JP2934883B2 - Gas generator by vaporization method - Google Patents
Gas generator by vaporization methodInfo
- Publication number
- JP2934883B2 JP2934883B2 JP14018289A JP14018289A JP2934883B2 JP 2934883 B2 JP2934883 B2 JP 2934883B2 JP 14018289 A JP14018289 A JP 14018289A JP 14018289 A JP14018289 A JP 14018289A JP 2934883 B2 JP2934883 B2 JP 2934883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- branch
- flow path
- flow
- path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、気化方式によるガス発生装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a gas generating apparatus using a vaporization method.
例えばガス状の材料（例えば金属のハロゲン化物）
に、減圧下で熱エネルギーを加えてガス分子を分解し、
被加工物である素材の表面に高純度で均質の薄膜を形成
するといった減圧熱CVD（Chemical Vapour Depositio
n）の原理を応用した減圧化学蒸着装置があり、この減
圧化学蒸着装置は、金型、超硬切削工具、機械部品、耐
蝕部材、その他の各種製品または部品の表面処理ひ利用
されている。For example, gaseous materials (eg, metal halides)
In addition, heat energy is applied under reduced pressure to decompose gas molecules,
Low-pressure thermal CVD (Chemical Vapor Depositio), which forms a high-purity and uniform thin film on the surface of the material to be processed
There is a reduced pressure chemical vapor deposition apparatus which applies the principle of n), and this reduced pressure chemical vapor deposition apparatus is used for surface treatment of dies, carbide cutting tools, machine parts, corrosion resistant members, and other various products or parts.
そして、このような減圧化学蒸着装置に対して前記蒸
着に供されるガスを供給するこのの一つとして、液体の
原材料を収容した気化槽を恒温槽内に設けて、前記原材
料内においてキャリヤガスをバブリングさせることによ
り、所定の気化ガスを発生させるようにした気化方式に
よるガス発生装置があるが、従来のこの種のガス発生装
置においては、原材料の温度，気化槽内における圧力お
よびキャリヤガスの流量が定常状態であるものと仮定し
て、所定流量の反応ガスを発生させるようにしていた。As one of the methods for supplying the gas used for the vapor deposition to such a reduced pressure chemical vapor deposition apparatus, a vaporization chamber containing a liquid raw material is provided in a constant temperature bath, and a carrier gas is contained in the raw material. There is a gas generator based on a vaporization method in which a predetermined vaporized gas is generated by bubbling a gas. Assuming that the flow rate is in a steady state, a predetermined flow rate of the reaction gas is generated.
しかしながら、上記温度，圧力および流量をそれぞれ
一定に保持することが困難であり、従って、常に所定流
量の気化ガスを発生させることが困難であった。However, it is difficult to keep the temperature, pressure, and flow rate constant, and it is therefore difficult to always generate a predetermined flow rate of vaporized gas.
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、そ
の目的とするところは、上記温度，圧力および流量に変
化が生じても、常に所定流量の気化ガスを発生させるこ
とができる気化方式によるガス発生装置を提供すること
にある。The present invention has been made in consideration of the above-mentioned matters, and has as its object to provide a vaporization method capable of always generating a vaporized gas at a predetermined flow rate even if the temperature, pressure, and flow rate change. To provide a gas generator according to the present invention.
上述の目的を達成するため、本発明に係る気化方式に
よるガス発生装置は、液体または固体の原材料を収容し
た気化槽を恒温槽内に設け、前記気化槽内にガス流路か
ら分岐した分岐路を介してキャリヤガスを導入すること
により前記原材料を気化させて所定の気化ガスを、前記
ガス流路における前記分岐路の分岐点よりも下流側に位
置する合流点に合流する導出路を介して発生させるよう
にした気化方式によるガス発生装置において、前記原材
料の温度、気化槽内における圧力およびキャリヤガスの
流量をそれぞれ計測し、この計測データおよび前記気化
槽から導出されるガスの流量値に基づいて演算を行い、
前記温度、圧力および流量のうち少なくとも一つを設定
しなおすことにより、常に所定流量の気化ガスを発生さ
せるように構成されており、キャリヤガス導入口の下流
側に連なる流路に、３つの第1,第２およひ第３の分岐流
路を設けるとともに、前記ガス流路をパージするパージ
ガスの導入口をキャリヤガス導入口とは別に設け、前記
第１の分岐流路と前記第２の分岐流路と前記パージガス
導入口の下流側に連なる流路のそれぞれの下流側を、前
記ガス流路の上流側において合流させる一方、前記第３
の分岐流路の下流側を、トータルガス流量調整機能を有
するよう前記ガス流路とは前記合流点よりも、下流側の
合流点において合流する第４の流路の上流側に接続して
あり、更に、前記第1,第２および第３の分岐流路に、ガ
スの質量流量を測定するとともに、ガス流量を制御する
マスフローコントローラと開閉弁とを直列に接続したも
のをそれぞれ設け、しかも、前記第１の分岐流路に設け
た前記マスフローコントローラと前記第２の分岐流路に
設けた前記マスフローコントローラとにおける流量制御
範囲が互いに異なるように設定してあり、前記第１の分
岐流路から前記ガス流路および前記分岐路を通り前記気
化槽へ供給させるキャリヤガスの供給量が変化したと
き、前記第１の分岐流路の前記開閉弁に代わって前記第
２の分岐流路の前記開閉弁を開きキャリヤガスを前記第
２の分岐流路から前記ガス流路および前記分岐路を通り
前記気化槽へ供給するように構成してある。In order to achieve the above object, a gas generator using a vaporization method according to the present invention is provided with a vaporization tank containing a liquid or solid raw material in a constant temperature bath, and a branch path branched from a gas flow path in the vaporization tank. A predetermined vaporized gas is vaporized by introducing the carrier gas through the outlet, and a predetermined vaporized gas is merged at a merging point located downstream of a branch point of the branch path in the gas flow path. In the gas generator by the vaporization method to generate, the temperature of the raw material, the pressure in the vaporization tank and the flow rate of the carrier gas are measured, and based on the measurement data and the flow rate value of the gas derived from the vaporization tank. To calculate
By resetting at least one of the temperature, the pressure and the flow rate, a predetermined flow rate of the vaporized gas is always generated, and three third flow paths are connected to the downstream side of the carrier gas inlet. A first and a second branch flow path are provided, and a purge gas inlet for purging the gas flow path is provided separately from the carrier gas inlet, and the first branch flow path and the second branch flow path are provided. While the respective downstream sides of the branch flow path and the flow path connected to the downstream side of the purge gas introduction port are merged on the upstream side of the gas flow path, the third flow path is connected to the third flow path.
The downstream side of the branch flow path is connected to the upstream side of a fourth flow path that merges with the gas flow path at a downstream merge point with the gas flow path so as to have a total gas flow rate adjusting function. Further, the first, second and third branch flow paths are each provided with a mass flow controller for measuring a gas mass flow rate and a mass flow controller for controlling the gas flow rate and an on-off valve connected in series, and The mass flow controllers provided in the first branch flow path and the mass flow controllers provided in the second branch flow path are set to have different flow control ranges from each other. When the supply amount of the carrier gas to be supplied to the vaporization tank through the gas flow path and the branch path changes, the second branch flow path is replaced with the on-off valve of the first branch flow path. The carrier gas to open the valve closing is arranged to supply to the gas flow path and the branching paths through the vaporizing chamber from the second branch flow path.
上記構成によれば、原材料の温度，気化槽内における
圧力およびキャリヤガスの流量を常に監視することがで
き、これらの計測データと前記気化槽から導出されるガ
スの流量値に基づいて演算を行って、前記温度，圧力お
よび流量のうち少なくとも一つを設定しなおすことによ
り、常に所定流量の気化ガスを発生させることができ
る。また、プロセス時間を長くすることなくキャリヤガ
スの流量の変化に対処できる。According to the above configuration, the temperature of the raw material, the pressure in the vaporization tank, and the flow rate of the carrier gas can be constantly monitored, and the calculation is performed based on these measurement data and the flow rate value of the gas derived from the vaporization tank. By resetting at least one of the temperature, pressure and flow rate, a predetermined flow rate of the vaporized gas can always be generated. Further, it is possible to cope with a change in the flow rate of the carrier gas without increasing the process time.
