JP2891462B2 - Charge holding medium exposure recording method - Google Patents
Charge holding medium exposure recording methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複写機等の記録装置における露光方法に係わ
り、特に静電潜像形成媒体として安定して長期間潜像を
保持することができる電荷保持媒体を利用した記録装置
の露光方法に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure method in a recording apparatus such as a copying machine and the like, and in particular, can stably hold a latent image for a long period as an electrostatic latent image forming medium. The present invention relates to an exposure method for a recording apparatus using a charge holding medium.
一般に、従来の複写機においては、光導電層に電極を
蒸着し、暗所で光導電層上にコロナ帯電により全面帯電
させ、次いで強い光で露光して光の当たった部位の光導
電層を導電性にし、その部位の電荷をリークさせて除去
することにより静電荷潜像を光導電層の面上に光学的に
形成させ、その残留静電荷と逆極性の電荷(または同極
性の電荷)を有するトナーを付着させて現像するものが
使用されている。Generally, in a conventional copying machine, an electrode is deposited on a photoconductive layer, the entire surface of the photoconductive layer is charged by corona charging in a dark place, and then exposed to strong light to expose a portion of the photoconductive layer exposed to light. It is made conductive, and the latent charge is leaked and removed to form an electrostatic latent image optically on the surface of the photoconductive layer. The charge has the opposite polarity (or the same polarity) as the residual electrostatic charge. A toner which is developed by attaching a toner having the following formula is used.
しかしながら従来の複写機における露光方法では、光
電圧で全面コロナ帯電させた後、強い光で露光して静電
潜像を形成しているため、高電圧、大電力を必要とする
という問題があり、また静電荷の保持時間が非常に短い
ために静電潜像形成後、直ちにトナー現像する必要があ
り、静電潜像形成後、任意の時点でトナー現像すること
は不可能であった。However, the conventional exposure method in a copying machine involves a problem that a high voltage and a large power are required because the entire surface is corona-charged by a light voltage and then exposed to strong light to form an electrostatic latent image. Further, since the holding time of the electrostatic charge is very short, it is necessary to develop the toner immediately after the formation of the electrostatic latent image, and it is impossible to develop the toner at any time after the formation of the electrostatic latent image.
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品
質、高解像であると共に、低電圧、低消費電力化を行う
ことができ、露光方法を多様化することが可能な電荷保
持媒体露光方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to solving the above problems, and has a high quality, a high resolution, a low voltage, a low power consumption, and a variety of exposure methods. An object of the present invention is to provide an exposure method.
第1図は本発明の静電画像記録再生方法における記録
方法を説明するための図で、図中、1は感光体、3は電
荷保持媒体、5は光導電層支持体、7は感光体電極、9
は光導電層、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、15は
絶縁層支持体、17は電源である。FIG. 1 is a view for explaining a recording method in the electrostatic image recording / reproducing method of the present invention, wherein 1 is a photosensitive member, 3 is a charge holding medium, 5 is a photoconductive layer support, and 7 is a photosensitive member. Electrode, 9
Denotes a photoconductive layer, 11 denotes an insulating layer, 13 denotes a charge holding medium electrode, 15 denotes an insulating layer support, and 17 denotes a power supply.
第1図においては、感光体1側から露光を行う態様で
あり、まず1mm厚のガラスからなる光導電層支持体5上
に100Å厚のITOからなる透明な感光体電極7を形成し、
この上に10μm程度の光導電層9を形成して感光体1を
構成している。この感光体1に対して、10μm程度の空
隙を介して電荷保持媒体3が配置される。電荷保持媒体
3は1mm厚のガラスからなる絶縁層支持体15上に1000Å
厚のAl電極13を蒸着により形成し、この電極13上に10μ
m厚の絶縁層11を形成したものである。FIG. 1 shows an embodiment in which exposure is performed from the photoconductor 1 side. First, a transparent photoconductor electrode 7 made of ITO having a thickness of 100 mm is formed on a photoconductive layer support 5 made of 1 mm thick glass.
A photoconductive layer 9 having a thickness of about 10 μm is formed thereon to form the photoconductor 1. The charge holding medium 3 is arranged on the photoconductor 1 with a gap of about 10 μm. The charge holding medium 3 is placed on an insulating layer support 15 made of glass having a thickness of 1 mm to a thickness of 1000 mm.
A thick Al electrode 13 is formed by evaporation, and 10 μm
An insulating layer 11 having a thickness of m is formed.
先ず、第1図(イ)に示すように感光体1に対して、
10μm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセットし、
第1図(ロ)に示すように電源17により電極7、13間に
電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高抵抗体で
あるため、電極間には何の変化も生じない。感光体1側
より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層9は
導電性を示し、絶縁層11との間に放電が生じ、絶縁層11
に電荷が蓄積される。First, as shown in FIG.
The charge holding medium 3 is set through a gap of about 10 μm,
As shown in FIG. 1 (b), a voltage is applied between the electrodes 7 and 13 by the power supply 17. In a dark place, since the photoconductive layer 9 is a high-resistance body, no change occurs between the electrodes. When light is incident from the photoreceptor 1 side, the photoconductive layer 9 in the portion where the light is incident shows conductivity, and a discharge occurs between the photoconductive layer 9 and the insulating layer 11.
The electric charge is accumulated.
露光が終了したら、第1図(ハ)に示すように電圧を
OFFにし、次いで、第1図(ニ)に示すように電荷保持
媒体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了す
る。When the exposure is completed, a voltage is applied as shown in FIG.
Turn off, and then take out the charge holding medium 3 as shown in FIG. 1 (d) to complete the formation of the electrostatic latent image.
なお、感光体1と電荷保持媒体3とは上記のように非
接触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体
電極7側から光導電層9の露光部に正または負の電荷が
注入され、この電荷は電荷保持媒体3側の電極13に引か
れて光導電層9を通過し、絶縁層11面に達した所で電荷
移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そし
て、感光体1と電荷保持媒体3とを分離すると、絶縁層
11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。The photoconductor 1 and the charge holding medium 3 may be of a contact type instead of a non-contact type as described above. In the case of the contact type, a positive or negative charge is applied to the exposed portion of the photoconductive layer 9 from the photoconductor electrode 7 side. Charges are injected, and the charges are drawn by the electrode 13 on the charge holding medium 3 side, pass through the photoconductive layer 9, and stop moving when reaching the surface of the insulating layer 11. Is done. Then, when the photoconductor 1 and the charge holding medium 3 are separated, the insulating layer
11 are separated while keeping the charge.
この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写
真法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層
11上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。When this recording method is a planar analog recording, high resolution can be obtained in the same manner as the silver halide photography, and an insulating layer to be formed is formed.
Although the surface charge on 11 is exposed to the air environment, the air has a good insulating performance, so it is stored for a long time without discharging regardless of the light place and the dark place.
この絶縁層11上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁層11の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存するよう
にしてもよい。The charge storage period on the insulating layer 11 is determined by the properties of the insulator, and is affected by the charge trapping characteristics of the insulator in addition to the insulating properties of air. In the above description, charges are described as surface charges.Injected charges may simply accumulate on the surface, and microscopically penetrate into the vicinity of the insulator surface, and electrons or electrons enter the structure of the substance. Since the holes may be trapped, long-term storage is performed. Further, the surface of the insulating layer 11 may be covered with an insulating film or the like and stored in order to prevent physical damage to the charge holding medium or discharge when the humidity is high.
以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持
媒体の構成材料について説明する。Hereinafter, constituent materials of the photoreceptor and the charge holding medium used in the present invention will be described.
光導電層支持体5としては、感光体を支持することが
できるある程度の強度を有していれば、その材質、厚み
は特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフ
ィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシー
ト、金属板(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使
用される。但し、感光体側から光を入射して情報を記録
する装置に用いられる場合には、当然その光を透過させ
る特性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光
体側から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1m
m程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィル
ム、シートが使用される。The material and thickness of the photoconductive layer support 5 are not particularly limited as long as the photoconductive layer support 5 has a certain strength capable of supporting the photoreceptor. For example, a flexible plastic film, metal foil, paper, or the like may be used. Alternatively, a rigid body such as a glass, a plastic sheet, or a metal plate (which can also serve as an electrode) is used. However, when used in a device that records information by irradiating light from the photoconductor side, it is naturally necessary to have the property of transmitting that light.For example, when using natural light as incident light and using it in a camera that enters from the photoconductor side Has a thickness of 1m
A transparent glass plate of about m or a plastic film or sheet is used.
感光体電極7は、光導電層支持体5に金属のものが使
用される場合を除いて光導電層支持体5に形成され、そ
の材質は比抵抗値が106Ω・cm以下であれば限定されな
く、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である。
このような感光体電極7は、光導電層支持体5上に、蒸
着、スパッタリング、CVD、コーティング、メッキ、デ
ィッピング、電解重合等により形成される。またその厚
みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性、および
情報の記録の際の印加電圧による変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば、100〜3000Å程度で
ある。この感光性体電極7も光導電層支持体5と同様
に、情報光を入射させる必要がある場合には、上述した
光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(400〜700
nm)であれば、ITO(In2O3−SnO2)、SnO2等をスパッタ
リング、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共
にインキ化してコーティングしたような透明電極や、A
u、Al、Ag、Ni、Cr等を蒸着、またはスパッタリングで
作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(TCN
Q)、ポリアセチレン等のコーティングによりある有機
透明電極等が使用される。The photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 except when a metal is used for the photoconductive layer support 5, and the material thereof is as long as the specific resistance value is 10 6 Ω · cm or less. There is no limitation, and an inorganic metal conductive film, an inorganic metal oxide conductive film, or the like can be used.
Such a photoconductor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 by vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, or the like. It is necessary to change the thickness depending on the electrical characteristics of the material constituting the photoreceptor electrode 7 and the voltage applied when recording information. For example, in the case of aluminum, the thickness is about 100 to 3000 °. Similarly to the photoconductive layer support 5, the photosensitive electrode 7 is required to have the above-mentioned optical characteristics when information light needs to be incident thereon. For example, when the information light is visible light (400 to 700
nm), a transparent electrode such as ITO (In 2 O 3 -SnO 2 ), SnO 2, etc., which is formed by sputtering, vapor deposition, or inking and coating a fine powder thereof with a binder.
Translucent electrodes made of u, Al, Ag, Ni, Cr, etc. by evaporation or sputtering, tetracyanoquinodimethane (TCN
Q), an organic transparent electrode or the like which is coated with polyacetylene or the like is used.
また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電極
材料が使用できるが、場合によっては可視光をカットす
るために、着色された可視光吸収電極も使用できる。When the information light is infrared (700 nm or more) light, the above electrode material can be used. In some cases, a colored visible light absorbing electrode can also be used to cut off visible light.
更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も、上記
電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が紫
外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。Further, when the information light is ultraviolet light (400 nm or less), the above-mentioned electrode materials can be basically used, but those in which the electrode substrate material absorbs ultraviolet light (organic polymer materials, soda glass, etc.) are not preferable. A material that transmits ultraviolet light, such as quartz glass, is preferable.
光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリ
ア(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅を
移動することができる導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。The photoconductive layer 9 is a conductive layer in which photocarriers (electrons and holes) are generated in the irradiated portion when light is irradiated, and the carriers can move in a layer width. In particular, an electric field exists. In this case, the effect is remarkable. The material is composed of an inorganic photoconductive material, an organic photoconductive material, an organic-inorganic hybrid type photoconductive material, or the like.
以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法
について説明する。Hereinafter, a method for forming the photoconductive material and the photoconductive layer will be described.
(A)無機感光体(光導電体) 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモ
ルファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。(A) Inorganic Photoreceptor (Photoconductor) Examples of inorganic photoreceptor materials include amorphous silicon, amorphous selenium, cadmium sulfide, and zinc oxide.
(イ)アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては 水素化アモルファスシリコン(a−Si:H) フッ素化アモルファスシリコン(a−Si:F) ・これらに対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、Al、Ga、In、Tl等をドーピングによりP型(ホー
ル輸送型)にしたもの、 ・P、Ag、Sb、Bi等をドーピングによりN型(電子輸送
型)にしたもの、 がある。(A) Amorphous silicon photoreceptor As an amorphous silicon photoreceptor, hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) fluorinated amorphous silicon (a-Si: F) ・ Those not doped with impurities, ・ B, Al , Ga, In, Tl, etc. are made P-type (hole transport type) by doping; and P, Ag, Sb, Bi, etc. are made N-type (electron transport type) by doping.
感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガ
スを水素ガスなどと共に低真空中に導入し(1例-2〜1To
rr)、グロー放電により加熱、或いは加熱しない電極基
板上に准積して成膜するか、単に加熱した電極基板上に
熱化学的に反応形成するか、或いは固体原料を蒸着、ス
パッター法により成膜し、単層、或いは積層で使用す
る。膜厚は1〜50μmである。As a method for forming the photoconductive layer by introducing silane gas, an impurity gas together such as hydrogen gas in the low vacuum (example -2 ~1To
rr), a film is formed by pre-stacking on an electrode substrate heated or not heated by glow discharge, a thermochemical reaction is formed on a heated electrode substrate, or a solid material is formed by vapor deposition and sputtering. Used as a film, a single layer or a laminate. The film thickness is 1 to 50 μm.
また、透明電極7から電荷が注入され、露光していな
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極7の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりa−SiN層、a−SiC
層、SiO2層、A l2O3層等の絶縁層を設けるとよい。この
絶縁層を余り厚くしすぎると露光したおき電流が流れな
いので、少なくとも1000Å以下とする必要があり、作製
し易さ等を考慮すると400〜500Å程度が望ましい。Further, a charge injection preventing layer can be provided on the surface of the photoreceptor electrode 7 in order to prevent charge from being injected from the transparent electrode 7 and being exposed as if it were not exposed. As the charge injection preventing layer, an a-SiN layer, a-SiC layer is formed on one or both of the electrode substrate and the uppermost layer (surface layer) of the photoreceptor by glow discharge, vapor deposition, sputtering or the like.
It is preferable to provide an insulating layer such as a layer, a SiO 2 layer, and an Al 2 O 3 layer. If the insulating layer is too thick, no current will flow when exposed to light, so it must be at least 1000 ° or less, and preferably about 400-500 ° in consideration of ease of fabrication.
また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電
極基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Siにボロンをドープしたa−Si:H
(n+)は、ホールの輸送特性が上がって整流効果が得ら
れ、電荷注入防止層として機能する。Further, as the charge injection preventing layer, it is preferable to provide a charge transporting layer having a charge transporting ability of a polarity opposite to the polarity of the electrode substrate on the electrode substrate by utilizing a rectifying effect. Is positive, an electron transport layer is provided. For example, a-Si: H in which boron is doped in Si
(N + ) enhances the hole transporting property, provides a rectifying effect, and functions as a charge injection preventing layer.
(ロ)アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 アモルファスセレン(a−Se) アモルファスセレンテルル(a−Se:Te) アモルファスひ素セレン化合物(a−As2Se3) アモルファスひ素セレン化合物+Te がある。(B) Amorphous selenium photoconductor Amorphous selenium photoconductor includes amorphous selenium (a-Se) amorphous selenium tellurium (a-Se: Te) amorphous arsenic selenium compound (a-As 2 Se 3 ) amorphous arsenic selenium compound + Te .
この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また
電荷注入阻止層としてSiO2、A l2O3、SiC,SiN層を蒸
着、スパッター、グロー放電法等により電極基板上に設
けられる。また上記〜を組み合わせ、積層型感光体
としてもよい。感光体層の膜圧はアモルファスシリコン
感光体と同様である。This photoreceptor is prepared by vapor deposition and sputtering, and a SiO 2 , Al 2 O 3 , SiC, SiN layer as a charge injection blocking layer is provided on the electrode substrate by vapor deposition, sputtering, glow discharge or the like. Further, the above-mentioned may be combined to form a laminated photoreceptor. The film pressure of the photoconductor layer is the same as that of the amorphous silicon photoconductor.
(ハ)硫化カドミウム(CdS) この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング
法により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱による蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラズ
マ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモルフ
ァス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条件を
選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配向)
を得ることもできる。コーティングの場合は、CdS粒子
(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒
を添加して基板上にコーティングするとよい。(C) Cadmium sulfide (CdS) This photoreceptor is prepared by coating, vapor deposition, and sputtering. In the case of vapor deposition, solid particles of CdS are placed on a tungsten board and deposited by resistance heating, or EB
(Electron beam) This is performed by vapor deposition. In the case of sputtering, deposition is performed on a substrate in argon plasma using a CdS target. In this case, CdS is usually deposited in an amorphous state, but a crystalline alignment film (oriented in the film thickness direction) can be obtained by selecting sputtering conditions.
You can also get In the case of coating, CdS particles (particle diameter: 1 to 100 μm) may be dispersed in a binder, and a solvent may be added to coat on a substrate.
(ニ)酸化亜鉛(Zn O) この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜100
μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加して基板
上にコーティングを行って得られる。またCVD法として
は、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属と酸素ガ
スを低真空中(10-2〜1Torr)で混合し、加熱した電極
基板(150〜400℃)上で化学反応させ、酸化亜鉛膜とし
て堆積させる。この場合も膜厚方向に配向した膜が得ら
れる。(D) Zinc oxide (Zn O) This photoreceptor is manufactured by a coating method or a CVD method. As the coating method, ZnS particles (particle size 1 to 100
μm) is dispersed in a binder, a solvent is added, and coating is performed on a substrate. In the CVD method, an organic metal such as diethyl zinc or dimethyl zinc and oxygen gas are mixed in a low vacuum (10 -2 to 1 Torr), and a chemical reaction is performed on a heated electrode substrate (150 to 400 ° C.) to oxidize. Deposited as a zinc film. Also in this case, a film oriented in the film thickness direction can be obtained.
(B)有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光
体とがある。(B) Organic Photoreceptor The organic photoreceptor includes a single-layer type photoreceptor and a function-separated type photoreceptor.
(イ)単層系感光体 単層系感光体は電荷発生生物質と電荷輸送物質の混合
物からなっている。(A) Single-layer photoreceptor The single-layer photoreceptor is composed of a mixture of a charge generating raw material and a charge transport material.
<電荷発生物質系> 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、ア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロ
シアニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、
シアニン染料系、メチン染料系が使用される。<Charge-generating substance type> It is a substance that easily absorbs light to generate an electric charge, and includes, for example, an azo pigment, a disazo pigment, a trisazo pigment, a phthalocyanine pigment, a perylene pigment, a pyrylium dye,
Cyanine dyes and methine dyes are used.
<電荷輸送物質系> 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒ
ドラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール
系、カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、
ナフタレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、ア
ミン系、芳香族アミン系等がある。<Charge transporting substance type> It is a substance having good ionizing charge transporting properties, for example, hydrazone type, pyrazoline type, polyvinyl carbazole type, carbazole type, stilbene type, anthracene type,
There are naphthalene type, tridiphenylmethane type, azine type, amine type, aromatic amine type and the like.
また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を
形成させ、電荷移動錯体としてもよい。Further, a charge transfer complex may be formed by forming a complex between the charge generation material and the charge transport material.
通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感
光特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混
ぜて錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリ
ビニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400nm波長近傍しか感じ
ないが、PVK−TNF錯体は650nm波長域まで感じるように
なる。Normally, a photoreceptor has photosensitivity determined by the light absorption characteristics of a charge generating substance. However, if a charge generating substance and a charge transporting substance are mixed together to form a complex, the light absorption properties change. For example, polyvinyl carbazole (PVK) is an ultraviolet light. Only in the region, trinitrofluorenone (TNF) only feels around 400 nm wavelength, while the PVK-TNF complex feels up to 650 nm wavelength region.
このような単層系感光体の膜槽は、10〜50μmが好ま
しい。The film thickness of such a single-layer photoreceptor is preferably 10 to 50 μm.
(ロ)機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする
性質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、
光吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞ
れの特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷
発生層と電荷輸送層を積層したタイプである。(B) Function-separated type photoreceptor Although the charge generating material easily absorbs light, it has the property of trapping light, and the charge transporting material has good charge transporting properties.
Light absorption characteristics are not good. Therefore, the two are separated so as to sufficiently exhibit their respective characteristics, and the charge generation layer and the charge transport layer are stacked.
<電荷発生層> 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、
ジスアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザ
ンセン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウ
ム色素系、ペリレン系、メチン系、a−Se、a−Si、ア
ズレニウム塩系、スクアリウム塩系等がある。<Charge Generating Layer> Examples of the material for forming the charge generating layer include azo-based materials,
There are disazo type, trisazo type, phthalocyanine type, acid xansen dye type, cyanine type, styryl dye type, pyrylium dye type, perylene type, methine type, a-Se, a-Si, azulenium salt type, squarium salt type and the like.
<電荷輸送層> 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾ
ン系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン
系、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等があ
る。<Charge Transport Layer> Examples of the material forming the charge transport layer include hydrazone, pyrazoline, PVK, carbazole, oxazole, triazole, aromatic amine, amine, triphenylmethane, and polycyclic aromatic compounds. Group compounds.
機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生
物質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送
層を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を
0.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚とすると
よい。As a method for producing a function-separated type photoreceptor, a charge generating substance is first dissolved in a solvent and applied on an electrode, and then the charge transport layer is dissolved in a solvent and applied to the charge transport layer.
It is preferable that the thickness of the charge transport layer be 0.1 to 10 μm and the thickness of the charge transport layer be 10 to 50 μm.
なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合
にも、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブ
タジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリニビルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリ
メチルメタクリレート(PMMA)樹脂、メタミン樹脂、ポ
リイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料各1部に
対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにする。コー
ティング法としては、ディッピン法で、蒸着法、スパッ
ター法等を使用することができる。In addition, in any case of the single-layer type photoreceptor and the function separation type photoreceptor, as a binder, a silicone resin, a styrene-butadiene copolymer resin, an epoxy resin, an acrylic resin,
0.1 to 10 parts of saturated or unsaturated polyester resin, polycarbonate resin, polynivir acetal resin, phenol resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, methamine resin, polyimide resin, etc. for each part of charge generation material and charge transport material Add to make it easy to adhere. As the coating method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like can be used by a dipping method.
次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。 Next, the charge injection preventing layer will be described in detail.
電荷注入防止層は、光導電層9の両表面の少なくとも
一方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流
(電極からの電荷注入)、すなわち露光していないにも
かかわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動す
る現像を防止するために設けることができるのである。The charge injection preventing layer is provided on at least one of both surfaces of the photoconductive layer 9 or on both surfaces, even though the dark current (charge injection from the electrode) when the voltage of the photoconductive layer 9 is applied, that is, not exposed. It can be provided to prevent development in which charges move in the photosensitive layer as if exposed.
この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を
利用した層と整流効果を利用した層との二種類のものが
ある。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したもの
は、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導
電層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を
入射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層
には光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホー
ル)が存在するための高電界が加わり、トンネル効果を
起こして、電荷注入防止層を通過して電流が流れるもの
である。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有
機絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいは
これらの積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例
えばAs2O3、B2O3、Bi2O3、CdS、CaO、CeO2、Cr2O3、Co
O、CeO2、HfO2、Fe2O3、La2O3、MgO、MnO2、Nd2O3、Nb2
O5、PbO、Sb2O3、SiO2、SeO2、Ta2O5、TiO2、WO3、V
2O5、Y2O5、Y2O3、ZrO2、BaTiO3、Al2O3、Bi2TiO5、CaO
−SrO、CaO−Y2O3、Cr−SiO、LiTaO3、PbTiO3、PbZr
O3、ZrO2−Co、ZrO2−SiO2、AlN、BN、NbN、Si3N4、Ta
N、TiN、VN、ZrN、SiC、TiC、WC、Al4C3等をグロー放
電、蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、こ
の層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル
効果の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。
次ぎに整流効果を利用した電流注入防止層は、整流効果
を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有す
る電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止
層は無機光導電層、誘起光導電層、有機無機複合型光導
電層で形成され、その膜厚は0.1〜10μm程度である。
具体的には、電極がマイナスの場合はB、Al、Ga、In等
をトーブしたアモルファスシリコン光導電層、アモルフ
ァスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン、ポ
リビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン、ナ
フタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニルメタ
ン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂鋳に分散し
て形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、P、
N、As、Sb、Bi等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタ
リング、CVD、コーティング等の方法により形成され
る。The charge injection preventing layer includes two types, a layer using a so-called tunneling effect and a layer using a rectifying effect. First, in a device utilizing the so-called tunneling effect, current does not flow to the photoconductive layer or the insulating layer surface due to the charge injection preventing layer only by applying a voltage, but when light is incident, it corresponds to an incident portion. A high electric field is applied to the charge injection prevention layer due to the presence of one of the charges (electrons or holes) generated in the photoconductive layer, causing a tunnel effect and causing a current to flow through the charge injection prevention layer. is there. Such a charge injection prevention layer is formed of a single layer such as an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, and an insulating monomolecular film, or a laminated layer thereof. As the inorganic insulating film, for example, As 2 O 3, B 2 O 3, Bi 2 O 3, CdS, CaO, CeO 2, Cr 2 O 3, Co
O, CeO 2 , HfO 2 , Fe 2 O 3 , La 2 O 3 , MgO, MnO 2 , Nd 2 O 3 , Nb 2
O 5, PbO, Sb 2 O 3, SiO 2, SeO 2, Ta 2 O 5, TiO 2, WO 3, V
2 O 5 , Y 2 O 5 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 , Bi 2 TiO 5 , CaO
-SrO, CaO-Y 2 O 3 , Cr-SiO, LiTaO 3, PbTiO 3, PbZr
O 3 , ZrO 2 -Co, ZrO 2 -SiO 2 , AlN, BN, NbN, Si 3 N 4 , Ta
N, TiN, VN, ZrN, SiC, TiC, WC, Al 4 C 3 and the like are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering and the like. The thickness of this layer is determined for each material used in consideration of the insulating property for preventing charge injection and the tunnel effect.
Next, as the current injection preventing layer utilizing the rectifying effect, a charge transporting layer having a charge transporting ability having a polarity opposite to that of the electrode substrate is provided by utilizing the rectifying effect. That is, such a charge injection preventing layer is formed of an inorganic photoconductive layer, an induced photoconductive layer, and an organic-inorganic hybrid photoconductive layer, and has a thickness of about 0.1 to 10 μm.
Specifically, when the electrode is negative, B, Al, Ga, amorphous silicon photoconductive layer towed with In, etc., amorphous selenium, or oxadiazole, pyrazoline, polyvinylcarbazole, stilbene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane, Organic photoconductive layer formed by dispersing triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine, etc. in resin casting. If the electrode is positive, P,
An amorphous silicon photoconductive layer doped with N, As, Sb, Bi, or the like, a ZnO photoconductive layer, or the like is formed by a method such as glow discharge, vapor deposition, sputtering, CVD, or coating.
次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作
製方法について説明する。Next, a charge holding medium material and a method for manufacturing the charge holding medium will be described.
電荷保持媒体3は感光体1と共に用いられて、電荷保
持媒体3を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録された情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。The charge holding medium 3 is used together with the photoreceptor 1 to record information as a distribution of electrostatic charges on the surface of the insulating layer 11 constituting the charge holding medium 3 or inside thereof.
The charge holding medium itself is used as a recording medium. Therefore, the shape of the charge holding medium can take various shapes depending on the recorded information or the recording method.
絶縁層支持体15は、上記のような電荷保持媒体3を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体5と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体3がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。The insulating layer support 15 strongly supports the charge holding medium 3 as described above, but is basically made of the same material as the photoconductive layer support 5 and has the same light transmittance. May be required. Specifically, when the charge holding medium 3 takes the shape of a flexible film, tape, or disk, a flexible plastic film is used, and when strength is required, a rigid sheet, glass, or the like is used. An inorganic material or the like is used.
電荷保持媒体電極13は、基本的には感光体電極7と同
じでよく、上述した感光体電極7と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。The charge storage medium electrode 13 may be basically the same as the photoreceptor electrode 7, and is formed on the insulating layer support 15 by the same forming method as the photoreceptor electrode 7 described above.
絶縁層11は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で1014Ω・
cm以上の絶縁性を有することが要求される。このような
絶縁層11は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、コーティ
ング、ディッピングするか、または蒸着、スパッタリン
グ法により層形成させることができる。Since the insulating layer 11 records information on the surface or inside thereof as a distribution of static charges, high insulating properties are required to suppress the movement of charges, and the specific resistance is 10 14 Ω ·
It is required to have insulation properties of not less than cm. Such an insulating layer 11 can be formed by dissolving a resin or rubber in a solvent and coating or dipping, or by vapor deposition or sputtering.
ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレ
ン,ポリプロピレン,ビニル樹脂,スチロール樹脂,ア
クリル樹脂,ナイロン66、ナイロン6,ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー,弗素樹脂,セルロース樹
脂,フェノール樹脂,ユリア樹脂,ポリエステル樹脂,
エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂,メラミン樹脂、シ
リコン樹脂,フェノオキシ樹脂,芳香族ポリイミド,PP
O,ポリスルホン等、またポリイソプレン,ポリブタジエ
ン,ポリクロロプレン,イシブチレン,極高ニトリル、
ポリアクリルゴム,クロロスルホン化ポリエチレン,エ
チレン.プロピレンラバー,弗素ゴム,シリコンラバ
ー,多硫化系合成ゴム,ウレタンゴム等のゴムの単体、
あるいは混合物が使用される。Here, examples of the resin and rubber include polyethylene, polypropylene, vinyl resin, styrene resin, acrylic resin, nylon 66, nylon 6, polycarbonate, acetal homopolymer, fluorine resin, cellulose resin, phenol resin, urea resin, and polyester resin. ,
Epoxy resin, flexible epoxy resin, melamine resin, silicone resin, phenoxy resin, aromatic polyimide, PP
O, polysulfone, etc., polyisoprene, polybutadiene, polychloroprene, isibutylene, extra-high nitrile,
Polyacryl rubber, chlorosulfonated polyethylene, ethylene. Rubber alone such as propylene rubber, fluorine rubber, silicon rubber, polysulfide synthetic rubber, urethane rubber,
Alternatively, a mixture is used.
またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィル
ム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等
を電荷保持媒体電極13上に接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成されるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム
等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、デ
ィッピングすることにより層形成してもよい。Further, a layer is formed by attaching a silicon film, a polyester film, a polyimide film, a fluorine-containing film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polyparabanic acid film, a polycarbonate film, a polyamide film or the like to the charge holding medium electrode 13 via an adhesive or the like. Formed or layered by coating and dipping by adding a necessary curing agent, solvent, etc. to thermoplastic resin, thermosetting resin, ultraviolet curable resin, electron beam curable resin, rubber, etc. Is also good.
また絶縁層11として、ラングミュアー・ブロジェト法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜の使用
することができる。As the insulating layer 11, a monomolecular film formed by a Langmuir-Blodgett method or a monomolecular cumulative film can be used.
またこれら絶縁層11には、電極面との間、または絶縁
層11上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷保
持強化層とは、強電界(104V/cm以上)が印加された時
には電荷が注入するが、低電界(104V/cm以下)では電
荷が注入しない層のことをいう。電荷保持強化層として
は、例えばSiO2、Al2O3、SiC、SiN等が使用でき、有機
系物質としては例えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキ
シレン蒸着膜が使用できる。In addition, a charge retention enhancing layer can be provided between the insulating layer 11 and the electrode surface or on the insulating layer 11. The charge retention enhancing layer refers to a layer into which electric charge is injected when a strong electric field (10 4 V / cm or more) is applied, but which is not injected at a low electric field (10 4 V / cm or less). As the charge retention enhancing layer, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , SiC, SiN or the like can be used, and as the organic substance, for example, a polyethylene deposited film or a polyparaxylene deposited film can be used.
また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層11
に、電子供与性を有する物質(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい。ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン(TCNQ)トリニトロフルオ
レノン(TNF)等が使用され、一種、または混合して使
用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂等に
対して0.001〜10%程度添加して使用される。In order to more stably hold the electrostatic charge, the insulating layer 11
In addition, a substance having an electron-donating property (donor material) or a substance having an electron-accepting property (acceptor material) may be added. Donor materials include styrene, pyrene,
There are naphthalene-based, anthracene-based, pyridine-based, and azine-based compounds. Specifically, tetrathiofulvalene (TT
F), polyvinyl pyridine, polyvinyl naphthalene, polyvinyl anthracene, polyazine, polyvinyl pyrene, polystyrene and the like are used, and one kind or a mixture is used. As the acceptor material, there are a halogen compound, a cyan compound, a nitro compound and the like, and specifically, tetracyanoquinodimethane (TCNQ) trinitrofluorenone (TNF) and the like are used, and one kind or a mixture is used. The donor material and the acceptor material are used by adding about 0.001 to 10% to the resin or the like.
さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体
中に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体
としては周期律表第IA族(アルカリ金属)、同IB族(銅
族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同IIB族(亜鉛
族)、同IIIA族(アルミニウム族)、同IIIB族(希土
類)、同IVB族(チタン族)、同VB族(バナジウム
族)、同VIB族(クロム)、同VIIB族(マンガン族)、
同VIII族(鉄族、白金族)、また同IVA族(炭素族)と
しては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同VA蔟(窒素族)
としてはアンチモン、ビスマス、同V1A族(酸素族)と
して硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使用される。ま
た上記元素単体のうち金属類は金属イオン、微細粉状の
合金、有機金属、錯体の形態としても使用することがで
きる。更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化
物、ハロゲン化物の形態で使用することができる。これ
らの添加物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体に
ごく僅か添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対し
て0.01〜10重量%程度でよい。また絶縁層11は、絶縁性
の点からは少なくても1000Å(0.1μm)以上の厚みが
必要であり、フレキシビル性の点からは100μm以下が
好ましい。Further, in order to stably hold the charge, elemental element fine particles can be added to the charge holding medium. Elemental elements include the following elements in the periodic table: Group IA (alkali metal), Group IB (copper group), Group IIA (alkaline earth metal), Group IIB (zinc group), Group IIIA (aluminum group), IIIB (rare earth), IVB (titanium), VB (vanadium), VIB (chromium), VIIB (manganese),
Group VIII (iron group, platinum group) and group IVA (carbon group) include silicon, germanium, tin, lead, and VA mounting (nitrogen group)
Antimony, bismuth, and sulfur, selenium, and tellurium are used in the form of fine powder as Group V1A (oxygen group). Metals among the above elemental elements can be used in the form of metal ions, fine powdery alloys, organic metals, and complexes. Further, the above element simple substance can be used in the form of an oxide, a phosphate, a sulfate, or a halide. These additives may be added to the charge holding medium such as the above-mentioned resins and rubbers in a very small amount, and may be added in an amount of about 0.01 to 10% by weight based on the charge holding medium. The insulating layer 11 needs to have a thickness of at least 1000 ° (0.1 μm) from the viewpoint of insulating properties, and preferably 100 μm or less from the viewpoint of flexibilizing properties.
第2図は本発明による電荷保持媒体露光方法を示す図
で、101はミラー、104は現像機、105はペーパーまたは
フィルム、106は転写装置、107は定着ロール、108は供
給ロール、109は巻き取りロール、110はイレーザーであ
る。FIG. 2 is a view showing a charge holding medium exposure method according to the present invention, wherein 101 is a mirror, 104 is a developing machine, 105 is a paper or film, 106 is a transfer device, 107 is a fixing roll, 108 is a supply roll, and 109 is a roll. The taking roll 110 is an eraser.
図示しない原稿面を照射したレーザー光等の走査光ま
たはスリット光はミラー101を介して感光体1に照射さ
れる。感光体1は紙面に垂直に細長い形状をしており、
回転するドラム上の電荷保持媒体3との間には所定の電
圧が印加されている。その結果原稿の画像濃度に応じて
ドラム状電荷保持媒体3の上に静電潜像が記録される。
形成された静電潜像は現像機104でトナー現像され、さ
らにコロトロン等からなる転写装置106によりベーパー
またはフィルム105へ転写され、ヒーターを内蔵した定
着ロール107で定着される。転写後、残留している電荷
保持媒体上の電荷はイレーザー110により消去され、次
の露光に備えられる。イレーザー110は電荷保持媒体3
上の電荷をリークするためのもので、液体状、固体状等
任意の導電性のもので、電荷保持媒体に接触させること
により電荷をリークできるものであればよく、また、AC
コロナで残留電荷をキャンセルするようにしてもよい。Scanning light such as laser light or slit light that irradiates a document surface (not shown) is irradiated on the photoconductor 1 via a mirror 101. The photoreceptor 1 has an elongated shape perpendicular to the paper surface,
A predetermined voltage is applied between the rotating drum and the charge holding medium 3 on the rotating drum. As a result, an electrostatic latent image is recorded on the drum-shaped charge holding medium 3 according to the image density of the document.
The formed electrostatic latent image is developed with a toner by a developing device 104, further transferred to a vapor or a film 105 by a transfer device 106 composed of a corotron or the like, and fixed by a fixing roll 107 having a built-in heater. After the transfer, the remaining charge on the charge holding medium is erased by the eraser 110, and is prepared for the next exposure. Eraser 110 is charge storage medium 3
It is for leaking the above electric charge, and may be any conductive material such as liquid, solid, etc., as long as it can leak the electric charge by being brought into contact with the electric charge holding medium.
The residual charge may be canceled by a corona.
本実施例における電荷保持媒体露光方法は電荷保持媒
体3上に画像情報を静電潜像として記録するようにした
ので潜像は長時間安定に保持され、その結果従来の複写
機のような厳密は電位コントロールを必要とせず、しか
も微小な光量にも応答することができるので、露光装置
の低電圧化と低消費電力化を図ることができる。In the charge holding medium exposure method in this embodiment, image information is recorded as an electrostatic latent image on the charge holding medium 3, so that the latent image is stably held for a long time. Does not require potential control and can respond to a small amount of light, so that the exposure apparatus can be reduced in voltage and power consumption.
第3図は本発明の他の実施例を示す図、第2図と同一
番号は同一内容を示している。なお、120は磁気ブラシ
現像装置、121は回転マグネット、122は電極である。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, and the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same contents. In addition, 120 is a magnetic brush developing device, 121 is a rotating magnet, and 122 is an electrode.
本実施例においては、電荷保持媒体はペーパーまたは
フィルム状の絶縁体からなり、紙面に垂直方向に細長い
感光体1に対向して同様に細長い形状の電極122を電荷
保持媒体3を介して別途配置し、感光体1と電極122と
の間に所定の電圧を印加して画像をペーパーまたはフィ
ルム状の絶縁体に記録しようとするものである。In the present embodiment, the charge holding medium is made of a paper or film-shaped insulator, and a similarly elongated electrode 122 is separately arranged via the charge holding medium 3 so as to face the photosensitive member 1 elongated in the direction perpendicular to the paper surface. Then, a predetermined voltage is applied between the photoconductor 1 and the electrode 122 to record an image on a paper or film-like insulator.
次に作用を説明すると、図示しない原稿面からのレー
ザー走査光またはスリット光で細長い感光体1を照射す
る。一方、ペーパー状の電荷保持媒体3は電極122と接
触しながら供給ロール108、巻き取りロール109で連続的
に搬送されており、感光体1と電極122との間に電圧を
印加することにより、電荷保持媒体3には画像情報に応
じた静電潜像が順次形成される。ペーパー状電荷保持媒
体に形成された静電潜像は、磁気ブラシ現像装置120に
よりトナー現像され、第3図(ロ)に示すようにトナー
像が形成される。磁気ブラシ現像装置120は回転マグネ
ット121を有し、マグネットの回転により磁性トナー粒
子がブラシ状になって回転し、記録媒体と接触して現像
するようになっている。その後、図示しない定着装置に
より定着される。Next, the operation will be described. The elongated photosensitive member 1 is irradiated with laser scanning light or slit light from a document surface (not shown). On the other hand, the paper-shaped charge holding medium 3 is continuously conveyed by the supply roll 108 and the take-up roll 109 while being in contact with the electrode 122, and by applying a voltage between the photoconductor 1 and the electrode 122, An electrostatic latent image corresponding to image information is sequentially formed on the charge holding medium 3. The electrostatic latent image formed on the paper-like charge holding medium is developed with toner by the magnetic brush developing device 120 to form a toner image as shown in FIG. The magnetic brush developing device 120 has a rotating magnet 121, and the rotation of the magnet causes the magnetic toner particles to be turned into a brush shape and rotated to come into contact with a recording medium for development. Thereafter, the image is fixed by a fixing device (not shown).
本実施例では電荷保持媒体自体が複写媒体となるの
で、転写プロセスを省略することができる。勿論、ペー
パー状電荷保持媒体からさらに他の用紙等に転写するよ
うにしてもよい。また、電荷保持媒体が長期間安定に潜
像電位を保持できれば、現像は任意の時点で行うことが
でき、装置を構成する場合にも潜像電位形成部分と現像
部分等を分離して構成することも可能である。In this embodiment, since the charge holding medium itself is a copy medium, the transfer process can be omitted. Of course, the image may be transferred from the paper-like charge holding medium to another sheet or the like. Further, if the charge holding medium can stably hold the latent image potential for a long period of time, development can be performed at any time, and even when configuring an apparatus, the latent image potential forming portion and the developing portion are separated from each other. It is also possible.
第4図は面露光するようにした本発明の他の実施例を
示す図である。FIG. 4 is a view showing another embodiment of the present invention in which surface exposure is performed.
本実施例においては、感光体1を面状に形成し、ペー
パーまたはフィルム状電荷保持媒体3を挟んで感光体1
と対向配置する電極122を感光体と同様面状に形成して
いる。そして、電荷保持媒体3を間欠送りして露光時、
所定位置で停止させ、順次露光を行っていく。このよう
に面露光であるので、露光時間を大幅に短縮することが
可能である。In this embodiment, the photoconductor 1 is formed in a planar shape, and the photoconductor 1 is sandwiched by a paper or film-shaped charge holding medium 3.
Are formed in a planar shape like the photoconductor. Then, at the time of exposure by intermittently feeding the charge holding medium 3,
The exposure is stopped at a predetermined position, and the exposure is sequentially performed. Since the surface exposure is performed as described above, the exposure time can be significantly reduced.
第5図(イ)は磁気ブラシ現像装置120を電荷保持媒
体に対して感光体と対向配置した構成を示し、電荷保持
媒体3は第5図(ロ)に示すように電極がない単なる絶
縁フィルムであり、磁気ブラシ現像装置をアースし、感
光体1の電極に所定の電圧を印加する。そして、光源10
2により原稿面を照射し、その反射光で感光体1を面露
光すると、フィルム状電荷保持媒体3に静電潜像が形成
され、同時に現像装置120でトナー現像される。現像装
置120は、回転マグネット121を有して磁気トナー粒子を
回転させ、磁気トナー粒子をブラシ状にして電荷保持媒
体3に接触させることにより露光と同時に現像し、トナ
ー像は露光装置と反対側に形成される。この場合、現像
装置は電極の機能も兼ね、磁気トナー粒子を介して電荷
保持媒体のチャージをアースしているので、露光面全体
にわたって電荷保持媒体と対向させるのが望ましく、そ
のために必要に応じて複数の現像装置を配置するように
する。こうして現像した後ヒーター107で熱定着する。FIG. 5 (a) shows a configuration in which the magnetic brush developing device 120 is arranged to face the photoreceptor with respect to the charge holding medium, and the charge holding medium 3 is a simple insulating film without electrodes as shown in FIG. 5 (b). Then, the magnetic brush developing device is grounded, and a predetermined voltage is applied to the electrode of the photoconductor 1. And light source 10
When the surface of the original is irradiated with the light 2 and the surface of the photoreceptor 1 is exposed with the reflected light, an electrostatic latent image is formed on the film-like charge holding medium 3, and the toner is developed by the developing device 120 at the same time. The developing device 120 has a rotating magnet 121, rotates the magnetic toner particles, makes the magnetic toner particles in a brush shape, and contacts the charge holding medium 3 to thereby develop simultaneously with the exposure. Formed. In this case, since the developing device also functions as an electrode and grounds the charge of the charge holding medium via the magnetic toner particles, it is desirable that the charge holding medium is opposed to the charge holding medium over the entire exposed surface. A plurality of developing devices are arranged. After development in this way, the toner is thermally fixed by the heater 107.
なお、本実施例の場合には電荷保持媒体が単にフィル
ム状絶縁体で電極を有していないため、現像装置に電極
の機能を兼ねさせ、その結果大きな現像装置、或いは複
数の現像装置を必要とする場合があるので、面露光でな
くスリット光、或いは走査ビーム光による露光方法を用
い、現像装置を細長い小型の形状とするものが好まし
い。In this embodiment, since the charge holding medium is not a film-shaped insulator and has electrodes, the developing device also functions as an electrode, and as a result, a large developing device or a plurality of developing devices is required. Therefore, it is preferable to use an exposure method using slit light or scanning beam light instead of surface exposure, and to make the developing device into an elongated and small shape.
第6図(イ)は磁気ブラシ現像装置120を電荷保持媒
体に対して感光体と同じ側に配置する場合で、電荷保持
媒体3は、第6図(ロ)に示すように絶縁層支持体15上
に電極13を、さらにその上に絶縁層が形成された通常の
構成とし、感光体の電極をと電荷保持媒体の電極13との
間に所定の電圧を印加して露光することにより静電潜像
を形成し、現像は露光後任意時間後に行えばよく、トナ
ー像は露光側に形成される。FIG. 6 (a) shows a case where the magnetic brush developing device 120 is disposed on the same side as the photoconductor with respect to the charge holding medium. The charge holding medium 3 is made of an insulating layer support as shown in FIG. 6 (b). The electrode 13 has a normal configuration in which an electrode 13 is further formed thereon, and an insulating layer is further formed thereon, and a predetermined voltage is applied between the electrode of the photoreceptor and the electrode 13 of the charge holding medium to expose the electrode to exposure. An electrostatic latent image may be formed and development may be performed any time after exposure, and a toner image is formed on the exposed side.
次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィ
ルタについて説明する。Next, a color filter used for forming a color image will be described.
第7図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、31、33、35はプリズムブロック、37、39、41はフィ
ルタ、43、45は反射鏡である。FIG. 7 is a diagram showing a color separation optical system using a prism. In the drawing, 31, 33, and 35 are prism blocks, 37, 39, and 41 are filters, and 43 and 45 are reflection mirrors.
色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プ
リズムブロック71のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ37からB色光成分が取り出される。残りの光情報
はプリズムブロック33に入射し、c面まで進んで一部が
分離反射され、フィルタ39からG色光成分、他は直進し
てフィルタ41からR色光成分が取り出される。そして、
G,B色光成分を、反射鏡43、45で反射させることによ
り、R,G,B光を平行光をして取り出すことができる。The color separation optical system is composed of three prism blocks. Light information incident from the surface a of the prism block 71 is partially reflected and reflected on the surface b, further reflected on the surface a, and a B color light component is extracted from the filter 37. It is. The remaining light information enters the prism block 33, proceeds to the c-plane, and is partially reflected, and the G color light component passes from the filter 39 and the other goes straight to extract the R color light component from the filter 41. And
By reflecting the G and B color light components by the reflecting mirrors 43 and 45, the R, G and B lights can be extracted as parallel light.
このようなフィルタ51を、第8図に示すように感光体
1の前面に配置して撮影することにより、第8図(ロ)
のようにR、G、B分解した電荷保持媒体3セットで1
コマを形成するか、また第8図(ハ)示すように1平面
上にR、G、B像として並べて1セットで1コマとする
こともできる。By arranging such a filter 51 in front of the photoreceptor 1 as shown in FIG. 8 and photographing, the filter 51 shown in FIG.
1 set for 3 sets of charge-retaining medium that has been decomposed into R, G, and B
Frames may be formed, or one set of R, G, and B images may be arranged on one plane as shown in FIG.
第9図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例え
ば、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパタ
ーンで露光してR、G、Bストライプパターンを形成
し、それぞれR、G、B染色することにより形成する方
法、または第7図のような方法で色分解した光を、それ
ぞれ細いスリットに通すことにより生じるR,G,Bの干渉
縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成す
る方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、
静電潜像によるR,G,Bストライプパターンを形成し、こ
れをトナー現像して3回転写することによりカラー合成
してトナーのストライプを形成する方法等により形成す
る。このような方法で形成されたフィルムのR,G,B1組で
1画素を形成し、1画素を10μm程度の微細なものにす
る。このフィルムを第8図のフィルタ51として使用する
ことによりカラー静電潜像を形成することができる。こ
の場合、フィルタは感光体と離して配置しても、あるい
は感光体と一体に形成するようにしてもよい。FIG. 9 is a view showing an example of a fine color filter. For example, a resist-coated film is exposed by a mask pattern to form R, G, and B stripe patterns, which are formed by dyeing R, G, and B, respectively. 7, or a method in which R, G, B interference fringes generated by passing the color-separated light through the method shown in FIG. 7 through a narrow slit are recorded on a hologram recording medium, or a photoconductive method. Expose by putting a mask on the body,
An R, G, B stripe pattern is formed by an electrostatic latent image, and is developed by toner development and transferred three times to form a color composite by forming a toner stripe. One pixel is formed by one set of R, G, and B of the film formed by such a method, and one pixel is made as fine as about 10 μm. By using this film as the filter 51 in FIG. 8, a color electrostatic latent image can be formed. In this case, the filter may be arranged separately from the photoconductor, or may be formed integrally with the photoconductor.
第10図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図、フレネルレンズによってR,G,Bパ
ターンを縮小して記録することができ、また通常のレン
ズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能となる。Fig. 10 shows an example in which a fine color filter and a Fresnel lens are combined.The R, G, B pattern can be reduced and recorded by the Fresnel lens, and a lens design that is thinner and more compact than a normal lens is possible. It becomes possible.
第11図はND(Neutral Density)フィルタとR、G、
Bフィルターを併用した3面分割の例を示す図で、入射
光をNDフィルター81、83及び反射ミラー85で3分割し、
それぞれRフィルター87、Gフィルター89、Bフィルタ
ー91を通すことにより、R、G、B光を平行光として取
り出すことができる。Fig. 11 shows ND (Neutral Density) filter and R, G,
FIG. 4 is a diagram showing an example of three-plane division using a B filter together, where incident light is divided into three by ND filters 81 and 83 and a reflection mirror 85;
R, G, and B light can be extracted as parallel light by passing through the R filter 87, the G filter 89, and the B filter 91, respectively.
本発明は、静電潜像形成媒体として電荷保持媒体を使
用し、原稿面からの情報光で直接電荷保持媒体上に静電
潜像を形成して該静電潜像をトナー現像して転写するも
ので、全面コロナ帯電をした後、静電潜像をしないので
低電圧化、低消費電力を図ることが可能であり、また面
状アナログ記録を行うことにより解像度を上げることが
できる。さらに、電荷保持媒体を平面状、ドラム状に構
成して従来のような複写機を構成することができると共
に、電荷保持媒体を連続紙または連続フィルムから構成
し、それ自体を複写用紙として使用することにより転写
プロセスを省略して複写機の構成を簡素化する等複写機
の多様化を図ることが可能となる。The present invention uses a charge holding medium as an electrostatic latent image forming medium, forms an electrostatic latent image directly on the charge holding medium with information light from a document surface, and develops and transfers the electrostatic latent image with toner. Since no electrostatic latent image is formed after the entire surface is corona-charged, low voltage and low power consumption can be achieved, and resolution can be increased by performing planar analog recording. Further, the charge holding medium can be formed in a flat shape or a drum shape to form a conventional copying machine, and the charge holding medium can be formed of continuous paper or continuous film, and can be used as a copy paper. This makes it possible to diversify the copying machine, for example, by omitting the transfer process and simplifying the configuration of the copying machine.
以下、実施例を説明する。 Hereinafter, examples will be described.
〔実施例1〕…電荷保持媒体の作製方法 メチルフェニルシリコン樹脂10g、キシレン−ブタノ
ール1:1溶媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤(金属
触媒):商品名CR−15を1重量%(0.2g)加えてよく攪
拌し、Alを1000Å蒸着したガラス基板上にドクターブレ
ード4ミルを用いてコーティングを行った。その後150
℃、1hrの乾燥を行ない。膜圧10μmの電荷保持媒体
(a)を得た。Example 1 Method for Producing a Charge Retaining Medium To a mixed solution having a composition of 10 g of methylphenylsilicone resin and 10 g of xylene-butanol 1: 1 solvent, 1% by weight of a curing agent (metal catalyst): trade name CR-15 (0.2 g), and the mixture was stirred well, and coated on a glass substrate on which Al was deposited at 1000 ° using a doctor blade 4 mil. Then 150
Dry at ℃ for 1 hour. A charge holding medium (a) having a film pressure of 10 μm was obtained.
また上記混合液を、Alを1000Å蒸着した100μmポリ
エステルフィルム上に同様の方法でコーディングし、次
いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体(b)を得た。In addition, the above mixed solution was coated on a 100 μm polyester film on which Al was deposited at 1000 ° in the same manner, and then dried to obtain a film-shaped charge holding medium (b).
また上記混合液を、Alを1000Å蒸着した4インチディ
スク形状アクリル(1mm厚)基板上にスピンナー2000rpm
でコーディングし、50℃、3hr乾燥させ、膜厚7μmの
ディスク状電荷保持媒体(c)を得た。The above mixed solution was spin-coated on a 4-inch disk-shaped acrylic (1 mm thick) substrate on which Al was vapor-deposited at 1000 °
And dried at 50 ° C. for 3 hours to obtain a disk-shaped charge holding medium (c) having a thickness of 7 μm.
また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を0.1g添加
し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μmの膜厚を
有する電荷保持媒体(d)を得た。Further, 0.1 g of zinc stearate was further added to the above mixed solution, and the same coating and drying were performed to obtain a charge retaining medium (d) having a film thickness of 10 μm.
〔実施例2〕 ポリイミド樹脂10g、N−メチルピロリドン10gの組成
を有する混合液を、Alを1000Å蒸着したガラス基板上に
スピンナーコーティング(1000rpm、20秒)した。溶媒
を乾燥させるため150℃で30分間、前乾燥を行った後、
硬化させるため350℃、2時間加熱した。膜厚8μmを
有する均一な被膜が形成された。Example 2 A mixed solution having a composition of 10 g of a polyimide resin and 10 g of N-methylpyrrolidone was spin-coated (1000 rpm, 20 seconds) on a glass substrate on which Al was deposited at 1000 °. After pre-drying at 150 ° C for 30 minutes to dry the solvent,
It was heated at 350 ° C. for 2 hours for curing. A uniform coating having a thickness of 8 μm was formed.
〔実施例3〕…単層系有機感光体(PVK−TNF)作製方法 ポリ−N−ビニルカルバゾール10g(亜南香料(株)
製)、2,4,7−トリニトロフルオレノン10g、ポリエステ
ル樹脂2g(バインダー:バイロン200東洋紡(株)
製)、テトラハイドロフラン(THF)90gの組成を有する
混合液を暗所で作製し、In2O3−SnO2を約1000Åの膜厚
でスパッターしたガラス基板(1mm厚)に、ドクターブ
レードを用いて塗布し、60℃で約1時間通風乾燥し、膜
厚約10μmの光導電層を有する感光層を得た。又完全に
乾燥を行うために、更に1日自然乾燥を行って用いた。Example 3 Method for producing single-layer organic photoreceptor (PVK-TNF) 10 g of poly-N-vinyl carbazole (Anan Kofu Co., Ltd.)
Manufactured), 2,4,7-trinitrofluorenone 10 g, polyester resin 2 g (binder: Byron 200 Toyobo Co., Ltd.)
A mixed solution having a composition of 90 g of tetrahydrofuran (THF) was prepared in a dark place, and a doctor blade was applied to a glass substrate (1 mm thick) on which In 2 O 3 -SnO 2 was sputtered to a thickness of about 1000 mm. It was then applied and dried by ventilation at 60 ° C. for about 1 hour to obtain a photosensitive layer having a photoconductive layer having a thickness of about 10 μm. In order to dry completely, it was further dried naturally for one day before use.
〔実施例4〕…アモルファスシリコンaSi:H無機感光体
を作製方法。Example 4 A method for producing an amorphous silicon aSi: H inorganic photoreceptor.
基板洗浄 SnO2の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニン
グ社7059ガラス(23×16×0.9t、光学研磨済)をトリク
ロロエタン、アセトン、エタノール各液中、この順番に
各々10分ずつ超音波洗浄する。Substrate cleaning SnO 2 thin film transparent electrode layer one surface provided with Corning 7059 glass (23 × 16 × 0.9t, optical polished) trichloroethane, acetone, ethanol each liquid, ten minutes each in this order super Sonic clean.
装置の準備 洗浄の済んだ基板を第12図の反応室204内のアノード2
06上に熱伝導が十分であるようにセットした後反応室内
を10-5Torr台までD・Pにより真空引きし、反応容器お
よびガス管の焼出しを150℃〜350℃で約1時間行い、焼
出しの後装置を冷却する。Preparation of Apparatus The cleaned substrate is placed in the anode 2 in the reaction chamber 204 shown in FIG.
After setting the heat conduction on the 06, the reaction chamber is evacuated to 10 -5 Torr by DP, and the reaction vessel and gas pipe are baked out at 150-350 ° C for about 1 hour. After baking out, cool the device.
a・Si・H(n+)の堆積 ガラス基板が350℃になるようにヒーターを208調整、
加熱し、予めタンク201内で混合しておいたPH3/SiH4=
1000ppmのガスをニードルバルブとPMBの回転数を制御す
ることによって反応室204の内圧が200m Torrになるよう
に流し内圧が一定になった後、Matching Box203を通じ
て、40WのR f Power 202(13.56KHz)を投入し、カソー
ド・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分間行
い、Rfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。a ・ Si ・ H (n + ) deposition 208 heaters were adjusted so that the temperature of the glass substrate was 350 ℃.
PH 3 / SiH 4 preheated and mixed in tank 201 =
After controlling the number of revolutions of the needle valve and the PMB so that the internal pressure of the reaction chamber 204 becomes 200 mTorr and the internal pressure becomes constant, a 40 W R f Power 202 (13.56 KHz) is passed through the matching box 203. ) To form a plasma between the cathode and the anode. The deposition is performed for 4 minutes, the supply of Rf is stopped, and the needle valve is closed.
その結果、ブロッキング層を構成する約0.2μmのa
・Si:H(n+)膜が基板上に堆積された。As a result, about 0.2 μm
-A Si: H (n + ) film was deposited on the substrate.
a・Si:Hの堆積 SiH4100%ガズをと同じ方法で内圧が200Torrになる
ように流し、内圧が一定になったところで、Matching B
ox203を通じて40WのR f power 202(13.56KHz)を投入
し、プラズマを形成して70分間維持する。堆積終了はRf
の投入を止め、ニードルバルブを閉じる。Heater208 Of
f後、基板が冷えているから取り出す。a. Deposition of Si: H 100% gas of SiH 4 was flowed in the same manner as in the above to keep the internal pressure at 200 Torr, and when the internal pressure became constant, Matching B
Apply 40 W of R f power 202 (13.56 KHz) through ox203 to form a plasma and maintain it for 70 minutes. End of deposition is Rf
Stop feeding and close the needle valve. Heater208 Of
After f, remove the substrate because it is cold.
この結果、約18.8μmの膜がa・Si:H(n+)膜上に堆
積された。As a result, a film of about 18.8 μm was deposited on the a.Si:H(n + ) film.
こうしてSnO2/a・Si:H(n+)ブロッキング層/a・Si:H
(non/dope)20μmの感光体を作製することができた。Thus, SnO 2 / a · Si: H (n + ) blocking layer / a · Si: H
A (non / dope) 20 μm photoconductor was able to be produced.
〔実施例5〕…アモルファスセレン−テルル無機感光体
の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(Te)が13重量%の割合で
混合された金属粒を用い、蒸着法によりa−Se−Te薄膜
を真空度10-5Torr、抵抗加熱法でITOガラス基板上に蒸
着した。膜厚は1μmとした。さらに真空度を維持た状
態で、同じく抵抗加熱法でSeのみの蒸着を行いa−Se−
Te層上に10μma−Se層を積層した。Example 5 Method for Producing Amorphous Selenium-Tellurium Inorganic Photoreceptor An a-Se-Te thin film was formed by vapor deposition using metal particles in which selenium (Se) was mixed with tellurium (Te) at a ratio of 13% by weight. Was deposited on an ITO glass substrate by a resistance heating method at a degree of vacuum of 10 −5 Torr. The film thickness was 1 μm. Further, while maintaining the degree of vacuum, vapor deposition of only Se was performed by the same resistance heating method, and a-Se-
A 10 μma-Se layer was laminated on the Te layer.
〔実施例6〕…機能分離型感光体の作製方法 (電荷発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの組成
を有する混合液を250ml容積のステンレス容器に入れ、
更にガラスビーズNo3、180mlを加え、振動ミル(安川電
機製作所KED9−4)により、約4時間の粉砕を行い粒経
〜5μmのクロロシアンブルーを得る。ガラスビーズを
濾過後、ポリカーボネート、ユーピロンE−2000(三菱
ガス化学)を0.4g加え約4時間攪拌する。この溶液をIn
2O3−SnO2を約1000Åスパッターしたガラス基板(1mm
厚)にドクターブレードを用いて塗布し、膜厚約1μm
の電荷発生層を得た。乾燥は室温で1日行った。Example 6 Method for Producing a Function-separated Photoreceptor (Method for Forming Charge Generation Layer) A mixed solution having a composition of 0.4 g of chlorodian blue and 40 g of dichloroethane was placed in a 250 ml stainless steel container,
Further, 180 ml of glass beads No. 3 is added, and crushed for about 4 hours by a vibration mill (KED9-4, Yaskawa Electric Seisakusho) to obtain chlorocyan blue having a particle size of ~ 5 µm. After filtering the glass beads, 0.4 g of polycarbonate and Iupilone E-2000 (Mitsubishi Gas Chemical) is added and stirred for about 4 hours. In this solution
2 O 3 -SnO 2 to about 1000Å sputtered glass substrate (1mm
Thickness) using a doctor blade to a thickness of about 1 μm
Was obtained. Drying was performed at room temperature for one day.
4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデヒド
−1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g、ポリカーボネー
ト(ユーピロンE−2000)0.1g、ジクロルエタン2.0gの
組成を有する混合液をドクターブレードにて、上記電荷
発生層上に塗布し、約10μmの電荷輸送層を得た。乾燥
は60℃で2時間行った。A mixture having a composition of 0.1 g of 4-dibenzylamino-2-methylbenzaldehyde-1,1'-diphenylhydrazone, 0.1 g of polycarbonate (Iupilone E-2000) and 2.0 g of dichloroethane was charged with a doctor blade to the above-mentioned charge generating layer. Coating on top to obtain a charge transport layer of about 10 μm. Drying was performed at 60 ° C. for 2 hours.
〔実施例7〕 (電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチリラール樹脂(積水化学、SLE
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムClO4塩、 0.5g、ガラスビーズNo、133gとを混合し、タッチミキ
サーで1日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレ
ード、またはアプリケーターでガラス板上に積層したIT
O上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の
膜厚は1μm以下。[Example 7] (Method for forming charge generation layer) Butyralal resin (Sekisui Chemical, SLE
C) 0.25 g, azulhenium ClO 4 salt having the following structural formula, 0.5 g, glass beads No., 133 g were mixed, stirred for 1 day with a touch mixer, well dispersed and then laminated on a glass plate with a doctor blade or applicator.
It was applied on O and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness after drying is 1 μm or less.
(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ユーピロンE2000)0.5gと下記の構造式で示さ
れるビドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生層
上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚10μm
以下であった。(Method of forming charge transport layer) 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) in 9.5 g of tetrahydrofuran and a hydrazone derivative represented by the following structural formula (Anan perfume, CTC191) Then, the mixture was mixed with 0.5 g and applied on the charge generating layer with a doctor blade, and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. 10 μm thick
It was below.
〔実施例8〕 (電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積水化
学、SLEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.25g、4.10
−ジブロモアンスアンスロン0.25g、ガラスビーズNo.1
を33g、タッチミキサーで1日間攪拌し、よく分散させ
たものをドクターブレード、またはアプリケーターでガ
ラス板上に積層したITO上に塗布し、60℃、2時間以上
乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚1μm以下であっ
た。[Example 8] (Method of forming charge generation layer) In 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC), 0.25 g of titanyl phthalocyanine, 4.10
-0.25 g of dibromoanthranthrone, glass beads No. 1
Was stirred for 1 day with a touch mixer, and the well-dispersed mixture was applied to ITO laminated on a glass plate with a doctor blade or an applicator and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The dried film had a thickness of 1 μm or less.
(電荷輸送層の作製方法) ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート(三菱ガス
化学、ユーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラゾン誘導体
(阿南香料、CTC191)0.5gを溶解し、ドクターブレード
で、上記電荷発生層上に塗布、60℃、2時間以上乾燥さ
せた。膜厚は10μm以上であった。(Preparation method of charge transport layer) In 9.5 g of dichloroethane, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) and 0.5 g of the above hydrazone derivative (Anan fragrance, CTC191) were dissolved, and the above-mentioned charge generation layer was placed on the charge generation layer with a doctor blade. The coating was performed and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or more.
〔実施例9〕…電荷注入防止層を設けた機能分離型感光
体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコーターにより0.5
〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥させた。[Example 9] ... Method of producing a function-separated type photoreceptor provided with a charge injection preventing layer (Method of forming charge injection preventing layer) Soluble polyamide (Toa Gosei Chemical, FS-175SV10) on ITO laminated on a glass plate 0.5 by spin coater
11 μm coating, dried at 60 ° C. for 2 hours or more.
(電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積水化学、SLEC)
0.5g、前記したアズレニウムClO4塩0.5g、ガラスビーズ
No、133gとを混合し、タッチミキサーで1日間攪拌し、
よく分散させものをドクターブレード、またはアプリケ
ーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、60℃、2時間
以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚1μm以下であ
った。(Formation method of charge generation layer) Butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC) in 10 g of butyl acetate
0.5 g, the above-mentioned azurenium ClO 4 salt 0.5 g, glass beads
No, 133g and stir with touch mixer for 1 day,
The mixture was well dispersed and applied to the charge injection preventing layer with a doctor blade or an applicator and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The dried film had a thickness of 1 μm or less.
(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ユービロンE2000)0.5gと前記したヒドラゾン
誘導体(阿南香料、CTC191)0.5gとを溶解させ、ドクタ
ーブレードで上記電荷発生層上に塗布し、60℃、2時間
以上乾燥させた。膜厚は10μm以下であった。(Method of forming charge transport layer) In 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ubilon E2000) and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (Anan perfume, CTC191) are dissolved, and the above-mentioned charge generation layer is placed on the charge generation layer with a doctor blade. It was applied and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.
〔実施例10〕 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコーターにより0.5
〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥させた。Example 10 (Method for Forming Charge Injection Prevention Layer) Soluble polyamide (Toa Gosei Chemical Co., FS-175SV10) was applied on ITO laminated on a glass plate by a spin coater for 0.5 minute.
11 μm coating, dried at 60 ° C. for 2 hours or more.
(電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積水化
学、SLEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.25g、4.10
−ジブロモアンスアンスロン0.25g、ガラスビーズNo.1
を33g、タッチミキサーで1日間攪拌し、よく分散させ
たものをドクターブレード、またはアプリケーターでー
上記電荷注入防止層上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥
させた。乾燥後の被膜は、膜厚1μm以下であった。(Method of forming charge generation layer) 0.5 g of butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC), 0.25 g of titanyl phthalocyanine, 4.10 in 20 g of tetrahydrofuran
-0.25 g of dibromoanthranthrone, glass beads No. 1
Was stirred for 1 day with a touch mixer, and the resulting mixture was well dispersed and applied to the above-mentioned charge injection preventing layer with a doctor blade or an applicator and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The dried film had a thickness of 1 μm or less.
(電荷輸送層の形成方法) 溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート
(三菱ガス化学、ユーピロンE2000)0.5g、前記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5gとを溶解し、ドク
ターブレードで上記電荷発生層上に塗布、60℃、2時間
以上乾燥させた。膜厚は10μm以上であった。(Method of forming charge transport layer) In 9.5 g of dichloroethane as a solvent, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (Anan Perfume, CTC191) are dissolved, and the above-mentioned charge is generated with a doctor blade. It was applied on the layer and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or more.
〔実施例11〕 (感光体電極層の形成方法) 青板ガラス上に、酸化インジウム錫(ITO、比抵抗100
Ω・cm2)をスパッタリング法により蒸着させた。Example 11 (Method of forming photoconductor electrode layer) Indium tin oxide (ITO, specific resistance 100
Ω · cm 2 ) was deposited by a sputtering method.
また、EB法により同様に蒸着させることができる。 In addition, vapor deposition can be similarly performed by the EB method.
(電荷注入防止層の形成方法) 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング
法により蒸着させた。(Method of Forming Charge Injection Prevention Layer) On the photoreceptor electrode layer, silicon dioxide was deposited by a sputtering method.
膜厚は100〜3000Åとすることができ、また二酸化珪
素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、また
スパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着させ
ることができる。The film thickness can be 100 to 3000 °, aluminum oxide may be used instead of silicon dioxide, and vapor deposition can be similarly performed by EB instead of sputtering.
(電荷発生層の形成方法) 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含
有量13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。(Method of forming charge generation layer) Selenium-tellurium (tellurium content: 13% by weight) was deposited on the charge injection preventing layer by resistance heating. The film thickness is 2
μm or less.
(電荷輸送層の成形方法) 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法
により蒸着させた。膜厚は10μm以下である。(Method of Forming Charge Transport Layer) Granular selenium was deposited on the charge generation layer by a resistance heating method. The film thickness is 10 μm or less.
以上のように本発明によれば、走査光、スリット光に
よる露光、あるいは面露光も行うことができるので、露
光方法の多様化を可能にし、特に面露光の場合には露光
速度を大幅にアップすることができ、複写の高速化を行
うことが可能となる。また、コロナ帯電を行わないので
高電圧を必要とせず、電荷保持媒体の潜像形成に要する
光量は少なくて済むので、低電圧化、低消費電力化を図
ることができると共に、電荷保持媒体は長期間潜像電位
を安定に保持するので、任意の時点でトナー現像するこ
とができ、その結果露光部分と現像部分等を分離した複
写機を構成することも可能となる。As described above, according to the present invention, exposure using scanning light, slit light, or surface exposure can also be performed, so that it is possible to diversify the exposure method, and in particular, in the case of surface exposure, the exposure speed is greatly increased. And the speed of copying can be increased. In addition, since corona charging is not performed, a high voltage is not required, and the amount of light required for forming a latent image on the charge holding medium can be reduced, so that low voltage and low power consumption can be achieved, and the charge holding medium can be used. Since the latent image potential is stably maintained for a long period of time, toner development can be performed at any time, and as a result, it is possible to configure a copying machine in which an exposed portion and a developed portion are separated.
第1図は本発明の複写装置に使用される電荷保持媒体を
説明するための図、第2図は本発明による電荷保持媒体
露光方法を示す図、第3図はペーパー状電荷保持媒体を
使用した本発明の他の実施例を示す図、第4図は面露光
を行うようにした本発明の他の実施例を示す図、第5図
は磁気ブラシ現像装置を電荷保持媒体に対して感光体と
対向配置する本発明の他の実施例を示す図、第6図は磁
気ブラシ現像装置を電荷保持媒体に対して感光体と同じ
側に配置する場合の実施例を示す図、第7図は色分解光
学系の構成を示す図、第8図はカラー静電潜像を形成す
る場合の説明図、第9図は微細カラーフィルタの例を示
す図、第10図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを
組み合わせた例を示す図、第11図はNDフィルタとR、
G、Bフィルタの併用による3面分割を示す図、第12図
はa−Si:H感光体の作製方法を説明するための図であ
る。 1…感光体、3…電荷保持媒体、101…ミラー、104…現
像機、105…ペーパーまたはフィルム、106…転写装置、
107…定着ロール、108…供給ロール、109…巻き取りロ
ール、110…イレーザー。FIG. 1 is a view for explaining a charge holding medium used in the copying apparatus of the present invention, FIG. 2 is a view showing a charge holding medium exposure method according to the present invention, and FIG. 3 uses a paper-like charge holding medium. FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention in which surface exposure is performed, and FIG. 5 is a diagram showing a magnetic brush developing device exposed to a charge holding medium. FIG. 6 is a view showing another embodiment of the present invention in which the magnetic brush developing device is arranged to face the body, and FIG. 6 is a view showing an embodiment in which the magnetic brush developing device is arranged on the same side of the charge holding medium as the photosensitive body. FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a color separation optical system, FIG. 8 is an explanatory diagram for forming a color electrostatic latent image, FIG. 9 is a diagram showing an example of a fine color filter, and FIG. FIG. 11 shows an example of combining lenses, FIG. 11 shows an ND filter and R,
FIG. 12 is a diagram showing three-plane division by using both G and B filters, and FIG. 12 is a diagram for explaining a method of manufacturing an a-Si: H photoconductor. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photoreceptor, 3 ... Charge holding medium, 101 ... Mirror, 104 ... Developing machine, 105 ... Paper or film, 106 ... Transfer device,
107: fixing roll, 108: supply roll, 109: take-up roll, 110: eraser.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−156840(JP,A) 特開 昭63−1163(JP,A) 特開 昭59−139061(JP,A) 特開 昭55−130543(JP,A) 特開 昭56−126855(JP,A) 特開 昭62−291845(JP,A) 特公 昭57−55140(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03G 13/05 G03G 15/05 Continuation of the front page (56) References JP-A-56-156840 (JP, A) JP-A-63-1163 (JP, A) JP-A-59-139061 (JP, A) JP-A-55-130543 (JP, A) , A) JP-A-56-126855 (JP, A) JP-A-62-291845 (JP, A) JP-B-57-55140 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB G03G 13/05 G03G 15/05
Claims (3)
と、基板上に電極、1014Ω・cm以上の比抵抗を持つ絶縁
層を積層した電荷保持媒体との問に電圧を印加した状態
で感光体に光を照射することにより電荷保持媒体上に静
電潜像を形成し、トナー現像する電荷保持媒体露光記録
方法であって、電荷保持媒体をドラム状、感光体をスリ
ット状に形成して走査光またはスリット光で露光を行い
静電潜像を電荷保持媒体上に形成した後、電荷保持媒体
を分離し、分離した静電潜像が形成されている電荷保持
媒体を電荷が保存されている期間内の任意時点でトナー
現像するようにしたことを特徴とする電荷保持媒体露光
記録方法。A voltage is applied between a photoreceptor having an electrode and a photoconductive layer laminated on a substrate and a charge holding medium having an electrode and an insulating layer having a specific resistance of 10 14 Ωcm or more laminated on the substrate. A charge holding medium exposure and recording method for forming an electrostatic latent image on a charge holding medium by irradiating light to the photosensitive body in a state where the charge is applied, and developing the toner, wherein the charge holding medium is in a drum shape, and the photosensitive body is slit. After forming an electrostatic latent image on the charge holding medium by performing exposure with scanning light or slit light on the charge holding medium, the charge holding medium is separated, and the charge holding medium on which the separated electrostatic latent image is formed is formed. A method for exposing and recording a charge holding medium, wherein toner development is performed at an arbitrary point in time during which a charge is stored.
と、基板上に電極、1014Ω・cm以上の比抵抗を持つ絶縁
層を積層した電荷保持媒体との間に電圧を印加した状態
で感光体に光を照射することにより電荷保持媒体上に静
電潜像を形成し、トナー現像する電荷保持媒体露光記録
方法であって、電荷保持媒体を連続フィルム状に形成
し、感光体をスリット状に形成して走査光またはスリッ
ト光で露光するようにして電荷保持媒体を連続送りし、
静電潜像を電荷保持媒体上に形成した後、電荷保持媒体
を分離し、分離した静電潜像が形成されている電荷保持
媒体を電荷が保存されている期間内の任意時点でトナー
現像するようにしたことを特徴とする電荷保持媒体露光
記録方法。2. A voltage is applied between a photoreceptor having an electrode and a photoconductive layer laminated on a substrate and a charge holding medium having an electrode and an insulating layer having a specific resistance of 10 14 Ωcm or more laminated on the substrate. A charge holding medium exposure recording method for forming an electrostatic latent image on a charge holding medium by irradiating light to a photoreceptor in a state where the charge is applied, and developing the toner, wherein the charge holding medium is formed in a continuous film shape, Forming the photoreceptor in a slit shape and continuously feeding the charge holding medium so as to be exposed with scanning light or slit light,
After the electrostatic latent image is formed on the charge holding medium, the charge holding medium is separated, and the charge holding medium on which the separated electrostatic latent image is formed is developed with toner at an arbitrary point during the period in which the charges are stored. And a method for exposing and recording a charge holding medium.
と、基板上に電極、1014Ω・cm以上の比抵抗を持つ絶縁
層を積層した電荷保持媒体との間に電圧を印加した状態
で感光体に光を照射することにより電荷保持媒体上に静
電潜像を形成し、トナー現像する電荷保持媒体露光記録
方法であって、電荷保持媒体を連続フィルム状に形成
し、感光体を平面状に形成して面露光するようにして電
荷保持媒体を間欠送りし、静電潜像を電荷保持媒体上に
形成した後、電荷保持媒体を分離し、分離した静電潜像
が形成されている電荷保持媒体を電荷が保存されている
期間内の任意時点でトナー現像するようにしたことを特
徴とする電荷保持媒体露光記録方法。3. A voltage is applied between a photoreceptor having an electrode and a photoconductive layer laminated on a substrate and a charge holding medium having an electrode and an insulating layer having a specific resistance of 10 14 Ωcm or more laminated on the substrate. A charge holding medium exposure recording method for forming an electrostatic latent image on a charge holding medium by irradiating light to a photoreceptor in a state where the charge is applied, and developing the toner, wherein the charge holding medium is formed in a continuous film shape, The charge holding medium is intermittently fed so that the photoreceptor is formed in a planar shape and the surface is exposed, and an electrostatic latent image is formed on the charge holding medium. Then, the charge holding medium is separated, and the separated electrostatic latent image is separated. Wherein the toner is developed at an arbitrary point within a period in which the electric charge is stored in the electric charge holding medium on which the electric charge is stored.
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