JP2913006B2 - Manufacturing method of optical fiber for manufacturing single crystal fiber optical waveguide structure - Google Patents
Manufacturing method of optical fiber for manufacturing single crystal fiber optical waveguide structureInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶ファイバー中に
光導波路構造を作製する光ファイバーの製造方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical fiber for forming an optical waveguide structure in a single crystal fiber.
【0002】[0002]
【従来の技術】光導波路は、図4のようにコア1と呼ば
れる中芯部をそれより屈折率の低いクラッド2と呼ばれ
る媒質で囲んだ二層構造をもち、主にコア部分に光ビー
ムを閉じ込めながら伝搬させるものである{図4c}。
ガラスやプラスチックなどのファイバーにこのような屈
折率構造を形成したものが光ファイバーで、作製法とし
ては、目的の屈折率に調整されたプリフォームと呼ばれ
る母材を、材質の粘性を利用して細く線引きしたり、二
重構造のノズルから屈折率の異なる2種類の媒質を同時
に引き出しながら線状化するなどの方法が公知である。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, an optical waveguide has a two-layer structure in which a core called a core 1 is surrounded by a medium called a clad 2 having a lower refractive index. The signal is propagated while being confined (FIG. 4c).
An optical fiber is formed by forming such a refractive index structure on a fiber such as glass or plastic, and as a manufacturing method, a base material called a preform adjusted to a desired refractive index is thinned by utilizing the viscosity of the material. There are known methods such as drawing or linearizing while simultaneously drawing two types of media having different refractive indexes from a nozzle having a double structure.
【0003】単結晶媒質の例では、結晶ウエファーの表
面に導波路を形成する事例が一般的で、主に屈折率を増
加させる不純物元素を、熱拡散やイオン交換法などを用
いて、結晶表面に線状に導入する方法、あるいは屈折率
の異なる異種材質をエピタキシャル成長させる方法など
が公知である。ファイバー状の単結晶媒質に関する事例
は少なく、クラッド部分を兼用するガラスパイプの内部
に、コアとなる結晶媒質を成長させた事例が知られる程
度である。また、原料融液から結晶化させる、いわゆる
融液成長の代表例に引き上げ法(チョクラルスキー法)
がある{図3}。[0003] In the case of a single crystal medium, a waveguide is generally formed on the surface of a crystal wafer, and an impurity element that mainly increases the refractive index is removed from the crystal surface by thermal diffusion or ion exchange. Are known in the art, and a method of epitaxially growing different materials having different refractive indices is known. There are few examples relating to a fiber-like single crystal medium, and there is only a known case in which a crystal medium serving as a core is grown inside a glass pipe that also serves as a clad portion. In addition, a pull-up method (Czochralski method) is used as a typical example of so-called melt growth in which crystallization is performed from a raw material melt.
There is {Figure 3}.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】引き上げ法(チョクラ
ルスキー法)は、バルク用ルツボ5中で融解した原料融
液6にシード結晶3の一端を浸してなじませ、回転引き
上げ軸8を回転しながら引き上げつつ結晶化させるもの
であるが、一般的に融液成長では、育成結晶4と原料融
液6は、融解温度(あるいは凝固温度)に等しい等温面
に相当する固液界面7を境界として接し、固液界面7の
大きさが結晶径を決めるものと理解されていて、1つの
ノズルからコア部分とクラッド部分とで屈折率の異なる
ファイバーを造ることには困難があった。In the pulling method (Czochralski method), one end of a seed crystal 3 is immersed in a raw material melt 6 melted in a bulk crucible 5 to be blended, and a rotary pulling shaft 8 is rotated. In general, in melt growth, the grown crystal 4 and the raw material melt 6 are bounded by a solid-liquid interface 7 corresponding to an isothermal surface equal to the melting temperature (or solidification temperature). It is understood that the size of the solid-liquid interface 7 in contact determines the crystal diameter, and it has been difficult to produce a fiber having a different refractive index between the core portion and the clad portion from one nozzle.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは単結晶ファ
イバーの固液界面を詳細に観察したところ、引き下げ法
において、図1に示すように単結晶ファイバー(ファイ
バー)10の中心部分11では原料融液6とファイバー
10は固液界面7で接しているものの、ファイバー10
の周縁部分12は直接には原料融液6と接触していない
事実が発見された。それにも係わらず成長するファイバ
ー10の径は、原料融液6の接触面よりも大きくなって
おり、ファイバー10の周縁部分12では原料融液6は
中心部分11の表面を伝って供給されている事実が明ら
かになった。The present inventors have observed the solid-liquid interface of the single crystal fiber in detail, and found that the center portion 11 of the single crystal fiber (fiber) 10 as shown in FIG. Although the raw material melt 6 and the fiber 10 are in contact at the solid-liquid interface 7, the fiber 10
Was found not to be in direct contact with the raw material melt 6. Nevertheless, the diameter of the growing fiber 10 is larger than the contact surface of the raw material melt 6, and the raw material melt 6 is supplied along the surface of the central portion 11 at the peripheral portion 12 of the fiber 10. The facts became clear.
【0006】結晶成長は融液中の原子・分子を結晶内へ
組み入れる現象である。したがって、原料の供給メカニ
ズムの違いは、必然的に結晶成長のメカニズムの違いを
もたらし、成長メカニズムの違いは結果として成長結晶
中に不均質性を発生させることになる。上述の状態の固
液界面7では、中心部分11は接している原料融液6か
ら原子・分子が結晶側に組み込まれるメカニズム、すな
わち付着成長に支配され、一方、ファイバー10の周縁
部分12は結晶表面を濡らしながら伝わる原料融液6か
ら原子・分子が供給されるメカニズム、すなわち沿面成
長が起こっている。沿面成長および付着成長は、分配係
数k>1の不純物原子に対しては沿面成長領域が、ま
た、分配係数k<1の不純物原子に対しては付着成長領
域が不純物原子を取り込み易いとされている。KLN結
晶のような多元素系の結晶では、各成分元素間で取り込
まれる度合に差異あり、これが必然的に結晶品質に反映
されて、無添加の場合でさえも条件によっては屈折率の
差異を生じる。不純物原子が取り込まれると屈折率が増
加するタイプでかつk>1の不純物元素を原料に添加し
てファイバーを育成すると、中心部分の屈折率を周縁部
分よりも大きくでき、逆に取り込まれると屈折率が下が
るタイプでかつk<1の不純物の添加では周縁部分の屈
折率を下げることができる。以上の原理を利用すると、
育成と同時にファイバー内に光導波効果をもつ屈折率構
造が形成できることになる。[0006] Crystal growth is a phenomenon in which atoms and molecules in the melt are incorporated into the crystal. Therefore, the difference in the supply mechanism of the raw materials necessarily results in the difference in the crystal growth mechanism, and the difference in the growth mechanism results in the generation of inhomogeneity in the grown crystal. In the solid-liquid interface 7 in the above-described state, the central portion 11 is governed by the mechanism in which atoms and molecules are incorporated into the crystal side from the contacting raw material melt 6, that is, the adhesion growth, while the peripheral portion 12 of the fiber 10 is crystallized. The mechanism in which atoms and molecules are supplied from the raw material melt 6 that propagates while wetting the surface, that is, creeping growth occurs. In the creepage growth and the adhesion growth, it is considered that the creepage growth region easily takes in impurity atoms for impurity atoms having a distribution coefficient k> 1, and the adhesion growth region easily takes in impurity atoms for impurity atoms having a distribution coefficient k <1. I have. In a multi-element crystal such as a KLN crystal, the degree of incorporation among the component elements differs, and this is inevitably reflected in the crystal quality. Occurs. When a fiber is grown by adding an impurity element with k> 1 to the raw material and growing the fiber, the refractive index increases when an impurity atom is taken in, and the refractive index at the central portion can be made larger than that at the peripheral portion. The addition of an impurity of a type having a lower refractive index and k <1 can lower the refractive index of the peripheral portion. Using the above principle,
Simultaneously with the growth, a refractive index structure having an optical waveguide effect can be formed in the fiber.
【0007】このような事実は、今まで引き上げ法では
発見されなかったが、その理由としては、固液界面が結
晶径に対して極めて薄いこと、温度条件によって現れ方
が変化すること、特に引き上げ法では固液界面は高温の
ルツボの直上に位置していて温度勾配が大きくできない
こと、育成中は結晶が回転しており観察が難しいことな
どの事情があげられる。しかしながら、注意深く観察す
ると、規模の違いはあるものの引き上げ法でも観察さ
れ、この事実は融液成長に共通して起こる現象であるこ
とが確認された。[0007] Such a fact has not been discovered by the pulling method until now, but the reason is that the solid-liquid interface is extremely thin with respect to the crystal diameter, the appearance changes depending on the temperature conditions, and especially the pulling method. According to the method, the solid-liquid interface is located directly above a high-temperature crucible, so that the temperature gradient cannot be increased, and the crystal is rotating during growth, making observation difficult. However, upon careful observation, although the scale was different, it was also observed by the pulling method, and it was confirmed that this fact was a phenomenon commonly occurring in melt growth.
【0008】本発明は、前記新事実に基づき、微細ノズ
ルを介して供給量が制御される原料融液を連続的に結晶
化させるファイバー状単結晶の育成過程において、固液
界近傍での温度勾配を急峻にすることにより、結晶の中
心部分と周縁部分とで生じる結晶成長機構の違いを利用
して、屈折率の異なる不均質さがファイバーに誘起され
るようにすることを手段としたものである。The present invention is based on the above-mentioned new fact. In the process of growing a fibrous single crystal for continuously crystallizing a raw material melt whose supply amount is controlled via a fine nozzle, the temperature near the solid-liquid boundary is increased. By using a difference in crystal growth mechanism between the central part and the peripheral part of the crystal by steepening the gradient, it is possible to induce inhomogeneities with different refractive indexes in the fiber. It is.
【0009】[0009]
【作用】引き下げ法等により、原料融液を引き下げる場
合において、引き下げノズルの径を細くして、固液界面
近傍の温度勾配を急峻とし、その状態で連続的に引き下
げながら単結晶ファイバーを育成する。そのことにより
固液界面の中心部と周縁部とで結晶成長のメカニズムが
異なり、光導波効果のあるファイバーが得られる。In the case of lowering the raw material melt by the lowering method or the like, the diameter of the lowering nozzle is made smaller, the temperature gradient near the solid-liquid interface is made steep, and the single crystal fiber is grown while continuously lowering in this state. . As a result, the crystal growth mechanism differs between the central part and the peripheral part of the solid-liquid interface, and a fiber having an optical waveguide effect can be obtained.
【0010】[0010]
【実施例1】単結晶ファイバーのように細径かつ長尺な
結晶の育成では、微少量の融液を連続的に供給しながら
結晶化させることが基本原理で、われわれは最も簡単な
方法である引き下げ法を採用した。この方法は、ルツボ
底部に挿通した微細径のノズルから原料融液を引き出す
もので、固液界面近傍の温度条件が比較的広い範囲で選
択できることが特徴である(図2)。使用した抵抗加熱
型ルツボ13の一例は、大まかなサイズが長さ8×幅4
×高さ5×板厚0.1ミリメートル、融液引き出し口の
ノズル9は直径100〜800ミクロンで、共に白金製
である。熱源は抵抗加熱型ルツボ13に直接通電する抵
抗加熱方式を採用、それを5段の加熱帯構造をもつ縦型
小型電気炉(図2a)中に設置した。電気炉の中段に抵
抗加熱型ルツボ13を、その上下段をコイル状の副ヒー
ター14で挟んでルツボ周辺の温度制御に、またそれら
の上下を更に2つの円筒型電気炉15で挟んで保温およ
びアニール用とした。電気炉本体は引き下げ駆動装置に
設置され、駆動軸16に取り付けたシード結晶3の先端
に、中央段のルツボ13のノズル9を通った原料融液6
を結晶成長させながら引き下げた。引き下げ速度は毎時
0.5〜30ミリメートル、結晶の回転を行っていな
い。なお、17は加熱電線である。[Example 1] The basic principle of growing a crystal having a small diameter and a long length like a single crystal fiber is to crystallize while continuously supplying a small amount of melt, and we use the simplest method. A certain reduction method was adopted. This method draws the raw material melt from a fine-diameter nozzle inserted into the bottom of the crucible, and is characterized in that the temperature conditions near the solid-liquid interface can be selected in a relatively wide range (FIG. 2). Resistance heating used
An example of the mold crucible 13 has a rough size of length 8 × width 4
× height 5 × plate thickness 0.1 mm, the nozzle 9 of the melt outlet is 100 to 800 μm in diameter, and both are made of platinum. As a heat source, a resistance heating method in which current is directly applied to the resistance heating type crucible 13 was adopted, and the heat source was installed in a small vertical electric furnace (FIG. 2A) having a five-stage heating zone structure. Resistance in the middle of the electric furnace
The anti-heating type crucible 13 was used for temperature control around the crucible with its upper and lower stages sandwiched between coiled sub-heaters 14, and for heat retention and annealing with its upper and lower portions further sandwiched between two cylindrical electric furnaces 15. The electric furnace main body is installed in the pull-down driving device, and the raw material melt 6 passing through the nozzle 9 of the crucible 13 at the center stage is attached to the tip of the seed crystal 3 attached to the drive shaft 16.
Was lowered while growing crystals. The pull-down speed is 0.5 to 30 millimeters per hour and the crystal is not rotating. In addition, 17 is a heating wire.
【0011】ニオブ酸リチウム(LiNbO3 、略し
てLN)の場合は、炭酸リチウムと五酸化ニオブを出発
原料とし、コングルエント組成比Li/LN=0.48
6に秤量した後、混合・プレス・焼成(900〜960
℃、7〜10時間)のサイクルを3回繰り返して合成
し、合成原料に対して二酸化チタン(TiO2 )を、
それぞれ1モル%、3モル%、5モル%添加、および無
添加の4種類を準備し、各々について単結晶ファイバー
の育成を試みた。図1に示す育成中の固液界面7の形状
は、融液の温度、固液界面近傍の温度勾配、引き下げ速
度などによって影響を受ける。融液温度を高く、温度勾
配を急峻にして育成すると単結晶ファイバーの中心部分
10は細くなり、一方、温度勾配を緩くするとファイバ
ー径は減少し、それにつれて径に対するコアの割合が増
加した。融液温度、ノズル径、副ヒーター、引き下げ速
度等について最適な温度条件を選択することにより、直
径50〜800ミクロン、結晶方位c軸の単結晶ファイ
バーが育成できた。育成したファイバーの内、直径50
0ミクロン近傍のファイバーについて、育成方向に垂直
な結晶片を切り出し、偏光顕微鏡および二光束干渉顕微
鏡を用いて、ファイバー断面内に同心円状の光学的な不
均質性が形成されていることを確認するとともに、5〜
10ミリメートルに切断し、両端を研磨したニヤフィー
ルド・パターンを観察した。その結果、無添加のものも
含めて4種類全てのファイバーで、明らかな光導波効果
が認められた。In the case of lithium niobate (LiNbO3, abbreviated as LN), lithium carbonate and niobium pentoxide are used as starting materials, and a congruent composition ratio Li / LN = 0.48.
6 and then mixed, pressed and fired (900 to 960
(7 ° C., 7 to 10 hours) cycle is repeated three times, and titanium dioxide (TiO 2) is
Four kinds of 1 mol%, 3 mol%, 5 mol% addition and no addition were prepared, and the growth of a single crystal fiber was attempted for each. The shape of the solid-liquid interface 7 during growth shown in FIG. 1 is affected by the temperature of the melt, the temperature gradient near the solid-liquid interface, the pull-down speed, and the like. When the melt temperature was increased and the temperature gradient was increased and the temperature gradient was increased, the central portion 10 of the single crystal fiber became thinner. On the other hand, when the temperature gradient was reduced, the fiber diameter decreased, and the ratio of the core to the diameter increased accordingly. By selecting optimal temperature conditions such as melt temperature, nozzle diameter, sub-heater, pull-down speed, etc., a single crystal fiber having a diameter of 50 to 800 microns and a crystal orientation c-axis could be grown. Diameter of grown fiber is 50
For fibers near 0 microns, perpendicular to the growth direction
Cut out a piece of crystal and use a polarizing microscope and two-beam interference microscopy
Using a mirror, a concentric optical defect
Confirm that homogeneity is formed, and
A near-field pattern cut to 10 mm and polished at both ends was observed. As a result, a clear optical waveguide effect was observed in all four types of fibers including those without additives.
【0012】[0012]
【実施例2】ニオブ酸リチウム・ポタシウム(K3+x
Li2+y Nb5−x−y O15、略してKL
N)の単結晶ファイバーは、炭酸リチウム、炭酸ポタシ
ウム、五酸化ニオブを出発原料とし、0≦x≦0.3、
0≦y≦0.2の組成範囲で合成して、実施例1と同様
な手順で単結晶ファイバーを育成した。KLNは原料組
成と結晶の組成が異なるいわゆる不一致溶融(インコン
グルエント)をするため、結晶の成長につれて結晶自体
および原料融液の組成が本質的に変化する。しかしなが
ら充填原料の一部を結晶化することは可能で、最適な温
度条件を模索して単結晶ファイバーの育成を行った。育
成方位は常にa軸である。晶癖が強く現れ、a軸成長に
特徴的な長方形断面のファイバーが育成された。固液界
面は常に四隅に対して中心部が融液側に凸状な曲面を形
成し、不純物を添加しなくても結晶不均一性が発生し易
い。直径100〜800ミクロン、長さ50〜70ミリ
メートルの単結晶ファイバーを育成し、LNの場合と同
様に、直径約500ミクロンのファイバーについて、育
成方向に垂直な結晶片を切り出し、実施例1と同様に、
ファイバー断面内に同心円状の光学的な不均質性が形成
されていることを確認するとともに、5〜10ミリメー
トルを両端面研磨して、顕微鏡観察とニヤフィールド・
パターンを観測して、光導波効果を確認した。Embodiment 2 Lithium Potassium Niobate (K3 + x
Li2 + y Nb5-xy O15, KL for short
The single crystal fiber of N) uses lithium carbonate, potassium carbonate, and niobium pentoxide as starting materials, and 0 ≦ x ≦ 0.3,
A single crystal fiber was grown in the same procedure as in Example 1 by synthesizing in a composition range of 0 ≦ y ≦ 0.2. Since KLN performs so-called incongruent melting in which the raw material composition and the crystal composition are different, the crystal itself and the composition of the raw material melt essentially change as the crystal grows. However, it is possible to crystallize a part of the filling raw material, and a single crystal fiber was grown in search of an optimal temperature condition. The growth orientation is always the a-axis. A crystal habit appeared strongly, and a fiber having a rectangular cross section characteristic of a-axis growth was grown. The solid-liquid interface always forms a curved surface whose center is convex toward the melt with respect to the four corners, and crystal non-uniformity is likely to occur without adding impurities. A single crystal fiber having a diameter of 100 to 800 microns and a length of 50 to 70 millimeters is grown, and a fiber having a diameter of about 500 microns is grown as in the case of LN.
A piece of crystal perpendicular to the growth direction was cut out, and as in Example 1,
Concentric optical inhomogeneity forms in fiber cross section
And 5 to 10 millimeters at both ends are polished.
By observing the pattern, the optical waveguide effect was confirmed.
【0013】[0013]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、微細ノズ
ルから原料融液を引き下げる方法により、特に固液界面
近傍の急峻な温度分布が設定でき、中心部分と周縁部分
における結晶成長メカニズムの差異を強調することがで
きる。これを利用すると、不純物添加および無添加の場
合を問わず、1本の単結晶ファイバー内の中心部分と周
縁部分とを不均質な結晶性を持つよう結晶成長させるこ
とができ、この不均質性によって生じる屈折率の差異を
利用して、光導波効果をもった単結晶ファイバーを育成
と同時に実現することができた。As described above, according to the present invention, the method of pulling down the raw material melt from the fine nozzle can set a sharp temperature distribution particularly in the vicinity of the solid-liquid interface, and the difference in the crystal growth mechanism between the central portion and the peripheral portion. Can be emphasized. By utilizing this, regardless of the case of adding or not adding impurities, crystal growth can be performed so that the central portion and the peripheral portion within one single crystal fiber have non-uniform crystallinity. By utilizing the difference in refractive index caused by this, a single crystal fiber having an optical waveguide effect could be realized at the same time as growing.
【図1】本発明の原理を説明する解説図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図2】本発明の実施例を具体的に説明する概略図であ
る。(a)は全体図、(b)は要部を示す図である。FIG. 2 is a schematic diagram specifically illustrating an embodiment of the present invention. (A) is an overall view, (b) is a view showing a main part.
【図3】融液結晶成長の代表例である引き上げ法(チョ
クラルスキー法)を説明する解説図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a pulling method (Czochralski method), which is a typical example of melt crystal growth.
【図4】光導波路の概念を示す説明図である。図中
(a)は断面構造、(b)は屈折率分布、(c)は導波
路内の光伝搬の様子を示す図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating the concept of an optical waveguide. In the drawing, (a) is a cross-sectional structure, (b) is a refractive index distribution, and (c) is a diagram showing a state of light propagation in the waveguide.
1 コア 2 クラッド 3 シード結晶 4 育成結晶 5 バルク用ルツボ 6 原料融液 7 固液界面 8 回転引き上げ軸 9 微細ノズル 10 単結晶ファイバー 11 単結晶ファイバーの中心部分 12 単結晶ファイバーの周縁部分 13 抵抗加熱型ルツボ 14 副ヒーター 15 円筒型電気炉 16 引き下げ駆動軸 17 加熱電線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Core 2 Clad 3 Seed crystal 4 Growth crystal 5 Crucible for bulk 6 Raw material melt 7 Solid-liquid interface 8 Rotating pull-up shaft 9 Fine nozzle 10 Single crystal fiber 11 Central part of single crystal fiber 12 Peripheral part of single crystal fiber 13 Resistance heating Mold crucible 14 Secondary heater 15 Cylindrical electric furnace 16 Pull down drive shaft 17 Heating wire
Claims (2)
れた原料融液を連続的に引き下げて供給し、ファイバー
状単結晶を育成して単結晶ファイバー光導波路構造を作
製する光ファイバーの製造方法であって、 前記 ファイバー状単結晶の育成過程において、固液界面近傍に急峻な温度分布を設定した状態で、 前記
原料融液を前記微細ノズルなどから引き下げて供給する
ことにより、前記光ファイバーの中心部分では前記原料
融液と前記固液界面で接しているものの、前記光ファイ
バーの周縁部分では直接には前記原料融液と接触してい
ないようにして、前記中心部分と前記周縁部分とで結晶
成長機構の違いを生じさせ、該結晶成長機構の違いを利
用し、前記単結晶ファイバーの中にコアとクラッドの光
導波路構造を作製することを特徴とする単結晶ファイバ
ー光導波路構造を作製する光ファイバーの製造方法。1. A raw material melt whose supply amount is controlled is continuously pulled down and supplied via a fine nozzle or the like ,
To grow single-crystal single crystals and create single-crystal fiber optical waveguide structures
A method for producing an optical fiber to be produced, wherein , in a process of growing the fibrous single crystal , the raw material melt is pulled down from the fine nozzle or the like and supplied while a steep temperature distribution is set near a solid-liquid interface. Thus, in the central portion of the optical fiber, the raw material
Although in contact with the melt at the solid-liquid interface, the optical fiber
At the periphery of the bar, it is in direct contact with the raw material melt.
And so no crystal between said central portion and said peripheral portion
Causing the difference in growth mechanisms, utilizing the difference in the crystal growth mechanism to produce a single crystal fiber optical waveguide structure, characterized in that to produce the optical waveguide structure of the core and the cladding in the single crystal fiber optical fiber Manufacturing method.
原料中に添加して行う請求項1に記載の光ファイバーの
製造方法。2. The method for producing an optical fiber according to claim 1, wherein an impurity which causes a change in the refractive index is added to the raw material.
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---|---|---|---|
JP6221471A JP2913006B2 (en) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Manufacturing method of optical fiber for manufacturing single crystal fiber optical waveguide structure |
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Legal Events
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EXPY | Cancellation because of completion of term |