JP3005635B2 - Conductive paste and circuit board using the same - Google Patents

Conductive paste and circuit board using the same

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JP3005635B2
JP3005635B2 JP5229131A JP22913193A JP3005635B2 JP 3005635 B2 JP3005635 B2 JP 3005635B2 JP 5229131 A JP5229131 A JP 5229131A JP 22913193 A JP22913193 A JP 22913193A JP 3005635 B2 JP3005635 B2 JP 3005635B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、焼成形成時の収縮率を
低減した銀を主成分とする導体ペースト、及びこれを用
いた回路基板に関する。特に、多層配線が必要な電子部
品等において、セラミック製の回路基板における配線形
成用の導体ペースト及びこれを用いた回路基板に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste containing silver as a main component and having a reduced shrinkage during firing, and a circuit board using the same. In particular, the present invention relates to a conductor paste for forming wiring on a ceramic circuit board in an electronic component or the like requiring multilayer wiring, and a circuit board using the same.

【0002】尚、本明細書中、導体ペーストの「収縮
率」は、導体ペーストを印刷・乾燥(有機溶剤が完全に
揮発した状態)したときの膜厚に対する焼成後の膜厚の
比を示し、次式 100−(焼成後の膜厚/乾燥後の膜厚)×100 (%) により表される値をいう。
[0002] In the present specification, the "shrinkage ratio" of a conductor paste indicates a ratio of a film thickness after firing to a film thickness when the conductor paste is printed and dried (in a state where an organic solvent is completely volatilized). 100- (film thickness after firing / film thickness after drying) × 100 (%).

【0003】[0003]

【従来の技術】例えば、ハイブリッドIC、複写機等に
用いられる定着ヒータ等の電子部品における回路基板と
して、アルミナ等のセラミック製の回路基板がよく用い
られる。従来より、このようなセラミック製の回路基板
における配線(導体層)を形成する導体ペーストとし
て、銀ペースト、銀−白金ペースト等の銀を主成分とす
る導体ペーストが主に使用されている。
2. Description of the Related Art For example, a circuit board made of a ceramic such as alumina is often used as a circuit board in an electronic component such as a fixing heater used in a hybrid IC or a copying machine. Conventionally, as a conductive paste for forming a wiring (conductive layer) in such a ceramic circuit board, a conductive paste containing silver as a main component such as a silver paste or a silver-platinum paste has been mainly used.

【0004】上記銀ペーストは、銀を平均粒径を1μm
程度とし、これに回路基板との密着強度を高めるべく軟
化点500℃程度のガラス成分を重量比で銀:ガラス成
分=98:2程度とし、これらを適当な樹脂及び溶剤に
混入したペーストである。また、上記銀−白金ペースト
は、上記銀ペーストにおける銀粒子に白金の粒子を、上
記銀の平均粒径と同程度として、得られる配線の導体抵
抗値(シート抵抗値)が所定値より高くならない範囲で
混入したペーストである。これら導体ペーストは、回路
基板上に所定のパターンにおいて印刷・乾燥後、800
〜850℃程度で焼成することにより導体層とされてい
る。
[0004] The silver paste has an average particle diameter of 1 μm.
And a glass component having a softening point of about 500 ° C. in a weight ratio of about silver: glass component = about 98: 2 in order to increase the adhesion strength to the circuit board, and a paste in which these are mixed with an appropriate resin and solvent. . Further, in the silver-platinum paste, platinum particles are used as silver particles in the silver paste, and the conductor resistance value (sheet resistance value) of the obtained wiring does not become higher than a predetermined value by making the average particle size of the silver the same. Paste mixed in the range. These conductor pastes are printed and dried in a predetermined pattern on a circuit board,
The conductor layer is obtained by firing at about 850 ° C.

【0005】また、特開平2−227909号公報に
は、導体回路を形成する導体材料として、平均粒径0.
1μm以下の銀等の導電性微粉末と金の有機化合物等の
有機金属化合物からなる導電性ペーストが提案されてい
る。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 227909/1990 discloses that a conductor material for forming a conductor circuit has an average particle size of 0.1.
There has been proposed a conductive paste comprising a conductive fine powder of 1 μm or less such as silver and an organic metal compound such as an organic compound of gold.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記銀
ペースト、銀−パラジウムペースト及び銀−白金ペース
トにおいて主成分として用いられている銀粒子は、焼成
時の800℃前後の温度において、粒成長が進み易い特
性がある。この粒成長は、銀粒子の粒径が小さいほど銀
粒子同士の接触面積が大きくなり反応性が高められるこ
とにより、その度合いが大きくなる傾向がある。ところ
が、上記従来の導体ペーストは、含有する銀粒子の平均
粒径が1μm程度と比較的小さく調整されているため
に、これら導体ペーストを用いて導体層を形成した場
合、焼成時に銀粒子の粒成長が進みやすく、銀粒子間に
隙間なく凝集することとなるから、得られる導体層の層
厚は、導体ペーストの乾燥後の層厚から大きく収縮した
ものとなり、その収縮率は大きいものである。上記銀ペ
ースト、銀−パラジウムペースト及び銀−白金ペースト
の収縮率は、53〜57%程度である。従って、上記従
来の導体ペーストを用いて回路基板上に導体層を形成し
た場合、得られる導体層は、上記収縮により回路基板に
対する密着強度が低下してしまうのである。
However, the silver particles used as a main component in the silver paste, silver-palladium paste and silver-platinum paste undergo grain growth at around 800 ° C. during firing. It has easy characteristics. The degree of the grain growth tends to increase as the particle size of the silver particles is smaller, because the contact area between the silver particles is larger and the reactivity is increased. However, in the above-described conventional conductive paste, the average particle diameter of the silver particles contained therein is adjusted to be relatively small, about 1 μm. Since the growth is easy to proceed and the particles are aggregated without gaps between the silver particles, the layer thickness of the obtained conductor layer largely shrinks from the layer thickness of the conductor paste after drying, and the shrinkage is large. . The shrinkage ratio of the silver paste, silver-palladium paste and silver-platinum paste is about 53 to 57%. Therefore, when a conductor layer is formed on a circuit board using the above-mentioned conventional conductor paste, the resulting conductor layer has reduced adhesion strength to the circuit board due to the shrinkage.

【0007】また、上記公報に記載の導電性ペースト
は、微細且つ鮮鋭な回路パターンを形成するべく極めて
微細な粒子径を有する導電性微粉末を用いているため
に、更に収縮率が高いものであり、密着強度を低下させ
てしまうのである。
Further, the conductive paste described in the above-mentioned publication uses a conductive fine powder having an extremely fine particle diameter in order to form a fine and sharp circuit pattern, and thus has a higher shrinkage rate. Yes, the adhesion strength is reduced.

【0008】上記導体ペーストの収縮による密着強度の
問題は、特に回路基板に多層配線のためのスルーホール
が設けられていたりした場合、このスルーホール及びそ
の近傍で顕著に生じるものである。即ち、上記スルーホ
ールは、一般に炭酸ガスレーザにより高温下に昇華させ
て形成されるために、上記スルーホールの壁面及びその
近傍における回路基板の表面は、ガラス化しており、こ
の上に導体ペーストを印刷・焼成して導体層を設けたと
すると、形成される導体層と回路基板との界面に密着力
を生み出すメタル−ガラス構造が良好に形成されず、回
路基板におけるレーザが照射されていない表面に形成さ
れた導体層に比して、一段と密着力が低下するのであ
る。その結果、導体ペーストの焼成時の収縮が促進さ
れ、スルーホールを完全に導体層で埋設して配線するス
ルーホール導体充填タイプの場合、図1に示すように、
導体層1と回路基板2におけるスルーホール3との間に
三日月状の空間4が発生し、断線等による導通不良を招
来しかねないのである。
The problem of the adhesion strength due to the shrinkage of the conductor paste particularly occurs when a through hole for a multilayer wiring is provided on a circuit board or in the vicinity of the through hole. That is, since the through hole is generally formed by sublimation under a high temperature using a carbon dioxide laser, the wall surface of the through hole and the surface of the circuit board in the vicinity thereof are vitrified, and a conductive paste is printed thereon. If the conductor layer is provided by firing, a metal-glass structure that produces adhesion at the interface between the conductor layer and the circuit board is not formed well, and is formed on the surface of the circuit board that is not irradiated with laser. The adhesion is further reduced as compared to the conductor layer provided. As a result, shrinkage of the conductor paste during firing is promoted, and in the case of a through-hole conductor filling type in which the through-hole is completely buried in the conductor layer and wired, as shown in FIG.
A crescent-shaped space 4 is generated between the conductor layer 1 and the through hole 3 in the circuit board 2, which may lead to a conduction failure due to disconnection or the like.

