JP2904194B2 - Wire bonding equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体組立装置に
関し、特にチップパッドとリードフレームのインナーリ
ードとの金属配線による接合を行うワイヤーボンディン
グ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor assembling apparatus and, more particularly, to a wire bonding apparatus for joining a chip pad and an inner lead of a lead frame by metal wiring.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体接合装置として、例えば特
開平４−２６４７４０号公報には、リードフレームのデ
ィンプル部に対応する貫通孔を有する第１のブロック
と、前記貫通孔内に挿入され前記第１のブロックと相対
的に移動可能な第２のブロックとからなるヒーターブロ
ックを有し、半導体装置のボンディング時にディンプル
寸法のバラツキによるディンプル部に不要な応力を与え
ることなく、ペレットクラック等の不具合発生もなくす
ようにしたワイヤーボンディング装置が提案されてい
る。2. Description of the Related Art As a conventional semiconductor bonding apparatus, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-264740 discloses a first block having a through hole corresponding to a dimple portion of a lead frame, and a first block inserted into the through hole. It has a heater block composed of one block and a second block that can move relatively, and does not give unnecessary stress to the dimple portion due to variation in dimple size during bonding of the semiconductor device, and causes defects such as pellet cracks. There has been proposed a wire bonding apparatus that eliminates the problem.
【０００３】図６に、従来のワイヤーボンディング装置
の断面図を示す。図６において、５１はヒーターブロッ
ク、５６はワーク押さえ、１０１はリードフレーム、１
０２はリードフレームのアイランド部（ディンプル
部）、１０３はチップを示している。図６に示すよう
に、リードフレームのアイランド部１０２やチップを逃
げるための凹部の堀込みを有している。FIG. 6 is a sectional view of a conventional wire bonding apparatus. In FIG. 6, reference numeral 51 denotes a heater block, 56 denotes a work holder, 101 denotes a lead frame,
02 denotes an island portion (dimple portion) of the lead frame, and 103 denotes a chip. As shown in FIG. 6, a recess is formed to escape the island portion 102 of the lead frame and the chip.
【０００４】また図７に、上記特開平４−２６４７４０
号公報に提案されるワイヤーボンディング装置の断面構
成を示す。また図７のヒーターブロックの制御の処理フ
ローを流れ図として図８に示す。FIG. 7 shows the structure of the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-264740.
1 shows a cross-sectional configuration of a wire bonding apparatus proposed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. H11-157,004. FIG. 8 is a flowchart showing a processing flow of controlling the heater block in FIG.
【０００５】図７を参照すると、ディンプル加工されて
いるリードフレーム１０１を使用して半導体を組み立て
る場合のワイヤーボンディング用のヒーターブロックに
おいて、リードフレームのアイランド部１０２底面部が
接触する第一のヒーターブロックＡ５１−１と、リード
フレーム１０１のアイランド部以外を保持する第二のヒ
ーターブロックＢ５１−２が分離し、通常これらは導通
がなく、第一のヒーターブロックＡ５１−１は、第二の
ヒーターブロックＢ５１−２に設けられた貫通孔内をリ
ードフレームに対して垂直方向に微動し、もう一方の第
二のヒーターブロックＢ５１−２とアイランド部を通し
て電気的導通がとれるまで制御される。すなわち図７及
び図８を参照すると、第一のヒーターブロックＡ５１−
１は制御部５３により上下動作を行い、第一、第二のヒ
ーターブロック５１−１、５１−２の導通を、接触検出
部５２で検出し、接触感知器５２がオンの時、上下動を
停止させる（ステップ８０２、８０３）。なお、図７に
おいて、５６はクランパ（ワーク押さえ）、５４、５５
は結線である。Referring to FIG. 7, in a heater block for wire bonding when assembling a semiconductor using a lead frame 101 which has been subjected to dimple processing, a first heater block in which a bottom portion of an island portion 102 of the lead frame is in contact. A51-1 and a second heater block B51-2 holding portions other than the island portion of the lead frame 101 are separated from each other. -2 in the through hole provided in the vertical direction with respect to the lead frame, and is controlled until electrical conduction is established through the island portion with the other second heater block B51-2. That is, referring to FIGS. 7 and 8, the first heater block A51-
Reference numeral 1 denotes an up / down operation performed by the control unit 53, and the conduction of the first and second heater blocks 51-1 and 51-2 is detected by the contact detection unit 52. When the contact sensor 52 is on, the up / down movement is performed. It is stopped (steps 802 and 803). In FIG. 7, reference numeral 56 denotes a clamper (work holding), 54, 55
