JP2933584B2 - Semiconductor integrated circuit device and macro terminal clamp processing method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device and macro terminal clamp processing method

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JP2933584B2
JP2933584B2 JP10034118A JP3411898A JP2933584B2 JP 2933584 B2 JP2933584 B2 JP 2933584B2 JP 10034118 A JP10034118 A JP 10034118A JP 3411898 A JP3411898 A JP 3411898A JP 2933584 B2 JP2933584 B2 JP 2933584B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
に関し、特に、マクロ端子のクランプ処理技術に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly, to a technique for clamping a macro terminal.

【0002】[0002]

【従来の技術】専用設計で作成されるマクロの入出力端
子は、通常使用される数だけ存在するように作成され
る。しかし、汎用設計で作成されるマクロは、使用規
模、用途によっては使用されない端子(未使用端子)も
存在する。
2. Description of the Related Art The input / output terminals of a macro created by a special design are created such that the number of macro input / output terminals is normally used. However, macros created by general-purpose design have terminals that are not used (unused terminals) depending on the scale of use and application.

【0003】例えば、RAM(ランダムアクセスメモ
リ)等の大規模マクロでは、1つのマクロレイアウト
で、×4、×8、×16のように複数の規模を実現する
場合が多く存在する。
For example, in a large-scale macro such as a RAM (random access memory), a plurality of scales such as × 4, × 8, and × 16 are often realized by one macro layout.

【0004】この場合、マクロは、最大規模の×16使
用を想定して設計されるため、これを、×4や×8とし
て使用する場合には、図9に、マクロ規模における「未
使用端子」として示されるように、不要となる多数の未
使用端子が発生し、これら未子用端子をクランプ処理す
る必要が生じる。
In this case, since the macro is designed on the assumption that the maximum size of × 16 is used, when the macro is used as a × 4 or × 8, FIG. ", A number of unused terminals become unnecessary, and it becomes necessary to clamp these unused terminals.

【0005】従来、未使用端子のクランプ処理として
は、主流であるマクロの外部で処理する方法と、その他
の方法としてマクロの内部で処理する方法の2通りがあ
る。
Conventionally, there are two methods of clamping unused terminals: a method of processing outside a macro, which is a main stream, and another method of processing inside a macro.

【0006】マクロの外部で処理する方法は、図10に
示すように、クランプ電位供給用ブロック61を用意
し、クランプ電位供給用ブロック61をマクロの未使用
端子に配線接続してクランプするものである。なお、図
10において、60は機能ブロック、62は配線、63
は電源リング(電源配線)、64はマクロ内部を示して
いる。
As shown in FIG. 10, a method of processing outside the macro is to prepare a clamp potential supply block 61, connect the clamp potential supply block 61 to an unused terminal of the macro, and clamp it. is there. In FIG. 10, reference numeral 60 denotes a functional block; 62, a wiring;
Denotes a power ring (power wiring), and 64 denotes the inside of the macro.

【0007】図11は、この処理フローを示している。
図11を参照すると、回路接続情報12に、未使用のマ
クロ端子をクランプする接続情報を付加する処理65を
行ない、この接続情報を基に自動配置配線66を行な
い、配線結果出力67、アートワークデータ14とのマ
ージ処理68の順で処理が行なわれる。
FIG. 11 shows this processing flow.
Referring to FIG. 11, a process 65 for adding connection information for clamping an unused macro terminal to the circuit connection information 12 is performed, an automatic placement and routing 66 is performed based on the connection information, a wiring result output 67, an artwork The processing is performed in the order of the merge processing 68 with the data 14.

【0008】回路接続情報作成時、自動で未使用のマク
ロ端子をクランプ処理する方法としては、例えば特開平
4−235678号公報、特開平4−336675号公
報等の記載が参照される。
As a method of automatically clamping unused macro terminals when creating circuit connection information, reference is made to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 4-235678 and 4-336675.

【0009】一方、マクロの内部で処理する方法として
は、それぞれの規模に対して1対1対応するマクロアー
トワークデータを用意する方法、および未使用端子の電
位を安定させる回路を付加する方法がある。
On the other hand, as a method of processing inside a macro, there are a method of preparing macro artwork data corresponding to each scale on a one-to-one basis, and a method of adding a circuit for stabilizing the potential of an unused terminal. is there.

【0010】図12に示すように、マクロ端子の近傍か
ら高電位側または低電位側に直接接続される配線ブロッ
クを用意し、図13に示す処理フローを用い、未使用の
場合このブロックを端子部に配置しクランプする。図1
2において、63は電源リング、64はマクロ内部、7
0はクランプパターン、71はマクロ内部配線を示す。
図13を参照すると、回路接続情報12を入力し回路接
続情報作成処理73において未使用マクロ端子を配線ブ
ロックでクランプする情報を追加し、クランプ情報が追
加された回路接続情報と、配線プロックパターンと配置
座標が付加されている自動配置配線データベース72と
から自動配置配線74を行い、アートワークデータ14
を参照して、配線結果出力75とのマージ処理76が行
われる。
As shown in FIG. 12, a wiring block directly connected to the high potential side or the low potential side from the vicinity of the macro terminal is prepared, and the processing block shown in FIG. 13 is used. And clamp it. FIG.
In 2, 63 is a power ring, 64 is inside the macro, 7
0 indicates a clamp pattern, and 71 indicates a macro internal wiring.
Referring to FIG. 13, circuit connection information 12 is input, and information for clamping an unused macro terminal with a wiring block is added in circuit connection information creation processing 73, and the circuit connection information to which the clamp information has been added, the wiring block pattern, Automatic placement and routing 74 is performed from the automatic placement and routing database 72 to which the placement coordinates have been added, and the artwork data 14
, A merge process 76 with the wiring result output 75 is performed.

【0011】なお、例えば特開昭63−258041号
公報には、自動配線によってクランプ処理を行なう技
術、また特開昭61−22648号公報、特開昭61−
22649号公報等には、マクロ構成時にマクロ内にク
ランプ電位供給用ブロックやクランプ用電源配線を付加
し、クランプ処理が容易なマクロ構成にする技術が記載
されている。
[0011] For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-258041 discloses a technique for performing a clamping process by automatic wiring, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-22648 and Japanese Patent Application Laid-Open No.
Japanese Patent Application Publication No. 22649 and the like disclose a technique in which a clamp potential supply block and a clamp power supply wiring are added in a macro at the time of macro configuration to make the macro configuration easy to clamp.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来技術は、次の様な問題点があった。
However, these prior arts have the following problems.

【0013】マクロの外部で処理する場合の第1の問題
点は、チップのサイズが拡大する、ということである。
The first problem in processing outside the macro is that the size of the chip increases.

【0014】その理由は、クランプ電位供給用ブロック
を必要な数だけ配置するため、搭載しなければならない
機能ブロックの配置数が減少し、この結果、配置数を増
加させるためにはチップサイズを拡大しなければならな
いためである。
The reason is that the required number of clamp potential supply blocks is arranged, so that the number of functional blocks that must be mounted decreases, and as a result, the chip size increases in order to increase the number of arrangements. Because you have to do it.

【0015】第2の問題点は、配線性が劣化する、とい
うことである。
The second problem is that the wiring property is deteriorated.

【0016】その理由は、搭載した機能ブロックの配線
と同様に、クランプされるマクロ入力端子とクランプ電
位供給用ブロックを配線することにより、機能ブロック
の配線格子数を減少させることになり、未配線の原因に
なるためである。
The reason is that, similarly to the wiring of the mounted functional block, by wiring the macro input terminal to be clamped and the block for supplying the clamp potential, the number of wiring grids of the functional block is reduced. It is because it causes.

【0017】第3の問題点は、マクロとクランプ電位供
給用ブロックの使用電源が異なる混載技術の場合、クラ
ンプ電位供給用ブロックに接続することが出来ない、と
いうことである。
A third problem is that in the case of a mixed technology using different power supplies for the macro and the clamp potential supply block, they cannot be connected to the clamp potential supply block.

【0018】その理由は、クランプ処理は高電位電源あ
るいは低電位電源に接続することにより、クランプされ
た回路の動作を一定に保つものである。この時、例え
ば、マクロの高電位側が+5.0Vで、クランプ電位供
給用ブロックの高電位側が+2.5Vであった場合、
2.5Vの電位差が生じており、とうていマクロの回路
をクランプさせることは出来ず、逆に誤動作の原因につ
ながる可能性がある。
The reason is that the clamping process is to keep the operation of the clamped circuit constant by connecting to a high potential power supply or a low potential power supply. At this time, for example, when the high potential side of the macro is +5.0 V and the high potential side of the clamp potential supply block is +2.5 V,
Since a potential difference of 2.5 V is generated, the macro circuit cannot be clamped at all, and may cause a malfunction.

【0019】次に、マクロの内部で処理する場合の問題
点について説明すると、その第1の問題点は、マクロの
データ数が増加する、ということである。
Next, the problem in the case of processing inside a macro will be described. The first problem is that the number of data of the macro increases.

【0020】その理由は、それぞれの規模に対して1対
1対応するマクロアートワークデータを用意すると、基
本機能は同じであるのに、使用端子数が異なるだけで、
マクロ名が異なるマクロデータが多数存在することにな
り、データの管理も複雑になってしまうためである。
The reason is that if macro artwork data corresponding to each scale is prepared on a one-to-one basis, the basic functions are the same, but only the number of terminals used is different.
This is because a large number of macro data having different macro names exist, and data management becomes complicated.

【0021】第2の問題点は、マクロサイズが拡大す
る、ということである。
The second problem is that the macro size increases.

【0022】その理由は、未使用端子の電位を安定させ
る回路をマクロ内で構成するため、構成素子を余分にマ
クロ内に付加しなければならないためである。この影響
によりチップサイズが拡大する可能性もある。
The reason is that since a circuit for stabilizing the potential of the unused terminal is formed in the macro, an extra component must be added to the macro. Due to this effect, the chip size may be increased.

【0023】第3の問題点は、マクロのデータ量が増加
する、ということである。
A third problem is that the data amount of the macro increases.

【0024】その理由は、ゲートアレイの場合、セルア
レイ上を高電位及び低電位配線が規則正しく配列されて
おり、同セルアレイ上に配置された機能ブロックの端子
は容易にクランプすることが出来る。しかし、メモリマ
クロのような場合には、高電位及び低電位ラインが不規
則の為、端子数分の配線ブロックを用意しなければなら
ない。さらに、自動配置配線データベース中に端子数分
の配線ブロック座標、配線ブロックパターン名を記述す
る必要があり、その量は通常の端子記述の3倍のデータ
量である。
The reason is that in the case of a gate array, high-potential and low-potential wirings are regularly arranged on the cell array, and the terminals of the functional blocks arranged on the cell array can be easily clamped. However, in the case of a memory macro, the high-potential and low-potential lines are irregular, so that wiring blocks for the number of terminals must be prepared. Furthermore, it is necessary to describe the wiring block coordinates and wiring block pattern names for the number of terminals in the automatic arrangement and wiring database, and the amount is three times the data amount of a normal terminal description.

【0025】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、チップサイズの
増大、配線性の劣化を防ぎ、マクロとクランプ電位供給
用ブロックの使用電源が異なる混載技術にも対応するこ
とが出来るマクロ構成及びクランプ処理方法を提供する
ことにある。また本発明の他の目的は、マクロのデータ
数の増大、マクロサイズの拡大を回避するマクロ構成及
びクランプ処理方法を提供することにある。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to prevent an increase in chip size and deterioration of wiring properties, and to use different power supplies for the macro and clamp potential supply blocks. An object of the present invention is to provide a macro configuration and a clamp processing method that can cope with mixed mounting technology. Another object of the present invention is to provide a macro configuration and a clamp processing method for avoiding an increase in the number of macro data and an increase in macro size.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、半導体集積回路に搭載するマクロの入出
力端子(「マクロ端子」という)に対して、あらかじめ
自動配置配線データベース中のマクロ内で高電位側及び
低電位側の両方にクランプしておき、マクロ名、全端子
名、端子クランプ情報を含むマクロ端子情報と回路接続
情報とを用いて、マクロ端子のクランプの要/不要に応
じて、前記マクロ内の高電位側と低電位側のいずれか一
方のクランプパターン又は両方のクランプパターンを削
除することで未使用端子のクランプ処理を行うことで配
置配線結果のデータを得ることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a macro input / output terminal (hereinafter referred to as "macro terminal") mounted on a semiconductor integrated circuit.
Clamping is performed on both the high potential side and the low potential side in the macro in the automatic placement and routing database, and the macro terminal is used by using the macro terminal information including the macro name, all terminal names, terminal clamp information, and circuit connection information. if Y / N of the clamp, distribution by performing clamping of unused pins by removing one of the clamping pattern or both of the clamp pattern having a high potential side and the low potential side within the macro
It is characterized in that data of a placement and routing result is obtained .

【0027】本発明は、(a)マクロ名、全端子名、端
子クランプ情報が記載されたマクロ端子情報と、回路接
続情報とを用いて、各マクロ端子の使用、未使用、及び
クランプ電位を決定する工程と、(b)自動配置配線デ
ータベースに対して使用しない端子定義を配線禁止デー
タに変更する工程と、(c)変更された自動配置配線デ
ータベースを用いて自動配置配線を行う工程と、(d)
自動配置配線処理の配線結果出力とアートワークデータ
とマージ処理を行ない、マージ処理後のデータから、ク
ランプパターンを削除する工程と、を含む。
According to the present invention, (a) the use, unused, and clamp potential of each macro terminal are determined by using macro terminal information in which macro names, all terminal names, terminal clamp information are described, and circuit connection information. Determining; (b) changing a terminal definition not used in the automatic placement and routing database to routing prohibition data; and (c) performing automatic placement and routing using the changed automatic placement and routing database; (D)
Performing a merge result with the wiring result output of the automatic placement and routing process and the artwork data, and deleting a clamp pattern from the data after the merge process.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明は、半導体集積回路に搭載するマク
ロの入出力端子において、あらかじめマクロ内でVDD
(高電位電源)側及びGND(低電位電源)側にクラン
プしたパターンを、回路接続情報と既存データから作成
されるマクロ端子情報を用いて、マクロ端子の全てある
いは一方のクランプしたパターンを削除する処理を行な
うことにより、未使用端子のクランプ処理を的確に行う
ものである。
Embodiments of the present invention will be described below. According to the present invention, the input / output terminals of the macro mounted on the semiconductor
Using the circuit connection information and the macro terminal information created from the existing data, all or one of the macro terminals is removed from the clamped pattern on the (high potential power supply) side and the GND (low potential power supply) side. By performing the process, the clamp process of the unused terminal is accurately performed.

【0029】図1(a)を参照すると、マクロ端子1,
2,3,4は、マクロ内でVDD(高電位電源)側及び
GND(低電位電源)側両方にマクロ内部配線7上でク
ランプされている。クランプするパターンセル名は各マ
クロ端子に対応して定義されている。なお、図1におい
て、5はVDD側クランプパターン、6はGND側クラ
ンプパターン、7はマクロ内部配線を示す。
Referring to FIG. 1A, macro terminals 1 and 2
2, 3 and 4 are clamped on the macro internal wiring 7 on both the VDD (high-potential power supply) side and the GND (low-potential power supply) side in the macro. The pattern cell name to be clamped is defined corresponding to each macro terminal. In FIG. 1, reference numeral 5 denotes a VDD-side clamp pattern, 6 denotes a GND-side clamp pattern, and 7 denotes a macro internal wiring.

【0030】図1(b)は、クランプ処理後のマクロ端
子クランプ配置例をわかりやすく示した図である。図1
(b)を参照すると、マクロ端子1は、クランプが不要
なためVDD、GND両方のパターンを削除し、マクロ
端子2は、GND側にクランプ処理されるため、VDD
側のパターンを削除し、マクロ端子3は、VDD側にク
ランプ処理されたためGND側のパターンを削除し、マ
クロ端子4は、クランプ処理が不要なためVDD、GN
D両方のパターンが削除されている。図中、記号×はパ
ターンを削除したことを示す。
FIG. 1B is a diagram showing an example of a macro terminal clamp arrangement after the clamping process. FIG.
Referring to (b), since the macro terminal 1 does not require clamping, both the VDD and GND patterns are deleted, and the macro terminal 2 is clamped to the GND side.
Side pattern is deleted, the macro terminal 3 is clamped to the VDD side and the GND side pattern is deleted, and the macro terminal 4 is not required to be clamped to VDD and GN.
D Both patterns have been deleted. In the figure, the symbol x indicates that the pattern has been deleted.

【0031】図2は、本発明の実施の形態におけるクラ
ンプ処理の処理フローを示す図である。図2を参照する
と、マクロ名、全端子名、端子クランプ情報が記載され
たマクロ端子情報11と、回路接続情報12を用いて、
各マクロ端子の使用、未使用、及びクランプ電位を決定
する処理15を行い、自動配置配線データベース13に
対して使用しない端子定義を配線禁止データに変更する
処理16を行う。
FIG. 2 is a diagram showing a processing flow of the clamp processing in the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, using macro terminal information 11 in which a macro name, all terminal names, and terminal clamp information are described, and circuit connection information 12,
A process 15 for determining the use, unused, and clamp potential of each macro terminal is performed, and a process 16 for changing the unused terminal definition to the wiring prohibition data in the automatic placement and routing database 13 is performed.

【0032】その後、変更された自動配置配線データベ
ースを使用し、自動配置配線17を行う。
Thereafter, the automatic placement and routing 17 is performed using the changed automatic placement and routing database.

【0033】自動配置配線17終了後、配線結果出力1
8、アートワークデータ14とマージ処理19を行な
い、マージ処理後のデータから、クランプパターンを削
除する処理20を行い、全ての処理を終了する。これに
より、未使用端子のクランプ処理を的確に行なうことが
出来る。
After the automatic placement and routing 17 is completed, the wiring result output 1
8. A merge process 19 is performed with the artwork data 14, a process 20 for deleting the clamp pattern from the data after the merge process is performed, and all the processes are completed. As a result, the unused terminal can be clamped accurately.

【0034】[0034]

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;

【0035】図1(a)は、本発明の一実施例によるマ
クロ端子クランプ配置を示す図である。図1(a)を参
照するとマクロ端子1、2、3、4はそれぞれ、VDD
(高電位)側クランプパターン5及びGND(低電位)
側クランプパターン6によって内部配線7上でクランプ
されている。マクロ端子は全て、本発明のクランプ処理
フロー実行直前までは、VDD(高電位)側及びGND
(低電位)側両方にマクロ内部配線7上でクランプされ
ている。
FIG. 1A is a diagram showing a macro terminal clamp arrangement according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1A, macro terminals 1, 2, 3, and 4 are each connected to VDD.
(High potential) side clamp pattern 5 and GND (low potential)
It is clamped on the internal wiring 7 by the side clamp pattern 6. All macro terminals are connected to the VDD (high potential) side and GND until immediately before the execution of the clamp processing flow of the present invention.
Both (low potential) sides are clamped on the macro internal wiring 7.

【0036】本発明の一実施例において、VDD(高電
位)側クランプパターン5及びGND(低電位)側クラ
ンプパターン6の配置時のセル名は、それぞれのマクロ
端子に対し1対1対応している。
In one embodiment of the present invention, the cell names when the VDD (high-potential) side clamp pattern 5 and the GND (low-potential) side clamp pattern 6 are arranged have a one-to-one correspondence with each macro terminal. I have.

【0037】図2は、本発明の一実施例におけるクラン
プ処理フローを示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a clamp processing flow in one embodiment of the present invention.

【0038】図2を参照すると、マクロ名、全端子名、
端子クランプ情報が記載されたマクロ端子情報11と、
回路接続情報12とを用いて、各マクロ端子が、クラン
プ不要か、クランプ必要か、必要な場合はVDD(高電
位)側かGND(低電位)側であるかを決定する処理1
5を行い、自動配置配線データベース13に対して、使
用しない端子定義を配線禁止定義に変更する処理16を
行う。
Referring to FIG. 2, macro names, all terminal names,
Macro terminal information 11 in which terminal clamp information is described;
Processing 1 for determining, using the circuit connection information 12, whether each macro terminal requires no clamping, needs clamping, and if necessary, is on the VDD (high potential) side or the GND (low potential) side.
5, the processing 16 for changing the unused terminal definition to the wiring prohibition definition is performed on the automatic placement and routing database 13.

【0039】その後、変更された自動配置配線データベ
ースを用いて、自動配置配線17を行う。自動配置配線
終了後、配線結果出力18、アートワークデータ14と
のマージ処理19を行なったデータから、クランプ処理
が不要なものは、その端子のクランプパターンを全て削
除し、クランプ処理が必要でありその電位がVDD(高
電位)側の場合には、その端子のGND(低電位)側を
クランプしているパターンを削除、クランプ処理が必要
でありその電位がGND(低電位)側の場合には、その
端子のVDD(高電位)側をクランプしているパターン
を削除するクランプパターン削除処理20を行い、全て
の処理を終了する。
Thereafter, the automatic placement and routing 17 is performed using the changed automatic placement and routing database. After the automatic placement and routing, from the data obtained by performing the merge processing 19 with the wiring result output 18 and the artwork data 14, if the clamp processing is unnecessary, all the clamp patterns of the terminals are deleted and the clamp processing is required. If the potential is on the VDD (high potential) side, the pattern that clamps the GND (low potential) side of the terminal needs to be deleted and a clamping process is required. If the potential is on the GND (low potential) side, Performs a clamp pattern deletion process 20 for deleting the pattern clamping the VDD (high potential) side of the terminal, and ends all the processes.

【0040】次に、本発明の一実施例について更に詳細
に説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described in more detail.

【0041】図1は、本発明の一実施例によるマクロ端
子クランプ配置の一例を示す図である。マクロ端子1、
2、3、4はそれぞれ、VDD(高電位)側クランプパ
ターン5及びGND(低電位)側クランプパターン6に
よってマクロ内部配線7上でクランプされている。全マ
クロ端子は、クランプ処理フローを実行直前までは、す
べてVDD(高電位)側及びGND(低電位)側両方に
マクロ内部配線7上でクランプされている。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a macro terminal clamp arrangement according to an embodiment of the present invention. Macro terminal 1,
2, 3, and 4 are clamped on the macro internal wiring 7 by a VDD (high potential) side clamp pattern 5 and a GND (low potential) side clamp pattern 6, respectively. All the macro terminals are clamped on the macro internal wiring 7 on both the VDD (high potential) side and the GND (low potential) side until immediately before the execution of the clamp processing flow.

【0042】ところで、VDD(高電位)側クランプパ
ターン5及びGND(低電位)側クランプパターン6の
配置時のセル名は、それぞれのマクロ端子に対し1対1
対応している。例えば、マクロ端子1の端子名を「H0
1」、マクロ端子2の端子名を「H02」とした場合、
VDD(高電位)側クランプパターンセル名はそれぞれ
「VDDH01」、「VDDH02」、GND(低電
位)側クランプパターンセル名は「GNDH01」、
「GNDH02」というように、マクロ端子名とそのク
ランプ電位がわかるセル名で定義する。
By the way, when the VDD (high-potential) side clamp pattern 5 and the GND (low-potential) side clamp pattern 6 are arranged, the cell name is one to one for each macro terminal.
Yes, it is. For example, the terminal name of the macro terminal 1 is "H0
1 "and the terminal name of the macro terminal 2 is" H02 ",
The VDD (high potential) side clamp pattern cell names are "VDDH01" and "VDDH02", and the GND (low potential) side clamp pattern cell names are "GNDH01".
It is defined by the name of the macro terminal and the name of the cell whose clamp potential is known, such as “GNDH02”.

【0043】このように定義することによって、マクロ
端子とクランプパターンセル名の対応表等の参照するこ
となくクランプ処理が可能であり、かつ、処理負担の軽
減、参照に要する時間を短縮することが出来る。
By defining in this way, it is possible to perform the clamping process without referring to the correspondence table between the macro terminal and the clamp pattern cell name, and also to reduce the processing load and the time required for the reference. I can do it.

【0044】図2は、本発明の一実施例のクランプ処理
の基本的なフローを示す図であり、図3乃至図5は、本
発明の一実施例によるクランプ処理方法の詳細フローを
示す図である。始めに、図2を参照して、本発明の一実
施例のクランプ処理の方法について説明する。
FIG. 2 is a diagram showing a basic flow of the clamping process according to one embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 5 are diagrams showing a detailed flow of the clamping process according to one embodiment of the present invention. It is. First, a method of a clamping process according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0045】図2を参照すると、マクロ名、全端子名、
端子クランプ情報が記載されたマクロ端子情報11と回
路接続情報12と用いて、各マクロ端子の使用状況と、
クランプ不要か、クランプ必要か、クランプ必要な場合
には高電位側か低電位側かを決定する処理15を行い、
自動配置配線データベース13に対して、使用しない端
子定義を配線禁止定義に変更する処理16を行う。その
後、変更された自動配置配線データベースを使用し、自
動配置配線17を行う。自動配置配線終了後、配線結果
出力18と、アートワークデータ14とのマージ処理1
9を行なったデータから、クランプ処理が不要なもの
は、その端子のクランプパターンを全て削除し、クラン
プ処理が必要で、その電位がVDD(高電位)側の場合
は、その端子のGND(低電位)側をクランプしている
パターンを削除し、クランプ処理が必要でその電位がG
ND(低電位)側の場合は、その端子のVDD(高電
位)側をクランプしているパターンを削除する処理20
を行い、全ての処理を終了21する。
Referring to FIG. 2, macro names, all terminal names,
Using the macro terminal information 11 in which the terminal clamp information is described and the circuit connection information 12, the usage status of each macro terminal,
A process 15 is performed to determine whether the clamp is unnecessary, whether the clamp is necessary, and if the clamp is necessary, whether the potential is the high potential side or the low potential side.
A process 16 of changing the unused terminal definition to the wiring prohibition definition is performed on the automatic placement and routing database 13. Thereafter, the automatic placement and routing 17 is performed using the changed automatic placement and routing database. After the automatic placement and routing is completed, the merging process 1 of the wiring result output 18 and the artwork data 14
From the data obtained by performing step 9, if the clamp processing is unnecessary, all the clamp patterns of the terminal are deleted, and the clamp processing is required. When the potential is on the VDD (high potential) side, the GND (low) of the terminal is used. The pattern clamping the potential) side is deleted, and a clamping process is required, and the potential is G
In the case of the ND (low potential) side, a process 20 for deleting the pattern clamping the VDD (high potential) side of the terminal 20
Is performed, and all the processing ends.

【0046】なお、マクロ名、全端子名、端子クランプ
情報が記載されたマクロ端子情報11は、図6に示すよ
うに、自動配置配線データベース13、各ブロックの回
路情報22、クランプするブロック名とクランプ電位2
3からマクロ名、端子情報、クランプ情報を検索する処
理49を行うことで作成される。
As shown in FIG. 6, the macro terminal information 11 including the macro name, all terminal names, and terminal clamp information includes an automatic placement and routing database 13, circuit information 22 of each block, a block name to be clamped, and the like. Clamp potential 2
3 is created by performing processing 49 for searching for macro name, terminal information, and clamp information.

【0047】図3乃至図5を参照して、本発明の一実施
例のクランプ処理について説明する。適応具体例として
は、図8に示すように、マクロ名を「MACRO」、最
大規模使用の場合の入力端子の数を「5」端子、その端
子名を「H01」〜「H05」、出力端子の数を「5」
端子、その端子名を「N01」〜「N05」、最小規模
使用の場合は、使用入出力端子数はそれぞれ「3」端
子、端子名「H01」〜「H03」、端子名「N01」
〜「N03」とし、未使用の入力端子端子「H04」は
VDD(高電位)側、「H05」はGND(低電位)側
にクランプされるものとし、最小規模使用の場合につい
て説明する。
Referring to FIGS. 3 to 5, the clamping process according to one embodiment of the present invention will be described. As a specific example of adaptation, as shown in FIG. 8, the macro name is “MACRO”, the number of input terminals for maximum use is “5” terminals, the terminal names are “H01” to “H05”, and the output terminals are Number of "5"
The terminals and their terminal names are “N01” to “N05”. In the case of using the smallest scale, the number of input / output terminals used is “3” terminals, the terminal names “H01” to “H03”, and the terminal name “N01”.
To "N03", the unused input terminal "H04" is clamped to the VDD (high potential) side and "H05" is clamped to the GND (low potential) side.

【0048】図3乃至図5において、マクロ名、全端子
名、端子クランプ情報が記載されたマクロ端子情報11
は、図6に示す作成フローによって、マクロ名MACR
O、全端子名H01〜H05、N01〜N05、クラン
プ情報はH04をVDD、H05をGNDと記載されて
いる。
In FIG. 3 to FIG. 5, macro terminal information 11 in which a macro name, all terminal names, and terminal clamp information are described.
Is the macro name MACR according to the creation flow shown in FIG.
O, all terminal names H01 to H05, N01 to N05, and clamp information are described as VDD for H04 and GND for H05.

【0049】また、回路接続情報12は、未使用の入出
力端子H04、H05、N04、N05は接続されてい
ない。
In the circuit connection information 12, unused input / output terminals H04, H05, N04 and N05 are not connected.

【0050】まず、マクロ名、全端子名、端子クランプ
情報が記載されたマクロ端子情報11及び回路接続情報
12を読み込む(図3のステップ24)。
First, the macro terminal information 11 and the circuit connection information 12 in which the macro name, all terminal names, and terminal clamp information are described are read (step 24 in FIG. 3).

【0051】次に、クランプ処理すべき端子が回路接続
情報で未接続か判定するステップ25(図3参照)で、
読み込んだマクロ名、全端子名、端子クランプ情報が記
載されたマクロ端子情報の端子情報と回路接続情報12
の未使用端子が一致するか確認を行なう。
Next, in step 25 (see FIG. 3), it is determined whether the terminal to be clamped is not connected in the circuit connection information.
Terminal information and circuit connection information 12 of the macro terminal information in which the read macro name, all terminal names, and terminal clamp information are described.
Confirm that the unused terminals of the two match.

【0052】今回の例では、H04、H05、N04、
N05が未接続となっている。
In this example, H04, H05, N04,
N05 is not connected.

【0053】ここで、不一致が生じた場合、マクロ名、
全端子名、端子クランプ情報が記載されたマクロ端子情
報11もしくは回路接続情報12に記述ミスありと出力
し処理を終了する(図3のステップ26)。
Here, when a mismatch occurs, the macro name,
The macro terminal information 11 or the circuit connection information 12 in which the names of all the terminals and the terminal clamp information are described is output as having a description error, and the process ends (step 26 in FIG. 3).

【0054】また、マクロ名、全端子名、端子クランプ
情報が記載されたマクロ端子情報11の端子情報と回路
接続情報12の未使用端子が一致した場合、使用端子
か、未使用端子か、未使用端子の場合、クランプ不要
か、クランプ必要か、必要な場合はVDD(高電位)側
かGND(低電位)側か決定する(図3のステップ2
7)。
When the terminal information of the macro terminal information 11 in which the macro name, all terminal names, and terminal clamp information are described and the unused terminal of the circuit connection information 12 match, the used terminal, the unused terminal, and the unused terminal are determined. In the case of the used terminal, it is determined whether the clamp is unnecessary, the clamp is necessary, and if necessary, the VDD (high potential) side or the GND (low potential) side is determined (Step 2 in FIG. 3)
7).

【0055】今回の例では、H01〜H03、N01〜
N05がクランプ不要で、H04がVDD(高電位)
側、H05がGND(低電位)側にクランプ処理される
ことになる。
In this example, H01-H03, N01-
N05 does not require clamping, H04 is VDD (high potential)
Side H05 is clamped to the GND (low potential) side.

【0056】次に、自動配置配線データベースを読み込
み(図4のステップ28)、マクロ名、全端子名、端子
クランプ情報が記載されたマクロ端子情報11に記載さ
れているマクロ名を検索し(図4のステップ29)、該
当マクロの端子の読み取る(図4のステップ30)。
Next, the automatic placement and routing database is read (step 28 in FIG. 4), and the macro name described in the macro terminal information 11 in which the macro name, all terminal names, and terminal clamp information are described (FIG. 4). 4, step 29), and read the terminal of the corresponding macro (step 30 in FIG. 4).

【0057】さらに、読み取った端子について、使用端
子であるか判定し(図4のステップ32)、使用端子で
ある場合は自動配置配線データベースの端子定義はその
ままで次の端子を読み込み、該当しない場合は、未使用
端子か判定し(図4のステップ33)、未使用端子であ
る場合、自動配置配線データベースの端子定義を配線禁
止定義に変更する(図4のステップ34)。どちらとも
に該当しない場合は、自動配置配線データベースに記述
ミスありと出力し処理を終了する(図4のステップ3
5)。
Further, it is determined whether or not the read terminal is a used terminal (step 32 in FIG. 4). If it is a used terminal, the next terminal is read without changing the terminal definition in the automatic placement and routing database. Determines whether the terminal is an unused terminal (step 33 in FIG. 4), and if it is an unused terminal, changes the terminal definition in the automatic placement and routing database to a wiring prohibition definition (step 34 in FIG. 4). If neither of them is applicable, an error is described in the automatic placement and routing database, and the process is terminated (step 3 in FIG. 4).
5).

【0058】今回の例では、H04、H05、N04、
N05の自動配置配線データベースの端子定義を配線禁
止定義に変更する。
In this example, H04, H05, N04,
The terminal definition of the automatic placement and routing database of N05 is changed to the wiring prohibition definition.

【0059】次に、自動配置配線を行ない(図4のステ
ップ36)、配線終了後、配線結果を出力し(図4のス
テップ37)、さらにアートワークデータ14とマージ
処理を行なう(図5のステップ38)。これらステップ
36〜38までの処理は、通常のマスタースライス方式
の半導体集積回路装置の処理工程と変わりない。
Next, automatic placement and routing are performed (step 36 in FIG. 4), and after completion of the wiring, a wiring result is output (step 37 in FIG. 4), and a merge process with the artwork data 14 is performed (FIG. 5). Step 38). The processing of these steps 36 to 38 is not different from the processing steps of a normal master slice type semiconductor integrated circuit device.

【0060】次に、マージ処理が終わったデータからク
ランプセルを読み込み(図5のステップ39)、読み取
ったクランプセルに対し、使用端子もしくは未使用端子
でクランプ不要か否かを判断し(図5のステップ4
1)、該当した場合、クランプセルのセル配置情報を全
て削除し(図5のステップ42)、該当しない場合は、
未使用端子でクランプ電位がVDD(高電位)側である
か判断し(図5のステップ43)、ここで該当した場
合、該当セルのGND(低電位)側のセル情報を削除し
(図5のステップ44)、該当しない場合は、未使用端
子でクランプ必要でクランプ電位がGND(低電位)側
であるか判断し(図5のステップ45)、ここで該当し
た場合、該当セルのVDD(高電位)側のセル情報を削
除する(図5のステップ46)。いずれにも該当しない
場合は、アートワークデータに間違いありと出力し処理
を終了する(図5のステップ47)。この処理を読み込
むデータがなくなるまで行なう。
Next, a clamp cell is read from the merged data (step 39 in FIG. 5), and it is determined whether or not the read clamp cell does not need to be clamped at a used terminal or an unused terminal (FIG. 5). Step 4 of
1) If applicable, delete all the cell arrangement information of the clamp cell (step 42 in FIG. 5);
It is determined whether or not the clamp potential of the unused terminal is on the VDD (high potential) side (step 43 in FIG. 5). If this is the case, the cell information on the GND (low potential) side of the corresponding cell is deleted (FIG. 5). Step 44), if not applicable, it is necessary to clamp the unused terminal and it is determined whether or not the clamp potential is on the GND (low potential) side (Step 45 in FIG. 5). The cell information on the (high potential) side is deleted (step 46 in FIG. 5). If none of the above applies, the artwork data is output as incorrect and the process is terminated (step 47 in FIG. 5). This process is repeated until there is no more data to be read.

【0061】今回の例では、H01〜H03、N01〜
N03は使用端子であるためクランプセル情報を全て削
除し、H04はVDD(高電位)側にクランプされるた
めGND(低電位)側のクランプセル情報を削除、H0
5はGND(低電位)側にクランプされるためVDD
(高電位)側のクランプセル情報が削除される。
In this example, H01-H03, N01-
Since N03 is a used terminal, all clamp cell information is deleted, and H04 is clamped on the VDD (high potential) side, so that clamp cell information on the GND (low potential) side is deleted.
5 is clamped to the GND (low potential) side, so that VDD
The (high potential) side clamp cell information is deleted.

【0062】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。図7は、本発明の第二の実施例のクランプ処理を示
す図である。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a diagram showing a clamping process according to the second embodiment of the present invention.

【0063】図7を参照すると、本発明の第二の実施例
において、図2に示した前記実施例における、端子使
用、未使用とクランプ電位を決定する処理15と、使用
しない端子を配線禁止データに変更する処理16との間
に、未使用端子のクランプ情報(電位)を追加する処理
50と、クランプパターン削除処理20と終了21の間
に、クランプ情報が追加された回路接続情報51を参照
し、レイアウトと回路接続情報との比較検証処理52が
設けられている。
Referring to FIG. 7, in the second embodiment of the present invention, a process 15 for determining whether a terminal is used or unused and a clamp potential in the embodiment shown in FIG. A process 50 for adding the clamp information (potential) of the unused terminal to the process 16 for changing to data, and a circuit connection information 51 with the clamp information added between the clamp pattern deletion process 20 and the end 21. For reference, a comparison verification process 52 of the layout and the circuit connection information is provided.

【0064】本実施例では、未使用端子の電位を回路接
続情報に自動追加する処理を追加することにより、クラ
ンプ処理後のアートワークデータと回路接続情報との接
続検証がミスなくスムーズに行なえる。
In this embodiment, by adding a process of automatically adding the potential of the unused terminal to the circuit connection information, the connection verification between the artwork data after the clamping process and the circuit connection information can be smoothly performed without error. .

【0065】[0065]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0066】本発明の第1の効果は、クランプ電位供給
用ブロックの配置によるチップサイズの拡大を防ぐこと
が出来る、ということである。
A first effect of the present invention is that the chip size can be prevented from being increased due to the arrangement of the clamp potential supply block.

【0067】その理由は、本発明においては、マクロ内
でクランプ処理を行なうため、クランプ電位供給用ブロ
ックを不要としているためである。
The reason is that, in the present invention, the clamping process is performed in the macro, so that the clamp potential supply block is not required.

【0068】本発明の第2の効果は、クランプ電位供給
用ブロックとマクロ端子間の配線による配線性の劣化を
防ぐことが出来る、ということである。
A second effect of the present invention is that it is possible to prevent the wiring property from being deteriorated due to the wiring between the clamp potential supply block and the macro terminal.

【0069】その理由は、本発明においては、マクロ内
でクランプ処理を行なうため、クランプ電位供給用ブロ
ックとの接続が不要となり、その分配線格子が増加し、
配線性が向上するためである。
The reason is that, in the present invention, since the clamping process is performed in the macro, the connection with the clamp potential supply block becomes unnecessary, and the wiring grid increases accordingly.
This is because the wiring property is improved.

【0070】本発明の第3の効果は、マクロとクランプ
電位供給用ブロックの使用電源が異なる混載技術にも対
応することが出来る、ということである。
A third effect of the present invention is that it is possible to cope with a mixed technology in which the power supply used for the macro and the clamp potential supply blocks is different.

【0071】その理由は、本発明においては、マクロ内
電源でクランプ処理を行なうためである。
The reason is that, in the present invention, the clamping process is performed by the power supply in the macro.

【0072】本発明の第4の効果は、1つのマクロレイ
アウトで複数規模に対応することが出来る、ということ
である。
A fourth effect of the present invention is that one macro layout can handle a plurality of scales.

【0073】その理由は、本発明においては、マクロ
名、全端子名、端子クランプ情報、回路接続情報より判
断してクランプ処理を行うためである。
The reason is that, in the present invention, the clamping process is performed by judging from the macro name, all terminal names, terminal clamp information, and circuit connection information.

【0074】本発明の第5の効果は、マクロサイズを縮
小することが出来る、ということである。
A fifth effect of the present invention is that the macro size can be reduced.

【0075】その理由は、本発明においては、クランプ
処理は、クランプパターンによって行われるため、マク
ロ内で電位を安定させるクランプ処理回路が不要とな
り、その分のエリアを確保しなくて良くなったためであ
る。
The reason for this is that, in the present invention, since the clamp processing is performed by the clamp pattern, a clamp processing circuit for stabilizing the electric potential in the macro becomes unnecessary, and an area corresponding to this need not be secured. is there.

【0076】本発明の第6の効果は、マクロのデータ量
を増加させない、ということである。
A sixth effect of the present invention is that the amount of macro data is not increased.

【0077】その理由は、本発明においては、自動配置
配線ツールを使用して配線ブロックパターンの配置切り
換えを行なわないため、自動配置配線データベースの端
子定義中に、配置切り換えに必要な定義を追加記述が不
要になり、その分のデータ量を増加させないためであ
る。
The reason is that, in the present invention, since the layout switching of the wiring block pattern is not performed by using the automatic layout and wiring tool, the definition necessary for the layout switching is additionally described in the terminal definition of the automatic layout and wiring database. Is unnecessary, and the data amount is not increased accordingly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)本発明の基本的な実施例によるマクロ端
子クランプ配置を示す図である。 (b)本発明の基本的な実施例によるマクロ端子クラン
プパターン削除後の配置を示す図である。
FIG. 1A shows a macro terminal clamp arrangement according to a basic embodiment of the present invention. (B) is a diagram showing an arrangement after deleting a macro terminal clamp pattern according to a basic embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例によるクランプ処理方法のフ
ローを示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a flow of a clamp processing method according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例によるクランプ処理方法のフ
ローを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a flow of a clamp processing method according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例によるクランプ処理方法のフ
ローを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a flow of a clamp processing method according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例によるクランプ処理方法のフ
ローを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a flow of a clamp processing method according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例で使用するマクロ名、全端子
名、端子クランプ情報が記載されたマクロ端子情報の作
成フローを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a flow of creating macro terminal information describing macro names, all terminal names, and terminal clamp information used in one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の他の実施例によるクランプ処理方法の
フローを示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a flow of a clamp processing method according to another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例によるマクロ名と使用規模に
よる使用端子、クランプ電位を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a macro name, a use terminal, and a clamp potential according to a use scale according to an embodiment of the present invention.

【図9】従来の技術によるマクロ規模における使用端子
を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing used terminals on a macro scale according to a conventional technique.

【図10】従来の技術によるマクロ接続を示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing a macro connection according to a conventional technique.

【図11】従来の技術によるマクロ端子クランプ処理方
法のフローを示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a flow of a macro terminal clamping processing method according to a conventional technique.

【図12】従来の技術によるマクロ接続を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram showing a macro connection according to the related art.

【図13】従来の技術によるマクロ端子クランプ処理方
法のフローを示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a flow of a conventional macro terminal clamping method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜4 マクロ端子 5 VDD(高電位)側クランプパターン 6 GND(低電位)側クランプパターン 7 マクロ内部配線 60 機能ブロック 61 クランプ電位供給用ブロック 62 配線 63 電源リング 64 マクロ内部 70 クランプパターン 71 マクロ内部配線 1-4 Macro terminal 5 VDD (high potential) side clamp pattern 6 GND (low potential) side clamp pattern 7 Macro internal wiring 60 Function block 61 Clamp potential supply block 62 Wiring 63 Power ring 64 Macro inside 70 Clamp pattern 71 Macro inside wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−235678(JP,A) 特開 平4−336675(JP,A) 特開 平4−165646(JP,A) 特開 昭63−258041(JP,A) 特開 昭62−104137(JP,A) 特開 昭61−22648(JP,A) 特開 昭61−22649(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/82 G06F 17/50 H01L 21/822 H01L 27/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-4-235678 (JP, A) JP-A-4-336675 (JP, A) JP-A-4-165646 (JP, A) JP-A-63- 258041 (JP, A) JP-A-62-104137 (JP, A) JP-A-61-22648 (JP, A) JP-A-61-22649 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. 6 , DB name) H01L 21/82 G06F 17/50 H01L 21/822 H01L 27/04

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体集積回路に搭載するマクロの入出力
端子(「マクロ端子」という)に対して、あらかじめ
動配置配線データベース中のマクロ内で高電位側及び低
電位側の両方にクランプしておき、マクロ名、全端子
名、端子クランプ情報を含むマクロ端子情報と回路接続
情報とを用いて、マクロ端子のクランプの要/不要に応
じて、前記マクロ内の高電位側と低電位側のいずれか一
方のクランプパターン又は両方のクランプパターンを削
除することで未使用端子のクランプ処理を行うことで配
置配線結果のデータを得ることを特徴とするマクロ端子
クランプ処理方法。
An input / output terminal of a macro mounted on a semiconductor integrated circuit (referred to as a "macro terminal") is automatically set in advance.
Clamping is performed on both the high potential side and the low potential side in the macro in the dynamic placement and routing database, and the macro terminal is used by using macro terminal information including macro name, all terminal names, terminal clamp information and circuit connection information. if Y / N of the clamp, distribution by performing clamping of unused pins by removing one of the clamping pattern or both of the clamp pattern having a high potential side and the low potential side within the macro
A method of clamping a macro terminal, comprising obtaining data of a wiring result .
【請求項2】(a)マクロ名、全端子名、端子クランプ
情報を含むマクロ端子情報と、回路接続情報とを用い
て、各マクロ端子の使用、未使用、及びクランプ電位を
決定する工程と、 (b)自動配置配線データベースに対して使用しない端
子定義を配線禁止データに変更する工程と、 (c)変更された自動配置配線データベースを用いて自
動配置配線を行う工程と、 (d)自動配置配線処理の配線結果出力とアートワーク
データとのマージ処理を行ない、マージ処理後のデータ
から、クランプパターンを削除する工程と、 を含み、 前記マクロ内の前記クランプパターンを削除することで
未使用端子のクランプ処理を行う、ことを特徴とするマ
クロ端子クランプ処理方法。
(A) determining the use, unused, and clamp potential of each macro terminal using macro terminal information including macro names, all terminal names, terminal clamp information, and circuit connection information; (B) a step of changing a terminal definition that is not used in the automatic placement and routing database to routing prohibition data; (c) a step of performing automatic placement and routing using the changed automatic placement and routing database; Performing a merge process between the wiring result output of the placement and routing process and the artwork data, and deleting a clamp pattern from the data after the merge process, wherein the clamp pattern in the macro is deleted to be unused. A method of clamping a macro terminal, comprising clamping a terminal.
【請求項3】前記マクロ端子の全てが、あらかじめ、そ
れぞれ高電位側クランプパターン及び低電位側クランプ
パターンによって高電位側及び低電位側両方にマクロ内
部配線上でクランプされている、ことを特徴とする請求
項2記載のマクロ端子クランプ処理方法。
3. The macro terminal according to claim 1, wherein all of the macro terminals are clamped on the macro internal wiring to both the high potential side and the low potential side by a high potential side clamp pattern and a low potential side clamp pattern, respectively. 3. The method of claim 2, wherein the macro terminal is clamped.
【請求項4】高電位側クランプパターン及び低電位側ク
ランプパターンの配置時のセル名が、各マクロ端子に対
し1対1対応しており、且つ、マクロ端子名とそのクラ
ンプ電位がわかるセル名で定義するようにしたことをこ
とを特徴とする請求項2記載のマクロ端子クランプ処理
方法。
4. A cell name when a high-potential-side clamp pattern and a low-potential-side clamp pattern are arranged has a one-to-one correspondence with each macro terminal, and a macro terminal name and a cell name for which its clamp potential is known. 3. The macro terminal clamping method according to claim 2, wherein:
【請求項5】半導体集積回路に搭載されるマクロ回路で
あって、マクロ端子が、あらかじめ自動配置配線データ
ベース中においてマクロ内のクランプパターンで高電位
側電源及び低電位電源にクランプされているマクロを備
えたマクロ回路。
5. A macro circuit mounted on a semiconductor integrated circuit, wherein a macro terminal is provided with automatic placement and wiring data in advance.
A macro circuit including a macro clamped to a high-potential-side power supply and a low-potential power supply by a clamp pattern in the macro in a base .
【請求項6】端子の使用、未使用、及び未使用の場合の
クランプ電位が決定され前記各マクロのクランプパター
ンが削除されることを特徴とする請求項5記載のマクロ
回路。
6. The macro circuit according to claim 5, wherein a clamp potential is determined when the terminal is used, unused, and unused, and the clamp pattern of each macro is deleted.
【請求項7】前記クランプパターンが、各マクロ端子に
対応するセル名として定義されていることを特徴とする
請求項5記載のマクロ回路。
7. The macro circuit according to claim 5, wherein said clamp pattern is defined as a cell name corresponding to each macro terminal.
【請求項8】マクロ名、全端子名、端子クランプ情報を
含むマクロ端子情報を格納したデータベースを備え、 マクロ端子はあらかじめマクロ内で高電位側電源及び低
電位側電源にクランプパターンでクランプされており、 前記マクロ端子情報と、回路接続情報とを用いて、各マ
クロ端子の使用、未使用、及びクランプ電位を決定する
手段と、 自動配置配線データベースに対して使用しない端子定義
を配線禁止データに変更する手段と、 前記変更された自動配置配線データベースを用いて自動
配置配線を行う手段と、 自動配置配線処理の配線結果出力とアートワークデータ
とのマージ処理を行ない、マージ処理後のデータから前
記マクロ内の前記クランプパターンを削除する手段と、
を備え、 前記マクロ内の前記クランプパターンを削除することで
未使用端子のクランプ処理を行うことを特徴とするマク
ロ端子クランプ処理システム。
8. A macro database which stores macro terminal information including macro names, all terminal names, and terminal clamp information, wherein the macro terminals are clamped in advance by a clamp pattern to a high-potential power supply and a low-potential power supply in the macro. Means for determining the use, unused, and clamp potential of each macro terminal using the macro terminal information and the circuit connection information; and defining the unused terminal definitions for the automatic placement and routing database in the wiring prohibition data. Means for performing automatic placement and routing using the changed automatic placement and routing database; performing a merge process between the wiring result output of the automatic placement and routing process and the artwork data; Means for deleting the clamp pattern in a macro;
And a clamp process for unused terminals by deleting the clamp pattern in the macro.
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