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明す
る。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第１図は本発明に係るガス発生装置の一構成例でを示
し、この図において、１は気化槽で、その内部には適宜
の液体原材料２が所定量収容してあるとともに、この液
体原材料２内には、ガス流路３から点Ａにおいて分岐し
た分岐路４の先端部に接続され多数の細孔を有するバブ
ラ５を浸漬した状態で設けてあって、このバブラ５を介
して後述するキャリヤガスG1を液体原材料２内において
バブリングさせることにより、所定の気化ガスＧが発生
するようにしてある。６は前記分岐路４に設けられた開
閉弁である。FIG. 1 shows an example of the configuration of a gas generator according to the present invention. In this figure, reference numeral 1 denotes a vaporization tank, in which a predetermined amount of an appropriate liquid raw material 2 is accommodated, and A bubbler 5 having a large number of pores connected to the distal end of a branch path 4 branched at a point A from the gas flow path 3 is provided in the inside 2 in a state of being immersed therein. by the carrier gas G 1 is bubbled in the liquid raw material 2, a predetermined vaporized gas G are as occurring. Reference numeral 6 denotes an on-off valve provided in the branch passage 4.
７は前記気化ガスＧおよびキャリヤガスG1を気化槽か
ら導出するための導出路で、この導出路７の下流側は前
記分岐点Ａよりも下流側の点Ｂにおいてガス流路３に接
続してある。８は導出路７に設けられた開閉弁、９は気
化槽１内の液体原材料２と発生した気化ガスＧとの境界
面2aの温度を検出する温度センサである。また、10は前
記分岐点Ａよりもやや上流側の点Ｃにおいてガス流路３
に設けられる圧力センサで、この圧力センサ10は本来、
気化槽１内の前記境界面における圧力を検出するように
設けるのが好ましいのであるが、気化ガスＧが腐食性を
有するような場合には、図示する位置に設け、ガス流路
３や分岐路４による圧力損失を補正することにより、結
果的に前記境界面2aにおける圧力を検出するようにして
ある。7 connects the vaporized gas G and carrier gas G 1 at outlet passage for leading the vaporized bath, the gas flow path 3 at a point B on the downstream side of the branch point A downstream side of the outlet passage 7 It is. Reference numeral 8 denotes an on-off valve provided in the outlet path 7, and reference numeral 9 denotes a temperature sensor for detecting a temperature of a boundary surface 2a between the liquid raw material 2 in the vaporization tank 1 and the generated vaporized gas G. 10 is a gas flow path 3 at a point C slightly upstream of the branch point A.
This pressure sensor 10 is originally provided in
It is preferable to provide the pressure at the boundary surface in the vaporization tank 1 so as to detect the pressure. However, when the vaporized gas G has corrosiveness, it is provided at the position shown in FIG. As a result, the pressure at the boundary surface 2a is detected by correcting the pressure loss caused by the pressure loss caused by the pressure.
11は前記気化槽１を収容し、これを所定の温度に加熱
・保温する恒温槽で、内部には例えばシリコンオイルな
どの加熱媒体12が満たしてあり、下方には加熱用ヒータ
13が設けてある。そして、14は加熱媒体12の温度を検出
する温度センサで、この温度センサ14の検出結果に基づ
いて図外のCPUまたは温度調整器によって加熱用ヒータ1
3が制御されるのである。15はガス流路３において前記
分岐点Ａと合流点Ｂとの間に設けられる開閉弁である。Numeral 11 denotes a thermostatic chamber for containing the vaporization tank 1 and heating and keeping the vaporization tank 1 at a predetermined temperature, and the inside thereof is filled with a heating medium 12 such as silicon oil and a heating heater is provided below.
13 are provided. Reference numeral 14 denotes a temperature sensor for detecting the temperature of the heating medium 12. Based on the detection result of the temperature sensor 14, a heating heater 1 is controlled by a CPU or a temperature controller (not shown).
3 is controlled. Reference numeral 15 denotes an on-off valve provided between the branch point A and the junction B in the gas flow path 3.
