JP2992854B2 - Substrate single wafer detection system - Google Patents

Substrate single wafer detection system

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JP2992854B2
JP2992854B2 JP30814592A JP30814592A JP2992854B2 JP 2992854 B2 JP2992854 B2 JP 2992854B2 JP 30814592 A JP30814592 A JP 30814592A JP 30814592 A JP30814592 A JP 30814592A JP 2992854 B2 JP2992854 B2 JP 2992854B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、基板の枚葉検出装置
に関するもので、更に詳細には、適宜間隔をおいて配列
される複数の例えばウエハ等の基板の有無、枚数及び配
列状態を検出する基板の枚葉検出装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-wafer detecting apparatus for a substrate, and more particularly, to detecting the presence, number, and arrangement of a plurality of substrates such as wafers arranged at appropriate intervals. The present invention relates to an apparatus for detecting a single-wafer substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置や液晶表示装置(L
CD)の製造工程においては、カセット内に複数枚のウ
エハを配列収容して搬送したり、あるいは、カセットか
ら取り出された複数枚のウエハを配列した状態で搬送し
て、各ウエハごとに適宜処理を施している。したがっ
て、ウエハの搬送工程において、ウエハの枚数の把握や
ウエハを適正な状態に整列することはウエハの処理上重
要である。
2. Description of the Related Art Generally, semiconductor devices and liquid crystal display devices (L
In the manufacturing process of CD), a plurality of wafers are arranged and accommodated in a cassette and transported, or a plurality of wafers taken out of the cassette are transported in an arranged state, and each wafer is appropriately processed. Has been given. Therefore, in the wafer transfer process, it is important in wafer processing to grasp the number of wafers and to arrange the wafers in an appropriate state.

【0003】そこで、従来では、ウエハの枚数や配列状
態を検出する手段として、発光部と受光部とからなる透
過光式検出手段を用いて配列されたウエハの有無により
その枚数などを検出している。この場合、透過光式検出
手段としては、配列されるウエハの枚数に対応させて発
光部と受光部を配置するもの(実開昭61−12764
0号公報参照)、あるいは、1組の発光部と受光部をウ
エハの配列方向に走査させてウエハの枚数などを検出す
るもの(特開昭61−71383号公報、特開昭61−
99344号公報、特開昭61−99345号公報、実
開昭61−129340号公報及び実公平1−2868
3号参照)が知られている。
Therefore, conventionally, as means for detecting the number of wafers and the arrangement of the wafers, the number of wafers and the like are detected based on the presence / absence of the arranged wafers by using a transmitted light detecting means comprising a light emitting portion and a light receiving portion. I have. In this case, as the transmitted light detection means, a light-emitting portion and a light-receiving portion are arranged corresponding to the number of wafers to be arrayed (Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 61-1264).
Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-71383 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-71383, which detect a number of wafers by scanning a set of a light emitting unit and a light receiving unit in the arrangement direction of wafers.
No. 99344, JP-A-61-99345, JP-A-61-129340 and JP-A-1-2868.
No. 3) is known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち各ウエハごとに発光部と受光部とを配列したもの
においては、発光部と受光部が各々ウエハ枚数と同数必
要となるため、装置が大型になるという問題があった。
また、後者すなわち1組の発光部と受光部をウエハ配列
方向に走査させるものは、移動機構が必要となるため、
装置が複雑になると共に、大型になり、しかも、走査す
るための精度が必要であった。
However, in the former case, that is, in the case of arranging the light emitting units and the light receiving units for each wafer, the number of the light emitting units and the light receiving units is required to be equal to the number of wafers, so that the apparatus becomes large. There was a problem of becoming.
Further, the latter, that is, the one that scans a pair of light emitting unit and light receiving unit in the wafer arrangement direction requires a moving mechanism,
The apparatus has become complicated and large in size, and required accuracy for scanning.

【0005】そこで最近、前者の改良案として、配列さ
れるウエハの枚数の半分の数の発光部と受光部をウエハ
列の両側に、相隣接するウエハ間の位置に対応させて互
い違い(千鳥状)に配列してなる透過光式検出手段を備
えたウエハの枚葉検出装置が提案された。この改良型の
装置によれば、検出手段を機械的に走査させることな
く、しかも、必要最小限の数の発光部と受光部で検出手
段を構成できるので、装置全体の構造を簡単にすること
ができると共に、装置の小型化を図ることができる。
Therefore, recently, as an improvement of the former, half the number of light-emitting portions and light-receiving portions, which are half the number of arranged wafers, are alternately arranged on both sides of the row of wafers so as to correspond to the positions between adjacent wafers. ) sheet detecting device of a wafer having a transmission light type detecting means comprising in sequence has been proposed. According to this improved device, the detection means can be constituted by the minimum number of light-emitting parts and light-receiving parts required without mechanically scanning the detection means, thereby simplifying the structure of the whole apparatus. And the size of the device can be reduced.

【0006】ところが、この改良型の装置において、発
光部と受光部を各々選択的に機能させて個々のウエハの
有無を検出する際、発光部からの光が検出しようとする
ウエハと共に配列されている他のウエハによって反射さ
れて受光部に入射し、検出誤動作を生じる虞がある。特
に、石英ウエハなどの透明乃至半透明の物体を検出する
場合においては、ウエハを透過した光がその隣のウエハ
で反射されるなどして多数の反射光が生じて検出が不可
能になることも考えられるため、さらなる改善が望まれ
ていた。
However, in this improved device, when the light emitting section and the light receiving section are selectively operated to detect the presence or absence of an individual wafer, light from the light emitting section is arranged together with the wafer to be detected. There is a possibility that the light may be reflected by another wafer and enter the light receiving unit, thereby causing a detection malfunction. In particular, when detecting a transparent or translucent object such as a quartz wafer, the light transmitted through the wafer is reflected by an adjacent wafer, and a large amount of reflected light is generated, making detection impossible. Therefore, further improvement has been desired.

【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、検出手段を走査させることなく、必要最小限の数の
発光部と受光部を配列させた簡単な装置構成で、透明乃
至半透明のウエハに対してもその有無、枚数及び配列状
態を高精度に検出できるウエハの枚葉検出装置を提供す
ることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a transparent or translucent wafer with a simple device configuration in which a required minimum number of light emitting units and light receiving units are arranged without scanning a detection unit. It is another object of the present invention to provide a single-wafer detection apparatus capable of detecting the presence, number, and arrangement state of the wafers with high accuracy.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の第1の基板の枚葉検出装置は、適宜間隔を
おいて配列される基板の有無、枚数及び配列状態を検出
する基板の枚葉検出装置を前提とし、透過光式検出手段
複数の発光部と受光部を基板列の両側に互い違いに配
置すると共に、これら発光部と受光部の少なくとも一方
に偏光フィルタを設けたものである。この場合、発光部
側および受光部側の偏光フィルタの透過軸方向はいずれ
も適正な配列状態の基板面に対して平行に設定される。
In order to achieve the above object, a first substrate single-wafer detecting apparatus of the present invention comprises a substrate for detecting presence / absence, number, and arrangement state of substrates arranged at appropriate intervals. A plurality of light emitting units and light receiving units of the transmitted light type detecting means are alternately arranged on both sides of the substrate row, and a polarizing filter is provided on at least one of these light emitting units and light receiving units. It is. In this case, the directions of the transmission axes of the polarizing filters on the light emitting unit side and the light receiving unit side are both set parallel to the substrate surface in the proper arrangement state.

【0009】また、この発明の第2の基板の枚葉検出装
置は、上記第1の発明と同様に、適宜間隔をおいて配列
される基板の有無、枚数及び配列状態を検出する基板の
枚葉検出装置を前提とし、複数の発光部と受光部を基板
列の両側に互い違いに配置してなる透過光式検出手段
と、上記基板が全く配列されていない状態において上記
発光部を個々に発光させたときに上記それぞれ受光部が
検出する受光光量のデ−タを予め記憶しておく記憶手段
と、実際に基板の検出を行ったときの受光光量が上記記
憶手段に記憶されている対応するデ−タの値を上回った
ときにその受光光量を検出した受光部の両隣に位置する
受光部で検出される受光光量の値から一定の値を引く補
正手段とを具備したものである。
The second substrate single-wafer detecting apparatus according to the present invention, similarly to the first aspect, comprises a substrate for detecting the presence / absence, number, and arrangement state of substrates arranged at appropriate intervals. Assuming a leaf detecting device, a plurality of light emitting portions and light receiving portions are alternately arranged on both sides of a substrate row, and transmitted light type detection means, and the light emitting portions individually emit light when the substrate is not arranged at all. The storage means for storing in advance the data of the amount of received light detected by the light receiving section when the light is received, and the storage means for storing the amount of received light when the substrate is actually detected. A correction means is provided for subtracting a constant value from the value of the amount of received light detected by the light receiving units located on both sides of the light receiving unit that detects the amount of received light when the value exceeds the data value.

