JP3004159B2 - イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法 - Google Patents
イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法Info
- Publication number
- JP3004159B2 JP3004159B2 JP5284974A JP28497493A JP3004159B2 JP 3004159 B2 JP3004159 B2 JP 3004159B2 JP 5284974 A JP5284974 A JP 5284974A JP 28497493 A JP28497493 A JP 28497493A JP 3004159 B2 JP3004159 B2 JP 3004159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- slit
- sample
- center position
- beam current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】イオンビーム分析装置は、ビーム
スポット径が数μｍ程度に集束された集束イオンビーム
を試料台の試料搭載板に装着された試料に照射し、ラザ
フォード後方散乱法、あるいは粒子励起Ｘ線分光法によ
り、その試料の例えば結晶粒と界面の微量元素濃度比較
などを行うものである。この発明は、試料分析に先立っ
て試料装着位置における集束イオンビームのビーム中心
位置を正確に測定することができるようにした、イオン
ビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法
に関するものである。
スポット径が数μｍ程度に集束された集束イオンビーム
を試料台の試料搭載板に装着された試料に照射し、ラザ
フォード後方散乱法、あるいは粒子励起Ｘ線分光法によ
り、その試料の例えば結晶粒と界面の微量元素濃度比較
などを行うものである。この発明は、試料分析に先立っ
て試料装着位置における集束イオンビームのビーム中心
位置を正確に測定することができるようにした、イオン
ビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イオンビーム分析装置は、イオン源から
引き出されイオンを加速器で加速し、加速されたイオン
ビームを、スリット間隙幅が調整可能とされた対物スリ
ットのスリット間隙に通過させることによりそのイオン
ビーム量を調整し、この対物スリットのスリット間隙を
通過させたイオンビームを集束させ、この集束させたイ
オンビームを真空チャンバ内に配された試料台の試料装
着位置に装着された試料に照射することにより、その試
料の分析を行う装置である。
引き出されイオンを加速器で加速し、加速されたイオン
ビームを、スリット間隙幅が調整可能とされた対物スリ
ットのスリット間隙に通過させることによりそのイオン
ビーム量を調整し、この対物スリットのスリット間隙を
通過させたイオンビームを集束させ、この集束させたイ
オンビームを真空チャンバ内に配された試料台の試料装
着位置に装着された試料に照射することにより、その試
料の分析を行う装置である。
【０００３】ところで、イオンビーム分析装置では、そ
の装置運転中においては、イオン源によるイオン発生状
況が時間の経過とともに変動することから、所定時間経
過ごとに、試料分析に先立ち、非集束のイオンビームの
照射を行いながら、ビームラインにおける対物スリット
の位置にて、イオンビーム中心位置と対物スリットのス
リット間隙幅中心位置との位置合わせ作業が行われてい
る。図４は、イオンビーム中心位置と対物スリットのス
リット間隙幅中心位置との位置合わせを説明するための
図である。なお、対物スリットは、ビームラインに対し
て直交するＸ，Ｙ方向のうちのＸ方向に関するスリット
間隙を形成するためのＸ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ
2 と、Ｙ方向に関するスリット間隙を形成するためのＹ
方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 とから構成されている
（図２参照）。
の装置運転中においては、イオン源によるイオン発生状
況が時間の経過とともに変動することから、所定時間経
過ごとに、試料分析に先立ち、非集束のイオンビームの
照射を行いながら、ビームラインにおける対物スリット
の位置にて、イオンビーム中心位置と対物スリットのス
リット間隙幅中心位置との位置合わせ作業が行われてい
る。図４は、イオンビーム中心位置と対物スリットのス
リット間隙幅中心位置との位置合わせを説明するための
図である。なお、対物スリットは、ビームラインに対し
て直交するＸ，Ｙ方向のうちのＸ方向に関するスリット
間隙を形成するためのＸ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ
2 と、Ｙ方向に関するスリット間隙を形成するためのＹ
方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 とから構成されている
（図２参照）。
【０００４】まず、試料台（図示省略）の試料搭載板の
試料装着位置に、ビーム電流値を測定するための、非集
束のイオンビームの数ｍｍ程度のビームスポット径より
十分大きい大きさを有し円板形をなす非集束ビーム電流
測定用電極Ｅ1 （図５参照）を装着する。次いで、Ｙ方
向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 を略全開としておき、非
集束のイオンビームの照射を行いながら、Ｘ方向用スリ
ット板２Ｘ1 ，２Ｘ2をそのスリット間隙幅を全開幅よ
り狭い所定幅に保持した状態でＸ方向に移動させて、そ
の間における前記電極Ｅ1 に流れるイオンビーム電流値
を測定しモニタする。そして、イオンビーム電流値が最
大値を示すときのＸ方向におけるスリット間隙幅中心位
置を、Ｘ方向におけるイオンビーム中心位置と見なし
て、前記Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 のスリット
開閉用原点位置として定める。
試料装着位置に、ビーム電流値を測定するための、非集
束のイオンビームの数ｍｍ程度のビームスポット径より
十分大きい大きさを有し円板形をなす非集束ビーム電流
測定用電極Ｅ1 （図５参照）を装着する。次いで、Ｙ方
向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 を略全開としておき、非
