JP2984452B2 - フライバック形dc−dcコンバ−タ - Google Patents
フライバック形dc−dcコンバ−タInfo
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- JP2984452B2 JP2984452B2 JP4031594A JP3159492A JP2984452B2 JP 2984452 B2 JP2984452 B2 JP 2984452B2 JP 4031594 A JP4031594 A JP 4031594A JP 3159492 A JP3159492 A JP 3159492A JP 2984452 B2 JP2984452 B2 JP 2984452B2
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Description
【0001】
【発明の属する分野】本発明はトランス電流不連続のフ
ライバック形DC−DCコンバ−タのスイッチング損失
及びノイズの低減に関するものである。
ライバック形DC−DCコンバ−タのスイッチング損失
及びノイズの低減に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年小型、高効率のスイッチング方式の
DC−DCコンバ−タがコンピュ−タ用、通信機用等に
広く用いられている。特に図4に一例を示すトランス電
流不連続のフライバック形DC−DCコンバ−タは回路
構成が簡単なことより、テレビ用電源等比較的低コスト
を要求される分野に使用されている。
DC−DCコンバ−タがコンピュ−タ用、通信機用等に
広く用いられている。特に図4に一例を示すトランス電
流不連続のフライバック形DC−DCコンバ−タは回路
構成が簡単なことより、テレビ用電源等比較的低コスト
を要求される分野に使用されている。
【0003】図4及び図5によりこの回路の動作を説明
する。図4に於いてQは主スイッチ素子であり、該主ス
イッチ素子Qにより入力電圧Viを断続してトランスT
に印加する。主スイッチ素子QがONの期間(T1)に
於いてトランスTの1次コイルnpには「・」印が
(+)極性となるように電圧が印加される (3) がトランスTの2次コイルnsは出力整流ダイオ−ドD
0が逆バイアスとなる極性となっているためトランス1
次コイルnpにはトランスコアの励磁電流ip(図5
(b))が流れる。主スイッチ素子Qがオフの期間トラ
ンスTのフライバック電圧は整流ダイオ−ドD0をオン
させ2次電流is(図5(c))が出力に放出され出力
コンデンサC0で平滑され負荷に直流電力が供給され
る。主スイッチ素子QがON−OFFを繰り返している
定常状態に於いては出力電圧V0は次のように示され
る。
する。図4に於いてQは主スイッチ素子であり、該主ス
イッチ素子Qにより入力電圧Viを断続してトランスT
に印加する。主スイッチ素子QがONの期間(T1)に
於いてトランスTの1次コイルnpには「・」印が
(+)極性となるように電圧が印加される (3) がトランスTの2次コイルnsは出力整流ダイオ−ドD
0が逆バイアスとなる極性となっているためトランス1
次コイルnpにはトランスコアの励磁電流ip(図5
(b))が流れる。主スイッチ素子Qがオフの期間トラ
ンスTのフライバック電圧は整流ダイオ−ドD0をオン
させ2次電流is(図5(c))が出力に放出され出力
コンデンサC0で平滑され負荷に直流電力が供給され
る。主スイッチ素子QがON−OFFを繰り返している
定常状態に於いては出力電圧V0は次のように示され
る。
【0004】 V0=Vi・ns/np・TON/TOFF・・・・・・(1) 但し ns:2次巻線の巻数 np:1次巻線の巻数 TON:主スイッチ素子のオン期間 TOFF:主スイッチ素子のオフ期間
【0005】2次電流is(図5(c))が再び零にな
ると出力ダイオ−ドD0はオフとなり、主スイッチ素子Q
もオフであるのでトランスTの励磁インダクタンス、出
力ダイオ−ドD0の出力容量Cak、トランスTの寄生
容量Cp、主スイッチ素子の出力容量Cdsとで寄生振
動(リンギング)が始まる。自励振タイプのフライバッ
ク形DC−DCコンバ−タに於いては、主スイッチ素子
Qの電圧Vdsが入力電圧Viより低くなった時点、す
なわち制御巻線電圧Vfが正極性になった時点で主スイ
ッチ素子Qをタ−ンオンする。このために図5(b)に
示すようなスパイク電流ipが(Cds、Cp、Cak
の充電々流)流れ、スイッチング損失を増大させ、スイ
ッチングノイズの発生源となる。
ると出力ダイオ−ドD0はオフとなり、主スイッチ素子Q
もオフであるのでトランスTの励磁インダクタンス、出
力ダイオ−ドD0の出力容量Cak、トランスTの寄生
容量Cp、主スイッチ素子の出力容量Cdsとで寄生振
動(リンギング)が始まる。自励振タイプのフライバッ
ク形DC−DCコンバ−タに於いては、主スイッチ素子
Qの電圧Vdsが入力電圧Viより低くなった時点、す
なわち制御巻線電圧Vfが正極性になった時点で主スイ
ッチ素子Qをタ−ンオンする。このために図5(b)に
示すようなスパイク電流ipが(Cds、Cp、Cak
の充電々流)流れ、スイッチング損失を増大させ、スイ
ッチングノイズの発生源となる。
【0006】この対策として図6の回路例に示すボトム
タ−ンオン制御回路(Vdsのリンギングの谷点で主ス
イッチング素子をタ−ンオンさせる回路)を付加する (4) ものがある。この場合には図7(a)に示すように主ス
イッチ素子Qの電圧υdsは例ボルト、トランスの1次
コイル電圧はVi、Cakの電圧はVins/npで主
スイッチ素子Qがタ−ンオンするためスパイク電流は流
れずスイッチング損失、ノイズとも低減される。
タ−ンオン制御回路(Vdsのリンギングの谷点で主ス
イッチング素子をタ−ンオンさせる回路)を付加する (4) ものがある。この場合には図7(a)に示すように主ス
イッチ素子Qの電圧υdsは例ボルト、トランスの1次
コイル電圧はVi、Cakの電圧はVins/npで主
スイッチ素子Qがタ−ンオンするためスパイク電流は流
れずスイッチング損失、ノイズとも低減される。
【0007】しかしながらリンギングはVdsで考えた
場合、isが零となる時点のυdsをυds′とするな
らばυds′−ViすなわちV0・np/ns−Viを
初期値としViを中心とする共振波形の一部分でありリ
ンギングの谷点はVi−Vds′すなわちVi−V0・
np/nsまでしか下らない。V0・np/ns>Vi
の場合は図7(b)のようになり主スイッチ素子Qのタ
−ンオン時のスパイク電流は流れないがV0・np/n
s<Viの場合には図8(b)に示すようにスパイク電
流が流れ損失とノイズの低減は望めない。
場合、isが零となる時点のυdsをυds′とするな
らばυds′−ViすなわちV0・np/ns−Viを
初期値としViを中心とする共振波形の一部分でありリ
ンギングの谷点はVi−Vds′すなわちVi−V0・
np/nsまでしか下らない。V0・np/ns>Vi
の場合は図7(b)のようになり主スイッチ素子Qのタ
−ンオン時のスパイク電流は流れないがV0・np/n
s<Viの場合には図8(b)に示すようにスパイク電
流が流れ損失とノイズの低減は望めない。
【0008】したがってこの対策案ではトランス1次2
次の巻数比の設計に制限が与えられると、V0・np/
ns>Viとなる為図7(a)に示すように主スイッチ
素子の印加電圧が高くなる等の欠点がある。
次の巻数比の設計に制限が与えられると、V0・np/
ns>Viとなる為図7(a)に示すように主スイッチ
素子の印加電圧が高くなる等の欠点がある。
【0009】
【発明の目的】本発明はトランスの1次コイル又は主ス
イッチ素子に、第2のスイッチ素子及び逆方向のダイオ
−ド及び第2のコンデンサの並列回路と第1のコンデン
サからなる直列回路とを並列接続し、第2のスイッチ素
子を前記トランスの巻線電圧が負極性の期間オンさせる
事によりV0・np/ns<Viの条件でもスパイク電
流が発生しないようにし、低損失、低ノイズ化を計るも
のである。
イッチ素子に、第2のスイッチ素子及び逆方向のダイオ
−ド及び第2のコンデンサの並列回路と第1のコンデン
サからなる直列回路とを並列接続し、第2のスイッチ素
子を前記トランスの巻線電圧が負極性の期間オンさせる
事によりV0・np/ns<Viの条件でもスパイク電
流が発生しないようにし、低損失、低ノイズ化を計るも
のである。
【0010】
【実施例】本発明の基本回路を図1(a)、(b)にそ
の動作説明図を図2に示す。 (5) 図1に於いてS1は主スイッチ素子で、これにより入力
電圧ViをオンオフしてトランスT1の1次コイルnp
に脈動電圧を印加する。トランスTの2次コイルnsに
接続されているDoは整流ダイオ−ドでトランスに貯え
られたエネルギ−を平滑用コンデンサC0を介して負荷
に直流出力を供給する。トランスの1次コイルnpには
第2のコンデンサC3、第2のスイッチ素子S2、ダイオ
−ドD2の並列回路と第1のコンデンサC2からなる直列
回路が並列に接続されている。第2のスイッチ素子S2
はトランスTの電圧が負の極性の期間(図2(a)のVs
1がViより高い期間)オンする様制御される。コンデン
サC1、CP、Cakはそれぞれ第1のスイッチ素子S1、
トランスT、ダイオ−ドD0の寄生容量である。
の動作説明図を図2に示す。 (5) 図1に於いてS1は主スイッチ素子で、これにより入力
電圧ViをオンオフしてトランスT1の1次コイルnp
に脈動電圧を印加する。トランスTの2次コイルnsに
接続されているDoは整流ダイオ−ドでトランスに貯え
られたエネルギ−を平滑用コンデンサC0を介して負荷
に直流出力を供給する。トランスの1次コイルnpには
第2のコンデンサC3、第2のスイッチ素子S2、ダイオ
−ドD2の並列回路と第1のコンデンサC2からなる直列
回路が並列に接続されている。第2のスイッチ素子S2
はトランスTの電圧が負の極性の期間(図2(a)のVs
1がViより高い期間)オンする様制御される。コンデン
サC1、CP、Cakはそれぞれ第1のスイッチ素子S1、
トランスT、ダイオ−ドD0の寄生容量である。
【0011】次に図1の動作を図2により説明する。図
2に於いて、時間t1で第1のスイッチ素子S1がオンす
るとトランスTの1次コイルnpには「・」印が正極性
となるように入力電圧Viが印加される。トランスTの
2次コイルの電圧は整流ダイオ−ドD0が逆バイアス極
性であるのでトランスTの励磁電流ip(図2(b))
のみ流れる。時間t2で第1のスイッチ素子S1がオフす
るとトランスTの1次電流ipはnp→C2→D2→npの
ル−トに流れ第1のコンデンサC2が充電され、トラン
スTの1次コイルnpの電圧は零の方向に下っていくと
共に第1のスイッチ素子S1の電圧υs1は上昇する。
2に於いて、時間t1で第1のスイッチ素子S1がオンす
るとトランスTの1次コイルnpには「・」印が正極性
となるように入力電圧Viが印加される。トランスTの
2次コイルの電圧は整流ダイオ−ドD0が逆バイアス極
性であるのでトランスTの励磁電流ip(図2(b))
のみ流れる。時間t2で第1のスイッチ素子S1がオフす
るとトランスTの1次電流ipはnp→C2→D2→npの
ル−トに流れ第1のコンデンサC2が充電され、トラン
スTの1次コイルnpの電圧は零の方向に下っていくと
共に第1のスイッチ素子S1の電圧υs1は上昇する。
【0012】トランスTの1次コイルnpの電圧が零を
越え負極性になると整流ダイオ−ドD0がオンしトラン
スTに貯えられたエネルギ−は出力に放出される。同時
に第2のスイッチ素子S2がオンしnp→C2→S2→np
のル−トで第1のコンデンサC2はV0・ns/npまで
充電される。
越え負極性になると整流ダイオ−ドD0がオンしトラン
スTに貯えられたエネルギ−は出力に放出される。同時
に第2のスイッチ素子S2がオンしnp→C2→S2→np
のル−トで第1のコンデンサC2はV0・ns/npまで
充電される。
【0013】出力へのエネルギ−の放出が時間t5で終
わりダイオ−ドD0がオフすると、トランスTの励磁イ
ンダクタンスと第1のコンデンサC2及び各部の寄生容 (6) 量C1、Cp、Cak等の間でリンギングが発生し、トラン
スTの1次コイルnpの電圧は零の方向に向い、第1の
スイッチ素子S1の電圧υs1も低下を始める。時間tbで
トランスTの1次コイルnpの電圧が零を越え正の電圧
になると、第2のスイッチ素子S2がオフとなり等価的
に第1のコンデンサC2に第2のコンデンサC3が直列に
接続される。この為リンギングに寄与するコンデンサの
キャパシタンスが減少する為リンギングの電圧変化が大
きくなるとともにトランスTの電圧は正極性側にV0・
np/nsより大きく振動しVo・np/ns<Viで
あっても第1のスイッチ素子S1の電圧υs1は時間t7で
零ボルトとなりその後破線で示すように振動することが
可能となる。破線で示すVs1の逆電圧はダイオ−ドD1
でクランプされる。
わりダイオ−ドD0がオフすると、トランスTの励磁イ
ンダクタンスと第1のコンデンサC2及び各部の寄生容 (6) 量C1、Cp、Cak等の間でリンギングが発生し、トラン
スTの1次コイルnpの電圧は零の方向に向い、第1の
スイッチ素子S1の電圧υs1も低下を始める。時間tbで
トランスTの1次コイルnpの電圧が零を越え正の電圧
になると、第2のスイッチ素子S2がオフとなり等価的
に第1のコンデンサC2に第2のコンデンサC3が直列に
接続される。この為リンギングに寄与するコンデンサの
キャパシタンスが減少する為リンギングの電圧変化が大
きくなるとともにトランスTの電圧は正極性側にV0・
np/nsより大きく振動しVo・np/ns<Viで
あっても第1のスイッチ素子S1の電圧υs1は時間t7で
零ボルトとなりその後破線で示すように振動することが
可能となる。破線で示すVs1の逆電圧はダイオ−ドD1
でクランプされる。
【0014】時間t7〜t8の期間で第1のスイッチ素子
S1をタ−ンオンさせる事でスパイク電流は流れなくな
る。
S1をタ−ンオンさせる事でスパイク電流は流れなくな
る。
【0015】以上のように第1のスイッチ素子S1はい
わゆるソフトスイッチングとなる。又第2のスイッチ素
子S2についてもタ−ンオン時はダイオ−ドD2が導通し
ており、タ−ンオフ時は端子間電圧が零ボルトである為
零電圧スイッチングとなる。
わゆるソフトスイッチングとなる。又第2のスイッチ素
子S2についてもタ−ンオン時はダイオ−ドD2が導通し
ており、タ−ンオフ時は端子間電圧が零ボルトである為
零電圧スイッチングとなる。
【0016】時間t5〜t8のリンギングについて図9〜
11を用いて詳しく説明する。図9は時間t5に於る図
1の等価回路を示すものである。ここでLpはトランス
Tの励磁インダクタンス、np及びnsはトランスの1次
及び2次の巻数である。各コンデンサの初期値を考慮し
さらに直流電圧源を削除すると交流等価回路は図10で
示される。
11を用いて詳しく説明する。図9は時間t5に於る図
1の等価回路を示すものである。ここでLpはトランス
Tの励磁インダクタンス、np及びnsはトランスの1次
及び2次の巻数である。各コンデンサの初期値を考慮し
さらに直流電圧源を削除すると交流等価回路は図10で
示される。
【0017】図11は図10のスイッチSWを時間t5
でオンした時のコンデンサCの電圧と電流を示すもので
ある。t6の前後でコンデンサCのキャパシタンスは (7) CからC′へ変化するが回路全体のエネルギ−は変化し
たい為電流iが零の点で次式が成り立つ。
でオンした時のコンデンサCの電圧と電流を示すもので
ある。t6の前後でコンデンサCのキャパシタンスは (7) CからC′へ変化するが回路全体のエネルギ−は変化し
たい為電流iが零の点で次式が成り立つ。
【0018】 1/2・CVco2=1/2C′VP・・・・・・・・(2) ∴VP=√・(C/C′)・VCO・・・・・・・・・(3) 但しVCO=V0・nP/ns VP:負荷のピ−ク電圧 C=C2+CP+C1+Cak(ns/np)2 C′=C2・C3/C2+C3+CP+C1+Cak(ns/np)2 VP>Viが図2に於けるVS1がt7で零クロスとなる条
件であるから(3)式より C/C′>(Vi/Vco)2 ∴C/C′>(Vi/(V0・np/ns))2・・・・・・・(4) が必要条件となる。
件であるから(3)式より C/C′>(Vi/Vco)2 ∴C/C′>(Vi/(V0・np/ns))2・・・・・・・(4) が必要条件となる。
【0019】図1(b)は本発明の他の基本回路図を示
す。動作原理は図1(a)と同様であり説明は省略す
る。
す。動作原理は図1(a)と同様であり説明は省略す
る。
【0020】図3は本発明1の実施例で図1と同一符号
は同一機能を示す。第1のスイッチ素子S1にはNチャ
ンネルのMOSFET、第2のスイッチ素子S2にはP
チャンネルのMOSFETを使用している。R1は起動
抵抗である。第1のスイッチ素子S1がオンするとトラ
ンスTの1次コイルnpに「・」印が正極性の電圧が印
加され帰還巻線nf、帰還抵抗R2を介して第1のスイ
ッチ素子S1はオンを持続する。
は同一機能を示す。第1のスイッチ素子S1にはNチャ
ンネルのMOSFET、第2のスイッチ素子S2にはP
チャンネルのMOSFETを使用している。R1は起動
抵抗である。第1のスイッチ素子S1がオンするとトラ
ンスTの1次コイルnpに「・」印が正極性の電圧が印
加され帰還巻線nf、帰還抵抗R2を介して第1のスイ
ッチ素子S1はオンを持続する。
【0021】第1のスイッチ素子S1がオフするとトラ
ンスTに貯えられたエネルギ−が整流ダイオ−ドD0、
平滑用コンデンサC0を介して負荷に供給される。出力
電圧は増幅器Aにて基準電圧Vrと比較され、その誤差
がホトカプラPCに (8) 伝達され第1のスイッチ素子S1のゲ−ト電圧をコント
ロ−ルする。第1のスイッチ素子S1オン時の電流は図
2に示すように三角波であるので第1のスイッチ素子S
1のゲ−ト電圧と第1のスイッチ素子S1の特性で決まる
電流値まで第1のスイッチ素子S1の電流が増加する
と、第1のスイッチ素子S1がオフとなるように正帰還
がかかり第1のスイッチ素子S1はタ−ンオフする。よ
って三角波のピ−ク電流が制御され、トランスTに貯え
られるエネルギ−が制御されることにより出力電圧が一
定値となる。第2のスイッチ素子S2はトランスの巻線
ncによりトランス巻線の電圧が「・」印が負の時オン
するようになっているので図1(a)の動作説明で示し
たようにリンギング時に第1のスイッチ素子S1の電圧
は容易に零まで下がる。
ンスTに貯えられたエネルギ−が整流ダイオ−ドD0、
平滑用コンデンサC0を介して負荷に供給される。出力
電圧は増幅器Aにて基準電圧Vrと比較され、その誤差
がホトカプラPCに (8) 伝達され第1のスイッチ素子S1のゲ−ト電圧をコント
ロ−ルする。第1のスイッチ素子S1オン時の電流は図
2に示すように三角波であるので第1のスイッチ素子S
1のゲ−ト電圧と第1のスイッチ素子S1の特性で決まる
電流値まで第1のスイッチ素子S1の電流が増加する
と、第1のスイッチ素子S1がオフとなるように正帰還
がかかり第1のスイッチ素子S1はタ−ンオフする。よ
って三角波のピ−ク電流が制御され、トランスTに貯え
られるエネルギ−が制御されることにより出力電圧が一
定値となる。第2のスイッチ素子S2はトランスの巻線
ncによりトランス巻線の電圧が「・」印が負の時オン
するようになっているので図1(a)の動作説明で示し
たようにリンギング時に第1のスイッチ素子S1の電圧
は容易に零まで下がる。
【0022】コンデンサC4はタ−ンオンのタイミング
を遅らせるために接続されている。これにより第1のス
イッチ素子S1の電圧がリンギングにより確実に零ボル
トに下った時点で第1のスイッチ素子S1はタ−ンオン
する。
を遅らせるために接続されている。これにより第1のス
イッチ素子S1の電圧がリンギングにより確実に零ボル
トに下った時点で第1のスイッチ素子S1はタ−ンオン
する。
【0023】
【効果の説明】以上説明したように本発明によればV0
・(np/ns)<Viなる条件でもスパイク電流を発
生することなくまた全てのスイッチ素子のスイッチング
時に於る電圧をソフトに変化させることができ低スイッ
チング損失、低ノイズのフライバックコンバ−タが得ら
れる。発熱が小さくまたノイズフィルタも小型に出来る
のでテレビ用から通信機用にいたるまで安価で小型な電
源装置を供給することができる。
・(np/ns)<Viなる条件でもスパイク電流を発
生することなくまた全てのスイッチ素子のスイッチング
時に於る電圧をソフトに変化させることができ低スイッ
チング損失、低ノイズのフライバックコンバ−タが得ら
れる。発熱が小さくまたノイズフィルタも小型に出来る
のでテレビ用から通信機用にいたるまで安価で小型な電
源装置を供給することができる。
【図1】(a)本発明の基本回路図 (b)本発明の他の基本回路図
【図2】本発明の基本回路図の動作説明図
【図3】本発明
【図1】(a)の実施例
【図4】従来のフライバック形DC−DCコンバータ
【図5】従来回路の動作説明図
【図6】従来の他の回路図
【図7】従来の他の回路の各部波形例(その1)
【図8】従来の他の回路の各部の波形例(その2)
【図9】(図2)の動作波形の時間t5に於ける、本発
明の基本回路
明の基本回路
【図1】(a)の等価回路。
【図10】
【図9】に於ける直流電圧源を削除した等価回路。
【図11】
【図10】の等価回路でスイッチSWを時間t5でON
した時のコンデンサCの電圧、電流波形。
した時のコンデンサCの電圧、電流波形。
Claims (5)
- 【請求項1】 1次巻線(n)と1つ以上の2次巻線
(ns)を有するトランス(T)と前記トランス(T)
の1次巻線(np)に入力電圧をオンオフして繰返し印
加する第1のスイッチ素子(S1)と、前記第1のスイ
ッチ素子(S1)がオフの時前記トランス(T)に貯え
られたエネルギ−を前記2次巻線(ns)と整流ダイオ
−ド(D0)及び平滑用コンデンサ(C0)を介して直流
出力に変換し、前記第1のスイッチ素子(S1)のオン
期間又はオフ期間を変化させて前記直流出力電圧を制御
するフライバック形DC−DCコンバ−タに於いて、前
記トランス(T)の1次巻線(np)に、第2のスイッ
チ素子(S2)及び第2のスイッチ素子(S2)と逆並列
のダイオ−ド(D2)及び第2のコンデンサ(C3)の並
列回路と第1のコンデンサ(C2)からなる直列回路を
並列に接続し、前記第2のスイッチ素子(S2)は前記
トランス(T)の巻線電圧が負極性の期間オンとするこ
とを特徴とするフライバック形DC−DCコンバ−タ。 - 【請求項2】 1次巻線(np)と1つ以上の2次巻線
(ns)を有するトランス(T)と前記トランス(T)
の1次巻線(np)に入力電圧をオンオフして繰返し印
加する第1のスイッチ素子(S1)と前記第1のスイッ
チ素子(S1)がオフの時前記トランス(T)に貯えら
れたエネルギ−を前記2次巻線(ns)と整流ダイオ−
ド(D0)及び平滑用コンデンサ(C0)を介して直流出
力に変換し、前記第1のスイッチ素子(S1)のオン期
間又はオフ期間を変化させて前記直流出力電圧を制御す
るフライバック形DC−DCコンバ−タに於いて、前記
第1のスイッチ素子(S1)に、第2のコンデンサ(C
3)と第2のスイッチ素子(S2)及び第2のスイッチ素
子(S2)と逆並列のダイオ−ド(D2)の並列回路と第
1のコンデンサ(C2)からなる直列回路を並列に接続
し、前記第2のスイッチ素子(S2)は前記トランス
(T)の巻線電圧が負極性の期間オンとすることを特徴
とするフライバック (2) 形DC−DCコンバ−タ。 - 【請求項3】 第2のコンデンサ(C2)は第2のスイ
ッチ素子(S2)及び第2のスイッチ素子(S2)の逆並
列ダイオ−ド(D2)の寄生容量であるところの特許請
求の範囲第1項及び第2項記載のフライバック形DC−
DCコンバ−タ。 - 【請求項4】 前記第1のスイッチ素子(S1)のタ−
ンオンのタイミングは前記第1のスイッチ素子(S1)
の端子電圧が零ボルト又は零ボルトに最も近い時点でス
イッチングすることを特徴とする特許請求の範囲第1項
及び第2項記載のフライバック形DC−DCコンバ−
タ。 - 【請求項5】 前記トランス(T)の電流は不連続であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項及び第2項記
載のフライバック形DC−DCコンバ−タ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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