【0010】また、この発明の第3の基板の枚葉検出装
置は、上記第1及び第2の発明と同様に、適宜間隔をお
いて配列される基板の有無、枚数及び配列状態を検出す
る基板の枚葉検出装置を前提とし、複数の発光部と受光
部を基板列の両側に互い違いに配置してなる透過光式検
出手段と、上記基板が全く配列されていない状態におい
て上記発光部を個々に発光させたときに上記それぞれの
受光部が検出する受光光量のデ−タを予め記憶しておく
記憶手段と、上記基板と検出手段とを相対的に移動する
移動手段と、上記移動手段により上記基板の端部が上記
検出手段の発光部から受光部への光の光軸を通過する際
に受光部に受光する光の光量の変化を検出すると共に、
検出信号と上記記憶手段により予め記憶された情報とか
ら基板の有無を検知する検知手段とを具備したものであ
る。
Further, the third substrate single-wafer detecting apparatus of the present invention detects the presence / absence, number, and arrangement state of substrates arranged at appropriate intervals, similarly to the first and second inventions. Assuming a single-substrate detection device for a substrate, a transmitted-light type detection unit in which a plurality of light-emitting units and light-receiving units are alternately arranged on both sides of a substrate row, and a state in which the substrate is not arranged at all.
When the light emitting sections are individually lit,
Data of the amount of received light detected by the light receiving unit is stored in advance.
Storage means, moving means for relatively moving the substrate and the detecting means, and when the end of the substrate passes through the optical axis of light from the light emitting part to the light receiving part of the detecting means by the moving means. While detecting the change in the amount of light received by the light receiving section,
A detecting means for detecting the presence or absence of the substrate from the detection signal and the information stored in advance by the storage means .

【0011】[0011]

【作用】上記のように構成される第1の基板の枚葉検出
装置によれば、上記透過光式検出手段の発光部に偏光フ
ィルタを設けて基板例えばウエハ面に対して平行に直線
偏光された光のみをウエハに入射させることにより、ウ
エハによる光の反射を極力抑え、検出すべきウエハから
の透過光の強度に基いてウエハの有無を確実に検出でき
る。すなわち、発光部からの光が検出すべきウエハ以外
のウエハ面に入射した場合でも、その光は反射されるこ
となく大部分がそのまま透過することになるので、受光
部への光の回り込みを抑えて高精度にウエハの検出を行
うことができる。
According to the first substrate single-wafer detecting apparatus constructed as described above, the light emitting portion of the transmitted light type detecting means is provided with a polarizing filter so as to be linearly polarized parallel to the substrate, for example, the wafer surface. By making only the reflected light incident on the wafer, the reflection of light by the wafer is suppressed as much as possible, and the presence or absence of the wafer can be reliably detected based on the intensity of the transmitted light from the wafer to be detected. In other words, even when light from the light emitting unit is incident on a wafer surface other than the wafer to be detected, most of the light is transmitted as it is without being reflected, so that light is prevented from entering the light receiving unit. Thus, the wafer can be detected with high accuracy.

【0012】また、受光部に偏光フィルタを設けて基板
例えばウエハ面に対して平行に直線偏光された光のみが
受光されるようにしておくことにより、反射光(反射光
の大部分はウエハ面に対して垂直に部分偏光されてい
る)を遮断し、検出すべきウエハからの透過光(透過光
の大部分はウエハ面に対して平行に部分偏光されてい
る)の強度に基いてウエハの有無を確実に検出できる。
すなわち、発光部からの光が検出すべきウエハ以外のウ
エハ面に入射した場合でも、そのウエハ面で反射された
光は偏光フィルタで遮断されるので、受光部への光の回
り込みを抑えて高精度にウエハの検出を行うことができ
る。
Further, by providing a polarizing filter in the light receiving section so that only light linearly polarized in parallel to the substrate, for example, the wafer surface, is received, reflected light (most of the reflected light is reflected on the wafer surface). Is partially polarized perpendicular to the wafer, and the intensity of the transmitted light from the wafer to be detected (most of the transmitted light is partially polarized parallel to the wafer surface) is used to detect the intensity of the wafer. Presence or absence can be reliably detected.
That is, even when the light from the light emitting unit is incident on a wafer surface other than the wafer to be detected, the light reflected on the wafer surface is blocked by the polarizing filter, so that the sneak of the light to the light receiving unit is suppressed and the light is reduced. The wafer can be detected with high accuracy.

【0013】したがって、発光部と受光部の両方に偏光
フィルタを設けることにより、基板の検出精度をさらに
高めることができる。
Accordingly, by providing the polarizing filters in both the light emitting section and the light receiving section, the detection accuracy of the substrate can be further improved.

【0014】次に、上記のように構成される第2の基板
の枚葉検出装置によれば、基板例えばウエハが全く配列
されていない状態において上記透過光式検出手段の発光
部を個々に発光させたときにそれぞれの受光部が検出す
る受光光量を予め求めてそのデ−タを記憶手段に記憶し
ておき、その記憶手段に記憶されている対応するデ−タ
の値と実際にウエハの検出を行ったときの受光光量の値
とを比較することで、回り込み光による誤検出が発生し
ていることが判る。すなわち、ウエハが全く配列されて
いない状態において検出される受光光量は、回り込み光
の影響を受けていない直接光のみの最大受光光量であ
り、その最大受光光量の値を実際の受光光量の値が上回
ることで、その受光部に発光部からの直接光の他に回り
込み光が入射しているということが判る。この回り込み
はウエハの配列不良、特にウエハ抜け(歯抜け)がある
場合に顕著に発生する現象であるため、上記比較により
ウエハ抜けの箇所が検出される。そして、ウエハ抜けが
発生している場合にはその発生箇所の両隣の受光部にも
回り込み光が影響していると推測できる。したがって、
その両隣の受光部で検出される受光光量の値から、回り
込み光の影響分に相当する一定の値を引いて両受光部の
受光光量を補正することで、回り込み光の影響によるウ
エハ有無の誤検出を防止することができる。
Next, according to the second substrate single-wafer detecting device configured as described above, the light-emitting portions of the transmitted light type detecting means individually emit light when no substrates, for example, wafers are arranged. The amount of received light detected by each of the light receiving sections is determined in advance, and the data is stored in the storage means, and the value of the corresponding data stored in the storage means is actually compared with the value of the wafer. By comparing the value of the received light amount at the time of detection with the value of the received light amount, it can be seen that erroneous detection due to sneak light has occurred. That is, the amount of received light detected in a state where no wafers are arranged is the maximum amount of received light of only direct light that is not affected by the sneak light, and the value of the maximum amount of received light is the value of the actual amount of received light. By exceeding, it is understood that sneak light is incident on the light receiving portion in addition to the direct light from the light emitting portion. This wraparound is a phenomenon that occurs remarkably when there is a wafer misalignment, particularly when there is a missing wafer (missing teeth), and thus the location of the missing wafer is detected by the above comparison. Then, when a wafer omission has occurred, it can be assumed that the sneak light also affects the light receiving portions on both sides of the occurrence location. Therefore,
By subtracting a constant value corresponding to the influence of the sneak light from the value of the received light amount detected by the adjacent light receiving units, the light reception amount of the two light receiving units is corrected, and thereby the presence or absence of the wafer due to the influence of the sneak light is corrected. Detection can be prevented.