集束のイオンビームの照射を行いながら、Ｘ方向用スリ
ット板２Ｘ1 ，２Ｘ2をそのスリット間隙幅を全開幅よ
り狭い所定幅に保持した状態でＸ方向に移動させて、そ
の間における前記電極Ｅ1 に流れるイオンビーム電流値
を測定しモニタする。そして、イオンビーム電流値が最
大値を示すときのＸ方向におけるスリット間隙幅中心位
置を、Ｘ方向におけるイオンビーム中心位置と見なし
て、前記Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 のスリット
開閉用原点位置として定める。
【０００５】次に、Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2
を略全開としておき、非集束のイオンビームの照射を行
いながら、Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 をそのス
リット間隙幅を全開幅より狭い所定幅に保持した状態で
Ｙ方向に移動させて、その間における前記電極Ｅ1 に流
れるイオンビーム電流値を測定しモニタする。そして、
イオンビーム電流値が最大値を示すときのＹ方向におけ
るスリット間隙幅中心位置を、Ｙ方向におけるイオンビ
ーム中心位置と見なして、Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，
２Ｙ2 のスリット開閉用原点位置として定める。
を略全開としておき、非集束のイオンビームの照射を行
いながら、Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 をそのス
リット間隙幅を全開幅より狭い所定幅に保持した状態で
Ｙ方向に移動させて、その間における前記電極Ｅ1 に流
れるイオンビーム電流値を測定しモニタする。そして、
イオンビーム電流値が最大値を示すときのＹ方向におけ
るスリット間隙幅中心位置を、Ｙ方向におけるイオンビ
ーム中心位置と見なして、Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，
２Ｙ2 のスリット開閉用原点位置として定める。
【０００６】そして、このようにして非集束のイオンビ
ームの照射を行いながら対物スリットの位置にて定めた
イオンビーム中心位置を幾何学的に延長することによ
り、試料台の試料装着位置におけるイオンビーム中心位
置を幾何学的に想定して定めるようになされていた。
ームの照射を行いながら対物スリットの位置にて定めた
イオンビーム中心位置を幾何学的に延長することによ
り、試料台の試料装着位置におけるイオンビーム中心位
置を幾何学的に想定して定めるようになされていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述した従来技
術では、非集束のイオンビームの照射を行いながら対物
スリットの位置にて求め定めたイオンビーム中心位置を
幾何学的に延長することにより、試料台の試料装着位置
におけるイオンビーム中心位置を幾何学的に想定して定
めるようにしたものであるから、試料分析に際してイオ
ンビームを集束してビームスポット径が数μｍ程度の集
束イオンビームを照射した場合、試料装着位置における
集束イオンビームの実際のビーム中心位置と前記幾何学
的に想定された位置とが一致せずに位置ずれが生じるこ
とがあった。このため、例えば試料の微小領域における
組成分析精度が悪くなることがあるという問題があっ
た。
術では、非集束のイオンビームの照射を行いながら対物
スリットの位置にて求め定めたイオンビーム中心位置を
幾何学的に延長することにより、試料台の試料装着位置
におけるイオンビーム中心位置を幾何学的に想定して定
めるようにしたものであるから、試料分析に際してイオ
ンビームを集束してビームスポット径が数μｍ程度の集
束イオンビームを照射した場合、試料装着位置における
集束イオンビームの実際のビーム中心位置と前記幾何学
的に想定された位置とが一致せずに位置ずれが生じるこ
とがあった。このため、例えば試料の微小領域における
組成分析精度が悪くなることがあるという問題があっ
た。
【０００８】この発明は、前記問題点を解消するために
なされたものであって、イオンビーム分析装置におい
て、試料分析に先立って試料装着位置における集束イオ
ンビームのビーム中心位置を正確に測定でき、これによ
り試料の微小領域における組成分析精度を高めることが
できる、イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中
心位置測定方法の提供を目的とする。
なされたものであって、イオンビーム分析装置におい
て、試料分析に先立って試料装着位置における集束イオ
ンビームのビーム中心位置を正確に測定でき、これによ
り試料の微小領域における組成分析精度を高めることが
できる、イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中
心位置測定方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、この発明によるイオンビーム分析装置におけるイ
オンビーム中心位置測定方法は、ビームラインに対し直
交するＸ，Ｙ方向の各スリット間隙の幅が調整可能とさ
れた対物スリットの前記スリット間隙にイオンビームを
通過させた後にイオンビームを集束させ、この集束させ
たイオンビームを試料に照射してラザフォード後方散乱
法、粒子励起Ｘ線分光法等によりその試料の分析を行う
イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測
定方法において、Ｘ方向スリット間隙幅を全開より狭い
所定幅に保持した状態で、Ｘ方向用スリット板をそのス
リット間隙幅方向に移動させながらイオンビーム電流値
を測定し、この測定したイオンビーム電流値が最大とな
るように前記対物スリットのＸ方向スリット間隙幅中心
位置を設定し、次いで、Ｙ方向スリット間隙幅を全開よ
り狭い所定幅に保持した状態で、Ｙ方向用スリット板を
そのスリット間隙幅方向に移動させながらイオンビーム
電流値を測定し、この測定したイオンビーム電流値が最
大となるように前記対物スリットのＹ方向スリット間隙
幅中心位置を設定し、しかる後、直交するＸ，Ｙ方向に
移動可能に試料装着位置に装着されたビーム電流検知体
により、まず、前記対物スリットを通過したイオンビー
ムをＸ方向のみ集束させた状態で、前記ビーム電流検知
体をＸ方向に移動させながらイオンビーム電流値を測定
し、この測定したイオンビーム電流値が最大になる位置
を試料装着位置における集束イオンビームのＸ方向の中
心位置として求め、次いで、前記対物スリットを通過し
たイオンビームをＹ方向のみ集束させた状態で前記ビー
ム電流検知体をＹ方向に移動させながらイオンビーム電
流値を測定し、この測定したイオンビーム電流値が最大
になる位置を試料装着位置における集束イオンビームの
Ｙ方向の中心位置として求めることを特徴とするもので
ある。
めに、この発明によるイオンビーム分析装置におけるイ
オンビーム中心位置測定方法は、ビームラインに対し直
交するＸ，Ｙ方向の各スリット間隙の幅が調整可能とさ
れた対物スリットの前記スリット間隙にイオンビームを
通過させた後にイオンビームを集束させ、この集束させ
たイオンビームを試料に照射してラザフォード後方散乱
法、粒子励起Ｘ線分光法等によりその試料の分析を行う
イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測
定方法において、Ｘ方向スリット間隙幅を全開より狭い
所定幅に保持した状態で、Ｘ方向用スリット板をそのス
リット間隙幅方向に移動させながらイオンビーム電流値
を測定し、この測定したイオンビーム電流値が最大とな
るように前記対物スリットのＸ方向スリット間隙幅中心
位置を設定し、次いで、Ｙ方向スリット間隙幅を全開よ
り狭い所定幅に保持した状態で、Ｙ方向用スリット板を
そのスリット間隙幅方向に移動させながらイオンビーム
電流値を測定し、この測定したイオンビーム電流値が最
大となるように前記対物スリットのＹ方向スリット間隙
幅中心位置を設定し、しかる後、直交するＸ，Ｙ方向に
移動可能に試料装着位置に装着されたビーム電流検知体
により、まず、前記対物スリットを通過したイオンビー
ムをＸ方向のみ集束させた状態で、前記ビーム電流検知
体をＸ方向に移動させながらイオンビーム電流値を測定
し、この測定したイオンビーム電流値が最大になる位置
を試料装着位置における集束イオンビームのＸ方向の中
心位置として求め、次いで、前記対物スリットを通過し
たイオンビームをＹ方向のみ集束させた状態で前記ビー
ム電流検知体をＹ方向に移動させながらイオンビーム電
流値を測定し、この測定したイオンビーム電流値が最大
になる位置を試料装着位置における集束イオンビームの
Ｙ方向の中心位置として求めることを特徴とするもので
ある。
【００１０】
【作用】この発明による方法においては、装置運転中に
所定時間経過ごとに、試料分析に先立って、まず、非集
束のイオンビームの照射を行いながら、ビームラインに
おける対物スリットの位置にて、イオンビーム中心位置
と対物スリットのスリット間隙幅中心位置との位置合わ
せを行う。しかる後、直交するＸ，Ｙ方向に移動可能に
試料装着位置に装着されたビーム電流検知体により、ま
ず、対物スリットを通過したイオンビームをＸ方向のみ
集束させた状態で、前記ビーム電流検知体をＸ方向に移
動させながらイオンビーム電流値を測定し、この測定し
たイオンビーム電流値が最大になる位置を試料装着位置
における集束イオンビームのＸ方向の中心位置として求
める。次いで、対物スリットを通過したイオンビームを
Ｙ方向のみ集束させた状態で前記ビーム電流検知体をＹ
方向に移動させながらイオンビーム電流値を測定し、こ
の測定したイオンビーム電流値が最大になる位置を試料
装着位置における集束イオンビームのＹ方向の中心位置
として求める。これにより、試料分析に先立って試料装
着位置における集束イオンビームのビーム中心位置を正
確に求めておくことができる。
所定時間経過ごとに、試料分析に先立って、まず、非集
束のイオンビームの照射を行いながら、ビームラインに
おける対物スリットの位置にて、イオンビーム中心位置
と対物スリットのスリット間隙幅中心位置との位置合わ
せを行う。しかる後、直交するＸ，Ｙ方向に移動可能に
試料装着位置に装着されたビーム電流検知体により、ま
ず、対物スリットを通過したイオンビームをＸ方向のみ
集束させた状態で、前記ビーム電流検知体をＸ方向に移
動させながらイオンビーム電流値を測定し、この測定し
たイオンビーム電流値が最大になる位置を試料装着位置
における集束イオンビームのＸ方向の中心位置として求
める。次いで、対物スリットを通過したイオンビームを
Ｙ方向のみ集束させた状態で前記ビーム電流検知体をＹ
方向に移動させながらイオンビーム電流値を測定し、こ
の測定したイオンビーム電流値が最大になる位置を試料
装着位置における集束イオンビームのＹ方向の中心位置
として求める。これにより、試料分析に先立って試料装
着位置における集束イオンビームのビーム中心位置を正
確に求めておくことができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。図１は
この発明による方法が適用されるイオンビーム分析装置
の全体構成を示す図である。図１に示すように、イオン
源（図示省略）から引き出されたイオンは加速器１によ
って加速され、加速されたイオンビームは、対物スリッ
ト２によるスリット間隙を通過することでウィーンフィ
ルタ（Ｅ×Ｂ型質量分離フィルタ）４に導かれるイオン
ビーム量が調整されるようになっている。対物スリット
２は、ビームラインに対して直交するＸ，Ｙ方向のうち
のＸ方向に関するスリット間隙を形成するＸ方向用スリ
ット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 と、Ｙ方向に関するスリット間隙
を形成するＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 とから構
成されている（図２参照）。対物スリット２によるスリ
ット間隙を通過したイオンビームは、ウィーンフィルタ
４によって試料Ｓに照射すべきイオン種のみが選別され
た後、偏向電極６及び四重極電磁石レンズ７を通過して
真空チャンバ８内の試料Ｓにスポット状に照射される。
この発明による方法が適用されるイオンビーム分析装置
の全体構成を示す図である。図１に示すように、イオン
源（図示省略）から引き出されたイオンは加速器１によ
って加速され、加速されたイオンビームは、対物スリッ
ト２によるスリット間隙を通過することでウィーンフィ
ルタ（Ｅ×Ｂ型質量分離フィルタ）４に導かれるイオン
ビーム量が調整されるようになっている。対物スリット
２は、ビームラインに対して直交するＸ，Ｙ方向のうち
のＸ方向に関するスリット間隙を形成するＸ方向用スリ
ット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 と、Ｙ方向に関するスリット間隙
を形成するＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 とから構
成されている（図２参照）。対物スリット２によるスリ
ット間隙を通過したイオンビームは、ウィーンフィルタ
４によって試料Ｓに照射すべきイオン種のみが選別され
た後、偏向電極６及び四重極電磁石レンズ７を通過して
真空チャンバ８内の試料Ｓにスポット状に照射される。
【００１２】前記偏向電極６は試料Ｓに照射すべきイオ
ン種でなるイオンビームを試料Ｓの所定位置に照射する
ために、そのイオンビームの軌道を偏向させるためのも
のであり、四重極電磁石レンズ７は、そのコイルに電流
を流すことでイオンビームを絞り込み集束するためのも
のである。なお、ウィーンフィルタ４による電磁場作用
によって曲げられた、試料に照射すべきイオン種以外の
不要なイオン種は、偏向電極６の入側に配設された質量
分離スリット５によって遮断されるようになっている。
また、９ａ及び９ｂはイオンビーム電流の測定とともに
イオンビームの様子を観察するためのビームファインダ
ー兼用ファラデーカップである。１０は試料Ｓを保持す
るとともにその位置決めを行う試料台（ゴニオメータ）
である。この試料台１０は、ビームラインに対して直交
する前述のＸ方向及びＹ方向に移動可能な試料搭載板１
０ａを備えており、その試料搭載板１０ａの試料装着位
置に試料Ｓが装着されるようになっている。
ン種でなるイオンビームを試料Ｓの所定位置に照射する
ために、そのイオンビームの軌道を偏向させるためのも
のであり、四重極電磁石レンズ７は、そのコイルに電流
を流すことでイオンビームを絞り込み集束するためのも
のである。なお、ウィーンフィルタ４による電磁場作用
によって曲げられた、試料に照射すべきイオン種以外の
不要なイオン種は、偏向電極６の入側に配設された質量
分離スリット５によって遮断されるようになっている。
また、９ａ及び９ｂはイオンビーム電流の測定とともに
イオンビームの様子を観察するためのビームファインダ
ー兼用ファラデーカップである。１０は試料Ｓを保持す
るとともにその位置決めを行う試料台（ゴニオメータ）
である。この試料台１０は、ビームラインに対して直交
する前述のＸ方向及びＹ方向に移動可能な試料搭載板１
０ａを備えており、その試料搭載板１０ａの試料装着位
置に試料Ｓが装着されるようになっている。
【００１３】そして、試料Ｓに照射された軽イオン（例
えば水素イオン）と試料Ｓとの相互作用により散乱放出
されるイオン、電子、光子（Ｘ線を含む）等を、真空チ
ャンバ８内に設けられた検出装置（図示省略）を用い
て、その種類、エネルギー、角度等を解析することで、
その試料Ｓの組成や構造の分析が行われるようになって
いる。なお、ラザフォード後方散乱法では散乱イオン
を、粒子励起Ｘ線分光法では特性Ｘ線を検出して試料分
析が行われる。
えば水素イオン）と試料Ｓとの相互作用により散乱放出
されるイオン、電子、光子（Ｘ線を含む）等を、真空チ
ャンバ８内に設けられた検出装置（図示省略）を用い
て、その種類、エネルギー、角度等を解析することで、
その試料Ｓの組成や構造の分析が行われるようになって
いる。なお、ラザフォード後方散乱法では散乱イオン
を、粒子励起Ｘ線分光法では特性Ｘ線を検出して試料分
析が行われる。
【００１４】図２は図１に示すイオンビーム分析装置の
対物スリット、及び対物スリット用位置決め装置の構成
を示す図である。対物スリット２は、図２に示すよう
に、ビームラインに対して直交するＸ，Ｙ方向のうちの
Ｘ方向に関するスリット間隙を形成するためのＸ方向用
スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 と、Ｙ方向に関するスリット
間隙を形成するためのＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ
2 とから構成されている。Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，
２Ｘ 2 は、各ステッピングモータＭＸ1 ，ＭＸ2 を例え
ば正回転させることにより、互いが近接してその隙間で
あるスリット間隙の幅が狭くなり、また逆回転させるこ
とで互いが離反してそのスリット間隙の幅が広くなるよ
うになっている。Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 に
ついても同様である。
対物スリット、及び対物スリット用位置決め装置の構成
を示す図である。対物スリット２は、図２に示すよう
に、ビームラインに対して直交するＸ，Ｙ方向のうちの
Ｘ方向に関するスリット間隙を形成するためのＸ方向用
スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 と、Ｙ方向に関するスリット
間隙を形成するためのＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ
2 とから構成されている。Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，
２Ｘ 2 は、各ステッピングモータＭＸ1 ，ＭＸ2 を例え
ば正回転させることにより、互いが近接してその隙間で
あるスリット間隙の幅が狭くなり、また逆回転させるこ
とで互いが離反してそのスリット間隙の幅が広くなるよ
うになっている。Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 に
ついても同様である。
【００１５】図２において、３ａは操作スイッチ盤であ
る。この操作スイッチ盤３ａには、Ｘ方向用スリット板
２Ｘ1 ，２Ｘ2 及びＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2
の各々について、そのスリット間隙幅中心位置を移動し
たり、スリット間隙幅中心位置をそのままにしてスリッ
ト間隙幅を調整したりするための複数の操作スイッチが
設けられている。３ｂはパルス発生器であり、操作スイ
ッチ盤３ａの各操作スイッチの作動に基づいて、前記ス
テッピングモータＭＸ1 ，ＭＸ2 ，ＭＹ1 ，ＭＹ2 のモ
ータ駆動回路３ｃにモータ駆動用パルスを与えるもので
ある。３ｄはディジタル式表示器であり、このディジタ
ル式表示器３ｄには、Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ
2 及びＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 の各々につい
て、そのスリット間隙幅中心位置及びスリット間隙幅が
表示されるようになっている。操作スイッチ盤３ａ、パ
ルス発生器３ｂ、モータ駆動回路３ｃ、及びディジタル
式表示器３ｄにより対物スリット用位置決め装置３が構
成されており、Ｘ方向用及びＹ方向用スリット板は、１
μｍ精度にて位置決め可能となされている。
る。この操作スイッチ盤３ａには、Ｘ方向用スリット板
