JP2971605B2 - 積層体 - Google Patents
積層体Info
- Publication number
- JP2971605B2 JP2971605B2 JP3075269A JP7526991A JP2971605B2 JP 2971605 B2 JP2971605 B2 JP 2971605B2 JP 3075269 A JP3075269 A JP 3075269A JP 7526991 A JP7526991 A JP 7526991A JP 2971605 B2 JP2971605 B2 JP 2971605B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- copper
- nickel
- gold
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/83815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスの表面に
金属の層が積層された、いわゆるメタライズされたセラ
ミックス積層体に関し、さらに詳しくは、メタライズさ
れた金属のウエットエッチング性を損なうことなく、熱
によるハンダの濡れ性の低下、及び金属の各層間並びに
金属の層とセラミックスとの接着性の低下が防止された
セラミックス積層体に関する。
金属の層が積層された、いわゆるメタライズされたセラ
ミックス積層体に関し、さらに詳しくは、メタライズさ
れた金属のウエットエッチング性を損なうことなく、熱
によるハンダの濡れ性の低下、及び金属の各層間並びに
金属の層とセラミックスとの接着性の低下が防止された
セラミックス積層体に関する。
【0002】
【従来の技術】アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミ
ックス基板は、その表面をメタライズしてトランジスタ
あるいはレーザーダイオード等のヒートシンクやICあ
るいはLSIの封止材あるいは放熱材等に広く使用され
ている。セラミックス基板のメタライズにはスパッタリ
ング、イオンプレーティング等のドライプロセス、ある
いはドライプロセスとメッキ等のウエットプロセスとの
併用などの方法が採用されている。
ックス基板は、その表面をメタライズしてトランジスタ
あるいはレーザーダイオード等のヒートシンクやICあ
るいはLSIの封止材あるいは放熱材等に広く使用され
ている。セラミックス基板のメタライズにはスパッタリ
ング、イオンプレーティング等のドライプロセス、ある
いはドライプロセスとメッキ等のウエットプロセスとの
併用などの方法が採用されている。
【0003】通常、セラミックス表面の一部にメタライ
ズする場合が多く、このためにメタライズのパターニン
グ処理が行われる。パターニング処理にはイオンミリン
グのようなドライエッチングプロセスと酸等を含む溶液
中で行うウエットエッチングプロセスがあり、セラミッ
クス形状が立体的あるいは形状が平面的であっても焼き
上がり面や、研摩面のように表面に凹凸のある場合には
ウエットエッチングが採用されている。
ズする場合が多く、このためにメタライズのパターニン
グ処理が行われる。パターニング処理にはイオンミリン
グのようなドライエッチングプロセスと酸等を含む溶液
中で行うウエットエッチングプロセスがあり、セラミッ
クス形状が立体的あるいは形状が平面的であっても焼き
上がり面や、研摩面のように表面に凹凸のある場合には
ウエットエッチングが採用されている。
【0004】ウエットエッチングによるパターニングを
良好に行うためにメタライズの元素構成として、チタン
−ニッケル、チタン−ニッケル−金、チタン−銅、チタ
ン−銅−金等の各金属層の組合せが採用されている。ま
た、これらのメタライズされたセラミックス基板ははん
だ付けされ、電気機器に組み込まれることが多いから、
耐はんだ食われ性、耐酸化性、はんだ付け後の接合強度
を良好に保つために、通常、チタン−ニッケル−金が用
いられる事が多い。
良好に行うためにメタライズの元素構成として、チタン
−ニッケル、チタン−ニッケル−金、チタン−銅、チタ
ン−銅−金等の各金属層の組合せが採用されている。ま
た、これらのメタライズされたセラミックス基板ははん
だ付けされ、電気機器に組み込まれることが多いから、
耐はんだ食われ性、耐酸化性、はんだ付け後の接合強度
を良好に保つために、通常、チタン−ニッケル−金が用
いられる事が多い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チタン−ニッケル−金の組合せよりなる金属層は空気中
350℃以上の温度にさらすと、最上層の金属の層がニ
ッケルの拡散により金−ニッケル合金層になり、表面付
近のニッケルが酸化し、はんだ付けができなくなる問題
があった。
チタン−ニッケル−金の組合せよりなる金属層は空気中
350℃以上の温度にさらすと、最上層の金属の層がニ
ッケルの拡散により金−ニッケル合金層になり、表面付
近のニッケルが酸化し、はんだ付けができなくなる問題
があった。
【0006】メタライズされたセラミックス基板のはん
だ付けは、種々のセラミックス基板が多数ある場合が多
くこれらの部品を一度にはんだ付けするのは不可能であ
る。このため、通常は融点の異なるはんだを何種類か用
意し、融点の高いはんだを用いた部品のはんだ付けから
順番に行っていく方法が採用される。
だ付けは、種々のセラミックス基板が多数ある場合が多
くこれらの部品を一度にはんだ付けするのは不可能であ
る。このため、通常は融点の異なるはんだを何種類か用
意し、融点の高いはんだを用いた部品のはんだ付けから
順番に行っていく方法が採用される。
【0007】このように複数回のはんだ付けを行う場
合、先に行われる高温でのはんだ付け工程によって前述
のニッケルの金層への拡散が起こり、引き続いて行われ
る次のはんだ付け工程においてはんだの接着不良が生じ
ていた。
合、先に行われる高温でのはんだ付け工程によって前述
のニッケルの金層への拡散が起こり、引き続いて行われ
る次のはんだ付け工程においてはんだの接着不良が生じ
ていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は、チタン−ニ
ッケル−金の組合せよりなる金属層のウエットエッチン
グ性を損なうことなく、耐熱性を持たせることについて
鋭意研究を重ねた結果、ニッケル層と金層との間に銅あ
るいは銅−ニッケル合金層を設けることで、チタン−ニ
ッケル−金の組合せよりなる金属層と同様なウエットエ
ッチング条件で容易にパターニングでき、空気中で35
0℃以上に加熱してもはんだ濡れ性があり、各金属層間
および金属層とセラミックスとの接着強度が低下しない
耐熱性のある金属層が得られることを見いだし、本発明
を完成するに至った。
ッケル−金の組合せよりなる金属層のウエットエッチン
グ性を損なうことなく、耐熱性を持たせることについて
鋭意研究を重ねた結果、ニッケル層と金層との間に銅あ
るいは銅−ニッケル合金層を設けることで、チタン−ニ
ッケル−金の組合せよりなる金属層と同様なウエットエ
ッチング条件で容易にパターニングでき、空気中で35
0℃以上に加熱してもはんだ濡れ性があり、各金属層間
および金属層とセラミックスとの接着強度が低下しない
耐熱性のある金属層が得られることを見いだし、本発明
を完成するに至った。
【0009】即ち、本発明は、セラミックスの表面に該
セラミックスの表面から順にチタンの層、ニッケルの
層、銅又は銅−ニッケル合金の層、及び金の層が夫々積
層されてなる積層体である。
セラミックスの表面から順にチタンの層、ニッケルの
層、銅又は銅−ニッケル合金の層、及び金の層が夫々積
層されてなる積層体である。
【0010】本発明において用いられるセラミックス
は、スパッタリング、イオンプレーティング等の一般的
なメタライズプロセスによりメタライズ可能なものであ
れば何ら制限なく採用される。例えば、アルミナ、窒化
アルミニウム、ムライト、ベリリア、結晶化ガラス等を
代表的なものとして例示できる。また、上記のセラミッ
クスは結晶質及び非結晶質のいずれであってもよく、結
晶質の場合には多結晶体及び単結晶体のいずれであって
もよい。
は、スパッタリング、イオンプレーティング等の一般的
なメタライズプロセスによりメタライズ可能なものであ
れば何ら制限なく採用される。例えば、アルミナ、窒化
アルミニウム、ムライト、ベリリア、結晶化ガラス等を
代表的なものとして例示できる。また、上記のセラミッ
クスは結晶質及び非結晶質のいずれであってもよく、結
晶質の場合には多結晶体及び単結晶体のいずれであって
もよい。
【0011】本発明において用いられるセラミックス
は、その製造方法に何ら制限されるものではない。代表
的な製造方法として原料粉末を成形後に焼結させる方
法、原料粉末を昇華させた後に沈積させる方法等を挙げ
ることができる。
は、その製造方法に何ら制限されるものではない。代表
的な製造方法として原料粉末を成形後に焼結させる方
法、原料粉末を昇華させた後に沈積させる方法等を挙げ
ることができる。
【0012】さらに、上記のセラミックスの形状は何ら
制限されず、板状体、繊維、薄膜の他、及び各種用途に
応じて成形された任意の形状であってよい。
制限されず、板状体、繊維、薄膜の他、及び各種用途に
応じて成形された任意の形状であってよい。
【0013】本発明において用いられるセラミックスの
第1層のチタン層はセラミックスと密着性を持たせるた
めに使用され、厚みについては0.01〜5μmが一般
的で、0.05〜1μmが望ましい。
第1層のチタン層はセラミックスと密着性を持たせるた
めに使用され、厚みについては0.01〜5μmが一般
的で、0.05〜1μmが望ましい。
【0014】第2層のニッケル層ははんだ濡れ性を持た
せるため使用され、厚みは0.01〜50μmが一般的
で、0.1〜10μmが望ましい。
せるため使用され、厚みは0.01〜50μmが一般的
で、0.1〜10μmが望ましい。
【0015】第3層の銅あるいは銅−ニッケル合金層は
加熱した場合、第2層のニッケルの金層への拡散による
金−ニッケル合金化を防ぐものであり、銅の存在が必須
である。銅−ニッケル合金を用いる場合、合金中に占め
る銅の量は0.5重量%以上であれば本発明の目的を十
分に達成することができ、2重量%以上でより好ましい
結果を得ることができる。
加熱した場合、第2層のニッケルの金層への拡散による
金−ニッケル合金化を防ぐものであり、銅の存在が必須
である。銅−ニッケル合金を用いる場合、合金中に占め
る銅の量は0.5重量%以上であれば本発明の目的を十
分に達成することができ、2重量%以上でより好ましい
結果を得ることができる。
【0016】銅または銅−ニッケル合金の層の厚みは、
0.005〜2.0μmが一般的で0.01〜1.0μ
mが望ましい。
0.005〜2.0μmが一般的で0.01〜1.0μ
mが望ましい。
【0017】第4層の金はニッケル層の酸化によるはん
だ濡れ性の低下を防ぐことが目的で、厚みは0.01〜
5μmが一般的で、0.05〜2μmが望ましい。
だ濡れ性の低下を防ぐことが目的で、厚みは0.01〜
5μmが一般的で、0.05〜2μmが望ましい。
【0018】なお、本発明におけるメタライズ層の作製
は、一般的に用いられる成膜方法を何ら制限なく採用す
ることができる。例えば、スパッタリング装置等のドラ
イプロセスを用いる方法やドライプロセスとメッキ等の
ウエットプロセスを組合せる方法等を用いることができ
る。ドライプロセスのみの場合、例えば、スパッタリン
グ装置を用い、チタン、ニッケル、銅、金のターゲット
をアルゴン等によりスパッタリングしてチタン−ニッケ
ル−銅−金の積層膜を作ることができる。第3層を銅−
ニッケル合金とするには、銅−ニッケル合金ターゲット
をスパッタする方法、銅ターゲットとニッケルターゲッ
トを同時にスパッタする方法、銅ターゲットとニッケル
ターゲットを交互に繰り返しスパッタする方法がある。
は、一般的に用いられる成膜方法を何ら制限なく採用す
ることができる。例えば、スパッタリング装置等のドラ
イプロセスを用いる方法やドライプロセスとメッキ等の
ウエットプロセスを組合せる方法等を用いることができ
る。ドライプロセスのみの場合、例えば、スパッタリン
グ装置を用い、チタン、ニッケル、銅、金のターゲット
をアルゴン等によりスパッタリングしてチタン−ニッケ
ル−銅−金の積層膜を作ることができる。第3層を銅−
ニッケル合金とするには、銅−ニッケル合金ターゲット
をスパッタする方法、銅ターゲットとニッケルターゲッ
トを同時にスパッタする方法、銅ターゲットとニッケル
ターゲットを交互に繰り返しスパッタする方法がある。
【0019】ドライプロセスとウエットプロセスとの組
合せでは、第1層のチタンと第2層のニッケルをスパッ
タリングにより積層させた後、メッキにより第3層に
銅、第4層に金を積層する方法がある。
合せでは、第1層のチタンと第2層のニッケルをスパッ
タリングにより積層させた後、メッキにより第3層に
銅、第4層に金を積層する方法がある。
【0020】
【作用】本発明の積層体は、第2層のニッケルと第4層
の金との間に銅あるいは銅−ニッケル合金層を入れるこ
とにより、銅と金が相互作用を行い、ニッケルが金層中
へ拡散するのを防いでいるため、耐熱性が改善されたも
のと考えられる。
の金との間に銅あるいは銅−ニッケル合金層を入れるこ
とにより、銅と金が相互作用を行い、ニッケルが金層中
へ拡散するのを防いでいるため、耐熱性が改善されたも
のと考えられる。
【0021】
【効果】以上の説明により理解されるように、本発明に
よればメタライズされた金属層の第2層のニッケル層と
第4層の金層との間に銅あるいは銅−ニッケル合金を第
3層として存在させることにより、パターニングのため
ウエットエッチング性を損なわず、空気中350℃以上
で加熱してもはんだ濡れ性に優れ、しかも、各金属層間
及び金属層とセラミックスとの間の密着強度が低下しな
いという効果を発揮することができる。
よればメタライズされた金属層の第2層のニッケル層と
第4層の金層との間に銅あるいは銅−ニッケル合金を第
3層として存在させることにより、パターニングのため
ウエットエッチング性を損なわず、空気中350℃以上
で加熱してもはんだ濡れ性に優れ、しかも、各金属層間
