JP3019339U - ダイヤフラム弁 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】流路(1) の構成壁に貫設された透孔(12)の周縁
部にダイヤフラム(22)の外周部を固定し、該ダイヤフラ
ム(22)の中央部にはこれと一体形成された弁体(21)を具
備させ、流路(1) 内に於いて上記弁体(21)と対向する部
分には該弁体(21)で開閉される弁口(10)を形成し、該弁
口(10)と反対側の弁体(21)表面部に進退軸(3) の先端部
(31)を連結したダイヤムラム弁に於いて、流体が流路
(1) を流れる際の通過抵抗を低下させることにより、該
流路(1) 内に供給可能な流体の流量を大きくし得るよう
にする。 【構成】弁体(21)側に開放する嵌入孔(33)を進退軸(3)
の先端面に形成し、弁体(21)に突設した嵌入突起(24)を
前記嵌入孔(33)に強制嵌入状態に結合すると共に、該結
合状態では上記嵌入突起(24)がその基端部まで嵌入孔(3
3)に侵入状態となるようにした。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はダイヤフラム弁、特に、弁体を開閉する機構部と薬液が流れる流路内 をダイヤフラムで完全に区画することにより、前記機構部に薬液が付着しないよ うにしてその腐食防止が図れるようにした形式のダイヤフラム弁に関するもので 、水回路やガス回路等の開閉弁としても使用できる。

【０００２】

【従来技術及び課題】

この種ダイヤフラム弁として図４に示す如き構造のものがあり、このものでは 、流路壁に貫設された透孔(12)の周縁部にはダイヤフラム(22)の外周縁が固定さ れていると共に、該ダイヤフラム(22)の中央部にはこれと一体形成された弁体(2 1)が設けられている。又、流路(1) 内に於いて上記弁体(21)に対向する部分には 弁口(10)が形成されている。

【０００３】 一方、上記弁体(21)を開閉動作させる為の進退軸(3) の先端部(31)は、上記弁 体(21)の上面に突設された嵌入筒(212) に抜止め状態に強制嵌入されている。 このものでは、同図矢印で示す流入口(18)側から流体が供給されるようになっ ており、同図に示す閉弁状態から進退軸(3) が上方に移動すると弁体(21)が弁口 (10)から離反して開弁状態となり、これにより一次側流路(15)と二次側流路(16) が連通する。他方、上記開弁状態において進退軸(3) が降下すると、該弁体(21) が弁口(10)を閉塞して閉弁状態に復帰する。そして、このものでは、弁体(21)を 開閉させる進退軸(3) 等の機構部側と流路(1) 内がダイヤフラム(22)等で完全に 区画されているから、流路(1) 内の薬液が前記進退軸(3) 等に付着することがな く、その腐食防止に有効なものとなる。

【０００４】 しかしながら、上記従来のものでは、進退軸(3) を弁体(21)に結合する為の嵌 入筒(212) を該弁体(21)上面に突設する必要があることから、該弁体(21)の円滑 な開閉動作が阻害されない程度にダイヤフラム(22)を大きくする場合は該弁体(2 1)部分が小さくなって流路(1) に大流量の流体を供給することができないと言う 問題があった。

【０００５】 即ち、弁口(10)の直径が進退軸(3) の先端部(31)外径よりも大きい場合は、閉 弁時に於いて弁体(21)が弁座部(11)と進退軸(3) の先端面で挟圧できないことか ら、上記弁口(10)より進退軸(3) の先端部(31)の外径を大きくしなければならな い。又、ダイヤフラム(22)の大きさを一定に保つ場合は、弁体(21)として機能す る領域の面積は上記嵌入筒(212) の肉厚部分に侵食されて小さくなる。即ち、嵌 入筒(212) の肉厚分だけ弁体(21)として機能する部分が小さくなるのである。す ると、これに付随して弁口(10)も小さくなる。そして、該弁口(10)が小さくなる と、該部分に於ける流体の流れに対して抵抗として作用する力（以下、「通過抵 抗」という）が大きくなることから、流路(1) に大流量の流体を供給することが できないのである。

【０００６】 本考案はかかる点に鑑みてなされたもので、『流路(1) の構成壁に貫設された 透孔(12)の周縁部にダイヤフラム(22)の外周部を固定し、該ダイヤフラム(22)の 中央部にはこれと一体形成された弁体(21)を具備させ、流路(1) 内に於いて上記 弁体(21)と対向する部分には該弁体(21)で開閉される弁口(10)を形成し、該弁口 (10)と反対側の弁体(21)表面部に進退軸(3) の先端部(31)を連結したダイヤムラ ム弁』に於いて、流体が流路(1) を流れる際の通過抵抗を低下させることにより 、該流路(1) 内に供給可能な流体の流量を大きくし得るようにすることをその課 題とする。

【０００７】

【技術的手段】

上記課題を解決する為の本考案の技術的手段は、『弁体(21)側に開放する嵌入 孔(33)を進退軸(3) の先端面に形成し、弁体(21)に突設した嵌入突起(24)を前記 嵌入孔(33)に強制嵌入状態に結合すると共に、該結合状態では上記嵌入突起(24) がその基端部まで嵌入孔(33)に侵入状態となるようにした』ことである。

【０００８】

【作用】

上記技術的手段は次のように作用する。 進退軸(3) の下端に開放する嵌入孔(33)には、弁体(21)に突設した嵌入突起(2 4)がその基端部まで嵌入されている。従って、該進退軸(3) の先端面は、弁体(2 1)に於ける前記嵌入突起(24)の外周域に当接することとなり、閉弁状態に於いて は弁口(10)外周の弁座部と上記進退軸(3) の先端面で弁体(21)が挟圧されて流路 (1) が遮断される。

【０００９】 又、上記進退軸(3) の先端面の嵌入孔(33)に弁体(21)の嵌入突起(24)を強制嵌 入することによりこれら両者を結合しているから、既述した従来のもののように 進退軸(3) の先端部(31)の外周部を包囲する嵌入筒(212) の如きを弁体(21)に設 ける必要がなくなる。従って、既述従来のものに於いて前記嵌入筒(212) が設け られていた領域まで進退軸(3) の先端部(31)の外径を拡大させることができ、既 述従来のものと同一の外径及び面積を有するダイヤフラム(22)であっても、弁体 (21)として機能する領域を大きくすることができる。従って、上記弁体(21)の拡 大に追随させて弁口(10)も拡大することができ、流体が該弁口(10)部分を流れる 際の通過抵抗を小さくすることができる。

【００１０】

【効果】

本考案は次の特有の効果を有する。 流体が流路(1) を流れる際の通過抵抗を低下させることができるから、大流量 の流体を供給することができる。

【００１１】

【実施例】

次に、上記した本考案の実施例を図面に従って詳述する。 管体(17)内には、既述従来のものと同様に上流端の流入口(18)から弁口(10)に 繋がるＬ字状の一次側流路(15)と、その弁口(10)より下流の二次側流路(16)が形 成されている。

【００１２】 上記管体(17)内の途中に形成された弁口(10)は、既述従来のものと同様にこれ に対して接離動作する弁体(21)で開閉されるようになっている。そして、上記弁 体(21)の上面にはこれと一体的に形成された嵌入突起(24)が突設されていると共 に、該嵌入突起(24)は円錐台状の頭部(240) とその下方に連続するくびれ部(241 ) から構成されている。上記弁体(21)と一体的に形成され且つ該弁体(21)の外周 に周設されたダイヤフラム(22)には、更にその外周に連設された環状体(25)が設 けられており、上記環状体(25)，ダイヤフラム(22)，弁体(21)及びこの上面の嵌 入突起(24)は弾性ゴムで一体的に形成されている。

【００１３】 上記ダイヤフラム(22)の外周に設けられた環状体(25)は、図１及び図２の如く 流路(1) の側壁に穿設された透孔(13)を包囲する突出筒(4) 内に装着固定されて いる。即ち、突出筒(4) 内にはその下端近傍の小径部(41)とその上方に続く中間 径部(42)と更にその上方に続く大径部(43)が形成されており、上記小径部(41)と 中間径部(42)の境界部に形成された段部(44)に、上記ダイヤフラム(22)の外周の 環状体(25)が嵌め込まれている。そして、該環状体(25)の上には、中央部に透孔 (51)が穿設された環状平板(5) が重ねられており、該環状平板(5) によってダイ ヤフラム(22)に作用する圧力の一部が受け止められるようになっている。即ち、 弁体(21)が開弁動作してダイヤフラム(22)が上向きに変形すると、該ダイヤフラ ム(22)の上面が環状平板(5) に圧接することから該ダイヤフラム(22)に作用する 圧力の一部が環状平板(5) で受け止められ、これにより、ダイヤフラム(22)の過 度の変形が防止される。上記環状平板(5) の上には中空円筒状の押え部材(61)が 装填されており、更に、該押え部材(61)の上にはこれと同軸状のボビン(63)に捲 回された電磁コイル(62)が配設されている。

【００１４】 次に、上記した弁体(21)の上面に突出する嵌入突起(24)は進退軸(3) に形成さ れた下方開放する嵌入孔(33)に強制嵌入されている。即ち、進退軸(3) は磁性材 料で中空の円筒状に形成されていると共に、その内部空間の下端部には上記弁体 (21)の嵌入突起(24)の基端部に形成されたくびれ部(241) に係合する係合鍔(34) が周設されている。そして、この実施例では上記係合鍔(34)部分およびその上方 の進退軸(3) 内空間が既述技術的手段の項に記載の嵌入孔(33)に対応しており、 上記係合鍔(34)の下方から弁体(21)の嵌入突起(24)を強制的に嵌入すると、該嵌 入突起(24)の基端部に形成されたくびれ部(241) が上記進退軸(3) 側の係合鍔(3 4)に係合してこれらが抜け止め状態に結合される。そして、この結合状態では、 上記弁体(21)の嵌入突起(24)に進退軸(3) の下端部が外嵌した状態になっており 、既述従来のもののように弁体(21)の上面に進退軸(3) の下端部を嵌入する為の 嵌入筒(212) の如きものを突設する必要がない。従って、該嵌入筒(212) が不要 となる分だけ、弁体(21)として機能する領域を大きくすることができ、これによ り、弁口(10)を大きくすることができる。即ち、弁口(10)部分に於ける流体の流 れに対して抵抗として作用する通過抵抗が小さくなり、これにより、流量の大き な回路にも適用できる。

【００１５】 次に、上記進退軸(3) の上部は既述した電磁コイル(62)中心のボビン(63)内に 挿入状態となっており、更に、該進退軸(3) 内の上部に形成された大径部(36)に はバネ(38)が装填されている。そして、該バネ(38)の下端は上記進退軸(3) 内の 大径部(36)とその下方に続く小径部(37)の境界部に位置する段部(39)に当接して いると共に、該バネ(38)の上端は電磁コイル(62)を捲回したボビン(63)の上部に 挿入配設された鉄心(65)に押し付けられている。そして、該鉄心(65)の上端外周 に張り出した係合鍔(67)は上記ボビン(63)の上端に係合していると共に、前記鉄 心(65)はカバー(8) の頂板(81)で下方に押し付けられている。そして、上記ボビ ン(63)とこれに捲回された電磁コイル(62)と更に上記鉄心(65)によって電磁石が 構成されている。又、前記カバー(8) の下端開放部は、管体(17)の側壁から突出 した突出筒(4) に外嵌された状態でビス(85)(85)で固定されている。尚、上記ビ ス(85)(85)を用いることなく、上記突出筒(4) にカバー(8) の下端をカシメるよ とによってこれら両者を結合してもよい。

【００１６】 このものでは、図示しない電源から電磁コイル(62)に電流を供給すると鉄心(6 5)が磁化され、該鉄心(65)の電磁吸着力により、進退軸(3) がバネ(38)の付勢力 に抗して前記鉄心(65)側に移動し、弁体(21)が開弁動作する。これにより、一次 側流路(15)と二次側流路(16)が連通し、流入口(18)から流入した流体は弁口(10) を経て流出口(19)から流出する。又、電磁コイル(62)への電流供給を停止させて これを消磁状態にすると、バネ(38)の付勢力で進退軸(3) が下方に押し出され、 これにより、弁体(21)が弁口(10)の周囲の弁座部(11)に圧接せしめられて閉弁状 態に復帰する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案実施例の縦断面図

【図２】弁口(10)近傍の横断面図

【図３】環状平板(5) の平面図

【図４】従来例の説明図

【符号の説明】

(1) ・・・流路 (3) ・・・進退軸 (10)・・・弁口 (12)・・・透孔 (22)・・・ダイヤフラム (24)・・・嵌入突起 (33)・・・嵌入孔

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 流路(1) の構成壁に貫設された透孔(12)
   の周縁部にダイヤフラム(22)の外周部を固定し、該ダイ
   ヤフラム(22)の中央部にはこれと一体形成された弁体(2
   1)を具備させ、流路(1) 内に於いて上記弁体(21)と対向
   する部分には該弁体(21)で開閉される弁口(10)を形成
   し、該弁口(10)と反対側の弁体(21)表面部に進退軸(3)
   の先端部(31)を連結したダイヤムラム弁に於いて、弁体
   (21)側に開放する嵌入孔(33)を進退軸(3) の先端面に形
   成し、弁体(21)に突設した嵌入突起(24)を前記嵌入孔(3
   3)に強制嵌入状態に結合すると共に、該結合状態では上
   記嵌入突起(24)がその基端部まで嵌入孔(33)に侵入状態
   となるようにしたダイヤフラム弁。
2. 【請求項２】 弁体(21)と同心状に配設され且つ弁口(1
   0)の反対側からダイヤフラム(22)に対向する環状平板
   (5) を設け、開弁動作に伴って変形する上記ダイヤフラ
   ム(22)が前記環状平板(5) に当接するようにした請求項
   １のダイヤフラム弁。
3. 【請求項３】 進退軸(3) を磁性体で形成し、該進退軸
   (3) を開弁方向に吸着する電磁磁石と該進退軸(3) を閉
   弁方向に付勢するバネ(38)を設けた請求項１又は請求項
   ２に記載のダイヤフラム弁。