【0009】また、上記導体ペーストの収縮による導体
層の密着不良を緩和すべく、導体ペーストのスルーホー
ル内の印刷を、スルーホールの一方開口部から吸引する
など工夫して、乾燥後の膜厚を薄くし(例えば50μm
程度)、焼成時の収縮力を低減する方法が採られる場合
があるが、それでも導体ペーストの収縮を完全に抑制し
えることはなく、スルーホールの壁面に導体層を形成し
て配線するスルーホール内包タイプの場合、図2に示す
ように、導体層1は、回路基板2の表裏面におけるスル
ーホール3のエッジ部3a,3bにおいて薄くなり、や
はり導通不良を招来しかねず、しかも印刷の条件及管理
が極めて煩わしいものである。
Further, in order to alleviate the poor adhesion of the conductor layer due to the contraction of the conductor paste, the inside of the through hole of the conductor paste may be sucked from one opening of the through hole, for example, so that the film thickness after drying is reduced. Thinner (for example, 50 μm
In some cases, a method of reducing the shrinkage force during firing may be adopted. However, it is still not possible to completely suppress shrinkage of the conductive paste, and a through hole is formed by forming a conductive layer on the wall surface of the through hole and wiring. In the case of the inclusion type, as shown in FIG. 2, the conductor layer 1 becomes thin at the edge portions 3a and 3b of the through hole 3 on the front and back surfaces of the circuit board 2, which may also cause poor conduction, and furthermore, the printing conditions Management is extremely cumbersome.

【0010】本発明は、銀粒子の粒成長を抑制すること
により、導体ペーストにおける焼成時の収縮率を低減
し、セラミック製の回路基板における配線(導体層)を
厚い層により形成しても断線等の導通不良が生じること
のない信頼性の高い回路基板を形成し得る技術を提供す
ることを目的とする。
According to the present invention, by suppressing the growth of silver particles, the shrinkage ratio of the conductive paste during firing is reduced, and even if the wiring (conductive layer) on the ceramic circuit board is formed by a thick layer, the disconnection occurs. It is an object of the present invention to provide a technique capable of forming a highly reliable circuit board without causing conduction failure such as the above.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意研究を重ねた結果、導体層形成用の銀ペ
ーストにおいて、銀粒子の粒径を大きくし、且つ有機シ
リコンを混入することにより、焼成時の銀粒子の粒成長
を抑制でき、収縮率を低減できることを見出した。ま
た、上記のようにしたペーストに更に高軟化点のガラス
成分を混入することにより、セラミック製の回路基板と
の密着性を向上し得るとともに、一段と収縮率を低減で
きることを見出した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, have increased the particle size of silver particles and mixed organic silicon in a silver paste for forming a conductor layer. By doing so, it has been found that the grain growth of silver particles during firing can be suppressed, and the shrinkage rate can be reduced. In addition, it has been found that, by further mixing a glass component having a high softening point into the paste as described above, the adhesion to a ceramic circuit board can be improved and the shrinkage can be further reduced.

【0012】即ち、本発明は、次の導体ペースト及び回
路基板に係るものである。
That is, the present invention relates to the following conductive paste and circuit board.

【0013】セラミック製の回路基板における配線形
成用の導体ペーストであって、銀粒子及び有機シリコン
を含有し、上記銀粒子が平均粒径3〜5μmに調整され
ており、且つ有機シリコンが0.1〜1重量%の範囲で
含有されるように調整されていることを特徴とする導体
ペースト。
A conductive paste for forming wiring on a ceramic circuit board, which contains silver particles and organic silicon, wherein the silver particles are adjusted to an average particle size of 3 to 5 μm, and the organic silicon is contained in an amount of 0.1 to 5 μm. A conductor paste which is adjusted to be contained in a range of 1 to 1% by weight.

