JP2001216933A - アトムプローブ電界イオン顕微鏡 - Google Patents
アトムプローブ電界イオン顕微鏡Info
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- JP2001216933A JP2001216933A JP2000028254A JP2000028254A JP2001216933A JP 2001216933 A JP2001216933 A JP 2001216933A JP 2000028254 A JP2000028254 A JP 2000028254A JP 2000028254 A JP2000028254 A JP 2000028254A JP 2001216933 A JP2001216933 A JP 2001216933A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料から電界蒸発した原子が常に質量分析系
に導かれるアトムプローブ電界イオン顕微鏡を提供する
こと。 【解決手段】 まず高電圧電源１８が制御されて、試料
１１に正の高電圧Ｖ1が印加される。そして、試料１１
に電圧Ｖ1が印加された状態で、パルス電源１９が制御
されて、さらに試料１１に正のパルス電圧Ｖ2が印加さ
れる。このパルス電圧の印加によって試料上の表面原子
が電界蒸発する。電界蒸発した原子のうち、正イオン化
したものは、引出電極５のイオン通過孔６を通ってイオ
ン検出器１４で検出される。同定手段２０は、イオン検
出器１４からの信号とパルス電源１９からの信号に基づ
き、試料１１から発生した陽イオンの原子種を同定す
る。この装置においては、引出電極のイオン検出器との
相対位置が変化しないので、試料上のすべての点につい
て高精度な原子分析を行うことができる。
に導かれるアトムプローブ電界イオン顕微鏡を提供する
こと。 【解決手段】 まず高電圧電源１８が制御されて、試料
１１に正の高電圧Ｖ1が印加される。そして、試料１１
に電圧Ｖ1が印加された状態で、パルス電源１９が制御
されて、さらに試料１１に正のパルス電圧Ｖ2が印加さ
れる。このパルス電圧の印加によって試料上の表面原子
が電界蒸発する。電界蒸発した原子のうち、正イオン化
したものは、引出電極５のイオン通過孔６を通ってイオ
ン検出器１４で検出される。同定手段２０は、イオン検
出器１４からの信号とパルス電源１９からの信号に基づ
き、試料１１から発生した陽イオンの原子種を同定す
る。この装置においては、引出電極のイオン検出器との
相対位置が変化しないので、試料上のすべての点につい
て高精度な原子分析を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、アトムプローブ
電界イオン顕微鏡に関する。
電界イオン顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】 近年、アトムプローブ電界イオン顕微
鏡が開発され利用され始めている。
鏡が開発され利用され始めている。
【０００３】このアトムプローブ電界イオン顕微鏡は、
高電圧を試料に印加することにより、試料表面上の原子
をイオンとして電界蒸発させ、そのイオンを検出して原
子種の同定を行う装置である。この装置は、従来の装置
に比較して極めて分析感度が高い装置として注目されて
いる。
高電圧を試料に印加することにより、試料表面上の原子
をイオンとして電界蒸発させ、そのイオンを検出して原
子種の同定を行う装置である。この装置は、従来の装置
に比較して極めて分析感度が高い装置として注目されて
いる。
【０００４】また、この技術をさらに進展させた技術と
して、試料面に対向配置した極めて小さな漏斗状の引出
電極により、比較的小さな電圧印加で試料上の原子をイ
オンとして引き出す技術が開発されている。
して、試料面に対向配置した極めて小さな漏斗状の引出
電極により、比較的小さな電圧印加で試料上の原子をイ
オンとして引き出す技術が開発されている。
【０００５】この引出電極を備えたアトムプローブ電界
イオン顕微鏡においては、引出電極の開孔を通過したイ
オンは、質量分析系に導かれて質量分析が行われ、試料
から発生したイオンの原子種が同定される。また、この
アトムプローブ電界イオン顕微鏡においては、引出電極
が試料面上で二次元的に移動されて分析が行われるの
で、試料表面の組成分布を得ることができる。
イオン顕微鏡においては、引出電極の開孔を通過したイ
オンは、質量分析系に導かれて質量分析が行われ、試料
から発生したイオンの原子種が同定される。また、この
アトムプローブ電界イオン顕微鏡においては、引出電極
が試料面上で二次元的に移動されて分析が行われるの
で、試料表面の組成分布を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、この
ように引出電極を移動させると、この引出電極の質量分
析系との相対位置が大きく変化する。このため、引出電
極の位置によっては、電離した原子が質量分析系に導か
れないという問題が発生する。
ように引出電極を移動させると、この引出電極の質量分
析系との相対位置が大きく変化する。このため、引出電
極の位置によっては、電離した原子が質量分析系に導か
れないという問題が発生する。
【０００７】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
ので、その目的は、試料から電界蒸発した原子が常に質
量分析系に導かれるアトムプローブ電界イオン顕微鏡を
提供することにある。
ので、その目的は、試料から電界蒸発した原子が常に質
量分析系に導かれるアトムプローブ電界イオン顕微鏡を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 この目的を達成する本
発明のアトムプローブ電界イオン顕微鏡は、真空容器
と、その真空容器内に配置されたイオン検出手段と、イ
オン通過孔を有し、前記イオン検出手段との相対位置が
変化しないように前記真空容器内に配置された引出電極
と、前記真空容器内に配置され、前記引出電極との相対
位置を変えられるように構成された試料ステージと、そ
の試料ステージに保持される試料と、その試料に対向す
る前記引出電極間に、試料表面上の原子を電界蒸発させ
るための電界を発生させる電界発生手段と、前記電界蒸
発によって試料から発生したイオンを検出する前記イオ
ン検出手段の出力に基づき、そのイオンの原子種を同定
する手段を備えたことを特徴とする。
発明のアトムプローブ電界イオン顕微鏡は、真空容器
と、その真空容器内に配置されたイオン検出手段と、イ
オン通過孔を有し、前記イオン検出手段との相対位置が
変化しないように前記真空容器内に配置された引出電極
と、前記真空容器内に配置され、前記引出電極との相対
位置を変えられるように構成された試料ステージと、そ
の試料ステージに保持される試料と、その試料に対向す
る前記引出電極間に、試料表面上の原子を電界蒸発させ
るための電界を発生させる電界発生手段と、前記電界蒸
発によって試料から発生したイオンを検出する前記イオ
ン検出手段の出力に基づき、そのイオンの原子種を同定
する手段を備えたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】 以下、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１０】図１は本発明のアトムプローブ電界イオン
顕微鏡の一例を示した図である。
顕微鏡の一例を示した図である。
【００１１】図１において、１は真空容器であり、真空
容器１の内部、すなわち試料室２は図示しない真空ポン
プにより高真空に排気されている。
容器１の内部、すなわち試料室２は図示しない真空ポン
プにより高真空に排気されている。
【００１２】３はステージであり、試料室２に位置する
ステージ３は、真空容器１の側壁に取り付けられてい
る。このステージ３上には、滑りブッシュｍと開孔Ｏを
有する固定ステージ４が取り付けられており、漏斗状の
引出電極５が、固定ステージ４の開孔周縁部に取り付け
られている。この引出電極５のイオン通過孔６は、前記
固定ステージ４の開孔Ｏ上に位置しており、そのイオン
通過孔６の直径は１０ミクロン以下と小さい。また、引
出電極５は接地されている。
ステージ３は、真空容器１の側壁に取り付けられてい
る。このステージ３上には、滑りブッシュｍと開孔Ｏを
有する固定ステージ４が取り付けられており、漏斗状の
引出電極５が、固定ステージ４の開孔周縁部に取り付け
られている。この引出電極５のイオン通過孔６は、前記
固定ステージ４の開孔Ｏ上に位置しており、そのイオン
通過孔６の直径は１０ミクロン以下と小さい。また、引
出電極５は接地されている。
【００１３】７は試料ステージであり、試料ステージ７
は、前記固定ステージ４と対向するように固定ステージ
４にスプリングなどで引きつけられている。この試料ス
テージ７は、粗動機構であるＸＹステージ８と、微動機
構であるスキャナ９を備えている。
は、前記固定ステージ４と対向するように固定ステージ
４にスプリングなどで引きつけられている。この試料ス
テージ７は、粗動機構であるＸＹステージ８と、微動機
構であるスキャナ９を備えている。
【００１４】前記ＸＹステージ８は、前記固定ステージ
４の滑りブッシュｍに接触する滑りブッシュｎを有して
おり、ＸＹステージ８は、固定ステージ４の滑りブッシ
ュｍ上を、図１の紙面に垂直なｘｙ平面内で二次元的に
移動可能に構成されている。また、ＸＹステージ８に
は、スキャナ孔ＯSが開けられている。
４の滑りブッシュｍに接触する滑りブッシュｎを有して
おり、ＸＹステージ８は、固定ステージ４の滑りブッシ
ュｍ上を、図１の紙面に垂直なｘｙ平面内で二次元的に
移動可能に構成されている。また、ＸＹステージ８に
は、スキャナ孔ＯSが開けられている。
【００１５】一方、前記スキャナ９は、圧電体素子で作
られた円筒状スキャナであり、ＸＹステージ８に取り付
けられた筒状固定金具１０に取り付けられている。この
固定金具１０とスキャナ９の取り付け位置について説明
すると、まず、固定金具１０の一端は、ＸＹステージ８
の、引出電極側とは反対側の面のスキャナ孔周縁部に取
り付けられている。そして、その固定金具１０の他端
に、スキャナ９が筒状の固定金具内に収まるように、ス
キャナ９の一端が取り付けられている。
られた円筒状スキャナであり、ＸＹステージ８に取り付
けられた筒状固定金具１０に取り付けられている。この
固定金具１０とスキャナ９の取り付け位置について説明
すると、まず、固定金具１０の一端は、ＸＹステージ８
の、引出電極側とは反対側の面のスキャナ孔周縁部に取
り付けられている。そして、その固定金具１０の他端
に、スキャナ９が筒状の固定金具内に収まるように、ス
キャナ９の一端が取り付けられている。
【００１６】また、スキャナ９の他端は、前記ＸＹステ
ージ８のスキャナ孔ＯS内に位置しており、そのスキャ
ナ９の他端に、試料１１を保持した試料ホルダ１２が取
り付けられている。このため、試料１１は引出電極５に
対向している。なお、上述したスキャナ９の他端は、ス
キャナ孔ＯS内においてＸＹステージ８と接触しておら
ず、それらの間には適当な隙間があり、スキャナ９は、
ｘ，ｙおよびｚ方向に移動可能に固定金具１０に取り付
けられている。
ージ８のスキャナ孔ＯS内に位置しており、そのスキャ
ナ９の他端に、試料１１を保持した試料ホルダ１２が取
り付けられている。このため、試料１１は引出電極５に
対向している。なお、上述したスキャナ９の他端は、ス
キャナ孔ＯS内においてＸＹステージ８と接触しておら
ず、それらの間には適当な隙間があり、スキャナ９は、
ｘ，ｙおよびｚ方向に移動可能に固定金具１０に取り付
けられている。
【００１７】１３は試料交換機構であり、試料交換機構
１３は前記ステージ３に取り付けられている。この試料
交換機構１３を用いれば、真空容器１の真空を破らずに
試料交換を行うことができ、その試料交換の際、試料交
換機構１３は、固定金具１０の試料交換孔Ｏ’とスキャ
ナ９の内部を通って試料交換を行う。
１３は前記ステージ３に取り付けられている。この試料
交換機構１３を用いれば、真空容器１の真空を破らずに
試料交換を行うことができ、その試料交換の際、試料交
換機構１３は、固定金具１０の試料交換孔Ｏ’とスキャ
ナ９の内部を通って試料交換を行う。
【００１８】１４は、リフレクトロンなどのイオン検出
器であり、試料室２に配置されたイオン検出器１４は、
真空容器１の側壁に取り付けられている。このイオン検
出器１４は真空容器１に固定されており、また、前記引
出電極５は固定ステージ４に固定されているので、引出
電極５のイオン検出器１４との相対位置は変化せず、固
定されている。
器であり、試料室２に配置されたイオン検出器１４は、
真空容器１の側壁に取り付けられている。このイオン検
出器１４は真空容器１に固定されており、また、前記引
出電極５は固定ステージ４に固定されているので、引出
電極５のイオン検出器１４との相対位置は変化せず、固
定されている。
【００１９】また、試料室２には、小型の走査電子顕微
鏡（ＳＥＭ）１５が配置されており、ＳＥＭ１５は真空
容器１に取り付けられている。このＳＥＭは、試料１１
の表面を観察するためのものである。
鏡（ＳＥＭ）１５が配置されており、ＳＥＭ１５は真空
容器１に取り付けられている。このＳＥＭは、試料１１
の表面を観察するためのものである。
【００２０】そして、各構成が取り付けられた真空容器
１は、ベース１６上の除振装置１７上に載置されてい
る。
１は、ベース１６上の除振装置１７上に載置されてい
る。
【００２１】また、図１において１８は高電圧電源であ
り、高電圧電源１８は、前記試料１１に正の高電圧を印
加するものである。また、１９はパルス電源であり、パ
ルス電源１９は、試料１１に正のパルス電圧を印加する
ものである。このパルス電源１９と前記高電圧電源１８
で、試料表面上の原子を電界蒸発させるための電界を発
生させる電界発生手段が構成されている。
り、高電圧電源１８は、前記試料１１に正の高電圧を印
加するものである。また、１９はパルス電源であり、パ
ルス電源１９は、試料１１に正のパルス電圧を印加する
ものである。このパルス電源１９と前記高電圧電源１８
で、試料表面上の原子を電界蒸発させるための電界を発
生させる電界発生手段が構成されている。
【００２２】そして、パルス電源１９は、前記電界蒸発
によって試料から発生したイオンの原子種を同定する同
定手段２０に接続されており、この同定手段２０は、前
記イオン検出器１４にも接続されている。
によって試料から発生したイオンの原子種を同定する同
定手段２０に接続されており、この同定手段２０は、前
記イオン検出器１４にも接続されている。
【００２３】以上、図１の装置構成について説明した
が、以下に、図１の装置の動作説明を行う。
が、以下に、図１の装置の動作説明を行う。
【００２４】まず、図１に示すように、試料１１がスキ
ャナ９に装着されると、試料面がＳＥＭ１５により観察
される。このとき、オペレータは、試料を大きく移動さ
せるときは、図示していないＸＹステージ駆動機構を制
御してＸＹステージ８をｘｙ方向に移動させる。一方、
オペレータは、試料をわずかに移動させる時は、図示し
ていないスキャナ駆動機構を制御してスキャナ９をｘｙ
方向に移動させる。
ャナ９に装着されると、試料面がＳＥＭ１５により観察
される。このとき、オペレータは、試料を大きく移動さ
せるときは、図示していないＸＹステージ駆動機構を制
御してＸＹステージ８をｘｙ方向に移動させる。一方、
オペレータは、試料をわずかに移動させる時は、図示し
ていないスキャナ駆動機構を制御してスキャナ９をｘｙ
方向に移動させる。
【００２５】そして、オペレータは、試料上において原
子分析を行いたい位置Ｓ1を決めると、ＳＥＭ像を見な
がら、その分析位置Ｓ1が引出電極５の先端に対向する
ように、ＸＹステージ８またはスキャナ９を移動させ
る。
子分析を行いたい位置Ｓ1を決めると、ＳＥＭ像を見な
がら、その分析位置Ｓ1が引出電極５の先端に対向する
ように、ＸＹステージ８またはスキャナ９を移動させ
る。
【００２６】このようにして、分析位置Ｓ1が位置決め
されると、高電圧電源１８が制御されて、試料１１に正
の高電圧Ｖ1が印加される。この結果、試料１１と、接
地電位にある引出電極５間に高電界が発生する。しか
し、その電圧印加だけでは試料上の表面原子が電界蒸発
しないように、前記電圧値Ｖ1が選択されているので、
分析位置Ｓ1上の原子は電界蒸発しない。
されると、高電圧電源１８が制御されて、試料１１に正
の高電圧Ｖ1が印加される。この結果、試料１１と、接
地電位にある引出電極５間に高電界が発生する。しか
し、その電圧印加だけでは試料上の表面原子が電界蒸発
しないように、前記電圧値Ｖ1が選択されているので、
分析位置Ｓ1上の原子は電界蒸発しない。
【００２７】そして、このように試料１１に電圧Ｖ1が
印加された状態で、パルス電源１９が制御されて、さら
に試料１１に正のパルス電圧Ｖ2が印加される。このパ
ルス電圧の印加によって試料上の表面原子が電界蒸発す
るように、前記電圧値Ｖ2が選択されているので、パル
ス電圧が印加されたときに分析位置Ｓ1上の原子は電界
蒸発する。
印加された状態で、パルス電源１９が制御されて、さら
に試料１１に正のパルス電圧Ｖ2が印加される。このパ
ルス電圧の印加によって試料上の表面原子が電界蒸発す
るように、前記電圧値Ｖ2が選択されているので、パル
ス電圧が印加されたときに分析位置Ｓ1上の原子は電界
蒸発する。
【００２８】こうして電界蒸発した原子のうち、正イオ
ン化したものは引出電極方向に加速され、引出電極５の
イオン通過孔６を通過した陽イオンはイオン検出器１４
で検出される。イオン検出器１４は、イオンを検出する
と同時に、イオン検出信号を同定手段２０に供給する。
ン化したものは引出電極方向に加速され、引出電極５の
イオン通過孔６を通過した陽イオンはイオン検出器１４
で検出される。イオン検出器１４は、イオンを検出する
と同時に、イオン検出信号を同定手段２０に供給する。
【００２９】さて、前記パルス電源１９は、上述した試
料１１へのパルス電圧の印加と同時にパルス信号を同定
手段２０に供給しており、同定手段２０は、このパルス
信号を受け取ると、その内部に内蔵しているタイマーを
動作させる。このタイマーは、イオン検出器１４からイ
オン検出信号が同定手段２０に供給されると停止するの
で、そのタイマーで計測された時間は、試料１１から発
生した陽イオンのイオン検出器１４までの飛行時間をあ
らわしている。
料１１へのパルス電圧の印加と同時にパルス信号を同定
手段２０に供給しており、同定手段２０は、このパルス
信号を受け取ると、その内部に内蔵しているタイマーを
動作させる。このタイマーは、イオン検出器１４からイ
オン検出信号が同定手段２０に供給されると停止するの
で、そのタイマーで計測された時間は、試料１１から発
生した陽イオンのイオン検出器１４までの飛行時間をあ
らわしている。
【００３０】そこで、同定手段２０は、このようにして
計測された陽イオンの飛行時間や、試料からイオン検出
器１４までの距離や、試料１１に印加される電圧などに
基づき、試料１１から発生した陽イオンの原子種を同定
する。この結果、前記分析位置Ｓ1上に存在する原子を
知ることができる。
計測された陽イオンの飛行時間や、試料からイオン検出
器１４までの距離や、試料１１に印加される電圧などに
基づき、試料１１から発生した陽イオンの原子種を同定
する。この結果、前記分析位置Ｓ1上に存在する原子を
知ることができる。
【００３１】以上、図１のアトムプローブ電界イオン顕
微鏡について説明したが、この装置においては、引出電
極のイオン検出器との相対位置が変化しないので、従来
のように、分析位置によって電離した原子がイオン検出
器で検出されないという問題は発生しない。このため、
図１の装置を用いれば、試料上のすべての点について高
精度な原子分析を行うことができる。
微鏡について説明したが、この装置においては、引出電
極のイオン検出器との相対位置が変化しないので、従来
のように、分析位置によって電離した原子がイオン検出
器で検出されないという問題は発生しない。このため、
図１の装置を用いれば、試料上のすべての点について高
精度な原子分析を行うことができる。
【００３２】なお、図１の装置において、ＸＹステージ
８またはスキャナ９をｘｙ方向に二次元的に走査させ、
試料上の各分析点について発生イオンの原子種の同定を
行えば、試料表面の組成分布を得ることができる。
８またはスキャナ９をｘｙ方向に二次元的に走査させ、
試料上の各分析点について発生イオンの原子種の同定を
行えば、試料表面の組成分布を得ることができる。
【００３３】以上、図１の装置について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
【００３４】たとえば、試料を加熱、または、試料に電
子線またはイオンビームまたはレーザ光を照射して、試
料表面上の原子間の結合力を弱めた状態で、上述したよ
うに試料上に電界を発生させるようにすれば、図１の装
置の場合よりも、試料表面上の原子は試料から離脱しや
すくなる。
子線またはイオンビームまたはレーザ光を照射して、試
料表面上の原子間の結合力を弱めた状態で、上述したよ
うに試料上に電界を発生させるようにすれば、図１の装
置の場合よりも、試料表面上の原子は試料から離脱しや
すくなる。
【００３５】また、逆に、試料を冷却した状態で、上述
したように試料上に電界を発生させるようにすれば、図
１の装置の場合よりも、試料表面上の原子は試料から離
脱しにくくなるが、弱い電界領域においては原子が離脱
しなくなって、原子が離脱する領域が狭くなるので、極
めて微小領域の原子分析を行うことができる。
したように試料上に電界を発生させるようにすれば、図
１の装置の場合よりも、試料表面上の原子は試料から離
脱しにくくなるが、弱い電界領域においては原子が離脱
しなくなって、原子が離脱する領域が狭くなるので、極
めて微小領域の原子分析を行うことができる。
【００３６】また、試料の電位を引出電極の電位よりも
低く設定し、電界蒸発により発生した陰イオンをイオン
検出器１４で検出して、試料の原子分析を行うようにし
ても良い。
低く設定し、電界蒸発により発生した陰イオンをイオン
検出器１４で検出して、試料の原子分析を行うようにし
ても良い。
【００３７】また、引出電極５とイオン検出器１４の間
に、イオン通過孔を有する蛍光スクリーンを配置しても
良い。
に、イオン通過孔を有する蛍光スクリーンを配置しても
良い。
【００３８】また、試料から放出されるイオンを検出す
るイオン検出器として、４重極質量分析器（Ｑ−ＭＡＳ
Ｓ）や磁界形質量分析器などを用いるようにしても良
い。
るイオン検出器として、４重極質量分析器（Ｑ−ＭＡＳ
Ｓ）や磁界形質量分析器などを用いるようにしても良
い。
【図１】 本発明のアトムプローブ電界イオン顕微鏡の
一例を示した図である。
一例を示した図である。
１…真空容器、２…試料室、３…ステージ、４…固定ス
テージ、５…引出電極、６…イオン通過孔、７…試料ス
テージ、８…ＸＹステージ、９…スキャナ、１０…固定
金具、１１…試料、１２…試料ホルダ、１３…試料交換
機構、１４…イオン検出器、１５…走査電子顕微鏡、１
６…ベース、１７…除振装置、１８…高電圧電源、１９
…パルス電源、２０…同定手段
テージ、５…引出電極、６…イオン通過孔、７…試料ス
テージ、８…ＸＹステージ、９…スキャナ、１０…固定
金具、１１…試料、１２…試料ホルダ、１３…試料交換
機構、１４…イオン検出器、１５…走査電子顕微鏡、１
６…ベース、１７…除振装置、１８…高電圧電源、１９
…パルス電源、２０…同定手段
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器と、その真空容器内に配置され
たイオン検出手段と、イオン通過孔を有し、前記イオン
検出手段との相対位置が変化しないように前記真空容器
内に配置された引出電極と、前記真空容器内に配置さ
れ、前記引出電極との相対位置を変えられるように構成
された試料ステージと、その試料ステージに保持される
試料と、その試料に対向する前記引出電極間に、試料表
面上の原子を電界蒸発させるための電界を発生させる電
界発生手段と、前記電界蒸発によって試料から発生した
イオンを検出する前記イオン検出手段の出力に基づき、
そのイオンの原子種を同定する手段を備えたことを特徴
とするアトムプローブ電界イオン顕微鏡。 - 【請求項２】 前記試料ステージは、粗動機構と、その
粗動機構上に配置された微動機構を備えており、その微
動機構は圧電体素子で形成されていて、前記試料はその
微動機構上に保持されることを特徴とする請求項１記載
のアトムプローブ電界イオン顕微鏡。 - 【請求項３】 試料表面上の原子を試料から離脱させや
すくするために、試料を加熱、または、試料に電子線ま
たはイオンビームまたはレーザ光を照射可能に構成され
ていることを特徴とする請求項１記載のアトムプローブ
電界イオン顕微鏡。 - 【請求項４】 試料表面上の原子を試料から離脱させや
すくするために、試料を加熱、または、試料に電子線ま
たはイオンビームまたはレーザ光を照射可能に構成され
ていることを特徴とする請求項２記載のアトムプローブ
電界イオン顕微鏡。 - 【請求項５】 試料を冷却する手段を備えたことを特徴
とする請求項１から４の何れかに記載のアトムプローブ
電界イオン顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007273401A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kanazawa Inst Of Technology | 分析装置及び分析方法 |
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-
2000
- 2000-02-04 JP JP2000028254A patent/JP2001216933A/ja active Pending
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007531218A (ja) * | 2004-03-24 | 2007-11-01 | イマゴ サイエンティフィック インストルメンツ コーポレーション | レーザ原子プローブ |
| JP2007255933A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 試料ホルダ、元素分析装置、電子顕微鏡、及び、元素分析方法 |
| JP2007273401A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kanazawa Inst Of Technology | 分析装置及び分析方法 |
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| JP2009041997A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | 元素分析装置及び方法 |
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