッチングを行
なうことによって所望のサイドエッチングを生じさせる
ため、予め当初の上層レジスト１２ａ及び１２ｂにレジ
ストパターンを形成する際の線幅は、最終的に形成すべ
き線幅にサイドエッチング分を加算して設定する必要が
あるが、ここでは、支持部に応じたパタン部１７ａ，１
７ｂに関しても、最終的に得られる支持部の幅が各遮光
輪帯部を支持し得る程度のものとなるように、当初のパ
タン幅はサイドエッチング分だけ太くしておく必要があ
る。

【００３６】このように下層レジスト１４ａ，１４ｂに
形成された、支持部に応じたパタン部を含むレジストパ
タンをマスクとし、金属層１２ａ，１２ｂを反応性イオ
ンエッチングを用いてパタンニングすることによって、
支持部１８ａ，１８ｂによって各々一体的に接続された
遮光輪帯が形成された（図２（ｃ））。

【００３７】さらに、表裏両面で第１及び第２の遮光輪
帯と支持部１８ａ，１８ｂ以外の間隙部のメンブランを
エッチングにより除去することによって、両面併せて従
来より線幅の微細な遮光輪帯を有する自立型ゾーンプレ
ートが得られた（図２（ｄ））。

【００３８】なお、ゾーンプレートに限らず回折格子に
ついても、以上の実施例及びその変形例として示した製
造方法を用いることができる。この場合も、下層レジス
トへのパターン転写の際に、所望のラインアンドスペー
ス比、位相シフト部幅、格子定数となるサイドエッチン
グが得られるようにエッチングガス圧を設定し等方性エ
ッチングを行なう。

【００３９】また、表面側の第１の遮光輪帯部または位
相シフト帯部と裏面側の第２の遮光輪帯部または位相シ
フト帯部は、上記実施例に示した用に、同一基板（メン
ブレン）の表裏に形成する方法に限らず、各々別個の基
板（メンブレン）に形成した後、基板どうしを接続する
方法も可能である。

【００４０】さらに、三層レジスト法を用いた場合を以
上の実施例で説明したが、これ以外にも、例えば二層レ
ジスト法など、他の多層レジスト法を用いても良く、使
用するレジストは、用いるレジスト法に応じて適当なも
のを選択すれば良い。また、本発明にＸ線吸収体として
使用する素材も、Ａｕ、タングステン以外にも、製造す
る回折光学素子に求められる作用に応じて適宜選択す
る。

【００４１】

【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
従来のものより微細な線幅のＸ線用の回折光学素子を製
造することができる。また本発明では、従来より最外周
線幅の小さいゾーンプレートが製造可能であるため、こ
れを用いたＸ線光学系では、従来より高い集光率、解像
度が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるゾーンプレートの製造
方法の工程を示す概念図であり、（ａ）〜（ｅ）は各工
程におけるゾーンプレート基材の断面図である。

【図２】図１の実施例の変形例による自立型ゾーンプレ
ート製造方法の工程を示す概念図であり、（ａ）〜
（ｃ）は各工程におけるゾーンプレート基材の断面図、
（ｄ）はゾーンプレートの平面図である。

【図３】本発明の作用を説明するための多層レジスト法
と等方性エッチングを示す工程図である。

【図４】本発明の作用を説明するための、等方性エッチ
ングにおけるサイドエッチングとエッチングガス（Ｏ
₂ ）圧の関係を示す線図である。

【符号の説明】

１，１１：メンブレン３，１３：シリコンウエハ基台２ａ，２ｂ，１２ａ，１２ｂ，１０１：金属層４ａ，４ｂ，１４ａ，１４ｂ，１０２：下層レジスト５ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ，１０３：中間層６ａ，６ｂ，１６ａ，１６ｂ，１０４：上層レジスト１７ａ，１７ｂ：支持部に相当するレジストパタン部１８ａ，１８ｂ：（遮光輪帯）支持部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭63−214650（ＪＰ，Ａ) 特開平６−138300（ＪＰ，Ａ) 特開平６−130193（ＪＰ，Ａ) 特開平５−346503（ＪＰ，Ａ) 特開平４−160399（ＪＰ，Ａ) 特開平４−152297（ＪＰ，Ａ) 特開平２−307100（ＪＰ，Ａ) 特開平６−94898（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G21K 1/06

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の第１の遮光帯部または位相シフト
帯部を基板の一方の表面に予め定められた寸法の間隙部
を介して形成し、前記基板の裏面に前記間隙部に対応す
るように複数の第２の遮光帯部または位相シフト帯部を
形成する回折光学素子の製造方法において、前記第１の遮光帯部または位相シフト帯部を形成する工
程として、前記基板上に、少なくとも基板側から順に、Ｘ線吸収体
層または位相シフト体層、下層レジスト、上層レジスト
を形成する積層工程ａ₁ と、前記上層レジストに前記第１の遮光帯部または位相シフ
ト帯部に応じたレジストパタンを描画する工程ａ₂ と、該上層レジストのパタンを下層レジストに転写する工程
ａ₃ と、該下層レジストのパタンをマスクとして前記Ｘ線吸収体
層または位相シフト体層をエッチングして前記第１の遮
光帯部または位相シフト帯部を形成するエッチング工程
ａ₄ とを有し、前記第２の遮光帯部または位相シフト帯部を形成する工
程として、前記基板上に、少なくとも基板側から順に、Ｘ線吸収体
層または位相シフト体層、下層レジスト、上層レジスト
を形成する積層工程ｂ₁ と、前記上層レジストに前記第２の遮光帯部または位相シフ
ト帯部に応じたレジストパタンを描画する工程ｂ₂ と、該上層レジストのパタンを下層レジストに転写する工程
ｂ₃ と、該下層レジストのパタンをマスクとして前記Ｘ線吸収体
層または位相シフト体層をエッチングして前記第２の遮
光帯部または位相シフト帯部を形成するエッチング工程
ｂ₄ とを有し、前記上層レジストのパタンを前記下層レジストに転写す
る工程ａ₃ 及び工程ｂ₃ は、予め定められたサイドエッ
チング量が得られるエッチングガス圧に設定して行なう
等方性エッチング工程を含み、前記工程ａ₁ 及び工程ｂ₁ において前記上層レジストに
形成されるレジストパタンのライン幅は、予め、所望の
遮光帯幅または位相シフト帯幅に前記サイドエッチング
量を加算して設定することを特徴とする回折光学素子の
製造方法。
【請求項２】前記複数の遮光帯部及び間隙部は、外周
方向に向かって幅が小さくなるよう同心円状に形成され
ることを特徴とする請求項１に記載の回折光学素子の製
造方法。
【請求項３】前記工程ａ₂ および工程ｂ₂ は、互いに
隣接する第１の遮光帯部または位相シフト帯部どうしお
よび互いに隣接する第２の遮光帯部または位相シフト帯
部どうしを各々一体に接続する支持部に対応するパタン
を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１、また
は請求項２に記載の回折光学素子の製造方法。