及び金属層とセラミックスとの間の密着強度が低下しな
いという効果を発揮することができる。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づき説明するが、
本発明は実施例にのみ限定されるものではない。
本発明は実施例にのみ限定されるものではない。
【0023】実施例1〜3 表1に示す立て50mm×厚み1mmのセラミックス基
板をスパッタリング装置(徳田製作所製 CFS−8E
P−55)内で10-3〜10-2paの真空中で約250
℃、30分間加熱した。次にアルゴンガスを導入して8
×10-1paとした後、3〜5A、300〜700Vの
印加条件でセラミックス基板上に表1に示すメタライズ
を行った。
板をスパッタリング装置(徳田製作所製 CFS−8E
P−55)内で10-3〜10-2paの真空中で約250
℃、30分間加熱した。次にアルゴンガスを導入して8
×10-1paとした後、3〜5A、300〜700Vの
印加条件でセラミックス基板上に表1に示すメタライズ
を行った。
【0024】これらのメタライズされたセラミックス基
板をスクリーン印刷法によりエッチングレジストを印刷
し、乾燥器にてレジストを乾燥した後、ウエットエッチ
ングにより10mm角及び1mm角のメタライズパター
ンを有するセラミックス基板を作製した。
板をスクリーン印刷法によりエッチングレジストを印刷
し、乾燥器にてレジストを乾燥した後、ウエットエッチ
ングにより10mm角及び1mm角のメタライズパター
ンを有するセラミックス基板を作製した。
【0025】この基板を表2および表3に示す温度(3
50〜600℃)で10分間、空気中で加熱した後、は
んだ濡れテストと引張り強度テストを行い、結果を表2
及び表3に示した。
50〜600℃)で10分間、空気中で加熱した後、は
んだ濡れテストと引張り強度テストを行い、結果を表2
及び表3に示した。
【0026】はんだ濡れテスト及び引張り強度テストは
以下の方法で行った。
以下の方法で行った。
【0027】(1)はんだ濡れテスト 5mm角、厚み0.1mmの鉛−5%すずはんだ箔をフ
ラックスなしで10mm角のメタライズパターンの中央
付近に置き、これを水素雰囲気にした環状炉(炉研工業
(株)製ガス雰囲気環状炉)内で315℃、1分間加熱
した。
ラックスなしで10mm角のメタライズパターンの中央
付近に置き、これを水素雰囲気にした環状炉(炉研工業
(株)製ガス雰囲気環状炉)内で315℃、1分間加熱
した。
【0028】メタライズパターン面積(100mm2)
中のはんだに濡れた面積の割合をサンプル5個について
測定し、平均値を求めた。
中のはんだに濡れた面積の割合をサンプル5個について
測定し、平均値を求めた。
【0029】(2)引張り強度テスト 1mm角のメタライズパターン上にはんだフラックス
(富士フラックス(株)FSR−101)を塗り、鉛−
すず共晶はんだ0.5mm角、厚み0.1mmをのせ、
この上にコーバル製の引張りテスト用ピン(ネールヘッ
ド1.0mmφ)を治具により固定し、ホットプレート
にて加熱してはんだ付けした。その後、引張り強度試験
機(東洋精機製作所製、ストログラフM2)で引張り強
度をサンプル5個について測定し、平均値を求めた。
(富士フラックス(株)FSR−101)を塗り、鉛−
すず共晶はんだ0.5mm角、厚み0.1mmをのせ、
この上にコーバル製の引張りテスト用ピン(ネールヘッ
ド1.0mmφ)を治具により固定し、ホットプレート
にて加熱してはんだ付けした。その後、引張り強度試験
機(東洋精機製作所製、ストログラフM2)で引張り強
度をサンプル5個について測定し、平均値を求めた。
【0030】
【表1】
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】比較例 実施例2において第3層を省略した以外は実施例2と同
じメタライズされたセラミックス基板を加熱した後、は
んだ濡れテストと引張り強度テストを行った。結果を表
2、表3に併記した。
じメタライズされたセラミックス基板を加熱した後、は
んだ濡れテストと引張り強度テストを行った。結果を表
2、表3に併記した。
Claims (1)
- 【請求項1】セラミックスの表面に、該セラミックスの
表面から順にチタンの層、ニッケルの層、銅又は銅−ニ
ッケル合金の層、及び金の層が夫々積層されてなる積層
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3075269A JP2971605B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3075269A JP2971605B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04308744A JPH04308744A (ja) | 1992-10-30 |
JP2971605B2 true JP2971605B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=13571339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3075269A Expired - Fee Related JP2971605B2 (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2971605B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4664705B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2011-04-06 | オリンパス株式会社 | 内視鏡の製造方法 |
CN113174575B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-04-07 | 西安交通大学 | 一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法 |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3075269A patent/JP2971605B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04308744A (ja) | 1992-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4959507A (en) | Bonded ceramic metal composite substrate, circuit board constructed therewith and methods for production thereof | |
JPS62207789A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 | |
CN111403347A (zh) | 一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构及其制备方法 | |
JP2009504547A (ja) | 金属セラミック基板 | |
JPH0525397B2 (ja) | ||
JP2019515852A (ja) | 銅−セラミックス複合材料 | |
JP2006527666A (ja) | セラミック金属基板の製造方法 | |
JP3890539B2 (ja) | セラミックス−金属複合回路基板 | |
JP2971605B2 (ja) | 積層体 | |
JPH0957487A (ja) | ろう材 | |
JP2019511993A (ja) | 銅−セラミックス複合材料 | |
JP2019515853A (ja) | 銅−セラミックス複合材料 | |
JPH0679995B2 (ja) | AlN基板のWメタライズ構造 | |
JPH1067586A (ja) | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 | |
JP2762007B2 (ja) | 金属薄膜積層セラミックス基板 | |
US6733822B2 (en) | Process for producing sintered aluminum nitride furnished with via hole | |
JPH0624880A (ja) | 金属−セラミックス複合体及びその製造方法 | |
JPH05191038A (ja) | 金属層を備えたセラミックス基板とその製造方法 | |
JPS61121489A (ja) | 基板製造用Cu配線シ−ト | |
JPH01201090A (ja) | セラミック用メタライズ組成物 | |
JP2019511992A (ja) | 銅−セラミックス複合材料 | |
JP2607699Y2 (ja) | 半導体装置用軽量基板 | |
KR20240106739A (ko) | 세라믹 기판 및 이를 포함하는 파워모듈 | |
JPS62182182A (ja) | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体 | |
JPH01194490A (ja) | セラミック配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |