JP3003056B2 - 自己診断回路 - Google Patents
自己診断回路Info
- Publication number
- JP3003056B2 JP3003056B2 JP3156704A JP15670491A JP3003056B2 JP 3003056 B2 JP3003056 B2 JP 3003056B2 JP 3156704 A JP3156704 A JP 3156704A JP 15670491 A JP15670491 A JP 15670491A JP 3003056 B2 JP3003056 B2 JP 3003056B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- capacitor
- electromotive force
- voltage
- time
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自己診断回路に係わ
り、特に、センサの内部抵抗値を測定する方法を改善し
た自己診断回路に関する。
り、特に、センサの内部抵抗値を測定する方法を改善し
た自己診断回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ジルコニア式Ｏ2センサの健全
性を評価する項目は各種あるが、その内の一つとしてセ
ンサの内部抵抗値がある。これは、良品のセンサの内部
抵抗値は低く通常１００Ω以下であるが、実ガス内で使
用しているとセンサ電極のヨゴレ、ひび割れ、センサ物
性の変化など各種不安定要因によりセンサ特性の劣化が
生じてきた場合に、センサの内部抵抗値が上昇する傾向
がある。一般に数ｋΩ以上になる。
性を評価する項目は各種あるが、その内の一つとしてセ
ンサの内部抵抗値がある。これは、良品のセンサの内部
抵抗値は低く通常１００Ω以下であるが、実ガス内で使
用しているとセンサ電極のヨゴレ、ひび割れ、センサ物
性の変化など各種不安定要因によりセンサ特性の劣化が
生じてきた場合に、センサの内部抵抗値が上昇する傾向
がある。一般に数ｋΩ以上になる。
【０００３】また、センサと変換器間の配線が断線した
り、端子盤などで接触不良が発生したりすれば正確な測
定はできなくなる。そこでセンサの内部抵抗あるいは配
線系統の直流抵抗を測定して良否を判断する自己診断を
行っている。
り、端子盤などで接触不良が発生したりすれば正確な測
定はできなくなる。そこでセンサの内部抵抗あるいは配
線系統の直流抵抗を測定して良否を判断する自己診断を
行っている。
【０００４】従来、自己診断回路としては抵抗シャント
法が用いられており、この抵抗シャント法はセンサの等
価回路が電圧源と内部抵抗で表されると仮定し、センサ
内部抵抗測定時にセンサの信号ライン間に抵抗値既知の
いわゆるシャント抵抗を接続したときに、センサ起電力
が内部抵抗とシャント抵抗で分圧されるとして、その接
続前後の電圧値から計算によって内部抵抗値を求めてい
る。
法が用いられており、この抵抗シャント法はセンサの等
価回路が電圧源と内部抵抗で表されると仮定し、センサ
内部抵抗測定時にセンサの信号ライン間に抵抗値既知の
いわゆるシャント抵抗を接続したときに、センサ起電力
が内部抵抗とシャント抵抗で分圧されるとして、その接
続前後の電圧値から計算によって内部抵抗値を求めてい
る。
【０００５】しかしながら、実際上は、センサは内部抵
抗とキャパシタの複合インピーダンスの形になっている
ため、シャント抵抗の接続前後の電圧波形は一次遅れ波
形になるため、シャント後の電圧測定まで時間がかかる
という欠点があった。特にセンサ特性が劣化すると内部
抵抗もキャパシタも見かけ上増えるようになり、一層測
定に時間がかかるようになる。また、逆に測定終了後に
シャント抵抗を開放しても元のセンサ起電力レベルに復
帰するまでに同様に時間がかかり測定に支障が出るよう
になる。
抗とキャパシタの複合インピーダンスの形になっている
ため、シャント抵抗の接続前後の電圧波形は一次遅れ波
形になるため、シャント後の電圧測定まで時間がかかる
という欠点があった。特にセンサ特性が劣化すると内部
抵抗もキャパシタも見かけ上増えるようになり、一層測
定に時間がかかるようになる。また、逆に測定終了後に
シャント抵抗を開放しても元のセンサ起電力レベルに復
帰するまでに同様に時間がかかり測定に支障が出るよう
になる。
【０００６】さらに、自己診断中はシャント抵抗の接続
前後でセンサ起電力が変化すると正しい抵抗測定ができ
なくなるために、センサ起電力を一定に保つ目的でゼロ
点校正ガスを流しておく必要がある。ちなみに、ジルコ
ニアＯ2センサは、空気（スパン点校正ガス）を導入し
たときは一般にセンサ起電力が０ｍＶになるように構成
されていて上記方式の自己診断ができないため、大きな
起電力が発生するゼロ点校正ガスが必要になる。
前後でセンサ起電力が変化すると正しい抵抗測定ができ
なくなるために、センサ起電力を一定に保つ目的でゼロ
点校正ガスを流しておく必要がある。ちなみに、ジルコ
ニアＯ2センサは、空気（スパン点校正ガス）を導入し
たときは一般にセンサ起電力が０ｍＶになるように構成
されていて上記方式の自己診断ができないため、大きな
起電力が発生するゼロ点校正ガスが必要になる。
【０００７】したがって、上記の自己診断実行時には、
センサ入力値が強制的に変動させられるために自己診断
実行中はアナログ出力をホールド状態にしておく必要が
ある。しかし、センサ特性が劣化したときのシャント抵
抗の接続と開放時には、自己診断の処理時間が長く必要
になる。すなわち、自己診断の終了時にアナログ出力指
示の突変が発生しないようにするために正常時より長い
ホールド時間が必要になる。したがって、ホールド時間
の設定は、安全のために常に長い時間にしておく必要が
あるため、欠測状態が増えることになる。このことは実
ガスの連続測定が不可欠とされるプロセス分析計では好
ましくないという欠点となる。
センサ入力値が強制的に変動させられるために自己診断
実行中はアナログ出力をホールド状態にしておく必要が
ある。しかし、センサ特性が劣化したときのシャント抵
抗の接続と開放時には、自己診断の処理時間が長く必要
になる。すなわち、自己診断の終了時にアナログ出力指
示の突変が発生しないようにするために正常時より長い
ホールド時間が必要になる。したがって、ホールド時間
の設定は、安全のために常に長い時間にしておく必要が
あるため、欠測状態が増えることになる。このことは実
ガスの連続測定が不可欠とされるプロセス分析計では好
ましくないという欠点となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は、かかる従
来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その課題
は、高価な校正ガスを必要とせず、しかも実ガス測定に
悪影響を与えることなくセンサの自己診断ができる自己
診断回路を提供することにある。
来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その課題
は、高価な校正ガスを必要とせず、しかも実ガス測定に
悪影響を与えることなくセンサの自己診断ができる自己
診断回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するためになされたもので、 未知の内部抵抗Ｒ
ｘを有するセンサの起電力Ｅ0と、 このセンサの起
電力Ｅ0を未知容量（Ｃｓ）を有するキャパシタに一定
時間（Ｔ）取り込んだ電圧Ｅ0'と、 基準電圧Ｅｓ
と、 この基準電源圧Ｅｓを一定時間（Ｔ）前記キャ
パシタに取り込んだ電圧Ｅｓ'とをそれぞれ取り込んで
記憶するメモリと、このメモリに記憶されたデータを用
いて下記演算を行って前記内部抵抗Ｒｘを求めることを
特徴としている。 Ｃｓ＝（１／Ｒｓ）・（−Ｔ）／ｌｎ（１−Ｅｓ'／Ｅｓ） Ｒｘ＝（１／Ｃｓ）・（−Ｔ）／ｌｎ（１−Ｅ0'／Ｅ0） 但し、Ｒx は測定すべきセンサの内部抵抗、Ｃs はキャ
パシタの容量値、Ｔはキャパシタの充電時間、Ｅ0 はセ
ンサの起電力、Ｅ0 ´はセンサの起電力を一定時間Ｔキ
ャパシタに充電したときのキャパシタの両端電圧、Ｅｓ
は基準電源電圧、Ｅｓ´はセンサの起電力を一定時間Ｔ
キャパシタに充電したときのキャパシタの両端電圧、Ｒ
ｓは基準抵抗。
解決するためになされたもので、 未知の内部抵抗Ｒ
ｘを有するセンサの起電力Ｅ0と、 このセンサの起
電力Ｅ0を未知容量（Ｃｓ）を有するキャパシタに一定
時間（Ｔ）取り込んだ電圧Ｅ0'と、 基準電圧Ｅｓ
と、 この基準電源圧Ｅｓを一定時間（Ｔ）前記キャ
パシタに取り込んだ電圧Ｅｓ'とをそれぞれ取り込んで
記憶するメモリと、このメモリに記憶されたデータを用
いて下記演算を行って前記内部抵抗Ｒｘを求めることを
特徴としている。 Ｃｓ＝（１／Ｒｓ）・（−Ｔ）／ｌｎ（１−Ｅｓ'／Ｅｓ） Ｒｘ＝（１／Ｃｓ）・（−Ｔ）／ｌｎ（１−Ｅ0'／Ｅ0） 但し、Ｒx は測定すべきセンサの内部抵抗、Ｃs はキャ
パシタの容量値、Ｔはキャパシタの充電時間、Ｅ0 はセ
ンサの起電力、Ｅ0 ´はセンサの起電力を一定時間Ｔキ
ャパシタに充電したときのキャパシタの両端電圧、Ｅｓ
は基準電源電圧、Ｅｓ´はセンサの起電力を一定時間Ｔ
キャパシタに充電したときのキャパシタの両端電圧、Ｒ
ｓは基準抵抗。
【００１０】
【実施例】以下、本発明について図を用いて詳細に説明
する。図１は本発明実施例の構成説明図であり、図中、
１はセンサの内部抵抗（Ｒｘ）、２はセンサの起電力
（Ｅ0）、３は基準抵抗（Ｒｓ）、４は基準電圧電源
（Ｅｓ）、５は未知容量Ｃｓを有するキャパシタ、６ａ
〜６ｅはスイッチ、７は演算増幅器、８ａはＡ／Ｄ変換
器、８ｂは中央処理装置（以下、「ＣＰＵ」という）、
８ｃはメモリ、８ｄはスイッチ６ａ〜６ｅを駆動させる
ための入出力ポ―ト（以下、「Ｉ／Ｏ」という）、８は
演算処理部である。
する。図１は本発明実施例の構成説明図であり、図中、
１はセンサの内部抵抗（Ｒｘ）、２はセンサの起電力
（Ｅ0）、３は基準抵抗（Ｒｓ）、４は基準電圧電源
（Ｅｓ）、５は未知容量Ｃｓを有するキャパシタ、６ａ
〜６ｅはスイッチ、７は演算増幅器、８ａはＡ／Ｄ変換
器、８ｂは中央処理装置（以下、「ＣＰＵ」という）、
８ｃはメモリ、８ｄはスイッチ６ａ〜６ｅを駆動させる
ための入出力ポ―ト（以下、「Ｉ／Ｏ」という）、８は
演算処理部である。
【００１１】図２は、本発明実施例の動作を説明するた
めのタイムチャ―トであり横軸は時間（ｔ）を示してい
る。以下、図１と図２を用いて本発明実施例の動作説明
を行なう。図１及び図２において、最初、スイッチ６
ａ，６ｂ，６ｄが閉、スイッチ６ｃ，６ｅが開の状態
で、センサの起電力（Ｅ0）をＡ／Ｄ変換器８ａに取り
込み、ＣＰＵ８ｂを介してメモリ８ｃにデ―タを保存す
る。
めのタイムチャ―トであり横軸は時間（ｔ）を示してい
る。以下、図１と図２を用いて本発明実施例の動作説明
を行なう。図１及び図２において、最初、スイッチ６
ａ，６ｂ，６ｄが閉、スイッチ６ｃ，６ｅが開の状態
で、センサの起電力（Ｅ0）をＡ／Ｄ変換器８ａに取り
込み、ＣＰＵ８ｂを介してメモリ８ｃにデ―タを保存す
る。
【００１２】次に、スイッチ６ｄを開にすると同時にス
イッチ６ｃを閉にし、一定時間（Ｔ）の間だけキャパシ
タ５の容量（Ｃs ）にセンサの電荷をチャ―ジする。一
定時間（Ｔ）経過後スイッチ６ａ，６ｂを開にし、キャ
パシタ５の両端電圧（Ｅ0'）をＡ／Ｄ変換器８ａで取り
込み、そのデ―タをＣＰＵ８ｂを介してメモリ８ｃに保
存する。
イッチ６ｃを閉にし、一定時間（Ｔ）の間だけキャパシ
タ５の容量（Ｃs ）にセンサの電荷をチャ―ジする。一
定時間（Ｔ）経過後スイッチ６ａ，６ｂを開にし、キャ
パシタ５の両端電圧（Ｅ0'）をＡ／Ｄ変換器８ａで取り
込み、そのデ―タをＣＰＵ８ｂを介してメモリ８ｃに保
存する。
【００１３】次いで、スイッチ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｅ
を開、６ｅを閉にしてキャパシタ5にチャージされた電
荷を放電する。その後、スイッチ６ａ，６ｂ，６ｄを
開、スイッチ６ｃ，６ｅを閉として基準電源電圧（Ｅ
ｓ）を一定時間（Ｔ）キャパシタ5にチャージする。
を開、６ｅを閉にしてキャパシタ5にチャージされた電
荷を放電する。その後、スイッチ６ａ，６ｂ，６ｄを
開、スイッチ６ｃ，６ｅを閉として基準電源電圧（Ｅ
ｓ）を一定時間（Ｔ）キャパシタ5にチャージする。
【００１４】一定時間（Ｔ）経過後、スイッチ６ａ，６
ｂ，６ｄ，６ｅを開、６ｃを閉にしてキャパシタ5にチ
ャージされた電荷（Ｅｓ'）をＡ／Ｄ変換器８ａで取り
込み、そのデ―タをＣＰＵ８ｂを介してメモリ８ｃに保
存する。なお、基準電圧源４の電圧（Ｅｓ）は予めメモ
リ８cに保存されているものとする。
ｂ，６ｄ，６ｅを開、６ｃを閉にしてキャパシタ5にチ
ャージされた電荷（Ｅｓ'）をＡ／Ｄ変換器８ａで取り
込み、そのデ―タをＣＰＵ８ｂを介してメモリ８ｃに保
存する。なお、基準電圧源４の電圧（Ｅｓ）は予めメモ
リ８cに保存されているものとする。
【００１５】メモリに格納された上述のＥ0，Ｅ0'，Ｅ
ｓ'及び既知の値であるＥｓ，Ｒｓからセンサの内部抵
抗あるいは配線系の接触抵抗を含めた抵抗値を次式によ
り演算する。 Ｅ0'＝Ｅ0｛１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ）｝ …（1） τ＝Ｃｓ・Ｒx …（2） （１）式から得られるτ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅ0 ´／
Ｅ0 ）｝と、（２）式から下式（３）が得られる。ま
た、この（３）式から下式（４）が導かれる。 Ｃs ・Ｒx ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅ0 ´／Ｅ0 ）｝…………………………（３ ） Ｒx ＝（１／Ｃs ）・［−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅ0 ´／Ｅ0 ）｝］…………（ ４）
ｓ'及び既知の値であるＥｓ，Ｒｓからセンサの内部抵
抗あるいは配線系の接触抵抗を含めた抵抗値を次式によ
り演算する。 Ｅ0'＝Ｅ0｛１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ）｝ …（1） τ＝Ｃｓ・Ｒx …（2） （１）式から得られるτ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅ0 ´／
Ｅ0 ）｝と、（２）式から下式（３）が得られる。ま
た、この（３）式から下式（４）が導かれる。 Ｃs ・Ｒx ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅ0 ´／Ｅ0 ）｝…………………………（３ ） Ｒx ＝（１／Ｃs ）・［−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅ0 ´／Ｅ0 ）｝］…………（ ４）
【００１６】 一方、Ｅs'＝Ｅs｛１−ｅｘｐ（−Ｔ／τs）｝ …（５） τｓ＝Ｃｓ・Ｒｓ …（６） （５）式から得られるτｓ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅｓ
´／Ｅｓ ）｝と、（６） 式から下式（７）が得られる。 Ｃs ・Ｒｓ ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅｓ ´／Ｅｓ）｝…………………………（ ７） Ｃｓ ＝（１／Ｒs ）・［−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅｓ ´／Ｅｓ ）｝］………… （８） この（８）式におけるＣｓの値を（４）式に代入してＲ
xを得る。
´／Ｅｓ ）｝と、（６） 式から下式（７）が得られる。 Ｃs ・Ｒｓ ＝−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅｓ ´／Ｅｓ）｝…………………………（ ７） Ｃｓ ＝（１／Ｒs ）・［−Ｔ／ｌｎ｛１−（Ｅｓ ´／Ｅｓ ）｝］………… （８） この（８）式におけるＣｓの値を（４）式に代入してＲ
xを得る。
【００１７】（１）〜（８）式において、Ｒx は測定す
べきセンサの内部抵抗、Ｃs はキャパシタの容量値、Ｔ
はキャパシタの充電時間、Ｅ0 はセンサの起電力、Ｅ0
´はセンサの起電力を一定時間Ｔキャパシタに充電した
ときのキャパシタの両端電圧、Ｅｓは基準電源電圧、Ｅ
ｓ´はセンサの起電力を一定時間Ｔキャパシタに充電し
たときのキャパシタの両端電圧、Ｒｓは基準抵抗をそれ
ぞれ表している。尚、本発明は上述の実施例に限定され
ることなく種々の変形が可能である。
べきセンサの内部抵抗、Ｃs はキャパシタの容量値、Ｔ
はキャパシタの充電時間、Ｅ0 はセンサの起電力、Ｅ0
´はセンサの起電力を一定時間Ｔキャパシタに充電した
ときのキャパシタの両端電圧、Ｅｓは基準電源電圧、Ｅ
ｓ´はセンサの起電力を一定時間Ｔキャパシタに充電し
たときのキャパシタの両端電圧、Ｒｓは基準抵抗をそれ
ぞれ表している。尚、本発明は上述の実施例に限定され
ることなく種々の変形が可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上詳しく説明したような本発明によれ
ば、センサ起電力及び基準電源電圧をキャパシタにチャ
ージする時間Ｔが例えば数ｍｓｅｃ．〜数１００ｍｓｅ
ｃ．以下というように極短くて済むため、アナログ出力
のホールド時間（欠測状態）が短くできる。基本的に
は、自己診断処理中には校正ガスが必要であるが、実ガ
ス測定においてセンサ起電力の変化は電極部のガスの置
換速度との関係があるが、一般的には数秒の応答特性と
なる。本方式による処理速度は、センサ起電力の応答特
性に比べかなり早くできるため、実用的には校正ガスを
流してセンサ起電力を一定にしないでも実行できる。し
たがって、ユーザーのユーティリティの節約ができ、低
コストで処理ができる。
ば、センサ起電力及び基準電源電圧をキャパシタにチャ
ージする時間Ｔが例えば数ｍｓｅｃ．〜数１００ｍｓｅ
ｃ．以下というように極短くて済むため、アナログ出力
のホールド時間（欠測状態）が短くできる。基本的に
は、自己診断処理中には校正ガスが必要であるが、実ガ
ス測定においてセンサ起電力の変化は電極部のガスの置
換速度との関係があるが、一般的には数秒の応答特性と
なる。本方式による処理速度は、センサ起電力の応答特
性に比べかなり早くできるため、実用的には校正ガスを
流してセンサ起電力を一定にしないでも実行できる。し
たがって、ユーザーのユーティリティの節約ができ、低
コストで処理ができる。
【図１】本発明実施例の構成回路図である。
【図２】本発明実施例の動作を説明するためのタイムチ
ャ―トである。 １ センサの内部抵抗 ２ センサの起電力 ３ 基準抵抗 ４ 基準電源 ５ キャパシタ ６ａ〜６ｅ スイッチ ７ 演算増幅器 ８ａ Ａ／Ｄ変換器 ８ｂ 中央処理装置 ８ｃ メモリ ８ｄ 入出力ポ―ト ８ 演算処理部
ャ―トである。 １ センサの内部抵抗 ２ センサの起電力 ３ 基準抵抗 ４ 基準電源 ５ キャパシタ ６ａ〜６ｅ スイッチ ７ 演算増幅器 ８ａ Ａ／Ｄ変換器 ８ｂ 中央処理装置 ８ｃ メモリ ８ｄ 入出力ポ―ト ８ 演算処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 27/26 391 G01N 27/00 - 27/24 G01N 27/409
Claims (1)
- 【請求項１】 未知の内部抵抗Ｒｘを有するセンサの
起電力Ｅ0と、 このセンサの起電力Ｅ0を未知容量（Ｃｓ）を有す
るキャパシタに一定時間（Ｔ）取り込んだ電圧Ｅ0'と、 基準電源電圧Ｅｓと、 この基準電源圧Ｅｓを一定時間（Ｔ）前記キャパシ
タに取り込んだ電圧Ｅｓ'とをそれぞれ取り込んで記憶
するメモリと、このメモリに記憶されたデータを用いて
下記演算を行って前記内部抵抗Ｒｘを求めることを特徴
とする自己診断回路。 記 Ｃｓ＝（１／Ｒｓ）・（−Ｔ）／ｌｎ（１−Ｅｓ'／Ｅｓ） Ｒｘ＝（１／Ｃｓ）・［−Ｔ／ｌｎ｛１−Ｅ0'／Ｅ0）］ 但し、Ｒx は測定すべきセンサの内部抵抗、Ｃs はキャ
パシタの容量値、Ｔはキャパシタの充電時間、Ｅ0 はセ
ンサの起電力、Ｅ0 ´はセンサの起電力を一定時間Ｔキ
ャパシタに充電したときのキャパシタの両端電圧、Ｅｓ
は基準電源電圧、Ｅｓ´はセンサの起電力を一定時間Ｔ
キャパシタに充電したときのキャパシタの両端電圧、Ｒ
ｓは基準抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156704A JP3003056B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 自己診断回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156704A JP3003056B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 自己診断回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209852A JPH05209852A (ja) | 1993-08-20 |
| JP3003056B2 true JP3003056B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=15633517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156704A Expired - Lifetime JP3003056B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 自己診断回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003056B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10119080B4 (de) * | 2001-04-19 | 2005-05-04 | Acam-Messelectronic Gmbh | Verfahren und Schaltanordnung zur Widerstandsmessung |
| JP5648001B2 (ja) | 2012-01-13 | 2015-01-07 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ処理装置 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3156704A patent/JP3003056B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05209852A (ja) | 1993-08-20 |
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