【0014】セラミック製の回路基板における配線形
成用の導体ペーストであって、銀粒子、有機シリコン及
びガラス成分を含有し、上記銀粒子が平均粒径3〜5μ
mに調整されており、且つ有機シリコンが0.1〜1重
量%の範囲で含有されるように調整され、更に750℃
以上の軟化点を有するガラス成分が1〜1.5重量%の
範囲で含有されるように調整されていることを特徴とす
る導体ペースト。
A conductive paste for forming wiring on a ceramic circuit board, comprising silver particles, organic silicon and a glass component, wherein the silver particles have an average particle size of 3 to 5 μm.
m, and adjusted so that organosilicon is contained in the range of 0.1 to 1% by weight.
A conductor paste characterized in that it is adjusted so that the glass component having the above softening point is contained in the range of 1 to 1.5% by weight.

【0015】請求項1乃至2のいずれかに記載の導体
ペーストにより配線が形成されている回路基板。
A circuit board on which a wiring is formed by the conductive paste according to claim 1.

【0016】本発明の導体ペーストにおいて用いられる
銀粒子は、その粒径が大きくなるほど導体ペーストとし
ての収縮率を低減できる反面、導体抵抗(シート抵抗)
を大きくさせることとなるので、平均粒径を3μm程度
以上、好ましくは3〜5μm程度とされる。
The larger the particle size of the silver particles used in the conductor paste of the present invention is, the smaller the shrinkage rate of the conductor paste is, but the conductor resistance (sheet resistance) is smaller.
Therefore, the average particle size is about 3 μm or more, preferably about 3 to 5 μm.

【0017】また、本発明において用いられるレジネー
トペーストとしては、例えば有機シリコン等を挙げるこ
とができ、焼成時に無機酸化物、例えば上記有機シリコ
ンの場合は酸化シリコン、を生成するもので、その配合
量を多くするほど、即ち焼成時に生成する無機酸化物の
量が多いほど、収縮率は低減するが、余りに多くし過ぎ
ると導体層(配線)としての導体抵抗が大きくなり過ぎ
るので、配合率は、導体ペースト焼成後の導体層中に無
機酸化物(酸化シリコン)として、0.05重量%程度
以上、より好ましくは0.1〜1重量%程度の範囲で含
有されるように調整される。尚、ここでいう「有機シリ
コン」とは、Siを樹脂化したものをも包含する。
The resinate paste used in the present invention includes, for example, organic silicon and the like, which generates an inorganic oxide during firing, for example, silicon oxide in the case of the above-mentioned organic silicon. Is increased, that is, as the amount of the inorganic oxide generated at the time of firing is increased, the shrinkage ratio is reduced, but if it is too large, the conductor resistance as a conductor layer (wiring) becomes too large. The content is adjusted so that the content of the inorganic oxide (silicon oxide) in the conductive layer after firing the conductive paste is about 0.05% by weight or more, more preferably about 0.1 to 1% by weight. Here, the term “organic silicon” includes a material obtained by converting Si into a resin.

【0018】本発明において用いられるガラス成分とし
ては、一般にガラスフリットと呼ばれる、例えば鉛ガラ
ス等のガラス粉砕体を好ましく用いることができ、その
軟化点は700℃程度以上、より好ましくは750℃程
度以上とされる。また、ガラス成分の配合量は、増加に
ともない密着性を高めることはできるが、その反面、導
体抵抗を低下させることとなるので、配合率は、導体ペ
ースト焼成後の導体層中に2重量%程度以下、より好ま
しくは1〜1.5重量%程度の範囲で含有されるように
調整される。
As the glass component used in the present invention, a glass pulverized body such as lead glass, which is generally called a glass frit, can be preferably used, and its softening point is about 700 ° C. or more, more preferably about 750 ° C. or more. It is said. In addition, the amount of the glass component can increase the adhesion with the increase, but on the other hand, the conductor resistance is lowered. Therefore, the compounding ratio is 2% by weight in the conductor layer after firing the conductor paste. The content is adjusted so as to be contained within the range of about 1 to 1.5% by weight or less.

【0019】本発明では、上記銀粒子及びレジネートペ
ースト、或いはこれらにガラス成分を添加した混合物
を、例えばエチルセルロース等の樹脂をバインダとし、
更に例えばテレピネオール、ブチルカルビトールアセテ
ート、エチレングリコールモノブチルエーテル等の高沸
点有機溶媒で適当な粘度のペースト状に適宜調整して導
体ペーストとされる。この際、必要に応じて、例えば、
銀粒子にパラジウム、白金、金、ニッケル、チタン等の
金属粒子を、導体抵抗値が所定値より高くならない範囲
で添加してもかまわない。
In the present invention, the silver particles and the resinate paste, or a mixture obtained by adding a glass component to the silver particles and the resinate paste are used as a binder such as a resin such as ethyl cellulose.
Further, the conductor paste is appropriately adjusted to a paste having an appropriate viscosity with a high boiling point organic solvent such as terpineol, butyl carbitol acetate, ethylene glycol monobutyl ether, or the like to obtain a conductive paste. At this time, if necessary, for example,
Metal particles such as palladium, platinum, gold, nickel, and titanium may be added to the silver particles as long as the conductor resistance does not exceed a predetermined value.

【0020】[0020]

【作用】本発明によれば、銀粒子の平均粒径を3μm程
度以上とするので、導体ペーストにおける全体的な銀粒
子の表面積が小さく、このことにともなって焼成時の銀
粒子同士の接触面積が小さくなり、銀粒子間の反応性を
低減でき、銀粒子の粒成長を抑制することができる。従
って、焼成にともなう容積減少は低減される。更に、含
有するレジネートペーストが焼成時に酸化分解されて無
機酸化物、例えば上記レジネートペーストとして有機シ
リコンを用いる場合は酸化シリコン、を析出し、この無
機酸化物(酸化シリコン)が上記銀粒子間に介在するこ
とにより、金属粒子同士の接触が妨げられることにな
り、銀粒子の粒成長を一層抑制することができるのであ
る。その結果、導体ペーストにおける収縮率は、低減さ
れることになり、この収縮率が低減される分、焼成時、
導体ペーストがその中心へ向かって引き寄せられる力が
小さくなり、得られる配線(導体層)のセラミック製の
回路基板に対する密着強度を大きくし得る。
According to the present invention, since the average particle size of the silver particles is about 3 μm or more, the overall surface area of the silver particles in the conductive paste is small, and accordingly, the contact area between the silver particles during firing is reduced. , The reactivity between silver particles can be reduced, and the grain growth of silver particles can be suppressed. Therefore, a decrease in volume due to firing is reduced. Further, the contained resinate paste is oxidized and decomposed during firing to precipitate an inorganic oxide, for example, silicon oxide when organic silicon is used as the resinate paste, and this inorganic oxide (silicon oxide) is interposed between the silver particles. By doing so, the contact between the metal particles is hindered, and the grain growth of the silver particles can be further suppressed. As a result, the contraction rate of the conductor paste is reduced, and the amount of the contraction rate is reduced,
The force with which the conductive paste is drawn toward the center is reduced, and the adhesive strength of the obtained wiring (conductive layer) to the ceramic circuit board can be increased.

【0021】一方、含有するガラス成分を700℃程度
以上の高軟化点のものとしたので、焼成時の不必要なガ
ラスの流動による膜減りを軽減して導体ペーストにおけ
る収縮率を更に低減することができるとともに、セラミ
ック製の回路基板上において、該回路基板との界面で良
好なメタル−ガラス構造形成を助長し、上記回路基板と
の密着性をも一層向上できる。
On the other hand, since the contained glass component has a high softening point of about 700 ° C. or more, it is necessary to reduce the film loss due to unnecessary flow of glass during firing and further reduce the shrinkage ratio in the conductive paste. In addition, the formation of a good metal-glass structure at the interface with the circuit board on the ceramic circuit board can be promoted, and the adhesion to the circuit board can be further improved.

【0022】以上のことより、本発明の導体ペースト
は、従来のものより収縮率が小さく、セラミック製の回
路基板に導体層を形成したときの該導体層の密着強度は
向上するので、導体層の膜厚を厚くすることができ、特
に上記回路基板にスルーホールが形成され、該スルーホ
ールに配線を形成する場合において、上記スルーホール
において断線等の接続不良の発生を防止し得る。
As described above, the conductor paste of the present invention has a smaller shrinkage ratio than the conventional paste, and the adhesion strength of the conductor layer when the conductor layer is formed on a ceramic circuit board is improved. In particular, when a through hole is formed in the circuit board and a wiring is formed in the through hole, it is possible to prevent connection failure such as disconnection in the through hole.

【0023】[0023]

【実施例】以下実施例を示すことにより、本発明の特徴
とするところをより詳細に説明する。
The features of the present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0024】(実施例1)平均粒径3μmの銀粒子8
7.0重量%、有機シリコン0.1重量%、並びにエチ
ルセルロース、テレピネオール及びブチルカルビトール
アセテート12.9重量%を混合して導体ペーストを調
整した。
(Example 1) Silver particles 8 having an average particle size of 3 μm
A conductor paste was prepared by mixing 7.0% by weight, 0.1% by weight of organic silicon, and 12.9% by weight of ethyl cellulose, terpineol and butyl carbitol acetate.

【0025】(実施例2)平均粒径3μmの銀粒子8
7.0重量%、有機シリコン0.1重量%、軟化点75
O℃の鉛ガラスフリット1重量%、並びにエチルセルロ
ース、テレピネオール及びブチルカルビトールアセテー
ト11.9重量%を混合して導体ペーストを調整した。
Example 2 Silver particles 8 having an average particle size of 3 μm
7.0% by weight, organic silicon 0.1% by weight, softening point 75
A conductor paste was prepared by mixing 1% by weight of lead glass frit at O ° C and 11.9% by weight of ethyl cellulose, terpineol and butyl carbitol acetate.

【0026】(比較例)平均粒径1μmの銀粒子87.
0重量%、軟化点500℃の鉛ガラスフリット2.0重
量%、並びにエチルセルロース、テレピネオール及びブ
チルカルビトールアセテート11.0重量%を混合して
導体ペーストを調整した。
(Comparative Example) Silver particles having an average particle size of 1 μm
A conductive paste was prepared by mixing 0% by weight, 2.0% by weight of lead glass frit having a softening point of 500 ° C., and 11.0% by weight of ethyl cellulose, terpineol and butyl carbitol acetate.

【0027】上記実施例1、2及び比較例の導体ペース
トをセラミック製回路基板上に印刷し、150℃で20
分乾燥し、その後810℃で60分焼成した。その結
果、収縮率は、実施例1:40%、実施例2:43%及
び比較例:55%であった。
The conductor pastes of Examples 1 and 2 and Comparative Example were printed on a ceramic circuit board, and were printed at 150 ° C. for 20 minutes.
And then calcined at 810 ° C. for 60 minutes. As a result, the shrinkage was 40% in Example 1, 43% in Example 2, and 55% in Comparative Example.

【0028】以上の結果からも、本発明の導体ペースト
が従来のものよりも、収縮率が15%程度低減されてい
ることが判る。
From the above results, it can be seen that the contraction rate of the conductive paste of the present invention is reduced by about 15% as compared with the conventional paste.

【0029】また、上記実施例1、2及び比較例の導体
ペーストを用いて、セラミック製回路基板に設けられた
内径0.4mmのスルーホールに、スルーホール導体充
填タイプ及びスルーホール内包タイプ(乾燥時の膜厚5
0μm)の導体層を上記と同条件で印刷・乾燥・焼成し
て形成した。その結果、実施例1及び2の導体ペースト
を用いたときは、充填タイプの場合、スルーホールに三
日月状の空間が発生することなく、また内包タイプの場
合、スルーホールのエッヂ部での膜厚が極端に薄くなる
こともなく良好な導体層を形成することができたが、比
較例の導体ペーストを用いたときは、スルーホールに三
日月状の空間が発生したり、スルーホールのエッヂ部の
膜厚が薄くなり、断線を起こすこともしばしば見られ
た。
Using the conductor pastes of Examples 1 and 2 and Comparative Example, a through-hole conductor filling type and a through-hole inclusion type (drying) were formed in a through-hole having an inner diameter of 0.4 mm provided in a ceramic circuit board. Time film thickness 5
0 μm) was formed by printing, drying and firing under the same conditions as above. As a result, when the conductor pastes of Examples 1 and 2 were used, no crescent-shaped space was generated in the through hole in the case of the filling type, and the film thickness at the edge of the through hole in the case of the inclusion type. Although a good conductor layer could be formed without being extremely thin, when the conductor paste of the comparative example was used, a crescent-shaped space was generated in the through hole, or an edge portion of the through hole was formed. Often, the film thickness was reduced and disconnection was caused.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、銀を主成分とする導体
ペーストにおいて、その収縮率を、従来の導体ペースト
に比して、非常に低減することができる。従って、従来
のように導体ペーストの乾燥膜厚を薄くなるよう印刷す
る必要なく、比較的厚い膜厚において導体層を形成する
ことができるので、導体ペーストの印刷を容易に行うこ
とができる。
According to the present invention, the shrinkage of the conductive paste containing silver as a main component can be greatly reduced as compared with the conventional conductive paste. Therefore, the conductor layer can be formed with a relatively large film thickness without the necessity of printing so that the dry film thickness of the conductor paste becomes thin unlike the related art, so that the conductor paste can be easily printed.

【0031】また、導体層の膜厚を厚くして形成し得る
ので、導体抵抗を低くできるとともに、回路基板におけ
るスルーホールのエッヂ部での断線等による接続不良を
防止でき、回路基板としての信頼性を向上し得る。
Further, since the conductor layer can be formed with a large film thickness, the conductor resistance can be reduced, and a connection failure due to disconnection at the edge portion of the through hole in the circuit board can be prevented, and the reliability of the circuit board can be reduced. Performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の導体ペーストを用いて回路基板に導体層
を形成した場合に、スルーホールにおいて導体層に三日
月状の空間が生じた状態を説明する斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a state in which a crescent-shaped space is formed in a conductor layer in a through hole when a conductor layer is formed on a circuit board using a conventional conductor paste.

【図2】従来の導体ペーストを用いて回路基板に導体層
を形成した場合に、スルーホールのエッヂ部で導体層が
断線を生じた状態を説明する断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a state in which a conductor layer is disconnected at an edge portion of a through hole when a conductor layer is formed on a circuit board using a conventional conductor paste.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導体層 2 セラミック製回路基板 3 スルーホール 3a,3b エッヂ部 4 空間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductor layer 2 Ceramic circuit board 3 Through hole 3a, 3b Edge part 4 Space

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 1/20 - 1/22 C09D 5/24 H05K 1/09 H01G 4/12 358 H01G 4/30 301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01B 1/20-1/22 C09D 5/24 H05K 1/09 H01G 4/12 358 H01G 4/30 301

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 セラミック製の回路基板における配線形
成用の導体ペーストであって、銀粒子及び有機シリコン
を含有し、上記銀粒子が平均粒径3〜5μmに調整され
ており、且つ有機シリコンが0.1〜1重量%の範囲で
含有されるように調整されていることを特徴とする導体
ペースト。
1. A wiring type on a ceramic circuit board
A conductive paste for forming silver particles and organic silicon
And the silver particles are adjusted to an average particle size of 3 to 5 μm.
And the content of organic silicon is in the range of 0.1 to 1% by weight.
Conductor characterized by being adjusted to be contained
paste.
【請求項2】 セラミック製の回路基板における配線形
成用の導体ペーストであって、銀粒子、有機シリコン及
びガラス成分を含有し、上記銀粒子が平均粒径3〜5μ
mに調整されており、且つ有機シリコンが0.1〜1重
量%の範囲で含有されるように調整され、更に750℃
以上の軟化点を有するガラス成分が1〜1.5重量%の
範囲で含有されるように調整されていることを特徴とす
る導体ペースト。
2. A wiring pattern on a ceramic circuit board.
Conductive paste for forming silver particles, organic silicon and
And a glass component, and the silver particles have an average particle size of 3 to 5 μm.
m, and 0.1 to 1 layer of organic silicon
% And adjusted to 750 ° C.
The glass component having the above softening point is 1 to 1.5% by weight.
It is characterized by being adjusted to be contained in the range
Conductor paste.
【請求項3】 請求項1乃至2のいずれかに記載の導体
ペーストにより配線が形成されている回路基板。
3. A conductor according to claim 1, wherein
A circuit board on which wiring is formed by paste.
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