JP2987428B2 - 金表面に対する非対称型ジスルフィド化合物の吸着 - Google Patents
金表面に対する非対称型ジスルフィド化合物の吸着Info
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- JP2987428B2 JP2987428B2 JP9062773A JP6277397A JP2987428B2 JP 2987428 B2 JP2987428 B2 JP 2987428B2 JP 9062773 A JP9062773 A JP 9062773A JP 6277397 A JP6277397 A JP 6277397A JP 2987428 B2 JP2987428 B2 JP 2987428B2
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- JP
- Japan
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- gold
- disulfide compound
- gold surface
- asymmetric disulfide
- adsorption
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- Expired - Lifetime
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非対称型ジスルフィ
ド化合物を吸着している金及び金表面に非対称型ジスル
フィド化合物を吸着させる方法に関するものである。
ド化合物を吸着している金及び金表面に非対称型ジスル
フィド化合物を吸着させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金表面に対するチオール化合物の吸着に
関しては、これまでにも多数の報告があるが、金表面に
対するジスルフィド化合物の吸着については殆ど皆無で
ある。
関しては、これまでにも多数の報告があるが、金表面に
対するジスルフィド化合物の吸着については殆ど皆無で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金表面に対
するジスルフィド化合物の吸着技術を開発することをそ
の課題とする。
するジスルフィド化合物の吸着技術を開発することをそ
の課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、下記一般式（１）
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、下記一般式（１）
【化１】 （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す）で表される非対称型ジスルフィド化合物を表面に
吸着している金が提供される。また、本発明によれば、
下記一般式（１）
示す）で表される非対称型ジスルフィド化合物を表面に
吸着している金が提供される。また、本発明によれば、
下記一般式（１）
【化１】 （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す）で表される非対称型ジスルフィド化合物を含む溶
液に金を接触させることを特徴とする金表面に非対称型
ジスルフィド化合物を吸着させる方法が提供される。
示す）で表される非対称型ジスルフィド化合物を含む溶
液に金を接触させることを特徴とする金表面に非対称型
ジスルフィド化合物を吸着させる方法が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いるジスルフィド化合
物は、前記一般式（１）で表されるものである。一般式
（１）において、Ａｒは置換基を有していてもよいアリ
ール基を示すが、このようなアリール基としては、フェ
ニル、トリル、キシリル、ナフチル、メチルナフチル等
が挙げられる。置換基としては、炭素数１〜６、好まし
くは１〜４の低級アルキル基を有するアルコキシ基や、
ヒドロキシル基、アミノ基、フェニルエチニル基等が挙
げられる。
物は、前記一般式（１）で表されるものである。一般式
（１）において、Ａｒは置換基を有していてもよいアリ
ール基を示すが、このようなアリール基としては、フェ
ニル、トリル、キシリル、ナフチル、メチルナフチル等
が挙げられる。置換基としては、炭素数１〜６、好まし
くは１〜４の低級アルキル基を有するアルコキシ基や、
ヒドロキシル基、アミノ基、フェニルエチニル基等が挙
げられる。
【０００６】本発明により金の表面に前記一般式（１）
のジスルフィド化合物を吸着させるには、ジスルフィド
化合物を含む溶液を金表面に接触させる。この場合の接
触法としては、ジスルフィド化合物を含む溶液中に金を
浸漬する方法等の従来公知の方法が採用される。ジスル
フィド化合物を溶解させる溶媒としては、ジスルフィド
化合物に対して溶解性を示すものであればどのような有
機溶媒でも使用可能である。このような有機溶媒として
は、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒や、エタノー
ル等が挙げられる。溶液中のジスルフィド化合物濃度
は、特に制約されないが、通常、１リットル中０．１〜
１０ｍＭ、好ましくは０．１〜１ｍＭの割合である。ジ
スルフィド化合物を含む溶液と金との接触温度は、室温
でよいが、加温の使用も好ましい。あらかじめ１００℃
低程度に加熱した金を溶液に浸漬することもできる。接
触時間は、１〜１０時間である。
のジスルフィド化合物を吸着させるには、ジスルフィド
化合物を含む溶液を金表面に接触させる。この場合の接
触法としては、ジスルフィド化合物を含む溶液中に金を
浸漬する方法等の従来公知の方法が採用される。ジスル
フィド化合物を溶解させる溶媒としては、ジスルフィド
化合物に対して溶解性を示すものであればどのような有
機溶媒でも使用可能である。このような有機溶媒として
は、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒や、エタノー
ル等が挙げられる。溶液中のジスルフィド化合物濃度
は、特に制約されないが、通常、１リットル中０．１〜
１０ｍＭ、好ましくは０．１〜１ｍＭの割合である。ジ
スルフィド化合物を含む溶液と金との接触温度は、室温
でよいが、加温の使用も好ましい。あらかじめ１００℃
低程度に加熱した金を溶液に浸漬することもできる。接
触時間は、１〜１０時間である。
【０００７】本発明で用いる金は、通常、微粒子状ある
いは板状で用いられるが、その形状は特に制約されな
い。溶液中に金を浸漬してその表面にジスルフィド化合
物を吸着させる場合、金の浸漬量は、特に制約されない
が、溶液１リットル当り、５０〜１００ｇ程度である。
いは板状で用いられるが、その形状は特に制約されな
い。溶液中に金を浸漬してその表面にジスルフィド化合
物を吸着させる場合、金の浸漬量は、特に制約されない
が、溶液１リットル当り、５０〜１００ｇ程度である。
【０００８】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。
明する。
【０００９】実施例１ １−フェニルエチニル−２−モルホリノジスルフェート
（一般式（１）において、Ａｒ＝フェニル基）をジエチ
ルエーテルに溶解した０．１ｍＭ溶液１０ｃｃ中に、１
００℃に加熱した金の微粒子（平均粒径：１０００μ
ｍ）０．３ｇを７時間浸漬した後、溶液から分離し、２
５℃で乾燥した。このようにして得られた金微粒子は、
その表面にジスルフィド膜を有するものであった。この
膜をＡＦＭ観察した結果、このジスルフィド膜には、ド
メイン構造（ドメイン部分の膜厚：２０〜４０ｎｍ）が
観察された。一方、ドメインのない領域をＳＴＭ観察し
たところ、Ａｕ（１，１，１）面上に、直径１〜２ｎ
ｍ、高さ１ｎｍ以下のほぼ均一な微粒子からなるパーテ
ィクルが多数観察された。前記観察結果から、金表面に
吸着したジスルフィド化合物において、そのモルホリン
部分はドメインを形成し、そのフェニレンエチニル基部
分は単分子吸着していることが推定された。
（一般式（１）において、Ａｒ＝フェニル基）をジエチ
ルエーテルに溶解した０．１ｍＭ溶液１０ｃｃ中に、１
００℃に加熱した金の微粒子（平均粒径：１０００μ
ｍ）０．３ｇを７時間浸漬した後、溶液から分離し、２
５℃で乾燥した。このようにして得られた金微粒子は、
その表面にジスルフィド膜を有するものであった。この
膜をＡＦＭ観察した結果、このジスルフィド膜には、ド
メイン構造（ドメイン部分の膜厚：２０〜４０ｎｍ）が
観察された。一方、ドメインのない領域をＳＴＭ観察し
たところ、Ａｕ（１，１，１）面上に、直径１〜２ｎ
ｍ、高さ１ｎｍ以下のほぼ均一な微粒子からなるパーテ
ィクルが多数観察された。前記観察結果から、金表面に
吸着したジスルフィド化合物において、そのモルホリン
部分はドメインを形成し、そのフェニレンエチニル基部
分は単分子吸着していることが推定された。
【００１０】
【発明の効果】本発明の非対称型ジスルフィド化合物を
吸着した金において、そのジスルフィド化合物の吸着モ
ル数は、金の表面１ｍ2当り、０．０１〜０．０２ミリ
モル、好ましくは０．０１〜０．０１５ミリモルであ
る。このようなジスルフィド化合物を吸着した金は、そ
のジスルフィド化合物のエチニル基部分が反応性を有
し、光記録材料や、光導波路材料等として利用すること
ができる。
吸着した金において、そのジスルフィド化合物の吸着モ
ル数は、金の表面１ｍ2当り、０．０１〜０．０２ミリ
モル、好ましくは０．０１〜０．０１５ミリモルであ
る。このようなジスルフィド化合物を吸着した金は、そ
のジスルフィド化合物のエチニル基部分が反応性を有
し、光記録材料や、光導波路材料等として利用すること
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中西 房枝 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術 院物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 松田 宏雄 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術 院物質工学工業技術研究所内 (56)参考文献 特開 平９−278598（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B01J 19/00 G03C 1/73
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す）で表される非対称型ジスルフィド化合物を表面に
吸着している金。 - 【請求項２】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す）で表される非対称型ジスルフィド化合物を含む溶
液に金を接触させることを特徴とする金表面に非対称型
ジスルフィド化合物を吸着させる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062773A JP2987428B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 金表面に対する非対称型ジスルフィド化合物の吸着 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062773A JP2987428B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 金表面に対する非対称型ジスルフィド化合物の吸着 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10249186A JPH10249186A (ja) | 1998-09-22 |
| JP2987428B2 true JP2987428B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=13210038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9062773A Expired - Lifetime JP2987428B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 金表面に対する非対称型ジスルフィド化合物の吸着 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2987428B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU755212B2 (en) * | 2000-10-26 | 2002-12-05 | Hoya Corporation | Optical product, asymmetric disulfide compound used therefore and method for producing the asymmetric disulfide compound |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP9062773A patent/JP2987428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10249186A (ja) | 1998-09-22 |
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Legal Events
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