JP2924406B2 - Semiconductor processing equipment and semiconductor evaluation equipment - Google Patents

Semiconductor processing equipment and semiconductor evaluation equipment

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JP2924406B2
JP2924406B2 JP1912092A JP1912092A JP2924406B2 JP 2924406 B2 JP2924406 B2 JP 2924406B2 JP 1912092 A JP1912092 A JP 1912092A JP 1912092 A JP1912092 A JP 1912092A JP 2924406 B2 JP2924406 B2 JP 2924406B2
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semiconductor substrate
semiconductor
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optical fiber
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板表面を任意
の形状に加工する半導体加工装置および半導体評価装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing apparatus for processing a semiconductor substrate surface into an arbitrary shape and a semiconductor evaluation apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】図12は現在半導体の加工方法で最も一
般的なレジスト材を用いた写真製版による半導体表面の
加工状況を示す図で、図13はその断面図である。これ
らの図において、1は半導体基板、30はこの半導体基
板1上に塗布し、穴開け加工されたレジスト材である。
2. Description of the Related Art FIG. 12 is a view showing a processing state of a semiconductor surface by photolithography using a resist material which is most common in semiconductor processing methods at present, and FIG. 13 is a sectional view thereof. In these figures, reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate, and reference numeral 30 denotes a resist material applied on the semiconductor substrate 1 and subjected to perforation processing.

【0003】次に、その半導体基板1表面が加工される
までの一般的プロセスについて図14(a)〜(f)を
参照して説明する。図14(a)に示す半導体基板(厚
み〜500μm)1上に図14(b)に示すように、レ
ジスト材(エッチングの際にマスクとなるもの)30を
スピン塗布装置で〜数μm厚に塗布した後、このレジス
ト材30を焼成し、乾燥させる。次に、図14(c)に
示すように、写真製版、すなわち加工したい形状のパタ
ーンが形成されたマスクを用い、そのマスクを透過した
光でレジスト材30を化学変化させ除去できるようにす
る。31はこの感光部分である。次に、図14(d)に
示すように、感光部分31を現像,リンス処理により除
去する。このようにパターニングされたレジスト材30
を加工のためのエッチング液(酸やアルカリ)のマスク
として用いる。次に、図14(e)に示すように、任意
の酸またはアルカリ溶液または反応性ガス等と半導体基
板1を反応させ、エッチング除去する。この際、掘られ
る形状および深さは写真製版で形成したレジストマスク
およびエッチング条件(溶液の種類,濃度,温度,時間
等)で決定される。次に、図14(f)に示すように、
所望の形状にエッチングされた半導体基板1上の不要な
レジスト材30を、有機溶剤あるいは反応性ガスを用い
て除去する。上記のように、一連のプロセスを経て、半
導体基板1上に所望のパターンが位置精度をおよそ±1
μm以下、深さ精度を±0.1〜0.2μm(ウエット
エッチング)で形成される。
Next, a general process until the surface of the semiconductor substrate 1 is processed will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 14B, a resist material (which becomes a mask at the time of etching) 30 is formed on a semiconductor substrate (thickness: 500 μm) 1 shown in FIG. After the application, the resist material 30 is baked and dried. Next, as shown in FIG. 14C, photolithography, that is, using a mask on which a pattern of a shape to be processed is formed, the resist material 30 is chemically changed with light transmitted through the mask so that the resist material 30 can be removed. Reference numeral 31 denotes this photosensitive portion. Next, as shown in FIG. 14D, the photosensitive portion 31 is removed by developing and rinsing. The resist material 30 thus patterned
Is used as a mask of an etching solution (acid or alkali) for processing. Next, as shown in FIG. 14E, the semiconductor substrate 1 is reacted with an arbitrary acid or alkali solution, a reactive gas, or the like, and is removed by etching. At this time, the shape and the depth to be dug are determined by the resist mask formed by photolithography and the etching conditions (type of solution, concentration, temperature, time, etc.). Next, as shown in FIG.
The unnecessary resist material 30 on the semiconductor substrate 1 etched into a desired shape is removed using an organic solvent or a reactive gas. As described above, after a series of processes, the desired pattern on the semiconductor substrate 1 has a positional accuracy of about ± 1.
μm or less, with a depth accuracy of ± 0.1 to 0.2 μm (wet etching).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来例においては、半
導体基板表面を加工する場合、以上のようなプロセスを
経て形成されているため、位置精度をそれ程問題にしな
い場合(±数百μm)でも、その加工に多大の時間およ
び加工コストがかかるという問題点があった。また、薄
膜結晶が多層積層された半導体基板の薄膜結晶の品質評
価を各層について行う場合にも上記と同様の工程が必要
で、時間と加工コストがかかるという同様の問題点があ
った。
In the conventional example, when processing the surface of a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is formed through the above-described process. Therefore, even if the positional accuracy is not so important (± several hundred μm). In addition, there is a problem that a large amount of time and processing cost are required for the processing. Further, when the quality evaluation of a thin film crystal of a semiconductor substrate in which a plurality of thin film crystals are stacked is performed for each layer, the same process as above is required, and there is a similar problem that time and processing cost are required.

【0005】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体基板表面を短時間で簡単
に、かつ低コストで加工できる半導体加工装置を得るこ
とを目的としており、さらに、この装置を応用した半導
体評価装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a semiconductor processing apparatus capable of processing a semiconductor substrate surface in a short time, easily, and at low cost. It is another object of the present invention to provide a semiconductor evaluation device to which this device is applied.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体加
工装置は、半導体基板表面の加工部分のみに前記半導体
基板表面を溶解する溶液を供給し、かつ排出できるよう
にするとともに加工後にこの加工部分を洗浄,乾燥でき
るようにし、さらに、加工してはならない部分を加工し
ない構成としたものである。また、本発明にかかる半導
体評価装置は、洗浄工程中に半導体基板の加工部分に材
料分析用の光ファイバを挿入して光を照射し、他の光フ
ァイバで加工部分の光を受光してこれを分析して評価す
る構成としたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor processing apparatus according to the present invention is capable of supplying and discharging a solution for dissolving the semiconductor substrate surface only to a processed portion of the semiconductor substrate surface, and further comprising the processing portion after processing. Can be washed and dried, and furthermore, a portion which should not be processed is not processed. Further, the semiconductor evaluation apparatus according to the present invention inserts an optical fiber for material analysis into the processed portion of the semiconductor substrate during the cleaning step, irradiates the light, and receives the light of the processed portion with another optical fiber, thereby receiving the light. Is analyzed and evaluated.

【0007】[0007]

【作用】本発明にかかる半導体加工装置は、半導体基板
の所望の位置にこの半導体基板をエッチングする溶液を
供給し、かつそれ以外の部分へ溶液がしみださないよう
になっているため、所望の位置のみ半導体基板表面を加
工することができる。また、溶液を供給するだけでな
く、エッチング後の溶液の排出,エッチング液の洗浄,
洗浄後の乾燥を逐次自動的に行うことができる。さら
に、写真工程を用いずにエッチング加工が行え、かつ必
要な場所に必要最小限のエッチング液を供給することが
できる。
In the semiconductor processing apparatus according to the present invention, a solution for etching the semiconductor substrate is supplied to a desired position on the semiconductor substrate, and the solution does not seep into other portions. The semiconductor substrate surface can be processed only at the position. In addition to supplying the solution, discharging the solution after etching, cleaning the etching solution,
Drying after washing can be automatically performed sequentially. Further, the etching process can be performed without using a photographic process, and a necessary minimum amount of an etchant can be supplied to a necessary place.

【0008】また、本発明にかかる半導体評価装置にお
いては、半導体基板表面に薄膜結晶が多数積層されてい
る場合でも、加工プローブ内で測定端子が各層をエッチ
ングしながら逐次評価するため、単時間で複雑な構造を
した半導体基板の深さ方向の材料品質に関する情報を得
ることができる。
Further, in the semiconductor evaluation apparatus according to the present invention, even when a large number of thin-film crystals are stacked on the surface of the semiconductor substrate, the measurement terminal sequentially evaluates each layer in the processing probe while etching each layer. Information on the material quality in the depth direction of a semiconductor substrate having a complicated structure can be obtained.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図1は本発明の一実施例を示す半導体加工装置の構
成図であり、図2は図1の加工プローブ7の外観斜視図
である。これらの図において、1は半導体基板、2は溶
液封入器で、半導体基板1上にエッチングのための溶
液,洗浄液,乾燥用の不活性ガス等を供給する溶液注入
管3の先端を囲んでおり、半導体基板1表面に供給され
た溶液が所望の位置以外をエッチングするのを防ぐた
め、溶液を閉じ込めるものである。4は前記溶液封入器
2の内部に挿入され、半導体基板1と溶液封入器2に囲
まれた空間の溶液を排出する溶液排出管、5は前記溶液
注入管3の一端に取り付けられ、溶液,洗浄液,不活性
ガス等を溶液注入管3に供給する溶液類供給装置、6は
前記溶液排出管4の一端に取り付けられ、溶液封入器2
内部の溶液および不活性ガス等を排出する溶液類排出装
置、7は前記した加工プローブで、溶液封入器2,溶液
注入管3,溶液排出管4から構成されている。8は前記
半導体基板1をのせ加工プローブ7の位置に半導体基板
1を移動させる移動ステージ、9はこの移動ステージ8
を上下左右に移動させる駆動部、10はこの駆動部9,
溶液類供給装置5,溶液類排出装置6と電気的に接続さ
れ、これら各部を連動して動かすための制御信号を出す
コントローラである。なお、溶液封入器2は実際には微
小なものであるが、構造を分かり易くするため拡大して
示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor processing apparatus showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an external perspective view of a processing probe 7 of FIG. In these figures, 1 is a semiconductor substrate, 2 is a solution enclosing device, which surrounds the tip of a solution injection pipe 3 for supplying a solution for etching, a cleaning solution, an inert gas for drying, etc. onto the semiconductor substrate 1. In order to prevent the solution supplied to the surface of the semiconductor substrate 1 from etching a position other than a desired position, the solution is confined. Reference numeral 4 denotes a solution discharge tube which is inserted into the solution enclosing device 2 and discharges a solution in a space surrounded by the semiconductor substrate 1 and the solution enclosing device 2, and 5 is attached to one end of the solution injecting tube 3. A solution supply device 6 for supplying a cleaning solution, an inert gas or the like to the solution injection tube 3 is attached to one end of the solution discharge tube 4,
A solution discharging device 7 for discharging the internal solution and inert gas, etc., is the above-mentioned processing probe, which comprises a solution enclosing device 2, a solution injection tube 3, and a solution discharging tube 4. Reference numeral 8 denotes a moving stage for mounting the semiconductor substrate 1 and moving the semiconductor substrate 1 to the position of the processing probe 7;
Drive unit 10 for moving the vertical and horizontal directions,
The controller is electrically connected to the solution supply device 5 and the solution discharge device 6, and outputs a control signal for operating these units in conjunction with each other. Note that the solution enclosing device 2 is actually very small, but is enlarged for easy understanding of the structure.

【0010】次に、本発明の動作を図3を参照して説明
する。なお、(1)〜(22)は各ステップを示す。ま
ず、加工する半導体基板1が搬送装置または手動により
移動させられ(1)、移動ステージ8上の所定の位置に
セットされる(2)。次に移動ステージ8が半導体基板
1上の加工位置に加工プローブ7が接するように移動す
る(3)。次に半導体基板1上の加工位置と加工プロー
ブ7の先端が一致したら(4)、溶液類供給装置5から
純水を供給する(5)。また、溶液封入器2内部の純水
の液量が一定量になるように溶液類排出装置6が動作す
る(6)。タイマにより設定時間処理を行い(7)、そ
の後純水の供給をストップする(8)。溶液封入器2内
が空になったら溶液類排出装置6がストップし(9)、
溶液類供給装置5からエッチング液を供給し(10)、
エッチング液量が一定となるように溶液類排出装置6が
動作する(11)。その後、タイマ設定時間に従って処
理され(12)、エッチングが終了したらエッチング液
の供給をストップし(13)、溶液封入器2内が空にな
たっら溶液類排出装置6をストップし(14)、純水を
供給する(15)。設定時間洗浄処理を行った後(1
6)、純水供給をストップし(17)、溶液類供給装置
5より不活性ガスを供給し(18)、設定時間乾燥処理
を行い(19)、溶液封入器2内部へ送り込まれた不活
性ガスにより加工部分が乾燥したところで不活性ガスの
供給をストップし(20)、一点の加工が完了する。そ
の後、設定場所すべての加工が完了したか判定し(2
1)、他の加工場所があれば移動ステージ8が移動し、
ステップ(2)に戻り同様な加工を開始する。すべての
加工ポイントが完了したら半導体基板1をステージ8か
らもとの場所、例えばウエハバスケット等へもどし(2
2)、1枚の半導体基板1の加工が終了となる。半導体
基板1が多数ある場合は、この動作が繰り返される。
Next, the operation of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, (1) to (22) indicate each step. First, the semiconductor substrate 1 to be processed is moved by a transfer device or manually (1), and set at a predetermined position on the moving stage 8 (2). Next, the moving stage 8 moves so that the processing probe 7 contacts the processing position on the semiconductor substrate 1 (3). Next, when the processing position on the semiconductor substrate 1 matches the tip of the processing probe 7 (4), pure water is supplied from the solution supply device 5 (5). Further, the solution discharging device 6 operates so that the amount of pure water in the solution enclosing device 2 becomes constant (6). A set time process is performed by a timer (7), and then the supply of pure water is stopped (8). When the inside of the solution enclosing device 2 becomes empty, the solution discharging device 6 stops (9),
An etchant is supplied from the solution supply device 5 (10),
The solution discharging device 6 is operated so that the etching liquid amount is constant (11). Thereafter, processing is performed according to a timer set time (12). When the etching is completed, the supply of the etching liquid is stopped (13), and the solution discharging device 6 is stopped when the solution enclosure 2 is empty (14). Supply pure water (15). After performing the cleaning process for the set time (1
6), the supply of pure water is stopped (17), an inert gas is supplied from the solution supply device 5 (18), a drying process is performed for a set time (19), and the inert gas sent into the solution enclosing device 2 is supplied. When the processed portion is dried by the gas, the supply of the inert gas is stopped (20), and one-point processing is completed. After that, it is determined whether or not machining of all the set locations is completed (2
1) If there is another processing place, the moving stage 8 moves,
Returning to step (2), similar processing is started. When all processing points have been completed, the semiconductor substrate 1 is returned from the stage 8 to its original location, for example, a wafer basket (2).
2) Processing of one semiconductor substrate 1 is completed. When there are many semiconductor substrates 1, this operation is repeated.

【0011】なお、上記実施例では、溶液封入器2の先
端部分には何の工夫もないが、図4,図5に示すよう
に、先端部分にシール材11を設けることにより、さら
に、溶液の外部への漏れを防ぐ効果が高まる。また、溶
液封入器2内部の溶液注入管3と溶液排出管4の配置
を、図4,図5に示すように溶液注入管3を中心として
その周りを溶液排出管4で囲むように配置することによ
って、より効果的に溶液を排出することが可能である。
これも溶液封入器2の外部に溶液が漏れるのを防ぐ効果
を高めるのに有効である。
In the above embodiment, the solution enclosing device 2 does not have any contrivance at the distal end portion. However, as shown in FIGS. The effect of preventing leakage to the outside is enhanced. The solution injection tube 3 and the solution discharge tube 4 inside the solution enclosing device 2 are arranged so that the solution injection tube 3 is surrounded by the solution discharge tube 4 around the solution injection tube 3 as shown in FIGS. This makes it possible to more effectively discharge the solution.
This is also effective for enhancing the effect of preventing the solution from leaking out of the solution enclosing device 2.

【0012】また、上記実施例では、半導体基板1の上
部から溶液を供給するように移動ステージ8および加工
プローブ7を配置しているが、図6,図7に示すように
半導体基板1表面が下に向くように加工プローブ7,移
動ステージ8を配置した場合、供給溶液が半導体基板1
表面にたまらず、すぐ下方へ流れる構造になるので、加
工精度制御性が向上する構造となる。
In the above embodiment, the moving stage 8 and the processing probe 7 are arranged so as to supply the solution from above the semiconductor substrate 1. However, as shown in FIGS. When the processing probe 7 and the moving stage 8 are arranged so as to face downward, the supply solution is
Since the structure is such that it flows immediately downward without being accumulated on the surface, the structure has improved controllability of processing accuracy.

【0013】次に、上記実施例の半導体加工装置に設け
た半導体評価装置の一実施例について説明する。図8は
本発明の半導体評価装置の一実施例の構成を示す図で、
図1と同一符号は同一構成部分を示し、12は前記加工
プローブ7内部に挿入され、レーザ光をエッチング加工
したい半導体基板1表面に照射するための光ファイバ、
13は前記加工プローブ7内部に挿入され、半導体基板
1で発光する光を受光する光ファイバ、14は前記光フ
ァイバ12の一端に接続され、光ファイバ12内にレー
ザ光を導入するためのレーザ光源、15は前記光ファイ
バ13の一端に接続され、光ファイバ13で受光した光
を分光するための分光器、16は前記移動ステージ8の
駆動部9,溶液類供給装置5,溶液類排出装置6,レー
ザ光源14,および分光器15と電気的に接続され、各
装置をコントロールする制御信号を出すとともに、分光
器15で測定した測定データを分析し、その結果をディ
スプレイおよびプリンタ等で出力する機能を有するコン
トローラコンピュータである。図9は、図8中の加工プ
ローブ7の構造断面図である。図10は半導体基板1を
精密に動かすことにより、加工プローブ7が描画加工し
ながら評価している様子を示した概略斜視図である。ま
た、図8の半導体評価装置の動作フローチャートを図1
1に示す。なお、この図における(1)〜(26)は各
ステップを示す。この動作は図3と同様の動作を行う
が、エッチング後の純水洗浄工程中に評価フロー(1
6)〜(19)が入っていることが特徴となっている。
すなわち、純水洗浄工程中に(15)、レーザ光源14
から光ファイバ12を介して半導体基板1上にレーザ光
を照射し(16)、半導体基板1表面からの光を光ファ
イバ13で受光し(17)、これらのデータをコントロ
ーラコンピュータ16に入力して処理を行い(18)、
その結果をディスプレイまたはプリンタにより出力する
(19)。
Next, an embodiment of the semiconductor evaluation apparatus provided in the semiconductor processing apparatus of the above embodiment will be described. FIG. 8 is a diagram showing the configuration of one embodiment of the semiconductor evaluation device of the present invention.
The same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same components, and 12 denotes an optical fiber inserted into the processing probe 7 for irradiating a laser beam to the surface of the semiconductor substrate 1 to be etched.
An optical fiber 13 is inserted into the processing probe 7 and receives light emitted from the semiconductor substrate 1. A laser light source 14 is connected to one end of the optical fiber 12 and introduces laser light into the optical fiber 12. , 15 are connected to one end of the optical fiber 13 to split the light received by the optical fiber 13, and 16 is a drive unit 9 of the moving stage 8, a solution supply device 5, a solution discharge device 6. , A laser light source 14, and a function of outputting control signals for controlling the respective devices, analyzing the measurement data measured by the spectroscope 15, and outputting the result on a display, a printer, or the like. Is a controller computer. FIG. 9 is a structural sectional view of the processing probe 7 in FIG. FIG. 10 is a schematic perspective view showing a state in which the processing probe 7 performs evaluation while performing drawing processing by precisely moving the semiconductor substrate 1. FIG. 1 is a flowchart showing the operation of the semiconductor evaluation apparatus shown in FIG.
It is shown in FIG. Note that (1) to (26) in this figure indicate each step. This operation is similar to that of FIG. 3 except that the evaluation flow (1) is performed during the pure water cleaning process after etching.
6) to (19) are included.
That is, during the pure water cleaning step (15), the laser light source 14
The semiconductor substrate 1 is irradiated with a laser beam through the optical fiber 12 through the optical fiber 12 (16), and the light from the surface of the semiconductor substrate 1 is received by the optical fiber 13 (17). Processing (18),
The result is output by a display or a printer (19).

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる半
導体加工装置によれば、半導体基板表面の加工したい部
分にのみエッチング液を供給し、基板表面の特定部分の
み加工できるので、従来の写真製版を用いた加工と比較
し工程数が少なくなり、スピーディかつ安価に加工する
ことができる半導体加工装置が得られる効果がある。
As described above, according to the semiconductor processing apparatus of the present invention, the etching liquid is supplied only to the portion of the semiconductor substrate surface to be processed, and the etching liquid is supplied to the specific portion of the substrate surface.
Since it raw, as compared to processing using conventional photolithographic number of steps leaves less, the semiconductor processing apparatus which can be processed quickly and inexpensively there is an effect to be obtained.

【0015】また、本発明にかかる半導体評価装置によ
れば、半導体基板表面からの深さ方向の品質評価を簡
単、かつスピーディに行うことができる半導体評価装置
が得られる効果がある。
Further, according to the semiconductor evaluation apparatus of the present invention, there is an effect that a semiconductor evaluation apparatus which can easily and speedily perform quality evaluation in a depth direction from a semiconductor substrate surface is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す半導体加工装置の構成
図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor processing apparatus showing one embodiment of the present invention.

【図2】図1中の加工プローブの外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of a processing probe in FIG.

【図3】図1の動作を説明するフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating the operation of FIG. 1;

【図4】図1中の加工プローブの先端にシール材を設け
た実施例の要部を断面とした構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a cross section of a main part of an embodiment in which a sealing material is provided at the tip of the processing probe in FIG. 1;

【図5】図4の加工プローブの外観斜視図である。FIG. 5 is an external perspective view of the processing probe of FIG. 4;

【図6】本発明の半導体加工装置の他の実施例を示す加
工プローブ部分の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a processing probe part showing another embodiment of the semiconductor processing apparatus of the present invention.

【図7】図6の外観斜視図である。FIG. 7 is an external perspective view of FIG.

【図8】本発明の半導体加工装置を応用した半導体評価
装置の一実施例を示す概略構成図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a semiconductor evaluation device to which the semiconductor processing device of the present invention is applied.

【図9】図8の加工プローブ部分の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the processing probe part of FIG.

【図10】半導体基板の評価状態を示す要部の斜視図で
ある。
FIG. 10 is a perspective view of a main part showing an evaluation state of the semiconductor substrate.

【図11】本発明の半導体評価装置の動作を説明するフ
ローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart illustrating an operation of the semiconductor evaluation device of the present invention.

【図12】従来の半導体基板表面の加工状態を示す斜視
図である。
FIG. 12 is a perspective view showing a processing state of a conventional semiconductor substrate surface.

【図13】図12の断面図である。FIG. 13 is a sectional view of FIG.

【図14】従来の半導体基板への加工プロセスを示す断
面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional process for processing a semiconductor substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体基板 2 溶液封入器 3 溶液注入管 4 溶液排出管 5 溶液類供給装置 6 溶液類排出装置 7 加工プローブ 8 移動ステージ 9 駆動部 10 コントローラ 11 シール材 12 光ファイバ 13 光ファイバ 14 レーザ光源 15 分光器 16 コントローラコンピュータ REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor substrate 2 solution enclosing device 3 solution injection tube 4 solution discharge tube 5 solution supply device 6 solution discharge device 7 processing probe 8 moving stage 9 drive unit 10 controller 11 sealing material 12 optical fiber 13 optical fiber 14 laser light source 15 spectral Table 16 Controller computer

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304 H01L 21/306 H01L 21/66 B08B 3/00 - 3/14 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/306 H01L 21/66 B08B 3/00-3/14

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体基板を自在に移動できる移動ステ
ージと;前記半導体基板表面の加工部分のみにエッチン
グ液あるいは洗浄液を収容する溶液封入器と;この溶液
封入器に前記エッチング液,洗浄液あるいは乾燥用の不
活性ガスを注入する溶液注入管と;前記溶液封入器内に
注入された溶液類を一定の量にするための溶液排出管と
からなる加工プローブと;前記溶液注入管を介して前記
溶液類を供給する溶液類供給装置と;前記溶液排出管を
介して前記溶液類を排出する溶液類排出装置と;これら
の一連の動作をコントロールするコントローラと;から
なることを特徴とする半導体加工装置。
1. A moving stage capable of freely moving a semiconductor substrate; a solution enclosing device for accommodating an etching solution or a cleaning solution only in a processed portion of the surface of the semiconductor substrate; A processing probe comprising: a solution injection tube for injecting an inert gas of the formula; a solution discharge tube for making a constant amount of the solution injected into the solution enclosing device; and the solution via the solution injection tube. A semiconductor processing apparatus, comprising: a solution supply device for supplying a solution; a solution discharge device for discharging the solution via the solution discharge pipe; and a controller for controlling a series of these operations. .
【請求項2】 半導体基板を自在に移動できる移動ステ
ージと;前記半導体基板表面の加工部分のみにエッチン
グ液あるいは洗浄液を収容する溶液封入器と;この溶液
封入器に前記エッチング液,洗浄液,あるいは乾燥用の
不活性ガスを注入する溶液注入管と;前記溶液封入器内
に注入された溶液類を一定の量にするための溶液排出管
とからなる加工プローブと;前記溶液注入管を介して前
記溶液類を供給する溶液類供給装置と;前記溶液排出管
を介して前記溶液類を排出する溶液類排出装置と;これ
らの一連の動作をコントロールするコントローラと;前
記加工プローブ内において前記純粋による洗浄工程中に
前記半導体基板上にレーザ光を照射する光ファイバと;
前記半導体基板からの光を受光する光ファイバと;前記
レーザ光を出射するレーザ光源と;前記光ファイバで受
光した光を分光する分光器と;この分光器で測定した測
定データを分析し、その結果を表示する表示手段を備え
たコントローラコンピュータと;からなることを特徴と
する半導体評価装置。
2. A moving stage capable of freely moving a semiconductor substrate; a solution enclosing device for accommodating an etching solution or a cleaning solution only in a processed portion of the surface of the semiconductor substrate; A solution injection pipe for injecting an inert gas for use; a processing probe comprising a solution discharge pipe for making a constant amount of the solution injected into the solution enclosing device; and a processing probe through the solution injection pipe. A solution supply device for supplying a solution; a solution discharge device for discharging the solution via the solution discharge pipe; a controller for controlling a series of these operations; and the pure cleaning in the processing probe. An optical fiber for irradiating the semiconductor substrate with laser light during the process;
An optical fiber that receives light from the semiconductor substrate; a laser light source that emits the laser light; a spectroscope that splits the light received by the optical fiber; and analyzes measurement data measured by the spectrometer. A controller computer having a display means for displaying a result; and a semiconductor evaluation device.
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