JP2921288B2 - 不純物ドーピング法 - Google Patents
不純物ドーピング法Info
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- JP2921288B2 JP2921288B2 JP23791692A JP23791692A JP2921288B2 JP 2921288 B2 JP2921288 B2 JP 2921288B2 JP 23791692 A JP23791692 A JP 23791692A JP 23791692 A JP23791692 A JP 23791692A JP 2921288 B2 JP2921288 B2 JP 2921288B2
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- Japan
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- cadmium
- cell
- indium
- impurity doping
- doping method
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分子線エピタキシャル
（ＭＢＥ）法における不純物ドーピング法に関する。
（ＭＢＥ）法における不純物ドーピング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＢＥ法によるテルル化カドミウ
ムへのｎ型不純物ドーピングにおいては、インジウム単
体を導入した通常のクヌードセンセルが用いられてい
た。この方法は、例えばアール・エヌ・ビクネルらによ
り、アプライド・フィジックス・レターズ（Ｒ．Ｎ．Ｂ
ｉｃｋｎｅｌｌ ｅｔ ａｌ．：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）４９巻、１０９５頁、１
９８５年に、アール・エヌ・ビクネル−タシウムらによ
り、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース（Ｒ．
Ｎ．Ｂｉｃｋｎｅｌｌ−Ｔａｓｓｉｕｓ ｅｔ ａｌ：
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）
１０１巻、３３頁、１９９０年に、エフ・バサニらによ
り、アプライド・フィジックス・レターズ（Ｆ．Ｂａｓ
ｓａｎｉ ｅｔ ａｌ：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５８巻、２６５１頁、１９９１年
等に報告されている。この中で、バサニらは、通常のＭ
ＢＥ法において、テルル化カドミウムセル、インジウム
セルに加え、カドミウムセルを用い、カドミウムを過剰
に供給すれば、インジウムの電気的活性度がほぼ１００
％になることを報告している。
ムへのｎ型不純物ドーピングにおいては、インジウム単
体を導入した通常のクヌードセンセルが用いられてい
た。この方法は、例えばアール・エヌ・ビクネルらによ
り、アプライド・フィジックス・レターズ（Ｒ．Ｎ．Ｂ
ｉｃｋｎｅｌｌ ｅｔ ａｌ．：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）４９巻、１０９５頁、１
９８５年に、アール・エヌ・ビクネル−タシウムらによ
り、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース（Ｒ．
Ｎ．Ｂｉｃｋｎｅｌｌ−Ｔａｓｓｉｕｓ ｅｔ ａｌ：
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）
１０１巻、３３頁、１９９０年に、エフ・バサニらによ
り、アプライド・フィジックス・レターズ（Ｆ．Ｂａｓ
ｓａｎｉ ｅｔ ａｌ：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５８巻、２６５１頁、１９９１年
等に報告されている。この中で、バサニらは、通常のＭ
ＢＥ法において、テルル化カドミウムセル、インジウム
セルに加え、カドミウムセルを用い、カドミウムを過剰
に供給すれば、インジウムの電気的活性度がほぼ１００
％になることを報告している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、ＭＢ
Ｅ法によるテルル化カドミウムへのｎ型不純物ドーピン
グにおいては、ドーパントであるインジウムの電気的活
性度を高めるために、カドミウム過剰な条件としてい
る。しかしながら、この場合、テルル化カドミウムセ
ル、インジウムセルに加え、新たに別のカドミウムセル
を設けなければならない。
Ｅ法によるテルル化カドミウムへのｎ型不純物ドーピン
グにおいては、ドーパントであるインジウムの電気的活
性度を高めるために、カドミウム過剰な条件としてい
る。しかしながら、この場合、テルル化カドミウムセ
ル、インジウムセルに加え、新たに別のカドミウムセル
を設けなければならない。
【０００４】本発明は、従来よりも簡便にこのカドミウ
ム過剰な条件を実現し、ドーピング効率に優れた不純物
ドーピング法を提供することを目的としている。
ム過剰な条件を実現し、ドーピング効率に優れた不純物
ドーピング法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による不純物ドーピング法においては、ＭＢ
Ｅ法によるテルル化カドミウムへのｎ型不純物ドーピン
グ法であって、ｎ型ドーパント源としてインジウム化カ
ドミウムを導入したクヌードセンセルを用いるものであ
る。
め、本発明による不純物ドーピング法においては、ＭＢ
Ｅ法によるテルル化カドミウムへのｎ型不純物ドーピン
グ法であって、ｎ型ドーパント源としてインジウム化カ
ドミウムを導入したクヌードセンセルを用いるものであ
る。
【０００６】
【作用】本発明においては、ｎ型ドーパント源として従
来用いられていたインジウム単体に換え、インジウム化
カドミウムを導入したクヌードセンセルを用いることを
特徴としている。この材料をセルに導入し加熱した場
合、インジウムとカドミウムが同時に蒸発することか
ら、インジウム単体のみを用いた場合よりも、カドミウ
ム過剰な条件が実現される。したがって、カドミウムセ
ルを新たに設けるという従来技術よりも簡便にカドミウ
ム過剰な条件を実現し、ドーピング効率の良好なｎ型不
純物ドーピング法を提供できる。
来用いられていたインジウム単体に換え、インジウム化
カドミウムを導入したクヌードセンセルを用いることを
特徴としている。この材料をセルに導入し加熱した場
合、インジウムとカドミウムが同時に蒸発することか
ら、インジウム単体のみを用いた場合よりも、カドミウ
ム過剰な条件が実現される。したがって、カドミウムセ
ルを新たに設けるという従来技術よりも簡便にカドミウ
ム過剰な条件を実現し、ドーピング効率の良好なｎ型不
純物ドーピング法を提供できる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明のテルル化カドミウムのｎ型
ドーピング制御における実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するためのＭＢＥ装
置の模式図である。
ドーピング制御における実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するためのＭＢＥ装
置の模式図である。
【０００８】ＭＢＥチャンバー１内は真空ポンプ２によ
り、１０-10 Ｔｏｒｒを超える超高真空に保たれてい
る。そしてこのＭＢＥチャンバー１には２つのクヌード
センセルが取付けてある。その一つはテルル化カドミウ
ムを入れたテルル化カドミウムセル３であり、他はイン
ジウム化カドミウムを入れたインジウム化カドミウムセ
ル４である。セル温度は抵抗加熱により、独立に制御さ
れる。結晶成長の開始、終了は、セルと基板との間に位
置するシャッター７の開閉により行われる。
り、１０-10 Ｔｏｒｒを超える超高真空に保たれてい
る。そしてこのＭＢＥチャンバー１には２つのクヌード
センセルが取付けてある。その一つはテルル化カドミウ
ムを入れたテルル化カドミウムセル３であり、他はイン
ジウム化カドミウムを入れたインジウム化カドミウムセ
ル４である。セル温度は抵抗加熱により、独立に制御さ
れる。結晶成長の開始、終了は、セルと基板との間に位
置するシャッター７の開閉により行われる。
【０００９】ドーピングによりキャリア濃度を制御する
ために、基板５の温度を２５０℃、テルル化カドミウム
セル３の温度を５３０℃それぞれ一定とし、インジウム
化カドミウムセル４の温度を変化させた。高キャリア濃
度を得るためにはインジウム化カドミウムセル４の温度
を上昇させ、低キャリア濃度を得るためにはインジウム
化カドミウムセル４の温度を減少させる。
ために、基板５の温度を２５０℃、テルル化カドミウム
セル３の温度を５３０℃それぞれ一定とし、インジウム
化カドミウムセル４の温度を変化させた。高キャリア濃
度を得るためにはインジウム化カドミウムセル４の温度
を上昇させ、低キャリア濃度を得るためにはインジウム
化カドミウムセル４の温度を減少させる。
【００１０】上記方法により、テルル化カドミウム成長
層のｎ型キャリア濃度を１０16〜１０18ｃｍ-3まで、再
現性良く制御することができた。
層のｎ型キャリア濃度を１０16〜１０18ｃｍ-3まで、再
現性良く制御することができた。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＭＢＥ法
によるテルル化カドミウムへのｎ型不純物ドーピングに
おいて、ｎ型ドーパント源としてインジウム化カドミウ
ムを導入したクヌードセンセルを用いることにより、従
来技術よりも簡便にカドミウム過剰な条件を実現でき、
ドーピング効率が高い不純物ドーピング法が得られる効
果を有する。
によるテルル化カドミウムへのｎ型不純物ドーピングに
おいて、ｎ型ドーパント源としてインジウム化カドミウ
ムを導入したクヌードセンセルを用いることにより、従
来技術よりも簡便にカドミウム過剰な条件を実現でき、
ドーピング効率が高い不純物ドーピング法が得られる効
果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのＭＢＥ装置
の模式図。
の模式図。
１ ＭＢＥチャンバー ２ 真空ポンプ ３ テルル化カドミウムセル ４ インジウム化カドミウムセル ５ 基板 ６ 基板ホルダー ７ シャッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/363 H01L 21/203
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭＢＥ法によるテルル化カドミウムへの
ｎ型不純物ドーピング法であって、ｎ型ドーパント源と
してインジウム化カドミウムを導入したクヌードセンセ
ルを用いることを特徴とする不純物ドーピング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23791692A JP2921288B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 不純物ドーピング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23791692A JP2921288B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 不純物ドーピング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684969A JPH0684969A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2921288B2 true JP2921288B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=17022348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23791692A Expired - Lifetime JP2921288B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 不純物ドーピング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2921288B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23791692A patent/JP2921288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．５８，Ｎｏ．２３（１９９１）ｐ．２６５１−２６５３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684969A (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990330 |