JP2955941B2 - Processing device and processing method - Google Patents

Processing device and processing method

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JP2955941B2
JP2955941B2 JP1327594A JP32759489A JP2955941B2 JP 2955941 B2 JP2955941 B2 JP 2955941B2 JP 1327594 A JP1327594 A JP 1327594A JP 32759489 A JP32759489 A JP 32759489A JP 2955941 B2 JP2955941 B2 JP 2955941B2
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【産業上の利用分野】 この発明は、例えば、半導体ウェーハなどの被処理基
板の処理装置及び処理方法に関する。
The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.
【従来の技術】[Prior art]
半導体ウェーハプロセスにおいて、酸化、拡散、CVD
等の熱処理には熱処理装置が用いられる。この熱処理装
置で行なう成膜工程、熱拡散工程等の前には、殆どと言
ってよいほど前処理としてウェーハ洗浄(ウェット洗
浄)が行われる。このウェーハ洗浄は、各種汚染の除去
と、自然酸化膜の除去等のために行われるもので、一般
に専用のウェーハ洗浄装置が使用される。 そして、このウェーハ洗浄装置で洗浄されたウェーハ
は、複数枚例えば25枚毎にウェーハ収納具としてのキャ
リアに収納され、このキャリアが熱処理装置に搬送され
る。 熱処理装置では、枚葉式処理の場合には、1枚ごとに
ウェーハがキャリアから取り出されて、保持具としての
ウェーハチャックに移し替えられ、このウェーハチャッ
クにおいて処理がなされ、バッチ式処理の場合には、例
えば複数キャリア分の複数枚のウェーハが、保持具とし
ての熱処理用ボート又はウェーハホルダーに移し替えら
れ、このボート又はウェーハホルダーに収容した状態で
熱処理がなされる。
Oxidation, diffusion, CVD in semiconductor wafer process
A heat treatment apparatus is used for heat treatment such as the above. Before the film forming step, the thermal diffusion step, and the like performed by this heat treatment apparatus, wafer cleaning (wet cleaning) is performed as a pretreatment, almost as a pretreatment. This wafer cleaning is performed for the purpose of removing various contaminants and natural oxide films, and a dedicated wafer cleaning apparatus is generally used. Then, a plurality of wafers, for example, 25 wafers cleaned by the wafer cleaning apparatus are stored in a carrier as a wafer storage tool, and the carrier is transferred to a heat treatment apparatus. In the heat treatment apparatus, in the case of single-wafer processing, each wafer is taken out of a carrier and transferred to a wafer chuck as a holder, and the wafer chuck is processed. For example, a plurality of wafers for a plurality of carriers are transferred to a heat treatment boat or wafer holder as a holder, and heat treatment is performed in a state of being accommodated in the boat or wafer holder.
【発明が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the invention]
ところで、ウェーハ洗浄は、各種汚染の除去及び自然
酸化膜の除去が目的であるため、ウェーハ洗浄が完了し
た後、極力短時間で熱処理工程を行なうようにすること
が望ましい。 ところが、前述したように洗浄装置と熱処理装置とは
別個であるため、キャリアによるウェーハ搬送が必要
で、その搬送時間の間に、ウェーハに自然酸化膜が成長
してしまう。このため、従来は熱処理装置、例えば成膜
装置内でウェーハ表面のプラズマクリーニングをした
り、そのまま処理していた。しかし、プラズマクリーニ
ングはウェーハのダメージの原因になる欠点があり、ま
た、そのまま処理したのでは、自然酸化膜により電気的
特性不良等の原因になる欠点があった。 この発明は、以上の点に鑑み、収納具の保持具との間
で被処理基板の移し替えの部分に洗浄機能を付加するこ
とにより以上の欠点を一掃したものである。
By the way, since the purpose of wafer cleaning is to remove various contaminants and the removal of a natural oxide film, it is desirable to perform the heat treatment step as short as possible after the wafer cleaning is completed. However, as described above, since the cleaning device and the heat treatment device are separate from each other, it is necessary to transfer the wafer by a carrier, and a natural oxide film grows on the wafer during the transfer time. For this reason, conventionally, plasma cleaning of the wafer surface is performed in a heat treatment apparatus, for example, a film forming apparatus, or the processing is performed as it is. However, the plasma cleaning has a drawback that causes damage to the wafer, and if it is processed as it is, there is a drawback that the natural oxide film causes electrical characteristic failure and the like. In view of the above, the present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks by adding a cleaning function to a portion for transferring a substrate to and from a holder of a storage tool.
【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]
この発明は、 被処理基板を、搬送用の収納具から、上記被処理基板
を複数枚保持して処理室内で所定の処理するための保持
具に移し替えた後、上記被処理基板を保持した上記保持
具を上記処理室内に搬入して処理する工程を、一貫し
て、壁により囲われた空間内において行うようにする処
理装置において、 複数枚の上記被処理基板を、上記収納具から、取り出
して保持するチャック手段と、 上記チャック手段を、上記収納具の配置位置と上記保
持具の配置位置との間を移動させるチャック移動手段
と、 上記チャック移動手段による上記チャック手段の移動
経路に沿った位置に設けられる洗浄手段および乾燥手段
と、 を備え、 上記チャック移動手段により、上記チャック手段を、
上記収納具の配置位置から上記保持具の配置位置へ移動
させて上記チャック手段により保持された上記複数枚の
被処理基板の移し替えを行うと共に、上記チャック手段
の移動の途中において、上記保持具に移し替える前の上
記複数枚の被処理基板を、上記洗浄手段および上記乾燥
手段で洗浄および乾燥を行うようにした ことを特徴とする。
In the present invention, the substrate to be processed is transferred from a storage device for transfer, to a holder for holding a plurality of the substrates to be processed and performing a predetermined process in a processing chamber, and then holding the substrate to be processed. In a processing apparatus in which the step of carrying the holding tool into the processing chamber and performing the processing is performed consistently in a space surrounded by a wall, a plurality of the substrates to be processed are stored in the storage tool, A chuck means for taking out and holding; a chuck moving means for moving the chuck means between an arrangement position of the storage tool and an arrangement position of the holding tool; and a moving path of the chuck means by the chuck moving means. Cleaning means and drying means provided at a predetermined position, and the chuck moving means,
The plurality of substrates to be processed held by the chucking means are moved from the placement position of the storage tool to the placement position of the holding tool, and the holding tool is moved during the movement of the chucking means. The plurality of substrates to be processed before being transferred to the above are cleaned and dried by the cleaning means and the drying means.
【作用】[Action]
収納具例えばキャリアから、保持具例えばボートに被
処理基板を移し替える間に、洗浄手段によって被処理基
板が洗浄される。そして、保持具に移し替えられた洗浄
直後の被処理基板は、即座に処理に供される。 また、例えばアッシング処理の終了した被処理基板
を、保持具から収納具に移し替える際に、洗浄手段によ
って洗浄が行なわれ、収納具には洗浄済の被処理基板が
収納される。このため、アッシング処理後の洗浄装置は
不要である。
The substrate to be processed is cleaned by the cleaning means while the substrate to be processed is transferred from a storage device, for example, a carrier, to a holder, for example, a boat. Then, the substrate to be processed immediately after the cleaning, which has been transferred to the holder, is immediately subjected to processing. Further, for example, when transferring the substrate to be processed, which has been subjected to the ashing process, from the holder to the storage device, cleaning is performed by the cleaning unit, and the processed substrate to be cleaned is stored in the storage device. Therefore, a cleaning device after the ashing process is unnecessary.
【実施例】【Example】
以下、この発明による処理装置の一実施例を、熱処理
装置の場合を例にとって、図を参照しながら説明する。 この例の熱処理装置は、第1図に示すように、被処理
基板例えば半導体ウェーハを複数枚、例えば25枚収納す
るウェーハキャリアを複数個収納可能なキャリアストッ
カ1と、上記ウェーハキャリアと、ウェーハを複数枚例
えば100〜150枚搭載可能な熱処理用石英製ウェーハボー
トとの間で上記ウェーハを移し替えるとともに、その移
し替えの間にウエット洗浄を行なう洗浄機付移し替え機
構2と、上記ボートを多段例えば4段に収容し、上記ボ
ートを各対応した熱処理室内へ搬入出する搬送機構3
と、この搬送機構3と上記洗浄機付移し替え機構2との
間で、上記ボートの移送をするエレベータ4と、上記4
段構成の搬送機構3に対応する如く多段例えば4段に構
成され所望の酸化,拡散,CVD処理等が可能な上記熱処理
室を備えた炉体5と、この炉体5の上記各熱処理室に所
定の処理ガスを供給するためのガス供給源6とから構成
されている。 上記キャリアストッカ1には、多段的にキャリア設置
板(図示せず)が取付けられており、各キャリア設置板
には、各々複数個例えば4個の上記キャリアを設置可能
としている。 そして、キャリア設置板の間を昇降可能なキャリア保
持体(図示せず)が設けられ、キャリア設置板に設置さ
れる複数個例えば4個のキャリアを一括に把持可能とな
っており、この把持により上記キャリアを所望する位置
に移動可能としている。 上記洗浄機付移し替え機構2は、後述するように、上
記キャリアをキャリアストッカ1からスライド搬送する
搬送部と、上記キャリアから複数枚のウェーハを取り出
すための突き上げ機構と、取り出されたウェーハを保持
する保持部と、保持部に保持した状態でウェーハをウエ
ット洗浄する洗浄部と、保持部からウェーハをボートに
移し替える移し替え部を有している。 第2図に、この洗浄機付移し替え機構2の一実施例を
示す。 ボックス形のハウジング11上には、キャリア401,402,
403,404が置かれるキャリアステージ12及びボート41が
置かれるボートステージ13が同一線上に位置するように
設けられている。また、前記ハウジング11の側壁には並
置して操作パネル(図示せず)が設けられている。ま
た、キャリアステージ12とボートステージ13との間の経
路には、洗浄液によってウェット洗浄する洗浄槽14と、
水洗槽15と、乾燥槽16とが、順次インライン配列されて
いる。 洗浄槽14では、複数枚のウェーハを例えば、NH4OH,H2
O2,H2O(又はHF、H2O)からなる薬液により、ウェット
洗浄を行い、水洗槽15では、例えば清浄な(超)純水に
より薬液を洗浄して除去し、乾燥槽16では洗浄したウェ
ーハを乾燥する。 前記キャリアステージ12には、搬送部(図示せず)に
より複数個のキャリアが搬送されてくる。また、このキ
ャリアステージ12には、後述する突き上げ機構の押上板
出没用穴17が、載置されるべきキャリアに対応して開口
されている。この穴17内には、第3図に示すように突き
上げ機構18が前記キャリアステージ12に載置されるべき
キャリア401,402,403,404に対応して複数設けられてい
る。なお、第3図中では、突き上げ機構18を一つのみ示
し、他のものを省略した。 この突き上げ機構18は、上下動する複数、例えば25本
のピストン19を有するシリンダ20と、円弧状の溝を有す
る複数の押上板21とから構成されている。この複数の押
上板21は、各ピストン19の上端にそれぞれ取着され、各
ピストン19の上下動作により、キャリアステージ12の穴
17を通して出没する。 キャリアステージ12、ボートステージ13及び洗浄槽1
4,水洗槽15,乾燥槽16より手前側の前記ハウジング11に
は、長穴22が開孔されている。この長孔22の下方には、
第3図に示すように、2本のガイド軸23a、23bが互いに
平行となるように配設されている。これらガイド軸23
a、23b上には、摺動テーブル24が載置されている。この
摺動テーブル24上には、係合板25が立設され、且つ、こ
の係合板25には上記ガイド軸23a、23bと平行に配置され
たボールネジ26が螺合されている。 ボールネジ26の一端は、支持板27に軸支され、且つ、
他端はパルスモータ28に連結されている。このパルスモ
ータ28は、モータ駆動回路29に接続され、且つ、このモ
ータ駆動回路29は操作パネルに設けられた制御機構30に
接続されている。 したがって、制御機構30から所定の信号をモータ駆動
回路29に出力することによりパルスモータ28が駆動し、
このパルスモータ28と連結されたボールネジ26が回転す
る。ボールネジ26の回転により、このボールネジ26に係
合板25を介して係合された摺動テーブル24が、2本のガ
イド軸23a,23bに沿って移動する。 そして、摺動テーブル24上には、上下動する一対のピ
ストン31a,31bを有するシリンダ32が設けられている。
これらピストン31a,31bの上端には、チャック駆動機構3
3が設けられている。このチャック駆動機構33は、本体3
4と、この本体34から水平方向に延びる前進・後退が自
在な4本の作動軸35a〜35dと、上記本体34内に挿入され
た、各作動軸35a〜35dの後端に設けられ、各作動軸35a,
35bと35c,35dとを互いに反対方向に駆動する歯車系(図
示せず)と、この歯車系を回転させるモータ(図示せ
ず)とから構成されている。 また、上記チャック駆動機構33には、ウェーハチャッ
ク36が取付けられている。このウェーハチャック36は、
互いに平行して対向配置された一対の開閉板37a,37bを
備えている。そして、本体34に近い側に位置する一方の
開閉板37aは、前記4本の作動軸35a〜35d中の同一方向
に動作する2本(例えば35a,35b)の先端に支持されて
いる。また、他方の開閉板37bは、一方の開閉板37aを貫
通し、同一方向に動作する残り2本の動作軸35c,35dの
先端に支持されている。 また、各開閉板37a,37bの下端の内面には、それぞれ
ウェーハを保持する保持部38a,38bが設けられている。
これら保持部38a,38bの内面には、その上端から下端に
延びる複数の爪が、例えばキャリアのピッチ(3/16イン
チピッチ)の倍ピッチ(3/8インチピッチ)で形成され
ている。 このようにしたチャック駆動機構33において、このチ
ャック駆動機構33のモータを作動すると、本体34に近い
側のウェーハチャック36の開閉板37aを支持する2本の
作動軸35a,35bが後退し、他方の開閉板37bを支持する2
本の作動軸35c,35dが前進して一対の開閉板37a,37bが開
かれる。また、それぞれの開閉板37a,37bを支持する作
動軸35a,35bと35c,35dとを前記と反対方向に動作させる
と、一対の開閉板37a,37bが閉じられる。なお、前記シ
リンダ20,32及びチャック駆動機構33は、前記ボールネ
ジ26を回転させるパルスモータ28とともに前記操作パネ
ルに設けられた制御機構30からのプログラミング信号に
より必要なタイミングで動作する。 この移し替え機構2は、上記キャリアストッカ1と同
様に、上記搬送機構3の前面に配置されている。これ
は、例えば上記移し替え機構2の一部の上方に、上記キ
ャリアストッカ1が配置された状態で、上記搬送機構3
の前面に配置されている。 また、上記エレベータ4は、昇降及び水平状態で前後
に移動するアームを備えており、このアームにより上記
ボート41を搬送可能としている。 また、上記搬送機構3は、多段、例えば4段構造で、
この各段で独立した搬送機構例えばソフトランディング
機構が設けられている。 また、上記炉体5には、上記多段の搬送機構3に対応
する如く、多段、例えば4段の熱処理室が設けられてい
る。この熱処理室は、例えば石英からなる反応管にコイ
ル状のヒーターが巻回されている。この反応管内の排気
及び熱排気を行うために、上記搬送機構3と上記熱処理
室との結合部にはスカベンジャー7が設けられている。
また、上記熱処理室の上記スカベンジャー7側と異なる
端部には、ガス供給源6からの供給管が接続され、上記
熱処理室内に所望の反応ガスを供給可能としている。 また、ガス供給源6は、所望する反応ガス及びキャリ
アガス等の流量及びガスの切換え制御が可能な如く設け
られている。 以上のようにして、熱処理装置が構成されている。 次に、上述した熱処理装置の動作作用を説明する。 まず、複数枚の未処理ウェーハを収納したキャリア
を、自動搬送ロボットあるいは、人手によりキャリアス
トッカ1に搬入する。次に、このキャリアストッカ1に
収納されている複数個、例えば4個のキャリア401,402,
403,404を洗浄機付移し替え機構2に、例えばスライド
搬送する。洗浄機付移し替え機構2における動作を、第
2図〜第8図を参照して以下説明する。 まず、第2図及び第4図に示すように、ハウジング11
のキャリアステージ12上に、25枚のウェーハ39が標準ピ
ッチ(3/16インチピッチ)で収納された4個のキャリア
401〜404を各突き上げ機構18の真上に、それぞれ位置す
るように設置する。また、複数(例えば100個)の溝が
倍ピッチ(3/8インチピッチ)で切り込まれた石英ボー
ト41を図示しない搬送装置によりハウジング11のボート
ステージ13上に設置する。 次いで、制御機構30から駆動回路29に所定の信号を出
力してパルスモータ28を所定時間回転し、このパルスモ
ータ28に連結されたボールネジ26を回転させる。これに
より、ボールネジ26に係合板25を介して係合された摺動
テーブル24がガイド軸23a,23bに沿って移動し、摺動テ
ーブル24にシリンダ32及びチャック駆動機構33を介して
支持固定されたウェーハチャック36を1番目のキャリア
401の真上に位置させる(第5図参照)。 次いで、突き上げ機構18のシリンダ20を駆動して、左
端から13本のピストン19を上昇させ、各ピストン19の先
端に取着した押上板21を上昇させる。これにより、各押
上板21はキャリアステージ12の穴17を通り、それらの上
部の円弧状の溝内でキャリア401内に収納した13枚のウ
ェーハ39をそれぞれ受け止め、各ウェーハ39を各押上板
21とともに開状態のウェーハチャック36を通して、その
上方に移行させる(第6図参照)。 次いで、チャック駆動機構33のモータを回転して、ウ
ェーハチャック36におけるチャック駆動機構33に近い側
の開閉板37を支持する2本の作動軸35a,35bを前進さ
せ、他方の開閉板37bを支持する2本の作動軸35c,35dを
後退させて、一対の開閉板37a,37bを閉じる(第7図参
照)。続いて、突き上げ機構18のシリンダ20を駆動して
左端のピストン19を下降させ、このピストン19の先端に
取着した押上板21を下降させる。押上板21がウェーハチ
ャック36の閉状態の開閉板37a,37b間を下降する際に、
押上板21に受け止められたウェーハ39は開閉板37a,37b
の保持部38a,38bに形成された左端の爪間の溝に係合さ
れる(第8図参照)。 次いで、制御機構30から駆動回路29に所定の信号を出
力してパルスモータ28を所定時間回転し、このパルスモ
ータ28に連結されたボールネジ26を回転させることによ
り、ウェーハチャック36をキャリア401の溝ピッチ(3/1
6インチピッチ)とウェーハチャック36の爪間の溝ピッ
チ(3/8インチピッチ)の差に相当する距離(3/16イン
チピッチ)だけ移動させて左から2番目の押上板21に受
け止められたウェーハ39をウェーハチャック36の左端か
ら2番目の爪間の溝に合致させるようにする。続いて、
突き上げ機構18のシリンダ20を駆動して左端から2番目
のピストン19を下降させ、このピストン19の先端に取着
した押上板21をウェーハチャック36の閉状態の開閉板37
a,37b間を下降させて、その押上板21に受け止められた
ウェーハ39を開閉板37a,37bの保持部38a,38bに形成され
た左端から2番目の爪間の溝に係合させる。この後、同
様なウェーハチャック36の左方向への3/16インチピッチ
分の距離の移動、3番目以降の押上板21の下降を繰り返
すことによって、13枚のウェーハ39をウェーハチャック
36に形成されたキャリア401の溝ピッチの倍ピッチで爪
間の溝に係合させる。 次いで、摺動テーブル24上のシリンダ32を駆動して、
ピストン31a,31bを上昇させて、ウェーハチャック36を
所定の位置まで持ち上げる。続いて、制御機構30から駆
動機構29に所定の信号を出力して、パルスモータ28を所
定時間回転し、このモータ28に連結されたボールネジ26
を回転させることにより、摺動テーブル24をガイド軸23
a,23bに沿って移動させ、この摺動テーブル24にシリン
ダ32及びチャック駆動機構33等を介して支持固定された
ウェーハチャック36を洗浄槽14の真上に位置させる。 そして、シリンダ32を駆動して、ピストン31a,31bを
下降させて、チャック駆動機構33に支持されたウェーハ
チャック36を洗浄槽14内に浸漬する。洗浄槽14には、NH
4OH、H2O2、H2O(又はHF、H2O)からなる薬液が入って
いるので、ウェーハ39の自然酸化膜が洗浄されて除去さ
れる。 この洗浄が終了すると、再び、シリンダ32を駆動し
て、ピストン31a,31bを上昇させて、ウェーハチャック3
6を持ち上げ、洗浄槽14から取り出す。続いて、制御機
構30から駆動機構29に所定の信号を出力して、パルスモ
ータ28を所定時間回転し、ボールネジ26を回転させるこ
とにより摺動テーブル24をガイド軸23a,23bに沿って移
動させ、ウェーハチャック36を水洗槽15の真上に位置さ
せる。 そして、シリンダ32を駆動して、ピストン31a,31bを
下降させて、ウェーハチャック36を水洗槽15内に入れ
る。そして、この水洗槽15において、例えば蒸留水によ
って、ウェーハに付着した薬液を洗い流す。 この水洗洗浄が終了すると、再びシリンダ32を駆動し
て、ピストン31a,31bを上昇させて、ウェーハチャック3
6を持ち上げ、水洗槽15から取り出す。続いて、制御機
構30から駆動機構29に所定の信号を出力して、パルスモ
ータ28を所定時間回転し、ボールネジ26を回転させるこ
とにより摺動テーブル24をガイド軸23a,23bに沿って移
動させ、ウェーハチャック36を乾燥槽16の真上に位置さ
せる。 そして、シリンダ32を駆動して、ピストン31a,31bを
下降させて、ウェーハチャック36を乾燥槽16内に入れ、
水洗したウェーハを乾燥させる。 感想が終了すると、再びシリンダ32を駆動して、ピス
トン31a,31bを上昇させて、ウェーハチャック36を持ち
上げ、乾燥槽15から取り出す。続いて、制御機構30から
駆動機構29に所定の信号を出力して、パルスモータ28を
所定時間回転し、ボールネジ26を回転させることにより
摺動テーブル24をガイド軸23a,23bに沿って移動させ、
ウェーハチャック36を石英ボート41の前段側の真上に位
置させる。 そして、シリンダ32を駆動して、ピストン31a,31bを
下降させて、ウェーハチャック36を石英ボート41内の位
置まで下降させる。これにより、ウェーハチャック36に
保持された洗浄済みの13枚のウェーハを、この石英ボー
ト41の倍ピッチ(3/8インチピッチ)で加工された溝に
係合されて移し替えがなされる。 こうして、1番目のキャリア401内の13枚のウェーハ
の移し替え動作が終了した後、シリンダ32のピストン31
a,31bによるウェーハチャック36の上昇、パルスモータ2
8の回転によるテーブル24の移動、ウェーハチャック36
の前記1番目のキャリア401上への移動、シリンダ32の
ピストン31a,31bによるウェーハチャック36の下降を行
なって1番目のキャリア401に残存した12枚のウェーハ3
9の移し替えの準備を行なう。続いて、前記と同様な工
程により、キャリア401内の12枚のウェーハ39をウェー
ハチャック36の倍ピッチの爪間に係合させる。この後、
前記と同様な工程により、ウェーハチャック36の上昇、
水平方向への移動、下降により、ウェーハチャック36に
倍ピッチで保持された12枚のウェーハを、洗浄槽14,水
洗槽15,乾燥槽16を介して、ウェット洗浄動作を行った
後、石英ボート41の既に移し替えがなされた領域の左側
に移し替えを行なう。 次いで、2番目のキャリア402に収納されたウェーハ3
9に対しても、同様の操作を行なうことによって、2個
のキャリア401,402内に収納された50枚のウェーハ39を
全て、洗浄した後、石英ボート41の倍ピッチ(3/8イン
チピッチ)で加工された溝に係合させて、移し替えを行
なう。 同様にして、石英ボート41にキャリア403、404のウェ
ーハを洗浄して移し替えを行なう。 以上の移し替えにより、複数枚例えば100枚のウェー
ハを搭載したボート41を、エレベータ4のアームにより
所望する段の搬送機構3内に搬送する。 そして、上記ボート41を炉体5内のそれぞれ対応する
熱処理室内に挿入し、所望の熱処理が行われる。この熱
処理が終了したウェーハは、ボート41から空キャリア内
に移し替えられ、上記キャリアストッカ内に収納あるい
は外部に搬送される。 上記の実施例では、搬送機構3にソフトランディング
機構を用いて説明したが、搬送機構は、これに限定され
るものではなく、例えばボートローダー、カンチレバー
等を用いても同様に行なうことができる。また、処理室
は複数室ではなく、1室であってもよい。 以上述べたように、図の実施例によれば、キャリア40
1〜404からボート41に移し替える際に、ウェーハをウェ
ーハチャック36で保持した状態で、ウェット洗浄を行な
い、洗浄した直後に、ウェーハをボート41に搭載するこ
とができるので、洗浄から長時間を経ずに、成膜処理や
拡散、酸化等の処理を行なうことができる。 なお、以上の例は、処理前のウェーハを洗浄する場合
であるが、例えばアッチング工程のように、アッシング
処理した後、さらにウェット洗浄する場合のように、処
理後に、ボートからキャリアにウェーハを移し替える場
合にも、この発明は適用可能である。 また、被処理基板では、ウェーハに限らず、例えばLC
D基板等であっても良いことはもちろんである。
Hereinafter, an embodiment of a processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings, taking a case of a heat treatment apparatus as an example. As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus of this example includes a carrier stocker 1 capable of accommodating a plurality of wafer carriers for accommodating a plurality of substrates to be processed, for example, semiconductor wafers, for example, 25 wafers, the wafer carrier, and the wafer. A transfer mechanism 2 with a washing machine for transferring the wafers to and from a quartz wafer boat for heat treatment capable of mounting a plurality of, for example, 100 to 150, and performing wet cleaning during the transfer, and a multi-stage For example, a transport mechanism 3 that accommodates the boats in four stages and carries the boat into and out of the corresponding heat treatment chamber.
An elevator 4 for transferring the boat between the transfer mechanism 3 and the transfer mechanism 2 with a washing machine;
A furnace body 5 provided with the above-mentioned heat treatment chambers configured in multiple stages, for example, four stages, corresponding to the transfer mechanism 3 having a stage structure and capable of performing desired oxidation, diffusion, CVD processing, etc. And a gas supply source 6 for supplying a predetermined processing gas. Carrier installation plates (not shown) are attached to the carrier stocker 1 in multiple stages, and a plurality of, for example, four carriers can be installed on each carrier installation plate. A carrier holder (not shown) that can move up and down between the carrier setting plates is provided, and a plurality of, for example, four carriers set on the carrier setting plate can be collectively gripped. Can be moved to a desired position. As described later, the transfer mechanism with a washing machine 2 includes a transport unit that slides and transports the carrier from the carrier stocker 1, a push-up mechanism for removing a plurality of wafers from the carrier, and a holding mechanism for the removed wafer. And a transfer unit for transferring the wafer from the holding unit to the boat. FIG. 2 shows an embodiment of the transfer mechanism 2 with a washing machine. On the box-shaped housing 11, carriers 40 1 , 40 2 ,
40 3, 40 4 boat stage 13 where the carrier stage 12 and the boat 41 is placed is provided so as to be positioned on the same line are placed. An operation panel (not shown) is provided on the side wall of the housing 11 side by side. Further, a path between the carrier stage 12 and the boat stage 13 includes a cleaning tank 14 for performing wet cleaning with a cleaning liquid,
The washing tank 15 and the drying tank 16 are sequentially arranged in-line. In the cleaning tank 14, a plurality of wafers are, for example, NH 4 OH, H 2
O 2 , H 2 O (or HF, H 2 O) is used to perform wet cleaning with a chemical solution, and in the washing tank 15, the chemical solution is washed and removed with, for example, clean (ultra) pure water. Dry the washed wafer. A plurality of carriers are transported to the carrier stage 12 by a transport unit (not shown). In addition, the carrier stage 12 has a push-up plate retracting hole 17 of a push-up mechanism, which will be described later, opened corresponding to the carrier to be placed. Within this bore 17 is provided in a plurality corresponding to the third carrier 40 1 to be placed on the push-up mechanism 18 is the carrier stage 12 as shown in FIG, 40 2, 40 3, 40 4. In FIG. 3, only one push-up mechanism 18 is shown, and the other is omitted. The push-up mechanism 18 includes a cylinder 20 having a plurality of, for example, 25 pistons 19 that move up and down, and a plurality of push-up plates 21 having an arc-shaped groove. The plurality of push-up plates 21 are respectively attached to the upper ends of the respective pistons 19, and the upper and lower operations of the respective pistons 19 cause the holes of the carrier stage 12 to be moved.
Haunts through 17. Carrier stage 12, boat stage 13 and washing tank 1
4. An elongated hole 22 is formed in the housing 11 on the front side of the washing tank 15 and the drying tank 16. Below this slot 22,
As shown in FIG. 3, two guide shafts 23a and 23b are disposed so as to be parallel to each other. These guide shafts 23
A sliding table 24 is mounted on a and 23b. An engagement plate 25 is provided upright on the slide table 24, and a ball screw 26 arranged in parallel with the guide shafts 23a and 23b is screwed to the engagement plate 25. One end of the ball screw 26 is pivotally supported by the support plate 27, and
The other end is connected to a pulse motor 28. The pulse motor 28 is connected to a motor drive circuit 29, and the motor drive circuit 29 is connected to a control mechanism 30 provided on an operation panel. Therefore, the pulse motor 28 is driven by outputting a predetermined signal from the control mechanism 30 to the motor drive circuit 29,
The ball screw 26 connected to the pulse motor 28 rotates. By the rotation of the ball screw 26, the sliding table 24 engaged with the ball screw 26 via the engagement plate 25 moves along the two guide shafts 23a and 23b. On the slide table 24, a cylinder 32 having a pair of pistons 31a and 31b that move up and down is provided.
At the upper ends of these pistons 31a and 31b, a chuck drive mechanism 3 is provided.
Three are provided. This chuck driving mechanism 33 is
4, four operating shafts 35a to 35d extending horizontally from the main body 34 and capable of being moved forward and backward, and provided at the rear ends of the operating shafts 35a to 35d inserted into the main body 34. Working shaft 35a,
A gear system (not shown) for driving 35b, 35c and 35d in directions opposite to each other, and a motor (not shown) for rotating this gear system are provided. Further, a wafer chuck 36 is attached to the chuck driving mechanism 33. This wafer chuck 36
It has a pair of open / close plates 37a, 37b arranged in parallel and opposed to each other. The one opening / closing plate 37a located on the side closer to the main body 34 is supported by the tips of two (for example, 35a and 35b) operating in the same direction among the four operating shafts 35a to 35d. The other opening / closing plate 37b penetrates one opening / closing plate 37a and is supported by the tips of the remaining two operating shafts 35c and 35d operating in the same direction. Further, holding portions 38a and 38b for holding the wafers are provided on the inner surfaces of the lower ends of the opening and closing plates 37a and 37b, respectively.
A plurality of claws extending from the upper end to the lower end are formed on the inner surfaces of the holding portions 38a and 38b, for example, at a pitch (3/8 inch pitch) that is twice as large as the carrier pitch (3/16 inch pitch). When the motor of the chuck driving mechanism 33 is operated in the chuck driving mechanism 33, the two operating shafts 35a and 35b supporting the opening / closing plate 37a of the wafer chuck 36 on the side closer to the main body 34 are retracted. 2 that supports the open / close plate 37b
The operating shafts 35c and 35d move forward to open the pair of open / close plates 37a and 37b. When the operating shafts 35a, 35b supporting the respective open / close plates 37a, 37b and 35c, 35d are operated in the opposite direction, the pair of open / close plates 37a, 37b is closed. The cylinders 20 and 32 and the chuck driving mechanism 33 operate at a necessary timing together with the pulse motor 28 for rotating the ball screw 26 according to a programming signal from a control mechanism 30 provided on the operation panel. The transfer mechanism 2 is disposed on the front surface of the transport mechanism 3, similarly to the carrier stocker 1. This is because, for example, when the carrier stocker 1 is arranged above a part of the transfer mechanism 2,
It is arranged on the front of. The elevator 4 has an arm that moves up and down and moves back and forth in a horizontal state, and the arm 41 can transport the boat 41. The transport mechanism 3 has a multi-stage structure, for example, a four-stage structure.
In each stage, an independent transport mechanism, for example, a soft landing mechanism is provided. Further, the furnace body 5 is provided with a multi-stage, for example, four-stage heat treatment chamber corresponding to the multi-stage transfer mechanism 3. In this heat treatment chamber, a coil-shaped heater is wound around a reaction tube made of, for example, quartz. A scavenger 7 is provided at a joint between the transfer mechanism 3 and the heat treatment chamber in order to exhaust and heat the inside of the reaction tube.
A supply pipe from a gas supply source 6 is connected to an end of the heat treatment chamber that is different from the scavenger 7 side, so that a desired reaction gas can be supplied into the heat treatment chamber. Further, the gas supply source 6 is provided so as to be capable of controlling the flow rate of the desired reaction gas and carrier gas and the switching of the gas. The heat treatment apparatus is configured as described above. Next, the operation and operation of the above-described heat treatment apparatus will be described. First, a carrier containing a plurality of unprocessed wafers is loaded into the carrier stocker 1 by an automatic transfer robot or manually. Next, a plurality of, for example, four carriers 40 1 , 40 2 ,
40 3, 40 4 to sorting mechanism 2 with washer, for example, slide transporting. The operation of the transfer mechanism with washing machine 2 will be described below with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 2 and FIG.
Carrier stage 12 with 25 wafers 39 stored at standard pitch (3/16 inch pitch)
40 1-40 4 directly above the respective push-up mechanism 18 is placed so as to be positioned respectively. Further, a quartz boat 41 in which a plurality of (for example, 100) grooves are cut at a double pitch (3/8 inch pitch) is set on the boat stage 13 of the housing 11 by a transfer device (not shown). Next, a predetermined signal is output from the control mechanism 30 to the drive circuit 29, the pulse motor 28 is rotated for a predetermined time, and the ball screw 26 connected to the pulse motor 28 is rotated. Thereby, the slide table 24 engaged with the ball screw 26 via the engagement plate 25 moves along the guide shafts 23a and 23b, and is supported and fixed to the slide table 24 via the cylinder 32 and the chuck drive mechanism 33. Wafer chuck 36 as the first carrier
Is positioned directly above the 40 1 (see FIG. 5). Next, the cylinder 20 of the push-up mechanism 18 is driven to raise the thirteen pistons 19 from the left end, and the push-up plates 21 attached to the tips of the pistons 19 are raised. Thus, the push-up plate 21 passes through the hole 17 of the carrier stage 12, receiving their upper arcuate accommodated in the carrier 40 1 in a groove 13 of wafers 39, respectively, each wafer 39 each push-up plate
The wafer is moved upward through the wafer chuck 36 in the open state together with 21 (see FIG. 6). Next, the motor of the chuck drive mechanism 33 is rotated to advance the two operating shafts 35a and 35b that support the open / close plate 37 on the side closer to the chuck drive mechanism 33 in the wafer chuck 36, and support the other open / close plate 37b. The two operating shafts 35c and 35d are retracted, and the pair of open / close plates 37a and 37b are closed (see FIG. 7). Subsequently, the cylinder 20 of the push-up mechanism 18 is driven to lower the left end piston 19, and the push-up plate 21 attached to the tip of the piston 19 is lowered. When the lifting plate 21 descends between the open / close plates 37a and 37b in the closed state of the wafer chuck 36,
The wafer 39 received by the push-up plate 21 includes opening and closing plates 37a and 37b.
Are engaged with the grooves between the left-hand claws formed on the holding portions 38a and 38b (see FIG. 8). Then, the pulse motor 28 rotates a predetermined time the drive circuit 29 from the control mechanism 30 outputs a predetermined signal, by rotating the ball screw 26 connected to the pulse motor 28, the wafer chuck 36 of the carrier 40 1 Groove pitch (3/1
(6 inch pitch) and the groove pitch (3/8 inch pitch) between the claws of the wafer chuck 36 were moved by a distance (3/16 inch pitch) corresponding to the difference and received by the second push-up plate 21 from the left. The wafer 39 is aligned with the groove between the second claw from the left end of the wafer chuck 36. continue,
The cylinder 20 of the push-up mechanism 18 is driven to lower the second piston 19 from the left end, and the push-up plate 21 attached to the tip of the piston 19 is moved to the open / close plate 37 in the closed state of the wafer chuck 36.
Then, the wafer 39 received by the push-up plate 21 is engaged with the groove between the second claw from the left end formed on the holding portions 38a, 38b of the opening / closing plates 37a, 37b. Thereafter, the same movement of the wafer chuck 36 to the left by a distance of 3/16 inch pitch is repeated, and the lowering of the third and subsequent push-up plates 21 is repeated.
36 engaged in the grooves between the claws in the carrier 40 1 of groove pitch of double-pitch formed. Next, the cylinder 32 on the sliding table 24 is driven,
By raising the pistons 31a and 31b, the wafer chuck 36 is raised to a predetermined position. Subsequently, a predetermined signal is output from the control mechanism 30 to the drive mechanism 29, the pulse motor 28 is rotated for a predetermined time, and the ball screw 26 connected to the motor 28 is rotated.
By rotating the sliding table 24, the guide shaft 23
The wafer chuck 36 is moved along the positions a and b, and the wafer chuck 36 supported and fixed to the slide table 24 via the cylinder 32 and the chuck drive mechanism 33 is positioned right above the cleaning tank 14. Then, the cylinder 32 is driven to lower the pistons 31a and 31b, so that the wafer chuck 36 supported by the chuck driving mechanism 33 is immersed in the cleaning tank 14. In the cleaning tank 14, NH
Since a chemical solution composed of 4 OH, H 2 O 2 , and H 2 O (or HF, H 2 O) is contained, the natural oxide film on the wafer 39 is cleaned and removed. When this cleaning is completed, the cylinder 32 is driven again to raise the pistons 31a and 31b, thereby
6 is lifted and taken out of the washing tank 14. Subsequently, a predetermined signal is output from the control mechanism 30 to the drive mechanism 29, the pulse motor 28 is rotated for a predetermined time, and the ball screw 26 is rotated to move the slide table 24 along the guide shafts 23a and 23b. Then, the wafer chuck 36 is positioned right above the washing tank 15. Then, the cylinder 32 is driven to lower the pistons 31a and 31b, and the wafer chuck 36 is put into the washing tank 15. Then, in the washing tank 15, the chemical solution attached to the wafer is washed away with, for example, distilled water. When the rinsing is completed, the cylinder 32 is driven again to raise the pistons 31a and 31b, and the wafer chuck 3
6. Lift 6 and remove it from washing tank 15. Subsequently, a predetermined signal is output from the control mechanism 30 to the drive mechanism 29, the pulse motor 28 is rotated for a predetermined time, and the ball screw 26 is rotated to move the slide table 24 along the guide shafts 23a and 23b. Then, the wafer chuck 36 is positioned right above the drying tank 16. Then, by driving the cylinder 32, the pistons 31a and 31b are lowered, and the wafer chuck 36 is put into the drying tank 16,
The washed wafer is dried. When the impression is completed, the cylinder 32 is driven again to raise the pistons 31a and 31b, lift the wafer chuck 36, and take it out of the drying tank 15. Subsequently, a predetermined signal is output from the control mechanism 30 to the drive mechanism 29, the pulse motor 28 is rotated for a predetermined time, and the ball screw 26 is rotated to move the slide table 24 along the guide shafts 23a and 23b. ,
The wafer chuck 36 is located immediately above the front side of the quartz boat 41. Then, the cylinder 32 is driven to lower the pistons 31a and 31b to lower the wafer chuck 36 to a position in the quartz boat 41. As a result, the 13 cleaned wafers held by the wafer chuck 36 are engaged with the grooves formed at a double pitch (3/8 inch pitch) of the quartz boat 41 and transferred. After the transfer operation of the thirteen wafers in the first carrier 401 is completed, the piston 31 of the cylinder 32
a, 31b raises wafer chuck 36, pulse motor 2
Movement of table 24 by rotation of 8, wafer chuck 36
Is moved onto the first carrier 401, and the wafer chuck 36 is lowered by the pistons 31a and 31b of the cylinder 32, and the 12 wafers 3 remaining in the first carrier 401 are moved.
