JP2975730B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JP2975730B2 JP2975730B2 JP3214282A JP21428291A JP2975730B2 JP 2975730 B2 JP2975730 B2 JP 2975730B2 JP 3214282 A JP3214282 A JP 3214282A JP 21428291 A JP21428291 A JP 21428291A JP 2975730 B2 JP2975730 B2 JP 2975730B2
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- hybrid integrated
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- H05K1/02—Details
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気センサ内蔵の混成集
積回路装置に関し、詳細には、銅、アルミニウム等の反
磁性金属を回路基板として使用する混成集積回路装置の
磁気回路構造に関する。
積回路装置に関し、詳細には、銅、アルミニウム等の反
磁性金属を回路基板として使用する混成集積回路装置の
磁気回路構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＣブラシレスモータは信頼性および制
御能力が極めて高いため、例えば燃焼装置のファンモー
タとして好適であるものの、その回転数をＰＷＭ制御す
る回路装置のコストおよび配置スペースの点並びに配置
スペースが必要なためコストがさらに上昇する点に問題
がある。そこで、ＤＣブラシレスモータの回転制御回路
を混成集積回路化してコストの低減を図ると共にその混
成集積回路装置をモータに内蔵させることによってその
他の問題をも同時に解決せんとすることが試みられてい
る。
御能力が極めて高いため、例えば燃焼装置のファンモー
タとして好適であるものの、その回転数をＰＷＭ制御す
る回路装置のコストおよび配置スペースの点並びに配置
スペースが必要なためコストがさらに上昇する点に問題
がある。そこで、ＤＣブラシレスモータの回転制御回路
を混成集積回路化してコストの低減を図ると共にその混
成集積回路装置をモータに内蔵させることによってその
他の問題をも同時に解決せんとすることが試みられてい
る。
【０００３】ＤＣブラシレスモータのＰＷＭ制御回路
は、図１に示すように、上側および下側アームのスイッ
チング素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2の直列回路から
なるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３相のスイツチング回路(30)(3
2)(34)、モータＭのロータに付加された磁石Ｐの磁界変
化を検出する３つのホール効果素子(36)(38)(40)、この
ホール効果素子(36)(38)(40)の検出出力から上側アーム
のスイッチング素子Ｑｕ1〜Ｑｗ1を駆動するための矩形
波を生成する転流ロジック回路(42)、ホール効果素子(3
6)(38)(40)の検出出力の１から得られるロータ回転数信
号ＦＧと外部入力される速度指令信号ＣＰから下側アー
ムのスイッチング素子Ｑｕ2〜Ｑｗ2を駆動するためのＰ
ＷＭ信号を生成するＰＷＭ回路(44)、このＰＷＭ回路(4
4)および先の転流ロジック回路(42)の転流信号に基づい
てスイッチング素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2を駆動
するドライバ(46)から構成され、外部入力される速度指
令信号ＣＰと現実のロータ回転数信号ＦＧとが等しくな
るように、ＰＷＭ回路(44)のＰＷＭ信号のオンデューテ
ィが変化される。
は、図１に示すように、上側および下側アームのスイッ
チング素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2の直列回路から
なるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３相のスイツチング回路(30)(3
2)(34)、モータＭのロータに付加された磁石Ｐの磁界変
化を検出する３つのホール効果素子(36)(38)(40)、この
ホール効果素子(36)(38)(40)の検出出力から上側アーム
のスイッチング素子Ｑｕ1〜Ｑｗ1を駆動するための矩形
波を生成する転流ロジック回路(42)、ホール効果素子(3
6)(38)(40)の検出出力の１から得られるロータ回転数信
号ＦＧと外部入力される速度指令信号ＣＰから下側アー
ムのスイッチング素子Ｑｕ2〜Ｑｗ2を駆動するためのＰ
ＷＭ信号を生成するＰＷＭ回路(44)、このＰＷＭ回路(4
4)および先の転流ロジック回路(42)の転流信号に基づい
てスイッチング素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2を駆動
するドライバ(46)から構成され、外部入力される速度指
令信号ＣＰと現実のロータ回転数信号ＦＧとが等しくな
るように、ＰＷＭ回路(44)のＰＷＭ信号のオンデューテ
ィが変化される。
【０００４】そして、ＤＣブラシレスモータに内蔵され
るこのＰＷＭ制御回路は、図５に示すように、表面を陽
極酸化処理してアルマイト層（１４）を形成した１．５
ｍｍ〜２．０ｍｍ厚のアルミニウム基板（１０）に絶縁
樹脂層（１６）を介して所定形状に導電路（１８）（２
２）を形成し、この導電路（１８）（２２）上にスイッ
チング素子Ｑｕ１、Ｑｕ２〜Ｑｗ１、Ｑｗ２、集積回路
化された各回路、ホール効果素子（３８）等を固着して
混成集積回路装置として実現される。
るこのＰＷＭ制御回路は、図５に示すように、表面を陽
極酸化処理してアルマイト層（１４）を形成した１．５
ｍｍ〜２．０ｍｍ厚のアルミニウム基板（１０）に絶縁
樹脂層（１６）を介して所定形状に導電路（１８）（２
２）を形成し、この導電路（１８）（２２）上にスイッ
チング素子Ｑｕ１、Ｑｕ２〜Ｑｗ１、Ｑｗ２、集積回路
化された各回路、ホール効果素子（３８）等を固着して
混成集積回路装置として実現される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した混成集積回路
装置の回路基板には加工性と放熱特性を考慮してアルミ
ニウム、あるいは銅が多く使用されているが、これら金
属の磁化率χは負であって、これに磁場を加えると、こ
れと逆の方向に磁化する性質を有する。このため、アル
ミニウム、あるいは銅の回路基板上に磁気センサを搭載
すると、磁気センサを通過する磁束密度は回路基板がな
い場合よりも低下することになり、磁気センサの出力の
Ｓ／Ｎが劣化する問題を有する。特に、スイッチング回
路を含む混成集積回路装置においては、スイッチング回
路からのノイズの誘導により必要なＳ／Ｎが達成できな
い問題を有する。
装置の回路基板には加工性と放熱特性を考慮してアルミ
ニウム、あるいは銅が多く使用されているが、これら金
属の磁化率χは負であって、これに磁場を加えると、こ
れと逆の方向に磁化する性質を有する。このため、アル
ミニウム、あるいは銅の回路基板上に磁気センサを搭載
すると、磁気センサを通過する磁束密度は回路基板がな
い場合よりも低下することになり、磁気センサの出力の
Ｓ／Ｎが劣化する問題を有する。特に、スイッチング回
路を含む混成集積回路装置においては、スイッチング回
路からのノイズの誘導により必要なＳ／Ｎが達成できな
い問題を有する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はアルミニウム、
あるいは銅の回路基板上に板状の常磁性体片あるいは強
磁性体片を固着し、その上方に磁気センサを搭載したこ
とを主要な特徴とする。
あるいは銅の回路基板上に板状の常磁性体片あるいは強
磁性体片を固着し、その上方に磁気センサを搭載したこ
とを主要な特徴とする。
【０００７】
【作用】被検出磁界の磁束が磁気センサ、板状の常磁性
体片あるいは強磁性体片からなる磁気回路を通過するた
め磁気センサのＳ／Ｎを向上させることができる。ま
た、この結果、回路基板として加工性と放熱特性に優れ
る反磁性の金属を使用することができる。
体片あるいは強磁性体片からなる磁気回路を通過するた
め磁気センサのＳ／Ｎを向上させることができる。ま
た、この結果、回路基板として加工性と放熱特性に優れ
る反磁性の金属を使用することができる。
【０００８】
【実施例】以下、図１乃至図３を参照してＰＷＭ制御回
路に適用した本発明の一実施例を説明する。なお、図１
は実施例の等価回路図、図２は実施例の平面図、図３は
図２のＡ−Ａ線断面図である。
路に適用した本発明の一実施例を説明する。なお、図１
は実施例の等価回路図、図２は実施例の平面図、図３は
図２のＡ−Ａ線断面図である。
【０００９】図１を参照すると、ＤＣブラシレスモータ
のＰＷＭ制御回路は上側および下側アームのスイッチン
グ素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2（Ｑｕ1、Ｑｕ2のみ
が示されている）の直列回路からなるＵ相、Ｖ相、Ｗ相
の３相のスイツチング回路(30)(32)(34)、モータＭのロ
ータに付加された磁石Ｐの磁界変化を検出する３つのホ
ール効果素子(36)(38)(40)、このホール効果素子(36)(3
8)(40)の検出出力から上側アームのスイッチング素子Ｑ
ｕ1〜Ｑｗ1を駆動するための矩形波を生成する転流ロジ
ック回路(42)、ロータ回転数信号ＦＧと外部入力される
速度指令信号から下側アームのスイッチング素子Ｑｕ2
〜Ｑｗ2を駆動するためのＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ
回路(44)、このＰＷＭ回路(44)および先の転流ロジック
回路(42)の転流信号に基づいてスイッチング素子Ｑｕ
1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2を駆動するドライバ(46)から構
成される。
のＰＷＭ制御回路は上側および下側アームのスイッチン
グ素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2（Ｑｕ1、Ｑｕ2のみ
が示されている）の直列回路からなるＵ相、Ｖ相、Ｗ相
の３相のスイツチング回路(30)(32)(34)、モータＭのロ
ータに付加された磁石Ｐの磁界変化を検出する３つのホ
ール効果素子(36)(38)(40)、このホール効果素子(36)(3
8)(40)の検出出力から上側アームのスイッチング素子Ｑ
ｕ1〜Ｑｗ1を駆動するための矩形波を生成する転流ロジ
ック回路(42)、ロータ回転数信号ＦＧと外部入力される
速度指令信号から下側アームのスイッチング素子Ｑｕ2
〜Ｑｗ2を駆動するためのＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ
回路(44)、このＰＷＭ回路(44)および先の転流ロジック
回路(42)の転流信号に基づいてスイッチング素子Ｑｕ
1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2を駆動するドライバ(46)から構
成される。
【００１０】Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各スイツチング回路(3
0)(32)(34)は同一回路構成であり、慣流ダイオードＤｕ
1、Ｄｕ2〜Ｄｗ1、Ｄｗ2（Ｄｕ1、Ｄｕ2のみが示されて
いる）が並列接続されるスイッチング素子にはバイポー
ラトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等が使
用される。このスイツチング回路(30)(32)(34)は例えば
１４０ＶのＤＣを３相交流に変換し、モータＭのステー
タに供給する。
0)(32)(34)は同一回路構成であり、慣流ダイオードＤｕ
1、Ｄｕ2〜Ｄｗ1、Ｄｗ2（Ｄｕ1、Ｄｕ2のみが示されて
いる）が並列接続されるスイッチング素子にはバイポー
ラトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等が使
用される。このスイツチング回路(30)(32)(34)は例えば
１４０ＶのＤＣを３相交流に変換し、モータＭのステー
タに供給する。
【００１１】転流ロジック回路(42)はホール効果素子(3
6)(38)(40)に電流を供給する定電流回路、ホール効果素
子の検出出力を波形成形し、さらに論理して、互いに１
２０度の位相差を有する３つの矩形波を生成する回路か
らなり、上側アームのスイッチング素子Ｑｕ1〜Ｑｗ1を
駆動する。
6)(38)(40)に電流を供給する定電流回路、ホール効果素
子の検出出力を波形成形し、さらに論理して、互いに１
２０度の位相差を有する３つの矩形波を生成する回路か
らなり、上側アームのスイッチング素子Ｑｕ1〜Ｑｗ1を
駆動する。
【００１２】ＰＷＭ回路(44)はホール効果素子(36)(38)
(40)の検出出力の１に基づいて生成されるロータ回転数
信号ＦＧと外部入力される速度指令信号ＣＰの位相を比
較する位相比較回路、このディジタル位相比較回路出力
と鋸歯状波とを比較する比較回路からなり、ロータ回転
数信号ＦＧと速度指令信号ＣＰとの差に基づいてパルス
幅変調されたＰＷＭ波を下側アームのスイッチング素子
Ｑｕ2〜Ｑｗ2の制御電極に出力する。なお、実施例のＰ
ＷＭ回路(44)は周知の回路構成のものであるばかりか、
他の動作原理のＰＷＭ回路も使用可能である。
(40)の検出出力の１に基づいて生成されるロータ回転数
信号ＦＧと外部入力される速度指令信号ＣＰの位相を比
較する位相比較回路、このディジタル位相比較回路出力
と鋸歯状波とを比較する比較回路からなり、ロータ回転
数信号ＦＧと速度指令信号ＣＰとの差に基づいてパルス
幅変調されたＰＷＭ波を下側アームのスイッチング素子
Ｑｕ2〜Ｑｗ2の制御電極に出力する。なお、実施例のＰ
ＷＭ回路(44)は周知の回路構成のものであるばかりか、
他の動作原理のＰＷＭ回路も使用可能である。
【００１３】ドライバ(46)はスイッチング素子Ｑｕ1、
Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2をオンさせるためのソース電流回
路と、スイッチング素子のオフ時にその制御電極の蓄積
電荷を吸収するシンク電流回路からなる周知の回路構成
である。以上の転流ロジック回路(42)、ＰＷＭ回路(44)
およびドライバ(46)は１チップの集積回路素子として提
供されている。
Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2をオンさせるためのソース電流回
路と、スイッチング素子のオフ時にその制御電極の蓄積
電荷を吸収するシンク電流回路からなる周知の回路構成
である。以上の転流ロジック回路(42)、ＰＷＭ回路(44)
およびドライバ(46)は１チップの集積回路素子として提
供されている。
【００１４】燃焼装置のファンモータの制御を例に実施
例の回路動作を簡単に説明する。燃焼装置の発熱量を変
化させる必要が生ずると、図示しないマイクロコンピュ
ータにより必要な燃料供給量が決定され、同時に最大燃
焼効率を達成する空気供給量が決定される。そして、最
大燃焼効率を達成する空気供給量は速度指令信号ＣＰと
して実施例のＰＷＭ制御回路に入力される。
例の回路動作を簡単に説明する。燃焼装置の発熱量を変
化させる必要が生ずると、図示しないマイクロコンピュ
ータにより必要な燃料供給量が決定され、同時に最大燃
焼効率を達成する空気供給量が決定される。そして、最
大燃焼効率を達成する空気供給量は速度指令信号ＣＰと
して実施例のＰＷＭ制御回路に入力される。
【００１５】一方、３つのホール効果素子(36)(38)(40)
はモータＭの回転に伴って互いに１２０度の位相差を有
する３つの略正弦波を出力し、転流ロジック回路(42)は
その１の出力を波形成形してロータ回転数信号ＦＧを生
成する。ＰＷＭ回路(44)は上記速度指令信号ＣＰと現実
のロータ回転数信号ＦＧとの位相を比較し、間接的に、
最適回転数と現実のロータ回転数との差を導出する。そ
こで、現実のロータ回転数が最適回転数より小さい場合
には、下側アームのスイッチング素子Ｑｕ2〜Ｑｗ2のオ
ンデューティを大きくするように動作してロータ回転数
を上昇させる。
はモータＭの回転に伴って互いに１２０度の位相差を有
する３つの略正弦波を出力し、転流ロジック回路(42)は
その１の出力を波形成形してロータ回転数信号ＦＧを生
成する。ＰＷＭ回路(44)は上記速度指令信号ＣＰと現実
のロータ回転数信号ＦＧとの位相を比較し、間接的に、
最適回転数と現実のロータ回転数との差を導出する。そ
こで、現実のロータ回転数が最適回転数より小さい場合
には、下側アームのスイッチング素子Ｑｕ2〜Ｑｗ2のオ
ンデューティを大きくするように動作してロータ回転数
を上昇させる。
【００１６】次に、図２および図３を参照して実施例の
構造を説明する。本発明の混成集積回路装置の回路基板
(10)には表面を陽極酸化処理し、アルマイト層(14)を形
成した１．５ｍｍ〜２．０ｍｍ厚のアルミニウム(12)が
使用され、この回路基板(10)に接着性の熱硬化性樹脂(1
6)を用いて貼着した銅箔をホトエッチングして導電路(1
8)、ダイボンドパッド(20)(22)(24)、ワイアボンディン
グパッド(26)、外部リードパッド(28)が形成される。ま
た、モータ内蔵を考慮して、最終的にロータ孔(54)がプ
レス形成され、さらにモータブラケット構造に対応する
切り欠き(56)がプレス形成される。
構造を説明する。本発明の混成集積回路装置の回路基板
(10)には表面を陽極酸化処理し、アルマイト層(14)を形
成した１．５ｍｍ〜２．０ｍｍ厚のアルミニウム(12)が
使用され、この回路基板(10)に接着性の熱硬化性樹脂(1
6)を用いて貼着した銅箔をホトエッチングして導電路(1
8)、ダイボンドパッド(20)(22)(24)、ワイアボンディン
グパッド(26)、外部リードパッド(28)が形成される。ま
た、モータ内蔵を考慮して、最終的にロータ孔(54)がプ
レス形成され、さらにモータブラケット構造に対応する
切り欠き(56)がプレス形成される。
【００１７】ダイボンドパッド(20)には転流ロジック回
路(42)、ＰＷＭ回路(44)およびドライバ(46)を１チップ
化した集積回路素子(50)がＡｇペースト等を用いて固着
され、他のダイボンドパッド(22)には慣流ダイオードと
バイポーラトランジスタとを同一半導体基板に形成した
複合素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2が半田固着され
る。また、図３に示すように、ダイボンドパッド(24)に
