JP2958905B2 - 半導体ウエハの揺動スライシング方法 - Google Patents

半導体ウエハの揺動スライシング方法

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JP2958905B2 JP6127856A JP12785694A JP2958905B2 JP 2958905 B2 JP2958905 B2 JP 2958905B2 JP 6127856 A JP6127856 A JP 6127856A JP 12785694 A JP12785694 A JP 12785694A JP 2958905 B2 JP2958905 B2 JP 2958905B2
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勝男 本田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は内周刃型スライシングマ
シンによる半導体ウエハの揺動スライシング方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、内周刃による半導体ウエハのスラ
イシングは、内周刃を回転させながら、半導体材料を切
断方向に送って前記半導体材料を内周刃で切断してい
る。しかし、このスライシング方法では、内周刃の内径
をD1 、外径をD2 とした場合の内周刃の内外径間の径
差〔(D2 −D1 )/2〕(以下、「有効刃わたり」と
称する)を、半導体材料の径Dよりも大きくしなければ
ならない。
【0003】前記内周刃は、圧延された帯状薄板をプレ
ス打抜きして形成されるものであり、内周刃は外観的に
は円形の為に方向性はないが、内在的には圧延方向とこ
れに直交する方向とに抗張力の差が生じている。この
為、内周刃径が大きくなると内周刃の張力調整が困難と
なる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、前記方法で
は、半導体材料の大口径化に伴い内周刃の内外径が大き
くなることにより、内周刃の剛性が低下して半導体エウ
ハの加工精度が低下すると共に、内周刃の張力調整が極
めて困難になるという欠点がある。本発明はこのような
事情に鑑みてなされたもので、内周刃の有効刃渡りを半
導体材料の径よりも小さくできる、半導体ウエハの揺動
スライシング方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決する為の手段】本発明に係る半導体ウエハ
の揺動スライシング方法の請求項1の発明は、前記目的
を達成する為に、半導体材料の1方向揺動の範囲で、前
記内周刃又は半導体材料の送り込み移動速度は、揺動開
始後に徐々に減速されて揺動終了直前に最小速度になる
ように減速され、最小速度に到達後は加速されて揺動終
了時には揺動開始時の速度に復帰することを特徴として
いる。
【0006】本発明に係る半導体ウエハの揺動スライシ
ング方法の請求項2の発明は、前記目的を達成する為
に、半導体材料の1方向揺動の範囲で、前記半導体材料
の揺動角速度は、揺動開始直後に加速されて揺動開始直
後に最大揺動角速度に到達し、最大揺動角速度に到達後
は徐々に減速されることを特徴としている。本発明に係
る半導体ウエハの揺動スライシング方法の請求項3の発
明は、前記目的を達成する為に、半導体材料の1方向揺
動の範囲で、前記内周刃又は半導体材料の送り込み移動
速度は、揺動開始後に徐々に減速されて揺動終了直前に
最小速度になるように減速され、最小速度に到達後は加
速されて揺動終了時には揺動開始時の速度に復帰し、前
記半導体材料の揺動角速度は、揺動開始直後に加速され
て揺動開始直後に最大揺動角速度に到達し、最大揺動角
速度に到達後は徐々に減速することを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明に係る半導体ウエハの揺動スライシング
方法の請求項1の発明によれば、半導体材料の1方向揺
動の範囲で、内周刃又は半導体材料の送り込み移動速度
は、揺動開始後に徐々に減速されて揺動終了直前に最小
速度になるように減速され、最小速度に到達後は加速さ
れて揺動終了時には揺動開始時の速度に復帰するので、
内周刃にかかる切断負荷が均一になる。
【0008】本発明に係る半導体ウエハの揺動スライシ
ング方法の請求項2の発明によれば、半導体材料の1方
向揺動の範囲で、半導体材料の揺動角速度は、揺動開始
直後に加速されて揺動開始直後に最大揺動角速度に到達
し、最大揺動角速度に到達後は徐々に減速されるので、
内周刃にかかる切断負荷が均一になる。本発明に係る半