【0015】また、上記のように構成される第3の基板
の枚葉検出装置によれば、移動手段により基板例えばウ
エハと検出手段とを相対的に移動すると、検出手段の発
光部から受光部への光の光軸がウエハの端部の通過によ
って変化することにより、その光量変化を検出すること
ができる。検出された光量は予め記憶された情報と比較
演算されてウエハの有無の情報として取り込まれる。し
たがって、外乱光の影響を受けることなく透過率が10
0%に近い透明ウエハ等の有無あるいは姿勢を安定に検
出することができる。
Further, according to the third substrate single-wafer detecting device configured as described above, when the moving means relatively moves the substrate, for example, the wafer, and the detecting means, the light emitting part of the detecting means changes to the light receiving part. When the optical axis of the light changes due to the passage of the edge of the wafer, the change in the amount of light can be detected. The detected light quantity is compared with information stored in advance, and is taken in as information on the presence or absence of a wafer. Therefore, the transmittance is 10 without being affected by disturbance light.
The presence / absence or posture of a transparent wafer or the like close to 0% can be stably detected.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0017】◎第一実施例 図1はこの発明の基板の枚葉検出装置の第一実施例をウ
エハの洗浄装置に適用した場合の概略斜視図、図2は第
一実施例の枚葉検出装置の要部断面図、図3は図2の要
部断面斜視図、図4は図2の要部断面図、図5は第一実
施例の枚葉検出装置の概略構成図が示されている。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a case where the first embodiment of the substrate single-wafer detecting apparatus of the present invention is applied to a wafer cleaning apparatus. FIG. 2 is a single-wafer detecting apparatus according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional perspective view of main parts of FIG. 2, FIG. 4 is a cross-sectional view of main parts of FIG. 2, and FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a single-wafer detecting apparatus of the first embodiment. I have.

【0018】この発明の枚葉検出装置を有する洗浄装置
は、洗浄処理液を収容する洗浄槽1と、この洗浄槽1内
に出没可能に配設される基板例えば半導体ウエハ3(以
下にウエハという)を保持するウエハチャック2aとで
構成されている。ウエハチャック2aは、長手方向に適
宜間隔をおいて設けられた複数のウエハ保持溝2bを有
する2本の保持棒2cを上下に備えた左右一対の保持部
2fを開閉脚可能に構成してなり、このウエハチャック
2aによって保持された複数枚のウエハ3はウエハ搬送
体2dによって洗浄槽1の上方に搬送された後、下降さ
れて処理槽1内のウエハ保持部(図示せず)に受け渡さ
れるようになっている。
A cleaning apparatus having a single-wafer detecting apparatus according to the present invention includes a cleaning tank 1 for storing a cleaning treatment liquid, and a substrate such as a semiconductor wafer 3 (hereinafter, referred to as a wafer) which is provided in the cleaning tank 1 so as to be able to come and go. ) Holding the wafer chuck 2a. The wafer chuck 2a is configured such that a pair of left and right holding portions 2f having two upper and lower holding rods 2c having a plurality of wafer holding grooves 2b provided at appropriate intervals in the longitudinal direction can be opened and closed. The plurality of wafers 3 held by the wafer chuck 2a are transferred above the cleaning tank 1 by the wafer transfer body 2d, then lowered and transferred to a wafer holding unit (not shown) in the processing tank 1. It is supposed to be.

【0019】この発明の枚葉検出装置は、ウエハ搬送体
2dの両側上部に立設されたブラケット2eにて各々水
平かつ互いに平行に支持されてウエハチャック2aの両
側に配置された一対の耐蝕性の管体例えば透明管体であ
る石英管5a内にそれぞれ発光部(具体的には発光素子
7)と受光部(具体的には受光素子8)とを配設してな
る。発光素子7と受光素子8は、両者共通の図として図
2及び図3に示すように、Oリング5bを介してブラケ
ット2eに取り付けられる石英管5a内に長手通し状に
配設される金属製あるいは合成樹脂製のホルダ5cに適
宜間隔をおいて設けられた透孔5d内に埋設されてお
り、ホルダ5cの上側乃至下側に延設されたプリント基
板5eにリ−ド線5fで接続されている。石英管5aの
ブラケット2e側とは反対側の開口端にはOリング5g
を介してエンドキャップ5hが装着され、また、ブラケ
ット2eにOリング5iを介して接続されるコネクタ5
jとプリント基板5eはケ−ブル5kで接続されてい
る。
The single-wafer detecting apparatus according to the present invention is provided with a pair of corrosion-resistant devices disposed on both sides of the wafer chuck 2a while being supported horizontally and in parallel with each other by brackets 2e provided upright on both sides of the wafer carrier 2d. A light-emitting unit (specifically, light-emitting element 7) and a light-receiving unit (specifically, light-receiving element 8) are arranged in a tube such as a quartz tube 5a that is a transparent tube. The light-emitting element 7 and the light-receiving element 8 are made of metal disposed longitudinally in a quartz tube 5a attached to a bracket 2e via an O-ring 5b, as shown in FIGS. Alternatively, it is buried in a through hole 5d provided at an appropriate interval in a holder 5c made of synthetic resin, and is connected to a printed circuit board 5e extending above or below the holder 5c by a lead wire 5f. ing. An O-ring 5g is provided at the open end of the quartz tube 5a opposite to the bracket 2e side.
, And an end cap 5h is attached thereto, and the connector 5 is connected to the bracket 2e via an O-ring 5i.
j and the printed board 5e are connected by a cable 5k.

【0020】このようにウエハチャック2aの両側に設
けられた一対の石英管5a内にそれぞれ配設される発光
素子7と受光素子8は、ウエハチャック2aによって配
列保持されて相隣接するウエハ3間の隙間11の位置に
対応させて互い違いに配列される。すなわち、図5に示
すように、発光素子7はウエハ3間の隙間11の1つお
きに配置され、受光素子8は発光素子7が位置しないウ
エハ3間の隙間位置に配置されて互いに千鳥状に対向配
置している。また、この実施例における枚葉検出装置
は、図4に示すように、受光素子8側のセンサホルダ5
cの前面に偏光フィルタ17が取付けられており、受光
素子8を埋設したすべての透孔5dの開口部はこの偏光
フィルタ17によって塞がれている。この偏光フィルタ
17は、偏光膜を透明プラスチックシ−トで挟んで構成
されたものであり、その透過軸方向(電界ベクトルの振
動方向)がウエハチャック2aによって配列保持される
ウエハ3のウエハ面に対して平行となるように取り付け
られている。
The light-emitting elements 7 and the light-receiving elements 8 respectively disposed in the pair of quartz tubes 5a provided on both sides of the wafer chuck 2a are arranged and held by the wafer chuck 2a, and are arranged between the adjacent wafers 3. Are arranged alternately corresponding to the positions of the gaps 11. That is, as shown in FIG. 5, the light emitting elements 7 are arranged at every other gap 11 between the wafers 3, and the light receiving elements 8 are arranged at the gap positions between the wafers 3 where the light emitting elements 7 are not located. Are arranged to face each other. Further, as shown in FIG. 4, the single-wafer detecting apparatus according to this embodiment includes a sensor holder 5 on the light receiving element 8 side.
A polarizing filter 17 is attached to the front surface of the light-receiving element c, and the openings of all the through holes 5d in which the light receiving elements 8 are embedded are closed by the polarizing filter 17. The polarizing filter 17 is formed by interposing a polarizing film between transparent plastic sheets, and its transmission axis direction (the direction of vibration of the electric field vector) is aligned with the wafer surface of the wafer 3 arranged and held by the wafer chuck 2a. It is attached so as to be parallel with respect to it.

【0021】上記のように配置される発光素子7にはこ
れらを選択的に切換え動作する発光制御部12が接続さ
れ、また、受光素子8には発光素子7の切換え動作に応
じた光ビ−ムを検知する受光制御部13が接続されてい
る。そして、これら発光制御部12と受光制御部13に
は、両者の信号を比較演算処理して検出表示信号を出力
する中央演算処理装置(CPU)14が接続されてい
る。このCPU14は予め記憶された情報に基いて発光
素子7を切換え動作させるための信号を発光制御部12
に伝達すると共に、発光制御部12からの信号を受け、
記憶された情報と受光制御部13からの信号とを比較演
算処理した後、ウエハチャック2aに配列保持されたウ
エハ3の各ポジションにおける有無、ウエハ枚数の表示
及びウエハ3の配列異状検出信号を出力することができ
るようになっている。
The light emitting element 7 arranged as described above is connected to a light emission control unit 12 for selectively switching the light emitting element, and the light receiving element 8 is a light beam corresponding to the switching operation of the light emitting element 7. The light receiving control unit 13 for detecting the system is connected. A central processing unit (CPU) 14 for comparing and calculating the signals of the light emission control unit 12 and the light reception control unit 13 and outputting a detection display signal is connected to the light emission control unit 12 and the light reception control unit 13. The CPU 14 sends a signal for switching the light emitting element 7 based on information stored in advance to the light emission control unit 12.
And receives a signal from the light emission control unit 12,
After comparing the stored information with the signal from the light receiving control unit 13, the presence / absence at each position of the wafers 3 arranged and held on the wafer chuck 2a, the display of the number of wafers, and the output signal of the wafer 3 are detected. You can do it.