Prepare to transfer 9. Subsequently, by the similar process to engage the 12 wafers 39 of the carrier 40 1 between nail fold pitch of the wafer chuck 36. After this,
By the same process as above, the lifting of the wafer chuck 36,
After the wafer is horizontally moved and lowered, the twelve wafers held at the double pitch by the wafer chuck 36 are subjected to the wet cleaning operation through the cleaning tank 14, the water cleaning tank 15, and the drying tank 16, and then the quartz boat is moved. The transfer is performed on the left side of the area where the transfer has already been performed in step 41. Next, the wafer 3 stored in the second carrier 402
By performing the same operation for 9, after cleaning all 50 wafers 39 accommodated in the two carriers 40 1 and 40 2 , the double pitch (3/8 Transfer is performed by engaging with the groove machined at (inch pitch). Similarly, the carrier 40 3, 40 4 of the wafer was washed with performing re transferred to a quartz boat 41. By the above transfer, the boat 41 on which a plurality of wafers, for example, 100 wafers are loaded, is transported by the arm of the elevator 4 into the transport mechanism 3 at a desired stage. Then, the boats 41 are inserted into the corresponding heat treatment chambers in the furnace body 5 to perform desired heat treatment. The wafer after the heat treatment is transferred from the boat 41 to an empty carrier and stored in the carrier stocker or transferred to the outside. In the above-described embodiment, the description has been made using the soft landing mechanism as the transport mechanism 3, but the transport mechanism is not limited to this. For example, the transport mechanism can be similarly performed using a boat loader, a cantilever, or the like. Further, the number of processing chambers may be one instead of a plurality of chambers. As described above, according to the illustrated embodiment, the carrier 40
When transferring from 1-40 4 to the boat 41, while holding the wafer at the wafer chuck 36 performs wet cleaning, just after washing, since the wafer can be mounted on the boat 41, a long time from the cleaning Without going through, a film forming process, a process such as diffusion and oxidation can be performed. In the above example, the wafer before processing is cleaned, but after the ashing processing, for example, as in an etching step, and further, as in the case of performing wet cleaning, the wafer is transferred from the boat to the carrier after the processing. The present invention can be applied to the case of changing. In addition, the substrate to be processed is not limited to a wafer.
Of course, a D substrate or the like may be used.
【発明の効果】【The invention's effect】
以上説明したように、この発明による処理装置は、被
処理基板の収納具(例えばキャリア)から保持具(例え
ばボート)に、あるいは逆に、保持具から収納具に、被
処理基板を移し替える際に、洗浄を行なえるようにした
ので、洗浄から時を移さずに、被処理基板の処理がで
き、自然酸化膜の成長を防止することができる。 また、処理装置自体に洗浄機が付加されているので、
前工程あるいは後工程としての洗浄工程が不要になり、
専用の洗浄装置を必要としないという効果もある。
As described above, the processing apparatus according to the present invention can be used to transfer a substrate to be processed from a storage device (for example, a carrier) for a substrate to be processed to a holding device (for example, a boat), or vice versa. In addition, since the cleaning can be performed, the substrate to be processed can be processed without delaying from the cleaning, and the growth of the natural oxide film can be prevented. Also, since a washing machine is added to the processing equipment itself,
No cleaning process is required as a pre-process or post-process,
There is also an effect that a dedicated cleaning device is not required.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
第1図は、この発明による処理装置の一実施例の全体の
概要を示す図、第2図は、その洗浄機付移し替え機構の
概要を示す図、第3図は、移し替え機構の要部の一例を
示す図、第4図は、洗浄機付移し替え機構の動作説明の
ための図、第5図〜第8図は、ウェーハの移し替え動作
の説明のための図である。 1;キャリアストッカ 2;洗浄機付移し替え機構 3;搬送機構 4;エレベータ 5;炉体 12;キャリアステージ 13;ボートステージ 14;洗浄槽 15;水洗槽 16;乾燥槽 24;摺動テーブル 36;ウェーハチャック 401〜404;キャリア 41;ボート
FIG. 1 is a diagram showing an outline of an embodiment of a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an outline of a transfer mechanism with a washing machine, and FIG. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a unit, FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of a transfer mechanism with a washing machine, and FIGS. 5 to 8 are diagrams for explaining a wafer transfer operation. 1; carrier stocker 2; transfer mechanism with washing machine 3; transport mechanism 4; elevator 5; furnace body 12; carrier stage 13; boat stage 14; washing tank 15; washing tank 16; drying tank 24; sliding table 36; Wafer chuck 40 1 to 40 4 ; Carrier 41; Boat
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/324 H01L 21/324 W ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/324 H01L 21/324 W

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]
  1. 【請求項1】被処理基板を、搬送用の収納具から、上記
    被処理基板を複数枚保持して処理室内で所定の処理する
    ための保持具に移し替えた後、上記被処理基板を保持し
    た上記保持具を上記処理室内に搬入して処理する工程
    を、一貫して、壁により囲われた空間内において行うよ
    うにする処理装置において、 複数枚の上記被処理基板を、上記収納具から、取り出し
    て保持するチャック手段と、 上記チャック手段を、上記収納具の配置位置と上記保持
    具の配置位置との間を移動させるチャック移動手段と、 上記チャック移動手段による上記チャック手段の移動経
    路に沿った位置に設けられる洗浄手段および乾燥手段
    と、 を備え、 上記チャック移動手段により、上記チャック手段を、上
    記収納具の配置位置から上記保持具の配置位置へ移動さ
    せて上記チャック手段により保持された上記複数枚の被
    処理基板の移し替えを行うと共に、上記チャック手段の
    移動の途中において、上記保持具に移し替える前の上記
    複数枚の被処理基板を、上記洗浄手段および上記乾燥手
    段で洗浄および乾燥を行うようにした ことを特徴とする処理装置。
    1. A substrate to be processed is transferred from a carrier for transfer to a holder for holding a plurality of substrates to be processed and performing predetermined processing in a processing chamber, and then holding the substrate to be processed. In the processing apparatus, the step of carrying the holding tool into the processing chamber and performing the processing is performed consistently in a space surrounded by a wall. A chuck means for taking out and holding; a chuck moving means for moving the chuck means between an arrangement position of the storage tool and an arrangement position of the holding tool; and a moving path of the chuck means by the chuck moving means. Cleaning means and drying means provided at positions along the axis, wherein the chuck moving means moves the chuck means from the disposition position of the storage tool to the disposition position of the holding tool. The transfer of the plurality of substrates to be processed held by the chucking means is performed, and the plurality of substrates to be processed before being transferred to the holder is transferred to the cleaning means during the movement of the chucking means. And a cleaning apparatus for performing washing and drying by the drying means.
  2. 【請求項2】複数枚の被処理基板を保持した保持具を処
    理室内に搬入して処理し、この処理後、上記保持具を上
    記処理室から搬出し、当該搬出した上記保持具から処理
    済みの被処理基板を、上記被処理基板の搬送用の収納具
    に移し替えるようにする工程を、一貫して、壁により囲
    われた空間内において行うようにする処理装置におい
    て、 複数枚の上記被処理基板を、上記保持具から、取り出し
    て保持するチャック手段と、 上記チャック手段を、上記保持具の配置位置と上記収納
    具の配置位置との間を移動させるチャック移動手段と、 上記チャック移動手段による上記チャック手段の移動経
    路に沿った位置に設けられる洗浄手段および乾燥手段
    と、 を備え、 上記チャック移動手段により、上記チャック手段を、上
    記保持具の配置位置から上記収納具の配置位置へ移動さ
    せて上記チャック手段により保持された上記複数枚の被
    処理基板の移し替えを行うと共に、上記チャック手段の
    移動の途中において、上記収納具に移し替える前の上記
    複数枚の被処理基板を、上記洗浄手段および上記乾燥手
    段で洗浄および乾燥を行うようにした ことを特徴とする処理装置。
    2. A holder holding a plurality of substrates to be processed is carried into a processing chamber for processing. After this processing, the holder is unloaded from the processing chamber and processed from the unloaded holder. The step of transferring the substrate to be processed to the container for transporting the substrate to be processed is performed consistently in a space surrounded by a wall. Chuck means for taking out and holding the processing substrate from the holding tool; chuck moving means for moving the chuck means between the position of the holding tool and the position of the storage tool; and the chuck moving means. Cleaning means and drying means provided at a position along the movement path of the chuck means, and the chuck movement means moves the chuck means upward from the position where the holder is arranged. The plurality of substrates to be processed held by the chuck means are moved to the arrangement position of the storage tool, and the plurality of substrates before transfer to the storage tool are transferred during the movement of the chuck means. The substrate to be processed is cleaned and dried by the cleaning means and the drying means.
  3. 【請求項3】被処理基板の搬送用の収納具から、チャッ
    ク手段により複数枚の上記被処理基板を取り出して保持
    する被処理基板取り出し工程と、 上記複数枚の被処理基板を保持した上記チャック手段
    を、複数枚の被処理基板を保持して処理室内で所定の処
    理するための保持具の位置に移動させて、上記複数枚の
    被処理基板を上記保持具に移し替える移し替え工程と、 上記移し替え工程の途中において、上記保持具に移し替
    える前に、上記複数枚の被処理基板を洗浄および乾燥す
    る洗浄・乾燥工程と、 上記洗浄および乾燥した被処理基板を複数枚保持する上
    記保持具を処理室に搬入して、上記所定の処理を実行す
    る処理工程と を、一貫して、壁により囲われた空間内において行うこ
    とを特徴とする処理方法。
    3. A process for taking out a plurality of substrates to be processed from a storage container for transporting the substrates to be processed by chuck means, and holding the plurality of substrates to be processed, and the chuck holding the plurality of substrates to be processed. Means for holding a plurality of substrates to be processed and moving to a position of a holder for predetermined processing in a processing chamber, and a transfer step of transferring the plurality of substrates to the holder; In the middle of the transfer step, before the transfer to the holder, a washing and drying step of washing and drying the plurality of substrates to be processed, and the holding to hold a plurality of the washed and dried substrates to be processed. Carrying out the tool into the processing chamber and performing the predetermined process in a space surrounded by a wall.
  4. 【請求項4】複数枚の被処理基板を保持している保持具
    を処理室内に搬入して、上記被処理基板を保持具に保持
    した状態で処理する処理工程と、 上記処理工程での処理後に、上記被処理体を保持してい
    る上記保持具を上記処理室から搬出する搬出工程と、 上記搬出工程で搬出された上記処理後の複数枚の被処理
    基板を、チャック手段により上記保持具から取り出して
    保持する被処理基板取り出し工程と、 上記処理後の複数枚の被処理基板を保持した上記チャッ
    ク手段を、被処理基板の搬送用の収納具の位置に移動さ
    せて、上記処理後の複数枚の被処理基板を上記収納具に
    移し替える移し替え工程と、 上記移し替え工程の途中において、上記収納具に移し替
    える前に、上記処理後の複数枚の被処理基板を洗浄およ
    び乾燥する洗浄・乾燥工程と、 を一貫して、壁により囲われた空間内において行うこと
    を特徴とする処理方法。
    4. A processing step in which a holder holding a plurality of substrates to be processed is carried into a processing chamber, and processing is performed in a state where the substrate to be processed is held by the holders. Later, an unloading step of unloading the holder holding the object to be processed from the processing chamber, and holding the plurality of processed substrates unloaded in the unloading step by the chucking means. A process of taking out the substrate to be taken out and holding, and moving the chuck means holding the plurality of processed substrates to the position of the storage container for transporting the processed substrate, A transfer step of transferring a plurality of substrates to be transferred to the storage device; and in the middle of the transfer process, cleaning and drying the processed substrates before transfer to the storage device. Washing and drying process A processing method, wherein the steps are performed consistently in a space surrounded by walls.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335401A (en) * 1992-05-28 1993-12-17 Mitsubishi Electric Corp Transferring equipment for semiconductor wafer
JP3110218B2 (en) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 Semiconductor cleaning apparatus and method, wafer cassette, dedicated glove, and wafer receiving jig
JP2908277B2 (en) * 1994-04-15 1999-06-21 ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Method and apparatus for chemical processing of substrates
US6138695A (en) * 1997-03-07 2000-10-31 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2000301082A (en) * 1999-04-20 2000-10-31 Tokyo Electron Ltd Treating device
JP2009087958A (en) * 2006-01-06 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying treatment method, apparatus, and program
CN110155721B (en) * 2019-06-06 2021-03-12 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) Conveying mechanical arm

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH07111963B2 (en) * 1988-09-12 1995-11-29 株式会社スガイ Substrate cleaning / drying device

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