JP2900878B2 - セルバッファ制御方式 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セルバッファ制御
方式に関し、特にＡＴＭ通信装置内でセルバッファが二
重化された構成でのセルバッファ制御方式に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のセルバッファ制御方式
は、通信装置の信頼性向上のためにセルバッファが二重
化される場合、保守のための強制切替などにおいて、セ
ルデータの欠落や重複が起きないように、二重化された
セルバッファの動作を合わせるために用いられている。
図３は従来のセルバッファ制御方式の一例を示すブロッ
ク図である。

【０００３】ＡＴＭ通信装置では、ＡＴＭセルの交換処
理（スイッチング）やトラフィック特性変換、セル内部
のデータ処理、セルの伝送路フレームへのマッピングな
どを実施する際に、それぞれの機能において処理の待ち
合わせや速度変換を行うために、セルを一時的に蓄積す
るセルバッファが配設されている。図３では、セルバッ
ファ（＃１）１１−０，１１−１とセルバッファ（＃
２）１６−０，１６−１が従属接続されている例を示し
ている。

【０００４】一般に、これらのセルバッファは機能単
位、保守単位に設けられており、特に図３に示すように
ＳＹＳ０／ＳＹＳ１にて二重化される場合、前後のセル
バッファ間の信号線は交絡がとられている。選択回路
（ＳＥＬ）１４−０，１４−１は二重化されたそれぞれ
のセルバッファ（＃２）１６−０，１６−１からのセル
データ２０−０，２０−１のどちらか一方を選択する回
路である。

【０００５】同様に、選択回路１５−０，１５−１は二
重化されたそれぞれのセルバッファ（＃１）１１−０，
１１−１からのバックプレッシャー信号１９−０，１９
−１のどちらか一方を選択する回路である。ここで、バ
ックプレッシャー信号１９−０，１９−１とは、図３の
ようなセルバッファが従属接続される構成において、後
段のセルバッファ（この場合はセルバッファ＃１）のバ
ッファ容量を削減するために用いられている技術であ
り、例えば、特開平３−１９８５５２号などに示されて
いる。

【０００６】バックプレッシャー制御の原理は以下のよ
うである。なお、説明を簡単にするために、系が一重
（図３においてＳＹＳ０のみ）の場合で説明する。セル
バッファ（＃１）１１−０へのセルの書き込み、読み出
しはセルバッファ＃１制御部２２−０によって行われて
おり、予め決められた種類のセルがセルバッファ（＃
１）１１−０に書き込まれ、ある一定の速度およびタイ
ミングにしたがってセルバッファ（＃１）１１−０から
書き込まれた順にセルが読み出される（ＦＩＦＯ制
御）。

【０００７】この際、セルバッファ（＃１）１１−０に
蓄積されるセル蓄積量は時間的に変化し、有限のバッフ
ァ量を持つセルバッファ（＃１）１１−０がオーバーフ
ローを起こすことがある。そこで、このセルバッファ
（＃１）１１−０がオーバーフローしそうになると、具
体的にはあるしきい値Ｔｂをセル蓄積量が越えると、セ
ルバッファ＃１制御部２２−０は前段のセルバッファ＃
２制御部２５−０に対して、セルバッファ（＃１）１１
−０へのセル送出の一時停止を意味するバックプレッシ
ャー信号１９−０を送出する。

【０００８】セルバッファ＃２制御部２５−０は、この
バックプレッシャー信号１９−０を受信すると、セルバ
ッファ（＃２）１６−０からのセル読み出しを一時停止
し、代わりにセルバッファ（＃１）１１−０に書き込ま
れないセル（Ｂセル）をセル挿入部２６−０から送出す
る。セル検出部２３−０ではＢセルを検出してセルバッ
ファ＃１制御部２２−０に通知し、これに応じてセルバ
ッファ＃１制御部２２−０ではこのＢセルのセルバッフ
ァ（＃１）１１−０への書き込みを行わない。

【０００９】次に、以上のようなセルバッファの構成が
二重化された場合の動作について説明する。すでに説明
した選択回路１４−０，１４−１および選択回路１５−
０，１５−１は、それぞれＳＹＳ０／ＳＹＳ１からのセ
ルデータ、ＳＹＳ０／ＳＹＳ１からのバックプレッシャ
ー信号のいずれか片方を選択する。このとき、それぞれ
の選択回路は同一のＳＹＳを選択する。

【００１０】例えば、選択回路１４−０と選択回路１４
−１は、図示した実線（ＳＹＳ０から）の信号を選択し
たとする。これに応じて、ＳＹＳ０のセルバッファ（＃
２）１６−０からの出力が全く同時にＳＹＳ０，ＳＹＳ
１両方のセルバッファ（＃１）１１−０，１１−１へ入
力されることになる。

【００１１】同様に、バックプレッシャー信号１９−
０，１９−１についても、選択回路１５−０、選択回路
１５−１は図示した実線（ＳＹＳ０から）の信号を選択
する。これに応じて、ＳＹＳ０のセルバッファ＃１制御
部２２−０からのバックプレッシャー信号が、ＳＹＳ０
のセルバッファ＃２制御部２５−０とＳＹＳ１のセルバ
ッファ＃２制御部２５−１の両方に同時に入力される。

【００１２】ここで注意すべきことは、ＳＹＳ０，ＳＹ
Ｓ１それぞれのセルバッファ（＃１）１１−０，１１−
１が、どのようなセル蓄積量である場合にそれぞれが動
作を始めたかによって異なる値を示すことである。例え
ば、先にＳＹＳ０のセルバッファ（＃１）１１−０が動
作を開始したとすると、ＳＹＳ１のセルバッファ（＃
１）１１−１が動作を開始したときには、ＳＹＳ０のセ
ルバッファ（＃１）１１−０はあるセル蓄積量になって
いる。

【００１３】図４は、従来のセルバッファ制御方式の一
例によるセル蓄積量の時間的変化を示すタイムチャート
であり、（ａ）は現用系すなわちＳＹＳ０のセルバッフ
ァ＃１のセル蓄積量の時間的変化を示し、（ｂ）は予備
系のセル蓄積量の時間的変化を示している。グラフの傾
きはセルバッファ＃１の読み出しと書き込みの速度差を
示しており、時刻ｔ１，ｔ３における一定量の（実際に
はある傾きを持つ）減少は、上記バックプレッシャー制
御によりセルバッファ＃１にＢセルが書き込まれず、読
み出しだけがおこなわれたことを示している。

【００１４】なお、図４では、Ｂセル以外のセルはすべ
てセルバッファ＃１に書き込む例を示している。両系の
差は、ＳＹＳ０のセルバッファ（＃１）１１−０の状態
（セル蓄積量）に依存して動作するバックプレッシャー
制御によるものである。

【００１５】ここで、図４の時刻ｔ２以前の状態のま
ま、例えば図５に示す時刻ｔ０に選択回路１５−０，１
５−１を切り替えた場合には、今度はＳＹＳ１のセルバ
ッファ（＃１）１１−１の状態によってバックプレッシ
ャー制御がなされる。このとき、すでにセルバッファ
（＃１）１１−１がオーバーフローする寸前の状態にあ
った場合、すなわちしきい値Ｔｂを大きく越えている場
合、その処理遅延時間のためにバックプレッシャー制御
が間に合わず、セルバッファ（＃１）１１−１がオーバ
ーフローする可能性があり、これは現用系の信号の欠落
を意味する。

【００１６】そこで、従来、このような場合の制御方法
として、図４に示すように、あるタイミング（時刻ｔ２
以前）でセル挿入部２６−０，２６−１から特別なセル
（Ｔセル）を挿入し、このＴセルがセルバッファ（＃
１）１１−０，１１−１に書き込まれてから読み出され
るまでの時間を利用してＳＹＳ０，ＳＹＳ１のセルバッ
ファ（＃１）１１−０，１１−１のセル蓄積量を合わせ
るようにしたものが提案されている。

【００１７】より具体的には、現用系ＳＹＳ０（ＳＹＳ
１）のセル検出部２３−０（２３−１）がＴセルを検出
したとき、セルバッファ＃１制御部２２−０（２２−
１）にこれを通知し、セルバッファ＃１制御部２２−０
（２２−１）はこのときセルバッファ（＃１）１１−０
（１１−１）の書き込みアドレスＣを記憶しておく。こ
のとき、予備系のセル検出部２３−１（２３−０）にも
同時にＴセルが到着しており（時刻ｔ２）、予備系のセ
ルバッファ（＃１）１１−１（１１−０）をリセットし
て空とする。

【００１８】その後、予備系のセルバッファ（＃１）１
１−１（１１−０）からの読み出しを一時停止し、現用
系のセルバッファ＃１制御部２２−０（２２−１）が記
憶した書き込みアドレスＣに格納されたセルを読み出す
とき（時刻ｔ４）に、予備系に対して制御信号２４−０
（２４−１）を通知する。予備系のセルバッファ制御部
２２−１（２２−０）はこの制御信号２４−０（２４−
１）を受信すると、一時停止していたセルバッファ（＃
１）１１−１（１１−０）からの読み出しを再開する。

【００１９】これにより、現用系と予備系のセルバッフ
ァ（＃１）１１−０，１１−１のセル蓄積量を同じ状態
にすることが可能となり、選択回路１５−０，１５−１
により強制切り替えを行った場合に、現用系のセルの欠
落や重複を回避するものとなっていた。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のセルバッファ制御方式では、次のような問題
点があった。まず第１の問題点は、制御が複雑であるこ
とから信頼性が低下する傾向にあるということである。
すなわち従来のセルバッファ制御方式では、ＳＹＳ０，
ＳＹＳ１両系のセルバッファ＃１でのセル蓄積量を一致
させるために、特別なセル（Ｔセル）を定義して挿入す
るものとなっているため、そのセルが欠落した場合など
の異常状態を考慮する必要がある。

【００２１】また、両系セルバッファ＃１制御部間で制
御信号をやり取りすることから、これら制御信号を送受
信する信号線が切断した場合などの故障モードからの復
旧を考慮する必要があり、制御のための状態遷移が複雑
化し、結果的に信頼性が低下する傾向となる。第２の問
題点は、Ｔセルを挿入するタイミングを与える回路が必
要となるということである。すなわちＴセルは、現用系
と予備系のセルバッファ＃１のセル蓄積量に相違が生じ
た場合に挿入する必要があり、この相違を検出してＴセ
ル挿入部に通知する新たな回路構成が必要となる。

【００２２】さらに第３の問題点は、高速処理が難しい
ということである。すなわち両系セルバッファ＃１制御
部間でやり取りする制御信号は、１セル時間以下に通知
することが要求されるため、高速なセルバッファ＃１の
場合に実現が容易ではない。本発明はこのような課題を
解決するためのものであり、複雑な回路構成を必要とせ
ず、信頼性が高くかつ高速処理が可能なセルバッファ制
御方式を提供することを目的としている。

【００２３】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明によるセルバッファ制御方式は、現用
系セルバッファのセル蓄積量が所定しきい値を越えた場
合に両方のセルバッファに対して所定セルを出力する第
１の制御手段と、現用系および予備系セルバッファに入
力されるセルが所定セルであった場合には、これらセル
バッファに対して前記所定セルの書き込みを行わないと
ともに、これらセルバッファのうち予備系セルバッファ
のセル蓄積量が所定範囲内にあるか否か判定し、前記セ
ル蓄積量が所定範囲内にない場合には、前記セル蓄積量
を前記所定範囲内の値に設定する第２の制御手段とを備
えるものである。したがって、現用系セルバッファのセ
ル蓄積量が所定しきい値を越えた場合に両方のセルバッ
ファに対して所定セルが出力され、セルバッファに入力
されるセルが所定セルであった場合には、セルバッファ
に対して所定セルの書き込みを行わず、さらに予備系セ
ルバッファのセル蓄積量が所定範囲内にない場合には、
そのセル蓄積量が所定範囲内の値に設定される。

【００２４】また、第２の制御手段により、予備系セル
バッファのセル蓄積量が所定範囲内にないと判定された
場合には、予備系セルバッファのセル書き込みアドレス
またはセル読み出しアドレスのいずれかを変更すること
により、セル蓄積量を前記所定範囲内の値に設定するよ
うにしたものである。したがって、第２の制御手段によ
り、予備系セルバッファのセル蓄積量が所定範囲内にな
いと判定された場合には、予備系セルバッファのセル書
き込みアドレスまたはセル読み出しアドレスのいずれか
が変更されて、そのセル蓄積量が所定範囲内の値に設定
される。

【００２５】また、第２の制御手段により、予備系セル
バッファのセル蓄積量が所定範囲内にないと判定された
場合には、所定の警報を出力するようにしたものであ
る。したがって、第２の制御手段により、予備系セルバ
ッファのセル蓄積量が所定範囲内にないと判定された場
合には、所定の警報が出力される。

【００２６】

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施の形態であるセル
バッファ制御方式のブロック図であり、同図において、
前述と同じまたは同様部分には同一符号を付してある。
図１において、セルバッファ（＃１）１１−０，１１−
１とセルバッファ（＃２）１６−０，１６−１が従属接
続されているとともにそれぞれ二重化されており、前後
のセルバッファ間の信号線は交絡が取られている。

【００２７】選択回路１４−０，１４−１は二重化され
セルバッファ（＃２）１６−０，１６−１それぞれから
のセルデータ２０−０，２０−１のどちらか一方を選択
する回路である。同様に、選択回路１５−０，１５−１
は二重化されたセルバッファ（＃１）１１−０，１１−
１それぞれのバックプレッシャー信号１９−０，１９−
１のどちらか一方を選択する回路である。

【００２８】バックプレッシャー信号１９−０，１９−
１は、従来例と同様な動作を行う。なお、従来例と同様
に説明を簡単にするために、系が一重（図１においてＳ
ＹＳ０のみ）の場合を例に説明する。セルバッファ（＃
１）１１−０へのセルの書き込み、読み出しはセルバッ
ファ＃１制御部１２−０によって行われており、予め決
められた種類のセルがセルバッファ（＃１）１１−０に
書き込まれ、ある一定の速度およびタイミングにしたが
ってセルバッファ（＃１）１１−０から書き込まれた順
にセルが読み出される（ＦＩＦＯ制御）。

【００２９】この際、セルバッファ（＃１）１１−０に
蓄積されるセル量は時間的に変化し、有限のバッファ量
を持つセルバッファ（＃１）１１−０がオーバーフロー
を起こすことがある。そこで、このセルバッファ（＃
１）１１−０がオーバーフローしそうになった場合、す
なわちしきい値Ｔｂをセル蓄積量が越えた場合、セルバ
ッファ（＃１）制御部１２−０は前段のセルバッファ
（＃２）制御部１７−０に対して、セルバッファ（＃
１）１１−０に書き込まれるセルを送出するのを一時停
止させることを意味するバックプレッシャー信号１９−
０を送出する。

【００３０】セルバッファ（＃２）制御部１７−０は、
このバックプレッシャー信号１９−０を受信すると、セ
ルバッファ（＃２）１６−０からのセル読み出しを一時
停止し、代わりにセルバッファ（＃１）１１−０に書き
込まれないセル（Ｂセル）をセル挿入部１８−０から送
出する。セル検出部１３−０ではＢセルを検出してセル
バッファ（＃１）制御部１２−０に通知し、これに応じ
てセルバッファ＃１制御部１２−０ではこのＢセルのセ
ルバッファ（＃１）１１−０への書き込みを行わない。

【００３１】以上のようなセルバッファの構成が二重化
された場合、前述と同様に、ＳＹＳ０，ＳＹＳ１それぞ
れのセルバッファ（＃１）１１−０，１１−１のセル蓄
積量は、いずれの時点でそれぞれのセルバッファ（＃
１）が動作を始めたかによって異なる値を示す。例え
ば、先にＳＹＳ０のセルバッファ（＃１）１１−０が動
作を開始したとすると、ＳＹＳ１のセルバッファ（＃
１）１１−１が動作を開始したときには、ＳＹＳ０のセ
ルバッファ（＃１）１１−０はあるセル蓄積量になって
いる。

【００３２】図２は本発明のセルバッファ制御方式によ
るセル蓄積量の時間的変化を示すタイムチャートであ
り、（ａ）は現用系すなわちＳＹＳ０のセルバッファ
（＃１）のセル蓄積量の時間的推移、（ｂ）は予備系す
なわちＳＹＳ１のセルバッファ（＃１）のセル蓄積量の
時間的推移を示している。グラフの傾きは、セルバッフ
ァ（＃１）の読み出しと書き込みの速度差を示してお
り、時刻ｔ１，ｔ３における一定量の（実際にはある傾
きを持つ）減少は、上記バックプレッシャー制御により
セルバッファ（＃１）にＢセルが書き込まれなかったこ
とを示している。

【００３３】なお図２では、Ｂセル以外のセルはすべて
セルバッファ（＃１）に書き込むようにした場合を示し
ている。両系の差は、ＳＹＳ０のセルバッファ（＃１）
１１−０の状態（セル蓄積量）に依存して動作するバッ
クプレッシャー制御によるものである。

【００３４】本発明のセルバッファ制御方式は、上記バ
ックプレッシャー制御によるＢセルがセルバッファ（＃
１）１１−０，１１−１に到着するときのタイミングを
利用して、系切替が行われる以前にＳＹＳ１（予備系）
のセル蓄積量を制御して、ＳＹＳ０，ＳＹＳ１のセルバ
ッファ（＃１）１１−０，１１−１のセル蓄積量を合わ
せておくようにしたものである。

【００３５】より具体的には、セル検出部１３−０，１
３−１がＢセルを検出したとき、セルバッファ（＃１）
制御部１２−０，１２−１にこれを通知し、セルバッフ
ァ＃１制御部１２−０，１２−１はこの時のセルバッフ
ァ（＃１）１１−０，１１−１内のセル蓄積量が、ある
一定の範囲内ここではＴｂ以上であってＴｈ以下にない
場合には、強制的にＴｂ以上であってＴｈ以下の範囲に
ある値ａ’になるように、セルバッファ（＃１）１１−
０，１１−１内のセル蓄積量を調整する。

【００３６】すなわち、セルバッファ（＃１）１１−
０，１１−１の書き込みアドレスと読み出しアドレスと
の差がａ’となるように、書き込みアドレスと読み出し
アドレスのいずれか一方を制御する。ここで、しきい値
Ｔｈはバックプレッシャー制御開始からＢセル挿入が開
始されるまでに、セルバッファ（＃１）１１−０，１１
−１に蓄積できる最大のセル蓄積量を示している。

【００３７】したがって、このしきい値Ｔｈはバックプ
レッシャー制御開始からＢセル挿入開始までの遅延時間
と、その間に到着しうるセル数に依存して決定される。
またａはＢセルが到着するまでの遅延時間が平均的な値
であった場合の、Ｂセル到着時のセル蓄積量を示してお
り、例えば図２（ａ）の時刻ｔ２でバックプレッシャー
制御が開始され、平均的な遅延時間を経過した後、時刻
ｔ１でＢセルが到着した場合、セルバッファ（＃１）１
１−０のセル蓄積量はＴｂからａに変化していることに
なる。

【００３８】また、ａ’としてはＴｂ〜Ｔｈの範囲の
値、例えばａの平均予測値などが用いられ、Ｂセル到着
時に予備系セルバッファ（＃１）１１−１のセル蓄積量
をａ’とすることにより、現用系における実際のセル蓄
積量ａを予備系に対して通知することなく、現用系およ
び予備系のセル蓄積量をほぼ一致させることができる。

【００３９】またこれらは、セルバッファ（＃１）１１
−０，１１−１のセル蓄積量が、Ｂセル到着時を除いて
その増加が平均的である場合を前提としており、Ｂセル
到着時における現用系のセルバッファ（＃１）１１−０
のセル蓄積量ａがａ’と大きく異なる場合、例えばＢセ
ル到着までに過渡的に大量のセルが到着した場合には、
予備系セルバッファ（＃１）１１−１に対するセル蓄積
量の制御を停止するようにしてもよい。

【００４０】なお、ａ’の値としては、バックプレッシ
ャー制御の処理遅延時間が常に一定であり、その間にセ
ル蓄積量が一定量増加するのであるならば、現用系のａ
の値と全く同じ値すなわちｔｈとすることが可能であ
る。以上の動作は、現用系および予備系の区別なく行
う。この場合、現用系は図２（ａ）に示すようにＢセル
が到着する場合は、故障時を除いて常にＴｂ以上であっ
てＴｈ以下にあることが保証されており、セルバッファ
（＃１）１１−０，１１−１の書き込みまたは読み出し
アドレスを強制的に制御する必要がなく、したがって現
用系におけるセルの欠落は発生しない。

【００４１】これにより、現用系と予備系のセルバッフ
ァ（＃１）１１−０，１１−１のセル蓄積量を同じ状
態、あるいはその差をある一定範囲内とすることが可能
であり、選択回路１５−０，１５−１により強制的に切
り替えを行っても、現用系におけるセルの欠落や重複が
起こらない信頼性の高いセルバッファ制御方式が得られ
る。

【００４２】また、セルバッファ＃１制御部１１−１
（１１−０）により、予備系のセルバッファ（＃１）１
１−１（１１−０）に対してセル蓄積量の制御を行った
場合には、上位装置に対して警報を出力するようにして
もよい。例えば、バックプレッシャー制御開始からＢセ
ル到着時までの間に、セルバッファ＃１に入力されるセ
ル数が平均的である場合には、Ｂセル到着に応じた予備
系セルバッファ＃１に対するセル蓄積量の制御により、
現用系とのセル蓄積量が必ず一致する。したがって、上
位装置によりこの警報を監視し、この警報が繰り返し発
生する場合には、装置故障の可能性があると判断するこ
とができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、現用系
セルバッファのセル蓄積量が所定しきい値を越えた場合
に両方のセルバッファに対して所定セルを出力し、セル
バッファに入力されるセルが所定セルであった場合に
は、セルバッファに対して所定セルの書き込みを行わ
ず、さらに予備系セルバッファのセル蓄積量が所定範囲
内にあるか否か判定し、セル蓄積量が所定範囲内にない
場合には、セル蓄積量を所定範囲内の値に設定するよう
にしたものである。

【００４４】したがって、従来のように現用系と予備系
との間で各種の制御信号をやり取りする場合と比較し
て、現用系および予備系がそれぞれ独立して動作するも
のとなり、両系間におけるクロックのジッタや制御信号
の伝搬遅延などを考慮する必要がなく、より高速にセル
バッファを制御することができる。また、両系間で制御
信号をやり取りする必要がないことから、制御信号が切
断された場合などからの復旧処理などを考慮する必要が
なく、制御のための状態遷移を簡素化でき、結果的に信
頼性の低下を回避できる。

【００４５】さらに、一般には、これらセルバッファの
セル蓄積量に応じてその前段のセルバッファに対してセ
ル停止を要求するバックプレッシャー制御が行われる場
合が多く、このようなバックプレッシャー制御を有する
場合には、セル停止要求に応じて前段から送出されるＢ
セルを特定セルとして利用することにより、特定セルを
新たに定義する必要がなく、さらにこれらセルの欠落な
どによる異常状態からの復旧手段も利用することがで
き、新たな回路構成を追加することなく、セルの欠落や
重複の発生がないセルバッファ制御方式を得ることが可
能となる。

【００４６】また、予備系セルバッファのセル蓄積量が
所定範囲内にないと判定された場合には、予備系セルバ
ッファのセル書き込みアドレスまたはセル読み出しアド
レスのいずれかを変更することにより、セル蓄積量を前
記所定範囲内の値に設定するようにしたので、簡単な処
理によりセル蓄積量を変更することが可能となり、処理
に要する時間を短縮できる。また、予備系セルバッファ
のセル蓄積量が所定範囲内にないと判定された場合に
は、所定の警報を出力するようにしたので、上位装置に
よりこの警報を監視し、この警報が繰り返し発生する場
合には、装置故障の可能性があると判断することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態によるセルバッファ制
御方式のブロック図である。

【図２】 本発明のセルバッファ制御方式によるセル蓄
積量の時間的変化を示すタイムチャートである。

【図３】 従来のセルバッファ制御方式の一例を示すブ
ロック図である。

【図４】 従来のセルバッファ制御方式によるセル蓄積
量の時間的変化を示すタイムチャートである。

【図５】 従来の他のセルバッファ制御方式によるセル
蓄積量の時間的変化を示すタイムチャートである。

【符号の説明】

１１−０，１１−１…セルバッファ（＃１）、１２−
０，１２−１…セルバッファ（＃１）制御部、１３−
０，１３−１…セル検出部、１４−０，１４−１，１５
−０，１５−１…選択回路、１６−０，１６−１…セル
バッファ（＃２）、１７−０，１７−１…セルバッファ
（＃２）制御部、１８−０，１８−１…セル挿入部、１
９−０，１９−１…バックプレッシャー信号、２０−
０，２０−１…セルデータ。

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力されたＡＴＭセルを一時的に蓄積す
   るとともに蓄積された順にＡＴＭセルを出力する２つの
   セルバッファを二重化構成として有し、所定の切り替え
   指示に応じて現用系セルバッファから予備系セルバッフ
   ァへの切り替え制御を行うセルバッファ制御方式におい
   て、 現用系セルバッファのセル蓄積量が所定しきい値を越え
   た場合に両方のセルバッファに対して所定セルを出力す
   る第１の制御手段と、現用系および予備系 セルバッファに入力されるセルが所
   定セルであった場合には、これらセルバッファに対して
   前記所定セルの書き込みを行わないとともに、これらセ
   ルバッファのうち予備系セルバッファのセル蓄積量が所
   定範囲内にあるか否か判定し、前記セル蓄積量が所定範
   囲内にない場合には、前記セル蓄積量を前記所定範囲内
   の値に設定する第２の制御手段とを備えることを特徴と
   するセルバッファ制御方式。
2. 【請求項２】 請求項１記載のセルバッファ制御方式に
   おいて、 第２の制御手段により、予備系セルバッファのセル蓄積
   量が所定範囲内にないと判定された場合には、予備系セ
   ルバッファのセル書き込みアドレスまたはセル読み出し
   アドレスのいずれかを変更することにより、前記セル蓄
   積量を前記所定範囲内の値に設定するようにしたことを
   特徴とするセルバッファ制御方式。
3. 【請求項３】 請求項１記載のセルバッファ制御方式に
   おいて、 第２の制御手段により、予備系セルバッファのセル蓄積
   量が所定範囲内にないと判定された場合には、所定の警
   報を出力するようにしたことを特徴とするセルバッファ
   制御方式。