【0022】次に、この実施例の枚葉検出装置によるウ
エハ3の枚葉検出の動作態様について、図5を参照して
説明する。なお、ここでは動作をわかり易くするため
に、複数枚のウエハ3を配列順に,,,,と
し、3つの発光素子7をA,B,Cとし、3つの受光素
子8をア,イ,ウとする。
Next, a description will be given of an operation mode of the single-wafer detection of the wafer 3 by the single-wafer detection apparatus of this embodiment with reference to FIG. Here, in order to make the operation easy to understand, a plurality of wafers 3 are arranged in the order of arrangement,..., Three light emitting elements 7 are A, B, and C, and three light receiving elements 8 are a, a, and c. I do.

【0023】まず、CPU14からの信号によって発光
制御部12が作動してAの発光素子7が発光すると、
のウエハ3はアの受光素子8により検出される。そし
て、アの受光素子8によって検出された信号は受光制御
部13からCPU14に伝達され、CPU14において
発光制御部12への出力信号と受光制御部13からの受
光信号とが比較演算処理されて、のウエハ3の有無が
検出されると共に、枚数“1”がカウントされる。この
場合、Aの発光素子7からの光が例えば二点鎖線の矢印
Lで示すように隣のウエハ3で反射してアの受光素子
8への回り込みが生じたとしても、反射後の光はウエハ
面に垂直に部分偏光されているので偏光フィルタ17で
遮断される。したがって、のウエハ3の有無が確実に
検出される。
First, when the light emission control section 12 is operated by the signal from the CPU 14 and the light emitting element 7 of A emits light,
The wafer 3 is detected by the light receiving element 8. The signal detected by the light receiving element 8 is transmitted from the light receiving control unit 13 to the CPU 14, and the CPU 14 compares the output signal to the light emission control unit 12 with the light receiving signal from the light receiving control unit 13, and Is detected, and the number "1" is counted. In this case, even if the light from the light emitting element 7 of A is reflected by the adjacent wafer 3 as shown by, for example, a two-dot chain line arrow L and sneak into the light receiving element 8 of A, the light after reflection is still Since the light is partially polarized perpendicular to the wafer surface, it is cut off by the polarization filter 17. Therefore, the presence or absence of the wafer 3 is reliably detected.

【0024】次に、CPU14からの信号によって2番
目Bの発光素子7が発光すると、のウエハ3はアの受
光素子8によって検出され、のウエハ3はイの受光素
子8によって検出される。そして、ア,イの受光素子8
によって検出された信号は受光制御部13からCPU1
4に伝達され、CPU14において発光制御部12への
出力信号と受光制御部13からの受光信号とが比較演算
処理されて、及びのウエハ3の有無が検出されると
共に、さらに枚数“2”がカウントされる。この場合に
おいても、Bの発光素子7からの光が検出すべき及び
のウエハ3以外のウエハ3(例えば、,)で反射
してア及びイの受光素子8への回り込みが生じたとして
も、その回り込み光は偏光フィルタ17で遮断されるの
で、及びのウエハ3の有無が確実に検出される。
Next, when the second light emitting element 7 emits light in response to a signal from the CPU 14, the wafer 3 is detected by the light receiving element 8a, and the wafer 3 is detected by the light receiving element 8a. Then, the light receiving element 8 of A and B
The signal detected by the CPU 1 is transmitted from the light receiving control unit 13 to the CPU 1.
The output signal to the light emission control unit 12 and the light reception signal from the light reception control unit 13 are compared and processed by the CPU 14, and the presence or absence of the wafer 3 is detected. Be counted. Even in this case, even if the light from the light emitting element 7 of B is reflected on the wafer 3 (for example,) other than the wafer 3 to be detected and sneak into the light receiving element 8 of A and B, Since the wraparound light is blocked by the polarizing filter 17, the presence or absence of the wafer 3 is surely detected.

【0025】次に、CPU14からの信号によって3番
目Cの発光素子7が発光すると、のウエハ3はイの受
光素子8によって検出され、のウエハ3はウの受光素
子8によって検出される。そして、イ,ウの受光素子8
によって検出された信号は受光制御部13からCPU1
4に伝達され、CPU14において発光制御部12への
出力信号と受光制御部13からの受光信号とが比較演算
処理されて、及びのウエハ3の有無が検出されると
共に、さらに枚数“3”がカウントされる。この場合に
おいても、Cの発光素子7からの光が検出すべき及び
のウエハ3以外のウエハ3で反射してイ及びウの受光
素子8への回り込みが生じたとしても、その回り込み光
は偏光フィルタ17で遮断されるので、及びのウエ
ハ3の有無が確実に検出される。
Next, when the third light emitting element 7 emits light in response to a signal from the CPU 14, the wafer 3 is detected by the light receiving element 8 and the wafer 3 is detected by the light receiving element 8 of c. Then, the light receiving elements 8 of A and C
The signal detected by the CPU 1 is transmitted from the light receiving control unit 13 to the CPU 1.
The CPU 14 compares the output signal to the light emission control unit 12 with the light reception signal from the light reception control unit 13 in the CPU 14 to detect the presence or absence of the wafer 3, and further reduces the number of wafers “3”. Be counted. Even in this case, even if the light from the light emitting element 7 of C is reflected on the wafer 3 other than the wafer 3 to be detected and wraps around the light receiving element 8 of A and C, the wraparound light is polarized. Since the wafer 3 is shut off by the filter 17, the presence or absence of the wafer 3 is reliably detected.

【0026】以下、同様に順次4番目以降の発光素子7
を発光して、複数枚のウエハ3の有無及び枚数を検出す
ることができる。受光素子8側に偏光フィルタ17を設
けたことにより、透明乃至半透明のウエハを検出する場
合にウエハ面での反射によって生じる回り込み光による
誤動作を防止することができるので、石英ウエハなどに
対してもその有無及び枚数を高精度に検出することがで
きる。
Hereinafter, similarly, the fourth and subsequent light emitting elements 7
And the presence or absence and the number of the plurality of wafers 3 can be detected. By providing the polarizing filter 17 on the light receiving element 8 side, when detecting a transparent or translucent wafer, malfunction due to sneak light generated by reflection on the wafer surface can be prevented. Can also be detected with high accuracy.

【0027】なお、上記実施例では受光素子8側に偏光
フィルタ17を設けた場合について説明したが、受光素
子8側に代えて発光素子7側に偏光フィルタ17を設
け、ウエハ面に対して平行に予め直線偏光された光を出
射させるようにしてもよい。この場合、透明乃至半透明
のウエハによる光の反射が極力抑えられる(入射光の大
部分はそのままウエハを透過する)ので、受光素子8へ
の光の回り込みを防止して高精度にウエハの検出を行う
ことができる。したがって、発光素子7側と受光素子8
側の両方に偏光フィルタ17を設けることにより、検出
精度をさらに高めることができる。
In the above embodiment, the case where the polarizing filter 17 is provided on the light receiving element 8 side has been described. However, the polarizing filter 17 is provided on the light emitting element 7 side instead of the light receiving element 8 side, and is parallel to the wafer surface. Alternatively, light that has been linearly polarized in advance may be emitted. In this case, since the reflection of light by the transparent or translucent wafer is suppressed as much as possible (most of the incident light passes through the wafer as it is), it is possible to prevent the light from entering the light receiving element 8 and detect the wafer with high accuracy. It can be performed. Therefore, the light emitting element 7 side and the light receiving element 8
By providing the polarization filters 17 on both sides, the detection accuracy can be further increased.

【0028】◎第二実施例 図6はこの発明の第二実施例の枚葉検出装置の概略構成
図が示されている。同図は上記第一実施例における図5
に相当するものであるが、この第二実施例の枚葉検出装
置においては、上記第一実施例の偏光フィルタ17に相
当する部材は設けられていない。つまり、第二実施例の
枚葉検出装置は、ハード的な改良ではなく、主にCPU
14内におけるデ−タ処理によって高精度な検出を可能
にするものである。
Second Embodiment FIG. 6 is a schematic block diagram of a single-wafer detecting apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is the same as FIG.
However, in the single-wafer detection apparatus of the second embodiment, a member corresponding to the polarization filter 17 of the first embodiment is not provided. In other words, the single-wafer detection apparatus according to the second embodiment is not a hardware improvement but mainly a CPU.
14 enables highly accurate detection by the data processing.

【0029】第二実施例の枚葉検出装置において、CP
U14内のデ−タ領域のメモリ14a(記憶手段)に
は、ウエハ3が全く配列されていない状態においてA,
B,C,・・の順に発光素子7を一つずつ発光させたと
きのア,イ,ウ,・・のそれぞれの受光素子8による受
光光量のデ−タ(リファレンスデ−タ){予め記憶され
た情報}が記憶され、また、演算領域のメモリ14b
(記憶手段)には、実際にウエハ3の検出を行ったとき
の各受光素子8における受光光量の値と上記デ−タ領域
のメモリ14aに記憶されている対応するデ−タの値と
を比較し、実際の受光光量の検出値が記憶デ−タの値を
上回ったときに、すなわち、回り込み光の影響を受ける
実際の受光光量の検出値が、直接光のみの記憶データの
値を上回ったときに、その受光光量を検出した受光素子
の両隣に位置する受光素子にも影響を与えるので、両隣
の受光素子で検出される受光光量の値から、回り込み光
の影響分に相当する一定の値を引いて両受光素子の検出
値を補正する一連のデ−タ処理を行うためのプログラム
が格納されている。すなわち、このCPU14は、上記
第一実施例における諸機能(発光制御部12及び受光制
御部13を介してウエハ3の各ポジションにおける有無
を検出する機能、ウエハ枚数の表示及びウエハ3の配列
異状検出信号の出力機能など)に加え、補正用リファレ
ンスデ−タの記憶手段及び検出値の補正手段としても機
能する。
In the sheet detecting apparatus according to the second embodiment, the CP
When no wafers 3 are arranged in the memory 14a (storage means) in the data area in U14, A,
When the light-emitting elements 7 emit light one by one in the order of B, C,..., The data (reference data ) of the amount of light received by the respective light-receiving elements 8 of A, A, C,. Is
Information} is stored, also, the memory 14b of the calculation region
The (storage means) stores the value of the amount of light received by each light receiving element 8 when the wafer 3 is actually detected and the value of the corresponding data stored in the memory 14a in the data area. In comparison, when the detected value of the actual amount of received light exceeds the value of the stored data, that is, it is affected by the sneak light.
The detected value of the actual amount of received light is
When the value exceeds the value, it also affects the light receiving elements located on both sides of the light receiving element that detected the amount of received light.
From the value of the light-receiving amount detected by the light receiving element, wraparound light
A program for performing a series of data processing for correcting the detection values of both light receiving elements by subtracting a constant value corresponding to the influence of the above is stored. That is, the CPU 14 performs various functions in the first embodiment (a function of detecting the presence or absence of each position of the wafer 3 via the light emission control unit 12 and the light reception control unit 13, display of the number of wafers, and detection of an abnormal arrangement of the wafer 3). Signal output function, etc.), and also functions as storage means for correction reference data and correction means for detected values.

【0030】デ−タ領域のメモリ14aに記憶されるリ
ファレンスデ−タは、例えばAの発光素子7の出力(発
光パワ−)が8、アの受光素子8の受光感度が10であ
るとき、これらAとアの発光素子7と受光素子8の組に
おける受光光量の値は概ね80(=8×10)となり、
また、イの受光素子8の受光感度が7であるとき、Aと
イの発光素子7と受光素子8の組における受光光量の値
は概ね56(=8×7)となる。その他の、発光素子7
と受光素子8の組における受光光量の値もそれぞれの素
子の能力値を基にして概算される。
The reference data stored in the memory 14a in the data area is, for example, when the output (light emission power) of the light emitting element 7 of A is 8 and the light receiving sensitivity of the light receiving element 8 of A is 10. The value of the amount of received light in the set of the light emitting element 7 and the light receiving element 8 of A and A is approximately 80 (= 8 × 10),
When the light receiving sensitivity of the light receiving element 8 of A is 7, the value of the amount of received light in the set of the light emitting element 7 and the light receiving element 8 of A and A is approximately 56 (= 8 × 7) . Other light emitting element 7
The value of the amount of received light in the set of the light receiving element 8 and the light receiving element 8 is also roughly estimated based on the capability value of each element.

【0031】CPU14は、発光制御部12及び受光制
御部13を制御して発光素子7と受光素子8を個々に作
動させ、ウエハ3が配列された状態での受光光量の値と
上述のように予め求められた発光素子7と受光素子8の
各組における受光光量の値とを対応する発光素子7と受
光素子8の組毎に比較することにより、回り込み光によ
る誤検出が発生している発光素子7と受光素子8の組を
検知し、これら発光素子7と受光素子8との中間に位置
すべきウエハ3が抜けているものと判断して、以後その
ウエハ抜け発生箇所の両隣の受光素子8で検出される受
光光量の値から、回り込み光の影響分に相当する一定の
値を各々引いて得られる値を両受光素子8の検出値と
し、ウエハ3の検出にあたる。
The CPU 14 controls the light emission control unit 12 and the light reception control unit 13 to operate the light emitting element 7 and the light receiving element 8 individually, and determines the value of the received light amount in the state where the wafers 3 are arranged and By comparing the value of the amount of received light in each set of the light emitting element 7 and the light receiving element 8 obtained in advance for each corresponding pair of the light emitting element 7 and the light receiving element 8, light emission in which false detection due to sneak light occurs has occurred. A pair of the element 7 and the light receiving element 8 is detected, and it is determined that the wafer 3 located between the light emitting element 7 and the light receiving element 8 is missing. A value obtained by subtracting a constant value corresponding to the influence of the sneak light from the value of the received light amount detected at 8 is used as a detection value of both light receiving elements 8 to detect the wafer 3.

【0032】ここで、ウエハ抜け発生箇所の両隣の受光
素子8で検出される受光光量の値から各々差し引く一定
の値(補正量)としては、上記デ−タ領域のメモリ14
aに記憶されている対応するデ−タの値、受光素子8に
対する実際の受光光量の値の上回り分の1/2の値とす
ることができる。これは、ウエハ抜けが発生している場
合にはその両隣のウエハ3で反射された光がウエハ抜け
発生箇所の両隣の受光素子8に入射することになるが、
その入射光量は、発光素子7から受光素子8へ直接入射
する光の半分程度の光量になると推測されるためであ
る。したがって、例えば、Bの発光素子7とイの受光素
子8の組における受光光量のリファレンス値が70であ
るときに、この組における実際の受光光量の値が140
と検出された場合には、CPU14はのウエハ3が抜
けているものと判断し、以後イの受光素子8の両隣に位
置するア,ウの受光光量の値から各々35((140−
70)/2)ずつ各々引いて得られる値をこれらア,ウ
の受光素子8の検出値とし、ウエハ3の検出にあたる。
この場合、上記デ−タ領域のメモリ14aに記憶されて
いる対応するデ−タの値、受光素子8に対する実際の受
光光量の値の上回り率(実際の受光光量の値/リファレ
ンス値)を補正量として、ウエハ抜けが検出された受光
素子8の両隣に位置する受光光量の値から各々一定の割
合(20〜50%)を引くようにしてもよい。
Here, the constant values (correction amounts) to be subtracted from the values of the amounts of received light detected by the light receiving elements 8 on both sides of the location where the wafer is missing are stored in the memory 14 of the data area.
The value of the corresponding data stored in a and the value of 1/2 of the value of the actual amount of received light with respect to the light receiving element 8 can be used. This means that when a wafer dropout occurs, the light reflected by the wafers 3 on both sides enters the light receiving elements 8 on both sides of the wafer dropout location.
This is because the amount of incident light is estimated to be about half the amount of light directly incident on the light receiving element 8 from the light emitting element 7. Therefore, for example, when the reference value of the amount of received light in the set of the light emitting element 7 of B and the light receiving element 8 of A is 70, the value of the actual amount of received light in this set is 140
Is detected, the CPU 14 determines that the wafer 3 is missing, and thereafter, from the values of the amounts of received light of A and C located on both sides of the light receiving element 8 of A, 35 ((140-
The values obtained by subtracting the respective values 70) / 2) are used as the detection values of the light receiving elements 8 of (a) and (c) to detect the wafer 3.
In this case, the value of the corresponding data stored in the memory 14a in the data area and the rate of increase of the value of the actual amount of received light with respect to the light receiving element 8 (the value of the actual amount of received light / reference value) are corrected. As the amount, a predetermined ratio (20 to 50%) may be subtracted from the value of the amount of received light located on both sides of the light receiving element 8 where the wafer omission is detected.