導体ウエハの揺動スライシング方法の請求項3の発明に
よれば、半導体材料の1方向揺動の範囲で、内周刃又は
半導体材料の送り込み移動速度は、揺動開始後に徐々に
減速されて揺動終了直前に最小速度になるように減速さ
れ、最小速度に到達後は加速されて揺動終了時には揺動
開始時の速度に復帰し、前記半導体材料の揺動角速度
は、揺動開始直後に加速されて揺動開始直後に最大揺動
角速度に到達し、最大揺動角速度に到達後は徐々に減速
するので、内周刃にかかる切断負荷が均一になる。
【0009】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る半導体ウ
エハの揺動スライシング方法の好ましい実施例について
詳説する。図1は本発明の半導体ウエハの揺動スライシ
ング方法を実施する場合に使用される半導体ウエハのス
ライシング装置を一例として示しており、本発明の実施
にあたりこのスライシング装置に限定されるものではな
い。
【0010】内周刃10は、ドーナツ状に形成されたブ
レード12の内周縁にダイヤモンド砥粒が電着されて形
成される。前記内周刃10は、図示しないチャックボデ
ィにそのブレード12の外周縁が張り上げられると共
に、図示しないスピンドルからの回転力により矢印A方
向に回転可能となっている。また、内周刃10は、前記
スピンドルと共に移動架台16に保持される。
【0011】前記移動架台16は、内周刃10の両側に
平行に配設されたレール18、18に沿って矢印B方向
に移動可能に載置されており、制御部20からの指令信
号によって図示しないモータを介して駆動されるように
なっている。前記内周刃10内には、ワーク(半導体材
料)22が配置される。ワーク22は、スライシング装
置本体に固定された梁部材23にその軸芯を中心に回転
自在に配置される。即ち、ワーク22の上端部22aに
はプーリ24が連結され、このプーリ24はモータ2
5、ベルト26から成る揺動機構に接続されている。前
記モータ25は前記梁部材23に固定されている。ま
た、前記モータ25は、前述した制御部20からの指令
信号によって駆動されるようになっている。
【0012】次に、前記の如く構成された半導体ウエハ
のスライシング装置は、内周刃10を矢印A方向に回転
させた状態で、制御部20で移動架台16を矢印B方向
に送って、ワーク22に内周刃10の砥石14を押し付
けると共に、モータ25を駆動してワーク22をその軸
芯を中心に左右に交互に揺動し、切断する。図2は、図
1で示した半導体ウエハのスライシング装置で切断され
た半導体ウエハの切断軌跡を示しており、内周刃10が
B方向に送り込み移動されると共に1ワーク22が図2
上で右方向Rに揺動されて切断されると最初に切断軌跡
R1として切断される。次に、ワーク22がB方向に送
り込み移動されると共に、図2上で左方向Lに揺動され
て切断されると、切断軌跡L1として切断される。以下
同様にしてR2→L2→R3→L3…の順で切断され
る。
【0013】図3は、左又は右方向への1揺動での切断
量と揺動位置との関係を示し、図4はこの1揺動での揺
動位置と内周刃10(又はワーク22)の送り込み移動
速度との関係を示している。図4の2点鎖線に示すよう
に1揺動に於いて送り込み移動速度が一定速度で切断す
ると、図3の2点鎖線で示すように1揺動終了直前に、
切断量は急激に上昇する。これは、図5に示すように、
湾曲した内周刃10で円柱体を切断する特性上1揺動開
始位置では内周刃は既に切断された切溝を移動するので
切断負荷はほとんどかからず、1揺動の後半部分から切
り始めることに起因する。
【0014】図4の実線で示すように、1揺動での内周
刃10の送り込み移動速度を、揺動開始後に徐々に減速
されて揺動終了直前に最小速度になるように減速され、
最小速度に到達後は加速されて揺動終了時には揺動開始
時の速度に復帰するようにコントロールする。このよう
に内周刃10の送り込み移動速度をコントロールする
と、図3の実線で示すように、最大切断量のピーク値の
山がなだらかになる。この結果、内周刃10の切断仕事
量も均一になり、また切断時の急激な負荷もかからない
ので、内周刃10の製品寿命が延びる。またウエハの反
りもなくなりウエハ切断面の品質も良くなる。
【0015】図6は、1揺動位置での切断量を示し、図
7は1揺動位置での揺動角速度を示している。図7の2
点鎖線で示すように揺動角速度が一定であると、図6の
実線で示すように切断量は揺動終了直前に急激に上昇す
る。これは、図5に示すように、湾曲した内周刃10で
円柱体を切断する特性上、1揺動開始位置では内周刃は
既に切断された切溝を移動するので切断負荷はほとんど
かからず、1揺動の後半部分から切り始めることに起因
する。
【0016】図7の実線で示すように前記ワーク22の
揺動角速度を、揺動開始直後に加速されて揺動開始直後
に最大揺動角速度に到達し、最大揺動角速度に到達後は
徐々に減速されるようにコントロールすると、図6の実
線で示すように切断量のピーク値はなだらかになり、チ
ッピング、反り、加工ひずみが生じなくなる。前記実施
例では、1揺動での内周刃10(又はワーク22)の送
り込み移動速度、ワーク22の揺動角速度を単独でコン
トロールしたが、これに限定されるものでなく、送り込
み移動速度と揺動角速度とを組合せてコントロールして
もよい。
【0017】即ち送り込み移動速度と揺動角速度とを組
合せて、前記内周刃10又はワーク22の送り込み移動
速度は、揺動開始後に徐々に減速されて揺動終了直前に
最小速度になるように減速され、最小速度に到達後は加
速されて揺動終了時には揺動開始時の速度に復帰し、前
記ワーク22の揺動角速度は、揺動開始直後に加速され
て揺動開始直後に最大揺動角速度に到達し、最大揺動角
速度に到達後は徐々に減速してもよい。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハの揺動スライシング方法によれば、内周刃にかか
る切断負荷が均一となり、内周刃の製品寿命が向上する
と共にウエハの反りがなくなってウエハの品質も向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施に用いられる半導体ウエハのスラ
イシング装置を示す説明図
【図2】図1で示した半導体ウエハのスライシング装置
で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第1の実施
【図3】揺動位置での切断量を示す説明図
【図4】揺動位置での内周刃の送り込み移動速度を示す
説明図
【図5】内周刃で円柱体を切断する場合の特性を示す説
明図
【図6】揺動位置での切断量を示す説明図
【図7】揺動位置でのワークの揺動角速度を示す説明図
【符号の説明】
10…内周刃 12…ブレード 16…移動架台 18…レール 20…制御部 22…ワーク 25…モータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304 611 B28D 5/02 B23D 45/08

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転する内周刃と円柱状の半導体材料と
    の間で相対的に送り込み移動すると共に、前記半導体材
    料をその軸芯を中心に複数回両方向に揺動して半導体ウ
    エハを切断する半導体ウエハの揺動スライシング方法に
    於いて、 前記半導体材料の1方向揺動の範囲で、前記内周刃又は
    半導体材料の送り込み移動速度は、揺動開始後に徐々に
    減速されて揺動終了直前に最小速度になるように減速さ
    れ、最小速度に到達後は加速されて揺動終了時には揺動
    開始時の速度に復帰することを特徴とする半導体ウエハ
    の揺動スライシング方法。
  2. 【請求項2】 回転する内周刃と円柱状の半導体材料と
    の間で相対的に送り込み移動すると共に、前記半導体材
    料をその軸芯を中心に複数回両方向に揺動して半導体ウ
    エハを切断する半導体ウエハの揺動スライシング方法に
    於いて、 前記半導体材料の1方向揺動の範囲で、前記半導体材料
    の揺動角速度は、揺動開始直後に加速されて揺動開始直
    後に最大揺動角速度に到達し、最大揺動角速度に到達後
    は徐々に減速されることを特徴とする半導体ウエハの揺
    動スライング方法。
  3. 【請求項3】 回転する内周刃と円柱状の半導体材料と
    の間で相対的に送り込み移動すると共に、前記半導体材
    料をその軸芯を中心に複数回両方向に揺動して半導体ウ
    エハを切断する半導体ウエハの揺動スライシング方法に
    於いて、 前記半導体材料の1方向揺動の範囲で、 前記内周刃又は半導体材料の送り込み移動速度は、揺動
    開始後に徐々に減速されて揺動終了直前に最小速度にな
    るように減速され、最小速度に到達後は加速されて揺動
    終了時には揺動開始時の速度に復帰し、 前記半導体材料の揺動角速度は、揺動開始直後に加速さ
    れて揺動開始直後に最大揺動角速度に到達し、最大揺動
    角速度に到達後は徐々に減速することを特徴とする半導
    体ウエハの揺動スライシング方法。
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