は鉄製のヨーク(52)が半田固着され、その上部に表面実
装型のホール効果素子(36)(38)(40)が配置される。この
ヨーク(52)は０．５ｍｍ厚であり、比較的小電力のトラ
ンジスタのヒートシンクとして広く使用されている２×
２ｍｍ、３×３ｍｍ、３×７ｍｍのサイズのヒートシン
クが流用される。なお、ホール効果素子(36)(38)(40)は
ロータ中心に対して６０度間隔で配置される。
路(42)、ＰＷＭ回路(44)およびドライバ(46)を１チップ
化した集積回路素子(50)がＡｇペースト等を用いて固着
され、他のダイボンドパッド(22)には慣流ダイオードと
バイポーラトランジスタとを同一半導体基板に形成した
複合素子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2が半田固着され
る。また、図３に示すように、ダイボンドパッド(24)に
は鉄製のヨーク(52)が半田固着され、その上部に表面実
装型のホール効果素子(36)(38)(40)が配置される。この
ヨーク(52)は０．５ｍｍ厚であり、比較的小電力のトラ
ンジスタのヒートシンクとして広く使用されている２×
２ｍｍ、３×３ｍｍ、３×７ｍｍのサイズのヒートシン
クが流用される。なお、ホール効果素子(36)(38)(40)は
ロータ中心に対して６０度間隔で配置される。
【００１８】本実施例は小電力トランジスタのヒートシ
ンクをヨークとして使用するためヨークによるコスト上
昇が僅かであるばかりか、このヨークの固着をスイッチ
ング素子の半田リフロー工程を利用して行うため特別な
工程を付加する必要がない利点を有する。しかしなが
ら、接着剤による回路素子の固着工程を含む混成集積回
路装置ではその工程を利用してヨーク固着を行なうこと
も可能である。
ンクをヨークとして使用するためヨークによるコスト上
昇が僅かであるばかりか、このヨークの固着をスイッチ
ング素子の半田リフロー工程を利用して行うため特別な
工程を付加する必要がない利点を有する。しかしなが
ら、接着剤による回路素子の固着工程を含む混成集積回
路装置ではその工程を利用してヨーク固着を行なうこと
も可能である。
【００１９】また、先に述べたように、加工性および放
熱特性の点から混成集積回路の回路基板として選択され
る銅あるいはアルミニウムは反磁性体であるため回路基
板周辺の磁界が減少する。このため、混成集積回路装置
に磁気センサを搭載することは困難であると考えられて
いたが、本発明は磁気センサ下部にヨークを配置するた
め、加工性および放熱特性に優れる銅あるいはアルミニ
ウムを回路基板として使用する場合でも磁気センサ出力
のＳ／Ｎが劣化することがない。
熱特性の点から混成集積回路の回路基板として選択され
る銅あるいはアルミニウムは反磁性体であるため回路基
板周辺の磁界が減少する。このため、混成集積回路装置
に磁気センサを搭載することは困難であると考えられて
いたが、本発明は磁気センサ下部にヨークを配置するた
め、加工性および放熱特性に優れる銅あるいはアルミニ
ウムを回路基板として使用する場合でも磁気センサ出力
のＳ／Ｎが劣化することがない。
【００２０】ホール効果素子周辺の断面図を示す図４を
参照して変形例を説明する。変形例はホール効果素子(3
6)(38)(40)としてチップ形状のホール効果素子を使用す
る点のみにおいて先の実施例と異なる。この変形例はヨ
ーク(52)の固着をスイッチング素子の半田リフロー工程
を利用して行い、ホール効果素子(36)(38)(40)の固着を
集積回路素子(50)のＡｇペースト固着を利用して行い、
さらに電極接続を集積回路素子あるいはスイッチング素
子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2の電極のワイアボンディ
ングを利用して行うため工程の増加が全くない特徴を有
する。以上、ＤＣブラシレスモータのＰＷＭ制御回路を
例に本発明を説明したが、本発明は磁気センサを搭載す
るあらゆる混成集積回路装置に適用可能である。
参照して変形例を説明する。変形例はホール効果素子(3
6)(38)(40)としてチップ形状のホール効果素子を使用す
る点のみにおいて先の実施例と異なる。この変形例はヨ
ーク(52)の固着をスイッチング素子の半田リフロー工程
を利用して行い、ホール効果素子(36)(38)(40)の固着を
集積回路素子(50)のＡｇペースト固着を利用して行い、
さらに電極接続を集積回路素子あるいはスイッチング素
子Ｑｕ1、Ｑｕ2〜Ｑｗ1、Ｑｗ2の電極のワイアボンディ
ングを利用して行うため工程の増加が全くない特徴を有
する。以上、ＤＣブラシレスモータのＰＷＭ制御回路を
例に本発明を説明したが、本発明は磁気センサを搭載す
るあらゆる混成集積回路装置に適用可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように本発明は磁気センサ下
部にヨークを配置するため、加工性および放熱特性に優
れる銅あるいはアルミニウムを回路基板として使用する
ことができ、磁気センサ出力のＳ／Ｎ劣化が防止され
る。また、スイッチング素子の半田リフロー工程を利用
してヨークの固着を行うため特別な工程を付加する必要
がない。
部にヨークを配置するため、加工性および放熱特性に優
れる銅あるいはアルミニウムを回路基板として使用する
ことができ、磁気センサ出力のＳ／Ｎ劣化が防止され
る。また、スイッチング素子の半田リフロー工程を利用
してヨークの固着を行うため特別な工程を付加する必要
がない。
【００２２】
【図１】本発明の一実施例の等価回路図。
【図２】本発明の一実施例の平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。
【図４】実施例の変形例の要部断面図。
【図５】従来例の断面図。
【符号の説明】 １０ 回路基板 １８ 導電路 ２０ ダイボンドパッド ２２ ダイボンドパッド ２４ ダイボンドパッド ２６ ワイアボンディンクパッド ２８ 外部リードパッド ３６ ホール効果素子 ３８ ホール効果素子 ４０ ホール効果素子 ５０ 集積回路素子 ５４ ロータ孔 ５６ 切り欠き
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭64−13756（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−141677（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/18 H02P 6/08
Claims (5)
- 【請求項１】 反磁性材料より成る金属基板上に絶縁層
を介して導電パターンを形成し、前記導電パターンの中
のパッドに半導体素子、抵抗あるいはコンデンサを搭載
した混成集積回路装置において、 前記金属基板の所定の位置に常磁性体片あるいは強磁性
体片を固着し、その上方に磁気センサを搭載したことを
特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記金属基板として銅あるいはアルミニ
ウムを使用したことを特徴とする請求項１の混成集積回
路装置。 - 【請求項３】 前記常磁性体片あるいは前記強磁性体片
を前記導電パターンの中のパッド上に固着したことを特
徴とする請求項１の混成集積回路装置。 - 【請求項４】 前記磁気センサとしてチップ素子を使用
し、前記常磁性体片あるいは前記強磁性体片上に固着し
たことを特徴とする請求項１の混成集積回路装置。 - 【請求項５】 前記磁気センサによりＤＣブラシレスモ
ータのロータの回転を検出したことを特徴とする請求項
１に記載の混成集積回路装置。
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|---|---|---|---|
| JP3214282A JP2975730B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP3214282A JP2975730B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH0537122A JPH0537122A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2975730B2 true JP2975730B2 (ja) | 1999-11-10 |
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ID=16653156
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3214282A Expired - Fee Related JP2975730B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 混成集積回路装置 |
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-
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- 1991-07-31 JP JP3214282A patent/JP2975730B2/ja not_active Expired - Fee Related
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