【0033】このように、回り込み光の影響分に相当す
る値を補正量として実際の受光光量の検出値を補正する
ことで、回り込み光の影響によるウエハ有無の誤検出を
防止することができる。CPU14内においてデ−タ処
理することによって、回り込み光の影響を受けずにウエ
ハ3を確実に検出できるので、反射による回り込みの発
生しやすい石英ウエハなどに対してもその有無及び枚数
を高精度に検出することができる。
As described above, by correcting the detected value of the actual amount of received light using the value corresponding to the influence of the sneak light as a correction amount, erroneous detection of the presence or absence of a wafer due to the influence of the sneak light can be prevented. By performing data processing in the CPU 14, the wafer 3 can be reliably detected without being affected by the sneak light, so that the presence / absence and the number of wafers can be determined with high accuracy even for a quartz wafer or the like which is likely to sneak due to reflection. Can be detected.

【0034】また、上述のように、発光素子7を一つず
つ発光させたときにそれそれの受光素子8が検出する受
光光量の値をリファレンスデ−タとして予めCPU14
に記憶させておき、その対応するリファレンスデ−タを
基にして実際の受光光量の値を補正するようにしたこと
により、各々の発光素子7や受光素子8において発光効
率や受光効率にバラツキがある場合でも、ウエハの有無
を安定して検出できる。
As described above, when the light-emitting elements 7 emit light one by one, the values of the amounts of received light detected by the respective light-receiving elements 8 are used as reference data in advance by the CPU 14.
And the actual received light amount is corrected based on the corresponding reference data, so that the light emitting efficiency and light receiving efficiency of each light emitting element 7 and light receiving element 8 vary. Even in some cases, the presence or absence of a wafer can be stably detected.

【0035】◎第三実施例 図7はこの発明の第三実施例の枚葉検出装置の概略斜視
図、図8は枚葉検出装置の検出部の原理の概略構成図が
示されている。
Third Embodiment FIG. 7 is a schematic perspective view of a single-wafer detection apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a schematic configuration diagram of the principle of a detection unit of the single-wafer detection apparatus.

【0036】第三実施例の枚葉検出装置はウエハの端部
を通過する光軸の光量変化により有無あるいは姿勢を検
出するようにした場合である。すなわち、発光部と受光
部とからなる透過光式検出手段とウエハとを相対的に移
動する時にウエハの端部を光の光軸が通過する際の光量
の変化に基づいてウエハの有無あるいは姿勢を検出する
ようにした場合である。
The single-wafer detecting apparatus according to the third embodiment is a case in which the presence or absence or the posture is detected based on a change in the amount of light of the optical axis passing through the edge of the wafer. That is, based on a change in the amount of light when the optical axis of light passes through the edge of the wafer when the transmitted light detecting means including the light emitting unit and the light receiving unit and the wafer are relatively moved, the presence / absence or posture of the wafer is determined. Is detected.

【0037】この場合、枚葉検出装置は、移動手段であ
る昇降装置15によって昇降可能なセンサーステー15
aから互いに水平かつ平行に突出される一対の石英管5
a間に、上記第一実施例及び第二実施例と同様に発光素
子7と受光素子8とを互い違いに配設し、これら発光素
子7と受光素子8を洗浄槽1内に図示しない移動手段に
よって昇降可能に配設されたウエハボート16上に配列
されるウエハの列(ウエハ列)の両側に配置した構造と
なっている。そして、発光素子7と受光素子8は検知手
段である制御回路18を介してホストコンピュータ19
に接続されている。
In this case, the sheet detecting device is a sensor stay 15 which can be moved up and down by an elevating device 15 which is moving means.
a pair of quartz tubes 5 projecting horizontally and parallel from each other
The light emitting element 7 and the light receiving element 8 are alternately arranged between the first and second embodiments in the same manner as in the first and second embodiments. Thus, the wafers are arranged on both sides of a row of wafers (wafer row) arranged on a wafer boat 16 which can be moved up and down. The light emitting element 7 and the light receiving element 8 are connected to a host computer 19 via a control circuit 18 as a detecting means.
It is connected to the.

【0038】制御回路18は、図8に示すように、発光
素子7を選択的に切換え動作すると共に、この切換え動
作に応じて受光素子8に光ビーム(光軸)を検知させる
発光・受光制御ロジック18aと、この発光・受光制御
ロジック18aとの間で制御信号及び受光光量の情報の
受渡しを行うバス18bと、上記第二実施例のメモリ1
4a(記憶手段)に相当するメモリ18cに予め記憶さ
れた情報、すなわちウエハ3が全く配列されていない状
態において発光素子7の一つずつ発光させたときのそれ
ぞれの受光素子8による受光光量のデータ(リファレン
スデータ)と、検出された受光光量とを比較演算する演
算処理部(CPU)18dと、ホストコンピュータ19
との間で演算処理部18dで演算処理されたデータとホ
トスコンピュータ19からの指令信号とを受渡しする入
出力ユニット(I/O)18eとで構成されている。な
お、発光・受光制御ロジック18aからの受光光量デー
タはアナログ信号であるので、アナログ/デジタル(A
/D)コンバータ18fにてデジタル信号に変換されて
バス18bに伝達されるようになっている。
As shown in FIG. 8, the control circuit 18 selectively performs the switching operation of the light emitting element 7, and controls the light receiving element 8 to detect the light beam (optical axis) in response to the switching operation. A logic 18a, a bus 18b for transmitting and receiving a control signal and information on the amount of received light between the light emission / light reception control logic 18a, and the memory 1 of the second embodiment.
4a (storage means), information stored in advance in the memory 18c , that is, a state where the wafers 3 are not arranged at all.
When the light-emitting elements 7 emit light one by one in the state
Data on the amount of light received by each light receiving element 8 (reference
Processing unit (CPU) 18 d for comparing and calculating the received light amount and the detected amount of received light, and a host computer 19.
And an input / output unit (I / O) 18e for transferring data processed by the arithmetic processing unit 18d and a command signal from the photo computer 19. Since the received light amount data from the light emission / light reception control logic 18a is an analog signal, it is analog / digital (A
/ D) The signal is converted into a digital signal by the converter 18f and transmitted to the bus 18b.

【0039】上記のように構成される第三実施例の枚葉
検出装置において、昇降装置15によってセンサーステ
ー15a又は図示しない移動手段によってウエハボート
16あるいはセンサーステー15a及びウエハボート1
6を相対的に移動してウエハ3の検出ポイントへ移動又
は通過すると、上記第一及び第二実施例と同様に順次切
換え動作する検出手段の発光素子7から受光素子8への
光の光軸がウエハ3の端部の通過によって変化するので
(図9参照)、その光量変化を制御回路18にて検出す
る。そして、制御回路18にて検出された受光光量デー
タは、演算処理部18dにおいてメモリ18cに予め記
憶された情報と比較演算され、検出レベルが一定レベル
以下になったらウエハ有りと判断されてその検出データ
はホストコンピュータ19にウエハの有無の情報として
取り込まれる。ホストコンピュータ19からの信号に基
づいて検出レベルを連続的にモニタすることができる。
ウエハ3及び又は検出手段の移動(又は通過)した後に
モニタを止めて、ウエハ3の有無のデータが取り出され
る。なお、CPUが全てのウエハ3を検出・判断するサ
イクルタイムを50msec. 、ウエハエッジ部で発光素子
7から受光素子8への光を散乱する幅を1mm、マージン
を2倍とすると、移動速度は10mm/sec.以下であれば
よい。
In the single-wafer detecting apparatus according to the third embodiment, the sensor stay 15a is moved by the elevating device 15 or the wafer boat 16 or the sensor stay 15a and the wafer boat 1 are moved by moving means (not shown).
When the light source 6 moves relatively to the detection point of the wafer 3 by moving or passing the same, the optical axis of the light from the light emitting element 7 to the light receiving element 8 of the detection means of the switching means which is sequentially switched as in the first and second embodiments. Is changed by the passage of the edge of the wafer 3 (see FIG. 9), and the change in the light amount is detected by the control circuit 18. The received light amount data detected by the control circuit 18 is compared with information previously stored in a memory 18c in an arithmetic processing unit 18d, and when the detection level falls below a certain level, it is determined that a wafer is present and the detection is performed. The data is taken into the host computer 19 as information on the presence or absence of a wafer. The detection level can be continuously monitored based on a signal from the host computer 19.
After moving (or passing) the wafer 3 and / or the detecting means, the monitor is stopped, and data on the presence or absence of the wafer 3 is taken out. If the cycle time for the CPU to detect and determine all the wafers 3 is 50 msec. The width of scattering light from the light emitting element 7 to the light receiving element 8 at the wafer edge is 1 mm and the margin is doubled, the moving speed is 10 mm. / Sec.

【0040】このように、ウエハ3の端部を通過する光
の光軸の変化を検出することによって外乱光の影響を受
けることなく透過率が100%に近い透明ウエハ等の有
無あるいは姿勢を安定に検出することができる。
As described above, by detecting the change in the optical axis of the light passing through the edge of the wafer 3, the presence or absence or posture of the transparent wafer or the like having a transmittance close to 100% can be stabilized without being affected by disturbance light. Can be detected.

【0041】上記のように構成されるこの発明の枚葉検
出装置は、例えば、図10に示す洗浄処理装置に組込ま
れて使用される。洗浄処理装置は、図10に示すよう
に、未処理の被処理体であるウエハ3を収容する搬入部
21と、ウエハ3の洗浄処理を行う洗浄処理部22と、
洗浄後のウエハ3を収容する搬出部33とで主要部が構
成されている。
The sheet detecting apparatus of the present invention configured as described above is used, for example, by being incorporated in a cleaning apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 10, the cleaning processing apparatus includes a loading unit 21 that stores a wafer 3 that is an unprocessed object to be processed, a cleaning processing unit 22 that performs a cleaning process on the wafer 3,
The main part is constituted by the carry-out part 33 for accommodating the washed wafer 3.

【0042】搬入部21は、ウエハ3を収容するキャリ
ア24の待機部25と、キャリア24からのウエハ3の
取り出し、オリフラ合わせ及びウエハ3の枚数検出等を
行うロ−ダ部26と、外部から搬入されるキャリア24
の待機部25への移送及び待機部25とロ−ダ部26間
のキャリア24の移送を行うキャリア搬送ア−ム27と
を具備してなる。
The carry-in section 21 has a standby section 25 for a carrier 24 for accommodating the wafers 3, a loader section 26 for taking out the wafers 3 from the carrier 24, aligning the orientation flat, detecting the number of wafers 3, and the like. Carrier 24 to be carried in
And a carrier transport arm 27 for transferring the carrier 24 to the standby unit 25 and the carrier 24 between the standby unit 25 and the loader unit 26.

【0043】洗浄処理部22は、搬入部21から搬出部
23に向かって順に直線状に第1のチャック洗浄・乾燥
処理室20a、第1の薬液処理室20b、第1の水洗処
理室20c、第2の水洗処理室20d,第2の薬液処理
室20e,第3の水洗処理室20f,第4の水洗処理室
20g、第2のチャック洗浄・乾燥処理室20h及びウ
エハ乾燥処理室20iを配列してなり、これら各洗浄処
理室(以下、単に処理室という)20a〜20i内に
は、それぞれ処理槽29が配設されている。また、洗浄
処理部22の側方には、各処理室20a〜20iに沿っ
て配設された案内部30と、この案内部30に装着され
て水平(X方向)及び垂直(Z方向)に移動自在な3基
のウエハ搬送ブロック31とで構成されるウエハ搬送手
段であるウエハ搬送装置35が設けられている。ウエハ
搬送ブロック11には、複数枚のウエハ3を適宜間隔を
おいて列設保持するウエハチャック32が設けられてお
り、このウエハチャック32にて保持されるウエハが各
処理室20a〜20iに搬送されるようになっている。
各処理室20a〜20iにおいては、上記ウエハチャッ
ク32にウエハ3が保持された状態で、この発明の枚葉
検出装置が上述のように作動して複数枚のウエハ3の有
無及び枚数等が検出される。そして、異常がない場合に
は、ウエハ3の処理を行い次工程に受け渡される。な
お、洗浄処理部22の上方には空キャリア及び満杯キャ
リアを搬送するキャリア搬送部33が設けられている。
また、洗浄処理部22の背面側には薬液等の処理液を収
容するタンクや配管群を含む処理液・配管領域34が設
けられている。
The cleaning section 22 includes a first chuck cleaning / drying processing chamber 20a, a first chemical processing chamber 20b, a first water cleaning processing chamber 20c, and a linear cleaning chamber 22a. A second washing processing chamber 20d, a second chemical processing chamber 20e, a third washing processing chamber 20f, a fourth washing processing chamber 20g, a second chuck cleaning / drying processing chamber 20h, and a wafer drying processing chamber 20i are arranged. In each of these cleaning processing chambers (hereinafter, simply referred to as processing chambers) 20a to 20i, processing tanks 29 are provided. Further, on the side of the cleaning section 22, a guide section 30 is provided along each of the processing chambers 20a to 20i. The guide section 30 is mounted on the guide section 30 and horizontally (X direction) and vertically (Z direction). A wafer transfer device 35 is provided as a wafer transfer means composed of three movable wafer transfer blocks 31. The wafer transfer block 11 is provided with a wafer chuck 32 for holding a plurality of wafers 3 arranged in rows at appropriate intervals. The wafers held by the wafer chuck 32 are transferred to the processing chambers 20a to 20i. It is supposed to be.
In each of the processing chambers 20a to 20i, with the wafer 3 held by the wafer chuck 32, the single-wafer detecting apparatus of the present invention operates as described above to detect the presence / absence of a plurality of wafers 3 and the number of wafers 3. Is done. When there is no abnormality, the wafer 3 is processed and transferred to the next step. Note that a carrier transport unit 33 that transports empty carriers and full carriers is provided above the cleaning processing unit 22.
A processing liquid / piping region 34 including a tank and a piping group for storing a processing liquid such as a chemical liquid is provided on the back side of the cleaning processing unit 22.

【0044】なお、上記実施例ではこの発明の枚葉検出
装置をウエハの洗浄装置に適用した場合について説明し
たが、必ずしもウエハ保持アーム2あるいはウエハボー
ト16上に立設保持された復数枚のウエハ3の枚葉検出
にのみ適用されるものではなく、ウエハカセット内に収
納されたウエハの枚葉検出、あるいはその他のウエハを
配列して搬送する工程にも適用することができることは
勿論であり、更には、ウエハ以外の板状体例えばLCD
基板、プリント基板等の複数配列した場合の枚葉検出に
も適用ことができる。
In the above embodiment, the case where the single-wafer detecting apparatus of the present invention is applied to a wafer cleaning apparatus has been described. However, it is not always necessary to provide a plurality of wafers standing and held on the wafer holding arm 2 or the wafer boat 16. It is needless to say that the present invention can be applied not only to the detection of the single wafer of the wafer 3 but also to the detection of the single wafer of the wafer stored in the wafer cassette, or to a process of arranging and transporting other wafers. Further, a plate-like body other than a wafer, for example, an LCD
The present invention can also be applied to single-sheet detection when a plurality of substrates, printed boards, and the like are arranged.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の基板の
枚葉検出装置によれば、以下のような優れた効果が得ら
れる。
As described above, according to the substrate single-wafer detecting apparatus of the present invention, the following excellent effects can be obtained.

【0046】1)請求項1記載の基板の枚葉検出装置に
よれば、透過光式検出手段の複数の発光部と受光部の少
なくとも一方に偏光フィルタを設けたことにより、反射
などによる受光素子への有害光の回り込みを防ぎ、透明
乃至半透明基板に対してもその有無や枚数を確実に検出
できる。
1) According to the apparatus for detecting a single substrate on a substrate according to the first aspect of the present invention, a polarizing filter is provided on at least one of the plurality of light emitting units and the light receiving unit of the transmitted light type detecting means, so that the light receiving element by reflection or the like This prevents harmful light from entering the transparent substrate, and enables the presence or absence and the number of transparent or translucent substrates to be reliably detected.

【0047】2)請求項2記載の基板の枚葉検出装置に
よれば、回り込み光の影響分に相当する値を補正量とし
て実際の受光光量の検出値を補正することで、回り込み
光の影響による基板の有無の誤検出を防止することがで
きる。ハード的な改良を行うことなくデ−タ処理によっ
て、回り込み光の影響を受けずに基板を確実に検出で
き、反射による回り込みの発生しやすい透明乃至半透明
の基板に対してもその有無及び枚数を高精度に検出する
ことができる。
According to the second aspect of the present invention, the detection value of the actual amount of received light is corrected by using the value corresponding to the influence of the sneak light as a correction amount, thereby obtaining the influence of the sneak light. This can prevent erroneous detection of the presence or absence of the substrate due to this. By performing data processing without making any hardware improvements, the substrate can be reliably detected without being affected by the sneaking light, and the presence and number of transparent or translucent substrates that are likely to sneak due to reflection. Can be detected with high accuracy.

【0048】3)請求項3記載の基板の枚葉検出装置に
よれば、検出手段の発光部から受光部への光の光軸が基
板の端部の通過によって変化する光量変化を検出し、検
出された光量を予め記憶された情報と比較演算して基板
の有無の情報として取り込むことができるので、外乱光
の影響を受けることなく透過率が100%に近い透明基
板等の有無あるいは姿勢を安定に検出することができ
る。
According to the third aspect of the present invention, a change in the amount of light in which the optical axis of the light from the light-emitting portion to the light-receiving portion of the detecting means changes by passing through the edge of the substrate is detected. The detected light amount can be compared with information stored in advance and taken in as information on the presence or absence of the substrate, so that the presence or absence or posture of a transparent substrate or the like whose transmittance is close to 100% without being affected by disturbance light can be determined. It can be detected stably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の基板の枚葉検出装置の第一実施例を
ウエハの洗浄装置に適用した場合の概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view when a first embodiment of a substrate single-wafer detecting apparatus of the present invention is applied to a wafer cleaning apparatus.

【図2】第一実施例の枚葉検出装置の要部を示す断面図
である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a main part of the single-wafer detecting apparatus according to the first embodiment.

【図3】図2の要部を示す断面斜視図である。FIG. 3 is a sectional perspective view showing a main part of FIG. 2;

【図4】図2の要部を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a main part of FIG. 2;

【図5】第一実施例の枚葉検出装置の要部を示す概略構
成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram illustrating a main part of the single-wafer detection apparatus according to the first embodiment.

【図6】この発明の第二実施例の枚葉検出装置の要部を
示す概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a main part of a single-wafer detecting apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】この発明の基板の枚葉検出装置の第三実施例を
ウエハの洗浄装置に適用した場合の概略斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view when a third embodiment of the substrate single-wafer detecting apparatus of the present invention is applied to a wafer cleaning apparatus.

【図8】第三実施例における検出部の原理を示す概略構
成図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram illustrating a principle of a detection unit in a third embodiment.

【図9】第三実施例における光量変化を示す特性曲線図
である。
FIG. 9 is a characteristic curve diagram showing a light amount change in the third embodiment.

【図10】この発明の枚葉検出装置を具備する洗浄装置
を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a cleaning apparatus provided with the single-wafer detecting apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 ウエハ(基板) 7 発光素子(発光部) 8 受光素子(受光部) 14 CPU(記憶手段,補正手段) 14a メモリ 14b メモリ 15 昇降装置(移動手段) 17 偏光フィルタ 18 制御回路(検知手段)18c メモリ(記憶手段) 19 ホストコンピュータReference Signs List 3 wafer (substrate) 7 light emitting element (light emitting section) 8 light receiving element (light receiving section) 14 CPU (storage means, correction means) 14a memory 14b memory 15 elevating device (moving means) 17 polarizing filter 18 control circuit (detection means) 18c Memory (storage means) 19 Host computer

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 適宜間隔をおいて配列される基板の有
無、枚数及び配列状態を検出する基板の枚葉検出装置に
おいて、 透過光式検出手段の複数の発光部と受光部を基板列の両
側に互い違いに配置すると共に、これら発光部と受光部
の少なくとも一方に偏光フィルタを設けたことを特徴と
する基板の枚葉検出装置。
An apparatus for detecting the presence, number, and arrangement of substrates arranged at appropriate intervals, wherein a plurality of light-emitting portions and light-receiving portions of a transmitted light detecting means are arranged on both sides of a substrate row. And a polarizing filter is provided on at least one of the light emitting unit and the light receiving unit.
【請求項2】 適宜間隔をおいて配列される基板の有
無、枚数及び配列状態を検出する基板の枚葉検出装置に
おいて、複数の 発光部と受光部を基板列の両側に互い違いに配置
してなる透過光式検出手段と、 上記基板が全く配列されていない状態において上記発光
部を個々に発光させたときに上記それぞれの受光部が検
出する受光光量のデ−タを予め記憶しておく記憶手段
と、実際に基板の検出を行ったときの受光光量が上記記
憶手段に記憶されている対応するデ−タの値を上回った
ときにその受光光量を検出した受光部の両隣に位置する
受光部で検出される受光光量の値から一定の値を引く補
正手段とを具備したことを特徴とする基板の枚葉検出装
置。
2. In a single-wafer detecting apparatus for detecting presence, number, and arrangement of substrates arranged at appropriate intervals, a plurality of light emitting units and light receiving units are alternately arranged on both sides of a substrate row. And transmitted light detection means, and storage for previously storing data of the amount of received light detected by the respective light receiving sections when the light emitting sections are individually lit in a state where the substrates are not arranged at all. A light receiving unit located on both sides of a light receiving unit that detects the amount of received light when the amount of received light when the substrate is actually detected exceeds the value of the corresponding data stored in the storage unit. And a correcting means for subtracting a constant value from the value of the amount of received light detected by the unit.
【請求項3】 適宜間隔をおいて配列される基板の有
無、枚数及び配列状態を検出する基板の枚葉検出装置に
おいて、複数の 発光部と受光部を基板列の両側に互い違いに配置
してなる透過光式検出手段と、上記基板が全く配列されていない状態において上記発光
部を個々に発光させたときに上記それぞれの受光部が検
出する受光光量のデ−タを予め記憶しておく記憶手段
と、 上記基板と検出手段とを相対的に移動する移動手段と、 上記移動手段により上記基板の端部が上記検出手段の発
光部から受光部への光の光軸を通過する際に受光部に受
光する光の光量の変化を検出すると共に、検出信号と
記記憶手段により予め記憶された情報とから基板の有無
を検知する検知手段とを具備したことを特徴とする基板
の枚葉検出装置。
3. A single-wafer detecting apparatus for detecting presence / absence, number and arrangement of substrates arranged at appropriate intervals, wherein a plurality of light emitting units and light receiving units are alternately arranged on both sides of a substrate row. Transmitted light detection means, and the light emission in a state where the substrate is not arranged at all.
Each of the above light-receiving sections is detected when the
Storage means for storing in advance the data of the amount of received light to be output
When the moving means for relatively moving the said substrate and the detection means, the light receiving unit when the end of the substrate by the moving means passes through the optical axis of the light to the light receiving portion from the light emitting portion of the detecting means It detects a change in the amount of light received by the detection signal and the upper
A single-wafer detection apparatus for a substrate, comprising: detection means for detecting the presence or absence of a substrate from information stored in advance by a storage means .
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