JP2913958B2 - 半導体レーザ駆動停止回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動停止回路Info
- Publication number
- JP2913958B2 JP2913958B2 JP30879291A JP30879291A JP2913958B2 JP 2913958 B2 JP2913958 B2 JP 2913958B2 JP 30879291 A JP30879291 A JP 30879291A JP 30879291 A JP30879291 A JP 30879291A JP 2913958 B2 JP2913958 B2 JP 2913958B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- semiconductor laser
- output
- optical fiber
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバアンプを励
起光源として用いる高出力の半導体レ−ザ駆動回路に関
するものである。
起光源として用いる高出力の半導体レ−ザ駆動回路に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバアンプが実用化段階に
近づき、各種の伝送システムに導入されようとしてい
る。光ファイバアンプは光信号をそのまま光増幅できる
ため、長距離伝送が可能になるとともに光信号の多分岐
が実現できる。分岐数は光ファイバアンプの飽和出力の
大きさに依存するため、一層の高出力化が図られてい
る。光ファイバアンプの飽和出力は、光ファイバアンプ
に用いる励起用半導体レ−ザの出力によるが数十ミリワ
ットをこすものが実現している。
近づき、各種の伝送システムに導入されようとしてい
る。光ファイバアンプは光信号をそのまま光増幅できる
ため、長距離伝送が可能になるとともに光信号の多分岐
が実現できる。分岐数は光ファイバアンプの飽和出力の
大きさに依存するため、一層の高出力化が図られてい
る。光ファイバアンプの飽和出力は、光ファイバアンプ
に用いる励起用半導体レ−ザの出力によるが数十ミリワ
ットをこすものが実現している。
【０００３】このような高出力のレ−ザ光が光ファイバ
端から送出されるようになると、敷設作業や保守作業中
に、安全確保のため高出力の光ファイバアンプの動作を
緊急停止する必要が生じてくると思われる。光ファイバ
アンプの動作を緊急停止するためにはその供給電源を断
つのがもっとも簡便である。
端から送出されるようになると、敷設作業や保守作業中
に、安全確保のため高出力の光ファイバアンプの動作を
緊急停止する必要が生じてくると思われる。光ファイバ
アンプの動作を緊急停止するためにはその供給電源を断
つのがもっとも簡便である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
式では、電源復旧の際にサ−ジが発生したり、光ファイ
バアンプの動作が定常状態に落ち着くまでに時間がかか
ったりするため、好ましくない。
式では、電源復旧の際にサ−ジが発生したり、光ファイ
バアンプの動作が定常状態に落ち着くまでに時間がかか
ったりするため、好ましくない。
【０００５】本発明はかかる点に鑑み、光ファイバアン
プの緊急停止および復旧が迅速に実現できる励起光源で
ある高出力の半導体レ−ザ駆動停止回路を提供すること
を目的としている。
プの緊急停止および復旧が迅速に実現できる励起光源で
ある高出力の半導体レ−ザ駆動停止回路を提供すること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体レ−ザを駆動するトランジスタのベ
−スに抵抗を介して直流電圧を加える電圧源と、抵抗と
トランジスタのベ−ス間にダイオ−ドのカソ−ド端子を
接続しそのアノ−ド端子に、電圧を印加するＴＴＬゲ−
トとを設けたものである。
するために、半導体レ−ザを駆動するトランジスタのベ
−スに抵抗を介して直流電圧を加える電圧源と、抵抗と
トランジスタのベ−ス間にダイオ−ドのカソ−ド端子を
接続しそのアノ−ド端子に、電圧を印加するＴＴＬゲ−
トとを設けたものである。
【０００７】
【作用】上記手段により、ＴＴＬゲ−トから２値の出力
電圧がダイオ−ドのアノ−ド端子に印加される。トラン
ジスタのベ−スに加えられている直流電圧よりＴＴＬゲ
−トの出力電圧が高いとき、ベ−ス電圧はＴＴＬゲ−ト
の出力電圧により決まる。逆の場合、ベ−ス電圧は直流
電圧により決まる。このようにしてベ−ス電圧をＴＴＬ
ゲ−トの出力により制御できる。
電圧がダイオ−ドのアノ−ド端子に印加される。トラン
ジスタのベ−スに加えられている直流電圧よりＴＴＬゲ
−トの出力電圧が高いとき、ベ−ス電圧はＴＴＬゲ−ト
の出力電圧により決まる。逆の場合、ベ−ス電圧は直流
電圧により決まる。このようにしてベ−ス電圧をＴＴＬ
ゲ−トの出力により制御できる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面とともに説明する。図
１は本発明の一実施例の構成を示すブロック図である。
図２は要部信号波形である。図１において１は直流電圧
源、２はＰＮＰ型トランジスタ、３はダイオ−ド、４は
オ−プンコレクタ型のＡＮＤゲ−ト、５は半導体レ−ザ
である。
１は本発明の一実施例の構成を示すブロック図である。
図２は要部信号波形である。図１において１は直流電圧
源、２はＰＮＰ型トランジスタ、３はダイオ−ド、４は
オ−プンコレクタ型のＡＮＤゲ−ト、５は半導体レ−ザ
である。
【０００９】以下その動作について詳細に説明する。Ａ
ＮＤゲ−ト４の出力が直流電圧源１から発生する直流電
圧Ｖ１より低いとき、つまりＬレベルにあるときダイオ
−ド３は逆バイアス状態となりＯＦＦ状態になるため直
流電圧源１から発生する直流電圧Ｖ１は抵抗を介してＰ
ＮＰ型トランジスタ２のベ−スに加わる。このとき半導
体レ−ザ５には電流が流れ、レ−ザ光を出力する。
ＮＤゲ−ト４の出力が直流電圧源１から発生する直流電
圧Ｖ１より低いとき、つまりＬレベルにあるときダイオ
−ド３は逆バイアス状態となりＯＦＦ状態になるため直
流電圧源１から発生する直流電圧Ｖ１は抵抗を介してＰ
ＮＰ型トランジスタ２のベ−スに加わる。このとき半導
体レ−ザ５には電流が流れ、レ−ザ光を出力する。
【００１０】逆にＡＮＤゲ−ト４の出力が直流電圧源１
から発生する直流電圧Ｖ１より高くなると、ダイオ−ド
３は順方向の電圧が加わるためＯＮ状態になる。このと
きＰＮＰ型トランジスタ２のベ−スに加わる電圧は、Ａ
ＮＤゲ−ト４の出力電圧により決まる。この回路の電源
電圧を５Ｖにしておけば、ＡＮＤゲ−ト４の出力がＨレ
ベル、つまり５Ｖ近傍になるときにＰＮＰ型トランジス
タ２のベ−ス電圧は、Ｈレベルの電圧からダイオ−ド３
の端子間電圧分降下した電圧になる。このとき直流電圧
源１から発生する直流電圧Ｖ１の影響はうけない。した
がってＰＮＰ型トランジスタ２のベ−ス電圧は５Ｖ近く
に上昇し、半導体レ−ザ５には電流が流れなくなるた
め、レ−ザ光の出力が停止する。
から発生する直流電圧Ｖ１より高くなると、ダイオ−ド
３は順方向の電圧が加わるためＯＮ状態になる。このと
きＰＮＰ型トランジスタ２のベ−スに加わる電圧は、Ａ
ＮＤゲ−ト４の出力電圧により決まる。この回路の電源
電圧を５Ｖにしておけば、ＡＮＤゲ−ト４の出力がＨレ
ベル、つまり５Ｖ近傍になるときにＰＮＰ型トランジス
タ２のベ−ス電圧は、Ｈレベルの電圧からダイオ−ド３
の端子間電圧分降下した電圧になる。このとき直流電圧
源１から発生する直流電圧Ｖ１の影響はうけない。した
がってＰＮＰ型トランジスタ２のベ−ス電圧は５Ｖ近く
に上昇し、半導体レ−ザ５には電流が流れなくなるた
め、レ−ザ光の出力が停止する。
【００１１】以上説明したように、ダイオ−ドとＴＴＬ
ゲ−トにより光ファイバアンプに用いる高出力の半導体
レ−ザの出力を迅速に停止することができる。つまり外
部からのパルス信号により出力の停止および復旧が可能
となる。
ゲ−トにより光ファイバアンプに用いる高出力の半導体
レ−ザの出力を迅速に停止することができる。つまり外
部からのパルス信号により出力の停止および復旧が可能
となる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、安価なダイオ−ドとＴ
ＴＬゲ−トの組合せにより光ファイバアンプに用いる高
出力の半導体レ−ザの出力を迅速に停止することができ
る。このため、光ファイバアンプの商用システム導入時
には労働安全衛生上、本発明の実用上の効果は極めて大
である。
ＴＬゲ−トの組合せにより光ファイバアンプに用いる高
出力の半導体レ−ザの出力を迅速に停止することができ
る。このため、光ファイバアンプの商用システム導入時
には労働安全衛生上、本発明の実用上の効果は極めて大
である。
【図１】本発明の１実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】同実施例の要部波形図である。
１ 直流電圧源 ２ ＰＮＰ型トランジスタ ３ ダイオ−ド ４ ＡＮＤゲート ５ 半導体レ−ザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−59878（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−238074（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−232285（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】コレクタ側に半導体レ−ザが接続されたＰ
ＮＰ型トランジスタとこのトランジスタのベ−スに抵抗
を介して直流電圧を加える電圧源とからなる半導体レ−
ザに駆動電流を供給する駆動回路において、 前記抵抗とトランジスタのベ−ス間にダイオ−ドのカソ
−ド端子を接続しアノ−ド端子にはＴＴＬゲ−トの出力
端が接続され電圧を印加することを特徴とする半導体レ
−ザ駆動停止回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30879291A JP2913958B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体レーザ駆動停止回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30879291A JP2913958B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体レーザ駆動停止回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145152A JPH05145152A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2913958B2 true JP2913958B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=17985370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30879291A Expired - Fee Related JP2913958B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 半導体レーザ駆動停止回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913958B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105759369B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-03-09 | 华为技术有限公司 | 防止激光泄露的光模块和控制方法 |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30879291A patent/JP2913958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05145152A (ja) | 1993-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5459328A (en) | Driver circuit for light emitting elements connected in series and an optical amplifying repeater using the same | |
| US4709370A (en) | Semiconductor laser driver circuit | |
| US5315606A (en) | Laser diode driving circuit | |
| US5513197A (en) | Semiconductor laser drive circuit including switched current source | |
| US4539686A (en) | Laser driving means | |
| EP0779688B1 (en) | Laser diode driving circuit | |
| US4580293A (en) | Circuit arrangement for driving a current-controlled component | |
| JPH03165085A (ja) | レーザダイオード駆動装置 | |
| JP2913958B2 (ja) | 半導体レーザ駆動停止回路 | |
| JPS6244551Y2 (ja) | ||
| JPS63110685A (ja) | 発光素子の駆動回路 | |
| JPS63197037A (ja) | 半導体レ−ザ−駆動回路 | |
| JPH11177174A (ja) | 発光モジュール | |
| JPH0595148A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| US20020110167A1 (en) | Modulators for vertical cavity surface emitting lasers | |
| JPH0445269Y2 (ja) | ||
| JPH07109910B2 (ja) | 切替機能を有する光ファイバ増幅器励起用レーザ駆動回路 | |
| JPH0541554A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPH04155981A (ja) | レーザーのａｐｃ回路のシャットダウン方式 | |
| JPH01110786A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH05152662A (ja) | 半導体発光素子駆動回路 | |
| JPS59981A (ja) | レ−ザ・ダイオ−ド駆動回路 | |
| JPS63311782A (ja) | 光出力制御回路 | |
| JPS6116044A (ja) | 半導体レ−ザ−駆動回路 | |
| JPH077929B2 (ja) | 光送信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |