JP2925817B2

JP2925817B2 - ２結晶ｘ線モノクロメーター

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Publication number: JP2925817B2
Application number: JP3296935A
Authority: JP
Inventors: 朝雄中野; 潔尾形
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-11-13
Filing date: 1991-11-13
Publication date: 1999-07-28
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を利用した試料の
分析装置に用いられるＸ線モノクロメーターに係り、特
に小型で広い波長帯域をもつ高精度な２結晶Ｘ線モノク
ロメーターに好適な構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】２結晶Ｘ線モノクロメーターは、一般に
２枚の平板結晶、入射するＸ線ビームと出射するＸ線ビ
ームが平行になるように２枚の平板結晶の相対的位置関
係を設置するための回転及び移動機構、これらを取付け
るための真空容器及び真空排気装置と装置全体の動作制
御を行う制御装置とから構成されている。

【０００３】従来の装置では、Ｘ線源からの入射Ｘ線ビ
ームを第一の平板結晶のほぼ中央で回折させ、さらに第
二の平板結晶のほぼ中央にＸ線ビームが来るようにこれ
ら両平板結晶の位置を相対的に移動して入射Ｘ線ビーム
と出射Ｘ線ビームとが平行になるようにしていた。

【０００４】このとき、これら両方のＸ線ビームが平行
で、しかも位置（平行間隔）を変えないという条件を設
定すると例えば、特開６１−１１７４３６号公報、ある
いは大柳：ＰＦ−ＡｃｔｉｖｉｔｙＲｅｐｏｒｔ（１
９８９）＃７の報告にあるように、大形の２結晶モノク
ロメーターとなり、最小４組のパラメーターを高精度に
制御する必要が生じる。すなわち、２枚の平板結晶につ
いてのあおり角と回転角とをそれぞれ正確に制御する必
要がある。特に、これら２枚の平板結晶の回折角度の制
御は１角度秒以下の角度制御を必要とし、非常に困難で
あった。

【０００５】このような構成では、２結晶モノクロメー
ターが大形となり、必然的にＸ線源からモノクロメータ
ーを介して試料までの距離が長くなることで、試料を照
射するＸ線ビームの強度が小さくなるという不具合が生
じていた。周知のとおり、これら両方のＸ線ビームが平
行で、しかもビーム間の垂直距離（平行間隔）が常に一
定であることは、装置の小型化と操作性を向上させる上
から極めて重要な条件である。すなわち、これらの条件
が満たされればＸ線源、検出器、試料の位置が固定でき
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、従来と同等なＸ線源を用いた場合でも、入射す
るＸ線ビームと出射するＸ線ビームとが並行で、かつビ
ーム間の垂直距離（並行間隔）が移動しない小形Ｘ線モ
ノクロメーターを実現し、試料に入射するＸ線ビームの
波長を自在に選択して種々の測定を可能とすることにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
達成するため、２結晶Ｘ線モノクロメーターにおいて、
回転テーブルの回転軸に一方の平板結晶表面の回折面を
一致させ、同一回転テーブル上に並行に設置した他方の
平板結晶の回折面との垂直距離（両平板結晶の並行間
隔）を制御することにより、如何なる回折角度でも入射
するＸ線ビームと出射するＸ線ビームとが並行で、しか
もこれら両Ｘ線ビームの並行間隔を一定距離に固定でき
るようにした。

【０００８】また、モノクロメーター出射するＸ線ビー
ムに含まれる高次の回折線の強度を抑制するため、２つ
の平板結晶の回折角度を数角度秒程度ずらして設定でき
るようにするか、または２結晶Ｘ線モノクロメーターの
Ｘ線ビームの入射側、もしくは出射側位置のいずれかに
Ｘ線全反射鏡を設置し、全反射の臨界波長を基本回折線
と高次の回折線の中間に設置するようにした。また、こ
れら２つの平板結晶の回折角度を数角度秒程度ずらして
設定することと、Ｘ線全反射鏡を設置することとの両者
を組み合わせることにより、高次の回折線を更に一層抑
制できるようにした。

【０００９】更にまた、空気によるＸ線ビームの散乱や
吸収を排除するため、容器内部を真空排気し、Ｘ線ビー
ムの行路を真空容器内に設置することにより長波長のＸ
線の単色化をも可能な２結晶Ｘ線モノクロメーターとし
たものである。

【００１０】

【作用】本発明の２結晶モノクロメーターでは、回転テ
ーブル上に２枚の平板結晶を設置することにより、１つ
の回転軸で２枚の平板結晶の回折角度を設定することが
できる。この回転テーブル上に２枚の平板結晶の回折面
の距離（平板結晶間の並行間隔）を制御可能な直線移動
台を設置し、一方の平板結晶の回折面を同一回転テーブ
ルの回転軸中心に一致させ、更に直線移動台に保持され
た他方の平板結晶の回折面を所定の位置に直線移動する
ことにより、２個のパラメーター（回転テーブルの回転
による回折角度の設定と、直線移動台の駆動による２枚
の平板結晶の回折面の並行間隔距離の設定）のみで高精
度にモノクロメーターを制御することができる。

【００１１】このような機構とし、２枚の平板結晶のう
ち一方の結晶に比較して他方の結晶のＸ線ビーム進行方
向の長さを大きくとり、Ｘ線ビームを回折する位置（回
折面）を直線移動台で所定位置に制御することにより、
回折角度が変わっても入射Ｘ線ビームと出射エック線ビ
ームとの並行間隔（距離）は変化しないので、モノクロ
メータから出射する単色化Ｘ線ビームの位置を変化させ
ないようにすることができる。

【００１２】また、モノクロメーターの制御パラメータ
は１個増加するが、モノクロメーターから出射するＸ線
ビームに含まれる高次の回折線は基本波の回折の角度幅
より狭いことを利用して、２つの平板結晶の回折角度を
数角度秒程度ずらして設定することにより高次の回折線
を除去することができる。この場合、２枚の平板結晶の
回折面を相対的に微動回転させればよく、直線移動台の
上に平板結晶の微回転機構を設けてもよいが、装置が複
雑となるので実用的には回転テーブルの回転軸に回折面
を一致させた平板結晶を微回転させる機構とする方が望
ましい。

【００１３】また、２結晶Ｘ線モノクロメーターのＸ線
ビームの入射側、もしくは出射側位置の何れかにＸ線全
反射鏡を設置し、全反射の臨界波長を基本回折線と高次
の回折線の中間に設置することにより波長の長い基本波
のみを選択的に反射し、高次の回折線を全反射鏡で吸収
することにより出射側での高次の回折線を抑制すること
もできる。更には、これら回折面の微動回転機構と、Ｘ
線全反射鏡との両方の手段を設ければ、更に一層高次の
回折線を抑制することができる。

【００１４】なお、上記平板結晶の微回転機構により回
折角度を数角度秒程度ずらすに際しては、高次の回折線
の発生が平板結晶の材質や回折Ｘ線の波長に依存するた
め、これらを勘案して好ましい移動角度を設定すること
になる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。まず、図１にしたがって説明すると、これは本発明
の一実施例となる小形２結晶モノクロメーターの概念図
を示したものである。同図において、１は入射Ｘ線ビー
ム、２はＸ線ビーム１が入射する側の第一平板結晶、３
は第二平板結晶、４は２枚の平板結晶で単色化された出
射Ｘ線ビームである。５は回折角設定用モーター、６は
回折角設定用ウォームギヤ、７はモーター５により回転
する回転テーブル、８は第二平板結晶３の設置台であ
り、回転テーブル７の回転軸中心に第二平板結晶３の回
折面が位置するようになっている。９は第二平板結晶３
の回折面を微小角度回転させるモーター、１０は第一平
板結晶２の直線移動台、１１は直線移動台１０を構成す
る移動量設定用モーター、そして１２は第一平板結晶２
の設置台であり、モーター１１の回転により回転テーブ
ル７に固定されたスライドレール１３上を直線移動でき
るようになっている。

【００１６】なお、この例では高次の回折線を抑制する
好ましい事例を示しているため第二平板結晶３の設置台
８は、テーブル７とは同軸であるが独立に微小角度回転
できる構成となっている。通常は、平板結晶２と３との
回折面が並行を保ち、高次の回折線を抑制する時にのみ
モーター９の回転によりウォームギア６´を介して送り
ネジ１４が繰り出すことによって、繰り出し量に見合っ
た分だけ設置台８に固定された回転レバー１５がバネ１
６の張力に抗して移動し、平板結晶３の回折面が微小角
度移動できるようになっている。送りネジ１４を元の位
置に戻せば平板結晶２と３との位置関係は元に戻り並行
となる。

【００１７】Ｘ線ビームは第一平板結晶２で式（１）の
ブラッグの法則を満たす波長のＸ線のみが回折され、第
二平板結晶３に入射する。２枚の平板結晶の回折面を並
行に配置することにより、第一平板結晶２に入射するＸ
線ビーム１と第二平板結晶３からの回折Ｘ線ビーム４と
は並行となり、単色化されたＸ線ビーム４を取り出すこ
とができる。

【００１８】

【数１】２ｄ・ｓｉｎθ＝ｎ・λ …（１）ここで、ｄはＸ線を回折する原子面の面間隔、ｎは回折
の次数、λは回折されるＸ線の波長を意味する。

【００１９】図２は入射Ｘ線ビーム１と出射Ｘ線ビーム
４との並行間隔ｌ(エルで表示)を一定とする位置制御の
概念図を示したものである。同図により入射Ｘ線ビーム
１と回折Ｘ線ビーム４とが並行、かつ並行間隔距離ｌ
（エル）が移動しないための第一平板結晶２の移動量
（ｙの変化量で表示）制御について説明する。Ｘ線ビー
ムの回折角をθとし、θａ＝３０°、θｂ＝４５°、θ
ｃ＝６０°の場合について表すと平板結晶２、３の状態
は図２のそれぞれ２ａ、２ｂ、２ｃ及び３ａ、３ｂ、３
ｃのようになる。ここで、第二平板結晶３の回転軸（回
折面に相当）を通る垂線と第一平板結晶２上の入射Ｘ線
ビーム照射点１７の距離をｘ、２枚の平板結晶間距離を
ｙとすると、図示の通りｙａ＜ｙｂ＜ｙｃであり、ｘａ
＞ｘｂ＞ｘｃとなり、回折角θが小さいところではｘを
大きく、かつｙを小さく、回折角θが大きいところでは
ｘを小さくかつｙを大きくなるように第一平板結晶２の
距離を制御すれば、入射Ｘ線ビーム１と回折Ｘ線ビーム
４とが並行、かつ並行間隔距離ｌ（エル）が移動しない
ことが判る。すなわち、図１に示した回転テーブル７を
回転させることによりＸ線の入射角θを変化させると共
に、直線移動台１０を駆動させて２枚の平板結晶２、３
の並行間隔距離ｙを所定値に変化、設定すれば、入射Ｘ
線ビーム１と回折Ｘ線ビーム４とを並行に保持した状態
で、並行間隔距離ｌ（エル）を一定に固定することがで
きる。

【００２０】次に、図３を用いてｘ、ｙ及び入射Ｘ線ビ
ーム１と回折Ｘ線ビーム４との並行間隔距離ｌ（エル）
との関係について詳述する。第二平板結晶３の回転軸を
座標原点とすると、第一平板結晶２の入射Ｘ線ビーム１
の照射点１７の座標は（ｘ，ｙ）で表される。回折角を
θとして、それぞれのパラメーターの関係を求めると次
式（２）、（３）で表される。

【００２１】

【数２】ｌ＝２・ｙ・ｃｏｓθ …（２）

【００２２】

【数３】ｘ＝ｙ／ｔａｎθ …（３）従って、式（２）に基づいて第一平板結晶２の位置ｙを
制御すれば入射Ｘ線ビーム１と回折Ｘ線ビーム４との距
離ｌ（エル）を一定とすることができる。すなわち、ｙ
とθを変化させてｌ（エル）を一定にしている。回折角
θにより入射Ｘ線ビーム１の照射点１７が移動するた
め、第一平板結晶２のサイズＳをある程度必要とする。
このサイズＳ及び２枚の結晶の並行間隔のストロークＬ
（ｙの最大値−ｙの最小値）は式（２）及び式（３）と
回折角の範囲から式（４）及び式（５）でそれぞれ決定
される。

【００２３】

【数４】Ｓ＝０．５・ｌ・（ｓｅｃθ₁−ｓｅｃθ₂） …（４）

【００２４】

【数５】Ｌ＝０．５・ｌ・（ｃｏｓｅｃθ₂−ｃｏｓｅｃθ₁） …（５）ここで、θ₁及びθ₂はそれぞれ回折角の最大値及び最小
値である。

【００２５】ｌ（エル）を１０ｍｍ、θ₁及びθ₂を８０
°及び１０°とすると、Ｓ及びＬは４７．４ｍｍとな
る。実際の第一平板結晶２のサイズは、これに第一平板
結晶上の入射Ｘ線ビーム１の照射幅の１／２を加えた値
となり、１ｍｍの入射Ｘ線ビームを用いる場合は５０．
４ｍｍ程度を必要とする。

【００２６】モノクロメーターに使用される平板結晶
２、３としては、ＩｎＳｂやＳｉ等の単結晶が用いられ
るが、これらは何れも少なくとも３インチ径程度のもの
が容易に入手できるので、モノクロメーター用の平板結
晶として十分に使用できる。平板結晶としてＩｎＳｂ
（１１１）、Ｓｉ（３１１）を使用する場合には、式
（１）のｄがそれぞれ０．３７４０ｎｍ、０．１６０２
ｎｍであるから、回折角の最大値及び最小値からそれぞ
れ表１のようになる。

【００２７】

【表１】結晶 λの範囲（単位：ｎｍ）ＩｎＳｂ（１１１）０．７３６６＞λ＞０．１２９９Ｓｉ（３１１）０．３１５５＞λ＞０．０５５６結晶の種類としては、その他一般的な分光用結晶が使用
可能であり、ＫＡＰ、ＡＤＰ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＳｉＯ
₂、ＬｉＦ等波長の分解能や使用する波長範囲に応じて
選択し、取替えが可能である。

【００２８】次に図４を用いて回折Ｘ線ビーム４の中に
含まれる高次光の除去方法の一例について説明する。式
（１）に示したようにブラッグの法則に従った回折では
ｎ次の高次光が混入する。ｎ次の高次光はｎ＝１のＸ線
のｎ分の１の波長であり、高次光が混入していると測定
データのＳ／Ｎが悪化し、高精度な測定には妨害とな
る。平板結晶による回折の角度幅はダーウィン幅（ω）
として下記の式（６）のように表される。

【００２９】

【数６】 ω≒８．５ｒ｜Ｆ（ｎｋ）｜ｔａｎθ／（πｄｎ²｜ｋ｜²） …（６）ここで、ｒは電子の古典半径、Ｆは構造因子、ｋは回折
面の回折ベクトルである。式（６）によればｎ次光の１
次光に対するωの比αは次の式（７）のように表され
る。

【００３０】

【数７】 α＝ω（ｎ）／ω（１）＝｜Ｆ（ｎｋ）｜／｜ｎ²Ｆ（ｋ）｜ …（７）ここで、｜Ｆ（ｎｋ）｜／｜Ｆ（ｋ）｜≦１であるた
め、回折の次数が大きくなるほど次数の自乗に反比例し
て、回折の幅が小さくなる。そこで、第一平板結晶２と
第二平板結晶３の回折角を微小角Δθずらすことによ
り、回折Ｘ線ビーム４の中に含まれる高次光の強度を抑
制することができる。この回折強度の角度分布は図４の
ようになる。すなわち、図４（ａ）は第二平板結晶３の
回折角を変化させない状態、図４（ｂ）は微小角Δθず
らした状態、図４（ｃ）はその結果、高次光の強度が抑
制された状態を、それぞれ示している。この方法はデチ
ューンと呼ばれ、高次光除去の簡便かつ有効な方法であ
る。

【００３１】次ぎに回折Ｘ線ビーム４の中に含まれる高
次光の除去方法について、他の例を説明する。２結晶モ
ノクロメーターのＸ線源が発生するＸ線ビームには、波
長が連続的な制動輻射によるＸ線の他、特定の波長のみ
強度が大きな特性Ｘ線も含まれる。この特性Ｘ線の強度
は連続波長のＸ線の約１００倍になることもある。この
特定の波長が高次光付近になるような回折角では、デチ
ューン法だけでは高次光の強度を充分に抑制できない場
合がある。この場合にはモノクロメーターとＸ線源との
中間、またはモノクロメーターの回折Ｘ線ビーム４の出
射部にＸ線の全反射鏡を設置し、高次光の強度を抑制す
ることが有効である。

【００３２】Ｘ線も電磁波であり、可視光のように鏡で
全反射させることができる。全反射の反射率は波長と全
反射鏡の材質により異なるが、６０から１００％程度で
ある。波長を短くすると、この反射率が急激に減少する
波長があり、この波長を臨界波長λｃ（ｎｍ）と呼び、
波長と全反射の反射角度β（ラジアン）及び全反射鏡表
面の密度ρ（Ｍｇ／ｍ³）から次の式（８）のように決
定される。

【００３３】

【数８】β＝０．０１６×λｃ×√ρ …（８）Ｍｏを対陰極としたＸ線源から放射されるＸ線ビームに
は強度の大きな特性Ｘ線として、ＭｏＫα₁、Ｋα₂及び
Ｋβ₁、Ｋβ₂、Ｋβ₃があり、それぞれの波長は０．０
７０９３０、０．０７１３５９、０．０６３２２９、
０．０６２０９９及び０．０６３２８７ｎｍである。こ
れらの波長をｎ次の高次光とするような波長のＸ線をモ
ノクロメーターから取り出そうとするとき、回折Ｘ線ビ
ーム４の中に非常に強度の大きな高次光が含まれること
になる。したがって、波長λが０．１８６〜０．２１３
ｎｍ程度のＸ線ビームをモノクロメーターから取り出そ
うとするとき、デチューン法だけではＸ線ビームの中に
は波長が１／３のＭｏの特性Ｘ線が含まれることにな
る。一方、溶融石英の表面にＮｉ（ρ≒９）を蒸着した
全反射鏡をＸ線ビームに対して０．４４°に設置すると
λｃ≒０．１６ｎｍとなり、高次光の反射率が小さく、
高次光が抑制されたビームを取り出すことができる。表
面の物質は金属としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ等Ｎｉ以外
のものを利用することもできる。使用する波長によって
は、溶融石英の表面をそのまま利用することも可能であ
る。

【００３４】図５は、本発明のモノクロメーターの入射
側に全反射鏡を配設したＸ線源・モノクロメーターシス
テムの全体構成図を示したもので、Ｘ線源からモノクロ
メーターのＸ線の経路を全て高真空に排気し、波長の長
いＸ線をも単色化して取り出すことができるようにした
ものである。同図に示したようにＸ線源１８から発生し
たＸ線ビーム１´は、高次光抑制用全反射鏡２３に入射
し、式（８）で設定した臨界波長より短い波長のＸ線は
反射率が小さいため、短波長の特性Ｘ線の強度は充分減
衰させた上で、２結晶モノクロメーター２６に入射す
る。使用するＸ線の波長により全反射角を変更する必要
があり、全反射角βに対して、２結晶モノクロメーター
の入射Ｘ線ビーム１とＸ線源１８から全反射鏡２３まで
の光軸の角度を２βに設定する必要がある。全反射角の
設定は真空チャンバー１９の外部から回転軸を介して行
う。

【００３５】２結晶モノクロメーター２６に直結された
全反射鏡真空チャンバー１９とＸ線源連結パス２０との
間はＯリング２１を介して回転可動式真空シールとし
た。全反射鏡真空チャンバー１９には真空外部からの回
転導入機構２２を介して全反射鏡２３を設置し、真空外
部に設置した回転導入機構２２により全反射角βとＸ線
源角度設定機構２４により全反射角を設定する。全反射
鏡２３と２結晶モノクロメーター２６の間には４象限ス
リット２５を設置し、全反射鏡２３で反射されたＸ線ビ
ームのみを入射Ｘ線ビーム１として２結晶モノクロメー
ター２６に入射させ、内部で発生する迷光を抑制した。

【００３６】２結晶モノクロメーター２６で単色化され
たＸ線ビーム４は２結晶モノクロメーター２６内部で発
生する散乱Ｘ線や蛍光Ｘ線を抑制するためスリット２７
を通して測定装置に入射する。図５では、単色化された
Ｘ線ビーム４は試料への入射強度を測定するＸ線検出器
２８を通して試料チャンバー２９内に設置された試料３
０を照射する。この時、試料３０表面で全反射させたＸ
線ビームを反射強度測定用Ｘ線検出器３１で測定し、所
望のＸ線波長での反射率を測定し、表面の構造解析を行
う。これらの装置は、架台３２上に設置される。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来の２結晶モノクロメーターと比較して、制御するパラ
メーターが少ないため、高精度に波長を設定することが
可能となった。

【００３８】また、波長分解能が高くかつ高次光をほと
んど含まない単色性の高いＸ線ビームを取り出すことが
できるため、Ｘ線ビームを利用した物質の分析や構造解
析用測定データの精度を従来より高くとることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するための小形２結晶モノ
クロメーターの概念図。

【図２】入射Ｘ線ビームと出射Ｘ線ビームの並行間隔を
一定距離とする位置制御の概念図。

【図３】同じく入射Ｘ線ビームと出射Ｘ線ビームの並行
間隔を一定距離とする位置制御の説明図。

【図４】デチューン法による高次光除去法についての説
明図。

【図５】本実施例のＸ線源・モノクロメーターシステム
についての説明図。

【符号の説明】

１…入射Ｘ線ビーム、２…第一平板
結晶、３…第二平板結晶、４…単
色化されたＸ線ビーム、５…回折角設定用モーター、
６、６´…回折角設定用ウォームギヤ、７…回転テ
ーブル、８…第二平板結晶の設置台、９…第二
平板結晶微回転用モーター、１０…直線移動台、１１
…移動量設定用モーター、１２…第一平板結晶
設置台、１３…スライドレール、１４…
送りネジ、１５…回転レバー、１６…バネ、１７…
入射Ｘ線ビーム照射点、１８…Ｘ線源、１９…
全反射鏡真空チャンバー、２０…Ｘ線源連結パ
ス、２１…Ｏリング、２２…回転導入機構、２
３…全反射鏡、２４…Ｘ線源角度
設定機構、２５…４象限スリット、２６
…２結晶モノクロメーター、２７…スリット、
２８…Ｘ線検出器、２９…試料チャンバ
ー、３０…試料、３１…反射強度測定用
Ｘ線検出器、３２…架台。

フロントページの続き (56)参考文献特開昭64−91100（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−88399（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−117436（ＪＰ，Ａ) 特開平３−263000（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−99050（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G21K 1/06

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】２枚の平板結晶の表面でＸ線を回折させ、
Ｘ線を単色化するモノクロメーターにおいて、一方の平
板結晶表面ではＸ線ビームの回折面の位置を固定し、他
方の平板結晶表面では移動させる機構と、如何なる回折
角度でも入射するＸ線ビームと出射するＸ線ビームとが
並行で、しかもこれら両Ｘ線ビーム間の並行間隔を常に
一定距離に固定する機構とを具備して成る２結晶Ｘ線モ
ノクロメーターであって、前記２結晶Ｘ線モノクロメー
ターは、回転テーブルの回転軸に一方の平板結晶の回折
面を一致させ、同一回転テーブル上に並行に設置した他
方の平板結晶の回折面との垂直距離を所定値に制御する
位置決め手段と、これにより如何なる回折角度において
も入射するＸ線ビームと出射するＸ線ビームとが並行
で、しかもこれら両Ｘ線ビーム間の並行間隔を常に一定
距離に固定する手段とを有して成る２結晶Ｘ線モノクロ
メーター。
【請求項２】２枚の平板結晶の表面でＸ線を回折させ、
Ｘ線を単色化するモノクロメーターにおいて、回転テー
ブルと、回転駆動手段と、前記回転テーブル上の回転軸
中心に一方の平板結晶の回折面が位置するように保持さ
れる平板結晶設置台と、前記回転テーブル上に偏心して
設置され、他方の平板結晶の回折面を前記一方の平板結
晶のそれと並行に保持しつつ、Ｘ線の入射角に応じて前
記平板結晶を直線移動せしめ得る直線移動台とを具備し
て成り、前記回転テーブルの回転角により定まるＸ線の
入射角と、前記他方の平板結晶の直線移動量とを制御す
ることにより、常時、入射Ｘ線と出射Ｘ線とを並行、か
つ両者の並行間隔を一定距離に保持した状態で単色化さ
れたＸ線を得るようにして成る２結晶Ｘ線モノクロメー
ター。
【請求項３】請求項１もしくは２記載の２結晶Ｘ線モノ
クロメーターにおいて、Ｘ線ビームの入射側、もしくは
出射側位置の何れかにＸ線全反射鏡を設置し、全反射の
臨界波長を基本回折線と高次の回折線の中間に設置して
成り、これによりＸ線ビームの中に含まれる高次の回折
線の強度を抑制し得るように成した２結晶Ｘ線モノクロ
メーター。
【請求項４】請求項１、２もしくは３記載の２結晶Ｘ線
モノクロメーターにおいて、Ｘ線ビームの行路を真空容
器内に設置し、平板結晶の回折角度、２枚の平板結晶の
回折面の垂直移動距離を真空容器外部から制御できる機
構を具備して成る２結晶Ｘ線モノクロメーター。
【請求項５】請求項３記載の２結晶Ｘ線モノクロメータ
ーにおいて、Ｘ線ビームの行路を真空容器内に設置し、
平板結晶の回折角度、２枚の平板結晶の回折面の垂直移
動距離及び並行からの微小ずれ角度を真空容器外部から
制御できる機構を具備して成る２結晶Ｘ線モノクロメー
ター。