16はキャリヤガスG1を導入するためのキャリヤガス導
入口であって、図外のガスボンベに接続してあり、図示
する例においては、このキャリヤガス導入口16の下流側
に連なる流路17は３つの流路18,19,20、すなわち、第1,
第２および第３の分岐流路18,19,20に分岐されていて、
これらの流路18〜20にはガスの質量流量を測定するとと
もに、ガス流量を制御するマスフローコントローラ21〜
23と開閉弁24〜26とを直列に接続したものがそれぞれ設
けてある。また、この実施例では、マスフローコントロ
ーラ21と22とにおける流量制御範囲が互いに異なるよう
にしてある。16 is a carrier gas inlet for introducing a carrier gas G 1, Yes connected to a gas cylinder outside figure, in the example shown, a flow path 17 communicating with the downstream side of the carrier gas inlet 16 The three channels 18, 19, 20, namely the first,
Branched into second and third branch flow paths 18, 19, 20;
These flow paths 18 to 20 measure the mass flow rate of the gas, and control the gas flow rate.
23 and on-off valves 24-26 are connected in series. In this embodiment, the flow control ranges of the mass flow controllers 21 and 22 are different from each other.
27はパージガスG2を導入するためのパージガス導入口
であって、図外のガスボンベに接続してあり、このパー
ジガス導入口27の下流側に連なる流路28にもマスフロー
コントロ29と開閉弁30とを直列に接続したものが設けて
ある。27 is a purge gas inlet for introducing a purge gas G 2, Yes and connected to a gas cylinder outside figure a mass flow controller 29 to the flow path 28 communicating with the downstream side of the purge gas inlet 27 and the on-off valve 30 Are connected in series.
そして、前記流路18,19,28のそれぞれの下流側は合流
させてあって、前記ガス流路３の上流側に接続してあ
る。また、前記流路20の下流側は、トータルガス流量調
整機能を有し、ガス流路３とは合流点Ｂよりも下流側の
合流点Ｄにおいて合流する流路（第４の流路）31の上流
側に接続してある。32はガス流路３の点Ｂと点Ｄとの
間、導出路７のほぼ全部およびトータルガス流量調整流
路31の前記合流点Ｄ近傍に設けられる凝縮防止用配管ヒ
ータである。The downstream sides of the flow paths 18, 19, and 28 are joined together and connected to the upstream side of the gas flow path 3. A downstream side of the flow path 20 has a total gas flow rate adjusting function, and a flow path (fourth flow path) 31 which joins the gas flow path 3 at a junction D downstream of the junction B. It is connected to the upstream side of. Reference numeral 32 denotes a condensation prevention pipe heater provided between the points B and D of the gas flow path 3, substantially all of the lead-out path 7 and near the junction D of the total gas flow rate adjustment flow path 31.
なお、前記開閉弁6,8,15,24〜26,30としては空気弁ま
たは電磁弁が用いられ、これらの開閉弁6,8,15,24〜26,
30およびマスフローコントローラ21〜23,29は図外のCPU
によって制御される。また、温度センサ９および圧力セ
ンサ10によって計測された結果は、図外のAD変換器を介
してCPU（図外）に逐次読み込まれるようにしてある。Incidentally, air valves or solenoid valves are used as the on-off valves 6, 8, 15, 24 to 26, 30, and these on-off valves 6, 8, 15, 24 to 26,
30 and mass flow controllers 21 to 23, 29 are CPUs not shown
Is controlled by The results measured by the temperature sensor 9 and the pressure sensor 10 are sequentially read into a CPU (not shown) via an AD converter (not shown).
次に、上記構成のガス発生装置の動作について説明す
る。Next, the operation of the gas generator having the above configuration will be described.
気化槽１内において気化ガスＧを発生させるとは、開
閉弁6,8,24,26が「開」、開閉弁15,25,30が「閉」とさ
れる。そして、特に、開閉弁25は気化槽１へのキャリヤ
ガスG1の供給量が例えば増大したとき、開閉弁24に代わ
って「開」にされる。To generate the vaporized gas G in the vaporization tank 1 means that the on-off valves 6, 8, 24, 26 are "open" and the on-off valves 15, 25, 30 are "closed". Then, in particular, on-off valve 25 when the supply amount of the carrier gas G 1 into the vaporization chamber 1, for example, increased, it is "open" in place of the on-off valve 24.
気化ガスＧの発生量の制御を行う条件として、ガス流
路３における合流点Ｄよりもやや下流側の点3aにおける
流量（総発生流量）をＱとし、そのときの気化ガスＧの
濃度をCG（単位；％）とする。そして、恒温槽11内の加
熱媒体12の温度をTKとする。また、流路18,20における
ガス流量をそれぞれQ1,Q2,とし、前記気化ガスＧの流量
をQGとする。As a condition for controlling the generation amount of the vaporized gas G, the flow rate (total generated flow rate) at a point 3a slightly downstream of the confluence point D in the gas flow path 3 is Q, and the concentration of the vaporized gas G at that time is C G (unit;%) Then, the temperature of the heating medium 12 in the thermostat 11 is set to T K. Further, the gas flow rates in the flow paths 18 and 20 are denoted by Q 1 and Q 2 , respectively, and the flow rate of the vaporized gas G is denoted by Q G.
そして、液体原材料２におけるガス温度T1と気化槽１
内の境界面2aの圧力ＰをAD変換器を介してCPUに読み込
むようにする。CPUにおいては、その内部にストアされ
ている液体原材料２の温度と飽和蒸気圧との関係データ
から前記ガス温度T1に相当する液体原材料２の蒸気圧Pt
を演算によって求める。Then, the gas temperature T 1 in the liquid raw material 2 and the vaporization tank 1
The pressure P of the boundary surface 2a is read into the CPU via the AD converter. In the CPU, the vapor pressure P t of the liquid raw material 2 corresponding to the gas temperature T 1 is obtained from the relational data between the temperature of the liquid raw material 2 stored therein and the saturated vapor pressure.
Is obtained by calculation.
今、ガス流路３の点3aにおける流量Ｑと気化ガスＧの
濃度CGを与えたとき、上述の条件と以下の式に基づい
て、気化したときのマスフローコントローラ21,23の校
正圧力条件に換算した気化ガスＧの流量QGとマスフロー
コントローラ21,23における流量Q1,Q2を求めることがで
きる。Now, when given the concentration C G of the flow rate Q and the vaporized gas G at the point 3a of the gas channel 3, based on the following equation with conditions described above, the calibration pressure conditions of the mass flow controllers 21 and 23 when the vaporized it can be determined the flow rate Q 1, Q 2 conversion was vaporized gas G in the flow rate Q G and the mass flow controllers 21 and 23.
Ｑ＝Q1＋Q2＋QG QG＝Ｑ・CG/100 ＝Q1・Pt/（Ｐ−Pt） ∴Q1＝QG・（Ｐ−Pt）/Pt 又は、 Q1＝（Q1＋QG）・（Ｐ−Pt）/P Q2＝Ｑ−（Q1＋Q2） ここで、上記Ptはガス温度T1によって求めることがで
きるため、気化槽１内の境界面2aの圧力Ｐと液体原材料
２の温度T1とが変化しても、マスフローコントローラ21
と23とによってそれぞれ調整して前記流量Q1,Q2を変化
させることにより、ガス流路３の点3aにおける気化ガス
Ｇの濃度CGを所定値に保つことができる。つまり、気化
槽１において発生する気化ガスＧの質量流量を常に所定
の値にすることができる。Q = Q 1 + Q 2 + Q G Q G = Q · C G / 100 = Q 1 · P t / (P-P t ) ∴Q 1 = Q G · (P-P t ) / P t or Q 1 = (Q 1 + Q G) · (P-P t) / PQ 2 = Q- (Q 1 + Q 2) where, since the P t is which can be determined by the gas temperature T 1, the boundary of the vaporizing chamber 1 also the pressure P of the surface 2a and the temperature T 1 of the liquid raw material 2 is changed, the mass flow controller 21
If by 23 adjusted respectively by the changing the flow rate Q 1, Q 2, it is possible to maintain the concentration C G of the vaporized gas G at the point 3a of the gas flow path 3 to a predetermined value. That is, the mass flow rate of the vaporized gas G generated in the vaporization tank 1 can always be set to a predetermined value.
そして、従来においては、前記濃度CGを変更する場
合、流量Q1がマスフローコントローラ21の制御範囲を超
えるようなときには、恒温槽11内の加熱媒体12の温度TK
を変化させてマスフローコントローラ21の制御範囲内で
流量制御するようにしていたため、全体のプロセス時間
が長くなっていたが、この実施例においては、前記流量
Q1がマスフローコントローラ21の制御範囲を超えるよう
なときには、CPUによって開閉弁24を自動的に閉じる一
方、開閉弁25を自動的に開くようにして、広範囲の濃度
制御を行うことができる。この場合、前記加熱媒体12の
温度TKを変化させる必要がないので、プロセス時間を短
縮することができるのである。Then, conventionally, when changing the concentration C G, when the flow rate Q 1 is exceeding the control range of the mass flow controller 21, the temperature T K of the heating medium 12 in the thermostatic bath 11
Was changed to control the flow rate within the control range of the mass flow controller 21, so that the entire process time was longer.
When Q 1 is exceeding the control range of the mass flow controller 21 automatically closes one opening and closing valve 24 by CPU, in the automatically opened closing valve 25, it is possible to perform a wide range of density control. In this case, it is not necessary to change the temperature T K of the heating medium 12, so that the process time can be reduced.
なお、パージガスG2によってパージを行うときには、
開閉弁15,30を「開」、開閉弁6,8,24〜26をそれぞれ
「閉」にすればよい。Incidentally, when performing a purge by the purge gas G 2 is,
The on-off valves 15, 30 may be set to "open", and the on-off valves 6, 8, 24 to 26 may be set to "closed".
本発明は、上述のバブリング方式のガス発生装置に限
らるものではなく、キャリヤガスG1を気化槽１内に導入
して、気化槽１内の液体原材料２と気相との境界面2aに
おける蒸気圧がその温度における飽和蒸気圧にほぼ近い
状態において所定の気化ガスＧを発生させるようにした
ガス発生装置にも適用することができる。また、気化槽
１内の液体原材料２に代えて、固体原材料に用いるよう
にしてもよい。The present invention is not intended Kagiraru the gas generator of the above bubbling method, by introducing a carrier gas G 1 into the vaporizing chamber 1, at the interface 2a of the liquid raw material 2 and the gas phase in the vaporizing chamber 1 The present invention can also be applied to a gas generator configured to generate a predetermined vaporized gas G in a state where the vapor pressure is almost close to the saturated vapor pressure at that temperature. Further, instead of the liquid raw material 2 in the vaporization tank 1, the solid raw material may be used.
以上説明したように、本発明においては、原材料の温
度，気化槽内における圧力およびキャリヤガスの流量を
常に監視することができ、これらの計測データと前記気
化槽から導出されるガスの流量値に基づいて演算を行っ
て、前記温度，圧力および流量のうち少なくとも一つを
設定しなおすことにより、常に所定流量の気化ガスを発
生させることができる。また、キャリヤガス導入口の下
流側に連なる流路に第１の分岐流路および第２の分岐流
路を設け、第１の分岐流路に設けたマスフローコントロ
ーラと第２の分岐流路に設けたマスフローコントローラ
とにおける流量制御範囲を互いに異なるように設定する
ことにより、プロセス時間を長くすることはなくキャリ
ヤガスの流量の変化に対処できる。As described above, in the present invention, the temperature of the raw material, the pressure in the vaporization tank, and the flow rate of the carrier gas can be constantly monitored, and the measured data and the flow rate value of the gas derived from the vaporization tank can be calculated. By calculating at least one of the temperature, the pressure and the flow rate based on the calculation based on the calculated flow rate, a predetermined flow rate of the vaporized gas can be constantly generated. Further, a first branch flow path and a second branch flow path are provided in a flow path connected to the downstream side of the carrier gas inlet, and a mass flow controller provided in the first branch flow path and a second branch flow path are provided in the second branch flow path. By setting the flow control ranges of the mass flow controller and the mass flow controller different from each other, it is possible to cope with a change in the flow rate of the carrier gas without increasing the process time.
第１図は本発明の一実施例に係るバブリング方式による
ガス発生装置の概略構成を示す図である。 １……気化槽、２……原材料、３……ガス流路、４……
分岐路、７……導出路、11……恒温槽、16……キャリヤ
ガス導入口、17……流路、18……第１の分岐流路、19…
…第２の分岐流路、20……第３の分岐流路、21,22,23…
…マスフローコントローラ、24,25,26……開閉弁、27…
…パージガスの導入口、28……流路、31……第４の流
路、Ａ……分岐点、B,C……合流点、Ｇ……気化ガス、G
1……キャリヤガスFIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a gas generating apparatus using a bubbling method according to one embodiment of the present invention. 1 ... vaporization tank, 2 ... raw material, 3 ... gas flow path, 4 ...
Branch path, 7 Outlet path, 11 Constant temperature bath, 16 Carrier gas inlet, 17 Flow path, 18 First branch flow path, 19
... 2nd branch flow path, 20 ... 3rd branch flow path, 21,22,23 ...
... Mass flow controller, 24,25,26 ... On-off valve, 27 ...
... Inlet of purge gas, 28 ... Flow path, 31 ... Fourth flow path, A ... Branch point, B, C ... Combined point, G ... Vaporized gas, G
1 ...... Carrier gas
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−10323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−58829（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−43637（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B01J 7/00,7/02 C23C 16/44 Continuation of the front page (56) References JP-A-57-10323 (JP, A) JP-A-61-58829 (JP, A) JP-A-62-43637 (JP, U) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 6 , DB name) B01J 7/00, 7/02 C23C 16/44
Claims (1)
を恒温槽内に設け、前記気化槽内にガス流路から分岐し
た分岐路を介してキャリヤガスを導入することにより前
記原材料を気化させて所定の気化ガスを、前記ガス流路
における前記分岐路の分岐点よりも下流側に位置する合
流点に合流する導出路を介して発生させるようにした気
化方式によるガス発生装置において、前記原材料の温
度、気化槽内における圧力およびキャリヤガスの流量を
それぞれ計測し、この計測データおよび前記気化槽から
導出されるガスの流量値に基づいて演算を行い、前記温
度、圧力および流量のうち少なくとも一つを設定しなお
すことにより、常に所定流量の気化ガスを発生させるよ
うに構成されており、キャリヤガス導入口の下流側に連
なる流路に、３つの第1,第２および第３の分岐流路を設
けるとともに、前記ガス流路をパージするパージガスの
導入口をキャリヤガス導入口とは別に設け、前記第１の
分岐流路と前記第２の分岐流路と前記パージガス導入口
の下流側に連なる流路のそれぞれの下流側を、前記ガス
流路の上流側において合流させる一方、前記第３の分岐
流路の下流側を、トータルガス流量調整機能を有するよ
う前記ガス流路とは前記合流点よりも下流側の合流点に
おいて合流する第４の流路の上流側に接続してあり、更
に、前記第1,第２および第３の分岐流路に、ガスの質量
流量を測定するとともに、ガス流量を制御するマスフロ
ーコントローラと開閉弁とを直列に接続したものをそれ
ぞれ設け、しかも、前記第１の分岐流路に設けた前記マ
スフローコントローラと前記第２の分岐流路に設けた前
記マスフローコントローラとにおける流量制御範囲が互
いに異なるように設定してあり、前記第１の分岐流路か
ら前記ガス流路および前記分岐路を通り前記気化槽へ供
給されるキャリヤガスの供給量が変化したとき、前記第
１の分岐流路の前記開閉弁に代わって前記第２の分岐流
路の前記開閉弁を開きキャリヤガスを前記第２の分岐流
路から前記ガス流路および前記分岐路を通り前記気化槽
へ供給するように構成したことを特徴とする気化方式に
よるガス発生装置。1. A vaporization tank containing a liquid or solid raw material is provided in a thermostat, and the raw material is vaporized by introducing a carrier gas into the vaporization tank through a branch path branched from a gas flow path. Wherein the predetermined gas is generated via a lead-out path that merges with a merging point located downstream of the branch point of the branch path in the gas flow path. , The pressure in the vaporization tank and the flow rate of the carrier gas are measured, and an operation is performed based on the measured data and the flow rate value of the gas derived from the vaporization tank, and at least one of the temperature, pressure and flow rate is calculated. It is configured to always generate a predetermined flow rate of vaporized gas by resetting one of them, and three flow paths are connected to the downstream side of the carrier gas inlet. 1, a second and third branch flow paths are provided, and a purge gas inlet for purging the gas flow path is provided separately from the carrier gas inlet, and the first branch flow path and the second branch flow are provided. The respective downstream sides of the flow path and the flow path connected to the downstream side of the purge gas inlet are merged at the upstream side of the gas flow path, while the downstream side of the third branch flow path is provided with a total gas flow adjustment function. The gas flow path is connected to an upstream side of a fourth flow path that joins at a junction downstream from the junction, and further includes the first, second, and third branch flow paths. In addition, a mass flow controller for measuring the gas mass flow rate, a mass flow controller for controlling the gas flow rate and an on-off valve connected in series are provided, respectively, and the mass flow controller and the second Branch 2 The flow rate control ranges in the mass flow controller provided in the passage are set to be different from each other, and the carrier gas supplied to the vaporization tank from the first branch passage through the gas passage and the branch passage is set. When the supply amount is changed, the on-off valve of the second branch flow path is opened instead of the on-off valve of the first branch flow path, and the carrier gas flows from the second branch flow path to the gas flow path and A gas generator using a vaporization method, wherein the gas is supplied to the vaporization tank through the branch path.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14018289A JP2934883B2 (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Gas generator by vaporization method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14018289A JP2934883B2 (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Gas generator by vaporization method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034929A JPH034929A (en) | 1991-01-10 |
| JP2934883B2 true JP2934883B2 (en) | 1999-08-16 |
Family
ID=15262807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14018289A Expired - Fee Related JP2934883B2 (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Gas generator by vaporization method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2934883B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9929279D0 (en) * | 1999-12-11 | 2000-02-02 | Epichem Ltd | An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites |
| JP4583104B2 (en) * | 2004-08-10 | 2010-11-17 | 原子燃料工業株式会社 | Methyltrichlorosilane gas generator |
| JP4997901B2 (en) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | カシオ計算機株式会社 | Vaporizer and drive control method thereof |
| JP5103983B2 (en) * | 2007-03-28 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas supply method, gas supply apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium |
| JP2015139723A (en) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | ホリバ ユーケー リミテッド | Liquid material-vaporizing device |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP14018289A patent/JP2934883B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034929A (en) | 1991-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5647083B2 (en) | Raw material vaporization supply device with raw material concentration detection mechanism | |
| US7374941B2 (en) | Active reactant vapor pulse monitoring in a chemical reactor | |
| JP3830670B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JP5755958B2 (en) | Raw material gas supply equipment for semiconductor manufacturing equipment | |
| JPH0468391B2 (en) | ||
| TWI675937B (en) | Substrate processing apparatus, gas supply method, substrate processing method, and film forming method | |
| KR101052156B1 (en) | Gas supply method and gas supply device | |
| JPH08335117A (en) | Method and device for controlling mass flow rate while using sonic velocity nozzle | |
| JP2005024421A (en) | Differential pressure type flow meter and differential pressure type flow control system | |
| JP3828821B2 (en) | Liquid material vaporizer | |
| JP4356874B2 (en) | Method for monitoring the vaporization rate of raw materials in a container | |
| JP2934883B2 (en) | Gas generator by vaporization method | |
| US5987981A (en) | Method for momentarily identifying a gas or liquid flow, and device for carry out the method | |
| JP2008286812A (en) | Differential flow meter | |
| JPH05228361A (en) | Device for vaporizing and supplying liquid material | |
| JP2005307233A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method and method for feeding process gas | |
| US8925481B2 (en) | Systems and methods for measuring, monitoring and controlling ozone concentration | |
| JPH0747119B2 (en) | Device for injecting low vapor pressure substances into low pressure or vacuum systems | |
| KR20220027020A (en) | Vaporization system and concentration control module used in the same | |
| Maslar et al. | Characterization of vapor draw vessel performance for low-volatility solid precursor delivery | |
| JP2004514997A (en) | Method and apparatus for metered delivery of low volume liquid streams | |
| JP3070728B2 (en) | Thin film vapor deposition equipment | |
| JPS59185772A (en) | Control device for flow rate of evaporating gas in high melting metallic compound | |
| JPH0642938B2 (en) | Vaporized gas flow controller | |
| JP2003013233A (en) | Device for vaporizing/feeding liquid raw material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |