JP2911272B2

JP2911272B2 - アモルファスシリコン太陽電池とその製造方法

Info

Publication number: JP2911272B2
Application number: JP3274146A
Authority: JP
Inventors: 孝之水村; 謙司沢田; 直樹小嶋; 康義川西; 正敏大月
Original assignee: Sanyo Denki Co Ltd
Current assignee: Sanyo Denki Co Ltd
Priority date: 1991-09-10
Filing date: 1991-10-22
Publication date: 1999-06-23
Anticipated expiration: 2014-06-23
Also published as: JPH05129642A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、アモルファスシリコ
ン太陽電池に関し、特に透孔性のあるシースルー型、あ
るいは集積型のアモルファスシリコン太陽電池に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコン太陽電池は、基板
の上に、透明電極、アモルファスシリコン層、裏面電極
を積層して製造される。裏面電極には、主として、膜厚
が０．３〜１μｍ程度であるアルミニウムの真空蒸着膜
が使用される。この構造の太陽電池は、１個のセルの電
圧が１ボルト以下である。複数のセルを直列に接続して
所定の電圧とすることができる。複数のセルを直列に接
続するために、集積型太陽電池が開発されている。この
太陽電池は、パターニングプロセスを用いて、透明電
極、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記載す
る）層、裏面電極を形成している。パターニングする方
法として、ウェットエッチングによる方法と、レーザー
パターニング方式とがある。ウェットエッチングによる
方法は、レーザーパターニング方式に比較して、低コス
トで大量処理できる特長がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】裏面電極がアルミニウ
ムであるアモルファス太陽電池は、ウェットエッチング
によってパターニングできない欠点がある。それは、ア
ルミニウム製の裏面電極が、ａ−Ｓｉ層をエッチングす
るＮａＯＨ等のアルカリ溶液で腐食することが理由であ
る。裏面電極に耐アルカリ性の金属を使用することによ
って、この欠点を解消することができる。耐アルカリ性
の金属には、ＣｕやＡｇがある。ＣｕやＡｇ等の金属
は、光線の反射率が高く、ａ−Ｓｉ層を透過した光を反
射して太陽電池のＩｓｃ（短絡電流）とＰｍａｘ（最大
出力）を向上できる効果もある。しかしながら、これ等
の金属は、ａ−Ｓｉ層との密着力が弱いために工業的に
使用できない欠点がある。

【０００４】この発明は、さらにこの欠点を解決するこ
とを目的に開発されたもので、この発明の重要な目的
は、ウェットエッチングによって安価に能率よく大量生
産でき、しかも、裏面電極をａ−Ｓｉ層に強固に密着で
きるアモルファスシリコン太陽電池を提供するにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明のアモルファス
シリコン太陽電池は、前述の目的を達成するために、下
記の構成を備えている。すなわち、この発明のアモルフ
ァスシリコン太陽電池は、透明基板１上に、透明電極２
とａ−Ｓｉ層３と金属薄膜層４および裏面電極５を順々
に重ねて積層している。金属薄膜層４は、ａ−Ｓｉ層３
と裏面電極５の双方に密着力が強い金属、例えばＴｉと
Ｗ等が使用される。裏面電極５は耐アルカリ性で光反射
率の高い金属、例えば、ＡｇやＣｕが使用されている。
裏面電極５、金属薄膜層４およびａ−Ｓｉ層３は、ウェ
ットエッチングによって、透孔６または切り溝７が設け
られている。

【０００６】また、この発明のアモルファスシリコン太
陽電池の製造方法は、透明基板１上に、透明電極２と、
ａ−Ｓｉ層３と、ａ−Ｓｉ層３と裏面電極５の双方に密
着力が強い金属薄膜層４と、耐アルカリ性の金属である
裏面電極５とを順々に重ねて積層する工程と、前記裏面
電極５と金属薄膜層４とをウェットエッチングする工程
と、前記ａ−Ｓｉ層表面をフッ素化合物水溶液で前処理
した後、アルカリ水溶液でウェットエッチングすること
によりａ−Ｓｉ層３を貫通して透孔６または切り溝７を
設ける工程とを有するものである。

【０００７】

【作用】この発明のアモルファスシリコン太陽電池は、
裏面電極５に耐アルカリ性の金属を使用し、金属薄膜層
４には、ａ−Ｓｉ層３と裏面電極５の双方に密着力の強
い金属を使用している。この構造の太陽電池は、裏面電
極５と金属薄膜層４とをエッチングし、その後、ａ−Ｓ
ｉ層３をエッチングするときに、裏面電極５の側縁がａ
−Ｓｉ層３をエッチングするアルカリ水溶液に腐食され
ることがない。

【０００８】また、この発明のアモルファスシリコン太
陽電池は、裏面電極５を金属薄膜層４を介してａ−Ｓｉ
層３に積層している。このため、裏面電極５には、ａ−
Ｓｉ層３に対する密着特性が要求されない。そこで、ａ
−Ｓｉ層３に密着できないが、光の反射率に優れたＡｇ
やＣｕ等の金属を裏面電極５に使用することができる。
また、裏面電極５をａ−Ｓｉ層３に密着する金属薄膜層
４は、薄い膜であるために透明度が高く、裏面電極５で
光を効率よく反射し、ＩｓｃとＰｍａｘを向上できる。

【０００９】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説
明する。但し、以下に示す実施例は、この発明の技術思
想を具体化するためのアモルファスシリコン太陽電池を
例示するものであって、この発明の太陽電池は、構成部
品の材質、形状、構造、配置、製造工程を下記のものに
特定するものでない。この発明の太陽電池は、特許請求
の範囲において、種々の変更を加えることができる。

【００１０】さらに、この明細書は、特許請求の範囲を
理解し易いように、実施例に示される部材に対応する番
号を、「特許請求の範囲」、および「課題を解決する為
の手段の欄」に示される部材に付記している。ただ、特
許請求の範囲に示される部材を、実施例の部材に特定す
るものでは決してない。

【００１１】［実施例１］図１に示すシースルーのアモ
ルファスシリコン太陽電池は、ガラス基板等の透明基板
１に、透明電極２と、ａ−Ｓｉ層３と、金属薄膜層４
と、裏面電極５とを積層している。この太陽電池は、下
記のようにして製造する。 (１) 透明基板１の表面に、スプレー法、ＣＶＤ法、真
空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタ法等の方法
で、ＩＴＯやＳｎＯ₂等の透明電極２を設ける。 (２) 透明電極２の表面に、ａ−Ｓｉ層３と、金属薄膜
層４と、裏面電極５とを積層して設ける。

【００１２】金属薄膜層４と裏面電極５とはスパッタ法
で成膜した。金属薄膜層４は、Ｗの薄膜とし、膜厚を１
２オングストロームとした。裏面電極５は膜厚２０００
オングストロームのＣｕとした。裏面電極５の表面に
は、２０００オングストロームのＴｉ層９を設ける。

【００１３】このＴｉ層は、Ｃｕより成る裏面電極５の
腐食を防止するためのもので、耐候性の向上に寄与す
る。 (３) その後、図１に示すように、裏面電極５と金属薄
膜層４とａ−Ｓｉ層３とに多数の透孔６を設けて、入射
光の一部を透過させるシースルー太陽電池とするため
に、所望のパターンのレジスト膜８を塗布する。 (４) フッ硝酸を使用して、Ｔｉ層９の一部を、ウェッ
トエッチングして除去する。 (５) 塩化第２鉄溶液を使用して、Ｃｕの裏面電極５の
一部をウェットエッチングして除去する。 (６) フェロシアン化カリウム（ヘキサシアノ鉄（II）
酸カリウム、Ｋ₄［Ｆｅ（ＣＮ）₆］）の溶液を使用し
て、Ｗである金属薄膜層４をウェットエッチングする。 (７) ＮａＯＨ等のアルカリ溶液を使用して、ａ−Ｓｉ
層３の一部をウェットエッチングする。

【００１４】以上の工程で試作した太陽電池の電気的測
定をした結果を表１に示している。

【００１５】また、表１において、剥離試験は、別に試
作した太陽電池で測定した。この太陽電池は、透明基板
の表面に透明電極を設け、この透明電極の表面に、１ｃ
ｍ角の大きさで、ａ−Ｓｉ層、金属薄膜層、裏面電極を
積層したものを使用した。剥離試験は、(１)と(２)の工
程で試作した透孔を開口する以前のものを使用した。剥
離試験に透孔のない太陽電池を使用したのは、透孔によ
って裏面電極の密着性がほとんど低下しないからであ
る。さらに、剥離試験は、１ｃｍ角の裏面電極の表面に
セロテープ（登録商標）を接着し、これを剥がして裏面
電極が剥離されるかどうかを測定した。

【００１６】また、この表において、実施例１の太陽電
池が、従来品に比べていかに優れた特長を有するかを明
確にするために、金属薄膜層を介在させることなく、ス
パッタ法によってＣｕの裏面電極をａ−Ｓｉ層に積層し
たものも試作した。また、抵抗加熱法でａ−Ｓｉ層に裏
面電極を積層したものも試作して、比較した。

【００１７】

【表１】

【００１８】この表に示すように、実施例１で得られた
アモルファスシリコン太陽電池は、裏面電極にＣｕを使
用するにもかかわらず、ａ−Ｓｉ層からの剥離が極減さ
れ、しかも、ＩｓｃとＰｍａｘも金属薄膜層のない従来
品と同等であった。

【００１９】［実施例２］金属薄膜層４を、ＷからＴｉ
とし、金属薄膜層４の膜厚を１２〜３００オングストロ
ームとし、金属薄膜層４をフッ硝酸でエッチングする以
外実施例１と同様にして、シースルーのアモルファスシ
リコン太陽電池を試作した。試作した太陽電池の特性を
表２に示している。

【００２０】

【表２】

【００２１】この表に示すように、実施例２で作製した
太陽電池は、裏面電極の剥離を皆無に出来ると共に、Ｉ
ｓｃとＰｍａｘも金属薄膜層のない従来品と同等の優れ
た特性を示した。

【００２２】［実施例３］図２は、集積型の太陽電池を
示している。この太陽電池は、下記の工程で製造され
る。 (１) 透明基板１であるガラス基板の表面に、透明電極
２をパターニングする。 (２) 透明電極２の所定の位置にＡｇペースト１０を印
刷する。 (３) 全面にａ−Ｓｉ層３を形成する。 (４) ａ−Ｓｉ層３の全面に、金属薄膜層４を介して裏
面電極５を積層する。

【００２３】金属薄膜層４にはＴｉまたはＷを使用す
る。裏面電極５にはＡｇを使用する。裏面電極５の表面
にはＴｉ層９を設ける。 (５) レーザー溶着によって、裏面電極５をＡｇペース
ト１０部分に接続する。 (６) その後、図２に示すように、裏面電極５と金属薄
膜層４とａ−Ｓｉ層３とに切り溝７を設けて集積型の太
陽電池とするために、熱可塑性樹脂のレジスト膜８を所
望のパターンに塗布する。 (７) フッ硝酸を使用して、Ｔｉ層９をエッチングす
る。 (８) 硝酸を用いて、Ａｇである裏面電極５をウェット
エッチングする。 (９) 金属薄膜層４をウェットエッチングする。Ｗの金
属薄膜層４は、フェロシアン化カリウム（Ｋ₄［Ｆｅ
（ＣＮ）₆］ヘキサシアノ鉄（II）カリウム）を使用す
る。Ｔｉの金属薄膜層４は、フッ硝酸を使用してウェッ
トエッチングする。

【００２４】この工程で得られた集積型の太陽電池は、
表３に示す特性を示した。ただし、この表において、剥
離試験は実施例１と同じようにして測定した。すなわ
ち、剥離試験は、特別に試作した太陽電池を使用して試
験した。この太陽電池は、金属薄膜層の表面に密着した
透明電極に、１ｃｍ角の大きさでａ−Ｓｉ層と金属薄膜
層と裏面電極とを積層したもので、切り溝を設けないも
のを使用した。さらに、表３において太陽電池のＶｏｃ
とＰｍａｘとは、１セルに換算して表示している。

【００２５】

【表３】

【００２６】この表に示すように、実施例３で得られた
アモルファスシリコン太陽電池は、裏面電極にＡｇを使
用して、ａ−Ｓｉ層からの剥離を少なくすることができ
た。特に、金属薄膜層にＷを使用したものは、Ｔｉの金
属薄膜層よりも剥離特性が優れていた。さらに、この工
程で得られた太陽電池は、ＩｓｃとＰｍａｘとも優れた
特性を示した。

【００２７】［実施例４］図３に、本発明の他の実施例
を示す。シースルーのアモルファスシリコン太陽電池
は、ガラス基板等の透明基板１に、透明電極２と、ａ−
Ｓｉ層３と、金属薄膜層４と、裏面電極５とを積層して
いる。この太陽電池は、下記のようにして製造する。 (１) 透明基板１であるガラス基板の表面に、透明電極
２をパターニングする。 (２) 透明電極２の所定の位置にＡｇペースト１０を印
刷する。 (３) 全面にａ−Ｓｉ層３を形成する。 (４) ａ−Ｓｉ層３の全面に、金属薄膜層４を介して裏
面電極５を積層する。

【００２８】金属薄膜層４は、Ｔｉの薄膜とし、膜厚を
３０オングストロームとした。裏面電極５は膜厚１００
０オングストロームのＣｕとした。裏面電極５の表面に
は、５００オングストロームのＴｉ層９を設ける。

【００２９】このＴｉ層は、Ｃｕより成る裏面電極５の
腐食防止するためのもので、耐候性の向上に寄与する。 (５) レーザー溶着によって、裏面電極５をＡｇペース
ト１０部分に接続する。 (６) その後、図３に示すように、裏面電極５と金属薄
膜層４とａ−Ｓｉ層３とに切り溝７を設けて集積型の太
陽電池とするために、熱可塑性樹脂のレジスト膜８を所
望のパターンに塗布する。 (７) フッ硝酸を使用して、Ｔｉ層９をエッチングす
る。 (８) 塩化第２鉄（ＦｅＣｌ₂）溶液を使用して、Ｃｕ
である裏面電極５をウェットエッチングする。 (９) フッ硝酸を使用して、Ｔｉである金属薄膜層４の
エッチングとａ−Ｓｉ層３の表面処理を行う。 (10) ＮａＯＨ等のアルカリ溶液を使用して、ａ−Ｓｉ
層３をウェットエッチングする。 (11) 塩化第２鉄（ＦｅＣｌ₂）溶液でＣｕである裏面
電極５を追加エッチングする。

【００３０】ここで、裏面電極５を追加エッチングする
のは、ａ−Ｓｉ層３のエッチングにより、裏面電極５と
ａ−Ｓｉ層３との結合界面がアンダーカットされ裏面電
極５が露出するので、この裏面電極５と透明電極２とが
接触して短絡しないようにするためである。この追加エ
ッチングで裏面電極５の露出部分をエッチングする。

【００３１】この工程で得られたアモルファスシリコン
太陽電池のシースルー開口部の断面図を図３に示す。上
記工程(９)でａ−Ｓｉ層の表面をフッ硝酸溶液で前処理
するのは、次の工程(10)でＮａＯＨによるａ−Ｓｉ層の
エッチングをより確実に行うためである。つまり、あら
かじめａ−Ｓｉ層の表面をフッ硝酸で前処理していない
とａ−Ｓｉ層の表面に酸化物等の被膜が形成され、Ｎａ
ＯＨ溶液でのエッチングができなくなるからである。

【００３２】［実験１］ここで、フッ硝酸による前処理
の実験を行った。下記のようにしてサンプル基板を作製
した。 (１) 透明基板１であるガラス基板の表面に、透明電極
２をパターニングする。 (２) 全面にａ−Ｓｉ層３を形成する。ａ−Ｓｉ層３の
膜厚は３５００オングストロームとした。 (３) ａ−Ｓｉ層３の全面に、裏面電極５を積層する。
裏面電極５は膜厚１０００オングストロームのＣｕとし
た。

【００３３】上記の工程によりサンプル基板を２種類作
製して、塩化第２鉄溶液によって裏面電極５のＣｕをエ
ッチングした後、ａ−Ｓｉ層３表面をフッ硝酸によって
前処理したものをサンプルＡ、前処理をしなかったもの
をサンプルＢとして、次にａ−Ｓｉ層３をＮａＯＨ溶液
でエッチングした。

【００３４】このサンプルＡ，Ｂの膜厚をそれぞれ数個
所測定し、その結果を表４に示す。

【００３５】

【表４】

【００３６】ａ−Ｓｉ層３の膜厚は、ガラス基板１及び
透明電極２の厚みが判っているのでＮａＯＨ溶液による
エッチング後のサンプル基板の厚みを測定することによ
ってａ−Ｓｉ層３の厚みは判る。

【００３７】表４より、フッ硝酸による前処理を行った
サンプルＡの場合、測定個所の基板の厚みは全て一定で
あり、ａ−Ｓｉ層３は均一にエッチングされている。し
かし、前処理を行わなかったサンプルＢの場合、基板の
厚みは３００オングストロームから２８００オングスト
ロームの範囲でバラツキが生じている。したがって、サ
ンプル基板Ｂは、均一にエッチングできていないことが
判る。

【００３８】以上の結果より、フッ硝酸によるａ−Ｓｉ
層３の表面処理を行ってからａ−Ｓｉ層３をエッチング
するとバラツキのない均一なエッチングができる。

【００３９】ここで、前処理と同じフッ硝酸溶液を用い
て、ａ−Ｓｉ層をエッチングすることも考えられるが、
前処理で用いられるフッ硝酸溶液の濃度は数％であり、
このフッ硝酸溶液でａ−Ｓｉ層のエッチングを行うには
濃度が低いために、ａ−Ｓｉ層を完全にエッチングする
には長時間を要する。そこで、フッ硝酸の濃度を数十％
に高くしてａ−Ｓｉ層のエッチングを行うと、時間は短
くなるが高濃度のフッ硝酸溶液を用いるためにガラス基
板を腐食してしまうという弊害が生じる。したがって、
ａ−Ｓｉ層のエッチングにフッ硝酸を使用することはで
きない。

【００４０】実施例４ではフッ硝酸でａ−Ｓｉ層３の表
面処理をしたが、フッ酸（ＨＦ）、フッ化ホウ素酸（Ｈ
ＢＦ₄）等のフッ素化合物水溶液であれば同様の効果が
ある。

【００４１】［実施例５］実施例４の製造工程におい
て、(４)の裏面電極５の表面に５００オングストローム
のＮｉ層９′を形成し、(11)で塩化第２鉄溶液で裏面電
極５であるＣｕとその表面にあるＮｉ層９′を追加エッ
チングする以外は同様の方法でアモルファスシリコン太
陽電池を作製する。

【００４２】［実施例６］実施例４の製造工程におい
て、(４)の裏面電極５の表面に５００オングストローム
のＮｉＣｕ層９″を形成し、(11)で塩化第２鉄溶液で裏
面電極５であるＣｕとその表面にあるＮｉＣｕ層９″を
追加エッチングする以外は同様の方法でアモルファスシ
リコン太陽電池を作製する。

【００４３】実施例４では、金属薄膜層４のＴｉと裏面
電極５のＣｕの表面に形成する層９のＴｉと、材料が共
通化することができるために、スパッタ法によって成膜
する場合、３層膜にもかかわらず、ターゲットがＴｉと
Ｃｕの２個ですむために安価に製造することができる。

【００４４】実施例５では、裏面電極５のＣｕとその表
面に形成するＮｉ層９′とを追加エッチングするとき
に、塩化第２鉄（ＦｅＣｌ₂）溶液で両方ともエッチン
グできるために、Ｎｉ層９′が裏面電極５のＣｕの上で
せり出した形（オーバーハング状態）で残ってＮｉ層
９′と透明電極２とが接触して短絡不良となる確率を極
減することができる。

【００４５】実施例６では、裏面電極の表面にＮｉＣｕ
層９″を形成した。スパッタ法で成膜する場合、強磁性
体を成膜するにはマグネットを強力なものにする必要が
あるため装置が高価なものとなる。また、強磁性体のタ
ーゲットの使用効率は非磁性体材料と比較して悪い。こ
れらの欠点を解消するため実施例６では、非磁性体材料
のＮｉＣｕ合金を用いて成膜した。このＮｉＣｕ層は塩
化第２鉄（ＦｅＣｌ₂）溶液でもエッチングできるた
め、裏面電極５と共通のエッチング液で同時にエッチン
グすることができる。

【００４６】ＮｉＣｕ合金におけるＮｉとＣｕの割合
は、腐食性を考えてＮｉ量が多いほうが好ましいが、こ
の合金の磁気変態が表れるまでならどんな割合でも実施
例６と同様な効果が得られる。

【００４７】

【発明の効果】この発明のアモルファスシリコン太陽電
池は、金属薄膜層を介して裏面電極をａ−Ｓｉ層に密着
し、さらに、金属薄膜層にはａ−Ｓｉ層と裏面電極の双
方に密着力が強い金属を使用し、また、裏面電極には耐
アルカリ性の金属を使用し、この状態に積層したａ−Ｓ
ｉ層と金属薄膜層と裏面電極とをウェットエッチングに
よって透孔または切り溝を設けている。したがって、こ
の発明のアモルファスシリコン太陽電池は、ウェットエ
ッチングによって、シースルー太陽電池、または集積型
太陽電池を安価に能率よく多量生産できる特長を実現す
る。ウェットエッチングによって透孔または切り溝を能
率よく安価に処理できるのは、裏面電極に耐アルカリ性
の金属を使用して、ａ−Ｓｉ層をエッチングする溶液で
裏面電極の側縁がエッチングされるのを防止できること
が理由である。

【００４８】また、ａ−Ｓｉ層の表面をフッ硝酸であら
かじめ処理することにより、次に行うＮａＯＨ溶液での
ａ−Ｓｉ層のエッチングがスムーズにでき、ａ−Ｓｉ層
のエッチングによる不均一性を解消することができる。

【００４９】さらに、この発明のアモルファスシリコン
太陽電池は、このことに加えて、裏面電極にＡｇやＣｕ
等の光の反射率に優れた金属を使用してこれをａ−Ｓｉ
層に確実に密着できる。また、ａ−Ｓｉ層と裏面電極と
の間に介在する金属薄膜層を極めて薄くすることによっ
て、この薄膜での光の吸収を極減することができる。こ
のため、ａ−Ｓｉ層を透過した光を裏面電極で効率よく
反射することができ、入射光線をａ−Ｓｉ層に高効率に
照射して太陽電池にとって大切な、ＩｓｃやＰｍａｘを
向上することができる。

【００５０】すなわち、この発明のアモルファスシリコ
ン太陽電池は、簡単に能率よく安価に多量生産できるに
もかかわらず、優れた電気特性を実現する理想的な特長
を備える。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のシースルーアモルファスシリコン太
陽電池の一例を示す断面図

【図２】この発明の集積型アモルファスシリコン太陽電
池の一例を示す断面図

【図３】この発明のシースルーアモルファスシリコン太
陽電池の一例を示す断面図

【符号の説明】

１・・・透明基板２・・・透明電極３・・・ａ−Ｓｉ層４・・・金属薄膜層５・・・裏面電極６・・・透孔７・・・切り溝８・・・レジスト膜９・・・Ｔｉ層９′・・Ｎｉ層９″・・ＮｉＣｕ層１０・・・Ａｇペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川西康義大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (72)発明者大月正敏大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内 (56)参考文献特開昭63−194370（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 31/04

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板(1)上に、透明電極(2)とアモル
ファスシリコン層(3)と金属薄膜層(4)および裏面電極
(5)を順々に重ねて積層しており、前記金属薄膜層(4)が、アモルファスシリコン層(3)と裏
面電極(5)の双方に密着力が強い金属で、裏面電極(5)は
耐アルカリ性の金属であり、ウェットエッチングによっ
て前記裏面電極(5)、金属薄膜層(4)およびアモルファス
シリコン層(3)を貫通して透孔(6)または切り溝(7)を設
けてなるアモルファスシリコン太陽電池。
【請求項２】透明基板(1)上に、透明電極(2)と、アモ
ルファスシリコン層(3)と、アモルファスシリコン層(3)
と裏面電極(5)の双方に密着力が強い金属薄膜層(4)と、
耐アルカリ性の金属である裏面電極(5)とを順々に重ね
て積層する工程と、前記裏面電極(5)と金属薄膜層(4)とをウェットエッチン
グする工程と、前記アモルファスシリコン層表面をフッ素化合物水溶液
で前処理した後、アルカリ水溶液でウェットエッチング
することによりアモルファスシリコン層(3)を貫通して
透孔(6)または切り溝(7)を設ける工程とを有するアモル
ファスシリコン太陽電池の製造方法。