Is a connection.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図６に示した従来技術
において、ヒーターブロック５１の凹部の堀込み深さ
は、リードフレーム１０１に施されたアイランド部１０
２やチップ１０３厚みの寸法に対応するように予め、決
められているが、このアイランド部１０２の深さやチッ
プ１０３厚みの寸法は、あるバラツキをもっているた
め、ダイボンディングされているチップ１０３にワイヤ
ーボンディングを行う時は、ボンタビィリティを考慮
し、通常は、アイランド部１０２、チップ１０３厚の寸
法の最小値で設計、及び製作されている。In the prior art shown in FIG. 6, the depth of the recess of the heater block 51 is determined by the depth of the island 10 formed on the lead frame 101.
2 and the thickness of the chip 103 are determined in advance. However, since the depth of the island portion 102 and the thickness of the chip 103 have a certain variation, the die 103 is bonded to the die-bonded chip 103 by wire bonding. Is performed, the design and manufacture are usually performed with the minimum value of the thickness of the island portion 102 and the chip 103 in consideration of bondability.
【０００７】このために、アイランド部１０２の堀込み
やチップ１０３厚みの最大値のものが流れてきた場合、
リードフレームなどに応力がかかり、チップクラックや
ワーク押さえ（クランパ）５６を解放した際に、ワイヤ
ー曲がりが生じる等、といった不具合が生じることかあ
る。[0007] For this reason, when the island portion 102 is dug or a chip 103 having the maximum thickness flows,
When a stress is applied to the lead frame or the like and the chip crack or the work holding (clamper) 56 is released, a problem such as bending of the wire may occur.
【０００８】また、図７に示したヒーターブロックの場
合、第一のヒーターブロック５１−１と第二のヒーター
ブロック５１−２との間に結線５４、５５を介して電気
を流して導通を取り、接触検出部５２により検知するた
め、特に、ＬＯＣ（ＬｅａｄＯｎ Ｃｈｉｐ）の場合に
は、チップ１０３に電流が走り、チップ１０３を電気的
に破壊してしまうといった不具合が生じる。Further, in the case of the heater block shown in FIG. 7, electricity flows between the first heater block 51-1 and the second heater block 51-2 via the connection lines 54 and 55 to establish conduction. In particular, in the case of LOC (Lead On Chip), a current flows through the chip 103 and the chip 103 is electrically broken, since the detection is performed by the contact detection unit 52.
【０００９】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、導通によるチッ
プヘのダメージを無くし、リードフレームへの負荷応力
をかけること無く、安定したワイヤーボンディングを行
うことを可能としたワイヤーボンディング装置を提供す
ることにある。Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to eliminate a damage to a chip due to conduction and to apply a stable wire bonding without applying a load stress to a lead frame. It is an object of the present invention to provide a wire bonding apparatus capable of performing the above.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のワイヤーボンディング装置は、半導体素子
（「チップ」という）と外部接続端子パターンを有する
リードフレームを金線等の細線ワイヤーで接続するワイ
ヤーボンディング装置において、ディンプル加工された
リードフレーム（「アイランド部」という）、もしくは
チップ裏面を保持・加熱する第一のヒーターブロック
と、前記リードフレームのインナーリード部を保持・加
熱する第二のヒーターブロックと、ボンディング領域の
抜き穴を有し前記リードフレームを上部から保持するワ
ーク押さえと、を備え、前記第一のヒーターブロック、
前記第二のヒーターブロック、及び前記ワーク押さえ
は、それぞれ独立した上下機構に接続し、さらに前記第
一のヒーターブロック、及び前記第二のヒーターブロッ
クにはそれぞれ測長器が接続している、ことを特徴とす
る。In order to achieve the above object, a wire bonding apparatus according to the present invention connects a semiconductor element (referred to as a "chip") to a lead frame having an external connection terminal pattern with a thin wire such as a gold wire. And a first heater block for holding and heating a dimple-processed lead frame (referred to as an “island portion”) or a chip back surface, and a second heater block for holding and heating an inner lead portion of the lead frame. A heater block, comprising a work holder having a hole in a bonding area and holding the lead frame from above, the first heater block,
The second heater block and the work holder are connected to independent vertical mechanisms, respectively, and the first heater block and the second heater block are each connected to a length measuring device. It is characterized by.
【００１１】本発明によれば、ワイヤーボンディング装
置に流れてきたリードフレームのアイランド深さやチッ
プ厚みにそれぞれ対応して、ヒーターブロックとワーク
押さえにより、リードフレームをクランプするため、リ
ードフレームに余計な応力をかけることが無く、安定し
たワイヤーボンディングを行うことが可能である。According to the present invention, since the lead frame is clamped by the heater block and the work holder in accordance with the island depth and the chip thickness of the lead frame flowing into the wire bonding apparatus, extra stress is applied to the lead frame. Therefore, stable wire bonding can be performed without applying heat.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明のワイヤーボンディング装置は、そ
の好ましい実施の形態において、リードフレームアイラ
ンド部又はチップ裏面を保持する第一のヒーターブロッ
ク（図２の１）と、リードフレームのインナーリード部
を保持する第二のヒーターブロック（図２の２）と、第
一、第二のヒーターブロックに接続した第一、第二の測
長器（図２の３、４）と、第一、第二の上下機構（図２
の６、７）を備え、アイランド深さやチップ厚みのバラ
ツキに各々対応して、リードフレームをクランプし、ワ
イヤーボンディングを行うようにしたものである。ここ
で、第一の測長器（図２の３）は、第一のヒーターブロ
ックと、アイランド部もしくはチップとの距離を測定
し、第二の測長器（図２の４）は第二のヒーターブロッ
クとリードフレームのインナーリード部との距離を測定
し、制御手段（図２の９）は、測定信号に基づき、第
一、第二の上下機構（図２の６、７）の上下移動を制御
する。Embodiments of the present invention will be described below. In a preferred embodiment of the wire bonding apparatus of the present invention, a first heater block (1 in FIG. 2) for holding a lead frame island portion or a chip back surface and a second heater block for holding an inner lead portion of a lead frame. A heater block (2 in FIG. 2), first and second length measuring devices (3 and 4 in FIG. 2) connected to the first and second heater blocks, and a first and second vertical mechanism (FIG. 2). 2
6) and 7), wherein the lead frame is clamped and wire-bonded in accordance with the variations in the island depth and the chip thickness, respectively. Here, the first length measuring device (3 in FIG. 2) measures the distance between the first heater block and the island portion or the chip, and the second length measuring device (4 in FIG. 2) measures the distance. The controller (9 in FIG. 2) measures the distance between the first and second vertical mechanisms (6 and 7 in FIG. 2) based on the measurement signal. Control movement.
【００１３】本発明の実施の形態によれば、リードフレ
ームアイランド部やチップに対応する第一のヒーターブ
ロックと、前記第一のブロックとは独立した上下動を行
う、アイランド部やチップを除いた部分であるインナー
リード部に対応する第二のヒーターブロックを設けてい
るので、アイランド部を有するリードフレームとチップ
とのワイヤーボンディングや、ＬＯＣ型パッケージのリ
ードフレームとチップとのワイヤーボンディング工程に
おいて、アイランド部堀込み深さやチップ厚みのバラツ
キにより、リードフレームに余計な応力をかけることな
く、安定したワイヤーボンデイングを行うことができ
る。According to the embodiment of the present invention, the first heater block corresponding to the lead frame island portion and the chip, and the island portion and the chip which vertically move independently of the first block are removed. Since the second heater block corresponding to the inner lead portion, which is the portion, is provided, in the wire bonding process between the lead frame having the island portion and the chip and the wire bonding process between the lead frame of the LOC type package and the chip, The wire bonding can be performed stably without applying extra stress to the lead frame due to the variation in the part engraving depth and the chip thickness.
【００１４】[0014]
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例を図面を参照して以下
に説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;
【００１５】図１は、本発明の一実施例のワイヤーボン
ディング装置の制御系統を示すブロック図である。図２
（ａ）、図２（ｂ）は、本発明の一実施例の構成及び動
作を説明するために装置の断面構成を模式的に示した図
である。図３は、本発明の一実施例の動作手順を示すフ
ローチャートである。FIG. 1 is a block diagram showing a control system of a wire bonding apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG.
2A and 2B are diagrams schematically showing a cross-sectional configuration of the device for explaining the configuration and operation of one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a flowchart showing the operation procedure of one embodiment of the present invention.
【００１６】図１及び図２を参照して、本発明の一実施
例のワイヤーボンディング装置は、ディンプル加工され
たリードフレーム（「Ｌ／Ｆ」ともいう）のアイランド
部１０２又はチップ裏面を保持・加熱する第一のヒータ
ーブロック１と、リードフレームのアイランド部以外の
インナーリード部を保持・加熱する第二のヒーターブロ
ック２と、ボンディング領域の抜き穴を有し、リードフ
レーム１０１を上部から保持するワーク押さえ（クラン
パ）５と、第一のヒーターブロック１、第二のヒーター
ブロック２にはそれぞれ第一、第二の測長器３、４が接
続し、且つ、第一のヒーターブロック１、第二のヒータ
ーブロック２、及びワーク押さえ５には、それぞれ独立
した第一、第二、及び第三の上下機構６、７、８に接続
し、制御部９は測定器３、５の信号を入力とし、第一乃
至第三の上下機構６〜８に制御信号を送出する。なお、
第一のヒーターブロック１は、第二のヒーターブロック
２に設けられた貫通孔内を第一の上下機構６に駆動され
て上下移動する。Referring to FIGS. 1 and 2, a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention holds and holds an island portion 102 or a chip back surface of a dimple-processed lead frame (also referred to as “L / F”). It has a first heater block 1 for heating, a second heater block 2 for holding and heating inner lead portions other than the island portion of the lead frame, and a punched hole in a bonding area to hold the lead frame 101 from above. First and second length measuring devices 3 and 4 are connected to the work holder (clamper) 5, the first heater block 1 and the second heater block 2, respectively. The second heater block 2 and the work holder 5 are connected to independent first, second, and third up-and-down mechanisms 6, 7, and 8, respectively. The signal vessels 3, 5 as input, and sends a control signal to the first to third elevator mechanism 6-8. In addition,
The first heater block 1 is driven by a first up-down mechanism 6 in a through hole provided in the second heater block 2 to move up and down.
【００１７】図４は、アイランド部を有するリードフレ
ームを用いたワイヤーボンディング前の半導体パッケー
ジの断面を示す図である。図５は、ＬＯＣタイプの半導
体パツケージの断面を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a cross section of a semiconductor package before wire bonding using a lead frame having an island portion. FIG. 5 is a diagram showing a cross section of a LOC type semiconductor package.
【００１８】本発明の一実施例の動作について以下に説
明する。図４に示すように、アイランド部１０２を有す
るリードフレーム１０１や、図５に示すように、リード
フレーム１０１の下面にチップ１０３が搭載されたＬＯ
Ｃタイプの半導体パッケージを、ワイヤーボンディング
により組み立てる工程において、リードフレーム１０１
は、図示しないリードフレーム搬送部によりボンディン
グ位置に搬送される。The operation of one embodiment of the present invention will be described below. As shown in FIG. 4, a lead frame 101 having an island portion 102, and as shown in FIG.
In a step of assembling a C-type semiconductor package by wire bonding, the lead frame 101
Is transported to a bonding position by a lead frame transport unit (not shown).
【００１９】図２（ａ）に示すように、第一、及び第二
のヒーターブロック１、２は、リードフレーム１０１よ
りも下方に逃げており、逆に、ワーク押さえ５は、リー
ドフレーム１０１の上方に逃げている。As shown in FIG. 2A, the first and second heater blocks 1 and 2 have escaped below the lead frame 101. Conversely, the work retainer 5 has Escapes upward.
【００２０】リードフレーム１０１がボンディング位置
に搬送されると、第１のヒーターブロック１と、第二の
ヒーターブロック２に埋め込まれた第一の測長器３、第
二の測長器４により、第一の測長器３が第一のヒーター
ブロック４とリードフレームアイランド部１０２の下
面、又はチップ１０３裏面までの距離を測定する（図３
のステップ３０２）。When the lead frame 101 is transported to the bonding position, the first heater block 1 and the first length measuring device 3 and the second length measuring device 4 embedded in the second heater block 2 cause the lead frame 101 to move. The first length measuring device 3 measures the distance between the first heater block 4 and the lower surface of the lead frame island portion 102 or the back surface of the chip 103 (FIG. 3).
Step 302).
【００２１】第二の測長器４は、第二のヒーターブロッ
ク２とリードフレーム１０１の裏面までの距離を測定す
る。The second length measuring device 4 measures the distance between the second heater block 2 and the back surface of the lead frame 101.
【００２２】距離の測定方法は、測長器からレーザー光
を出射し、測定物（ここでは、リードフレームやチッ
プ）からの反射し、測長器が受光するまでの時間を測定
し、距離に換算するなどといった方法がある。The distance can be measured by emitting a laser beam from the length measuring device, measuring the time from the measurement object (here, a lead frame or a chip) to the reception of light by the length measuring device, and calculating the distance. There are methods such as conversion.
【００２３】それぞれの測定値を制御部９が取り込ん
で、制御部９は、それぞれの測定値に合わせた距離だけ
第一のヒーターブロック１を上下動させる第一の上下機
構６と、第二のヒーターブロック２を上下動させる第二
の上下機構７へ指令を出し、第一、第二の上下機構６、
７が上下動を行う（図３のステップ３０３、３０４）。The controller 9 takes in each measured value, and the controller 9 moves the first heater block 1 up and down by a distance corresponding to each measured value, A command is issued to a second vertical mechanism 7 for moving the heater block 2 up and down, and the first and second vertical mechanisms 6
7 moves up and down (steps 303 and 304 in FIG. 3).
【００２４】また、制御部９は、ワーク押さえ５を上下
動させる第三の上下機構８へ指令を出し、ワーク押さえ
６を動作させる（図３のステップ３０５）。Further, the control unit 9 issues a command to the third vertical mechanism 8 for moving the work holder 5 up and down to operate the work holder 6 (step 305 in FIG. 3).
【００２５】これにより、図２（ｂ）に示すように、リ
ードフレーム１０１は、第一、第二のヒーターブロック
１、２とワーク押さえ６により、しっかり保持され、ワ
イヤーボンディング可能な状態となる。As a result, as shown in FIG. 2B, the lead frame 101 is firmly held by the first and second heater blocks 1 and 2 and the work holder 6, and is ready for wire bonding.
【００２６】また、第一のヒーターブロック１には、リ
ードフレームアイランド部１０２やチップ１０３裏面を
更にしっかり保持するために、真空吸着用の穴等を設け
ても良い。Further, the first heater block 1 may be provided with a hole for vacuum suction or the like in order to more firmly hold the lead frame island portion 102 and the back surface of the chip 103.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のワイヤー
ボンディング装置によれば、アイランド部堀込み深さや
チップ厚みのバラツキにより、リードフレームに余計な
応力を与えずにチップクラックやワイヤー曲がり等の不
具合を生じさせず、安定したワイヤーボンディングを行
うことを可能とし、歩留り及び信頼性を向上するという
効果を奏する。As described above, according to the wire bonding apparatus of the present invention, a chip crack, a wire bend or the like can be formed without giving an extra stress to the lead frame due to the variation in the depth of the island portion and the thickness of the chip. This makes it possible to perform stable wire bonding without causing a defect, and has an effect of improving yield and reliability.
【００２８】その理由は、本発明においては、リードフ
レームアイランド部やチップに対応する第一のヒーター
ブロックと、第一のブロックとは独立した上下動を行
う、アイランド部やチップを除いた部分に対応する第二
のヒーターブロックを設けた構成としたことによる。The reason for this is that, in the present invention, the first heater block corresponding to the lead frame island portion and the chip and the portion excluding the island portion and the chip which vertically move independently of the first block. This is because the corresponding second heater block is provided.
【図１】本発明の一実施例の装置の構成を示すブロック
図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例の構成を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例の動作手順を示すフローチャ
ート図である。FIG. 3 is a flowchart showing an operation procedure of one embodiment of the present invention.
【図４】アイランド部を有するリードフレームを用いた
ワイヤーボンディング前の半導体パッケージの断面図で
ある。FIG. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor package before wire bonding using a lead frame having an island portion.
【図５】ＬＯＣタイプの半導体パツケージの断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view of a LOC type semiconductor package.
【図６】従来のワイヤーボンディング装置の構成を示す
断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional wire bonding apparatus.
【図７】別な従来のワイヤーボンディング装置の構成を
示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of another conventional wire bonding apparatus.
【図８】図７に示す従来装置の動作手順を示すフローチ
ャート図である。8 is a flowchart showing an operation procedure of the conventional device shown in FIG.
１ 第一のヒーターブロック ２ 第二のヒーターブロック ３ 第一の測長器 ４ 第二の測長器 ５ ワーク押さえ ６ 第一の上下機構 ７ 第二の上下機構 ８ 第三の上下機構 ９ 制御部 ５１ ヒーターブロツク ５１−１ ヒーターブロックＡ ５１−２ ヒーターブロックＢ ５２ 接触検出部 ５３ 制御部 ５４ 結線 ５５ 結線 ５６ ワーク押さえ １０１ リードフレーム １０２ リードフレームアイランド部 １０３ チップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st heater block 2 2nd heater block 3 1st length measuring device 4 2nd length measuring device 5 Work holding 6 1st up-down mechanism 7 2nd up-down mechanism 8 3rd up-down mechanism 9 control part 51 Heater Block 51-1 Heater Block A 51-2 Heater Block B 52 Contact Detector 53 Controller 54 Connection 55 Connection 56 Work Holder 101 Lead Frame 102 Lead Frame Island 103 Chip
Claims (3)
続端子パターンを有するリードフレームを金線等の細線
ワイヤーで接続するワイヤーボンディング装置におい
て、 ディンプル加工されたリードフレーム（「アイランド
部」という）、もしくはチップ裏面を保持・加熱する第
一のヒーターブロックと、 前記リードフレームのインナーリード部を保持・加熱す
る第二のヒーターブロックと、 ボンディング領域の抜き穴を有し前記リードフレームを
上部から保持するワーク押さえと、 を備え、 前記第一のヒーターブロック、前記第二のヒーターブロ
ック、及び前記ワーク押さえは、それぞれ独立した上下
機構に接続し、 さらに前記第一のヒーターブロック、及び前記第二のヒ
ーターブロックにはそれぞれ第一、及び第二の測長器が
接続されている、ことを特徴とするワイヤーボンディン
グ装置。1. A dimple-processed lead frame (referred to as an "island") in a wire bonding apparatus for connecting a semiconductor element (referred to as a "chip") and a lead frame having an external connection terminal pattern with a thin wire such as a gold wire. Or a first heater block for holding and heating the back surface of the chip, a second heater block for holding and heating the inner lead portion of the lead frame, and holding the lead frame from above with a hole in a bonding area. The first heater block, the second heater block, and the work holder are connected to independent vertical mechanisms, respectively, and further, the first heater block, and the second heater block. The first and second length measuring devices are connected to the heater block, respectively. And that, wire bonding and wherein the.
るリードフレームを金線等の細線ワイヤーで接続するワ
イヤーボンディング装置において、 アイランド部を有するリードフレームの前記アイランド
部、もしくはリードフレーム下面にチップが搭載される
ＬＯＣ型半導体パッケージのチップを保持・加熱する第
一のヒーターブロックと、 前記リードフレームのインナーリード部を保持・加熱す
る第二のヒーターブロックと、 ボンディング領域の抜き穴を有し前記リードフレームを
前記第二のヒーターブロックに押しつけてクランプする
ワーク押さえと、 を備え、 前記第二のヒーターブロックは貫通孔を有し、 前記第一のヒーターブロックは前記第二のヒーターブロ
ックの前記貫通孔内を前記貫通孔の開口平面と直交する
方向の一軸方向に第一の駆動手段により移動自在とされ
ると共に、前記第二のヒーターブロックも第二の駆動手
段により前記第一のヒーターブロックと同様な一軸方向
に、且つ前記第一のヒーターブロックと独立に移動自在
とされ、 前記第一のヒーターブロックと前記アイランド部もしく
は前記チップとの距離を測定する第一の測長手段と、 前記第二のヒーターブロックと前記リードフレームのイ
ンナーリード部との距離を測定する第二の測長手段と、 前記第一、及び第二の測定手段からの測定信号に基づ
き、前記第一、第二の駆動手段の移動を制御する指令を
出力する制御手段と、 を備えたことを特徴とするワイヤーボンディング装置。2. A wire bonding apparatus for connecting a semiconductor element and a lead frame having an external connection terminal pattern with a thin wire such as a gold wire, wherein a chip is mounted on the island portion of the lead frame having the island portion or on the lower surface of the lead frame. A first heater block for holding and heating the chip of the LOC type semiconductor package to be used, a second heater block for holding and heating the inner lead portion of the lead frame, and the lead frame having a hole in a bonding area. And a work presser for pressing and clamping the second heater block against the second heater block, wherein the second heater block has a through hole, and the first heater block is inside the through hole of the second heater block. In the direction perpendicular to the opening plane of the through hole. The second heater block is also movable by the first drive unit in the same uniaxial direction as the first heater block, and independently of the first heater block. A first length measuring means for measuring a distance between the first heater block and the island portion or the chip; and a distance between the second heater block and an inner lead portion of the lead frame. A second length measuring means for measuring, and a control means for outputting a command for controlling the movement of the first and second driving means based on a measurement signal from the first and second measuring means, A wire bonding apparatus comprising:
前記第一のヒーターブロックと同様な一軸方向に、且つ
互いに独立に移動自在とされ、前記第三の駆動手段は、
前記第一、第二の測定手段からの測定信号を入力とする
前記制御手段からの指令により前記ワーク押さえの移動
を制御する、ことを特徴とする請求項２記載のワイヤー
ボンディング装置。3. The work presser is movable by a third drive means in the same axial direction as that of the first heater block and independently of each other, and the third drive means comprises:
3. The wire bonding apparatus according to claim 2, wherein the movement of the work holder is controlled by a command from the control unit that receives a measurement signal from the first and second measurement units. 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187732A JP2904194B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Wire bonding equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187732A JP2904194B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Wire bonding equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126494A JPH1126494A (en) | 1999-01-29 |
| JP2904194B2 true JP2904194B2 (en) | 1999-06-14 |
Family
ID=16211225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187732A Expired - Lifetime JP2904194B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Wire bonding equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904194B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023028796A (en) * | 2021-08-20 | 2023-03-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | Substrate conveyance device, substrate conveyance method, and bonding device |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP9187732A patent/JP2904194B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1126494A (en) | 1999-01-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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