JP2930552B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
たプロセスにおけるプラズマ処理方法及びプラズマ処理
装置に関し、高密度プラズマを維持しながら、大面積プ
ロセス処理を実現できるように工夫したものである。

【０００２】

【従来の技術】ヘリコン波（磁場中のプラズマを伝播す
る電磁波）によるプラズマ生成法は、R.W.Boswell によ
って初めて示され（Phys.Lett.vol.33A.No.7(1970)45
7)、F.F.Chenらによってその生成機構が解明されつつあ
り（例えば、Plasma Physics andControlled Fusion.vo
l.33,No.4(1991)339)、プラズマ生成法として公知のも
のである。この生成法は、従来のプラズマ生成法である
無磁場中の高周波放電や電子サイクロトロン共鳴法等に
比べてより高い電子密度を有するプラズマを生成できる
特長を持つ。この特長を利用して、成膜又はエッチング
速度の向上を狙い、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッ
チング装置が開発されている。

【０００３】例えば、プラズマＣＶＤにおいて、成膜に
寄与するラジカルの生成量は、母ガスの分子数、電子密
度、解離速度の積に比例する。解離速度は解離断面積と
電子の熱速度の積であり、電子温度の関数となる。従っ
て、プラズマ中における電子温度がほぼ変化せず解離速
度を一定とすれば、電子密度を高くすることによってラ
ジカル密度を高くできる。すなわち、そのラジカルを元
にする２次化学反応の粒子数を増加させることができ、
結果的に成膜速度が向上する。

【０００４】図１０にヘリコン波によるプラズマ生成を
行ない、プラズマプロセスを行なうための典型的な従来
装置を示す。同図に示すように、真空容器２と内空間を
共通とする誘電体管１の周囲に、単数又は複数のソレノ
イド状の磁場発生用コイル５が設置され、更に誘電体管
１の周囲には、アンテナ３が例えばループ状に巻き付け
て設置されている。この磁場発生用コイル５によって磁
場が誘起され、磁力線の向き８が生じる。アンテナ３と
高周波電源４が整合器１３を介して接続される。真空容
器２の周囲には、マルチカスプ磁場発生用永久磁石１１
が設置されている。又、真空容器２中に被処理基体６が
磁力線方向と垂直に設置される。

【０００５】この様な状態で、真空容器２内にプラズマ
プロセスの目的に応じたガスを目的の圧力で充填する。
次に、磁場発生用コイル５に電流を流し磁場を誘起す
る。磁力線の向き８は本図と逆方向でも構わない。磁場
発生用コイル５から外れた真空容器２の付近では、磁力
線は発散し拡散磁場９を形成する。

【０００６】次に、高周波電源４からアンテナ３に高周
波電力を印加しヘリコン波を励起すると、磁力線と平行
にヘリコン波が矢印１２方向に伝搬する。ヘリコン波が
伝搬する空間において高密度なプラズマ１０が生成され
る。磁力線方向に拡散するプラズマ１０はやがて拡散磁
場に沿って真空容器２内で拡がる。通常、マルチカスプ
磁場を発生させる永久磁石１１を真空容器２の外周に設
置することで、拡散したプラズマが真空容器２の壁に衝
突し消滅することを防いでいる。拡散磁場雰囲気に設置
されている被処理基体は、基体表面上のイオン、ラジカ
ル等の化学反応によって目的の処理を受ける。

【０００７】ところがこのような装置では、例えば成膜
する場合、プラズマが拡散するので被処理基体６の近傍
において電子密度が低下するという不具合がある。ま
た、拡散磁場雰囲気でも、磁力線に沿って運動してきた
イオン等が被処理基体６に入射するので、成膜よりもエ
ッチングの効果が大きくなり成膜できないという不具合
がある。或いは成膜速度が遅くなるという不具合があ
る。例えばこのような例として、T.Mieno らによる炭素
成膜の報告（Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31(1992)1879,Part
1,No.6A,June 1992) がある。更に大面積化しようとす
ると、電子密度の低下及び不均一分布の発生が問題とな
る。

【０００８】このような不具合への対策例として、特開
平６−２８３４７０号に記載されている装置がある。こ
れを図１１に示す。これは、大面積プラズマ処理を狙い
として、図１０に示した装置を磁力線方向を同じくして
左右対象に配置し、その間に被処理基体６を磁力線方向
と平行に設置したものである。この様子を図１１に示
す。但し、マルチカスプ磁場発生用永久磁石１１はな
い。この場合、磁力線の向き８と同じ向きにヘリコン波
を矢印１２方向に伝搬させ、つまり相対する向きにヘリ
コン波が伝搬するようになる。このヘリコン波伝搬領域
においてプラズマ生成がなされる。

【０００９】しかし、このような装置においてプラズマ
を生成すると、磁場発生用コイル５から外れた場所、即
ち被処理基体６を設置している場所では、被処理基体６
の面積が大きくなるほど、つまり磁場発生用コイル５か
ら離れた場所ほどプラズマ密度が低下する、と同時に磁
力線方向に不均一な密度分布となるので、大面積プラズ
マ処理を高速かつ均一に実現することが困難になる。

【００１０】また別の例として、特開平３−６８７７３
号に記載されている装置がある。これを図１２に示す。
これも上記応用例とほぼ同じものだが、真空容器２の周
囲にマルチカスプ磁場発生用永久磁石１１ではなく、磁
場発生用コイル５が設置されている点が異なる。この場
合、被処理基体６が設置されている部分においてプラズ
マ密度が低下したり、磁力線方向に不均一な密度分布と
なることは避けられるが、磁場発生用コイル５に囲まれ
た真空容器２内に被処理基体６を設置するので、これを
設置できる面積に制限が生じ、大面積プラズマ処理が困
難になる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のような問題点が
発生する理由は、被処理基体を設置している場所では磁
場が拡散していること、磁場の拡散を防ぐために磁場発
生用コイルを真空容器周囲に設置すると、そのコイル径
寸法から被処理基体を設置できる面積が制約されるこ
と、磁力線の向きと同じ向きにつまり相対する向きに左
右から独立して伝搬してくる電磁波によってプラズマが
生成されること、磁力線に沿って被処理基体にイオンが
入射すること、が挙げられる。

【００１２】つまり、従来装置を用いると、高速処理を
狙ったヘリコン波による高密度プラズマを、均一に生成
・維持しながら、大面積プロセス処理のために有効に活
かせないという不具合がある。

【００１３】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ヘリコン波によって生成された高密度プラ
ズマを維持しながら、大面積プロセス処理を実現するプ
ラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することを
目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、誘電体管が内空間を共通とするように接続される
とともに内空間に被処理基体が配置される真空容器と、
誘電体管の周囲に設置したアンテナと、アンテナに整合
器を介して接続した高周波電源と、誘電体管及び真空容
器の内空間に磁場を発生させる機能を有し同軸上に設置
した複数の磁場発生用コイルとを具備し、アンテナに印
加する高周波エネルギーを動力とするプラズマを生成し
て被処理基体に処理をするプラズマ処理方法において、
複数の磁場発生用コイルによって誘起される磁力線の向
きを同一とし、アンテナによって誘起されるヘリコン波
をこの磁力線方向に伝搬させて高密度のプラズマを生成
し、高密度のプラズマと真空容器の壁の間に、かつ、磁
力線と交叉しない方向に被処理基体を設置してプラズマ
処理することを特徴とする。

【００１５】また本発明の構成は、被処理基体を真空境
界を破らずに真空容器の外空間から内空間に連続的に供
給し、真空容器内を通過後、同じく真空容器の外空間に
連続的に排出することによって、シート状の長尺の被処
理基体を処理することを特徴とする。

【００１６】また本発明の構成は、誘電体管又は真空容
器、又は双方の周囲に、その磁力線が、磁場発生用コイ
ルによって誘起された磁力線と同じ向きを有するように
配置した永久磁石を具備し、磁場発生用コイルによって
誘起した磁力線の分布を補整することにより、均一分布
をもつプラズマを生成することを特徴とする。

【００１７】また本発明の構成は、誘電体管が内空間を
共通とするように接続されるとともに内空間に被処理基
体が配置される真空容器と、誘電体管の周囲に設置した
アンテナと、アンテナに整合器を介して接続した高周波
電源と、誘電体管及び真空容器の内空間に磁場を発生さ
せる機能を有し同軸上に設置した複数の磁場発生用コイ
ルとを具備し、アンテナに印加する高周波エネルギーを
動力とするプラズマを生成して被処理基体に処理をする
プラズマ処理装置において、複数の前記磁場発生用コイ
ルは、それぞれ誘起する磁力線の向きを同一とする位置
に配置され、前記アンテナは、プラズマ生成のため誘起
するヘリコン波を前記磁力線方向に伝搬させる位置に配
置され、プラズマ処理される前記被処理基体は、高密度
のプラズマと真空容器の壁の間に、かつ、磁力線と交叉
しない方向に配置されることを特徴とする。

【００１８】また本発明の構成は、被処理基体を真空境
界を破らずに真空容器の外空間から内空間に連続的に供
給し、真空容器内を通過後、同じく真空容器の外空間に
連続的に排出する機構を備えたことを特徴とする。

【００１９】また本発明の構成は、誘電体管又は真空容
器、又は双方の周囲に、その磁力線が、磁場発生用コイ
ルによって誘起された磁力線と同じ向きを有するように
配置することによって磁場発生用コイルによって誘起し
た磁力線の分布を補整して均一分布をもつプラズマを生
成させる永久磁石を具備したこことを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】上記のように、従来のプラズマ処
理装置では、被処理基体が設置されている部分において
拡散磁場が発生してしまうこと、拡散磁場を形成しない
ためにはプラズマ処理面積を制限する磁場発生用コイル
が必要なこと、アンテナによって励起されたヘリコン波
が拡散磁場に沿って相対する向きに伝搬すること、被処
理基体と磁力線が交叉すること、が不具合の原因と考え
られた。

【００２１】そこで、被処理基体の面積が広くなっても
その部分に拡散磁場を作らない、複数の磁場発生機構に
よって誘起される磁力線の向きを同じくする、拡散磁場
以外の磁場配位を利用する、もし拡散部分が存在しても
その部分を補整するような磁場印加方法を利用する、複
数のアンテナによって励起されるヘリコン波の伝搬向き
を同一とする、被処理基体と磁力線を交叉させない、こ
とによって課題解決の手段と考えた。

【００２２】すなわち、本発明に係わるプラズマ処理装
置は、（Ａ）誘電体管が内空間を共通とするように接続
された真空容器と、（Ｂ）誘電体管の周囲に設置したア
ンテナと、（Ｃ）アンテナに接続した高周波電源と、
（Ｄ）同軸上に設置した複数の磁場発生用コイルと、
（Ｅ）真空容器内に被処理基体とを具備し、（Ｆ）アン
テナに印加する高周波エネルギーを動力とするプラズマ
生成において、複数の磁場発生用コイルによって誘起さ
れる磁力線の向きを同一とし、アンテナによって誘起さ
れるヘリコン波をこの磁力線方向に伝搬させることを特
徴とする。また、本発明は以下の要件も含む。すなわ
ち、被処理基体が真空容器の外空間から容器内に連続的
に供給され、容器内を通過後、連続的に排出される機構
を備える。磁場発生用コイルの間に磁力線の向きを同一
とするような永久磁石を設置する。

【００２３】この結果、本発明によれば、被処理基体の
面積の増大に対して、ヘリコン波によって生成された高
密度プラズマを、被処理基体近傍におけるプラズマ密度
の低下、磁力線方向のプラズマ密度の不均一な分布、ま
た成膜する場合にはエッチングの効果を抑制することに
よって、大面積プラズマ処理を高速で実現するプラズマ
処理を提供することができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図９に基づき
説明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品に
は同一の符号を付すこととする。

【００２５】図１は、本発明の第１実施例の概略構成を
示す。図１において、誘電体管１が内空間を共通とする
ように接続された真空容器２の周囲にソレノイド状の２
個の磁場発生用コイル５を設置する。コイル間隔は、目
的の被処理基体６の大きさに依存して決める。コイル径
は、２個の磁場発生用コイル５に同方向に電流を流した
とき、コイル間隔方向に目的の磁場強度を均一に発生で
きる設計とする。磁力線の向き８は、誘電体管１と真空
容器２の中心軸に平行になるようにするが、向きは図示
のものと正反対でも構わない。

【００２６】誘電体管１の周囲にアンテナ３を設置する
が、この例では銅薄板を誘電体管１にループ状に巻き付
ける。この時、ループ状のアンテナ３に流す高周波電流
の向きを同一とし、それぞれのアンテナで励起されるヘ
リコン波の伝搬の向きを同じくする。ここではアンテナ
を２個設置することで、ヘリコン波を磁力線の向き８に
２個連ねた形で励起する。アンテナ３に整合器１３を介
して高周波電源４を接続する。

【００２７】次に、以上のように構成した第１実施例の
動作を説明する。まず、誘電体管１と真空容器２内にプ
ラズマプロセスの目的に応じたガスを目的の圧力で充填
してから、２個の磁場発生用コイル５に同方向に電流を
流し（コイル用電源は不図示）、磁力線の向き８に磁場
を発生させる。次に、高周波電源４からアンテナ３に高
周波電力を供給することで、ヘリコン波を励起する。ヘ
リコン波は磁力線の向き８に平行（矢印１２方向）に伝
搬し、誘電体管１内と真空容器２内にプラズマ１０を生
成する。２個のアンテナから励起された２つのヘリコン
波を連ねた形になるので、見掛け上、より長尺のプラズ
マを生成できる。

【００２８】この時、コイル径とコイルに流す電流（２
個のコイルには同じ方向に電流を流す）は、例えば、コ
イル間隔を１ｍ、目的の磁場強度を１０００ガウスと設
定した場合、１．６ｍ、１０００００ＡＴ（アンペアタ
ーン）となる。この計算結果を図２に示す。軸方向（グ
ラフ横軸）１〜２ｍの部分において、１０００ガウスの
磁場強度がほぼ均一に発生している。発明者らの従来研
究によると、ヘリコン波を励起するためには均一性は±
５％程度で良い。従って、このような実施例によれば、
被処理基体６の近傍において拡散磁場９がなく、基体に
沿って伝搬するヘリコン波によって高密度なプラズマを
磁力線の向き８に均一に生成できるため、そこで目的の
プロセス処理に有効なラジカル等が大量に生成される。
その結果、高密度プラズマ周囲に設置した大面積の被処
理基体６を高速でプラズマ処理できる。

【００２９】なお、本実施例は、以下のような方法で実
施しても構わない。１台の高周波電源４から出力される
電力を分配して２個のアンテナに供給する。分配比率も
等分に限らない。

【００３０】更に、２個のアンテナ３に流す電流の位相
を変えても構わない。例えば、図３に示すように、１台
の高周波電源４と２個のアンテナ３を直列に接続する。
この場合、真空容器２の左右にある２個のアンテナ３を
一組として１個のアンテナと見做して利用するものであ
る。従って、２つのヘリコン波が励起されるのではな
く、１つのヘリコン波が励起されると考える。アンテナ
３に流す電流を同方向に流せば電流の位相差０度、逆方
向に流せば位相差１８０度と考える。軸方向における２
個のアンテナ３の間隔とこの位相差に従って、励起され
るヘリコン波の波数が変化する。波数を変えることで、
ヘリコン波分散式に基づくプラズマ特性を制御できる。
この考え方は、例えば、瀧野らによる発表（日本物理学
会１９９４年秋の分科会、プラズマ物理・核融合、5pＷ
３）において公知である。

【００３１】なお、位相を変えるためにアンテナに流す
電流の方向を変えるだけでなく、図４に示すように分配
器１４と移相器１５を利用して２個のアンテナに流す電
流の位相を変えても構わない。

【００３２】更に、アンテナ３、磁場発生用コイル５の
形状は円形に限らない。例えば、図５（（ａ）は平面
図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図）に示すように誘
電体管１を矩形管、真空容器２を偏平直方体状にして、
レーストラック形状にしたアンテナ３と磁場発生用コイ
ル５で装置を構成し、生成するプラズマ形状をシート状
にしても構わない。

【００３３】更に、磁場発生用コイル５によって印加す
る磁場分布をミラー磁場分布としても構わない。２個の
磁場発生用コイル５の径と流す電流値を変えることによ
ってミラー磁場分布を発生させる。例えば、２個のコイ
ルの間隔を前述と同じく１ｍとし、コイル径１ｍ、コイ
ル電流１０００００ＡＴとすれば、ミラー比１．４程度
のミラー磁場分布が得られる。図６にこのミラー磁場分
布の計算結果を示す。

【００３４】本実施例の予備検討として炭素成膜を試み
た結果を以下に示す。図１の構成との差異は、アンテナ
３が１個であること、磁場発生用コイル５が４個以上あ
ることである。

【００３５】このような装置によって、軸方向１ｍにわ
たって１ｋＧの均一磁場を発生させ、アルゴン希釈メタ
ンガスを５〜１０ｍTorrを充填し、１３．５６ＭＨｚの
高周波を１ターンループアンテナに印加し、ヘリコン波
プラズマを生成し炭素成膜を行なった。

【００３６】被処理基体は以下のように設置した。表面
を磁力線の向きと平行に、かつ、アンテナからの軸方向
距離を３００ｍｍ、６００ｍｍとした。径方向距離は軸
中心（０ｍｍ）から３０ｍｍまで変えた。その結果、グ
ラファイト膜が１０Å／sec程度の速度で得られた。

【００３７】この結果より、本実施例のごとくアンテナ
を２個設置することで、１ｍ以上の領域に渡って被処理
基体のプラズマ処理が可能であると考えられる。また、
従来装置のように被処理基体を磁力線の向きと垂直に設
置した場合、成膜できなかった例に対し、磁力線と被処
理基体を交叉させないことの有効性が確認できた。更
に、径方向位置に依存して成膜速度が異なったことか
ら、径方向設置位置を成膜パラメータとして利用できる
ことも確認できた。

【００３８】図７は、本発明の第２実施例の概略構成を
示している。本実施例は、第１実施例に対して被処理基
体６の設置方法が異なる場合であり、その他の構成は変
わらない。図７は、これを軸方向から見た図として示し
ている。第１実施例においては、被処理基体６は真空容
器２の中に設置しているが、本例では、被処理基体６を
真空境界を破らずに真空容器２の外空間から内空間に連
続的に搬入し、真空容器２内を通過後、同じく真空容器
２の外空間に連続的に搬出する搬入・搬出機構２０を備
えている。

【００３９】次に、以上のように構成した第２実施例の
動作を説明する。この場合、プラズマ生成までの過程は
第１実施例と同じであるので、異なる点について以下に
示す。プラズマ生成後、搬入・搬出機構２０により、被
処理基体６を磁力線の向き８と交わる方向に真空容器２
へ連続的に供給する。被処理基体６は、真空容器２内を
移送されながらプラズマ処理を受ける。処理後、搬入・
搬出機構２０により、真空容器２から連続的に排出す
る。

【００４０】このようにすることによって、例えば、長
尺シート状の被処理基体６をプラズマ処理したいとき、
真空境界を破ることなく、真空容器２への連続的な供給
と排出ができるので、これを連続的にプラズマ処理でき
る。従って、このような実施例によっても、見掛け上大
面積のプラズマ処理を実施することが可能となり、第１
実施例と同等の有効性を持つ。

【００４１】なお、本実施例においても、第１実施例で
述べた高周波電力供給方法、アンテナ電流位相制御、ア
ンテナ等の形状変更、ミラー磁場印加、の方法を適用し
て実施しても構わない。

【００４２】図８は、本発明の第３実施例の概略構成を
示している。本実施例は、第１実施例を元に、２個の磁
場発生用コイル５の間に真空容器２内の磁力線の向き８
を同じくするように、例えば棒状の永久磁石７を真空容
器２の周囲に配したものである。２個の磁場発生用コイ
ル５と永久磁石７による磁場を重ね合わせることによっ
て、コイル磁場だけでは磁力線方向が拡散傾向にある場
合、磁力線を軸方向に平行に補整する。永久磁石７の極
性は図示のようであり、マルチカスプ磁場を目的とした
磁場配位とは異なる。

【００４３】次に、以上のように構成した第３実施例の
動作を説明する。この場合、個々のアンテナ３から励起
されるヘリコン波によってプラズマ生成される過程は第
１実施例と同様である。図９には図８を軸方向から見た
図を示した。被処理基体６の設置方法は第１実施例、第
２実施例の両方に倣うことによって、両実施例の有効性
を持つ。

【００４４】なお、本実施例においても、第１実施例で
述べた高周波電力供給方法、アンテナ電流位相制御、ア
ンテナ等の形状変更、の方法を適用して実施しても構わ
ない。

【００４５】なお、本発明は上記実施例にのみ限定され
ず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
例えば、アンテナ３として銅薄板を誘電体管１にループ
状に巻き付けるが、銅薄板の代わりに線状導体、銅パイ
プでも構わない。更に、巻き付け方はループ状に限ら
ず、らせん状、ヘリカル状等、誘導結合を介してヘリコ
ン波を励起できる形状であればこれを問わない。又、磁
力線の向き８はこれと反対方向でも構わない。ヘリコン
波伝搬の向き１２も磁力線の向き８と反対でも構わな
い。真空容器の軸方向から見たアンテナ３と磁場発生用
コイル５の相対位置もこれを問わない。

【００４６】

【発明の効果】本発明は、前述のように構成されている
ので、以下に記載するような効果を奏する。

【００４７】即ち、被処理基体の面積が広くなってもそ
の部分には拡散磁場を作らない。複数の磁場発生機構に
よって誘起される磁力線の向きを同じくする。拡散磁場
以外の磁場配位を利用する。拡散部分が存在してもその
部分を補整するような磁場印加方法を利用する。複数の
アンテナによって励起されるヘリコン波の伝搬向きを同
一とする。磁力線と被処理基体を交叉させない。そのた
め、被処理基体の面積の増大に対して、被処理基体近傍
におけるプラズマ密度の低下や、磁力線方向のプラズマ
密度の不均一な分布を抑制することができる。従って、
大面積プラズマ処理を高速で実現するプラズマ処理方法
及びプラズマ処理装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す概略構成図。

【図２】均一磁場分布の計算結果を示す特性図。

【図３】本発明の第１実施例の変形例を示す概略構成
図。

【図４】本発明の第１実施例の変形例を示す概略構成
図。

【図５】本発明の第１実施例の変形例を示す概略構成
図。

【図６】ミラー磁場分布の計算結果を示す特性図。

【図７】本発明の第２実施例の概略構成を示す断面図。

【図８】本発明の第３実施例の概略構成を示す斜視図。

【図９】本発明の第３実施例を示す断面図。

【図１０】従来のプラズマ処理装置の第一例を示す概略
構成図。

【図１１】従来のプラズマ処理装置の第二例を示す概略
構成図。

【図１２】従来のプラズマ処理装置の第三例を示す概略
構成図。

【符号の説明】

１ 誘電体管 ２ 真空容器 ３ アンテナ ４ 高周波電源 ５ 磁場発生用コイル ６ 被処理基体 ７ 永久磁石 ８ 磁力線の向き ９ 拡散磁場 １０ プラズマ １１ マルチカスプ磁場発生用永久磁石 １２ ヘリコン波伝搬の向き １３ 整合器 １４ 分配器 １５ 移相器 ２０ 搬入・搬出機構

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05H 1/46 C23C 16/44 H01L 21/31 H01L 21/3065

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体管が内空間を共通とするように接
   続されるとともに内空間に被処理基体が配置される真空
   容器と、誘電体管の周囲に設置したアンテナと、アンテ
   ナに整合器を介して接続した高周波電源と、誘電体管及
   び真空容器の内空間に磁場を発生させる機能を有し同軸
   上に設置した複数の磁場発生用コイルとを具備し、 アンテナに印加する高周波エネルギーを動力とするプラ
   ズマを生成して被処理基体に処理をするプラズマ処理方
   法において、 複数の磁場発生用コイルによって誘起される磁力線の向
   きを同一とし、 アンテナによって誘起されるヘリコン波をこの磁力線方
   向に伝搬させて高密度のプラズマを生成し、 高密度のプラズマと真空容器の壁の間に、かつ、磁力線
   と交叉しない方向に被処理基体を設置してプラズマ処理
   することを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 被処理基体を真空境界を破らずに真空容
   器の外空間から内空間に連続的に供給し、真空容器内を
   通過後、同じく真空容器の外空間に連続的に排出するこ
   とによって、シート状の長尺の被処理基体を処理するこ
   とを特徴とする請求項１のプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】 誘電体管又は真空容器、又は双方の周囲
   に、その磁力線が、磁場発生用コイルによって誘起され
   た磁力線と同じ向きを有するように配置した永久磁石を
   具備し、磁場発生用コイルによって誘起した磁力線の分
   布を補整することにより、均一分布をもつプラズマを生
   成することを特徴とする請求項１または請求項２のプラ
   ズマ処理方法。
4. 【請求項４】 誘電体管が内空間を共通とするように接
   続されるとともに内空間に被処理基体が配置される真空
   容器と、誘電体管の周囲に設置したアンテナと、アンテ
   ナに整合器を介して接続した高周波電源と、誘電体管及
   び真空容器の内空間に磁場を発生させる機能を有し同軸
   上に設置した複数の磁場発生用コイルとを具備し、 アンテナに印加する高周波エネルギーを動力とするプラ
   ズマを生成して被処理基体に処理をするプラズマ処理装
   置において、 複数の前記磁場発生用コイルは、それぞれ誘起する磁力
   線の向きを同一とする位置に配置され、 前記アンテナは、プラズマ生成のため誘起するヘリコン
   波を前記磁力線方向に伝搬させる位置に配置され、 プラズマ処理される前記被処理基体は、高密度のプラズ
   マと真空容器の壁の間に、かつ、磁力線と交叉しない方
   向に配置されることを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 被処理基体を真空境界を破らずに真空容
   器の外空間から内空間に連続的に供給し、真空容器内を
   通過後、同じく真空容器の外空間に連続的に排出する機
   構を備えたことを特徴とする請求項４のプラズマ処理装
   置。
6. 【請求項６】 誘電体管又は真空容器、又は双方の周囲
   に、その磁力線が、磁場発生用コイルによって誘起され
   た磁力線と同じ向きを有するように配置することによっ
   て磁場発生用コイルによって誘起した磁力線の分布を補
   整して均一分布をもつプラズマを生成させる永久磁石を
   具備したこことを特徴とする請求項４または請求項５の
   プラズマ処理装置。