JP3010883B2 - イソニトリル類の製造方法 - Google Patents
イソニトリル類の製造方法Info
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- JP3010883B2 JP3010883B2 JP4050612A JP5061292A JP3010883B2 JP 3010883 B2 JP3010883 B2 JP 3010883B2 JP 4050612 A JP4050612 A JP 4050612A JP 5061292 A JP5061292 A JP 5061292A JP 3010883 B2 JP3010883 B2 JP 3010883B2
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- thioisocyanate
- isonitriles
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イソニトリル類の製造
方法に関し、詳しくは、ランタノイド系金属ハロゲン化
物に式〔Ｉ〕 Ｒ−ＮＣＳ 〔Ｉ〕 （式中、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、もしくはアラルキル基を表す。）で示されるイソチ
オシアナート類を作用せしめることを特徴とする式〔I
I〕 Ｒ−ＮＣ 〔II〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を有する。）で示されるイ
ソニトリル類の製造方法に関するものである。
方法に関し、詳しくは、ランタノイド系金属ハロゲン化
物に式〔Ｉ〕 Ｒ−ＮＣＳ 〔Ｉ〕 （式中、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、もしくはアラルキル基を表す。）で示されるイソチ
オシアナート類を作用せしめることを特徴とする式〔I
I〕 Ｒ−ＮＣ 〔II〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を有する。）で示されるイ
ソニトリル類の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術、発明が解決しようとする課題】イソニト
リル類は、ファインケミカルズの中間体として有用な化
合物であり、イソチオシアナート類にトリエチルホスフ
ァイトを作用させることにより、製造し得ることも知ら
れている（例えば、J.Org.Chem.,27,3651(1962))。しか
しながら、この方法ではイソニトリル類の収率が約50％
程度であり、満足し得る方法ではない。
リル類は、ファインケミカルズの中間体として有用な化
合物であり、イソチオシアナート類にトリエチルホスフ
ァイトを作用させることにより、製造し得ることも知ら
れている（例えば、J.Org.Chem.,27,3651(1962))。しか
しながら、この方法ではイソニトリル類の収率が約50％
程度であり、満足し得る方法ではない。
【０００３】本発明者等は、イソニトリル類の製造方法
について、鋭意検討を重ねた結果、イソチオシアナート
類にランタノイド系金属ハロゲン化物に作用せしめれ
ば、目的とするイソニトリル類が収率良く製造し得るこ
とを見出すとともに、さらに種々の検討を加えて本発明
を完成した。
について、鋭意検討を重ねた結果、イソチオシアナート
類にランタノイド系金属ハロゲン化物に作用せしめれ
ば、目的とするイソニトリル類が収率良く製造し得るこ
とを見出すとともに、さらに種々の検討を加えて本発明
を完成した。
【０００４】
【課題を解決する手段】すなわち本発明は、ランタノイ
ド系金属ハロゲン化物に式〔Ｉ〕 Ｒ−ＮＣＳ 〔Ｉ〕 （式中、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、もしくはアラルキル基を表す。）で示されるイソチ
オシアナート類を作用せしめることを特徴とする式〔I
I〕 Ｒ−ＮＣ 〔II〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を有する。）で示されるイ
ソニトリル類の工業的に優れた製造方法を提供するもの
である。
ド系金属ハロゲン化物に式〔Ｉ〕 Ｒ−ＮＣＳ 〔Ｉ〕 （式中、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、もしくはアラルキル基を表す。）で示されるイソチ
オシアナート類を作用せしめることを特徴とする式〔I
I〕 Ｒ−ＮＣ 〔II〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を有する。）で示されるイ
ソニトリル類の工業的に優れた製造方法を提供するもの
である。
【０００５】以下、本発明について詳細に説明する。式
〔Ｉ〕で示されるイソチオシアナート類の置換基Ｒとし
ては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、２級ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキ
シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、ラウリル、ステアリル等ののアルキル
基、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル
等のシクロアルキル基、フェニル、トリル、キシリル、
クロロフェニル、ブロモフェニル、ジクロロフェニル、
ジブロモフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、プロポキシフェニル、ジメトキシフェニル、1-ナフ
チル、2-ナフチル等のアリール基、ベンジル、フェニル
エチル、フェニルプロピル、フェニルブチル、メトキシ
フェニルエチル等のアラルキル基などが挙げられる。
〔Ｉ〕で示されるイソチオシアナート類の置換基Ｒとし
ては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、２級ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキ
シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、ラウリル、ステアリル等ののアルキル
基、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル
等のシクロアルキル基、フェニル、トリル、キシリル、
クロロフェニル、ブロモフェニル、ジクロロフェニル、
ジブロモフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、プロポキシフェニル、ジメトキシフェニル、1-ナフ
チル、2-ナフチル等のアリール基、ベンジル、フェニル
エチル、フェニルプロピル、フェニルブチル、メトキシ
フェニルエチル等のアラルキル基などが挙げられる。
【０００６】より具体的化合物としては、例えば、チオ
イソシアン酸メチル、チオイソシアン酸エチル、チオイ
ソシアン酸プロピル、チオイソシアン酸ブチル、チオイ
ソシアン酸ペンチル、チオイソシアン酸オクチル、チオ
イソシアン酸ノニル、チオイソシアン酸デシル、チオイ
ソシアン酸ウンデシル、チオイソシアン酸ドデシル、チ
オイソシアン酸ラウリル、チオイソシアン酸ステアリ
ル、チオイソシアン酸シクロペンチル、チオイソシアン
酸シクロヘキシル、チオイソシアン酸シクロヘプタン、
チオイソシアン酸フェニル、チオイソシアン酸トリル、
チオイソシアン酸キシリル、チオイソシアン酸クロロフ
ェニル、チオイソシアン酸ブロモフェニル、チオイソシ
アン酸ジクロロフェニル、チオイソシアン酸ジブロモフ
ェニル、チオイソシアン酸メトキシフェニル、チオイソ
シアン酸エトキシフェニル、チオイソシアン酸プロポキ
シフェニル、チオイソシアン酸ジメトキシフェニル、チ
オイソシアン酸1-ナフチル、チオイソシアン酸2-ナフチ
ル、チオイソシアン酸ベンジル、チオイソシアン酸フェ
ニルエチル、チオイソシアン酸フェニルプロピル、チオ
イソシアン酸フェニルブチル、チオイソシアン酸メトキ
シフェニルエチル等が挙げられる。
イソシアン酸メチル、チオイソシアン酸エチル、チオイ
ソシアン酸プロピル、チオイソシアン酸ブチル、チオイ
ソシアン酸ペンチル、チオイソシアン酸オクチル、チオ
イソシアン酸ノニル、チオイソシアン酸デシル、チオイ
ソシアン酸ウンデシル、チオイソシアン酸ドデシル、チ
オイソシアン酸ラウリル、チオイソシアン酸ステアリ
ル、チオイソシアン酸シクロペンチル、チオイソシアン
酸シクロヘキシル、チオイソシアン酸シクロヘプタン、
チオイソシアン酸フェニル、チオイソシアン酸トリル、
チオイソシアン酸キシリル、チオイソシアン酸クロロフ
ェニル、チオイソシアン酸ブロモフェニル、チオイソシ
アン酸ジクロロフェニル、チオイソシアン酸ジブロモフ
ェニル、チオイソシアン酸メトキシフェニル、チオイソ
シアン酸エトキシフェニル、チオイソシアン酸プロポキ
シフェニル、チオイソシアン酸ジメトキシフェニル、チ
オイソシアン酸1-ナフチル、チオイソシアン酸2-ナフチ
ル、チオイソシアン酸ベンジル、チオイソシアン酸フェ
ニルエチル、チオイソシアン酸フェニルプロピル、チオ
イソシアン酸フェニルブチル、チオイソシアン酸メトキ
シフェニルエチル等が挙げられる。
【０００７】また本発明に使用されるランタノイド系金
属ハロゲン化物としては、例えばランタン、セリウム、
プラセオジウム、ネオジウム、プロメチウム、サマリウ
ム、ヨウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、シスプ
ロシウム、ホロニウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウムなどの塩化物、臭化物、沃化物が
挙げられる。これらの中では沃化物が好ましく、なかで
も沃化サマリウム、沃化イッテルビウム、沃化ヨウロピ
ウムが好ましく使用される。より好ましくは沃化サマリ
ウムである。ランタノイド系金属ハロゲン化物は、チオ
イソシアナート類に対して、通常１〜３倍モル倍使用さ
れる。好ましくは1.5 〜2.5 倍モル程度である。
属ハロゲン化物としては、例えばランタン、セリウム、
プラセオジウム、ネオジウム、プロメチウム、サマリウ
ム、ヨウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、シスプ
ロシウム、ホロニウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウムなどの塩化物、臭化物、沃化物が
挙げられる。これらの中では沃化物が好ましく、なかで
も沃化サマリウム、沃化イッテルビウム、沃化ヨウロピ
ウムが好ましく使用される。より好ましくは沃化サマリ
ウムである。ランタノイド系金属ハロゲン化物は、チオ
イソシアナート類に対して、通常１〜３倍モル倍使用さ
れる。好ましくは1.5 〜2.5 倍モル程度である。
【０００８】反応は、溶媒の存在下に通常実施される。
かかる溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、ジメトキシエタン、ジメチルアセトアミド等の
非プロトン性極性溶媒が通常使用される。テトラヒドロ
フランが好ましく使用される。またかかる溶媒に少量の
ヘキサメチレンホスホロトリアミドを併用して使用する
ことが好ましい。その使用量は、チオイソシアナート類
に対して、通常５〜50wt倍程度である。
かかる溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、ジメトキシエタン、ジメチルアセトアミド等の
非プロトン性極性溶媒が通常使用される。テトラヒドロ
フランが好ましく使用される。またかかる溶媒に少量の
ヘキサメチレンホスホロトリアミドを併用して使用する
ことが好ましい。その使用量は、チオイソシアナート類
に対して、通常５〜50wt倍程度である。
【０００９】反応温度は、通常、室温〜100 ℃で実施さ
れる。反応時間は、条件にもよるが通常、10分〜24時間
程度である。
れる。反応時間は、条件にもよるが通常、10分〜24時間
程度である。
【００１０】反応後、目的物は、常法によりランタノイ
ド系金属ハロゲン化物を除去後、蒸留、抽出、晶析等の
手段に取り出すことができる。
ド系金属ハロゲン化物を除去後、蒸留、抽出、晶析等の
手段に取り出すことができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明方法によれば、チオイソシアナー
ト類から収率良く目的とするイソニトリル類を製造し得
る。
ト類から収率良く目的とするイソニトリル類を製造し得
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
【００１３】実施例１ 窒素雰囲気下、フェニルイソチオシアネート540mg(4mmo
l)とヘキサメチレンホスホロドリアミド(3ml) の混合物
に沃化サマリウム(SmI2)のテトラヒドロフラン溶液(0.1
M,80ml,8mmol) を加えて、還流下に30分攪拌を続けた。
次いで、テトラヒドロフランを留去後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより処理( 展開溶媒 ヘキサン
／酢酸エチル＝10／１）することによりフェニルイソシ
アナート342mg を得た。収率は83％であった。
l)とヘキサメチレンホスホロドリアミド(3ml) の混合物
に沃化サマリウム(SmI2)のテトラヒドロフラン溶液(0.1
M,80ml,8mmol) を加えて、還流下に30分攪拌を続けた。
次いで、テトラヒドロフランを留去後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより処理( 展開溶媒 ヘキサン
／酢酸エチル＝10／１）することによりフェニルイソシ
アナート342mg を得た。収率は83％であった。
【００１４】実施例２ 実施例１において、フェニルイソチオシアネートの代わ
りに、p-トリルイソチオシアネート597mg(4mmol)使用す
る以外は実施例１に準拠して実施してp-トリルイソシア
ナート380mg を得た。収率は81％であった。
りに、p-トリルイソチオシアネート597mg(4mmol)使用す
る以外は実施例１に準拠して実施してp-トリルイソシア
ナート380mg を得た。収率は81％であった。
【００１５】実施例３ 実施例１において、フェニルイソチオシアネートの代わ
りに、n-ブチルイソチオシアネート461mg(4mmol)使用す
る以外は実施例１に準拠して実施してn-ブチルイソシア
ナート263mg を得た。収率は79％であった。
りに、n-ブチルイソチオシアネート461mg(4mmol)使用す
る以外は実施例１に準拠して実施してn-ブチルイソシア
ナート263mg を得た。収率は79％であった。
Claims (1)
- 【請求項１】ランタノイド系金属ハロゲン化物に式
〔Ｉ〕 Ｒ−ＮＣＳ 〔Ｉ〕 （式中、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、もしくはアラルキル基を表す。）で示されるイソチ
オシアナート類を作用せしめることを特徴とする式〔I
I〕 Ｒ−ＮＣ 〔II〕 （式中、Ｒは前記と同じ意味を有する。）で示されるイ
ソニトリル類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4050612A JP3010883B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | イソニトリル類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4050612A JP3010883B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | イソニトリル類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246975A JPH05246975A (ja) | 1993-09-24 |
| JP3010883B2 true JP3010883B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=12863802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4050612A Expired - Lifetime JP3010883B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | イソニトリル類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3010883B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102220271B1 (ko) * | 2014-02-17 | 2021-02-25 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 적층체, 적층체의 제조 방법, 화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법 및 편광판의 광투과율 개선 방법 |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP4050612A patent/JP3010883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102220271B1 (ko) * | 2014-02-17 | 2021-02-25 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 적층체, 적층체의 제조 방법, 화상 표시 장치, 화상 표시 장치의 제조 방법 및 편광판의 광투과율 개선 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05246975A (ja) | 1993-09-24 |
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