JP2944652B2 - コーティング物質の焼成装置及び方法 - Google Patents
コーティング物質の焼成装置及び方法Info
- Publication number
- JP2944652B2 JP2944652B2 JP10233741A JP23374198A JP2944652B2 JP 2944652 B2 JP2944652 B2 JP 2944652B2 JP 10233741 A JP10233741 A JP 10233741A JP 23374198 A JP23374198 A JP 23374198A JP 2944652 B2 JP2944652 B2 JP 2944652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating material
- firing
- filter
- ray tube
- cathode ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/205—Applying optical coatings or shielding coatings to the vessel of flat panel displays, e.g. applying filter layers, electromagnetic interference shielding layers, anti-reflection coatings or anti-glare coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/863—Passive shielding means associated with the vessel
- H01J2229/8631—Coatings
- H01J2229/8632—Coatings characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/867—Means associated with the outside of the vessel for shielding, e.g. magnetic shields
- H01J29/868—Screens covering the input or output face of the vessel, e.g. transparent anti-static coatings, X-ray absorbing layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は陰極線管のパネル表
面のコーティング物質を焼成するための装置及び方法に
関する。なかでも、外光反射防止の目的で陰極線管のパ
ネル表面に塗布されたコーティング物質の焼成装置及び
方法に関する。
面のコーティング物質を焼成するための装置及び方法に
関する。なかでも、外光反射防止の目的で陰極線管のパ
ネル表面に塗布されたコーティング物質の焼成装置及び
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、陰極線管の製造工程は、外光
の反射防止、帯電防止、色感向上などの目的のために、
特定物質を陰極線管パネル表面にスピンまたはスプレー
コーティング方法でコーティングする工程を含む。前記
コーティング工程は陰極線管の製造工程の最終段階で行
うべきで、他の工程で行った場合、製造中コーティング
表面が化学的または物理的に損傷されて前記コーティン
グ工程を反復しなければならないことが発生する。
の反射防止、帯電防止、色感向上などの目的のために、
特定物質を陰極線管パネル表面にスピンまたはスプレー
コーティング方法でコーティングする工程を含む。前記
コーティング工程は陰極線管の製造工程の最終段階で行
うべきで、他の工程で行った場合、製造中コーティング
表面が化学的または物理的に損傷されて前記コーティン
グ工程を反復しなければならないことが発生する。
【０００３】前記コーティング工程が外光反射を防止す
るために行われる場合、通常、エチルシリケート（Ｓｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4）（テトラエトキシシラン）のようなシ
リコンオキシド類化合物、水及び／またはアルコールを
含有する液状の組成物がパネルの表面に塗布される。前
記シリコンオキシド類化合物は前記組成物を陰極線管表
面に結合させる作用をする。
るために行われる場合、通常、エチルシリケート（Ｓｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4）（テトラエトキシシラン）のようなシ
リコンオキシド類化合物、水及び／またはアルコールを
含有する液状の組成物がパネルの表面に塗布される。前
記シリコンオキシド類化合物は前記組成物を陰極線管表
面に結合させる作用をする。
【０００４】前記組成物をパネルに固着させるために
は、前記組成物の乾燥及び焼成が要求される。前記焼成
方法としては、赤外線ランプを利用する乾燥焼成方法
や、熱風または遠赤外線セラミックスヒーターのような
セラミックスヒーターを利用した熱焼成方法が一般的で
ある。
は、前記組成物の乾燥及び焼成が要求される。前記焼成
方法としては、赤外線ランプを利用する乾燥焼成方法
や、熱風または遠赤外線セラミックスヒーターのような
セラミックスヒーターを利用した熱焼成方法が一般的で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記焼成工程は、陰極
線管製造工程の最終段階で行われるので、パネル表面は
２５０℃以下に維持しなければならない。２５０℃より
高い温度で焼成すると蛍光膜に異常が発生し、陰極線管
で発生するガスにより真空度と電子ビームに悪影響を及
ぼす可能性が高くなる。一方、１８０℃より低い温度で
焼成するとコーティング膜の強度及び硬度が低下しやす
い。従って、前記焼成工程は１８０〜２２０℃で行われ
る。
線管製造工程の最終段階で行われるので、パネル表面は
２５０℃以下に維持しなければならない。２５０℃より
高い温度で焼成すると蛍光膜に異常が発生し、陰極線管
で発生するガスにより真空度と電子ビームに悪影響を及
ぼす可能性が高くなる。一方、１８０℃より低い温度で
焼成するとコーティング膜の強度及び硬度が低下しやす
い。従って、前記焼成工程は１８０〜２２０℃で行われ
る。
【０００６】前記焼成工程はその温度条件の調整が困難
であり、陰極線管の高熱化を引き起し易い。陰極線管が
高熱になると、陰極線管の端部に位置した電子銃の温度
が１００℃以上に上昇してしまいがちである。前記高熱
化は、陰極線管特性の不良を起こす原因となる上、次の
段階の工程を進めるために陰極線管が冷却されるのを待
たなければならない。この冷却工程は、陰極線管を急激
に冷却させると陰極線管が損傷される恐れがあり、ゆっ
くりと行う必要があるので製造効率の低下を招く。
であり、陰極線管の高熱化を引き起し易い。陰極線管が
高熱になると、陰極線管の端部に位置した電子銃の温度
が１００℃以上に上昇してしまいがちである。前記高熱
化は、陰極線管特性の不良を起こす原因となる上、次の
段階の工程を進めるために陰極線管が冷却されるのを待
たなければならない。この冷却工程は、陰極線管を急激
に冷却させると陰極線管が損傷される恐れがあり、ゆっ
くりと行う必要があるので製造効率の低下を招く。
【０００７】本発明は、焼成工程における陰極線管の温
度調整を容易にし、陰極線管の製造効率を向上させるコ
ーティング物質の焼成装置及び方法を提供することを目
的とする。
度調整を容易にし、陰極線管の製造効率を向上させるコ
ーティング物質の焼成装置及び方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明は、前記課題を
解決するために、陰極線管パネル表面に塗布されたコー
ティング物質に含まれた化学物質の固有吸収波長を測定
し、焼成工程中に前記固有吸収波長を有する赤外線をパ
ネルに照射することことにより、前記コーティング物質
を焼成し、焼成工程における陰極線管の高熱化を防止す
る。
解決するために、陰極線管パネル表面に塗布されたコー
ティング物質に含まれた化学物質の固有吸収波長を測定
し、焼成工程中に前記固有吸収波長を有する赤外線をパ
ネルに照射することことにより、前記コーティング物質
を焼成し、焼成工程における陰極線管の高熱化を防止す
る。
【０００９】本願第１発明は、陰極線管のパネル表面に
塗布されたコーティング物質を焼成するための装置であ
って、前記パネル表面に赤外線を照射する赤外線放射装
置と、１以上のフィルタとを含むコーティング物質の焼
成装置を提供する。前記フィルタは、前記赤外線放射装
置に装着され、前記パネル表面に塗布されたコーティン
グ物質の固有吸収波長を有する赤外線を選択的に透過さ
せる。
塗布されたコーティング物質を焼成するための装置であ
って、前記パネル表面に赤外線を照射する赤外線放射装
置と、１以上のフィルタとを含むコーティング物質の焼
成装置を提供する。前記フィルタは、前記赤外線放射装
置に装着され、前記パネル表面に塗布されたコーティン
グ物質の固有吸収波長を有する赤外線を選択的に透過さ
せる。
【００１０】本願第２発明は、前記フィルタが、シリコ
ンオキシド、水及び／またはアルコールを含有する組成
物であるコーティング物質の固有吸収波長を有する赤外
線を選択的に透過させる、コーティング物質の焼成装置
を提供する。本願第３発明は、前記フィルタのいずれか
は、前記シリコンオキシドを焼成する区域に設けられ、
前記シリコンオキシドの固有吸収波長を有する赤外線を
選択的に透過させるコーティング物質の焼成装置を提供
する。具体的には、前記フィルタはおおよそ波長７．５
〜１５μｍの赤外線を透過させる。
ンオキシド、水及び／またはアルコールを含有する組成
物であるコーティング物質の固有吸収波長を有する赤外
線を選択的に透過させる、コーティング物質の焼成装置
を提供する。本願第３発明は、前記フィルタのいずれか
は、前記シリコンオキシドを焼成する区域に設けられ、
前記シリコンオキシドの固有吸収波長を有する赤外線を
選択的に透過させるコーティング物質の焼成装置を提供
する。具体的には、前記フィルタはおおよそ波長７．５
〜１５μｍの赤外線を透過させる。
【００１１】本願第４発明は、前記フィルタのいずれか
は、前記水及び／またはアルコールを焼成する区域に設
けられ、水及び／またはアルコールの固有吸収波長を有
する赤外線を透過させるコーティング物質の焼成装置を
提供する。具体的には、前記フィルタはおおよそ波長２
〜４μｍの赤外線を透過させる。本願第５発明は、陰極
線管のパネル表面に塗布されたコーティング物質を焼成
するためのコーティング物質焼成方法であって、前記コ
ーティング物質の固有吸収波長を有する赤外線を選択的
に透過させるフィルタを用い、前記フィルタを透過した
赤外線を前記パネルに照射して前記コーティング物質を
焼成する工程を含む、コーティング物質の焼成方法を提
供する。
は、前記水及び／またはアルコールを焼成する区域に設
けられ、水及び／またはアルコールの固有吸収波長を有
する赤外線を透過させるコーティング物質の焼成装置を
提供する。具体的には、前記フィルタはおおよそ波長２
〜４μｍの赤外線を透過させる。本願第５発明は、陰極
線管のパネル表面に塗布されたコーティング物質を焼成
するためのコーティング物質焼成方法であって、前記コ
ーティング物質の固有吸収波長を有する赤外線を選択的
に透過させるフィルタを用い、前記フィルタを透過した
赤外線を前記パネルに照射して前記コーティング物質を
焼成する工程を含む、コーティング物質の焼成方法を提
供する。
【００１２】本願第６発明は、シリコンオキシド、水及
び／またはアルコールを含有する組成物である前記コー
ティング物質の固有吸収波長を有する赤外線が透過可能
なフィルタを用いる、コーティング物質の焼成方法を提
供する。本願第７発明は、前記シリコンオキシドの固有
吸収波長を有する赤外線が透過可能なフィルタを介して
赤外線を照射し、前記コーティング物質中のシリコンオ
キシドを焼成するコーティング物質の焼成方法を提供す
る。具体的には、おおよそ波長７．５〜１５μｍの赤外
線を照射し、シリコンオキシドを焼成する。
び／またはアルコールを含有する組成物である前記コー
ティング物質の固有吸収波長を有する赤外線が透過可能
なフィルタを用いる、コーティング物質の焼成方法を提
供する。本願第７発明は、前記シリコンオキシドの固有
吸収波長を有する赤外線が透過可能なフィルタを介して
赤外線を照射し、前記コーティング物質中のシリコンオ
キシドを焼成するコーティング物質の焼成方法を提供す
る。具体的には、おおよそ波長７．５〜１５μｍの赤外
線を照射し、シリコンオキシドを焼成する。
【００１３】本願第８発明は、水及び／またはアルコー
ルの固有吸収波長を有する赤外線が透過可能なフィルタ
を介して赤外線を照射し、前記コーティング物質中の水
及び／またはアルコールを焼成するコーティング物質の
焼成方法を提供する。具体的には、おおよそ波長２〜４
μｍの赤外線を照射し、水及び／またはアルコールを蒸
発させる。
ルの固有吸収波長を有する赤外線が透過可能なフィルタ
を介して赤外線を照射し、前記コーティング物質中の水
及び／またはアルコールを焼成するコーティング物質の
焼成方法を提供する。具体的には、おおよそ波長２〜４
μｍの赤外線を照射し、水及び／またはアルコールを蒸
発させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本願発明について、実施形
態例を挙げながら詳細に説明する。特定物質の温度が上
がって乾燥及び焼成される過程は、前記特定物質が外部
からエネルギーを吸収することによりなされる。各物質
は物質固有の吸収波長を有する。例えば、水と繊維質物
質の透過スペクトルを図１に示す。図１に示されるよう
に、水の透過率は４〜６μｍの波長を有する赤外線に対
して高く、それ以外の波長域では低い。透過率が低い波
長域では吸収率が高いので、水は３μｍ及び７〜１１μ
ｍの波長を有するエネルギーを吸収しやすい。即ち、４
〜６μｍの波長を有するエネルギーが外部から水に供給
される場合、前記エネルギーは水には殆ど吸収せず透過
される。従って水の温度は上昇せず水は乾燥及び焼成さ
れない。例えば水の下に４〜６μｍの波長を有するエネ
ルギーを吸収する他の物質層があるとすると、この物質
層は水に吸収されず透過したエネルギーを吸収し、温度
を上昇させる。
態例を挙げながら詳細に説明する。特定物質の温度が上
がって乾燥及び焼成される過程は、前記特定物質が外部
からエネルギーを吸収することによりなされる。各物質
は物質固有の吸収波長を有する。例えば、水と繊維質物
質の透過スペクトルを図１に示す。図１に示されるよう
に、水の透過率は４〜６μｍの波長を有する赤外線に対
して高く、それ以外の波長域では低い。透過率が低い波
長域では吸収率が高いので、水は３μｍ及び７〜１１μ
ｍの波長を有するエネルギーを吸収しやすい。即ち、４
〜６μｍの波長を有するエネルギーが外部から水に供給
される場合、前記エネルギーは水には殆ど吸収せず透過
される。従って水の温度は上昇せず水は乾燥及び焼成さ
れない。例えば水の下に４〜６μｍの波長を有するエネ
ルギーを吸収する他の物質層があるとすると、この物質
層は水に吸収されず透過したエネルギーを吸収し、温度
を上昇させる。
【００１５】陰極線管のパネルのコーティング物質を焼
成する工程に於いて、従来、熱的特性を有する全領域の
波長を有する赤外線を放射する装置を使用している。従
って前記赤外線中極めて一部の波長域の光、すなわちコ
ーティング物質の固有吸収波長の光がパネルに塗布され
たコーティング物質に吸収される。その他の波長域の赤
外線は、塗布されたコーティング物質を透過して陰極線
管のパネルガラスに吸収され、ガラスの温度を上昇さ
せ、電子銃部分まで伝導されて電子銃の温度を１００℃
以上に上昇させる。結果的に陰極線管全体の温度が上昇
する。
成する工程に於いて、従来、熱的特性を有する全領域の
波長を有する赤外線を放射する装置を使用している。従
って前記赤外線中極めて一部の波長域の光、すなわちコ
ーティング物質の固有吸収波長の光がパネルに塗布され
たコーティング物質に吸収される。その他の波長域の赤
外線は、塗布されたコーティング物質を透過して陰極線
管のパネルガラスに吸収され、ガラスの温度を上昇さ
せ、電子銃部分まで伝導されて電子銃の温度を１００℃
以上に上昇させる。結果的に陰極線管全体の温度が上昇
する。
【００１６】本発明では赤外線分光分析機（ＩＲ）を用
いて陰極線管パネル表面に塗布されるコーティング物質
が有する固有吸収波長を測定し、前記測定された固有吸
収波長を有する赤外線だけを選択的に透過させるフィル
タを赤外線放射装置に装着して、前記塗布されたコーテ
ィング物質とパネルガラスの表面温度だけを選択的に上
昇させる。
いて陰極線管パネル表面に塗布されるコーティング物質
が有する固有吸収波長を測定し、前記測定された固有吸
収波長を有する赤外線だけを選択的に透過させるフィル
タを赤外線放射装置に装着して、前記塗布されたコーテ
ィング物質とパネルガラスの表面温度だけを選択的に上
昇させる。
【００１７】一般的に焼成工程に使われる熱源は、０．
７６〜１０００μｍの波長を有する赤外線である。シリ
コンオキシド、水及び／またはアルコールを含有する組
成物の固有吸収波長を測定した結果、９μｍ波長で吸収
ピークを有する−Ｓｉ−Ｏ−基にエネルギーを供給する
こと及び、２〜４μｍ波長領域で吸収ピークを有する−
ＯＨ基にエネルギーを供給することが効率的であること
が分かった。一方、パネルガラスに過度なエネルギーを
吸収させないためには、可視光線に隣接した領域の波長
を有する近赤外線を遮蔽することが重要である。
７６〜１０００μｍの波長を有する赤外線である。シリ
コンオキシド、水及び／またはアルコールを含有する組
成物の固有吸収波長を測定した結果、９μｍ波長で吸収
ピークを有する−Ｓｉ−Ｏ−基にエネルギーを供給する
こと及び、２〜４μｍ波長領域で吸収ピークを有する−
ＯＨ基にエネルギーを供給することが効率的であること
が分かった。一方、パネルガラスに過度なエネルギーを
吸収させないためには、可視光線に隣接した領域の波長
を有する近赤外線を遮蔽することが重要である。
【００１８】従って、前記水及び／またはアルコールを
焼成する場合には、２〜４μｍの波長域の赤外線を透過
させるフィルタを用い、前記シリコンオキシドを焼成す
る場合には、７．５〜１５μｍの波長域の赤外線を透過
させるフィルタを用いることが好ましい。前記水及び／
またはアルコールを焼成する場合には、２〜６μｍの波
長域の赤外線を透過させるフィルタを使用しても構わな
い。
焼成する場合には、２〜４μｍの波長域の赤外線を透過
させるフィルタを用い、前記シリコンオキシドを焼成す
る場合には、７．５〜１５μｍの波長域の赤外線を透過
させるフィルタを用いることが好ましい。前記水及び／
またはアルコールを焼成する場合には、２〜６μｍの波
長域の赤外線を透過させるフィルタを使用しても構わな
い。
【００１９】一方、−ＯＨ基は揮発性が大きい水及び／
またはアルコールに含有されているので、１００℃以上
の温度を一定時間維持すると自然に除去される。従っ
て、水及び／またはアルコールを焼成する場合には、電
子銃部分の温度が上がらない状態でフィルタを使用せず
全領域の波長を有する赤外線を放射するのがさらに好ま
しい。
またはアルコールに含有されているので、１００℃以上
の温度を一定時間維持すると自然に除去される。従っ
て、水及び／またはアルコールを焼成する場合には、電
子銃部分の温度が上がらない状態でフィルタを使用せず
全領域の波長を有する赤外線を放射するのがさらに好ま
しい。
【００２０】次に、本発明の好ましい実施例及び比較例
を記載する。しかし下記実施例は本発明の構成及び効果
を説明するための好ましい実施例であるだけで本発明が
下記した実施例に限られない。 ［実施例１］フーリエ変換赤外線分光分析機（ＦＴ−Ｉ
Ｒ）を利用してエチルシリケート、水及びアルコールを
含有する組成物内化学物質が有する固有吸収波長を測定
し、その結果を下記表１に示した。
を記載する。しかし下記実施例は本発明の構成及び効果
を説明するための好ましい実施例であるだけで本発明が
下記した実施例に限られない。 ［実施例１］フーリエ変換赤外線分光分析機（ＦＴ−Ｉ
Ｒ）を利用してエチルシリケート、水及びアルコールを
含有する組成物内化学物質が有する固有吸収波長を測定
し、その結果を下記表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】陰極線管パネル表面に塗布された前記組成
物を焼成するために、遠赤外線セラミックスヒーターを
使用した。また、特定領域の波長を有する赤外線を透過
させ、それ以外の波長域の赤外線を遮蔽するフィルタ
（日本Ｃｏｒｉｏｎ社製）を使用した。各フィルタは相
違な透過特性を帯びるが、各フィルタの透過特性は下記
表２及び図３〜６の通りである。
物を焼成するために、遠赤外線セラミックスヒーターを
使用した。また、特定領域の波長を有する赤外線を透過
させ、それ以外の波長域の赤外線を遮蔽するフィルタ
（日本Ｃｏｒｉｏｎ社製）を使用した。各フィルタは相
違な透過特性を帯びるが、各フィルタの透過特性は下記
表２及び図３〜６の通りである。
【００２３】
【表２】
【００２４】前記ヒーターが連続的に設置されているト
ンネル式の焼成炉を１０区域に区分したとき、前記”焼
成炉の前段”は陰極線管が初めて投入される地点を基準
に一番目〜三番目区域を、前記”焼成炉の後段”は四番
目〜十番目区域を指す。パネルはこの焼成炉を通過しな
がら焼成される。前記表１と前記表２から、焼成炉の前
段に位置したヒーターには２〜６μｍの波長域の赤外線
を透過させるＲＬ−２０００フィルタを、焼成炉の後段
に位置したヒーターには７．５〜１５μｍの波長域の赤
外線を透過させるＲＬ−７５００フィルタを装着した。
ンネル式の焼成炉を１０区域に区分したとき、前記”焼
成炉の前段”は陰極線管が初めて投入される地点を基準
に一番目〜三番目区域を、前記”焼成炉の後段”は四番
目〜十番目区域を指す。パネルはこの焼成炉を通過しな
がら焼成される。前記表１と前記表２から、焼成炉の前
段に位置したヒーターには２〜６μｍの波長域の赤外線
を透過させるＲＬ−２０００フィルタを、焼成炉の後段
に位置したヒーターには７．５〜１５μｍの波長域の赤
外線を透過させるＲＬ−７５００フィルタを装着した。
【００２５】２時間焼成した後、パネル表面の温度と電
子銃部分の温度を測定した。その結果は図３に表した通
りである。即ち、陰極線管パネル表面の温度は最高約１
５０℃に維持され、この時電子銃部分の温度は約８５℃
であった。 ［実施例２］前記実施例１で焼成炉の前段に位置したヒ
ーターにはフィルタを装着せず、焼成炉の後段に位置す
るヒーターには７．５〜１５μｍの波長域の赤外線を透
過させるＲＬ−７５００フィルタを装着した。２時間焼
成した後、陰極線管パネル表面の温度と電子銃部分の温
度を測定した。その結果は図４の通りである。即ち、陰
極線管表面の温度は最高約１２０℃に維持され、この時
電子銃部分の温度は約４０℃であった。
子銃部分の温度を測定した。その結果は図３に表した通
りである。即ち、陰極線管パネル表面の温度は最高約１
５０℃に維持され、この時電子銃部分の温度は約８５℃
であった。 ［実施例２］前記実施例１で焼成炉の前段に位置したヒ
ーターにはフィルタを装着せず、焼成炉の後段に位置す
るヒーターには７．５〜１５μｍの波長域の赤外線を透
過させるＲＬ−７５００フィルタを装着した。２時間焼
成した後、陰極線管パネル表面の温度と電子銃部分の温
度を測定した。その結果は図４の通りである。即ち、陰
極線管表面の温度は最高約１２０℃に維持され、この時
電子銃部分の温度は約４０℃であった。
【００２６】［比較例１］陰極線管パネルの表面にエチ
ルシリケート、水及びアルコールを含有する組成物を塗
布した。遠赤外線セラミックスヒーターを使用して約１
４０分焼成した後、陰極線管パネル表面の温度と電子銃
部分の温度を測定した。その結果は図５の通りである。
即ち、陰極線管パネルの表面の温度は最高２５０℃以上
で約２０分維持され、この時電子銃部分の温度は１００
℃以上であった。
ルシリケート、水及びアルコールを含有する組成物を塗
布した。遠赤外線セラミックスヒーターを使用して約１
４０分焼成した後、陰極線管パネル表面の温度と電子銃
部分の温度を測定した。その結果は図５の通りである。
即ち、陰極線管パネルの表面の温度は最高２５０℃以上
で約２０分維持され、この時電子銃部分の温度は１００
℃以上であった。
【００２７】前記実施例及び比較例の結果を比較する
と、実施例１は比較例に比べてパネル部分の温度が約１
００℃低下し、電子銃部分の温度は約１５℃低下した。
実施例２は比較例に比べてパネル部分の温度が約１３０
℃低下、電子銃部分の温度は約６０℃低下された。パネ
ル部分に比べて電子銃部分で温度低下幅が小さいものは
陰極線管ガラスの温度伝導性に基づく。
と、実施例１は比較例に比べてパネル部分の温度が約１
００℃低下し、電子銃部分の温度は約１５℃低下した。
実施例２は比較例に比べてパネル部分の温度が約１３０
℃低下、電子銃部分の温度は約６０℃低下された。パネ
ル部分に比べて電子銃部分で温度低下幅が小さいものは
陰極線管ガラスの温度伝導性に基づく。
【００２８】以上のように、赤外線の特定波長域の赤外
線を選択的に透過させるフィルタを赤外線放射装置に装
着することにより、前記コーティング物質の固有吸収波
長を有するエネルギーだけを供給でき、その他の波長域
のエネルギーを遮蔽できる。従って陰極線管全体の温度
を低下させ、特にパネル表面と電子銃部分の温度を低下
させることができ、従来の焼成工程による陰極線管の高
熱化を防止することができる。
線を選択的に透過させるフィルタを赤外線放射装置に装
着することにより、前記コーティング物質の固有吸収波
長を有するエネルギーだけを供給でき、その他の波長域
のエネルギーを遮蔽できる。従って陰極線管全体の温度
を低下させ、特にパネル表面と電子銃部分の温度を低下
させることができ、従来の焼成工程による陰極線管の高
熱化を防止することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明による陰極線管パネル表面塗布物
質の焼成装置及び方法では、実質的に、前記コーティン
グ物質の固有吸収波長の赤外線を透過させ、その他の領
域域の赤外線を遮蔽する。それによって陰極線管の高熱
化が防止される。また前記塗布されたコーティング物質
の焼成にかかる時間を短縮して陰極線管製造工程の効率
性を高められる。
質の焼成装置及び方法では、実質的に、前記コーティン
グ物質の固有吸収波長の赤外線を透過させ、その他の領
域域の赤外線を遮蔽する。それによって陰極線管の高熱
化が防止される。また前記塗布されたコーティング物質
の焼成にかかる時間を短縮して陰極線管製造工程の効率
性を高められる。
【図１】水と繊維質物質との透過スペクトル。
【図２】ＬＳ−８００フィルタの赤外線透過スペクト
ル。
ル。
【図３】ＬＬ−７５０フィルタの赤外線透過スペクト
ル。
ル。
【図４】ＲＬ−２０００フィルタの赤外線透過スペクト
ル。
ル。
【図５】ＲＬ−４０００フィルタの赤外線透過スペクト
ル。
ル。
【図６】ＲＬ−７５００フィルタの赤外線透過スペクト
ル。
ル。
【図７】実施例１での焼成工程における、パネル表面と
電子銃部分の時間に対する温度変化を示す図。
電子銃部分の時間に対する温度変化を示す図。
【図８】実施例２での焼成工程における、パネル表面と
電子銃部分の時間に対する温度変化を示す図。
電子銃部分の時間に対する温度変化を示す図。
【図９】比較例１での焼成工程における、パネル表面と
電子銃部分の時間に対する温度変化を示す図。
電子銃部分の時間に対する温度変化を示す図。
Claims (8)
- 【請求項１】陰極線管のパネル表面に塗布されたコーテ
ィング物質を焼成するための装置であって、 前記パネ
ル表面に赤外線を照射する赤外線放射装置と、 前記赤外線放射装置に装着され、前記パネル表面に塗布
されたコーティング物質の固有吸収波長を有する赤外線
を選択的に透過させる１以上のフィルタと、を含むコー
ティング物質の焼成装置。 - 【請求項２】前記フィルタがシリコンオキシド、水及び
／またはアルコールを含有する組成物であるコーティン
グ物質の固有吸収波長を有する赤外線を選択的に透過さ
せる、請求項１記載のコーティング物質の焼成装置。 - 【請求項３】前記フィルタのいずれかは、前記シリコン
オキシドを焼成する区域に設けられ、前記シリコンオキ
シドの固有吸収波長を有する赤外線を選択的に透過させ
る、請求項２に記載のコーティング物質の焼成装置。 - 【請求項４】前記フィルタのいずれかは、前記水及び／
またはアルコールを焼成する区域に設けられ、前記水及
び／またはアルコールの固有吸収波長を有する赤外線を
透過させる、請求項２に記載のコーティング物質の焼成
装置。 - 【請求項５】陰極線管のパネル表面に塗布されたコーテ
ィング物質を焼成するためのコーティング物質焼成方法
であって、 前記コーティング物質の固有吸収波長を有する赤外線を
選択的に透過させるフィルタを用い、前記フィルタを透
過した赤外線を前記パネルに照射して前記コーティング
物質を焼成する工程を含む、コーティング物質の焼成方
法。 - 【請求項６】シリコンオキシド、水及び／またはアルコ
ールを含有する組成物である前記コーティング物質の固
有吸収波長を有する赤外線が透過可能なフィルタを用い
る、請求項５に記載のコーティング物質の焼成方法。 - 【請求項７】前記シリコンオキシドの固有吸収波長を有
する赤外線が透過可能なフィルタを介して赤外線を照射
し、前記コーティング物質中のシリコンオキシドを焼成
する、請求項６に記載のコーティング物質の焼成方法。 - 【請求項８】水及び／またはアルコールの固有吸収波長
を有する赤外線が透過可能なフィルタを介して赤外線を
照射し、前記コーティング物質中の水及び／またはアル
コールを焼成する、請求項６に記載のコーティング物質
の焼成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P39547 | 1997-08-20 | ||
| KR1019970039547A KR100445431B1 (ko) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | 음극선관패널표면도포물질의소성장치및방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154463A JPH11154463A (ja) | 1999-06-08 |
| JP2944652B2 true JP2944652B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=19517868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10233741A Expired - Fee Related JP2944652B2 (ja) | 1997-08-20 | 1998-08-20 | コーティング物質の焼成装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944652B2 (ja) |
| KR (1) | KR100445431B1 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262036A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイス製造装置 |
| EP0370119B1 (de) * | 1988-11-19 | 1991-08-28 | Borg-Warner Automotive GmbH | Doppelkäfig-Freilauf mit rastender Axialfixierung durch axiale Fortsätze an einem Kunststoff-Aussenkäfigring |
| JP2878039B2 (ja) * | 1992-07-29 | 1999-04-05 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| JPH06260410A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Sony Corp | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
| JP3334348B2 (ja) * | 1994-08-22 | 2002-10-15 | ソニー株式会社 | カラー陰極線管のパネル内面への光吸収性物質層の形成方法 |
-
1997
- 1997-08-20 KR KR1019970039547A patent/KR100445431B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-08-20 JP JP10233741A patent/JP2944652B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990016854A (ko) | 1999-03-15 |
| KR100445431B1 (ko) | 2004-11-03 |
| JPH11154463A (ja) | 1999-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6406758B1 (en) | Method of applying a protective coating to a touch screen panel | |
| EP0705483B1 (en) | Method of curing a film | |
| KR100460675B1 (ko) | 자외선조사장치 | |
| US6348676B2 (en) | Rapid cooking device using infrared light | |
| CN103328115A (zh) | 形成于pet膜表面的涂膜的干燥方法及涂膜干燥炉 | |
| JP2944652B2 (ja) | コーティング物質の焼成装置及び方法 | |
| JP2004273125A (ja) | 加熱装置 | |
| US20030020027A1 (en) | Apparatus for infrared reduction in ultraviolet radiation generators | |
| KR20060004683A (ko) | 적외선 방출체 및 조사 장치 | |
| EP0443834B1 (en) | Improved curing oven | |
| JPH0778830A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100216485B1 (ko) | 음극선관의 표면 처리막 소성방법 | |
| CN113039165B (zh) | 玻璃物品的制造方法以及薄板玻璃的加热方法 | |
| CA2404835A1 (en) | Method for drying coatings on substrates for lamps | |
| JPH05138107A (ja) | 塗装用乾燥炉 | |
| JP2011127809A (ja) | 遠赤外線放射セラミックバーナプレート | |
| JPH07283096A (ja) | 半導体基板の処理方法及び装置 | |
| JPS59105871A (ja) | プレコ−トメタルの製造装置 | |
| JPS59103212A (ja) | 絶縁電線の製造方法 | |
| KR100449752B1 (ko) | 음극선관의표면처리막치밀화방법 | |
| KR950008020Y1 (ko) | 음극선관의 형광막 건조장치 | |
| JPS57207345A (en) | Light irradiation annealing device | |
| JPH07283090A (ja) | 半導体基板の処理方法及び装置 | |
| JPH0527206B2 (ja) | ||
| WO2007012480A1 (de) | Kochvorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |