JP2924934B2 - Etching equipment - Google Patents
Etching equipmentInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造に
使用されるエッチング装置に関し、特にフォトマスクの
製造に使用されるエッチング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an etching apparatus used for manufacturing a photomask.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のフォトマスク製造工程は図3に示
す。即ち、図3(a)に示すように、まず石英基板16
上にCrの単層膜またはCr/CrX OY より成る多層
膜15を形成したプレートに感光剤であるレジスト14
を3000〜6000オングストロームの厚さに塗布す
る。次に図3(b)の様に電子ビーム露光装置を使用し
所望のパターンを描画する。2. Description of the Related Art A conventional photomask manufacturing process is shown in FIG. That is, as shown in FIG.
A resist 14 serving as a photosensitive agent is applied to a plate on which a single layer film of Cr or a multilayer film 15 made of Cr / CrX OY is formed.
Is applied to a thickness of 3000-6000 angstroms. Next, a desired pattern is drawn using an electron beam exposure apparatus as shown in FIG.
【0003】こうして露光されたプレートを現像装置に
セットし、50〜400rpm の速度で回転させ、ノズル
よりスプレー状態にした現像液を噴射し、図3(c)に
示すように、不要部のレジスト14を溶解除去する。[0003] The plate exposed in this way is set in a developing device, rotated at a speed of 50 to 400 rpm, and sprayed developer is sprayed from a nozzle. As shown in FIG. 14 is dissolved away.
【0004】現像が終了したプレートはエッチング装置
にセットされ、50〜400rpm の速度で回転させノズ
ルよりスプレー状態にしたエッチング液を噴射し不要部
のクロム15がエッチングされる(図3(d))。最後
にレジスト14が剥離されフォトマスクが完成する(図
3(e))。The developed plate is set in an etching apparatus and rotated at a speed of 50 to 400 rpm to spray a sprayed etching solution from a nozzle to etch unnecessary portions of chromium 15 (FIG. 3D). . Finally, the resist 14 is peeled off to complete the photomask (FIG. 3E).
【0005】次に、従来のエッチング装置を図4に示
す。この従来のエッチング装置はプレートチャック1に
載置されたプレート2がモータ3により回転するように
構成されている。そして、プレート2の上方には、プレ
ート2表面に向けてエッチング液5を噴射するノズル4
が設けられている。Next, FIG. 4 shows a conventional etching apparatus. This conventional etching apparatus is configured such that a plate 2 mounted on a plate chuck 1 is rotated by a motor 3. A nozzle 4 for spraying the etching solution 5 toward the surface of the plate 2 is provided above the plate 2.
Is provided.
【0006】また、エッチング中のクロム溶解状況をモ
ニタする為に、光源6、センサ7(投光側センサ7a、
受光側センサ7b)、フィルタ8、フォトトランジスタ
9、透過光検出器10より成るクロム溶解モニタ機構が
取り付けられている。本機構によれば、クロム溶解と共
に図5に示す様な信号が得られ、エッチングの終点を正
確に検出することができる。In order to monitor the state of chromium dissolution during etching, a light source 6 and a sensor 7 (light emitting side sensor 7a,
A chromium dissolution monitoring mechanism including a light receiving side sensor 7b), a filter 8, a phototransistor 9, and a transmitted light detector 10 is attached. According to this mechanism, a signal as shown in FIG. 5 is obtained together with the dissolution of chromium, and the end point of the etching can be accurately detected.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、マスクパタ
ーンは使用される工程によって各種各様であり、エッチ
ングされる部分の面積が広いものもあれば狭いものもあ
る。特に最近ではパターンの微細化に伴い、エッチング
面積が極めて狭いものが増加しつつある。かかるパター
ンを従来のエッチング装置でエッチングする場合には、
クロムの溶解状況が正確に把握できず、実用レベルでは
エッチングの終点検出が困難な状態になってしまうとい
う問題点があった。By the way, there are various types of mask patterns depending on the process to be used. Some mask patterns have a large area to be etched, while others have a small area. In particular, recently, with the miniaturization of patterns, those having an extremely small etching area are increasing. When such a pattern is etched by a conventional etching apparatus,
There has been a problem that the dissolution state of chromium cannot be accurately grasped, and it is difficult to detect the end point of etching on a practical level.
【0008】本発明はこのような従来技術の課題に鑑み
て提案されたもので、エッチング面積の大小にかかわら
ず正確なエッチング終点検出を実現することのできるエ
ッチング装置を提供することを目的とする。The present invention has been proposed in view of such problems of the prior art, and has as its object to provide an etching apparatus capable of accurately detecting an etching end point regardless of the size of an etching area. .
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レジス
ト塗布・露光・現像工程を経たプレートを回転させ、該
回転中のプレートにエッチング液をノズルより噴射させ
スプレーエッチングするエッチング装置において、該プ
レート上のレジストの有無を区別しレジストの無い部分
を被エッチング領域として検出する検出機構と、エッチ
ング終点検出センサを有し、エッチング中の被エッチン
グ領域溶解状況をモニタするモニタ機構と、前記検出機
構からの情報に基づいてエッチング終点検出センサを該
プレート上の任意の位置に移動させる駆動部と、プレー
ト回転数に同期しプレート中の被エッチング領域がエッ
チング終点検出センサを通過する時点のみ該モニタ機構
による被エッチング領域の溶解状況のモニタを可能とす
る制御部と、を具備することを特徴とするエッチング装
置が得られる。すなわち、本発明は、エッチング面積が
極めて狭いパターンであっても正確なエッチング領域の
検出を達成すべく、プレート中の被エッチング領域を検
出する機構と、プレート回転数に同期しプレート中の被
エッチング領域(クロム溶解部)がエッチング終点検出
センサを通過する時点のみゲート信号を出力する制御部
と、該信号に基づいてエッチング終点検出センサをプレ
ート上の任意の位置に移動させる駆動系とを具備するこ
とを特徴とする。According to the present invention, there is provided an etching apparatus for spray-etching by rotating a plate having undergone a resist coating, exposure and development process, and spraying an etching solution from a nozzle onto the rotating plate. A detection mechanism for distinguishing the presence or absence of a resist on the plate and detecting a portion without the resist as an area to be etched, a monitoring mechanism having an etching end point detection sensor, and monitoring a dissolution state of the area to be etched during etching, and the detection mechanism A driving unit for moving the etching end point detection sensor to an arbitrary position on the plate based on the information from the plate, and the monitor mechanism only when the region to be etched in the plate passes the etching end point detection sensor in synchronization with the plate rotation speed. And a control unit capable of monitoring the dissolution state of the region to be etched by the Etching device is obtained, characterized by. In other words, the present invention provides a mechanism for detecting a region to be etched in a plate and a mechanism for detecting a region to be etched in A control unit that outputs a gate signal only when a region (chromium dissolution unit) passes through the etching end point detection sensor, and a drive system that moves the etching end point detection sensor to an arbitrary position on the plate based on the signal. It is characterized by the following.
【0010】[0010]
【作用】本発明のエッチング装置により、被エッチング
面積が小さなパターンでもそのパターンエリアのみに集
中してクロム溶解のモニタを実施することが可能とな
り、エッチング面積に依存することなく正確な終点検出
が実現できる。According to the etching apparatus of the present invention, it is possible to monitor the dissolution of chromium in a pattern having a small area to be etched by concentrating only on the pattern area, thereby realizing accurate end point detection independent of the etching area. it can.
【0011】[0011]
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
【0012】図1は本発明のエッチング装置の構成図で
ある。本装置では図4に示した様な従来のエッチング装
置に加え、プレート中の被エッチング領域を検出する反
射光検出器11、センサ7(7a,7b)の位置及び終
点検出信号のON/OFFを制御する制御部12、及び
該センサ7を移動させる駆動部13を有している。FIG. 1 is a configuration diagram of an etching apparatus according to the present invention. In this apparatus, in addition to the conventional etching apparatus shown in FIG. 4, the position of the reflected light detector 11, which detects the region to be etched in the plate, the position of the sensor 7 (7a, 7b) and ON / OFF of the end point detection signal are determined. It has a control unit 12 for controlling and a driving unit 13 for moving the sensor 7.
【0013】本発明のエッチング装置では、まずセンサ
7aがプレート2上を端から順次スキャンする。その
際、光源6からセンサ7aを通してプレート2上に照射
された光が、プレート2で反射し、これが反射光検出器
11で受光される。受光された光の強度は、プレート上
のレジスト存在部とレジストが現像工程で除去されたク
ロム出現部とで異なるものである。従って、この光強度
の差を検出することにより、クロム出現部、即ち被エッ
チング領域を特定することが可能となる。この様にして
検出した被エッチング領域に終点検出センサ7が移動す
る。In the etching apparatus of the present invention, the sensor 7a scans the plate 2 sequentially from the end. At this time, light emitted from the light source 6 onto the plate 2 through the sensor 7a is reflected by the plate 2 and is received by the reflected light detector 11. The intensity of the received light is different between the resist existing portion on the plate and the chromium appearing portion where the resist has been removed in the developing step. Therefore, by detecting this difference in light intensity, it becomes possible to specify the chromium appearance portion, that is, the region to be etched. The end point detection sensor 7 moves to the region to be etched thus detected.
【0014】次に、エッチング中にプレート2を回転さ
せる速度に同期させ、被エッチング領域が終点検出セン
サ7の真下を通過する瞬間時点のみに制御部12よりゲ
ート信号を出力させ、クロム溶解状況をモニタする。例
えば、プレートを120rpmで回転させる場合には0.
5秒毎にゲート信号を出力しデータを取り込めば良い訳
である。Next, the control unit 12 outputs a gate signal only at the moment when the region to be etched passes just below the end point detection sensor 7 by synchronizing with the rotation speed of the plate 2 during etching, and the chromium dissolution state is determined. Monitor. For example, if the plate is to be rotated at 120 rpm, 0.
That is, it is only necessary to output a gate signal every 5 seconds and capture data.
【0015】図2は本発明の第2実施例を示すエッチン
グ装置の一部の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a part of an etching apparatus showing a second embodiment of the present invention.
【0016】一般に現像後のプレートのエッチングは、
プレート全面で均一に進行する訳ではなく、場所により
不均一な部分が発生する。そこで、正確な終点検出を行
う為には、クロム溶解状況のモニタをプレート内におい
て複数箇所で行う必要がある。本第2実施例は、このよ
うなことに鑑みて、センサ7を複数箇所、例えば図2に
示すように2箇所(2対)設置することを特徴とする。
従って本実施例のエッチング装置を使用することによ
り、センサ7が第1実施例の様に1箇所(1対)だけに
設けられた場合に比べ終点検出精度を5割前後向上させ
ることができる。Generally, the etching of the plate after development is
The progress does not proceed uniformly over the entire surface of the plate, but non-uniform portions occur at some places. Therefore, in order to accurately detect the end point, it is necessary to monitor the chromium dissolution state at a plurality of locations in the plate. In view of the above, the second embodiment is characterized in that the sensor 7 is installed at a plurality of locations, for example, two locations (two pairs) as shown in FIG.
Therefore, by using the etching apparatus of this embodiment, the end point detection accuracy can be improved by about 50% as compared with the case where the sensor 7 is provided only at one location (one pair) as in the first embodiment.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上説明してきた様に、本発明のエッチ
ング装置によれば、被エッチング面積が小さなパターン
でもそのパターンエリアのみに集中してクロム溶解のモ
ニタを実施することが可能となり、エッチング面積の大
小にかかわらず正確な終点検出を行なうことが可能とな
る。As described above, according to the etching apparatus of the present invention, it is possible to monitor the dissolution of chromium in a pattern having a small area to be etched by focusing only on the pattern area. It is possible to perform accurate end point detection regardless of the magnitude of.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の第1実施例のブロック図。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2実施例のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.
【図3】マスク製造工程図。FIG. 3 is a view showing a mask manufacturing process.
【図4】従来のエッチング装置のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of a conventional etching apparatus.
【図5】エッチング終点検出信号を示した図。FIG. 5 is a diagram showing an etching end point detection signal.
1…プレートチャック 2…プレート 3…モータ 4…ノズル 5…エッチング液 6…光源 7(7a,7b)…センサ 8…フィルタ 9…フォトトランジスタ 10…透過光検出器 11…反射光検出器 12…制御部 13…駆動部 14…レジスト 15…クロム 16…石英基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plate chuck 2 ... Plate 3 ... Motor 4 ... Nozzle 5 ... Etching liquid 6 ... Light source 7 (7a, 7b) ... Sensor 8 ... Filter 9 ... Phototransistor 10 ... Transmitted light detector 11 ... Reflected light detector 12 ... Control Unit 13: Drive unit 14: Resist 15: Chromium 16: Quartz substrate
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/306 H01L 21/3065 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/306 H01L 21/3065
Claims (2)
レートを回転させ、該回転中のプレートにエッチング液
をノズルより噴射させスプレーエッチングするエッチン
グ装置において、 該プレート上のレジストの有無を区別しレジストの無い
部分を被エッチング領域として検出する検出機構と、 エッチング終点検出センサを有し、エッチング中の被エ
ッチング領域溶解状況をモニタするモニタ機構と、 前記検出機構からの情報に基づいてエッチング終点検出
センサを該プレート上の任意の位置に移動させる駆動部
と、 プレート回転数に同期しプレート中の被エッチング領域
がエッチング終点検出センサを通過する時点のみ該モニ
タ機構による被エッチング領域の溶解状況のモニタを可
能とする制御部と、 を具備することを特徴とするエッチング装置。An etching apparatus for rotating a plate that has undergone a resist coating, exposing and developing process, spraying an etching solution from a nozzle onto the rotating plate, and performing spray etching. A detection mechanism for detecting a portion having no surface as an etching target area; a monitoring mechanism having an etching end point detection sensor for monitoring a dissolution state of the etching target area during etching; and an etching end point detection sensor based on information from the detection mechanism. And a drive unit for moving the substrate to an arbitrary position on the plate, and monitoring the dissolution state of the region to be etched by the monitor mechanism only when the region to be etched in the plate passes the etching end point detection sensor in synchronization with the plate rotation speed. And a control unit enabling the etching. Grayed apparatus.
ート内に少なくとも2個以上設置されており、かつ、こ
れらのセンサにエッチング中の被エッチング領域溶解状
況をモニタする機構と、前記エッチング終点検出センサ
を該プレート上の任意の位置に移動させる駆動部と、プ
レート回転数に同期しプレート中の被エッチング領域が
エッチング終点検出センサを通過する時点のみ溶解状況
をモニタさせる制御部が設けられていることを特徴とす
る請求項1に記載のエッチング装置。2. An etching end point detection sensor, wherein at least two or more etching end point detection sensors are provided in the plate, and a mechanism for monitoring the state of dissolution of the region to be etched during etching is provided to these sensors. A drive unit for moving the plate to an arbitrary position on the plate and a control unit for monitoring the melting state only when the region to be etched in the plate passes the etching end point detection sensor in synchronization with the plate rotation speed are provided. The etching apparatus according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23247792A JP2924934B2 (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Etching equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23247792A JP2924934B2 (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Etching equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0684882A JPH0684882A (en) | 1994-03-25 |
JP2924934B2 true JP2924934B2 (en) | 1999-07-26 |
Family
ID=16939920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23247792A Expired - Lifetime JP2924934B2 (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Etching equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2924934B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980025849A (en) * | 1996-10-05 | 1998-07-15 | 김영환 | Resist coating method for mask |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23247792A patent/JP2924934B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0684882A (en) | 1994-03-25 |
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