JP2996236B1 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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JP2996236B1
JP2996236B1 JP25505498A JP25505498A JP2996236B1 JP 2996236 B1 JP2996236 B1 JP 2996236B1 JP 25505498 A JP25505498 A JP 25505498A JP 25505498 A JP25505498 A JP 25505498A JP 2996236 B1 JP2996236 B1 JP 2996236B1
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Abstract

【要約】 【課題】 安全性およびプロセス清浄性を維持しつつ、
排気量の削減および排気による薬液持ち出しの削減が可
能な基板処理装置を提供する。 【解決手段】 本基板処理装置では、隣接する薬液処理
室13間に第1の排気用空間部8が形成され、薬液処理
室13を密閉する上蓋6と内蓋7との間に第2の排気用
空間部9が形成され、第1の排気用空間部8に第1の排
気用空間部8と薬液処理室13との遮断および連通を行
なうシャッタ12が設けられ、第1の排気用空間部8お
よび第2の排気用空間部9に薬液処理室13の排気を行
なう排気管20、21が設けられてなる。
Abstract: [PROBLEMS] While maintaining safety and process cleanliness,
Provided is a substrate processing apparatus capable of reducing an exhaust amount and taking out a chemical solution by exhaust. In the substrate processing apparatus, a first evacuation space (8) is formed between adjacent chemical processing chambers (13), and a second exhaust space (8) is provided between an upper lid (6) and an inner lid (7) for sealing the chemical processing chamber (13). An exhaust space 9 is formed, and a shutter 12 is provided in the first exhaust space 8 to shut off and communicate between the first exhaust space 8 and the chemical solution processing chamber 13. Exhaust pipes 20 and 21 for exhausting the chemical solution processing chamber 13 are provided in the section 8 and the second exhaust space 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、更に詳細には、液晶表示パネルに使用されるガラス
基板などの基板に、そのパネルの製造過程で、薬液洗浄
処理および水洗処理等の処理を施すための基板処理装置
であって、薬液消費を低減できる基板処理装置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate such as a glass substrate used for a liquid crystal display panel, in a process of manufacturing the panel, such as a chemical cleaning process and a water cleaning process. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a process, which can reduce consumption of a chemical solution.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶表示パネルのガラス基板等に
使用される基板に所定の処理を施す基板処理装置では、
薬液処理室及び水洗処理室からなる複数の処理室が基板
の搬送方向に隣接配置されており、基板を薬液処理室、
水洗処理室に順次搬送しながら、基板の薬液および水洗
処理が行なわれる。薬液処理室の前後には、薬液処理室
との遮断と連通とを交互に行なう手段を備えた予備排気
室が設けられることにより、作業者を薬液処理室の薬液
雰囲気から完全に隔離し安全性を図るとともに、隣接す
る処理室からの汚染を防止するものが、たとえば、特開
昭56−017009号(NEC九州)に開示されてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate used as a glass substrate of a liquid crystal display panel,
A plurality of processing chambers including a chemical processing chamber and a rinsing processing chamber are arranged adjacent to each other in the substrate transfer direction, and the substrate is disposed in the chemical processing chamber,
The substrate is subjected to a chemical solution and a rinsing process while being sequentially transported to the rinsing chamber. Before and after the chemical processing chamber, a preliminary exhaust chamber equipped with means for alternately shutting off and communicating with the chemical processing chamber is provided, completely isolating the operator from the chemical atmosphere in the chemical processing chamber and ensuring safety. A method for preventing contamination from an adjacent processing chamber while solving the problem is disclosed in, for example, JP-A-56-017099 (NEC Kyushu).

【0003】しかしながら、このような基板処理装置の
場合、被処理物の大きさ以上の予備排気室空間が必要と
なるため、装置寸法が非常に大きくなり、しかも予備排
気室でのパージを要するために、被処理物サイズが大き
くなるにつれてパージ時間が長くなるという欠点を有し
ている。
However, in the case of such a substrate processing apparatus, a preliminary exhaust chamber space larger than the size of an object to be processed is required, so that the size of the apparatus becomes extremely large, and furthermore, a purge in the preliminary exhaust chamber is required. In addition, there is a disadvantage that the purging time becomes longer as the size of the workpiece increases.

【0004】そこで、かかる欠点を解消するため、図5
および図6に示すような基板処理装置が提案されてい
る。すなわち、この従来の基板処理装置では、基板18
の薬液処理を行なう複数の薬液処理室13と、薬液処理
後の基板18を純水で洗浄する複数の水洗処理室14と
が、基板18の搬送方向に交互に隣接配置されている。
薬液処理室13および水洗処理室14の各処理室間に
は、各処理室間の遮断および連通を交互に行なうシャッ
タ12が設けられ、薬液処理室13の薬液雰囲気が隣接
する他の処理室に流出し、被洗浄物を汚染するのを防止
している。薬液処理室13は、その上部が開口され、当
該開口部は上蓋6および内蓋7による二重蓋により二重
に閉塞され、薬液処理室13を密閉している。
Therefore, in order to eliminate such a drawback, FIG.
And a substrate processing apparatus as shown in FIG. 6 has been proposed. That is, in this conventional substrate processing apparatus, the substrate 18
A plurality of chemical processing chambers 13 for performing the chemical processing and a plurality of rinsing processing chambers 14 for cleaning the substrate 18 after the chemical processing with pure water are alternately arranged adjacent to each other in the transport direction of the substrate 18.
A shutter 12 that alternately shuts off and communicates between the processing chambers is provided between the processing chambers of the chemical processing chamber 13 and the rinsing processing chamber 14, and the chemical atmosphere of the chemical processing chamber 13 is connected to another adjacent processing chamber. Prevents spills and contaminants of objects to be cleaned. The chemical treatment chamber 13 is opened at the top, and the opening is double-closed by a double lid with the upper lid 6 and the inner lid 7 to seal the chemical treatment chamber 13.

【0005】薬液処理室13の内部には、水平方向に基
板18を搬送する搬送ローラ4および上乗せローラ5が
基板18の上下面に摺接するように配置されている。搬
送ローラ4および上乗せローラ5は、ギヤ洗浄ボックス
16内に収容されたギヤ駆動部15により回転させら
れ、基板18を搬送する。基板18の上方および下方に
は基板18の上下面に処理液を吹き付ける一対のスプレ
ーノズル10が配置され、薬液処理室13および水洗処
理室14の各処理室の下流側には、液切りエアナイフ1
1がそれぞれ個別に配設されている。薬液処理室13の
一側壁には、排気管19が接続され、この排気管19内
の途中にオートダンパ1およびマニュアルダンパ2が装
着され、薬液処理室13の薬液雰囲気の排気量が制御さ
れるようになっている。また、薬液処理室13の内面の
排気管19の開口端に対面する位置には、薬液ミストの
排出を防止するL字形のミスト防止板17が固着されて
いる。
A transport roller 4 for transporting the substrate 18 in a horizontal direction and a loading roller 5 are disposed inside the chemical solution processing chamber 13 so as to be in sliding contact with the upper and lower surfaces of the substrate 18. The transport roller 4 and the transfer roller 5 are rotated by a gear driving unit 15 housed in a gear cleaning box 16 to transport the substrate 18. A pair of spray nozzles 10 for spraying the processing liquid onto the upper and lower surfaces of the substrate 18 are disposed above and below the substrate 18, and a liquid draining air knife 1 is provided downstream of each of the processing chambers 13 and 14.
1 are individually arranged. An exhaust pipe 19 is connected to one side wall of the chemical processing chamber 13, and an automatic damper 1 and a manual damper 2 are mounted in the exhaust pipe 19, and the amount of exhaust of the chemical atmosphere in the chemical processing chamber 13 is controlled. It has become. Further, an L-shaped mist prevention plate 17 for preventing the discharge of the chemical mist is fixed to the inner surface of the chemical treatment chamber 13 at a position facing the opening end of the exhaust pipe 19.

【0006】従って、このような基板処理装置では、各
処理室間の遮断および連通を交互に行なうシャッタ12
を設けたことから、薬液処理室13の薬液雰囲気の隣接
する水洗処理室14などへの流出が防止され、被洗浄物
の汚染が回避される。さらに、予備排気室が不要とな
り、装置寸法の縮小化が図られ、装置がコンパクトにな
る。
Accordingly, in such a substrate processing apparatus, the shutter 12 for alternately shutting off and communicating between the processing chambers is provided.
Is provided, the outflow of the chemical liquid atmosphere of the chemical liquid processing chamber 13 to the adjacent washing processing chamber 14 and the like is prevented, and contamination of the cleaning target is avoided. Further, a preliminary exhaust chamber is not required, the size of the apparatus is reduced, and the apparatus is compact.

【0007】なお、かかる技術は、たとえば、特開平7
−014813号(富士通)に開示されている。
[0007] Such a technique is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open
No. 014813 (Fujitsu).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の基板処理装置では、シャッタ12が開いた際、薬液
雰囲気の隣接する処理室への漏れが防止できないため、
処理室間で安全サイドに流れる気流を作ることが必要と
なる。このため、排気による薬液の持ち出しが増大し、
薬液ミストおよび薬液蒸気の持ち出しが増加し、薬液の
消費が増大するという問題点があった。
By the way, in the above-mentioned conventional substrate processing apparatus, when the shutter 12 is opened, the leakage of the chemical solution atmosphere to the adjacent processing chamber cannot be prevented.
It is necessary to create an airflow that flows to the safe side between the processing chambers. For this reason, taking out of the chemical solution by exhaust increases,
There is a problem that the taking out of the chemical mist and the chemical vapor increases, and the consumption of the chemical increases.

【0009】また、基板処理に用いられる薬液には、人
体に有害な物質が多く使用されているので、処理室排気
が常時行なわれ、作業面への薬液雰囲気漏れ防止といっ
た安全性の向上を行なうと同時に、隣接する処理室への
薬液雰囲気漏れを防止することによるプロセス清浄性の
維持が行なわれている。しかし、ここでも、スプレー処
理の際に発生する薬液ミストや高温に加熱された薬液蒸
気を排気により大量に持ち出してしまうという問題点が
ある。各種処理に用いられるこれらの薬液は非常に高価
なものであり、薬液ミストおよび薬液蒸気の持ち出し増
加は、ランニングコストを増大させるという問題点があ
る。
Further, since a chemical solution used for substrate processing contains a lot of substances harmful to the human body, the processing chamber is constantly exhausted, thereby improving safety such as preventing a chemical solution atmosphere from leaking to a work surface. At the same time, process cleanliness is maintained by preventing leakage of the chemical solution atmosphere to the adjacent processing chamber. However, also in this case, there is a problem that a large amount of the chemical mist generated during the spraying process and the chemical vapor heated to a high temperature are taken out by the exhaust. These chemicals used for various treatments are very expensive, and an increase in the removal of chemical mist and chemical vapor increases the running cost.

【0010】また、排気により持ち出された薬品につい
ては、排気処理プラントで処理され無害化した後に大気
へ開放されるものと、排気管途中で結露する薬液や純水
スクラバなどの排気処理プラントから排出される高濃度
な排水といった最終的に排水処理プラントへ送られ無害
化処理されるものがあるが、いずれも装置からの薬液の
大量持ち出しによりプラント処理能力に大きな影響を与
えてしまい、投資増大の要因になるという問題点があ
る。また、高温に加熱される薬液や有機溶剤などの揮発
しやすい成分を含む薬品においては、排気により一部の
成分のみが大量に減少することにより薬液組成変化が短
時間で進み、薬液のライフサイクルが短くなるという問
題点がある。
[0010] The chemicals taken out by the exhaust gas are treated in an exhaust gas treatment plant, detoxified and then released to the atmosphere, and chemicals condensed in the exhaust pipe or discharged from an exhaust gas treatment plant such as a pure water scrubber. Some high-concentration wastewater is ultimately sent to a wastewater treatment plant and detoxified, but in any case, large quantities of chemicals taken out of the equipment have a significant effect on plant treatment capacity, and investment is increasing. There is a problem that it becomes a factor. In addition, in chemicals that are easily heated and contain volatile components such as organic solvents, chemical components change rapidly due to a large amount of only a small amount of components being reduced by exhaustion, and the chemical solution life cycle Is shortened.

【0011】そこで、排気持ち出しの削減案として冷却
機能を用いたミストトラップを取り付けて結露した薬液
を処置室や循環タンク内に戻すという方式もあるが、排
気風速が大きく十分な冷却が得られないため、消費削減
効果は非常に少ない。一度気化した後に再液化を行なう
と薬液組成が変わってしまい再利用ができない薬液もあ
り、現時点で安価で効果的なミストトラップは存在しな
い。
[0011] In order to reduce the exhaust gas, there is a method in which a mist trap using a cooling function is attached to return the condensed chemical solution to the treatment room or the circulation tank. However, the exhaust air velocity is large and sufficient cooling cannot be obtained. Therefore, the consumption reduction effect is very small. Once re-liquefied after vaporization, the chemical composition changes and some chemicals cannot be reused, and at present, there is no inexpensive and effective mist trap.

【0012】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところは、安全性
およびプロセス清浄性を維持しつつ、排気による薬液持
ち出しの削減が可能な基板処理装置を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to reduce the removal of chemicals by exhaust while maintaining safety and process cleanliness. It is to provide a substrate processing apparatus.

【0013】上記目的を達成するために、本発明に係る
基板処理装置は、基板に所定の処理を施すように基板搬
送方向に、順次、配置された複数個の処理室を備え、処
理室内で基板にそれぞれ所定の処理を行う基板処理装置
において、基板搬送方向の寸法が基板の搬送方向幅より
小さい中間室として、隣接する処理室間に開閉自在なシ
ャッタを設けた仕切り壁を介して設けられ、第1の排気
手段を有する第1の排気用空間部と、少なくとも1個の
処理室の上部を相互に離隔する2枚の蓋体によって非気
密的に区画して上部室として設けられ、第2の排気手段
を有する第2の排気用空間部とを備え、第1の排気用空
間部は、隣接する一方の処理室から基板を搬出し、次い
で他方の処理室に基板を搬入する際には、シャッタの開
放により処理室に連通し、隣接する処理室で基板が処理
されている間は、シャッタの閉止により処理室から遮断
され、かつ少なくともシャッタの開放時には、第1の排
気手段の排気動作により負圧に維持され、第2の排気用
空間部は、第2の排気用空間部を備える処理室で基板を
処理している間、第2の排気手段の排気動作により負圧
に維持されていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a plurality of processing chambers sequentially arranged in a substrate transport direction so as to perform a predetermined processing on a substrate. In a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on each of the substrates, an intermediate chamber whose dimension in the substrate transport direction is smaller than the width of the substrate in the transport direction is provided via a partition wall provided with an openable and closable shutter between adjacent processing chambers. A first exhaust space portion having a first exhaust means, and an upper portion of the at least one processing chamber, which is non-airtightly partitioned by two lids separated from each other, and provided as an upper chamber. A second exhaust space having two exhaust means, wherein the first exhaust space removes the substrate from one of the adjacent processing chambers and then loads the substrate into the other processing chamber. To the processing chamber by opening the shutter While the substrate is being processed in the adjacent processing chamber, the shutter is shut off from the processing chamber by closing the shutter, and at least when the shutter is opened, the negative pressure is maintained by the exhaust operation of the first exhaust means, and the second pressure is maintained. The exhaust space is characterized by being maintained at a negative pressure by the exhaust operation of the second exhaust means while the substrate is being processed in the processing chamber having the second exhaust space.

【0014】処理室の全てに第1の排気用空間部及び第
2の排気用空間部を設ける必要はないが、安全性、プロ
セス清浄性、薬液消費の抑制等の観点から全ての処理室
に設ける方が、好ましい。本発明は、基板の種類、処理
の種類にかかわらず適用でき、例えば、基板が液晶表示
パネルのガラス基板の処理に好適に適用できる。安全
性、プロセス清浄性、薬液消費の抑制等の観点から、第
1の排気用空間部及び第2の排気用空間部は、処理室で
基板を処理している間、負圧に保持されているようにす
る。好適には、第1の排気手段及び第2の排気手段は、
それぞれ、オートダンパを備えて吸引装置に接続され、
第1の排気用空間部及び第2の排気用空間部をそれぞれ
自動的に負圧に維持する。また、更に好適には、処理室
が排気手段を備え、基板を一の処理室から第1の排気用
空間部を経て次の処理室に搬送中に、一の処理室及び次
の処理室を排気するようにする。
It is not necessary to provide the first exhaust space and the second exhaust space in all of the processing chambers, but from the viewpoints of safety, process cleanliness, suppression of chemical solution consumption, and the like, all of the processing chambers are required. It is preferable to provide them. The present invention can be applied regardless of the type of the substrate and the type of processing. For example, the present invention can be suitably applied to the processing of a glass substrate of a liquid crystal display panel. From the viewpoints of safety, process cleanliness, suppression of chemical solution consumption, and the like, the first exhaust space portion and the second exhaust space portion are maintained at a negative pressure while processing the substrate in the processing chamber. To be. Preferably, the first exhaust unit and the second exhaust unit are
Each is equipped with an auto damper and connected to the suction device,
The first exhaust space and the second exhaust space are each automatically maintained at a negative pressure. More preferably, the processing chamber is provided with an exhaust unit, and the first processing chamber and the next processing chamber are transported from the one processing chamber to the next processing chamber via the first exhaust space. Exhaust.

【0015】本発明の好適な実施態様では、第1の排気
用空間部に接続し、かつ第2の排気用空間部を有する処
理室では、第1の排気用空間部及び第2の排気用空間部
とを連通して排気用連通空間部が構成され、第1の排気
手段及び第2の排気手段に代えて、排気用連通空間部に
第3の排気手段を備え、第3の排気手段は、少なくとも
シャッタの開放時に、又は第2の排気用空間部を備える
処理室で基板を処理している間、排気用連通空間部を負
圧に維持する。
In a preferred embodiment of the present invention, in the processing chamber connected to the first exhaust space and having the second exhaust space, the first exhaust space and the second exhaust space are provided. An exhaust communication space configured by communicating with the space, and a third exhaust unit provided in the exhaust communication space instead of the first exhaust unit and the second exhaust unit; Maintains the exhaust communication space at a negative pressure at least when the shutter is opened or while the substrate is being processed in the processing chamber having the second exhaust space.

【0016】本発明の更に好適な実施態様では、複数個
の処理室に設けられた排気用連通空間部同士を更に連通
させている。また、第3の排気手段は、オートダンパを
備えて吸引装置に接続され、排気用連通空間部を自動的
に負圧に維持する。
In a further preferred embodiment of the present invention, the exhaust communication spaces provided in the plurality of processing chambers are further communicated with each other. The third exhaust means is provided with an automatic damper and connected to the suction device, and automatically maintains the exhaust communication space at a negative pressure.

【0017】本発明の更に好適な実施態様では、複数個
の処理室が、薬液洗浄処理を行う処理室と、水洗浄処理
を行う処理室との組み合わせからなる。
In a further preferred embodiment of the present invention, the plurality of processing chambers comprise a combination of a processing chamber for performing a chemical cleaning process and a processing chamber for performing a water cleaning process.

【0018】本発明では、隣接する処理室間に第1の排
気用空間部が形成され、処理室を密閉する二重蓋間に第
2の排気用空間部が形成され、第1の排気用空間部およ
び第2の排気用空間部に処理室の排気を行なう排気手段
が設けられたので、第1の排気用空間部より常時排気を
行なうことにより、第1の排気用空間部前後の開閉手段
が開閉いずれの場合においても隣接する処理室への雰囲
気流出が完全に防止される。さらに、第2の排気用空間
部より常時排気することにより、ごく僅かに漏れる薬液
雰囲気を第2の排気用空間部で完全に排除することがで
き、安全性が向上する。また、排気による薬液消費量
は、第2の排気用空間部からの持ち出しがごく少量であ
るから、基板が隣接する処理室間の移動時間中に第1の
排気用空間部から持ち出される薬液ミストおよび薬液蒸
気量とほぼ同量となり、排気量の削減および排気による
薬液持ち出しが削減する。
According to the present invention, a first exhaust space is formed between adjacent processing chambers, a second exhaust space is formed between double lids that seal the processing chamber, and a first exhaust space is formed. Further, since the exhaust means for exhausting the processing chamber is provided in the second exhaust space part, the exhaust means is constantly exhausted from the first exhaust space part, so that the opening and closing means before and after the first exhaust space part can be opened and closed. In both cases of opening and closing, the outflow of the atmosphere to the adjacent processing chamber is completely prevented. Further, by constantly exhausting the gas from the second exhaust space portion, a very slight leakage of the chemical solution can be completely eliminated in the second exhaust space portion, thereby improving safety. In addition, since the amount of the chemical solution consumed by the exhaust is very small taken out of the second exhaust space, the chemical mist taken out of the first exhaust space during the movement time of the substrate between the adjacent processing chambers is reduced. In addition, the amount of the chemical liquid becomes almost the same as the amount of the chemical liquid vapor, so that the amount of exhaust gas is reduced and the amount of chemical liquid taken out by the exhaust gas is reduced.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施の形態を説明するに当たって、従来の
基板処理装置と同一機能を奏するものは同じ符号を付し
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the embodiments, those having the same functions as those of the conventional substrate processing apparatus will be described with the same reference numerals.

【0020】実施形態例1 本実施形態例は、液晶表示パネルの基板として使用する
ガラス基板を洗浄する基板処理装置に適用した本発明に
係る基板処理装置の実施形態の一例であって、図1は本
実施形態例の基板処理装置の概略構成図、図2は本実施
形態例の処理室の断面図である。本実施形態例の基板処
理装置は、図1に示すように、基板18の薬液処理を行
なう複数の薬液処理室13および薬液処理後の基板18
を純水で洗浄する複数の水洗処理室14が基板18の搬
送方向に交互に又は連続して隣接配置され、薬液処理室
13および水洗処理室14の隣接する各処理室間に第1
の排気用空間部8が形成されている。
Embodiment 1 This embodiment is an example of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention applied to a substrate processing apparatus for cleaning a glass substrate used as a substrate of a liquid crystal display panel. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus of the embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a processing chamber of the embodiment. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a plurality of chemical processing chambers 13 for performing a chemical processing of a substrate 18 and a substrate 18 after the chemical processing.
A plurality of washing processing chambers 14 for washing the substrate with pure water are alternately or continuously arranged adjacent to each other in the transport direction of the substrate 18.
Is formed.

【0021】第1の排気用空間部8と両側に隣接する各
処理室との間には、第1の排気用空間部8と各処理室と
の遮断および連通を開閉動作により交互に行なうシャッ
タ12が設けられ、薬液処理室13の薬液雰囲気が隣接
する他の処理室に流出し、被洗浄物を汚染するのを防止
している。薬液処理室13は、その上部が開口され、当
該開口部は上蓋6および内蓋7による二重蓋により二重
に閉塞され、上蓋6と内蓋7との間には第2の排気用空
間部9が形成されている。薬液処理室13の内部には、
水平方向に基板18を搬送する搬送ローラ4および上乗
せローラ5が基板18の上下面に摺接するように配置さ
れている。搬送ローラ4および上乗せローラ5は、ギヤ
洗浄ボックス16内に収容されたギヤ駆動部15により
回転させられ、基板18を搬送する。
Between the first exhaust space 8 and each of the processing chambers adjacent on both sides, a shutter for alternately opening and closing the first exhaust space 8 and each of the processing chambers by opening and closing operations. 12 is provided to prevent the chemical atmosphere in the chemical processing chamber 13 from flowing out to another adjacent processing chamber and contaminating the object to be cleaned. The chemical solution treatment chamber 13 has an upper part opened, the opening part is double-closed by a double lid with an upper lid 6 and an inner lid 7, and a second exhaust space 9 between the upper lid 6 and the inner lid 7. Are formed. Inside the chemical processing chamber 13,
A transport roller 4 for transporting the substrate 18 in the horizontal direction and an upper roller 5 are disposed so as to slide on the upper and lower surfaces of the substrate 18. The transport roller 4 and the transfer roller 5 are rotated by a gear driving unit 15 housed in a gear cleaning box 16 to transport the substrate 18.

【0022】基板18の上方および下方には基板18の
上下面に処理液を吹き付ける一対のスプレーノズル10
が配置され、薬液処理室13および水洗処理室14の各
処理室の下流側には、液切りエアナイフ11がそれぞれ
個別に配設されている。薬液処理室13の一側壁には、
排気管19が接続され、これら排気管19内の途中にオ
ートダンパ1およびマニュアルダンパ2が装着されてい
る。また、第1の排気用空間部9には、気管20が接続
され、排気管20内の途中にオートダンパ1およびマニ
ュアルダンパ2が装着されている。これにより、薬液処
理室13内および第2の排気用空間部9の薬液雰囲気の
排気量が制御されるようになっている。また、薬液処理
室13の排気管19の開口端に対面する位置には、薬液
ミストの排出を防止するL字形のミスト防止板17が固
着されている。
Above and below the substrate 18, a pair of spray nozzles 10 for spraying the processing liquid onto the upper and lower surfaces of the substrate 18 are provided.
The liquid draining air knives 11 are individually arranged downstream of the processing chambers of the chemical processing chamber 13 and the rinsing processing chamber 14, respectively. On one side wall of the chemical processing chamber 13,
An exhaust pipe 19 is connected, and an auto damper 1 and a manual damper 2 are mounted in the exhaust pipe 19 in the middle. A trachea 20 is connected to the first exhaust space 9, and an auto damper 1 and a manual damper 2 are mounted in the exhaust pipe 20. Thus, the exhaust amount of the chemical solution atmosphere in the chemical solution processing chamber 13 and the second exhaust space 9 is controlled. Further, an L-shaped mist prevention plate 17 for preventing discharge of the chemical mist is fixed to a position facing the opening end of the exhaust pipe 19 of the chemical treatment chamber 13.

【0023】第1の排気用空間部8にも、排気管21が
接続され、排気管21内の途中には薬液雰囲気の排気量
を制御するためのオートダンパ1およびマニュアルダン
パ2が装着されている。
An exhaust pipe 21 is also connected to the first exhaust space 8, and an auto damper 1 and a manual damper 2 for controlling the amount of exhaust of the chemical solution atmosphere are mounted in the exhaust pipe 21. I have.

【0024】以下に、基板処理装置の動作を説明する。
基板処理装置は、以上の如く構成されているので、搬送
ローラ4および上乗せローラ5により第1の排気用空間
部8の直前まで基板18が運ばれてきたことを基板検出
部(図示略す)が検知すると、第1の排気用空間部8の
前後両側のシャッタ12が開き、薬液処理室13に基板
18が搬入される。次に、薬液処理室13への基板搬入
完了を基板検出部が検知すると、シャッタ12が閉じ
る。ここで、スプレーノズル10からの処理液スプレー
を開始し、規定時間の処理終了後にスプレーが停止す
る。
Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus will be described.
Since the substrate processing apparatus is configured as described above, the substrate detecting unit (not shown) detects that the substrate 18 has been transported to the position just before the first exhaust space 8 by the transport roller 4 and the additional roller 5. Upon detection, the shutters 12 on the front and rear sides of the first exhaust space 8 open, and the substrate 18 is carried into the chemical solution processing chamber 13. Next, when the substrate detection unit detects the completion of the transfer of the substrate into the chemical solution processing chamber 13, the shutter 12 closes. Here, the spraying of the processing liquid from the spray nozzle 10 is started, and the spraying is stopped after the processing for the specified time is completed.

【0025】その後、薬液処理室13間のシャッタ12
が開き、薬液処理室13の液切りエアナイフ11からの
基板18への高圧エアーの吹き付けを開始する。そし
て、搬送ローラ4および上乗せローラ5により基板18
を次の薬液処理室13に搬送した後、シャッタ12を閉
じ、薬液処理室13の液切りエアナイフ11からの高圧
エアーの吹き付けを停止する。なお、薬液処理室13以
降の水洗処理室14での動作においても薬液処理室13
と同様である。
Thereafter, the shutter 12 between the chemical processing chambers 13
Opens to start blowing high-pressure air from the liquid draining air knife 11 in the chemical solution processing chamber 13 onto the substrate 18. Then, the substrate 18 is transported by the transport roller 4 and the upper roller 5.
Is transported to the next chemical processing chamber 13, the shutter 12 is closed, and the blowing of high-pressure air from the liquid draining air knife 11 in the chemical processing chamber 13 is stopped. In the operation in the rinsing processing chamber 14 after the chemical processing chamber 13, the chemical processing chamber 13 is also used.
Is the same as

【0026】ここで、薬液処理室13における基板搬入
から搬出までの一連動作中において、第1の排気用空間
部8および第2の排気用空間部9のそれぞれの排気管2
0、21のオートダンパ1は常時開いており、第1の排
気用空間部8および第2の排気用空間部9は常に負圧と
なっている。
Here, during a series of operations from loading and unloading of the substrate in the chemical solution processing chamber 13, the respective exhaust pipes 2 of the first exhaust space 8 and the second exhaust space 9 are arranged.
The automatic dampers 1 of 0 and 21 are always open, and the first exhaust space 8 and the second exhaust space 9 are always at a negative pressure.

【0027】また、薬液処理室13内の排気について
は、排気管19のオートダンパ1が常時閉であり、処理
時は薬液処理室13内の排気を行なっていない。薬液処
理室13上部の上蓋6が開の状態を検出した際に安全機
構として全ての処理を停止するが、それと同時に薬液処
理室13の排気管19のオートダンパ1が開き、薬液処
理室13内を負圧とすることにより作業面への薬液雰囲
気流出を防止する。
As for the exhaust in the chemical processing chamber 13, the automatic damper 1 of the exhaust pipe 19 is always closed, and the processing in the chemical processing chamber 13 is not exhausted during the processing. When detecting that the upper lid 6 in the upper part of the chemical processing chamber 13 is open, all processing is stopped as a safety mechanism. At the same time, the automatic damper 1 of the exhaust pipe 19 of the chemical processing chamber 13 is opened, and the inside of the chemical processing chamber 13 is opened. Is set to a negative pressure to prevent the outflow of the chemical solution atmosphere to the work surface.

【0028】このように、従来は各処理室の排気量調整
によりプロセス清浄性に影響の少ない処理室の内圧を下
げて一方向への気流を作っていたが、本実施の形態によ
れば、隣接する処理室間に第1の排気用空間部8を設け
て常時排気を行なうことにより、第1の排気用空間部8
前後のシャッタ12が開閉いずれの場合においても隣接
する処理室への雰囲気流出を完全に防止することがで
き、プロセス清浄性を向上することができる。
As described above, in the past, by adjusting the exhaust amount of each processing chamber, the internal pressure of the processing chamber, which has little effect on the process cleanliness, was reduced to create an airflow in one direction. However, according to the present embodiment, By providing the first exhaust space 8 between the adjacent processing chambers and always performing the exhaust, the first exhaust space 8
Regardless of whether the front and rear shutters 12 are opened or closed, the outflow of the atmosphere to the adjacent processing chamber can be completely prevented, and the process cleanliness can be improved.

【0029】また、従来は隣接する処理室間のシャッタ
12の開閉時に処理室の内圧が変化することにより処理
室がノッキングを起こし、ごく僅かだが処理室上部の蓋
との隙間から薬液雰囲気漏れが発生するが、本実施の形
態は、薬液処理室の上部を二重に密閉する上蓋6と内蓋
7との間に第2の排気用空間部9を設けて常時排気する
ことにより、ごく僅かに漏れる薬液雰囲気を第2の排気
用空間部9で完全に排除することができ、安全性を向上
することができる。
Conventionally, when the internal pressure of the processing chamber changes when the shutter 12 between the adjacent processing chambers is opened and closed, knocking occurs in the processing chamber. However, in this embodiment, the second exhaust space 9 is provided between the upper lid 6 and the inner lid 7 which double-close the upper part of the chemical solution treatment chamber, and the second exhaust space 9 is constantly exhausted, so that a very small amount of air is exhausted. The atmosphere of the chemical solution that leaks into the second exhaust space 9 can be completely eliminated, and safety can be improved.

【0030】また、本実施形態例の排気による薬液消費
量は、第2の排気用空間部9からの持ち出しがごく少量
であるので、第1の排気用空間部8の前後に設置される
シャッタ12が開いているときに処理室からシャッタ開
口部を通って第1の排気用空間部8より持ち出される薬
液ミストおよび薬液蒸気量にほぼ等しい。つまり、隣接
する処理室間の移動時間中のみの消費となる。
Further, the amount of the chemical solution consumed by the exhaust of the present embodiment is very small, which is taken out of the second exhaust space 9, so that the shutter disposed before and after the first exhaust space 8 is used. When the opening 12 is open, it is substantially equal to the amount of chemical mist and the amount of chemical vapor taken out of the processing chamber through the shutter opening from the first exhaust space 8. In other words, consumption occurs only during the movement time between adjacent processing chambers.

【0031】ここで、被処理基板サイズが550mm×
650mm、処理タクトが60秒/枚、第1の排気用空
間部8を介して隣接する薬液処理室間ピッチが1000
mmかつ次処理室への搬送速度が4000mm/分の場
合の剥離装置における一例を説明する。従来装置が常時
排気を行なっているのに対し、本実施形態例の前条件の
装置の次処理室への搬送時間は「1000mm/400
0mm/分×60秒=15秒」となり、これが処理タク
ト中の排気により薬液消費時間である。
Here, the size of the substrate to be processed is 550 mm ×
650 mm, processing tact: 60 seconds / sheet, pitch between adjacent chemical processing chambers via the first exhaust space 8 is 1000
An example of the peeling device when the transfer speed to the next processing chamber is 4000 mm / min. While the conventional apparatus constantly evacuates, the transfer time of the apparatus under the preconditions of the present embodiment to the next processing chamber is “1000 mm / 400 mm”.
0 mm / min × 60 seconds = 15 seconds ”, which is the chemical solution consumption time due to the exhaust during the processing tact.

【0032】次に、従来において大量の薬液排気持ち出
しを行なっているシャワー処理中の消費速度は約40c
c/分なのに対し、本実施の形態において大半の薬液持
ち出しを行なうのはシャワー停止中であり、消費速度は
約10cc/分である。これらのことから、基板処理中
の排気による薬液消費量は従来方式が「40cc/分×
45秒+10cc/分×15秒=32.5cc/分」な
のに対して、本実施形態例は「10cc/分×15秒=
2.5cc/分」となり、本実施の形態の排気による薬
液消費は従来比1/13となる。
Next, the consumption rate during the shower process in which a large amount of chemical solution is conventionally taken out is about 40 c.
In contrast, in the present embodiment, most of the chemical solution is taken out while the shower is stopped, and the consumption rate is about 10 cc / min. From these facts, the consumption amount of the chemical solution due to the exhaust during the substrate processing is “40 cc / min ×
45 seconds + 10 cc / min × 15 seconds = 32.5 cc / min ”, whereas the present embodiment example is“ 10 cc / min × 15 seconds =
2.5 cc / min ", and the consumption of the chemical solution by the exhaust according to the present embodiment is 1/13 of the conventional one.

【0033】また、本実施形態例の排気による薬液持ち
出し削減により、排気処理プラントおよび排水処理プラ
ントの負荷が軽減され、処理プラントに要する設備投資
を削減することができる。
Further, by reducing the taking out of the chemical solution by the exhaust gas of this embodiment, the load on the exhaust treatment plant and the waste water treatment plant can be reduced, and the capital investment required for the treatment plant can be reduced.

【0034】本実施形態例は、薬液処理中の処理室内を
密閉し飽和状態とすることで、薬液ミストおよび薬液蒸
気の再液化を促進する。つまり、液組成変化を抑制する
ことで、薬液ライフサイクルを延長することができる。
In the present embodiment, the processing chamber during the chemical solution treatment is sealed and brought into a saturated state, thereby promoting the re-liquefaction of the chemical mist and the chemical vapor. That is, by suppressing the change in the liquid composition, the life cycle of the liquid chemical can be extended.

【0035】実施形態例2 本実施形態例は、液晶表示パネルの基板として使用する
ガラス基板を洗浄する基板処理装置に適用した本発明に
係る基板処理装置の実施形態の別の例であって、図3は
本実施形態例の基板処理装置の概略構成図である。実施
形態例1では、隣接する薬液処理室13および水洗処理
室14の各処理室間に第1の排気用空間部8を形成した
が、本実施形態例の基板処理装置は、これに代えて、図
3に示すように、各処理室毎の第1の排気用空間部8
と、第2の排気用空間部9とを連通して、排気用連通空
間部22を形成し、排気用連通空間部22にオートダン
バ1及びマニュアルダンパ2を有する一本の排気管23
を設けてもよい。
Embodiment 2 This embodiment is another example of the embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention applied to a substrate processing apparatus for cleaning a glass substrate used as a substrate of a liquid crystal display panel. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment. In the first embodiment, the first exhaust space 8 is formed between the adjacent processing chambers of the chemical processing chamber 13 and the rinsing processing chamber 14. However, the substrate processing apparatus of the present embodiment is replaced with this. As shown in FIG. 3, a first exhaust space 8 for each processing chamber is provided.
And the second exhaust space 9 to form an exhaust communication space 22, and a single exhaust pipe 23 having the automatic damper 1 and the manual damper 2 in the exhaust communication space 22.
May be provided.

【0036】実施形態例3 本実施形態例は、液晶表示パネルの基板として使用する
ガラス基板を洗浄する基板処理装置に適用した本発明に
係る基板処理装置の実施形態の更に別の例であって、図
4は本実施形態例の基板処理装置の概略構成図である。
実施形態例1では、隣接する薬液処理室13および水洗
処理室14の各処理室間に第1の排気用空間部8を形成
したが、本実施形態例の基板処理装置は、これに代え
て、図4に示すように、複数の処理室の排気用連通空間
部22を更に連通し、オートダンバ1及びマニュアルダ
ンパ2を有する複数本の排気管24を設けてもよい。
Embodiment 3 This embodiment is still another example of the embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention applied to a substrate processing apparatus for cleaning a glass substrate used as a substrate of a liquid crystal display panel. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
In the first embodiment, the first exhaust space 8 is formed between the adjacent processing chambers of the chemical processing chamber 13 and the rinsing processing chamber 14. However, the substrate processing apparatus of the present embodiment is replaced with this. As shown in FIG. 4, a plurality of exhaust pipes 24 having an automatic damper 1 and a manual damper 2 may be provided by further communicating the exhaust communication spaces 22 of the plurality of processing chambers.

【0037】また、同一の薬液処理を行なう処理室が隣
り合っているなどプロセス清浄性に影響を及ぼさないと
判断されるものについては、処理室間に第1の排気用空
間部8を有さなくてもよい。また、基板18を次処理室
へ搬送中に排気する第1の排気用空間部8と同じシーケ
ンスで処理室の排気を動作させてもよい。
In the case where the processing chambers for performing the same chemical treatment are determined to have no influence on the cleanliness of the process, such as adjacent processing chambers, a first exhaust space 8 is provided between the processing chambers. It is not necessary. Further, the exhaust of the processing chamber may be operated in the same sequence as the first exhaust space 8 for exhausting the substrate 18 during the transfer to the next processing chamber.

【0038】以上、本実施形態例の基板処理装置につい
て詳述したが、本発明は、上記実施の形態記載の基板処
理装置に限定されるものではなく、本発明の特許請求の
範囲に記載されている発明の精神を逸脱しない範囲で、
設計において種々の変更ができるものである。
As described above, the substrate processing apparatus according to this embodiment has been described in detail. However, the present invention is not limited to the substrate processing apparatus described in the above embodiment, and is described in the claims of the present invention. Without departing from the spirit of the invention
Various changes can be made in the design.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本発
明の基板処理装置によれば、隣接する処理室間に第1の
排気用空間部が形成され、処理室を密閉する二重蓋間に
第2の排気用空間部が形成され、第1の排気用空間部お
よび第2の排気用空間部に処理室の排気を行なう排気手
段が設けられたので、第1の排気用空間部より常時排気
を行なうことにより、第1の排気用空間部前後の開閉手
段が開閉いずれの場合においても隣接する処理室への雰
囲気流出を完全に防止することができ、プロセス清浄性
を向上することができる。また、第2の排気用空間部よ
り常時排気することにより、ごく僅かに漏れる薬液雰囲
気を第2の排気用空間部で完全に排除することができ、
安全性を向上することができる。また、排気による薬液
消費量は、第2の排気用空間部からの持ち出しがごく少
量であるから、基板が隣接する処理室間の移動時間中に
第1の排気用空間部から持ち出される薬液ミストおよび
薬液蒸気量とほぼ同量となり、排気量の削減および排気
による薬液持ち出しを削減することができる。また、排
気による薬液持ち出し削減により、排気処理プラントお
よび排水処理プラントの負荷が軽減され、処理プラント
に要する設備投資を削減することができる。
As will be understood from the above description, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the first exhaust space is formed between the adjacent processing chambers, and the space between the double lids that seals the processing chambers. The second exhaust space is formed, and the first exhaust space and the second exhaust space are provided with exhaust means for exhausting the processing chamber. By performing the exhaust, the outflow of the atmosphere to the adjacent processing chamber can be completely prevented in any case of opening and closing the opening and closing means before and after the first exhaust space portion, and the process cleanliness can be improved. . In addition, by constantly exhausting the gas from the second exhaust space, it is possible to completely eliminate the very slightly leaking chemical solution atmosphere in the second exhaust space,
Safety can be improved. In addition, since the amount of the chemical solution consumed by the exhaust is very small taken out of the second exhaust space portion, the chemical mist taken out of the first exhaust space portion during the movement time of the substrate between the adjacent processing chambers is reduced. In addition, the amount becomes substantially the same as the amount of the chemical liquid vapor, so that it is possible to reduce the amount of exhaust gas and take out the chemical liquid due to the exhaust gas. In addition, the reduction of the chemical solution taken out by the exhaust reduces the load on the exhaust treatment plant and the wastewater treatment plant, thereby reducing the capital investment required for the treatment plant.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態例1の基板処理装置の概略構成図であ
る。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.

【図2】実施形態例1の基板処理装置の処理室の断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view of a processing chamber of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

【図3】実施形態例2の基板処理装置の概略構成図であ
る。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

【図4】実施形態例3の基板処理装置の概略構成図であ
る。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a third embodiment.

【図5】従来の基板処理装置の概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a conventional substrate processing apparatus.

【図6】従来の基板処理装置の処理室の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a processing chamber of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 オートダンパ 2 マニュアルダンパ 6 上蓋 7 内蓋 8 第1の排気用空間部 9 第2の排気用空間部 10 スプレーノズル 11 液切りエアナイフ 12 シャッタ 13 薬液処理室 14 水洗処理室 18 基板 19、20、21、23、24 排気管 22 排気用連通空間部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Auto damper 2 Manual damper 6 Upper lid 7 Inner lid 8 First exhaust space 9 Second exhaust space 10 Spray nozzle 11 Drainer air knife 12 Shutter 13 Chemical treatment chamber 14 Rinse treatment chamber 18 Substrate 19, 20, 21, 23, 24 Exhaust pipe 22 Exhaust communication space

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板に所定の処理を施すように基板搬送
方向に、順次、配置された複数個の処理室を備え、処理
室内で基板にそれぞれ所定の処理を行う基板処理装置に
おいて、基板搬送方向の寸法が基板の搬送方向幅より小さい中間
室として、隣接する処理室間に開閉自在なシャッタを設
けた仕切り壁を介して設けられ、第1の排気手段を有す
第1の排気用空間部と、 少なくとも1個の処理室の上部を相互に離隔する2枚の
蓋体によって非気密的に区画して上部室として設けら
、第2の排気手段を有する第2の排気用空間部とを備
え、 第1の排気用空間部は、隣接する一方の処理室から基板
を搬出し、次いで他方の処理室に基板を搬入する際に
は、シャッタの開放により処理室に連通し、隣接する処
理室で基板が処理されている間は、シャッタの閉止によ
り処理室から遮断され、かつ少なくともシャッタの開放
時には、第1の排気手段の排気動作により負圧に維持さ
れ、 第2の排気用空間部は、第2の排気用空間部を備える処
理室で基板を処理している間、第2の排気手段の排気動
作により負圧に維持されている ことを特徴とする基板処
理装置。
1. A substrate processing apparatus, comprising: a plurality of processing chambers sequentially arranged in a substrate transport direction so as to perform predetermined processing on a substrate, wherein a predetermined processing is performed on each of the substrates in the processing chamber. In the middle, the dimension in the board transfer direction is smaller than the width in the board transfer direction
Chambers that can be opened and closed between adjacent processing chambers.
Provided through a girder partition wall and having first exhaust means
That the first exhaust space, two spaced from each other an upper part of at least one treatment chamber
Non-airtightly partitioned by a lid and provided as an upper chamber
Is, Bei a second exhaust space having a second exhaust means
In addition, the first exhaust space portion is provided with a substrate from one of the adjacent processing chambers.
And then carry the substrate into the other processing chamber.
Communicates with the processing chamber by opening the shutter, and
While the substrate is being processed in the laboratory, the shutter closes.
From the processing chamber and open at least the shutter
Sometimes, the negative pressure is maintained by the exhaust operation of the first exhaust means.
Is, the second exhaust space is punished with a second exhaust space
While the substrate is being processed in the laboratory, the exhaust operation of the second exhaust means is performed.
A substrate processing apparatus characterized by being maintained at a negative pressure by operation .
【請求項2】 第1の排気手段及び第2の排気手段は、
それぞれ、オートダンパを備えて吸引装置に接続され、
第1の排気用空間部及び第2の排気用空間部をそれぞれ
自動的に負圧に維持することを特徴とする請求項1に記
載の基板処理装置。
2. The first exhaust means and the second exhaust means,
Each is equipped with an auto damper and connected to the suction device,
Each of the first exhaust space portion and the second exhaust space portion
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the pressure is automatically maintained at a negative pressure .
【請求項3】 処理室が排気手段を備え、基板を一の処
理室から第1の排気用空間部を経て次の処理室に搬送中
に、一の処理室及び次の処理室を排気するようにしたこ
とを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。
3. The processing chamber is provided with an exhaust means, and the substrate is processed in one process.
Conveying from the processing room to the next processing room via the first exhaust space
In addition, one processing chamber and the next processing chamber are evacuated.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項4】 第1の排気用空間部に接続し、かつ第2
の排気用空間部を有する処理室では、第1の排気用空間
部及び第2の排気用空間部とを連通して排気用連通空間
部が構成され、第1の排気手段及び第2の排気手段に代
えて、排気用連通空間部に第3の排気手段を備え 第3の排気手段は、少なくともシャッタの開放時に、
第2の排気用空間部を備える処理室で基板を処理して
いる間、排気用連通空間部を負圧に維持することを特徴
とする請求項1に記載の基板処理装置。
4. A method for connecting to a first exhaust space portion and a second exhaust space portion.
In the processing chamber having the first exhaust space portion, the first exhaust space portion and the second exhaust space portion communicate with each other to form an exhaust communication space portion, and the first exhaust means and the second exhaust portion Instead of the means, a third exhaust means is provided in the exhaust communication space, and the third exhaust means processes the substrate at least when the shutter is opened and in a processing chamber having the second exhaust space.
While maintaining a negative pressure in the exhaust communication space
The substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項5】 複数個の処理室に設けられた排気用連通
空間部同士を更に連通させていることを特徴とする請求
に記載の基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the exhaust communication spaces provided in the plurality of processing chambers are further communicated with each other.
【請求項6】 第3の排気手段は、オートダンパを備え
て吸引装置に接続され、排気用連通空間部を自動的に負
圧に維持することを特徴とする請求項4又は5に記載の
基板処理装置。
6. The third exhaust means includes an automatic damper.
Connected to the suction device to automatically disconnect the exhaust communication space.
6. The method according to claim 4, wherein the pressure is maintained.
Substrate processing equipment.
【請求項7】 処理室が排気手段を備え、基板を一の処
理室から第1の排気用空間部を経て次の処理室に搬送中
に、一の処理室及び次の処理室を排気するようにしたこ
とを特徴とする請求項4から6のうちのいずれか1項に
記載の基板処理装置。
7. The processing chamber includes an exhaust unit, and the first processing chamber and the next processing chamber are exhausted while the substrate is being transported from one processing chamber to the next processing chamber via the first exhaust space. The substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 6, wherein the substrate processing apparatus is configured as described above.
【請求項8】 複数個の処理室が、薬液洗浄処理を行う
処理室と、水洗浄処理を行う処理室との組み合わせから
なることを特徴とする請求項1から7のうちのいずれか
1項に記載の基板処理装置。
8. The processing chamber according to claim 1, wherein the plurality of processing chambers comprise a combination of a processing chamber for performing a chemical cleaning process and a processing chamber for performing a water cleaning process. A substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項9】 基板が液晶表示パネルのガラス基板であ
ることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the substrate is a glass substrate of a liquid crystal display panel.
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