２Ｘ1 ，２Ｘ2 及びＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2
の各々について、そのスリット間隙幅中心位置を移動し
たり、スリット間隙幅中心位置をそのままにしてスリッ
ト間隙幅を調整したりするための複数の操作スイッチが
設けられている。３ｂはパルス発生器であり、操作スイ
ッチ盤３ａの各操作スイッチの作動に基づいて、前記ス
テッピングモータＭＸ1 ，ＭＸ2 ，ＭＹ1 ，ＭＹ2 のモ
ータ駆動回路３ｃにモータ駆動用パルスを与えるもので
ある。３ｄはディジタル式表示器であり、このディジタ
ル式表示器３ｄには、Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ
2 及びＹ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 の各々につい
て、そのスリット間隙幅中心位置及びスリット間隙幅が
表示されるようになっている。操作スイッチ盤３ａ、パ
ルス発生器３ｂ、モータ駆動回路３ｃ、及びディジタル
式表示器３ｄにより対物スリット用位置決め装置３が構
成されており、Ｘ方向用及びＹ方向用スリット板は、１
μｍ精度にて位置決め可能となされている。
【００１６】図３は、図１に示すイオンビーム分析装置
の試料台、試料台用試料搭載板位置決め装置、及び電流
計の構成を示す図である。同図において、試料台１０
は、前述したように、ビームラインに対して直交するＸ
方向及びＹ方向に移動可能な試料搭載板１０ａを備えて
おり、試料分析の際には試料搭載板１０ａの試料装着位
置に試料Ｓが装着されるようになっている。１２は試料
搭載板１０ａの試料装着位置に装着される非集束ビーム
電流測定用電極Ｅ1 や後述するビーム電流検知体Ｅ2Aに
イオンビームが照射されて流れるイオンビーム電流値を
測定しモニタするための電流計である。
の試料台、試料台用試料搭載板位置決め装置、及び電流
計の構成を示す図である。同図において、試料台１０
は、前述したように、ビームラインに対して直交するＸ
方向及びＹ方向に移動可能な試料搭載板１０ａを備えて
おり、試料分析の際には試料搭載板１０ａの試料装着位
置に試料Ｓが装着されるようになっている。１２は試料
搭載板１０ａの試料装着位置に装着される非集束ビーム
電流測定用電極Ｅ1 や後述するビーム電流検知体Ｅ2Aに
イオンビームが照射されて流れるイオンビーム電流値を
測定しモニタするための電流計である。
【００１７】図３において、１１ａは操作スイッチ盤で
ある。この操作スイッチ盤１１ａには、試料台１０の試
料搭載板１０ａをＸ方向及びＹ方向に移動して位置決め
操作するための複数の操作スイッチが設けられている。
１１ｂはパルス発生器であり、操作スイッチ盤１１ａの
各操作スイッチの作動に基づいて、前記試料搭載板１０
ａをこの例ではボールネジ機構（図示省略）を介してＸ
方向及びＹ方向に移動させるための図示しないステッピ
ングモータのモータ駆動回路１１ｃにモータ駆動用パル
スを与えるものである。１１ｄはディジタル式表示器で
あり、このディジタル式表示器１１ｄには、試料搭載板
１０ａの予め定められた試料装着中心位置についてのＸ
方向及びＹ方向の位置座標が表示されるようになってい
る。操作スイッチ盤１１ａ、パルス発生器１１ｂ、モー
タ駆動回路１１ｃ、及びディジタル式表示器１１ｄによ
り試料台用試料搭載板位置決め装置１１が構成されてお
り、試料台１０は１μｍ精度にて位置決め可能となされ
ている。
ある。この操作スイッチ盤１１ａには、試料台１０の試
料搭載板１０ａをＸ方向及びＹ方向に移動して位置決め
操作するための複数の操作スイッチが設けられている。
１１ｂはパルス発生器であり、操作スイッチ盤１１ａの
各操作スイッチの作動に基づいて、前記試料搭載板１０
ａをこの例ではボールネジ機構（図示省略）を介してＸ
方向及びＹ方向に移動させるための図示しないステッピ
ングモータのモータ駆動回路１１ｃにモータ駆動用パル
スを与えるものである。１１ｄはディジタル式表示器で
あり、このディジタル式表示器１１ｄには、試料搭載板
１０ａの予め定められた試料装着中心位置についてのＸ
方向及びＹ方向の位置座標が表示されるようになってい
る。操作スイッチ盤１１ａ、パルス発生器１１ｂ、モー
タ駆動回路１１ｃ、及びディジタル式表示器１１ｄによ
り試料台用試料搭載板位置決め装置１１が構成されてお
り、試料台１０は１μｍ精度にて位置決め可能となされ
ている。
【００１８】図５はこの発明による方法の実施に使用さ
れる非集束ビーム電流測定用電極を説明するための図、
図６はこの発明による方法の実施に使用される集束ビー
ム電流測定用電極を説明するための図である。非集束ビ
ーム電流測定用電極Ｅ1 は、非集束のイオンビームの数
ｍｍ程度のビームスポット径より十分大きい大きさを有
し円板形をなすものであって、非集束のイオンビームの
照射を行いながら対物スリット２の位置にてイオンビー
ム中心位置とスリット間隙幅中心位置との位置合わせを
する際に、試料台１０の試料搭載板１０ａの試料装着位
置に形成された平面視円形凹み部に装着されるものであ
る。また、集束ビーム電流測定用電極Ｅ2 は、図６に示
すように、集束イオンビームのビームスポット径に対応
して数μｍ程度の直径を有しビーム電流値を測定するた
めのビーム電流検知体Ｅ2Aと、これを支持するための電
気絶縁材製の支持体Ｅ2Bとからなるものであって、全体
として円板形をなしている。この電極Ｅ2は、試料装着
位置にて集束ビームのビーム中心位置を測定する際に、
非集束ビーム電流測定用電極Ｅ1 に代えて試料台１０の
試料装着位置に装着されるものである。
れる非集束ビーム電流測定用電極を説明するための図、
図６はこの発明による方法の実施に使用される集束ビー
ム電流測定用電極を説明するための図である。非集束ビ
ーム電流測定用電極Ｅ1 は、非集束のイオンビームの数
ｍｍ程度のビームスポット径より十分大きい大きさを有
し円板形をなすものであって、非集束のイオンビームの
照射を行いながら対物スリット２の位置にてイオンビー
ム中心位置とスリット間隙幅中心位置との位置合わせを
する際に、試料台１０の試料搭載板１０ａの試料装着位
置に形成された平面視円形凹み部に装着されるものであ
る。また、集束ビーム電流測定用電極Ｅ2 は、図６に示
すように、集束イオンビームのビームスポット径に対応
して数μｍ程度の直径を有しビーム電流値を測定するた
めのビーム電流検知体Ｅ2Aと、これを支持するための電
気絶縁材製の支持体Ｅ2Bとからなるものであって、全体
として円板形をなしている。この電極Ｅ2は、試料装着
位置にて集束ビームのビーム中心位置を測定する際に、
非集束ビーム電流測定用電極Ｅ1 に代えて試料台１０の
試料装着位置に装着されるものである。
【００１９】以下、この発明によるイオンビーム中心位
置の測定手順を説明する。 （１） 装置運転中に所定時間経過すると、四重極電磁
石レンズ７と真空チャンバ８との間に配設されたビーム
遮断板（図示省略）をオン作動させて、真空チャンバ８
側へのイオンビームの通過を一時的に遮断した状態で、
試料台１０の試料搭載板１０ａの試料装着位置に、分析
済みの試料に代えて、前述した非集束ビーム電流測定用
電極Ｅ1 を装着する。 （２） 前記ビーム遮断板をオフ作動させて非集束のイ
オンビームの照射を行いながら、対物スリット２のＹ方
向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 を略全開としＸ方向スリ
ット間隙幅を全開より狭い所定幅に保持した状態で、Ｘ
方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 をそのスリット間隙幅
方向に移動させ、その間における非集束ビーム電流測定
用電極Ｅ1 に流れるイオンビーム電流値を電流計１２で
測定してモニタする。そして、この測定したイオンビー
ム電流値が最大値を示すときのＸ方向におけるスリット
間隙幅中心位置を、Ｘ方向におけるイオンビーム中心位
置と見なして、Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 のス
リット開閉用原点位置として定める。
置の測定手順を説明する。 （１） 装置運転中に所定時間経過すると、四重極電磁
石レンズ７と真空チャンバ８との間に配設されたビーム
遮断板（図示省略）をオン作動させて、真空チャンバ８
側へのイオンビームの通過を一時的に遮断した状態で、
試料台１０の試料搭載板１０ａの試料装着位置に、分析
済みの試料に代えて、前述した非集束ビーム電流測定用
電極Ｅ1 を装着する。 （２） 前記ビーム遮断板をオフ作動させて非集束のイ
オンビームの照射を行いながら、対物スリット２のＹ方
向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 を略全開としＸ方向スリ
ット間隙幅を全開より狭い所定幅に保持した状態で、Ｘ
方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 をそのスリット間隙幅
方向に移動させ、その間における非集束ビーム電流測定
用電極Ｅ1 に流れるイオンビーム電流値を電流計１２で
測定してモニタする。そして、この測定したイオンビー
ム電流値が最大値を示すときのＸ方向におけるスリット
間隙幅中心位置を、Ｘ方向におけるイオンビーム中心位
置と見なして、Ｘ方向用スリット板２Ｘ1 ，２Ｘ2 のス
リット開閉用原点位置として定める。
【００２０】（３） 対物スリット２のＸ方向用スリッ
ト板２Ｘ1 ，２Ｘ2 を略全開としＹ方向スリット間隙幅
を全開より狭い所定幅に保持した状態で、Ｙ方向用スリ
ット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 をそのスリット間隙幅方向に移動
させ、その間における非集束ビーム電流測定用電極Ｅ1
に流れるイオンビーム電流値を電流計１２で測定してモ
ニタする。そして、この測定したイオンビーム電流値が
最大値を示すときのＹ方向におけるスリット間隙幅中心
位置を、Ｙ方向におけるイオンビーム中心位置と見なし
て、Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 のスリット開閉
用原点位置として定める。
ト板２Ｘ1 ，２Ｘ2 を略全開としＹ方向スリット間隙幅
を全開より狭い所定幅に保持した状態で、Ｙ方向用スリ
ット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 をそのスリット間隙幅方向に移動
させ、その間における非集束ビーム電流測定用電極Ｅ1
に流れるイオンビーム電流値を電流計１２で測定してモ
ニタする。そして、この測定したイオンビーム電流値が
最大値を示すときのＹ方向におけるスリット間隙幅中心
位置を、Ｙ方向におけるイオンビーム中心位置と見なし
て、Ｙ方向用スリット板２Ｙ1 ，２Ｙ2 のスリット開閉
用原点位置として定める。
【００２１】（４） 前記（２）及び（３）の処理手順
にて定められたスリット開閉用原点位置を中心位置とし
て対物スリット２のスリット間隙幅を、非集束のイオン
ビームのビームスポット径が数ｍｍ程度となるように設
定する。一方、前記ビーム遮断板をオン作動させて真空
チャンバ８側へのイオンビームの通過を一時的に遮断し
た状態で、試料台１０の試料搭載板１０ａの試料装着位
置に、非集束ビーム電流測定用電極Ｅ1 に代えて、前述
の、ビーム電流検知体Ｅ2Aを有する集束ビーム電流測定
用電極Ｅ2 を装着する。そして、前記ビーム遮断板をオ
フ作動してビーム遮断を解除する。
にて定められたスリット開閉用原点位置を中心位置とし
て対物スリット２のスリット間隙幅を、非集束のイオン
ビームのビームスポット径が数ｍｍ程度となるように設
定する。一方、前記ビーム遮断板をオン作動させて真空
チャンバ８側へのイオンビームの通過を一時的に遮断し
た状態で、試料台１０の試料搭載板１０ａの試料装着位
置に、非集束ビーム電流測定用電極Ｅ1 に代えて、前述
の、ビーム電流検知体Ｅ2Aを有する集束ビーム電流測定
用電極Ｅ2 を装着する。そして、前記ビーム遮断板をオ
フ作動してビーム遮断を解除する。
【００２２】（５） 四重極電磁石レンズ７に通電する
ことでＸ方向のみにおけるビームスポット径を所定値絞
り込む。 （６） 次いで、試料搭載板１０ａを移動操作すること
で集束ビーム電流測定用電極Ｅ2 をＸ方向に移動させ、
その間におけるビーム電流検知体Ｅ2Aに流れるイオンビ
ーム電流値を測定してモニタし、そのイオンビーム電流
値が最大値となる位置に、ビーム電流検知体Ｅ2Aを位置
決めする。 （７） 前記（５）及び（６）の処理手順を、Ｘ方向の
ビームスポット径が数μｍ程度に集束されるまで繰り返
し行う。そして、Ｘ方向のビームスポット径が数μｍ程
度になったときのビーム電流検知体Ｅ2AのＸ方向におけ
る位置を、試料装着位置における集束イオンビームのＸ
方向のビーム中心位置として定める。
ことでＸ方向のみにおけるビームスポット径を所定値絞
り込む。 （６） 次いで、試料搭載板１０ａを移動操作すること
で集束ビーム電流測定用電極Ｅ2 をＸ方向に移動させ、
その間におけるビーム電流検知体Ｅ2Aに流れるイオンビ
ーム電流値を測定してモニタし、そのイオンビーム電流
値が最大値となる位置に、ビーム電流検知体Ｅ2Aを位置
決めする。 （７） 前記（５）及び（６）の処理手順を、Ｘ方向の
ビームスポット径が数μｍ程度に集束されるまで繰り返
し行う。そして、Ｘ方向のビームスポット径が数μｍ程
度になったときのビーム電流検知体Ｅ2AのＸ方向におけ
る位置を、試料装着位置における集束イオンビームのＸ
方向のビーム中心位置として定める。
【００２３】（８） 次に、四重極電磁石レンズ７に通
電することでＹ方向のみにおけるビームスポット径を所
定値絞り込む。 （９） 次いで、試料搭載板１０ａを移動操作すること
で集束ビーム電流測定用電極Ｅ2 をＹ方向に移動させ、
その間におけるビーム電流検知体Ｅ2Aに流れるイオンビ
ーム電流値を測定してモニタし、そのイオンビーム電流
値が最大値となる位置に、ビーム電流検知体Ｅ2Aを位置
決めする。 （１０） 前記（８）及び（９）の処理手順を、Ｙ方向
のビームスポット径が数μｍ程度に集束されるまで繰り
返し行う。そして、Ｙ方向のビームスポット径が数μｍ
程度になったときの電流検知体Ｅ2AのＹ方向における位
置を、試料装着位置における集束イオンビームのＹ方向
のビーム中心位置として定める。
電することでＹ方向のみにおけるビームスポット径を所
定値絞り込む。 （９） 次いで、試料搭載板１０ａを移動操作すること
で集束ビーム電流測定用電極Ｅ2 をＹ方向に移動させ、
その間におけるビーム電流検知体Ｅ2Aに流れるイオンビ
ーム電流値を測定してモニタし、そのイオンビーム電流
値が最大値となる位置に、ビーム電流検知体Ｅ2Aを位置
決めする。 （１０） 前記（８）及び（９）の処理手順を、Ｙ方向
のビームスポット径が数μｍ程度に集束されるまで繰り
返し行う。そして、Ｙ方向のビームスポット径が数μｍ
程度になったときの電流検知体Ｅ2AのＹ方向における位
置を、試料装着位置における集束イオンビームのＹ方向
のビーム中心位置として定める。
【００２４】このようにして、試料分析に先立って試料
装着位置における集束イオンビームのビーム中心位置を
正確に求めておくことができ、その得られたビーム中心
位置情報に基づいて、試料に対する集束イオンビームの
ビーム照射位置を正確に制御することができ、試料の微
小領域における組成分析精度を向上させることができ
る。
装着位置における集束イオンビームのビーム中心位置を
正確に求めておくことができ、その得られたビーム中心
位置情報に基づいて、試料に対する集束イオンビームの
ビーム照射位置を正確に制御することができ、試料の微
小領域における組成分析精度を向上させることができ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から理解されるように、この
発明によるイオンビーム分析装置におけるイオンビーム
中心位置測定方法によると、試料分析に先立って試料装
着位置における集束イオンビームのビーム中心位置を正
確に求めておくことができ、その測定したビーム中心位
置情報に基づいて、試料分析の際に試料に対する集束イ
オンビームのビーム照射位置を正確に制御することがで
き、これにより試料の微小領域における組成分析精度の
向上に寄与することができる。
発明によるイオンビーム分析装置におけるイオンビーム
中心位置測定方法によると、試料分析に先立って試料装
着位置における集束イオンビームのビーム中心位置を正
確に求めておくことができ、その測定したビーム中心位
置情報に基づいて、試料分析の際に試料に対する集束イ
オンビームのビーム照射位置を正確に制御することがで
き、これにより試料の微小領域における組成分析精度の
向上に寄与することができる。
【図１】この発明による方法が適用されるイオンビーム
分析装置の全体構成を示す図である。
分析装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１に示すイオンビーム分析装置の対物スリッ
ト、及び対物スリット用位置決め装置の構成を示す図で
ある。
ト、及び対物スリット用位置決め装置の構成を示す図で
ある。
【図３】図１に示すイオンビーム分析装置の試料台、試
料台用試料搭載板位置決め装置、及び電流計の構成を示
す図である。
料台用試料搭載板位置決め装置、及び電流計の構成を示
す図である。
【図４】イオンビーム中心軸と対物スリットによるスリ
ット間隙幅中心位置との位置合わせを説明するための図
である。
ット間隙幅中心位置との位置合わせを説明するための図
である。
【図５】この発明による方法の実施に使用される非集束
ビーム電流測定用電極を説明するための図である。
ビーム電流測定用電極を説明するための図である。
【図６】この発明による方法の実施に使用される集束ビ
ーム電流測定用電極を説明するための図である。
ーム電流測定用電極を説明するための図である。
１…加速器 ２…対物スリット ２Ｘ1 ，２Ｘ2 …Ｘ方
向用スリット板 ２Ｙ 1 ，２Ｙ2 …Ｙ方向用スリット板
ＭＸ1 ，ＭＸ2 ，ＭＹ1 ，ＭＹ2 …ステッピングモー
タ ３…対物スリット用位置決め装置 ３ａ…操作スイ
ッチ盤 ３ｂ…パルス発生器 ３ｃ…モータ駆動回路
３ｄ…ディジタル式表示器 ７…四重極電磁石レンズ
８…真空チャンバ １０…試料台（ゴニオメータ） １
０ａ…試料搭載板 １１…試料台用試料搭載板位置決め
装置 １１ａ…操作スイッチ盤 １１ｂ…パルス発生器 １１ｃ…モータ駆動回路 １１
ｄ…ディジタル式表示器 １２…電流計 Ｅ1 …非集束ビーム電流測定用電極 Ｅ
2 …集束ビーム電流測 定用電極 Ｅ2A…ビーム電流検知体 Ｅ2B…支持体 Ｓ
…試料
向用スリット板 ２Ｙ 1 ，２Ｙ2 …Ｙ方向用スリット板
ＭＸ1 ，ＭＸ2 ，ＭＹ1 ，ＭＹ2 …ステッピングモー
タ ３…対物スリット用位置決め装置 ３ａ…操作スイ
ッチ盤 ３ｂ…パルス発生器 ３ｃ…モータ駆動回路
３ｄ…ディジタル式表示器 ７…四重極電磁石レンズ
８…真空チャンバ １０…試料台（ゴニオメータ） １
０ａ…試料搭載板 １１…試料台用試料搭載板位置決め
装置 １１ａ…操作スイッチ盤 １１ｂ…パルス発生器 １１ｃ…モータ駆動回路 １１
ｄ…ディジタル式表示器 １２…電流計 Ｅ1 …非集束ビーム電流測定用電極 Ｅ
2 …集束ビーム電流測 定用電極 Ｅ2A…ビーム電流検知体 Ｅ2B…支持体 Ｓ
…試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01T 1/29 G01N 23/203 G01N 23/225
Claims (1)
- 【請求項１】 ビームラインに対し直交するＸ，Ｙ方向
の各スリット間隙の幅が調整可能とされた対物スリット
の前記スリット間隙にイオンビームを通過させた後にイ
オンビームを集束させ、この集束させたイオンビームを
試料に照射してラザフォード後方散乱法、粒子励起Ｘ線
分光法等によりその試料の分析を行うイオンビーム分析
装置におけるイオンビーム中心位置測定方法において、 Ｘ方向スリット間隙幅を全開より狭い所定幅に保持した
状態で、Ｘ方向用スリット板をそのスリット間隙幅方向
に移動させながらイオンビーム電流値を測定し、この測
定したイオンビーム電流値が最大となるように前記対物
スリットのＸ方向スリット間隙幅中心位置を設定し、 次いで、Ｙ方向スリット間隙幅を全開より狭い所定幅に
保持した状態で、Ｙ方向用スリット板をそのスリット間
隙幅方向に移動させながらイオンビーム電流値を測定
し、この測定したイオンビーム電流値が最大となるよう
に前記対物スリットのＹ方向スリット間隙幅中心位置を
設定し、 しかる後、直交するＸ，Ｙ方向に移動可能に試料装着位
置に装着されたビーム電流検知体により、まず、前記対
物スリットを通過したイオンビームをＸ方向のみ集束さ
せた状態で、前記ビーム電流検知体をＸ方向に移動させ
ながらイオンビーム電流値を測定し、この測定したイオ
ンビーム電流値が最大になる位置を試料装着位置におけ
る集束イオンビームのＸ方向の中心位置として求め、次
いで、前記対物スリットを通過したイオンビームをＹ方
向のみ集束させた状態で前記ビーム電流検知体をＹ方向
に移動させながらイオンビーム電流値を測定し、この測
定したイオンビーム電流値が最大になる位置を試料装着
位置における集束イオンビームのＹ方向の中心位置とし
て求めることを特徴とするイオンビーム分析装置におけ
るイオンビーム中心位置測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284974A JP3004159B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284974A JP3004159B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140256A JPH07140256A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3004159B2 true JP3004159B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=17685496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5284974A Expired - Lifetime JP3004159B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3004159B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5284974A patent/JP3004159B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07140256A (ja) | 1995-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0398335B1 (en) | Converged ion beam apparatus | |
| JP2842879B2 (ja) | 表面分析方法および装置 | |
| US10483084B2 (en) | Object preparation device and particle beam device having an object preparation device and method for operating the particle beam device | |
| US5331161A (en) | Ion irradiation system and method | |
| US6788760B1 (en) | Methods and apparatus for characterizing thin films | |
| US20030080292A1 (en) | System and method for depth profiling | |
| US10319561B2 (en) | Object preparation device and particle beam device with an object preparation device and method for operating the particle beam device | |
| JP3004159B2 (ja) | イオンビーム分析装置におけるイオンビーム中心位置測定方法 | |
| JP4590590B2 (ja) | 位置感度の高い検出器による透過オペレーションに対するｓｅｍ | |
| JPH05234559A (ja) | イオンビーム分析装置 | |
| US11139143B2 (en) | Spin polarimeter | |
| US6992287B2 (en) | Apparatus and method for image optimization of samples in a scanning electron microscope | |
| JP3266814B2 (ja) | 微小部分析装置 | |
| JP2903874B2 (ja) | 集束イオンビームによるイオン励起型ｘ線分析装置 | |
| JPH07190963A (ja) | 散乱イオンによる分析装置 | |
| JPH0382943A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置 | |
| JPH04373125A (ja) | 集束イオンビーム装置およびそれによる加工方法 | |
| JPH11125602A (ja) | 異物分析方法及び装置 | |
| JPH0636721A (ja) | イオンビーム分析装置における対物スリット板のスリット間隙幅自動調整方法 | |
| JP2001216933A (ja) | アトムプローブ電界イオン顕微鏡 | |
| JP3715236B2 (ja) | 二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法 | |
| JP2838177B2 (ja) | イオンミリング方法および装置 | |
| JP2000329716A (ja) | オージェ電子分光装置および深さ方向分析方法 | |
| JPH06281601A (ja) | イオンビーム表面分析方法 | |
| JP2982365B2 (ja) | Ｆｉｂ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991026 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |