JP2891461B2 - Toner image forming method - Google Patents

Toner image forming method

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JP2891461B2
JP2891461B2 JP63121593A JP12159388A JP2891461B2 JP 2891461 B2 JP2891461 B2 JP 2891461B2 JP 63121593 A JP63121593 A JP 63121593A JP 12159388 A JP12159388 A JP 12159388A JP 2891461 B2 JP2891461 B2 JP 2891461B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像を静電的に記録し、任意時点でトナー画
像を形成することができるトナー画像形成方法に関する
ものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a toner image forming method capable of electrostatically recording an image and forming a toner image at any time.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られてい
る。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフ
ィルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤
(印画紙等)を用いるか、または現像フィルムを光学走
査して陰極線管(以下CRT)に再現させる等により行わ
れている。
Conventionally, silver halide photography has been known as a high-sensitivity photographing technique. In this photographic method, a photographed image is recorded on a film or the like through a development process, and when an image is reproduced, a silver halide emulsion (such as photographic paper) is used, or a developed film is optically scanned and a cathode ray tube (hereinafter referred to as a cathode ray tube). (CRT).

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上に
コロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光し
た光の当たった部位の光導電層を導電性にし、この部位
の電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を
光導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と
逆極性の電荷(または同極性の電荷)を有するトナーを
付着させて現像する電子写真技術があるが、これは主と
して複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影
用としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために
静電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通であ
る。
In addition, an electrode is deposited on the photoconductive layer, the entire surface is charged by corona charging on the photoconductive layer in a dark place, and then the photoconductive layer exposed to strong light is exposed to light, and the photoconductive layer is made conductive. The latent electrostatic image is optically formed on the surface of the photoconductive layer by leaking and removing the toner, and a toner having a charge of the opposite polarity (or a charge of the same polarity) as the residual electrostatic charge is attached to the latent image for development. Electrophotography technology is mainly used for copying, but it cannot be used for photography because of low sensitivity in general.Because the electrostatic charge retention time is short, toner is used immediately after forming an electrostatic latent image. It is common to develop.

また、TV撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
CRTに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にCRT上に像出力させる等の方法がある。
In TV shooting technology, images are taken with an image pickup tube, image information obtained using optical semiconductors is extracted as electrical signals, and
There are methods such as outputting to a CRT or video recording using magnetic recording or the like, and outputting an image on the CRT at an arbitrary time.

〔発明が解決すべき課題〕[Problems to be solved by the invention]

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れてい
るが、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、
像再現においてはハードコピー、ソフトコピー(CRT出
力)等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。
Silver halide photography is excellent as a means of preserving the subject image, but requires a development step to form a silver halide image,
Image reproduction requires complicated optical, electrical, or chemical treatments such as hard copy and soft copy (CRT output).

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写
真法よりも簡単、迅速であるか潜像保存は極めて短く、
現像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。
In electrophotography, visualization of the obtained electrostatic latent image is easier and faster than silver halide photography, or the latent image storage is extremely short,
The dissociation property and image quality of the developer are inferior to silver salts.

TV撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するた
め、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく
劣化する。
In the TV shooting technique, line-sequential scanning is required to extract and record an electric image signal obtained by an image pickup tube. Line-sequential scanning is performed by an electron beam in an image pickup tube, and a magnetic head is used in video recording. However, since the resolution depends on the number of scanning lines, the resolution is significantly deteriorated as compared with a planar analog recording such as a silver halide photograph.

また、近年発達しつつある固体撮像素子(CCD等)を
利用したTV撮像系も解像性に関しては本質的に同様であ
る。
A TV imaging system using a solid-state imaging device (CCD or the like), which has recently been developed, has essentially the same resolution.

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、
高解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であ
れば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があ
った。
The problems with these technologies are that image recording is of high quality,
If the resolution is high, the processing steps are complicated, and if the steps are simple, there is a lack of a storage function or a basic deterioration of image quality.

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品
質、高解像であると共に、処理工程が簡便で、長期間の
記憶が可能で、記憶した文字、線画、画像、コード、
(1.0)情報を目的に応じて画質で、時点でトナー画像
形成を行うことができるトナー画像形成方法を提供する
ことを目的とする。
The present invention is to solve the above problems, high quality, high resolution, simple processing steps, long-term storage is possible, stored characters, line drawings, images, codes,
(1.0) It is an object of the present invention to provide a toner image forming method capable of forming a toner image at a point in time with a quality of information according to a purpose.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

第1図は本発明の静電画像記録再生方法における記録
方法を説明するための図で、図中、1は感光体、3は電
荷保持媒体、5は光導電層支持体、7は感光体電極、9
は光導電層、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、15は
絶縁層支持体、17は電源である。
FIG. 1 is a view for explaining a recording method in the electrostatic image recording / reproducing method of the present invention, wherein 1 is a photosensitive member, 3 is a charge holding medium, 5 is a photoconductive layer support, and 7 is a photosensitive member. Electrode, 9
Denotes a photoconductive layer, 11 denotes an insulating layer, 13 denotes a charge holding medium electrode, 15 denotes an insulating layer support, and 17 denotes a power supply.

第1図においては、感光体1側から露光を行う態様で
あり、まず1mm厚のガラスからなる光導電層支持体5上
に1000Å厚のITOからなる透明な感光体電極7を形成
し、この上に10μm程度の光導電層9を形成して感光体
1を構成している。この感光体1に対して、10μm程度
の空隙を介して電荷保持媒体3が配置される。電荷保持
媒体3は1mm厚のガラスからなる絶縁層支持体15上に100
0Å厚のAl電極13を蒸着により形成し、この電極13上に1
0μm厚の絶縁層11を形成したものである。
FIG. 1 shows an embodiment in which exposure is performed from the photoreceptor 1 side. First, a transparent photoreceptor electrode 7 made of ITO having a thickness of 1000 mm is formed on a photoconductive layer support 5 made of 1 mm thick glass. The photoconductor 1 is formed by forming a photoconductive layer 9 of about 10 μm thereon. The charge holding medium 3 is arranged on the photoconductor 1 with a gap of about 10 μm. The charge holding medium 3 is placed on an insulating layer support 15 made of glass having a thickness of 1 mm.
An Al electrode 13 having a thickness of 0 mm is formed by evaporation, and
In this case, an insulating layer 11 having a thickness of 0 μm is formed.

先ず、第1図(イ)に示すように感光体1に対して、
10μm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセットし、
第1図(ロ)に示すように電源17により電極7、13間に
電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高抵抗体で
あるため、電極間には何の変化も生じない。感光体1側
より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層9は
導電性を示し、絶縁層11との間に放電が生じ、絶縁層11
に電荷が蓄積される。
First, as shown in FIG.
The charge holding medium 3 is set through a gap of about 10 μm,
As shown in FIG. 1 (b), a voltage is applied between the electrodes 7 and 13 by the power supply 17. In a dark place, since the photoconductive layer 9 is a high-resistance body, no change occurs between the electrodes. When light is incident from the photoreceptor 1 side, the photoconductive layer 9 in the portion where the light is incident shows conductivity, and a discharge occurs between the photoconductive layer 9 and the insulating layer 11.
The electric charge is accumulated.

露光が終了したら、第1図(ハ)に示すように電圧を
OFFにし、次いで、第1図(ニ)に示すように電荷保持
媒体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了す
る。
When the exposure is completed, a voltage is applied as shown in FIG.
Turn off, and then take out the charge holding medium 3 as shown in FIG. 1 (d) to complete the formation of the electrostatic latent image.

なお、感光体1と電荷保持媒体3とは上記のように非
接触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体
電極7側から光導電層9の露光部に正または負の電荷が
注入され、この電荷は電荷保持媒体3側の電極13に引か
れて光導電層9を通過し、絶縁層11面に達した所で電荷
移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そし
て、感光体1と電荷保持媒体3とを分離すると、絶縁層
11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。
The photoconductor 1 and the charge holding medium 3 may be of a contact type instead of a non-contact type as described above. In the case of the contact type, a positive or negative charge is applied to the exposed portion of the photoconductive layer 9 from the photoconductor electrode 7 side. Charges are injected, and the charges are drawn by the electrode 13 on the charge holding medium 3 side, pass through the photoconductive layer 9, and stop moving when reaching the surface of the insulating layer 11. Is done. Then, when the photoconductor 1 and the charge holding medium 3 are separated, the insulating layer
11 are separated while keeping the charge.

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写
真法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層
11上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。
When this recording method is a planar analog recording, high resolution can be obtained in the same manner as the silver halide photography, and an insulating layer to be formed is formed.
Although the surface charge on 11 is exposed to the air environment, the air has a good insulating performance, so it is stored for a long time without discharging regardless of the light place and the dark place.

この絶縁層11上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁体11の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存するよう
にしてもよい。
The charge storage period on the insulating layer 11 is determined by the properties of the insulator, and is affected by the charge trapping characteristics of the insulator in addition to the insulating properties of air. In the above description, charges are described as surface charges.Injected charges may simply accumulate on the surface, and microscopically penetrate into the vicinity of the insulator surface, and electrons or electrons enter the structure of the substance. Since the holes may be trapped, long-term storage is performed. In addition, the surface of the insulator 11 may be covered with an insulating film or the like and stored in order to prevent physical damage to the charge holding medium or discharge when the humidity is high.

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持
媒体の構成材料について説明する。
Hereinafter, constituent materials of the photoreceptor and the charge holding medium used in the present invention will be described.

光導電層支持体5としては、感光体を支持することが
できるある程度の強度を有していれば、その材質、厚み
は特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフ
ィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシー
ト、金属板(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使
用される。但し、感光体側から光を入射して情報を記録
する装置に用いられる場合には、当然その光を透過させ
る特性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光
体側から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1m
m程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィル
ム、シートが使用される。
The material and thickness of the photoconductive layer support 5 are not particularly limited as long as the photoconductive layer support 5 has a certain strength capable of supporting the photoreceptor. For example, a flexible plastic film, metal foil, paper, or the like may be used. Alternatively, a rigid body such as a glass, a plastic sheet, or a metal plate (which can also serve as an electrode) is used. However, when used in a device that records information by irradiating light from the photoconductor side, it is naturally necessary to have the property of transmitting that light.For example, when using natural light as incident light and using it in a camera that enters from the photoconductor side Has a thickness of 1m
A transparent glass plate of about m or a plastic film or sheet is used.

感光体電極7は、光導電層支持体5に金属のものが使
用される場合を除いて光導電層支持体5に形成され、そ
の材質は比抵抗値が106Ω・cm以下であれば限定されな
く、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である。
このような感光体電極7は、光導電層支持体5上に、蒸
着、スパッタリング、CVD、コーティング、メッキ、デ
ィッピング、電解重合等により形成される。またその厚
みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性、および
情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば、100〜3000Å程度で
ある。この感光性体電極7も光導電層支持体5と同様
に、情報光を入射させる必要がある場合には、上述した
光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(400〜700
nm)であれば、ITO(In2O3−SnO2)、SnO2等をスパッタ
リング、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共
にインキ化してコーティングしたような透明電極や、A
u、Al、Ag、Ni、Cr等を蒸着、またはスパッタリングで
作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(TCN
Q)、ポリアセチレン等のコーティングによる有機透明
電極等が使用される。
The photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 except when a metal is used for the photoconductive layer support 5, and the material thereof is as long as the specific resistance value is 10 6 Ω · cm or less. There is no limitation, and an inorganic metal conductive film, an inorganic metal oxide conductive film, or the like can be used.
Such a photoconductor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 by vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, or the like. The thickness of the electrode must be changed depending on the electrical characteristics of the material constituting the photoreceptor electrode 7 and the applied voltage when recording information. For example, in the case of aluminum, the thickness is about 100 to 3000 °. Similarly to the photoconductive layer support 5, the photosensitive electrode 7 is required to have the above-mentioned optical characteristics when information light needs to be incident thereon. For example, when the information light is visible light (400 to 700
nm), a transparent electrode such as ITO (In 2 O 3 -SnO 2 ), SnO 2, etc., which is formed by sputtering, vapor deposition, or inking and coating a fine powder thereof with a binder.
Translucent electrodes made of u, Al, Ag, Ni, Cr, etc. by evaporation or sputtering, tetracyanoquinodimethane (TCN
Q), an organic transparent electrode with a coating of polyacetylene or the like is used.

また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電極
材料が使用できるが、場合によっては可視光をカットす
るために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
When the information light is infrared (700 nm or more) light, the above electrode material can be used. In some cases, a colored visible light absorbing electrode can also be used to cut off visible light.

更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も、上記
電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が紫
外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
Further, when the information light is ultraviolet light (400 nm or less), the above-mentioned electrode materials can be basically used, but those in which the electrode substrate material absorbs ultraviolet light (organic polymer materials, soda glass, etc.) are not preferable. A material that transmits ultraviolet light, such as quartz glass, is preferable.

光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリ
ア(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅を
移動することができる導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。
The photoconductive layer 9 is a conductive layer in which photocarriers (electrons and holes) are generated in the irradiated portion when light is irradiated, and the carriers can move in a layer width. In particular, an electric field exists. In this case, the effect is remarkable. The material is composed of an inorganic photoconductive material, an organic photoconductive material, an organic-inorganic hybrid type photoconductive material, or the like.

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法
について説明する。
Hereinafter, a method for forming the photoconductive material and the photoconductive layer will be described.

(A)無機感光体(光導電体) 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモ
ルファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
(A) Inorganic Photoreceptor (Photoconductor) Examples of inorganic photoreceptor materials include amorphous silicon, amorphous selenium, cadmium sulfide, and zinc oxide.

(イ)アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては 水素化アモルファスシリコン(a−Si:H) フッ素化アモルファスシリコン(a−Si:F) ・これらに対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、Al、Ga、In、Tl等をドーピングによりP型(ホ
ール輸送型)にしたもの、 ・P、Ag、Sb、Bi等をドーピングによりN型(電子輸
送型)にしたもの、 がある。
(A) Amorphous silicon photoreceptor As an amorphous silicon photoreceptor, hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) fluorinated amorphous silicon (a-Si: F) ・ Those not doped with impurities, ・ B, Al , Ga, In, Tl, etc. are made P-type (hole transport type) by doping; and P, Ag, Sb, Bi, etc. are made N-type (electron transport type) by doping.

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガ
スを水素ガスなどと共に低真空中に導入し(10-2〜1Tor
r)、グロー放電により加熱、或いは加熱しない電極基
板上に准積して成膜するか、単に加熱した電極基板上に
熱化学的に反応形成するか、或いは固体原料を蒸着、ス
パッター法により成膜し、単層、或いは積層で使用す
る。膜厚は1〜50μmである。
As a method of forming the photoreceptor layer, a silane gas and an impurity gas are introduced into a low vacuum together with a hydrogen gas (10 -2 to 1 Torr).
r), a film is formed by pre-stacking on an electrode substrate heated or not heated by glow discharge, or a thermochemical reaction is formed on a heated electrode substrate, or a solid material is formed by vapor deposition and sputtering. Used as a film, a single layer or a laminate. The film thickness is 1 to 50 μm.

また、透明電極7から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極7の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体層上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりa−SiN層、a−SiC
層、SiO2層、A l2O3層等の絶縁層を設けるとよい。この
絶縁層を余り厚くしすぎると露光したとき電流が流れな
いので、少なくとも1000Å以下とする必要があり、作製
し易さ等を考慮すると400〜500Å程度が望ましい。
Further, a charge injection preventing layer can be provided on the surface of the photoreceptor electrode 7 in order to prevent charge from being injected from the transparent electrode 7 and being exposed as if it were not exposed. As the charge injection preventing layer, an a-SiN layer, an a-SiC layer or the like is formed on one or both of the electrode substrate and the photoconductor layer (surface layer) by glow discharge, vapor deposition, sputtering, or the like.
It is preferable to provide an insulating layer such as a layer, a SiO 2 layer, and an Al 2 O 3 layer. If the insulating layer is too thick, no current will flow when exposed, so it must be at least 1000 ° or less, and preferably about 400-500 ° in consideration of ease of fabrication.

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電
極基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Siにボロンをドープしたa−Si:H
(n+)は、ホールの輸送特性が上がって整流効果が得ら
れ、電荷注入防止層として機能する。
Further, as the charge injection preventing layer, it is preferable to provide a charge transporting layer having a charge transporting ability of a polarity opposite to the polarity of the electrode substrate on the electrode substrate by utilizing a rectifying effect. Is positive, an electron transport layer is provided. For example, a-Si: H in which boron is doped in Si
(N + ) enhances the hole transporting property, provides a rectifying effect, and functions as a charge injection preventing layer.

(ロ)アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 アモルファスセレン(a−Se) アモルファスセレンテルル(a−Se:Te) アモルファスひ素セレン化合物(a−As2Se3) アモルファスひ素セレン化合物+Te がある。(B) Amorphous selenium photoconductor Amorphous selenium photoconductor includes amorphous selenium (a-Se) amorphous selenium tellurium (a-Se: Te) amorphous arsenic selenium compound (a-As 2 Se 3 ) amorphous arsenic selenium compound + Te .

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また
電荷注入阻止層としてSiO2、A l2O3、SiC,SiN層を蒸
着、スパッター、グロー放電法等により電極基板上に設
けられる。また上記〜を組み合わせ、積層型感光体
としてもよい。感光体層の膜厚はアルファスシリコン感
光体と同様である。
This photoreceptor is prepared by vapor deposition and sputtering, and a SiO 2 , Al 2 O 3 , SiC, SiN layer as a charge injection blocking layer is provided on the electrode substrate by vapor deposition, sputtering, glow discharge or the like. Further, the above-mentioned may be combined to form a laminated photoreceptor. The thickness of the photoconductor layer is the same as that of the alphas silicon photoconductor.

(ハ)硫化カドミウム(CdS) この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング
法により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱による蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラズ
マ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモルフ
ァス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条件を
選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配向)
を得ることもできる。コーティングの場合は、CdS粒子
(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒
を添加して基板にコーティングするとよい。
(C) Cadmium sulfide (CdS) This photoreceptor is prepared by coating, vapor deposition, and sputtering. In the case of vapor deposition, solid particles of CdS are placed on a tungsten board and deposited by resistance heating, or EB
(Electron beam) This is performed by vapor deposition. In the case of sputtering, deposition is performed on a substrate in argon plasma using a CdS target. In this case, CdS is usually deposited in an amorphous state, but a crystalline alignment film (oriented in the film thickness direction) can be obtained by selecting sputtering conditions.
You can also get In the case of coating, CdS particles (particle diameter: 1 to 100 μm) may be dispersed in a binder, and a solvent may be added to coat the substrate.

(ニ)酸化亜鉛(Zn O) この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜100
μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加して基板
上にコーティング行って得られる。またCVD法として
は、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属と酸素ガ
スを低真空中(10-2〜1Torr)で混合し、加熱した電極
基板(150〜400℃)上で化学反応させ、酸化亜鉛膜とし
て堆積させる。この場合も膜厚方向に配向した膜が得ら
れる。
(D) Zinc oxide (Zn O) This photoreceptor is manufactured by a coating method or a CVD method. As the coating method, ZnS particles (particle size 1 to 100
μm) is dispersed in a binder, and a solvent is added thereto to perform coating on a substrate. In the CVD method, an organic metal such as diethyl zinc or dimethyl zinc and oxygen gas are mixed in a low vacuum (10 -2 to 1 Torr), and a chemical reaction is performed on a heated electrode substrate (150 to 400 ° C.) to oxidize. Deposited as a zinc film. Also in this case, a film oriented in the film thickness direction can be obtained.

(B)有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光
体とがある。
(B) Organic Photoreceptor The organic photoreceptor includes a single-layer type photoreceptor and a function-separated type photoreceptor.

(イ)単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物
からなっている。
(A) Single-layer photoconductor The single-layer photoconductor is composed of a mixture of a charge generating substance and a charge transport substance.

<電荷発生物質系> 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、ア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロ
シアニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、
シアニン染料系、メチン染料系が使用される。
<Charge-generating substance type> It is a substance that easily absorbs light to generate an electric charge, and includes, for example, an azo pigment, a disazo pigment, a trisazo pigment, a phthalocyanine pigment, a perylene pigment, a pyrylium dye,
Cyanine dyes and methine dyes are used.

<電荷輸送物質系> 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒ
ドラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール
系、カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、
ナフタレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、ア
ミン系、芳香族アミン系等がある。
<Charge transporting substance type> It is a substance having good ionizing charge transporting properties, for example, hydrazone type, pyrazoline type, polyvinyl carbazole type, carbazole type, stilbene type, anthracene type,
There are naphthalene type, tridiphenylmethane type, azine type, amine type, aromatic amine type and the like.

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を
形成させ、電荷移動錯体としてもよい。
Further, a charge transfer complex may be formed by forming a complex between the charge generation material and the charge transport material.

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感
光特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混
ぜて錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリ
ビニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400nm波長近傍しか感じ
ないが、PVK−TNF錯体は650nm波長域まで感じるように
なる。
Normally, a photoreceptor has photosensitivity determined by the light absorption characteristics of a charge generating substance. However, if a charge generating substance and a charge transporting substance are mixed together to form a complex, the light absorption properties change. For example, polyvinyl carbazole (PVK) is an ultraviolet light. Only in the region, trinitrofluorenone (TNF) only feels around 400 nm wavelength, while the PVK-TNF complex feels up to 650 nm wavelength region.

このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μmが好ま
しい。
The thickness of such a single-layer type photoreceptor is preferably 10 to 50 μm.

(ロ)機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする
性質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、
光吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞ
れの特性を十分に発揮させようとするもであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
(B) Function-separated type photoreceptor Although the charge generating material easily absorbs light, it has the property of trapping light, and the charge transporting material has good charge transporting properties.
Light absorption characteristics are not good. For this reason, the two are separated so that the characteristics of the two can be sufficiently exhibited, and the charge generation layer and the charge transport layer are stacked.

<電荷発生層> 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、
ジスアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザ
ンセン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウ
ム色素系、ペリレン系、メチン系、a−Se、a−Si、ア
ズレニウム塩系、スクアリウム塩系等がある。
<Charge Generating Layer> Examples of the material for forming the charge generating layer include azo-based materials,
There are disazo type, trisazo type, phthalocyanine type, acid xansen dye type, cyanine type, styryl dye type, pyrylium dye type, perylene type, methine type, a-Se, a-Si, azulenium salt type, squarium salt type and the like.

<電荷輸送層> 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾ
ン系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン
系、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等があ
る。
<Charge Transport Layer> Examples of the material forming the charge transport layer include hydrazone, pyrazoline, PVK, carbazole, oxazole, triazole, aromatic amine, amine, triphenylmethane, and polycyclic aromatic compounds. Group compounds.

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生
物質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送
層を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を
0.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚とすると
よい。
As a method for producing a function-separated type photoreceptor, a charge generating substance is first dissolved in a solvent and applied on an electrode, and then the charge transport layer is dissolved in a solvent and applied to the charge transport layer.
It is preferable that the thickness of the charge transport layer be 0.1 to 10 μm and the thickness of the charge transport layer be 10 to 50 μm.

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合
にも、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブ
タジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリ
メチルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂、
ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料各1部
に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにする。コ
ーティング法としては、ディッピング法、蒸着法、スパ
ッター法等を使用することができる。
In addition, in any case of the single-layer type photoreceptor and the function separation type photoreceptor, as a binder, a silicone resin, a styrene-butadiene copolymer resin, an epoxy resin, an acrylic resin,
Saturated or unsaturated polyester resin, polycarbonate resin, polyvinyl acetal resin, phenol resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, melamine resin,
0.1 to 10 parts of a polyimide resin or the like is added to 1 part of each of the charge generating material and the charge transport material so that the resin can be easily attached. As a coating method, a dipping method, an evaporation method, a sputtering method, or the like can be used.

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。 Next, the charge injection preventing layer will be described in detail.

電荷注入防止層は、光導電層9の両表面の少なくとも
一方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流
(電極からの電荷注入)、すなわち露光していないにも
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現像を防止するために設けることができるものである。
The charge injection preventing layer is provided on at least one or both surfaces of the photoconductive layer 9 in a dark current (charge injection from an electrode) when a voltage is applied to the photoconductive layer 9, that is, even though the photoconductive layer 9 is not exposed. It can be provided to prevent development in which charges move in the photosensitive layer as if exposed.

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を
利用した層と整流効果を利用した層との二種類のものが
ある。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したもの
は、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導
電層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を
入射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層
には光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホー
ル)が存在するための高電界が加わり、トンネル効果を
起こして、電荷注入防止層を通過して電流が流れるもの
である。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有
機絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいは
これらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例
えばAs2O3、B2O3、Bi2O3、CdS、CaO、CeO2、Cr2O3、Co
O、GeO2、HfO2、Fe2O3、La2O3、MgO、MnO2、Nd2O3、Nb2
O5、PbO、Sb2O3、SiO2、SeO2、Ta2O5、TiO2、WO3、V
2O5、Y2O5、Y2O3、ZrO2、BaTiO3、Al2O3、Bi2TiO5、CaO
−SrO、CaO−Y2O3、Cr−SiO、LiTaO3、PbTiO3、PbZr
O3、ZrO2−CO、ZrO2−SiO2、AlN、BN、NbN、Si3N4、Ta
N、TiN、VN、ZrN、SiC、TiC、WC、Al4C3等をグロー放
電、蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、こ
の層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル
効果の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。
次ぎに整流効果を利用して電流注入防止層は、整流効果
を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有す
る電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止
層は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導
電層で形成され、その膜厚は0.1〜10μm程度である。
具体的には、電極がマイナスの場合はB、Al、Ga、In等
をトーブしたアモルファスシリコン光導電層、アモルフ
ァスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン、ポ
リビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン、ナ
フタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニルメタ
ン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散し
て形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、P、
N、As、Sb、Bi等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタ
リング、CVD、コーティング等の方法により形成され
る。
The charge injection preventing layer includes two types, a layer using a so-called tunneling effect and a layer using a rectifying effect. First, in a device utilizing the so-called tunneling effect, current does not flow to the photoconductive layer or the insulating layer surface due to the charge injection preventing layer only by applying a voltage, but when light is incident, it corresponds to an incident portion. A high electric field is applied to the charge injection prevention layer due to the presence of one of the charges (electrons or holes) generated in the photoconductive layer, causing a tunnel effect and causing a current to flow through the charge injection prevention layer. is there. Such a charge injection prevention layer is formed of a single layer of an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, an insulating monomolecular film, or the like, or is formed by laminating them. As the inorganic insulating film, for example, As 2 O 3, B 2 O 3, Bi 2 O 3, CdS, CaO, CeO 2, Cr 2 O 3, Co
O, GeO 2, HfO 2, Fe 2 O 3, La 2 O 3, MgO, MnO 2, Nd 2 O 3, Nb 2
O 5, PbO, Sb 2 O 3, SiO 2, SeO 2, Ta 2 O 5, TiO 2, WO 3, V
2 O 5 , Y 2 O 5 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 , Bi 2 TiO 5 , CaO
-SrO, CaO-Y 2 O 3 , Cr-SiO, LiTaO 3, PbTiO 3, PbZr
O 3, ZrO 2 -CO, ZrO 2 -SiO 2, AlN, BN, NbN, Si 3 N 4, Ta
N, TiN, VN, ZrN, SiC, TiC, WC, Al 4 C 3 and the like are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering and the like. The thickness of this layer is determined for each material used in consideration of the insulating property for preventing charge injection and the tunnel effect.
Next, the current injection preventing layer using the rectifying effect is provided with a charge transporting layer having a charge transporting ability of a polarity opposite to the polarity of the electrode substrate using the rectifying effect. That is, such a charge injection preventing layer is formed of an inorganic photoconductive layer, an organic photoconductive layer, and an organic-inorganic hybrid type photoconductive layer, and has a thickness of about 0.1 to 10 μm.
Specifically, when the electrode is negative, B, Al, Ga, amorphous silicon photoconductive layer towed with In, etc., amorphous selenium, or oxadiazole, pyrazoline, polyvinylcarbazole, stilbene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane, Organic photoconductive layer formed by dispersing triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine and the like in a resin.
An amorphous silicon photoconductive layer doped with N, As, Sb, Bi, or the like, a ZnO photoconductive layer, or the like is formed by a method such as glow discharge, vapor deposition, sputtering, CVD, or coating.

次ぎに、電荷保持媒体材料、およ電荷保持媒体の作製
方法について説明する。
Next, a charge holding medium material and a method for manufacturing the charge holding medium will be described.

電荷保持媒体3は感光体1と共に用いられて、電荷保
持媒体3を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録された情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ(同一出願人による同日出願)に
用いられる場合には、一般のフィルム(単コマ、連続コ
マ用)形状、あるいはディスク状となり、レーザー等に
よりデジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合
には、テープ形状、ディスク形状、或いはカード形状と
なる。
The charge holding medium 3 is used together with the photoreceptor 1 to record information as a distribution of electrostatic charges on the surface of the insulating layer 11 constituting the charge holding medium 3 or inside thereof.
The charge holding medium itself is used as a recording medium. Therefore, the shape of the charge holding medium can take various shapes depending on the recorded information or the recording method. For example, when used for an electrostatic camera (filed on the same date by the same applicant), it takes the form of a general film (for single frame or continuous frame) or disk shape, and records digital information or analog information using a laser or the like. Takes a tape shape, a disk shape, or a card shape.

絶縁層支持体15は、上記のような電荷保持媒体3を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体5と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体3がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。
The insulating layer support 15 strongly supports the charge holding medium 3 as described above, but is basically made of the same material as the photoconductive layer support 5 and has the same light transmittance. May be required. Specifically, when the charge holding medium 3 takes the shape of a flexible film, tape, or disk, a flexible plastic film is used, and when strength is required, a rigid sheet, glass, or the like is used. An inorganic material or the like is used.

電荷保持媒体電極13は、基本的には感光体電極7と同
じでよく、上述した感光体電極7と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。
The charge storage medium electrode 13 may be basically the same as the photoreceptor electrode 7, and is formed on the insulating layer support 15 by the same forming method as the photoreceptor electrode 7 described above.

絶縁層11は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で1014Ω・
cm以上の絶縁性を有することが要求される。このような
絶縁層11は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、コーティ
ング、ディッピングするか、または蒸着、スパッタリン
グ法により層形成させることができる。
Since the insulating layer 11 records information on the surface or inside thereof as a distribution of static charges, high insulating properties are required to suppress the movement of charges, and the specific resistance is 10 14 Ω ·
It is required to have insulation properties of not less than cm. Such an insulating layer 11 can be formed by dissolving a resin or rubber in a solvent and coating or dipping, or by vapor deposition or sputtering.

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレ
ン,ポリプロピレン,ビニル樹脂,スチロール樹脂,ア
クリル樹脂,ナイロン66、ナイロン6,ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー,弗素樹脂,セルロース樹
脂,フェノール樹脂,ユリア樹脂,ポリエステル樹脂,
エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂,メラミン樹脂、シ
リコン樹脂,フェノオキシ樹脂,芳香族ポリアミド,PP
O,ポリスルホン等、またポリイソプレン,ポリブタジェ
ン,ポリクロロプレン,イシブチレン,極高ニトリル、
ポリアクリルゴム,クロロスルホン化ポリエチレン,エ
チレン,プロピレンラバー,弗素ゴム,シリコンラバ
ー,多硫化系合成ゴム,ウレタンゴム等のゴムの単体、
あるいあは混合物が使用される。
Here, examples of the resin and rubber include polyethylene, polypropylene, vinyl resin, styrene resin, acrylic resin, nylon 66, nylon 6, polycarbonate, acetal homopolymer, fluorine resin, cellulose resin, phenol resin, urea resin, and polyester resin. ,
Epoxy resin, flexible epoxy resin, melamine resin, silicone resin, phenoxy resin, aromatic polyamide, PP
O, polysulfone, etc., polyisoprene, polybutadiene, polychloroprene, isibutylene, extra-high nitrile,
Rubber alone such as polyacryl rubber, chlorosulfonated polyethylene, ethylene, propylene rubber, fluorine rubber, silicon rubber, polysulfide synthetic rubber, urethane rubber,
Or a mixture is used.

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィル
ム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等
を電荷保持媒体電極13上に接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム
等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、デ
ィッピングすることにより層形成してもよい。
Further, a layer is formed by attaching a silicon film, a polyester film, a polyimide film, a fluorine-containing film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polyparabanic acid film, a polycarbonate film, a polyamide film or the like to the charge holding medium electrode 13 via an adhesive or the like. Even if the layer is formed by coating or dipping a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, a curing agent necessary for a rubber or the like, a solvent, etc. Good.

また絶縁層11として、ラングミュアー・ブロジェト法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜の使用
することができる。
As the insulating layer 11, a monomolecular film formed by a Langmuir-Blodgett method or a monomolecular cumulative film can be used.

またこれら絶縁層11には、電極面との間、または絶縁
層11上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷保
持強化層とは、強電界(104V/cm以上)が印加された時
には電荷が注入するが、低電界(104V/cm以下)では電
荷が注入しない層のことをいう。電荷保持強化層として
は、例えばSiO2、Al2O3、SiC、SiN等が使用でき、有機
系物質としては例えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキ
シレン蒸着膜が使用できる。
In addition, a charge retention enhancing layer can be provided between the insulating layer 11 and the electrode surface or on the insulating layer 11. The charge retention enhancing layer refers to a layer into which electric charge is injected when a strong electric field (10 4 V / cm or more) is applied, but which is not injected at a low electric field (10 4 V / cm or less). As the charge retention enhancing layer, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , SiC, SiN or the like can be used, and as the organic substance, for example, a polyethylene deposited film or a polyparaxylene deposited film can be used.

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層11
に、電子供与性を有する物質(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい。ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物であり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン(TCNQ)トリニトロフルオ
レノン(TNF)等が使用され、一種、または混合して使
用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂等に
対して0.001〜10%程度添加して使用される。
In order to more stably hold the electrostatic charge, the insulating layer 11
In addition, a substance having an electron-donating property (donor material) or a substance having an electron-accepting property (acceptor material) may be added. Donor materials include styrene, pyrene,
Naphthalene, anthracene, pyridine and azine compounds, specifically tetrathiofulvalene (TT
F), polyvinyl pyridine, polyvinyl naphthalene, polyvinyl anthracene, polyazine, polyvinyl pyrene, polystyrene and the like are used, and one kind or a mixture is used. As the acceptor material, there are a halogen compound, a cyan compound, a nitro compound and the like, and specifically, tetracyanoquinodimethane (TCNQ) trinitrofluorenone (TNF) and the like are used, and one kind or a mixture is used. The donor material and the acceptor material are used by adding about 0.001 to 10% to the resin or the like.

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体
中に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体
としては周期律表第IA族(アルカリ金属)、同IB族(銅
族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同IIB族(亜鉛
族)、同IIIA族(アルミニウム族)、同IIIB族(希土
類)、同IVB族(チタン族)、同VB族(バナジウム
族)、同VIB族(クロム族)、同VIIB族(マンガン
族)、同VIII族(鉄族、白金族)、また同IVA族(炭素
族)としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同VA蔟(窒
素族)としてはアンチモン、ビスマス、同V1A族(酸素
族)として硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使用され
る。また上記元素単体のうち金属類は金属イオン、微細
粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても使用するこ
とができる。更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫
酸化物、ハロゲン化物の形態で使用することができる。
これらの添加物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒
体にごく僅か添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に
対して0.01〜10重量%程度でよい。また絶縁層11は、絶
縁性の点からは少なくとも1000Å(0.1μm)以上の厚
みが必要であり、フレキシビル性の点からは100μm以
下が好ましい。
Further, in order to stably hold the charge, elemental element fine particles can be added to the charge holding medium. Elemental elements include the following elements in the periodic table: Group IA (alkali metal), Group IB (copper group), Group IIA (alkaline earth metal), Group IIB (zinc group), Group IIIA (aluminum group), Group IIIB (rare earth), Group IVB (Titanium), Group VB (Vanadium), Group VIB (Chromium), Group VIIB (Manganese), Group VIII (Iron, Platinum), and Silicon, germanium, tin, and lead are used as the IVA group (carbon group), antimony and bismuth as the VA mounting (nitrogen group), and sulfur, selenium, and tellurium are used as fine powders as the V1A group (oxygen group). You. Metals among the above elemental elements can be used in the form of metal ions, fine powdery alloys, organic metals, and complexes. Further, the above element simple substance can be used in the form of an oxide, a phosphate, a sulfate, or a halide.
These additives may be added to the charge holding medium such as the above-mentioned resins and rubbers in a very small amount, and may be added in an amount of about 0.01 to 10% by weight based on the charge holding medium. The insulating layer 11 needs to have a thickness of at least 1000 ° (0.1 μm) from the viewpoint of insulating properties, and preferably 100 μm or less from the viewpoint of flexibilizing properties.

このようにして形成される絶縁層11は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状に、絶縁層11の表面に貼着する
か、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の密
着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗1014Ω・cm以上
のものであればよく、膜厚は0.5〜30μm程度であり、
絶縁層11の情報を高解像度とする必要がある場合には保
護膜は薄い程よい。この保護層は、情報再生時には保護
膜上から情報を再生してもよく、また保護膜を剥離して
絶縁層の情報を再生することもできる。
The insulating layer 11 thus formed can be provided with a protective film on its surface in order to prevent damage or discharge of information charges on its surface. As the protective film, a rubber such as silicone rubber having adhesiveness, a resin such as polyterpene resin or the like may be attached to the surface of the insulating layer 11 in the form of a film, or a plastic film may be adhered with an adhesive such as silicone oil. It is good if the specific resistance is 10 14 Ωcm or more, the film thickness is about 0.5 to 30 μm,
When the information of the insulating layer 11 needs to have high resolution, the thinner the protective film, the better. This protective layer may reproduce information from above the protective film at the time of reproducing information, or may reproduce the information of the insulating layer by peeling off the protective film.

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷
を蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内
部に電荷の分布、分極を生じさせるエレクレットがあ
る。
As an electrostatic charge holding method, there is an electret that causes distribution and polarization of charges inside an insulating medium, other than the so-called free charge holding method of accumulating surface charges as described above.

第2図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を
示す図で、第1図と同一番号は同一内容を示している。
なお、図中、19は透明電極である。
FIG. 2 is a diagram showing a method for holding electrostatic charges using an optical electret, and the same numbers as those in FIG. 1 indicate the same contents.
In the figure, reference numeral 19 denotes a transparent electrode.

第2図(イ)に示すようにフィルム等の支持体15上に
電極13を形成し、電極板上にZnS、CdS、ZnOを、蒸着ス
パッター、CVD、コーティング法等で1層1〜5μm形
成する。そしてこの感光層表面に透明電極19を接触ある
いは非接触で重ね、電圧印加状態で露光すると(第2図
(ロ))、露光部で光によって電荷が発生し、電場によ
って分極し、電荷は電場を取り去ってもその位置にトラ
ップされる(第2図(ハ))。こうして、露光量に応じ
たエレクトレットが得られる。なお、第2図の電荷保持
媒体の場合は別体の感光体を必要としない利点がある。
As shown in FIG. 2 (a), an electrode 13 is formed on a support 15 such as a film, and ZnS, CdS, and ZnO are formed on the electrode plate in a thickness of 1 to 5 μm by vapor deposition sputtering, CVD, coating method, or the like. I do. Then, when a transparent electrode 19 is superposed on the surface of the photosensitive layer in a contact or non-contact manner, and exposed under a voltage applied state (FIG. 2 (b)), charges are generated by light in the exposed portion and polarized by an electric field. Is trapped at that position (FIG. 2 (c)). Thus, an electret corresponding to the exposure amount is obtained. In the case of the charge holding medium shown in FIG. 2, there is an advantage that a separate photoconductor is not required.

第3図は熱エレクトレットを用いた静電荷保持方法を
示す図で、第1図と同一番号は同一内容である。
FIG. 3 is a diagram showing a method for retaining electrostatic charges using a thermal electret, and the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same contents.

熱エレクトレット材料としては、例えばポリ弗化ビニ
リデン(PVDF),ポリ(VDF/三フッ化エチレン)、ポリ
(VDF/四フッ化エチレン),ポリフッ化ビニル,ポリ塩
化ビニリデン,ポリアクリロニトリル,ポリ−α−クロ
ロアクリロニトリル,ポリ(アクリロニトリル/塩化ビ
ニル),ポリアミド11,ポリアミド3,ポリ−m−フェニ
レンイソフタルアミド,ポリカーボネート,ポリ(ビニ
リデンシアナイド酢酸ビニル),PVDF/PZT複合体等から
なり、これを電極基板13上に1〜50μm単層で設けるか
あるいは2種類以上のものを積層する。
Examples of the heat electret material include polyvinylidene fluoride (PVDF), poly (VDF / ethylene trifluoride), poly (VDF / ethylene tetrafluoride), polyvinyl fluoride, polyvinylidene chloride, polyacrylonitrile, and poly-α-. The electrode substrate 13 is made of chloroacrylonitrile, poly (acrylonitrile / vinyl chloride), polyamide 11, polyamide 3, poly-m-phenylene isophthalamide, polycarbonate, poly (vinylidene cyanide vinyl acetate), PVDF / PZT composite, etc. A single layer of 1 to 50 μm is provided thereon, or two or more layers are laminated.

そして露光前に抵抗熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う(第3図(ロ))。高温ではイオンの移動度が大き
くくなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、
熱的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正
電極は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じ
る。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を
取り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じてエ
レクトレットを生じる(第3図(ハ))。
Then, before exposure, the medium is heated to a temperature higher than the glass transition of the medium material by resistance heat or the like, and voltage application exposure is performed in that state (FIG. 3 (b)). At high temperatures, the mobility of ions increases, and in the exposed area, a high electric field is applied to the insulating layer.
Of the thermally activated ions, the negative charge collects on the positive electrode and the positive electrode collects on the negative electrode to form a space charge, causing polarization. Thereafter, when the medium is cooled, the generated charges are trapped at the position even when the electric field is removed, and an electret is generated according to the exposure amount (FIG. 3 (c)).

次ぎに、絶縁層11に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法。またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に感光体電極7を設けた光導電層9からな
る感光体1と、感光体1に対向し、後面に電荷保持媒体
電極13を設けた絶縁層11からなる電荷保持媒体とにより
記録部材を構成し、両電極へ電圧を印加し、入射光に応
じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁層上
に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜像を
電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッタも
使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうるもの
であり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期間保
持することが可能である。またプリズムにより光情報
を、R、G、B光成分に分離し、平行光として取り出す
カラーフィルターを使用し、R、G、B分解した電荷保
持媒体3セット1で1マコを形成するか、または1平面
上にR、G、B像を並べて1セットで1コマとすること
により、カラー撮影することもできる。
Next, as a method for inputting information to the insulating layer 11, a method using a high-resolution electrostatic camera is used. There is also a recording method using a laser. First, the high-resolution electrostatic camera used in the present invention comprises a photoconductor 1 comprising a photoconductive layer 9 provided with a photoconductor electrode 7 on the front, instead of a photographic film used in a normal camera, A recording member is constituted by a charge holding medium comprising an insulating layer 11 having a charge holding medium electrode 13 provided on the rear surface thereof, and a voltage is applied to both electrodes so that the photoconductive layer becomes conductive according to incident light. An electrostatic latent image of an incident optical image is formed on a charge storage medium by accumulating electric charges on an insulating layer in accordance with the amount of incident light, and a mechanical shutter can be used. It can be used, and the electrostatic latent image can be held for a long period of time irrespective of a bright place or a dark place. Further, a color filter that separates optical information into R, G, and B light components by a prism and takes out as parallel light is used. By arranging the R, G, and B images on one plane to form one frame in one set, color photographing can also be performed.

またレーザーによる記録方法としては、光源としては
アルゴンレーザー(514.488nm)、ヘリウム−ネオンレ
ーザー(633nm)、半導体レーザー(780nm、810nm等)
が使用でき、感光体と電荷保持媒体を面状で表面同志
を、密着させるか、一定の間隔をおいて対向させ、電圧
印加する。この場合感光体のキャリアの極性と同じ極性
に感光体電極をセットするとよい。この状態で画像信
号、文字信号、コード信号、線画信号に対応したレーザ
ー露光をスキャニングにより行うものである。画像のよ
うなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変調して
行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な記録
は、レーザー光のON−OFF制御により行う。また画像に
おいて網点形成されるものには、レーザー光にドットジ
ェネレーターON−OFF制御をかけて形成するものであ
る。尚、感光体における光導電層の分光特性は、パンク
ロマティックである必要ななく、レーザー光源の波長に
感度を有していればよい。
As a recording method using a laser, an argon laser (514.488 nm), a helium-neon laser (633 nm), a semiconductor laser (780 nm, 810 nm, etc.) are used as a light source.
A voltage is applied by bringing the photoreceptor and the charge holding medium into a planar shape and bringing the surfaces into close contact or facing each other at a certain interval. In this case, the photoconductor electrode may be set to the same polarity as the carrier of the photoconductor. In this state, laser exposure corresponding to the image signal, character signal, code signal, and line drawing signal is performed by scanning. Analog recording such as images is performed by modulating the laser light intensity, and digital recording such as characters, codes, and line drawings is performed by ON-OFF control of laser light. In the case where dots are formed in an image, the dots are formed by applying dot generator ON-OFF control to laser light. Note that the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor need not be panchromatic, but may be any as long as they have sensitivity to the wavelength of the laser light source.

第4図は本発明のトナー画像形成方法を説明するため
の図で、図中、21、23は帯電器、25は転写フィルム、27
は赤外線ランプである。
FIG. 4 is a view for explaining the toner image forming method of the present invention. In the figure, reference numerals 21 and 23 denote a charger, 25 a transfer film, and 27 a transfer film.
Is an infrared lamp.

トナーは、乾式用トナーと湿式用トナーがあり、染
料、顔料及びそれらに樹脂を加えた着色微粉末で構成さ
れているが、前者は鉄粉、ガラスビーズまたはそれ自体
の摩擦帯電により電荷を帯び、後者はイオンの吸着によ
り帯電を行い、絶縁性溶媒中に分散させる。
There are two types of toner, dry toner and wet toner.They are composed of dyes, pigments, and colored fine powders obtained by adding resins to them.The former is charged by iron powder, glass beads or triboelectric charging of itself. The latter is charged by adsorption of ions and dispersed in an insulating solvent.

第1図〜第3図に示した方法により静電潜像が形成さ
れた電荷保持媒体3に、トナーを接触させることにより
現像が行われるが、静電潜像の電荷の極性と逆極性のト
ナーを用いると静電潜像に対応したトナー像が得られ、
また同極性のトナーを用いると静電潜像の反転像がトナ
ー像として得られる。図の黒丸は(−)帯電トナー、白
丸(+)帯電トナーを示している。
The development is carried out by bringing the toner into contact with the charge holding medium 3 on which the electrostatic latent image has been formed by the method shown in FIGS. 1 to 3, but the charge has a polarity opposite to that of the charge of the electrostatic latent image. When toner is used, a toner image corresponding to the electrostatic latent image is obtained,
When toners of the same polarity are used, an inverted image of the electrostatic latent image can be obtained as a toner image. The black circles in the figure indicate (-) charged toner and the white circles (+) charged toner.

トナー像が形成されると、次にトナー転写を行う。こ
れは転写フィルム25を電荷保持媒体3に圧着し、帯電器
21でトナー粒子を逆極性のコロナ帯電を行うか、トナー
粒子を引きつけるような極性のバイアス電圧を加えるこ
とによって行われる。
When the toner image is formed, the toner transfer is performed next. This involves pressing the transfer film 25 against the charge holding medium 3 and charging
In step 21, the toner particles are corona-charged with the opposite polarity, or a bias voltage having a polarity that attracts the toner particles is applied.

こうして転写が行われると、赤外線ランプ27、あるい
は熱オール(図示せず)によって熱定着が行われ、像変
換が終了する。
When the transfer is performed in this manner, thermal fixing is performed by the infrared lamp 27 or a heat oar (not shown), and the image conversion is completed.

本発明の電荷保持媒体は長期間の電荷保存が可能であ
るので、複写機等で使用されている電子写真法のように
協力光によって静電潜像形成後、直ちにトナー現像する
必要がなく、任意のときにトナー現像を行えばよい。
Since the charge holding medium of the present invention can store electric charges for a long period of time, it is not necessary to develop the toner immediately after forming an electrostatic latent image by cooperative light as in the electrophotographic method used in a copying machine, The toner development may be performed at any time.

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィ
ルタについて説明する。
Next, a color filter used for forming a color image will be described.

第5図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、31、33、35はプリズムブロック、37、39、41はフィ
ルタ、43、45は反射鏡である。
FIG. 5 is a view showing a color separation optical system using a prism. In the drawing, 31, 33, and 35 are prism blocks, 37, 39, and 41 are filters, and 43 and 45 are reflection mirrors.

色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プ
リズムブロック31のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ37からb色光成分が取り出される。残りの光情報
はプリズムブロック33に入射し、c面まで進んで一部が
分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ39、41か
らG色光成分、R色光成分が取り出される。そして、G,
B色光成分を、反射鏡43、45で反射させることにより、
R,G,B光を平行光として取り出すことができる。
The color separation optical system is composed of three prism blocks. Light information incident from the a surface of the prism block 31 is partially reflected and reflected on the b surface, further reflected on the a surface, and the b color light component is extracted from the filter 37. It is. The remaining light information is incident on the prism block 33, proceeds to the c-plane, and is partially reflected and reflected, and the other goes straight to extract the G color light component and the R color light component from the filters 39 and 41, respectively. And G,
By reflecting the B color light component with the reflecting mirrors 43 and 45,
R, G, B light can be extracted as parallel light.

このようなフィルタ51を、第6図に示すように感光体
1の前面に配置して記録することにより、第6図(ロ)
のようにR、G、B分解した電荷保持媒体3セットで1
コマを形成するか、あるいは第6図(ハ)に示すように
1平面上にR,G,B像として並べて1セットで1コマとす
ることもできる。
By arranging such a filter 51 on the front surface of the photoreceptor 1 as shown in FIG. 6 for recording, the filter 51 shown in FIG.
1 set for 3 sets of charge-retaining medium that has been decomposed into R, G, and B
Frames may be formed or, as shown in FIG. 6 (c), R, G and B images may be arranged on one plane to form one frame in one set.

第7図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例え
ば、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパタ
ーンで露光してR,G,Bストライプパターンを形成し、そ
れぞれR,G,B染色することにより形成する方法、また第
5図のような方法で色分解た光を、それぞれ細いスリッ
トに通することにより生じるR,B,Gの干渉縞をホログラ
ム記録媒体に記録させることにより形成する方法、また
は光導電体にマスクを密着させて露光し、静電潜像によ
るR,G,Bストライプパターンを形成し、これをトナー現
像して3回転写することによりカラー合成してトナーの
ストライプを形成する方法等により形成する。このよう
な方法で形成されたフィルタのR,G,B1組で1画素を形成
し、1画素を10μm程度ど微細なものにする。このフィ
ルタを第6図のフィルタ61として使用することによりカ
ラー静電潜像を形成することができる。この場合、フィ
ルタは感光体と離して配置しても、あるいは感光体と一
体に形成するようにしてもよい。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a fine color filter. For example, a resist-coated film is exposed by a mask pattern to form an R, G, B stripe pattern, and formed by R, G, B dyeing, respectively. 5, a method in which R, B, and G interference fringes generated by passing the color-separated light by the method shown in FIG. 5 through a narrow slit are recorded on a hologram recording medium; A method in which an R, G, B stripe pattern based on an electrostatic latent image is formed by exposing a mask to a conductor in close contact with the conductor, developed with toner, and transferred three times to form a color stripe to form a toner stripe. And the like. One pixel is formed by one set of R, G, and B of the filter formed by such a method, and one pixel is made as fine as about 10 μm. By using this filter as the filter 61 in FIG. 6, a color electrostatic latent image can be formed. In this case, the filter may be arranged separately from the photoconductor, or may be formed integrally with the photoconductor.

第8図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G,B
パターンを縮小して記録することができ、また通常のレ
ンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能とな
る。
FIG. 8 is a diagram showing an example in which a fine color filter and a Fresnel lens are combined.
The pattern can be recorded in a reduced size, and a thin and compact lens can be designed as compared with a normal lens.

第9図は第6図(ハ)に示すようなR,G,B3面分割した
静電潜像にトナー現像した電荷保持媒体からカラー合成
を行な行う場合を示し、電荷保持媒体3を転写フィルム
63が取付けられた転写ロール61に圧着する。転写ロール
61の円周が各色の長さに等しいとすれば、ロールを3回
転すればカラー画像が形成されることになる。あるいは
1色毎に転写フィルムの方を動かしてカラー合成するよ
うにしてもよい。なお、第6図(ロ)のようにR,G,Bの
電荷保持媒体が独立している場合も同様にカラー合成す
ることができる。
FIG. 9 shows a case where color synthesis is performed from a toner-developed charge holding medium to an electrostatic latent image divided into R, G, and B planes as shown in FIG. 6 (c), and the charge holding medium 3 is transferred. the film
The transfer roll 61 is attached to the transfer roll 61 to which 63 is attached. Transfer roll
Assuming that the circumference of 61 is equal to the length of each color, a color image is formed by rotating the roll three times. Alternatively, the color may be synthesized by moving the transfer film for each color. In addition, as shown in FIG. 6 (b), when the R, G, and B charge holding media are independent, color synthesis can be similarly performed.

なお、上記説明ではトナー現像、転写、定着を行って
それ自体で最終像とする場合について述べたが、最終像
としないようにしてもよい。
In the above description, the case where the toner development, transfer, and fixing are performed to form the final image by itself has been described. However, the final image may not be formed.

例えば、電荷保持媒体3が透明である場合、トナー現
像した媒体に光を照射し、投影して拡大画像として見る
ことができ、また電荷保持媒体3が透明でない場合も、
トナーによる光反射減少を利用して反射像として拡大投
影して見ることができる。この場合、モノクロの場合は
単純に投影を行えばよく、カラーの場合は、3面分割像
の透過像または反射像を投影面で合成するようにすれば
よく、トナーが透過性であればそれ自体、透過像に対し
てフィルター効果を有し、非透過性の場合は投影面の前
に色フィルターを配置すればよい。
For example, when the charge holding medium 3 is transparent, the medium developed with toner can be irradiated with light, projected and viewed as an enlarged image, and when the charge holding medium 3 is not transparent,
The reflected image can be magnified and projected as a reflected image by utilizing the light reflection reduction by the toner. In this case, in the case of monochrome, the projection may be simply performed. In the case of the color, the transmission image or the reflection image of the three-plane split image may be synthesized on the projection surface. The filter itself has a filter effect on a transmission image, and in the case of non-transmission, a color filter may be arranged in front of the projection surface.

第10図はトナー画像からビデオ信号を得るための実施
例を示す図で、トナー画像が形成された電荷保持媒体3
の着色した面を光ビームにより照射してスキャニング
し、その反射光を光電変換器61で電気信号に変換するも
のであり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能
を達成することができる。
FIG. 10 is a view showing an embodiment for obtaining a video signal from a toner image, and shows a charge holding medium 3 on which a toner image is formed.
Is scanned by irradiating the colored surface with a light beam, and the reflected light is converted into an electric signal by the photoelectric converter 61. By reducing the diameter of the light beam, high resolution can be achieved.

第11図はカラートナー画像からビデオ信号を得る実施
例を示す図であり、微細カラーフィルターにより形成し
たR,G,B分解像をトナー現像し、着色した面を光ビーム
により照射し、その反射光によりY,M,C信号を得る場合
の例を示している。図鋳、63は走査信号発生器、65はレ
ーザー、67は反射鏡、69はハーフミラー、71は光電変換
器、73、75、77はゲート回路である。
FIG. 11 is a diagram showing an embodiment in which a video signal is obtained from a color toner image.The R, G, B separation image formed by the fine color filter is developed with toner, the colored surface is irradiated with a light beam, and the reflected light is reflected. An example in which Y, M, and C signals are obtained by light is shown. In FIG. 6, 63 is a scanning signal generator, 65 is a laser, 67 is a reflecting mirror, 69 is a half mirror, 71 is a photoelectric converter, and 73, 75, and 77 are gate circuits.

走査信号発生器63から走査信号でレーザー65からのレ
ーザー光を、反射鏡67、ハーフミラー69を介して着色面
に当てて走査する。着色面からの反射光をハーフミラー
69を介して光電変換器71に入射させて電気信号に変換す
る。走査信号発生器63からの信号に同期してゲート回路
73、75、77を開閉制御すれば、微細フィルタのパターン
に同期してゲート回路73、75、77が開閉制御されるの
で、Y、M、Cに着色しておかなくてもY、M、Cの信
号を得ることができる。
The scanning signal generator 63 scans the laser light from the laser 65 with a scanning signal by irradiating the colored surface via the reflecting mirror 67 and the half mirror 69. Half mirror for reflected light from colored surface
The light enters the photoelectric converter 71 via 69 and is converted into an electric signal. Gate circuit in synchronization with the signal from the scanning signal generator 63
By controlling the opening and closing of 73, 75, and 77, the gate circuits 73, 75, and 77 are controlled to be opened and closed in synchronization with the pattern of the fine filter, so that Y, M, and C do not need to be colored Y, M, and C. The signal of C can be obtained.

なお、カラー像が3面分割したものの場合も、全く同
様にY,M,Cの信号を得ることができ、この場合もY、
M、Cに着色しておかなくてもよいことは同様である。
In the case where the color image is divided into three planes, Y, M, and C signals can be obtained in exactly the same manner.
It is the same that M and C need not be colored.

第10図、第11図に示した方法においては、トナー像が
静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有していることが
必要で、そのため帯電量のアナロク的変化に対してしき
い値を持たないようにする必要があるが、対応さえとれ
ていれば、γ特性が一致していなくても電気的処理でγ
の補正を行うようにすればよい。
In the method shown in FIGS. 10 and 11, it is necessary that the toner image has a γ characteristic corresponding to the charge amount of the electrostatic latent image. It is necessary not to have a threshold value, but if the measures are taken, even if the γ characteristics do not match, γ
May be corrected.

第12図は電荷保持媒体3に形成されたトナー像の透過
像を得る方法を示す図で、図中、80は光源、81はレン
ズ、83はフィルター、85はスクリーンである。
FIG. 12 is a view showing a method for obtaining a transmitted image of the toner image formed on the charge holding medium 3, in which 80 is a light source, 81 is a lens, 83 is a filter, and 85 is a screen.

電荷保持媒体3を透明絶縁層11、透明電極13、透明支
持体15で構成し、透明支持体側15から光源80により光を
照射し、トナー像の透過像をレンズ81、フィルター83を
通してクルリーン85上に投影する。この場合、白黒トナ
ーを用いれば白黒像を投影することができ、また、カラ
ートナーとフィルターとを組合わせてスクリーン85上で
合成すればカラー投影像を得ることができる。
The charge holding medium 3 is composed of a transparent insulating layer 11, a transparent electrode 13, and a transparent support 15. Light is irradiated from the transparent support side 15 by a light source 80, and a transmitted image of a toner image is formed on a lens 85 through a lens 81 and a filter 83. Projected onto In this case, a black-and-white image can be projected by using a black-and-white toner, and a color projection image can be obtained by combining a color toner and a filter on a screen 85.

第13図は電荷保持媒体上に形成されたトナー像の反射
像を得る方法を説明するための図である。
FIG. 13 is a view for explaining a method of obtaining a reflection image of the toner image formed on the charge holding medium.

この例の場合には電極13が光反射層を形成し、光源80
からの光を反射させてトナー像の投影像をスクリーン85
上に形成している。この場合も白黒像あるいはカラー投
影像を得ることができる。
In this case, the electrode 13 forms a light reflecting layer and the light source 80
The projected image of the toner image by reflecting light from the screen 85
Formed on top. Also in this case, a monochrome image or a color projection image can be obtained.

〔作用〕[Action]

本発明のトナー画像形成方法は、電荷保持媒体上に面
状にアナログ量として静電潜像を形成し、これを荷電粒
子で現像して潜像から顕像への像変換を行うことによ
り、高品質、高解像であると共に、処理工程が簡便で、
長時間の記憶が可能であり、記憶した像情報を任意の時
点でトナー画像を形成することができる。
The toner image forming method of the present invention is to form an electrostatic latent image as an analog amount on a surface of a charge holding medium in the form of an analog, develop this with charged particles and convert the latent image into a visible image, With high quality and high resolution, the processing process is simple,
Long-term storage is possible, and a stored toner image can be formed at any time based on the stored image information.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例を説明する。 Hereinafter, examples will be described.

〔実施例1〕…電荷保持媒体の作製方法 メチルフェニルシリコン樹脂10g、キシレン−ブタノ
ール1:1溶媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤(金属
触媒):商品名CR−15を1重量%(0.2g)加えてよく攪
拌し、Alを1000Å蒸着したガラス基板うえにドクターブ
レード4ミルを用いてコーティングを行った。その後15
0℃、1hrの乾燥を行ない。膜圧10μmの電荷保持媒体
(a)を得た。
Example 1 Method for Producing a Charge Retaining Medium To a mixed solution having a composition of 10 g of methylphenylsilicone resin and 10 g of xylene-butanol 1: 1 solvent, 1% by weight of a curing agent (metal catalyst): trade name CR-15 (0.2 g), and the mixture was stirred well, and coating was performed on a glass substrate on which Al was deposited at 1000 ° using a doctor blade 4 mil. Then 15
Dry at 0 ° C for 1 hour. A charge holding medium (a) having a film pressure of 10 μm was obtained.

また上記混合液を、Alを1000Å蒸着した100μmポリ
エステルフィルム上に同様の方法でコーディングし、次
いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体(b)を得た。
In addition, the above mixed solution was coated on a 100 μm polyester film on which Al was deposited at 1000 ° in the same manner, and then dried to obtain a film-shaped charge holding medium (b).

また上記混合液を、Alを1000Å蒸着した4インチディ
スク形状アクリル(1mm厚)基板上にスピンナー2000rpm
でコーディングし、50℃、3hr乾燥させ、膜厚7μmの
ディスク状電荷保持媒体(c)を得た。
The above mixed solution was spin-coated on a 4-inch disk-shaped acrylic (1 mm thick) substrate on which Al was vapor-deposited at 1000 °
And dried at 50 ° C. for 3 hours to obtain a disk-shaped charge holding medium (c) having a thickness of 7 μm.

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を0.1g添加
し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μmの膜厚を
有する電荷保持媒体(d)を得た。
Further, 0.1 g of zinc stearate was further added to the above mixed solution, and the same coating and drying were performed to obtain a charge retaining medium (d) having a film thickness of 10 μm.

〔実施例2〕 ポリイミド樹脂10g、N−メチルピロリドン10gの組成
を有する混合液を、Alを1000Å蒸着したガラス基板上に
スピンナーコーティング(1000rpm、20秒)した。溶媒
を乾燥させるため150℃で30分間、前乾燥を行った後、
硬化させるため350℃、2時間加熱した。膜厚8μmを
有する均一な被膜が形成された。
Example 2 A mixed solution having a composition of 10 g of a polyimide resin and 10 g of N-methylpyrrolidone was spin-coated (1000 rpm, 20 seconds) on a glass substrate on which Al was deposited at 1000 °. After pre-drying at 150 ° C for 30 minutes to dry the solvent,
It was heated at 350 ° C. for 2 hours for curing. A uniform coating having a thickness of 8 μm was formed.

〔実施例3〕…単層系有機感光体(PVK−TNF)作製方法 ポリ−N−ビニルカルバゾール10g(亜南香料(株)
製)、2,4,7−トリニトロフルオレノン10g、ポリエステ
ル樹脂2g(バインダー:バイロン200東洋紡(株)
製)、テトラハイドロフラン(THF)90gの組成を有する
混合液を暗所で作製し、In2O3−SnO2を約1000Åの膜厚
でスパッターしたガラス基板(1mm厚)に、ドクターブ
レードを用いて塗布し、60℃で約1時間通風乾燥し、膜
厚約10μmの光導電層を有する感光層を得た。又完全に
乾燥を行うために、更に1日自然乾燥を行って用いた。
Example 3 Method for producing single-layer organic photoreceptor (PVK-TNF) 10 g of poly-N-vinyl carbazole (Anan Kofu Co., Ltd.)
Manufactured), 2,4,7-trinitrofluorenone 10 g, polyester resin 2 g (binder: Byron 200 Toyobo Co., Ltd.)
A mixed solution having a composition of 90 g of tetrahydrofuran (THF) was prepared in a dark place, and a doctor blade was applied to a glass substrate (1 mm thick) on which In 2 O 3 -SnO 2 was sputtered to a thickness of about 1000 mm. It was then applied and dried by ventilation at 60 ° C. for about 1 hour to obtain a photosensitive layer having a photoconductive layer having a thickness of about 10 μm. In order to dry completely, it was further dried naturally for one day before use.

〔実施例4〕…アモルファスシリコンaSi:H無機感光体
の作製方法。
Example 4 A method for producing an amorphous silicon aSi: H inorganic photoreceptor.

基板洗浄 SnO2の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニン
グ社7059ガラス(23×16×0.9t、光学研磨済)をトリウ
ロロエタン、アセトン、エタノール各液中、この順番に
各々10分ずつ超音波洗浄する。
Substrate cleaning SnO 2 thin film transparent electrode layer one surface provided with Corning 7059 glass (23 × 16 × 0.9t, optical polished) the Toriuroroetan, acetone, ethanol each liquid, ten minutes each in this order super Sonic clean.

装置の準備 洗浄の済んだ基板を第14図の反応室204内のアノード2
06上に熱伝導が十分であるようにセットした後、反応室
内を10-5Torr台までD,Pにより真空引きし、反応容器お
よびガス管の焼出しを150℃〜350℃で約1時間行い、焼
出しの後装置を冷却する。
Preparation of Apparatus The cleaned substrate is placed in the anode 2 in the reaction chamber 204 shown in FIG.
After setting it on the 06 so that heat conduction is sufficient, the reaction chamber is evacuated to 10 -5 Torr level by D and P, and the reaction vessel and gas pipe are baked out at 150-350 ° C. for about 1 hour. After the baking out, cool the device.

a・Si:H(n+)の堆積 ガラス基板が350℃になるようにヒーターを208調整、
加熱し、予めタンク201内で混合しておいたPH3/SiH4
1000ppmのガスをニードルバルブとPMBの回転数を制御す
ることによって反応室204の内圧が200mTorrになるよう
に流し内圧が一定になった後、Matching Box203を通じ
て、40WのR f Power 202(13.56KHz)を投入し、カソー
ド・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分間行
い、Rfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。
a. Deposition of Si: H (n + ) Adjust the heater 208 so that the temperature of the glass substrate is 350 ° C.
PH 3 / SiH 4 preheated and mixed in tank 201 =
After controlling the rotation of the needle valve and PMB so that the internal pressure of the reaction chamber 204 becomes 200 mTorr and the internal pressure becomes constant, a 40 W R f Power 202 (13.56 KHz) is passed through the matching box 203. And plasma is formed between the cathode and the anode. The deposition is performed for 4 minutes, the supply of Rf is stopped, and the needle valve is closed.

その結果、ブロッキング層を構成する約0.2μmのa
・Si:H(n+)膜が基板上に堆積された。
As a result, about 0.2 μm
-A Si: H (n + ) film was deposited on the substrate.

a・Si:Hの堆積 SiH4100%ガズをと同じ方法で内圧が200mTorrにな
るように流し、内圧が一定になったところで、Matching
Box203を通じて40WのR f power 202(13.56KHz)を投
入し、プラズマを変換して70分間維持する。堆積終了は
Rfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。Heater208
Off後、基板が冷えているから取り出す。
a. Deposition of Si: H SiH 4 100% gas was flowed in the same manner as in the above to keep the internal pressure at 200 mTorr, and when the internal pressure became constant, Matching
A 40 W R f power 202 (13.56 KHz) is supplied through Box 203, and the plasma is converted and maintained for 70 minutes. End of deposition
Stop charging Rf and close the needle valve. Heater208
After Off, take out the board because it is cold.

この結果、約18.8μmの膜がa・Si:H(n+)膜上に堆
積された。
As a result, a film of about 18.8 μm was deposited on the a.Si:H(n + ) film.

こうしてSnO2/a・Si:H(n+)ブロッキング層/a・Si:H
(non/dope)20μmの感光体を作製することができた。
Thus, SnO 2 / a · Si: H (n + ) blocking layer / a · Si: H
A (non / dope) 20 μm photoconductor was able to be produced.

〔実施例5〕…アモルファスセレン−テルル無機感光体
の作製方法 セレン(Se)に対してテルル(Te)が13重量%の割合
で混合された金属粒を用い、蒸着法によりa−Se−Te薄
膜を真空度10-5Torr、抵抗加熱法でITOガラス基板上に
蒸着した。膜圧は1μmとした。さらに真空度を維持し
た状態で、同じく抵抗加熱法でSeのみの蒸着を行いa−
Se−Te層上に10μma−Se層を積層した。
Example 5 Method for Preparing Amorphous Selenium-Tellurium Inorganic Photoreceptor Using metal particles in which selenium (Se) and 13% by weight of tellurium (Te) were mixed, a-Se-Te was formed by vapor deposition. The thin film was deposited on an ITO glass substrate by a resistance heating method at a degree of vacuum of 10 -5 Torr. The film pressure was 1 μm. Further, while maintaining the degree of vacuum, vapor deposition of only Se was performed by the same resistance heating method, and a-
A 10 μma-Se layer was laminated on the Se-Te layer.

〔実施例6〕…機能分離型感光体の作製方法 (電荷発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの組成
を有する混合液を250ml容積のステンレス容器に入れ、
更にガラスビーズNo3、180mlを加え、振動ミル(安川電
機製作所KED9−4)により、約4時間の粉砕を行い粒経
〜5μmのクロロシアンブルーを得る。ガラスビーズを
濾過後、ポリカーボネート、ユーピロンE−2000(三菱
ガス化学)を0.4g加え約4時間攪拌する。この溶液をIn
2O3−SnO2を約1000Åスパッターしたガラス基板(1mm
厚)にドクターブレードを用いて塗布し、膜厚約1μm
の電荷発生層を得た。乾燥は室温で1日行った。
Example 6 Method for Producing a Function-separated Photoreceptor (Method for Forming Charge Generation Layer) A mixed solution having a composition of 0.4 g of chlorodian blue and 40 g of dichloroethane was placed in a 250 ml stainless steel container,
Further, 180 ml of glass beads No. 3 is added, and crushed for about 4 hours by a vibration mill (KED9-4, Yaskawa Electric Seisakusho) to obtain chlorocyan blue having a particle size of ~ 5 µm. After filtering the glass beads, 0.4 g of polycarbonate and Iupilone E-2000 (Mitsubishi Gas Chemical) is added and stirred for about 4 hours. In this solution
2 O 3 -SnO 2 to about 1000Å sputtered glass substrate (1mm
Thickness) using a doctor blade to a thickness of about 1 μm
Was obtained. Drying was performed at room temperature for one day.

〔荷電輸送層の形成方法〕(Method of forming charge transport layer)

4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデニド
−1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g、ポリカーボネー
ト(ユーピロンE−2000)0.1g、ジクロルエタン2.0gの
組成を有する混合液をドクターブレードにて、上記電荷
発生層上に塗布し、約10μmの電荷輸送層を得た。乾燥
は60℃で2時間行った。
A mixture having a composition of 0.1 g of 4-dibenzylamino-2-methylbenzaldenide-1,1'-diphenylhydrazone, 0.1 g of polycarbonate (Iupilone E-2000) and 2.0 g of dichloroethane was charged with a doctor blade using the above-mentioned electric charge. It was applied on the generating layer to obtain a charge transport layer of about 10 μm. Drying was performed at 60 ° C. for 2 hours.

〔実施例7〕 (荷電発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積水化学、SLEC)
0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムClO4塩、 0.5g、ガラスビーズNo、133gとを混合し、タッチミキ
サーで1日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレ
ード、またはアプリケーターでガラス板上に積層したIT
O上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の
膜厚は1μm以下。
[Example 7] (Method of forming charge generation layer) Butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC) in 10 g of butyl acetate
0.25 g, azulhenium ClO 4 salt having the following structural formula, 0.5 g, glass beads No., 133 g were mixed, stirred for 1 day with a touch mixer, well dispersed and then laminated on a glass plate with a doctor blade or applicator.
It was applied on O and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness after drying is 1 μm or less.

(荷電輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ユーピロンE2000)0.5gと下記の構造式で示さ
れるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生層
上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚10μm
以下であった。
(Method of forming the charge transport layer) 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) in 9.5 g of tetrahydrofuran and a hydrazone derivative represented by the following structural formula (Anan perfume, CTC191) Then, the mixture was mixed with 0.5 g and applied on the charge generating layer with a doctor blade, and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. 10 μm thick
It was below.

〔実施例8〕 (電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積水化
学、SLEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.25g、4.10
−ジブロモアンスアンスロン0.25g、ガラスビーズNo.1
を33g、タッチミキサーで1日間攪拌し、よく分散させ
たものをドクターブレード、またはアプリケーターでガ
ラス板上に積層したITO上に塗布し、60℃、2時間以上
乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚1μm以下であっ
た。
[Example 8] (Method of forming charge generation layer) In 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC), 0.25 g of titanyl phthalocyanine, 4.10
-0.25 g of dibromoanthranthrone, glass beads No. 1
Was stirred for 1 day with a touch mixer, and the well-dispersed mixture was applied to ITO laminated on a glass plate with a doctor blade or an applicator and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The dried film had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の作製方法) ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート(三菱ガス
化学、ユーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラゾン誘導体
(阿南香料、CTC191)0.5gを溶解し、ドクターブレード
で、上記電荷発生層上に塗布、60℃、2時間以上乾燥さ
せた。膜厚は10μm以上であった。
(Preparation method of charge transport layer) In 9.5 g of dichloroethane, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) and 0.5 g of the above hydrazone derivative (Anan fragrance, CTC191) were dissolved, and the above-mentioned charge generation layer was placed on the charge generation layer with a doctor blade. The coating was performed and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or more.

〔実施例9〕…電荷注入防止層を設けた機能分離型感光
体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコーターにより0.5
〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥させた。
[Example 9] ... Method of producing a function-separated type photoreceptor provided with a charge injection preventing layer (Method of forming charge injection preventing layer) Soluble polyamide (Toa Gosei Chemical, FS-175SV10) on ITO laminated on a glass plate 0.5 by spin coater
11 μm coating, dried at 60 ° C. for 2 hours or more.

(電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積水化学、SLEC)
0.25g、前記したアズレニウムClO4塩0.5g、ガラスビー
ズNo、133gとを混合し、タッチミキサーで1日間攪拌
し、よく分散させたものをドクターブレード、またはア
プリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、60℃、
2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚1μm以
下であった。
(Formation method of charge generation layer) Butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC) in 10 g of butyl acetate
0.25 g, the above-mentioned azulhenium ClO 4 salt 0.5 g, glass beads No., 133 g were mixed, stirred for 1 day with a touch mixer, and well dispersed and applied on the above-mentioned charge injection preventing layer with a doctor blade or an applicator. And 60 ° C,
Dry for at least 2 hours. The dried film had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ユーピロンE2000)0.5gと前記したヒドラゾン
誘導体(阿南香料、CTC191)0.5gとを溶解させ、ドクタ
ーブレードで上記電荷発生層上に塗布し、60℃、2時間
以上乾燥させた。膜厚は10μm以下であった。
(Method of forming charge transport layer) In 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (Anan Perfume, CTC191) are dissolved, and the above-mentioned charge generation layer is placed on the charge generation layer with a doctor blade. It was applied and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.

〔実施例10〕 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコーターにより0.5
〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥させた。
Example 10 (Method for Forming Charge Injection Prevention Layer) Soluble polyamide (Toa Gosei Chemical Co., FS-175SV10) was applied on ITO laminated on a glass plate by a spin coater for 0.5 minute.
11 μm coating, dried at 60 ° C. for 2 hours or more.

(電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積水化
学、SLEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.25g、4.10
−ジブロモアンスアンスロン0.25g、ガラスビーズNo.1
を33g、タッチミキサーで1日間攪拌し、よく分散させ
たものをドクターブレード、またアプリケーターでー上
記電荷注入防止層上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥さ
せた。乾燥後の被膜は、膜厚1μm以下であった。
(Method of forming charge generation layer) 0.5 g of butyral resin (Sekisui Chemical, SLEC), 0.25 g of titanyl phthalocyanine, 4.10 in 20 g of tetrahydrofuran
-0.25 g of dibromoanthranthrone, glass beads No. 1
Was stirred for 1 day with a touch mixer, and the resulting mixture was well dispersed and applied to the above-mentioned charge injection preventing layer with a doctor blade or an applicator, and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The dried film had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) 溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート
(三菱ガス化学、ユーピロンE2000)0.5g、前記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5gとを溶解し、ドク
ターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、60℃、2時
間以上乾燥させた。膜厚は10μm以下であった。
(Method of forming charge transport layer) In 9.5 g of dichloroethane as a solvent, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Iupilon E2000) and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (Anan Perfume, CTC191) were dissolved, and the above-mentioned electric charge was dissolved with a doctor blade. The coating was applied on the generating layer and dried at 60 ° C. for 2 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.

〔実施例11〕 (感光体電極層の形成方法) 青板ガラス上に、酸化インジウム錫(ITO、比抵抗100
Ω・cm2)をスパッタリング法により蒸着させた。
Example 11 (Method of forming photoconductor electrode layer) Indium tin oxide (ITO, specific resistance 100
Ω · cm 2 ) was deposited by a sputtering method.

また、EB法により同様に蒸着させることができる。 In addition, vapor deposition can be similarly performed by the EB method.

(電荷注入防止層の形成方法) 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング
法により蒸着させた。
(Method of Forming Charge Injection Prevention Layer) On the photoreceptor electrode layer, silicon dioxide was deposited by a sputtering method.

膜厚は100〜3000Åとすことができ、また二酸化珪素
の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、またス
パッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着させる
ことができる。
The film thickness can be 100 to 3000 °, aluminum oxide may be used instead of silicon dioxide, and vapor deposition can be similarly performed by EB instead of sputtering.

(電荷発生層の形成方法) 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含
有量13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。
(Method of forming charge generation layer) Selenium-tellurium (tellurium content: 13% by weight) was deposited on the charge injection preventing layer by resistance heating. The film thickness is 2
μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) 上記荷電発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法
により蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
(Method of Forming Charge Transport Layer) Granular selenium was deposited on the charge generation layer by a resistance heating method. The film thickness is 10 μm or less.

〔実施例12〕…熱エレクトレットの作製方法 ポリ弗化ビニリデンフィルム20μm上に真空蒸着(10
-6Torr、抵抗加熱法)によりAlを1000Å蒸着したものを
電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光導電性感光体
と共に静電潜像を形成する。
[Example 12] ... Method for preparing thermal electret Vacuum evaporation (10 μm) on a 20 μm polyvinylidene fluoride film
An electrostatic latent image is formed together with the photoconductive photoreceptor of the function-separated type photoreceptor by using a charge-retention medium that has been formed by depositing Al at 1000 ° C. by -6 Torr (resistance heating method).

まず電荷保持媒体のAl基板側からホットプレート(3
×3cm)を接触させ、180℃に媒体を加熱する。加熱直後
に感光体を電荷保持媒体に10μmの空気ギャップで表面
同志を対向させ、量電極間に−550Vの電圧を印加(感光
体電極を負とする)し、露光させた。露光はハロゲンラ
ンプを光源として、10ルックスで、文字パターン原稿を
介して感光体裏面から1秒間行った。
First, a hot plate (3
× 3 cm) and heat the medium to 180 ° C. Immediately after heating, the photoreceptor was exposed to the charge holding medium by applying a voltage of -550 V between the electrodes (the photoreceptor electrode was made negative) with the surfaces facing each other with an air gap of 10 μm. Exposure was performed for 1 second from the back of the photoreceptor through a character pattern original at 10 lux using a halogen lamp as a light source.

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部(文字
部)には、−150Vの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されたなかった。この帯電パターンの形成された
フィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行
った結果、前と変わらず、露光部では−150Vの電位が測
定された。一方同様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放
電で表面に−150Vの電荷を形成した後、水滴を滴下し、
回収したところ、最初−150Vを示した露光部が0Vと全く
電荷消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化ビ
ニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化してい
ることがわかった。
Thereafter, the film was naturally cooled. As a result, a potential of -150 V was measured in the exposed portion (character portion), and no potential was measured in the unexposed portion. After a water drop was dropped on the film on which the charged pattern was formed and collected, the potential was measured. As a result, a potential of -150 V was measured in the exposed portion as before. On the other hand, after forcibly forming a charge of -150 V on the surface by corona discharge in the same charge holding medium, a water drop was dropped,
Upon recovery, the exposed portion which initially showed -150 V was 0 V and the charge was completely lost. Therefore, it was found that polarization was generated inside the polyvinylidene fluoride during electrification under heating, and the film was electretized.

〔実施例13〕…光エテクトレットの作製方法 1.1mm厚のガラス支持体上にAlを、約1000Åスパッタ
リング法により積層して基板とし、そのAl層上に硫化亜
鉛を約1.5μmの膜厚に蒸着(10-5Torr、抵抗加熱)さ
せた。この硫化亜鉛層面に、ガラス上に積層したITO面
を空気ギャップ10μm設けて対向させ、両電極間に+70
0Vの電圧を印加(Al電極側を負にする)した状態で、IT
O基板側から露光を行った。露光は実施例11と同様にし
て行った。その結果露光部には+80Vの電位が測定さ
れ、未露光部には電位が測定されなかった。この場合も
実施例11と同様な水滴実験を行ったが、回収後の電位の
変化はなく、内部に電荷の蓄積されたエレクトレットが
形成された。
[Example 13] ... Method of producing optical ejectlet Al was laminated on a glass support having a thickness of 1.1 mm by a sputtering method of about 1000 ° to form a substrate, and zinc sulfide was deposited on the Al layer to a thickness of about 1.5 μm. (10 -5 Torr, resistance heating). An ITO surface laminated on glass was opposed to this zinc sulfide layer surface with an air gap of 10 μm, and a +70
While applying 0V voltage (negative on the Al electrode side),
Exposure was performed from the O substrate side. Exposure was performed in the same manner as in Example 11. As a result, a potential of +80 V was measured in the exposed portion, and no potential was measured in the unexposed portion. In this case as well, a water droplet experiment similar to that of Example 11 was performed, but there was no change in the potential after the collection, and an electret in which charges were accumulated was formed inside.

〔実施例14〕 実施例3の単層系有機感光体(PVK−TNF)、実施例1
(a)の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用し、これ
を電極側を外側にして重ねてカメラセットする。この際
に感光体1と電荷保持媒体3間に空隙を設けるため、第
15図に示すように10μmのポリエステルフィルムをスペ
ーサー2として露光面以外の周囲に配置する。
Example 14 Single-Layer Organic Photoconductor (PVK-TNF) of Example 3, Example 1
(A) The charge holding medium and the glass substrate are used, and they are stacked with the electrode side facing out and set in a camera. At this time, since a gap is provided between the photoconductor 1 and the charge holding medium 3,
As shown in FIG. 15, a 10 μm polyester film is disposed as a spacer 2 around the area other than the exposed surface.

感光体電極側を負、電荷保持媒体側に正にして電圧を
700V印加し、その状態で露出f=1.4、シャッタースピ
ード1/60秒で光学シャッターを切るか、あるいは露出f
=1.4、ジャッター開放状態で1/60秒電圧印加を行い、
屋外昼間の被写体撮影を行った。
The voltage is set with the photoconductor electrode side negative and the charge holding medium side positive.
700V is applied, and in that state, the optical shutter is released at an exposure f = 1.4 and a shutter speed of 1/60 second, or the exposure f
= 1.4, apply voltage for 1/60 seconds with the jitter open,
The subject was photographed outdoors during the daytime.

露光OFF、電圧印加OFF後、電荷保持媒体を明るい所、
あるいは暗いで所で取り出し、 微小面積電位読取り法によるCRT画像形成、トナ
ー現像による画像形成を行った。
After the exposure is turned off and the voltage is turned off, place the charge holding medium in a bright place,
Alternatively, it was taken out in a dark place, and a CRT image was formed by a micro area potential reading method, and an image was formed by toner development.

では、100×100μmの微小面積表面電位測定プロー
ブをX−Y軸スキャニングを行い、100μm単位の電位
データを処理し、CRT上に電位−輝度変換により画像形
成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電位200Vか
ら未露光部0Vまでのアナログ電位潜像が形成されてお
り、その潜像をCRT上で100μmの解像度で顕像化するこ
とができた。
Then, a 100 × 100 μm micro area surface potential measurement probe was scanned in the XY axis, potential data in 100 μm units was processed, and an image was formed on a CRT by potential-luminance conversion. An analog potential latent image from the highest exposed portion potential of 200 V to the unexposed portion 0 V was formed on the charge holding medium, and the latent image could be visualized on a CRT with a resolution of 100 μm.

では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式
トナー(黒)に10秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度は1μmの高解像度で
あった。
In Example 1, the positive charge image was obtained by immersing the removed charge holding medium in a negatively charged wet toner (black) for 10 seconds. The resolution of the obtained toner image was a high resolution of 1 μm.

カラー画像の撮影は以下の方法で行った。 The photographing of the color image was performed by the following method.

プリズム型3面分割法 第5図に示すようにプリズムの3面上にR,G,Bフィル
ターを配置し、それぞれ面に上記媒体をセットし、f=
1.4、シャッタースピード1/30秒で被写体撮影を行っ
た。
Prism-type three-plane splitting method As shown in FIG. 5, R, G, and B filters are arranged on three surfaces of a prism, and the above medium is set on each surface.
1.4, the subject was shot at a shutter speed of 1/30 second.

カラーCRT表示法 R,G,B潜像各々を同様の方法でスキャニングして読み
取り、R,G,B潜像に対応した螢光発色をCRT上で形成し、
3色分解画像をCRT上で合成することによりカラー画像
を得た。
Color CRT display method Each of the R, G, B latent images is scanned and read in the same manner, and a fluorescent color corresponding to the R, G, B latent image is formed on the CRT,
A color image was obtained by synthesizing the three-color separated image on a CRT.

トナー現像法 分解露光した電荷保持媒体をR、G,B潜像に対して負
の帯電したC(シアン)、M(マゼンダ)、Y(イエロ
ー)トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い。その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。
Toner Development Method The charge-holding medium subjected to the separation exposure is developed with negatively charged C (cyan), M (magenta), and Y (yellow) toners for the R, G, and B latent images to form toner images. Before the toner dries, plain paper is overlaid on the medium on which the cyan toner image is formed, and positive corona charging is performed on the paper. Thereafter, when peeling was performed, the toner image was transferred to plain paper. Further, when the positions of the images were matched by the same method and the magenta toner and the yellow toner were sequentially transferred and synthesized at the same location, a color image was formed on plain paper.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明によれば、アナログ的に面状に静
電潜像として記録し、明所、暗所に関わりなく長期間の
保存が可能であるので、任意の時点でトナー現像して顕
像化することができると共に、高品質、高解像であると
共に、処理工程が簡便となる。またトナー画像それ自体
を最終画像とするはかりでなく、その透過像または反射
像を投影拡大して見ることができ、スライド用画像、OH
P画像、マイクロフィルム画像等に活用することができ
る。
As described above, according to the present invention, an electrostatic latent image is recorded on a plane in an analog manner, and can be stored for a long time regardless of a light place or a dark place. The image can be visualized, high quality and high resolution can be obtained, and the processing steps can be simplified. Also, instead of using the toner image itself as the final image, the transmitted image or the reflected image can be projected and magnified, and the slide image, OH
It can be used for P images, microfilm images, etc.

本発明による電荷保持媒体を露光後、室温25℃、湿度
35%の状態で3ケ月放置した後、(+)帯電した湿式ト
ナーで現像した結果、潜像形成直後にトナー現像した場
合と全く変わらない画像が形成された。
After exposing the charge holding medium according to the present invention, room temperature 25 ° C., humidity
After standing for 3 months at 35%, the image was developed with a (+) charged wet toner. As a result, an image was formed which was completely the same as when the toner was developed immediately after the latent image was formed.

また電荷保持媒体を露光後、室温40℃、湿度75%の条
件に3日放置した後、同様の現像を行った結果、同品質
の画像が得られた。
Further, after exposing the charge holding medium, the medium was allowed to stand at room temperature of 40 ° C. and humidity of 75% for 3 days, and the same development was performed. As a result, the same quality image was obtained.

また電荷保持媒体を露光後、室温40℃、湿度75%の条
件に10日放置した結果、潜像最高電位が初期の100Vから
70Vに低下し、トナー現象による濃度はマクベス反射濃
度計で1.5から1.3に低下したが、画像自体の解像度には
変化がなかった。
After exposure of the charge holding medium, the latent image was left at room temperature of 40 ° C and humidity of 75% for 10 days.
The density was reduced to 70 V, and the density due to the toner phenomenon was reduced from 1.5 to 1.3 with a Macbeth reflection densitometer, but the resolution of the image itself did not change.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明のトナー画像形成の原理を説明するため
の図、第2図は光エレクトレットを用いたトナー画像形
式の原理を説明するための図、第3図は熱エレクトレッ
トを用いたトナー画像形成の原理を説明するための図、
第4図は本発明のトナー画像形成方法を説明するための
図、第5図は色分解光学系の構成を示す図、第6図はカ
ラー静電潜像を形成する場合の説明図、第7図は微細カ
ラーフィルタの例を示す図、第8図は微細カラーフィル
タとフレネルレンズを組み合わせた例を示す図、第9図
はカラー合成方法を説明するための図、第10図、第11図
はトナー画像からビデオ信号を得る例を説明するための
図、第12図は透過像形成方法を説明するための図、第13
図は反射像形成方法を説明するための図、第14図はa−
Si:H感光体の作製方法を説明するための図、第15図は本
発明を適用した静電カメラによる撮影の実施例を説明す
るための図である。 1…感光体、3…電荷保持媒体、5…透明支持体、7…
透明電極、9…光導電層、11…絶縁層、13…電極、15…
支持体、17…電源、21、23…帯電器、25…転写フィル
ム、27…赤外線ランプ。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of toner image formation of the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of a toner image format using an optical electret, and FIG. 3 is a toner using a thermal electret. Diagram for explaining the principle of image formation,
FIG. 4 is a view for explaining a toner image forming method of the present invention, FIG. 5 is a view showing a configuration of a color separation optical system, FIG. 6 is an explanatory view for forming a color electrostatic latent image, 7 is a diagram showing an example of a fine color filter, FIG. 8 is a diagram showing an example in which a fine color filter and a Fresnel lens are combined, FIG. 9 is a diagram for explaining a color synthesizing method, FIG. 10, FIG. FIG. 12 is a diagram for explaining an example of obtaining a video signal from a toner image. FIG. 12 is a diagram for explaining a transmission image forming method.
FIG. 14 is a diagram for explaining a reflection image forming method, and FIG.
FIG. 15 is a diagram for explaining a method for manufacturing a Si: H photoconductor, and FIG. 15 is a diagram for explaining an example of photographing by an electrostatic camera to which the present invention is applied. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photoreceptor, 3 ... Charge holding medium, 5 ... Transparent support, 7 ...
Transparent electrode, 9 photoconductive layer, 11 insulating layer, 13 electrode, 15
Support, 17 ... Power supply, 21, 23 ... Charger, 25 ... Transfer film, 27 ... Infrared lamp.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−156840(JP,A) 特開 昭56−126856(JP,A) 特開 昭55−130543(JP,A) 特開 昭57−67948(JP,A) 特開 昭56−48655(JP,A) 特開 昭62−291845(JP,A) 特公 昭57−55140(JP,B2) 特公 昭51−2248(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03G 13/05 G03G 15/05 Continuation of front page (56) References JP-A-56-156840 (JP, A) JP-A-56-126856 (JP, A) JP-A-55-130543 (JP, A) JP-A-57-67948 (JP) JP-A-56-48655 (JP, A) JP-A-62-291845 (JP, A) JP-B-57-55140 (JP, B2) JP-B-51-2248 (JP, B1) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G03G 13/05 G03G 15/05

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に電極、光導電層を積層した感光体
と、基板上に電極、1014Ω・cm以上の比抵抗を持つ絶縁
層を積層した電荷保持媒体とを対向配置し、両電極間へ
電圧印加した状態で感光体側、あるいは電荷保持媒体側
から像露光した後、電荷保持媒体を分離し、分離した電
荷保持媒体を電荷が保持されている期間内の任意時点で
トナー現像することによりトナー画像を形成することを
特徴とするトナー画像形成方法。
1. A photoconductor in which electrodes and a photoconductive layer are laminated on a substrate, and a charge holding medium in which electrodes and an insulating layer having a specific resistance of 10 14 Ω · cm or more are laminated on the substrate are disposed so as to face each other. After image exposure from the photoreceptor side or the charge holding medium side with a voltage applied between both electrodes, the charge holding medium is separated, and the separated charge holding medium is developed with toner at any point during the period in which the charge is held. Forming a toner image by forming the toner image.
【請求項2】前記電荷保持媒体は、104V/cm以上の電界
が加えられたとき電荷が注入する電荷保持強化層を有す
ることを特徴とする請求項1記載のトナー画像形成方
法。
2. The toner image forming method according to claim 1, wherein the charge holding medium has a charge holding enhancement layer into which charges are injected when an electric field of 10 4 V / cm or more is applied.
【請求項3】前記電荷保持媒体は、絶縁層に電子供与性
を有するドナー材料、あるいは電子受容性を有するアク
セプター材料が添加されていることを特徴とする請求項
1記載のトナー画像形成方法。
3. The toner image forming method according to claim 1, wherein said charge holding medium has an insulating layer to which a donor material having an electron donating property or an acceptor material having an electron accepting property is added.
【請求項4】前記電荷保持媒体は、元素単体微粒子が、
電荷保持媒体に対して0.01〜10重量%添加されているこ
とを特徴とする請求項1記載のトナー画像形成方法。
4. The charge-holding medium according to claim 1, wherein the element-containing fine particles are:
2. The toner image forming method according to claim 1, wherein 0.01 to 10% by weight is added to the charge holding medium.
【請求項5】前記電荷保持媒体は、絶縁層表面に保護層
が形成されていることを特徴とする請求項1記載のトナ
ー画像形成方法。
5. The toner image forming method according to claim 1, wherein said charge holding medium has a protective layer formed on an insulating layer surface.
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