JPH02245758A - Internal accumulation type electrostatic charge image recording medium - Google Patents

Internal accumulation type electrostatic charge image recording medium

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JPH02245758A
JPH02245758A JP6724289A JP6724289A JPH02245758A JP H02245758 A JPH02245758 A JP H02245758A JP 6724289 A JP6724289 A JP 6724289A JP 6724289 A JP6724289 A JP 6724289A JP H02245758 A JPH02245758 A JP H02245758A
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JP
Japan
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layer
image recording
recording medium
electrode
charge
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Application number
JP6724289A
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Japanese (ja)
Inventor
Minoru Uchiumi
内海 実
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enhance image quality and resolution and to enable optionally repeating reproduction of information in an image quality in accordance with any purpose by laminating on a support an electrode layer and near above it a single layer or plural layers comprising fine photoconductive particles or fine conductive particles and on this or these layers an insulating layer. CONSTITUTION:The electrostatic charge image recording medium 3 is formed by laminating on the support 15 the electrode layer 13, near above this the single layer or plural layers of the line photoconductive particles 16 or the fine conductive particles 16, and on this or these layers the insulating layer 11 having a prescribed specific resistivity, and after having accumulated information the ends of the medium 3 are sealed with protective layers 10, thus permitting the electric charge of the information accumulated in the fine particles 16 to be permanently preserved and surface potential induced by this charge to be easily detected by inserting through the protective layer 10 and measuring the potential difference between the electrode 13 electrostatic charge image recording medium 3 to optionally repeat reproduction of the information high in quality and resolution in accordance with any purpose.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧印加時露光により画像を静電的に記録し、
任意時点で画像再生を行うことができる内部蓄積型静電
画像記録媒体に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention records an image electrostatically by exposure when voltage is applied,
The present invention relates to an internal storage type electrostatic image recording medium that allows image reproduction at any time.

(従来の技術〕 従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、描影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現させる場合には銀塩乳剤
(印画紙)を使用するか、または現像フィルムを光学走
査して陰極線管(以下CRT)に再現させる等により行
われている。
(Prior art) Silver halide photography is conventionally known as a high-sensitivity photographing technique.In this photography method, the image is recorded on a film through a developing process, and silver halide is used to reproduce the image. This is accomplished by using an emulsion (photographic paper) or by optically scanning a developed film and reproducing it on a cathode ray tube (hereinafter referred to as CRT).

また光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコロ
ナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して光
の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の電
荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光導
電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆極
性の電荷(または同極性の電荷)を有するトナーを付着
させて、紙等に静電転写して現像する電子写真技術があ
り、これは主として複写用に用いられているが、−aに
低感度のため撮影用としては使用できず、記録媒体とし
ての光電導層における静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。
In addition, electrodes are deposited on the photoconductive layer, the entire surface of the photoconductive layer is charged by corona charging in a dark place, and then exposed to strong light to make the photoconductive layer conductive in the areas exposed to the light, and the charges in those areas are An electrostatic latent image is optically formed on the surface of the photoconductive layer by leaking and removing the residual electrostatic charge, and a toner having a charge of the opposite polarity (or a charge of the same polarity) as the residual electrostatic charge is attached, There is an electrophotographic technique in which electrostatic transfer is performed on paper, etc., and then developed.This is mainly used for copying, but it cannot be used for photography due to its low sensitivity, and the photoconductive layer as a recording medium. Since the retention time of the electrostatic charge is short, it is common to develop the toner immediately after forming the electrostatic latent image.

〔発明が解決すべき課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像
化は銀塩写真法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極
めて短く、現像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。また
TV撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。
However, with electrophotographic technology, visualization of the obtained electrostatic latent image is easier and faster than with silver halide photography, but the storage time of the latent image is extremely short, and developer dissociation properties, image quality, etc. are inferior to silver halide photography. . Furthermore, TV photographing technology requires line-sequential scanning in order to extract and record electrical image signals obtained by an image pickup tube. Line-sequential scanning is performed using an electron beam in the image pickup tube and a magnetic head for video recording, but since resolution depends on the number of scanning lines, it is significantly degraded compared to planar analog recording such as silver halide photography.

近年発達しつつある固体撮像素子(CCD等)を利用し
たTVjl像系も解像性に関しては本質的に同様であり
、これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、
高解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であ
れば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があ
った。
TVJL imaging systems that utilize solid-state image sensors (CCDs, etc.), which have been developing in recent years, are essentially the same in terms of resolution, and the problems inherent in these technologies are that image recording is of high quality and
If the resolution was high, the processing steps would be complicated, and if the steps were simple, there would be a lack of memory function or a basic deterioration of image quality.

また透明電極上にセレン粒子層を有する熱可塑性物質層
を設け、全面コロナ帯電させ、像露光し、熱現像するこ
とにより情報を可視情報として再生させるものは、その
蓄積された電荷情報は極めて永続性(10年以上)のあ
るものであるが、その情報記録にあたってはコロナ帯電
を必要とし、また情報を可視化させて再生するものであ
る。
In addition, information can be reproduced as visible information by providing a thermoplastic material layer with a selenium particle layer on a transparent electrode, corona charging the entire surface, imagewise exposure, and thermal development, and the accumulated charge information is extremely permanent. However, it requires corona charging to record the information, and it also visualizes and reproduces the information.

本発明者等は、先に前面に電極が設けられた光導電層か
らなる感光体と、感光体に対向し、後面に電極が設Jす
られた絶縁層からなる電荷保持媒体とを配置し、両電極
間への電圧印加した状態で感光体側、あるいは電荷保持
媒体側から像露光した後、電荷保持媒体を分離し、電荷
保持媒体に像情報として蓄積されている表面電位を増幅
し像再生出力する静電画像記録媒体において、該電荷保
持媒体における絶縁層が、光導電性、または導電性微粒
子層を含有し、該微粒子中に電荷を蓄積する機能を有す
るものである静電画像記録媒体について出#(特願昭6
3−239490号)した。
The present inventors first arranged a photoreceptor made of a photoconductive layer with an electrode provided on its front surface, and a charge retention medium made of an insulating layer with an electrode provided on its rear surface, facing the photoreceptor. After image exposure is performed from the photoconductor side or the charge retention medium side with a voltage applied between both electrodes, the charge retention medium is separated and the surface potential stored as image information on the charge retention medium is amplified to reproduce the image. An electrostatic image recording medium to be outputted, wherein the insulating layer of the charge holding medium contains a layer of photoconductive or conductive fine particles, and has a function of accumulating charge in the fine particles. About issue # (Special application 1986)
No. 3-239490).

本発明はその静電画像記録媒体の改良、特に蓄積された
情報電荷の保持特性の改良を目的とするもので、静電画
像記録媒体の表面に反対電荷を近づく等の障害があって
も容易に蓄積された情報電荷が消去されない静電画像記
録媒体の提供を課題とし、高品質、高解像であると共に
情報記録方法が簡単で、長時間の記憶が可能で、記憶し
た文字、線画、画像、コード、(1,0)情報を目的に
応じた画質で任意に反復再生することができる静電画像
記録媒体、およびその静電画像記録方法の提供を課題と
する。
The present invention aims to improve the electrostatic image recording medium, and in particular to improve the retention characteristics of accumulated information charges. Our goal is to provide an electrostatic image recording medium that does not erase the information charges accumulated in the image.It has high quality and high resolution, has a simple information recording method, and can be stored for a long time. An object of the present invention is to provide an electrostatic image recording medium that can arbitrarily and repeatedly reproduce images, codes, and (1,0) information with image quality that suits the purpose, and an electrostatic image recording method thereof.

〔課題を解決するための手段] 本発明の内部蓄積型静電画像記録媒体は、支持体上に電
極層を設け、次いで該電極層上近傍に光導電性微粒子、
または導電性微粒子を単層状、もしくは複数層状に積層
し、更に該微粒子層上に絶縁層を積層したことを特徴と
するものである。
[Means for Solving the Problems] The internal storage type electrostatic image recording medium of the present invention includes an electrode layer provided on a support, and then photoconductive fine particles,
Alternatively, conductive fine particles are laminated in a single layer or in multiple layers, and an insulating layer is further laminated on the fine particle layer.

この光導電性微粒子は直接電極層上に積層されるか、ま
た電極層上に1000Å以下の膜厚の絶縁層を介して積
層されるものである。
The photoconductive fine particles are laminated directly on the electrode layer or on the electrode layer via an insulating layer having a thickness of 1000 Å or less.

以下本発明の静電画像記録媒体の構成材料、静電画像記
録媒体への記録に用いられる感光体の構成材料、その形
成方法、および静電画像記録再生方法について説明する
The constituent materials of the electrostatic image recording medium of the present invention, the constituent materials of the photoreceptor used for recording on the electrostatic image recording medium, the method for forming the same, and the electrostatic image recording and reproducing method will be described below.

第1図、第2図は本発明の静電画像記録媒体3の断面図
であり、第3図、第4図はそれぞれ第1図、第2図に示
した静電画像記録媒体に情報を記録した後の保存状態を
示す静電画像記録媒体の断面図である0図中、3は静電
画像記録媒体、10は保護層、11は絶縁層、11′は
1000Å以下の膜厚の絶縁層、13は静電画像記録媒
体電極、15は支持体、16は微粒子である。
1 and 2 are cross-sectional views of the electrostatic image recording medium 3 of the present invention, and FIGS. 3 and 4 show information on the electrostatic image recording medium shown in FIGS. 1 and 2, respectively. In Figure 0, which is a cross-sectional view of an electrostatic image recording medium showing the storage state after recording, 3 is the electrostatic image recording medium, 10 is a protective layer, 11 is an insulating layer, and 11' is an insulating layer with a film thickness of 1000 Å or less The layer 13 is an electrostatic image recording medium electrode, 15 is a support, and 16 is a fine particle.

静電画像記録媒体3は微粒子16毎に情報を静電荷の分
布として記録するものである。従って記録される情報、
あるいは記録の方法によりこの静電画像記録媒体の形状
は種々の形状をとることができる0例えば静電カメラ(
同一出願人による特願昭63−121591号)に用い
られる場合には、一般のフィルム(単コマ、連続コマ用
)形状、あるいはディスク状となり、レーザー等により
デジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合には
、テープ形状、ディスク形状、あるいはカード形状とな
る。
The electrostatic image recording medium 3 records information as a distribution of electrostatic charges for each particle 16. Information recorded accordingly;
Alternatively, depending on the recording method, the shape of this electrostatic image recording medium can take various shapes. For example, an electrostatic camera (
When used in Japanese Patent Application No. 63-121591 filed by the same applicant, it is in the form of a general film (single frame or continuous frame) or a disk, and when digital information or analog information is recorded using a laser, etc. It can be tape-shaped, disk-shaped, or card-shaped.

支持体15は、静電画像記録媒体3を強度的に支持する
ものであり、微粒子を支持することができるある程度の
強度を有していれば、その材質、厚みは特に制限がなく
、例えば可撓性のあるプラスチックフィルム、紙、或い
は硝子、プラスチックシート等の剛体が使用され光透過
性も同様に要求される場合がある。具体的には、静電画
像記録媒体3がフレキシブルなフィルム、テープ、ディ
スク形状をとる場合には、フレキシブル性のあるプラス
チックフィルムが使用され、強度が要求される場合には
剛性のあるシート、ガラス等の無機材料等が使用される
The support 15 supports the electrostatic image recording medium 3 with strength, and its material and thickness are not particularly limited as long as it has a certain level of strength that can support the fine particles. A rigid body such as a flexible plastic film, paper, glass, or plastic sheet may be used, and light transmittance may also be required. Specifically, when the electrostatic image recording medium 3 takes the form of a flexible film, tape, or disk, a flexible plastic film is used, and when strength is required, a rigid sheet or glass is used. Inorganic materials such as

静電画像記録媒体3がフレキシブルなフィルム、テープ
、ディスク形状をとる場合について説明する。まず第5
図(a)に示すものは、記録部である絶縁層11が連続
しているタイプである。
A case where the electrostatic image recording medium 3 takes the form of a flexible film, tape, or disk will be explained. First, the fifth
The one shown in Figure (a) is of a type in which the insulating layer 11, which is the recording section, is continuous.

これは電極層を設けたプラスチックフィルム等の支持体
上に絶縁層を支持体の両辺を残して、または全面に形成
してなるものである。この静電画像記録媒体は、少なく
とも記録される一画面(例えばカメラ取りによる場合の
一コマ、デジタル情報記録のトラック中)の2倍以上の
長さを有するものである。また当然この静電画像記録媒
体を長手方向に複数接合してなるものも含まれ、この際
には隣接する絶縁層の間に絶縁層欠落のスリット帯があ
ってもよい。
This is made by forming an insulating layer on a support such as a plastic film provided with an electrode layer, leaving both sides of the support or the entire surface of the support. This electrostatic image recording medium has a length that is at least twice as long as one screen to be recorded (for example, one frame when taken with a camera, or within a track of digital information recording). Naturally, it also includes a structure in which a plurality of electrostatic image recording media are joined together in the longitudinal direction, and in this case, there may be a slit band where an insulating layer is missing between adjacent insulating layers.

また第5図(b)に示すように、絶縁層11が長手方向
に不連続のタイプがある。
Further, as shown in FIG. 5(b), there is a type in which the insulating layer 11 is discontinuous in the longitudinal direction.

これはプラスチックフィルム等の支持体上に、絶縁層を
支持体の両辺を残して、または残さずして、長手方向に
不連続に形成してなるものであり、支持体上には複数の
絶縁層が成る大きさで形成される。この絶縁層の大きさ
は、画像、および情報の入力装置の露光方法にもよるが
、例えばカメラ取りによる場合は、35mmX35mm
であり、レーザービーム等のスボント入力の場合は、デ
ジタル情報記録のトラック中である。尚、デジタル情報
記録の場合には、隣接する絶縁層間に形成されている絶
縁層欠落部は、情報の入出力の際のトラッキング帯とし
て利用されうる。また当然この静電画像記録媒体を長手
方向に複数接合してなるものも含まれ、この際には隣接
する絶縁層の間に絶縁層欠落のスリット帯があってもよ
い。
This is made by forming an insulating layer discontinuously in the longitudinal direction on a support such as a plastic film, with or without leaving both sides of the support. Formed in layers. The size of this insulating layer depends on the exposure method of the image and information input device, but for example, when using a camera, it is 35 mm x 35 mm.
In the case of sub-ont input such as a laser beam, it is during the track of digital information recording. In the case of digital information recording, the insulating layer missing portion formed between adjacent insulating layers can be used as a tracking band when inputting and outputting information. Naturally, it also includes a structure in which a plurality of electrostatic image recording media are joined together in the longitudinal direction, and in this case, there may be a slit band where an insulating layer is missing between adjacent insulating layers.

また第5図(c)に示すように絶縁層が巾方向に不連続
のタイプがある。
Furthermore, as shown in FIG. 5(c), there is a type in which the insulating layer is discontinuous in the width direction.

このタイプは電極層を設けたプラスチックフィルム等の
支持体上に、絶縁層を支持体の両辺を残して、または残
さずして、巾方向に不連続に形成してなるものであり、
支持体上には複数の帯状の絶縁層が形成される。この絶
縁層の巾は記録されるデジタル情報のトラック中に等し
いか、或いは整数倍のものであり、隣接する絶縁層間に
形成されている絶縁層欠落部は、情報の入出力の際のト
ラッキング帯として利用される。
This type is made by forming an insulating layer discontinuously in the width direction on a support such as a plastic film provided with an electrode layer, with or without leaving both sides of the support.
A plurality of strip-shaped insulating layers are formed on the support. The width of this insulating layer is equal to or an integral multiple of the width of the track of digital information to be recorded, and the missing part of the insulating layer formed between adjacent insulating layers is a tracking band during input/output of information. used as.

また第5図(d)に示すように、円板状のタイプがある
Furthermore, as shown in FIG. 5(d), there is a disc-shaped type.

このタイプは、電極層を設けた円形のプラスチックフィ
ルム等の支持体上に絶縁層を全面に、或いは連続した渦
巻状の絶縁層欠落部を有して形成されるものである。こ
の静電画像記録媒体では、入出力装置の駆動のための円
形欠落が形成されていてもよい、またデジタル情報記録
部の場合には、連続した渦巻状の絶縁層欠落部は、情報
の入出力の際のトラッキング帯として利用されうる。
In this type, an insulating layer is formed on the entire surface of a support such as a circular plastic film provided with an electrode layer, or with a continuous spiral-shaped missing portion of the insulating layer. In this electrostatic image recording medium, a circular cutout for driving an input/output device may be formed, and in the case of a digital information recording section, a continuous spiral cutout in the insulating layer may be formed to input information. It can be used as a tracking band during output.

電極13は、支持体上に形成され、その材質は比抵抗値
が10’Ω・cow以下であれば限定されなく、無機金
属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である。このような
静電画像記録媒体電極はその支持体上に蒸着、スパッタ
リング、CVD、コーティング、メツキ、ディッピング
、電解重合等の方法により形成される。またその膜厚は
電極を構成する材料の電気特性、および情報記録の際の
印加電圧により変化させる必要があるが、例えばアルミ
ニウムであれば100〜3000人程度であり、支持体
と絶縁層との間の全面、或いは絶縁層の形成パターンに
合わせて形成される。
The electrode 13 is formed on a support, and its material is not limited as long as it has a specific resistance value of 10' Ω·cow or less, and may be an inorganic metal conductive film, an inorganic metal oxide conductive film, or the like. Such electrostatic image recording medium electrodes are formed on the support by methods such as vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, and electrolytic polymerization. In addition, the film thickness needs to be changed depending on the electrical properties of the material composing the electrode and the applied voltage during information recording, but for example, in the case of aluminum, it is about 100 to 3000, and the thickness of the film between the support and the insulating layer is It is formed on the entire surface between or in accordance with the formation pattern of the insulating layer.

絶縁層11は電荷の移動を抑えるため高絶縁性が必要で
あり、比抵抗で1014Ω・cm以上の絶縁性を有する
ことが要求される。
The insulating layer 11 needs to have high insulation properties in order to suppress the movement of charges, and is required to have insulation properties with a specific resistance of 10 14 Ω·cm or more.

絶縁層の積層方法としては、まず第1図に示す静電画像
記録媒体の場合には微粒子12を電極上に蒸着により形
成した後、その微粒子層上にシリカ、アルミナ等を蒸着
、スパッタ法等により、または樹脂、ゴム類を溶剤に溶
解させてコーティング、ディッピングすることにより層
形成することができる。
In the case of the electrostatic image recording medium shown in FIG. 1, the insulating layer is laminated by first forming fine particles 12 on the electrode by vapor deposition, and then depositing silica, alumina, etc. on the fine particle layer by vapor deposition, sputtering, etc. The layer can be formed by coating or dipping the resin or rubber dissolved in a solvent.

また第2図に示す静電画像記録媒体の場合には、電極上
にまず絶縁層11’が1000Å以下の膜厚に積層され
る。この絶縁層11°は像電荷により形成される電界に
より電極13より電荷をトンネリング現象により微粒子
内に注入させ、注入後は微粒子中に電荷を安定して保持
させる機能を有するものであり、そのために1000Å
以下の膜厚に積層され、シリカ、アルミナ等を蒸着、ス
パッタ法等により積層して形成するとよく、また樹脂、
ゴム類を溶剤に溶解させ、スピンナーコーティングによ
り積層するとよい。
In the case of the electrostatic image recording medium shown in FIG. 2, an insulating layer 11' is first laminated on the electrode to a thickness of 1000 Å or less. This insulating layer 11° has the function of injecting charge from the electrode 13 into the fine particles by a tunneling phenomenon using an electric field formed by an image charge, and stably retaining the charge in the fine particles after injection. 1000Å
It is preferably formed by laminating silica, alumina, etc. by vapor deposition, sputtering, etc., with the following film thickness, and resin,
The rubber may be dissolved in a solvent and laminated by spinner coating.

上記樹脂としては、熱可塑性樹脂、或いは熱硬化性樹脂
、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネルギー
線硬化樹脂、或いはエンジニアリングプラスチック、或
いはゴム等を使用することができる。
As the resin, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an energy beam curing resin such as an ultraviolet curing resin or an electron beam curing resin, an engineering plastic, or rubber can be used.

熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、塩化ビニ
ル樹脂、ポリプロピレン、スチレン樹脂、ABS樹脂、
ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン系樹脂、塩化ビニリデン樹脂、AAS (
ASA)樹脂、ABS樹脂、繊維素ユ導体樹脂、熱可塑
性ポリウレタン、ポリビニルブチラール、ポリ−4−メ
チルペンテン−1、ポリブテン−1、ロジンエステル樹
脂等、更に弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレ
ン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ま
たそれらのディスパージランタイプ、または変性タイプ
(コーティングタイプ)、またポリパラキシリレンの下
記構造式で示されるもの、(尚、上記Cタイプは上記構
造のもののみでなく、ベンゼン環における主鎖結合部位
以外の部位の内1つが塩素で置換されているもの、また
Dタイプはその2つが塩素で置換されているものであれ
ばよい、) 等は耐熱性、耐湿性の観点から特に好ましい。
Examples of thermoplastic resins include polyethylene, vinyl chloride resin, polypropylene, styrene resin, ABS resin,
Polyvinyl alcohol, acrylic resin, acrylonitrile-styrene resin, vinylidene chloride resin, AAS (
ASA) resin, ABS resin, cellulose conductor resin, thermoplastic polyurethane, polyvinyl butyral, poly-4-methylpentene-1, polybutene-1, rosin ester resin, etc., and fluororesins such as polytetrafluoroethylene, fluorinated Ethylene propylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, their disperdylane type or modified type (coating type), polyparaxylylene represented by the following structural formula (in addition, the above C type Not only those with the above structure, but also those in which one of the sites other than the main chain binding site in the benzene ring are substituted with chlorine, and the D type may be those in which two of the sites are substituted with chlorine, ) etc. are particularly preferred from the viewpoint of heat resistance and moisture resistance.

また熱硬化性樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メ
ラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂
等、 更に紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネルギ
ー線硬化樹脂としては、ラジカル重合性アクリレート系
化合物があり、例えばアクリル酸又はメタアクリル酸若
しくはこれらの誘導体のエステル化合物であって、両末
端に水酸基を有するものであり、具体的にはヒドロキシ
エチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート
、ヒドロキシブチルアクリレート、ヒドロキシエチルメ
タアクリレート、ヒドロキシプロピルメタアクリレート
、ヒドロキシブチルメタアクリレート、4−ヒドロキシ
シクロへキシルアクリレート、5−ヒドロキシシクロオ
クチルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェニルオ
キシプロピルアクリレート等の重合性不飽和基1個有す
る(メク)アクリル酸エステル化合物を始め、式 %式% で示される重合性不飽和基2個を存する化合物等を使用
することができる。
Examples of thermosetting resins include unsaturated polyester resins, epoxy resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, and energy ray-curable resins such as ultraviolet curable resins and electron beam curable resins. Examples of resins include radically polymerizable acrylate compounds, such as ester compounds of acrylic acid, methacrylic acid, or derivatives thereof, which have hydroxyl groups at both ends. Specifically, hydroxyethyl acrylate, hydroxyl Polymerization of propyl acrylate, hydroxybutyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl methacrylate, 4-hydroxycyclohexyl acrylate, 5-hydroxycyclooctyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl acrylate, etc. In addition to (mek)acrylic acid ester compounds having one polymerizable unsaturated group, compounds having two polymerizable unsaturated groups represented by the formula % can be used.

2個の水酸基と1個又は2個以上のラジカル重合性不飽
和基を有する硬化性化合物としては、例えばグリセロー
ルメタアクリレートや下記一般式(但しRSR’ はメ
チル基、または水素であり、R,はエチ゛レンゲリコー
ル、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ブ
タンジオール、1゜6−ヘキサンジオール等の短鎖ジオ
ール残基である。)により示されるアクリレート類を使
用することができる。
Examples of the curable compound having two hydroxyl groups and one or more radically polymerizable unsaturated groups include glycerol methacrylate and the following general formula (where RSR' is a methyl group or hydrogen, and R is Short-chain diol residues such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, butanediol, 1.6-hexanediol, etc.) can be used.

またエンジニアリングプラスチックとしてはポリカーボ
ネート、ポリアミド、アセタール樹脂、ポリフェニレン
オキシド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
テレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイ
ミド樹脂、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、
芳香族ポリエステル、ポリアクリレート等が使用できる
Engineering plastics include polycarbonate, polyamide, acetal resin, polyphenylene oxide, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyimide resin, polysulfone, polyether sulfone,
Aromatic polyester, polyacrylate, etc. can be used.

また微粒子上に積層される絶縁層11としてはシリコン
フィルム、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム
、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、ポリカーボネ
ートフィルム、ポリアミドフィルム等を接着剤等を介し
て貼着することにより層形成させ、上記熱可塑性樹脂と
同様に使用してもよい。
In addition, as the insulating layer 11 laminated on the fine particles, a silicone film, a polyester film, a polyimide film, a fluorine-containing film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polyparabanic acid film, a polycarbonate film, a polyamide film, etc. are attached via an adhesive or the like. It may be formed into a layer by doing this and used in the same manner as the above thermoplastic resin.

なお微粒子12上に積層される絶縁層11は絶縁性の点
からは少なくても1000人(0,1μm)以上の厚み
に形成される必要があり、フレキシビル性の点からは1
00μm以下が好ましい。
Note that the insulating layer 11 laminated on the fine particles 12 needs to be formed to a thickness of at least 1000 μm (0.1 μm) or more from the standpoint of insulation, and from the standpoint of flexibility, the thickness must be at least 1 μm.
00 μm or less is preferable.

電荷を蓄える微粒子としては光導電性材料、導電性材料
から形成される。
The fine particles that store charge are formed from a photoconductive material or a conductive material.

光導電性微粒子材料としてはアモルファスシリコン、結
晶シリコン、アモルファスセレン、結晶セレン、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機系光導電材料、またポリビ
ニルカルバゾール、フクロシアニン、アゾ系顔料等の有
機系光導電材料が使用される。
Examples of photoconductive particulate materials include inorganic photoconductive materials such as amorphous silicon, crystalline silicon, amorphous selenium, crystalline selenium, cadmium sulfide, and zinc oxide, and organic photoconductive materials such as polyvinyl carbazole, fucrocyanine, and azo pigments. used.

また導電性材料としては、周期律表第1A族(アルカリ
金属)、同IB族(銅族)、同IIA族(アルカリ土類
金属)、同IIB族(亜鉛族)、同1[[A族(アルミ
ニウム族)、同IIIB族(希土類)、同■B族(チタ
ン族)、同VB族(バナジウム族)、同VIB族(クロ
ム族)、同■B族(マンガン族)、同■族(鉄族、白金
族)、また同IVA族(炭素族)としては炭素、珪素、
ゲルマニウム、錫、鉛、同VA族(窒素族)としてはア
ンチモン、ビスマス、同VIA族(酸素族)としては硫
黄、セレン、テルルが微細粉状で使用される。また上記
元素単体のうち金属類は金属イオン、微細粉状の合金、
有機金属、錯体の形態としても使用することができる。
In addition, as conductive materials, Group 1A (alkali metals), Group IB (copper group), Group IIA (alkaline earth metals), Group IIB (zinc group), Group 1[[A] of the periodic table are used. (aluminum group), IIIB group (rare earths), ■B group (titanium group), VIB group (vanadium group), VIB group (chromium group), ■B group (manganese group), same ■group ( The IVA group (carbon group) includes carbon, silicon,
Germanium, tin, and lead, antimony and bismuth as members of the VA group (nitrogen group), and sulfur, selenium, and tellurium as members of the VIA group (oxygen group) are used in fine powder form. Among the above elements, metals include metal ions, fine powder alloys,
It can also be used in the form of an organometallic complex.

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。特に炭素、金
、銅、アルミニウム等が好ましく使用される。
Furthermore, the above elements can be used in the form of oxides, phosphorus oxides, sulfides, and halides. In particular, carbon, gold, copper, aluminum, etc. are preferably used.

次に微粒子層の形成方法を説明する。Next, a method for forming the fine particle layer will be explained.

第1図、第2図に示すものは、アモルファスシリコン、
アモルファスセレン、結晶セレン等の微粒子層をそれぞ
れ電極上、又は絶縁層上に低圧蒸着装置を使用し、粒子
層形成材料を蒸着させることにより形成される0粒子層
形成材料は、1OTorr〜10”3Torr程度の低
圧下で蒸発させると凝集し、10〜0.1μm径程度の
超微粒子状態となり、微粒子は電極、又は絶縁層表面に
、単層状、或いは複数層状に整列した状態で積層される
ものである。
What is shown in Figures 1 and 2 is amorphous silicon,
The zero-particle layer forming material is formed by depositing a fine particle layer of amorphous selenium, crystalline selenium, etc. on an electrode or an insulating layer using a low-pressure evaporation device, and the material is 10 Torr to 10"3 Torr. When evaporated under moderately low pressure, it aggregates and becomes ultrafine particles with a diameter of about 10 to 0.1 μm, and the fine particles are stacked on the surface of the electrode or insulating layer in a single layer or in multiple layers. be.

次に、本発明で使用される感光体の構成について、第6
図(a)に図示した感光体1に基づき説明する。
Next, the structure of the photoreceptor used in the present invention will be explained in the sixth section.
The explanation will be based on the photoreceptor 1 shown in FIG.

光導電層支持体5としては、上記の絶縁層支持体15と
同様な材質で構成されるが、感光体側から光を入射して
情報を記録する装置に用いられる場合には、当然その光
を透過させる特性が必要となり、例えば自然光を入射光
とし、感光体側から入射するカメラに用いられる場合に
は、厚み1mm程度の透明なガラス板、或いはプラスチ
ックのフィルム、シートが使用される。
The photoconductive layer support 5 is made of the same material as the insulating layer support 15, but when used in a device that records information by entering light from the photoreceptor side, it is natural that the light is For example, when the light is used in a camera that uses natural light as incident light and enters from the photoreceptor side, a transparent glass plate or a plastic film or sheet with a thickness of about 1 mm is used.

感光体電極7は、光導電層支持体5に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体5上に形成され、そ
の材質は比抵抗値が10−Ω・C−以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極7は、光導電層支持体5上に
、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、100〜30
00人程度である。この感光体電極7も光導電層支持体
5と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(
400〜700nm)であれば、I To (IntO
s−SnOz) 、SnO!等をスパッタリング、蒸着
、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化し
てコーティングしたような透明電極や、Au、AI、A
g。
The photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5, except when metal is used for the photoconductive layer support 5, and the material thereof has a specific resistance value of 10-Ω·C- or less. There are no limitations, and examples include an inorganic metal conductive film, an inorganic metal oxide conductive film, and the like. Such a photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 by vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, or the like. The thickness also depends on the electrical characteristics of the material that constitutes the photoreceptor electrode 7.
It is necessary to change the voltage depending on the applied voltage when recording information, but for example, in the case of aluminum, it is 100 to 30
Approximately 00 people. Similarly to the photoconductive layer support 5, when it is necessary to input information light to this photoreceptor electrode 7,
The above-mentioned optical properties are required, for example, when information light is visible light (
400-700 nm), I To (IntO
s-SnOz), SnO! Transparent electrodes coated by sputtering, vapor deposition, etc., or by making ink with their fine powders together with a binder, Au, AI, A
g.

Ni、Cr等を蒸着、またはスパッタリングで作製する
半透明電極、テトラシアノキノジメタン(TCNQ) 
、ポリアセチレン等のコーティングによる有機透明電極
等が使用される。
Tetracyanoquinodimethane (TCNQ), a translucent electrode made by vapor deposition or sputtering of Ni, Cr, etc.
An organic transparent electrode coated with polyacetylene or the like is used.

また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
The above electrode materials can also be used when the information light is infrared light (700 nm or more), but in some cases, colored visible light absorbing electrodes can also be used to cut visible light.

更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
Furthermore, when the information light is ultraviolet light (400 nm or less), the above electrode materials can basically be used, but electrode substrate materials that absorb ultraviolet light (organic polymer materials, soda glass, etc.) are not preferred. A material that transmits ultraviolet light, such as quartz glass, is preferred.

光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリア
(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる光導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。
The photoconductive layer 9 is a photoconductive layer in which photocarriers (electrons, holes) are generated in the irradiated area when light is irradiated, and these carriers can move across the layer width, especially in the presence of an electric field. This is a layer where the effect is noticeable when The materials include inorganic photoconductive materials, organic photoconductive materials, organic-inorganic composite photoconductive materials, and the like.

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。
Below, these photoconductive materials and methods of forming the photoconductive layer will be explained.

(A)無機感光体(光導電体) 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
(A) Inorganic photoreceptor (photoconductor) Inorganic photoreceptor materials include amorphous silicon, amorphous selenium, cadmium sulfide, zinc oxide, and the like.

(イ)アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン(a −Si : H)
■フッ素化アモルファスシリコン(a−3t:F)これ
らに対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、AI、Ga、In、TI等をドーピングによりP
型(ホール輸送型)にしたもの、・P、Ag、5bSB
 i等をドーピングによりN型(電子輸送型)にしたも
の、 がある。
(a) Amorphous silicon photoreceptor The amorphous silicon photoreceptor is ■Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)
■Fluorinated amorphous silicon (a-3t:F) without doping with impurities, -P by doping B, AI, Ga, In, TI, etc.
type (hole transport type), ・P, Ag, 5bSB
There is a type in which i, etc. is made N type (electron transport type) by doping.

怒光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10−”〜
I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
The method for forming the photoreceptor layer is to introduce silane gas and impurity gas together with hydrogen gas into a low vacuum.
I Torr), the film can be formed by depositing it on an electrode substrate heated or not heated by glow discharge, it can be formed by a thermochemical reaction on a heated electrode substrate, or it can be formed by vapor deposition or sputtering of a solid raw material. It can be used as a single layer or in a laminated form. The film thickness is 1 to 50 μm.

また、感光体電極7から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極7の表面に電荷注入防止治産設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上j!(表面層)の一方或いは両方に、グロー
放電、蒸着、スパッター法等によりa−SiN層、a−
SiC層、5ift層、へ1zOsN等の絶縁層を設け
るとよい。この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも1000Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると400〜50
0人程度が望ましい。
Further, in order to prevent charges from being injected from the photoreceptor electrode 7 and charging as if the photoreceptor electrode 7 had been exposed to light even though it had not been exposed, a charge injection prevention layer may be provided on the surface of the photoreceptor electrode 7. This charge injection prevention layer is applied on the electrode substrate and on the top of the photoreceptor. (surface layer), an a-SiN layer, an a-
It is preferable to provide an insulating layer such as 1zOsN on the SiC layer, 5ift layer, and the like. If this insulating layer is made too thick, no current will flow when exposed to light, so it needs to be at least 1000 Å or less, and considering ease of fabrication, it should be 400 to 50 Å.
Approximately 0 people is desirable.

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がブラスの場合は電子輸送層を
設ける0例えば、Siにボロンをドープしたa−3i 
: H(n” )は、ホールの輸送特性が上がって整流
効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。
In addition, as a charge injection prevention layer, it is preferable to provide a charge transport layer on the electrode substrate that has a charge transport ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate by utilizing a rectifying effect.If the electrode is negative, a hole transport layer, an electrode If is brass, an electron transport layer is provided.For example, a-3i, which is Si doped with boron.
: H(n'') improves hole transport properties, provides a rectifying effect, and functions as a charge injection prevention layer.

(ロ)アモルファスセレンffi光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン(a−Se) ■アモルファスセレンテルル(a −5e−Te)■ア
モルファスひ素セレン化合物(a JlslSe3)■
アモルファスひ素セレン化合’M + Teがある。
(b) Amorphous selenium ffi photomaterial Amorphous selenium photoreceptor includes: ■Amorphous selenium (a-Se) ■Amorphous selenium tellurium (a-5e-Te) ■Amorphous arsenic selenium compound (a JlslSe3)■
There is an amorphous arsenide selenium compound 'M + Te.

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層として5x01SA j! *01 s 
SiC5SiN層を蒸着、スパッター、グロー放電法等
により電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み
合わせ、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚は
アモルファスシリコン感光体と同様である。
This photoreceptor was manufactured by vapor deposition and sputtering, and 5x01SA j! was used as a charge injection blocking layer. *01s
A SiC5SiN layer is provided on the electrode substrate by vapor deposition, sputtering, glow discharge method, or the like. Moreover, a laminated type photoreceptor may be formed by combining the above items (1) to (4).The film thickness of the photoreceptor layer is the same as that of an amorphous silicon photoreceptor.

(ハ)硫化カドミウム(CdS) この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う、またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配
向)を得ることもできる。コーティングの場合は、Cd
S粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。
(c) Cadmium sulfide (CdS) This photoreceptor is manufactured by coating, vapor deposition, and sputtering methods. In the case of vapor deposition, solid particles of CdS are placed on a tungsten board and vapor deposited by resistance heating, or by EB.
(electron beam) evaporation or, in the case of sputtering, deposited on the substrate in an argon plasma using a CdS target. In this case, CdS is usually deposited in an amorphous state, but a crystalline oriented film (oriented in the film thickness direction) can also be obtained by selecting sputtering conditions. For coating, Cd
It is preferable to disperse S particles (particle size 1 to 100 μm) in a binder, add a solvent, and coat on the substrate.

(ニ)酸化亜鉛(Zn O) この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100 IIm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添
加して基板上にコーティングを行って得られる。またC
VD法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機
金属と酸素ガスを低真空中(10−”〜ITorr)で
混合し、加熱した電極基板(150〜400℃)上で化
学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も
膜厚方向に配向した膜が得られる。
(d) Zinc oxide (Zn 2 O) This photoreceptor is produced by a coating method or a CVD method. As a coating method, ZnS particles (particle size 1~
100 IIm) is dispersed in a binder, a solvent is added, and coating is performed on a substrate. Also C
In the VD method, organic metals such as diethylzinc and dimethylzinc are mixed with oxygen gas in a low vacuum (10-''~ITorr) and chemically reacted on a heated electrode substrate (150~400°C) to form zinc oxide. It is deposited as a film.In this case as well, a film oriented in the film thickness direction is obtained.

(B)有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。
(B) Organic photoreceptor Organic photoreceptors include single-layer photoreceptors and functionally separated photoreceptors.

(イ)単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。
(a) Single-layer photoreceptor A single-layer photoreceptor is made of a mixture of a charge-generating material and a charge-transporting material.

く電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
Charge-generating substances> Substances that easily generate charges by absorbing light, such as azo pigments, disazo pigments, trisazo pigments, phthalocyanine pigments, perylene pigments, pyrylium dyes, cyanine dyes, and methine. A dye system is used.

〈電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
<Charge transport material system> A material with good transport properties for ionized charges, such as hydrazone type, pyrazoline type, polyvinylcarbazole type,
There are carbazole-based, stilbene-based, anthracene-based, naphthalene-based, tridiphenylmethane-based, azine-based, amine-based, aromatic amine-based, etc.

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
Alternatively, a charge-transfer complex may be obtained by forming a complex with a charge-generating substance and a charge-transporting substance.

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400 nm波長近
傍しか感じないが、PVK−TNF錯体は650 nm
波長域まで感じるようになる。
Normally, photoreceptors have photosensitivity determined by the light absorption properties of the charge-generating substance, but when a charge-generating substance and a charge-transporting substance are mixed to form a complex, the light absorption properties change; for example, polyvinylcarbazole (PVK) Trinitrofluorenone (TNF) is only felt at wavelengths around 400 nm, but PVK-TNF complexes are only felt at wavelengths around 650 nm.
You will be able to feel up to the wavelength range.

このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μmが好
ましい。
The thickness of such a single-layer photoreceptor is preferably 10 to 50 μm.

(ロ)機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
(b) Functionally separated photoreceptor Charge generating materials easily absorb light but have the property of trapping light, while charge transporting materials have good charge transport properties but poor light absorption properties. Therefore, it is a type in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated in order to separate the two and fully exhibit their respective characteristics.

〈電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ビリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−5e 、 a−5
i 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
<Charge generation layer> Examples of substances forming the charge generation layer include azo, disazo, trisazo, phthalocyanine, acidic xanthene dye, cyanine, styryl dye, biryllium dye, perylene, methine, a-5e, a-5
i, azulenium salts, squalium bases, etc.

く電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばオキサジア
ゾール系、ヒドラゾン系、ピラゾリン系、PVK系、カ
ルバゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、芳香
族アミン系、アミン系、トリフェニルメタン系、多環芳
香族化合物系等がある。
Charge Transport Layer> Examples of substances forming the charge transport layer include oxadiazole, hydrazone, pyrazoline, PVK, carbazole, oxazole, triazole, aromatic amine, amine, and triphenylmethane. type, polycyclic aromatic compound type, etc.

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10um、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚と
するとよい。
The method for manufacturing a functionally separated photoreceptor is to first dissolve the charge generating substance in a solvent and apply it on the electrode, then dissolve the charge transport layer in the solvent and apply it to the charge transport layer, and then remove the charge generating layer from zero.
.. The thickness of the charge transport layer is preferably 1 to 10 um, and the thickness of the charge transport layer is 10 to 50 um.

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各1
部に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。
In addition, in the case of either a single-layer photoconductor or a functionally separated photoconductor, silicone resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, polycarbonate resin, polyvinyl is used as a binder. Acetal resin, phenol resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, melamine resin, polyimide resin, etc. are used as charge-generating materials and charge-generating materials, respectively.
0.1 to 10 parts to make it easier to adhere. As the coating method, a dipping method, a vapor deposition method, a sputtering method, etc. can be used.

次ぎに電荷注入防止層について詳述する。Next, the charge injection prevention layer will be described in detail.

電荷注入防止層は、光導電層9の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流(
電極からの電荷注入)、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。
The charge injection prevention layer prevents dark current (
This can be provided to prevent charge injection from the electrode), that is, a phenomenon in which charges move in the photosensitive layer as if it had been exposed even though it had not been exposed.

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホール
)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
AszOi 、B2O3、BizO,、CdS 、 C
aO、CeO2、CrzOx 、Coo 、 Ge01
、)1fO,、FezO3、LazO= 、11go 
、MnO2、Nd2O2、Nb2O% 、PbO,5b
zOs 、Stow、5eO1、Taxes 、 Ti
0g、WOs 、VzOs、y、o、、Y2O1、Zr
O,、BaTiO2、AIto。
There are two types of charge injection prevention layers: a layer that utilizes a so-called tunneling effect and a layer that utilizes a rectification effect. First, in a device that utilizes the so-called tunneling effect, when only a voltage is applied, current does not flow to the photoconductive layer or the surface of the insulating layer due to this charge injection prevention layer, but when light is incident, the current does not flow to the surface of the photoconductive layer or the insulating layer. Since one of the charges (electrons or holes) generated in the photoconductive layer is present in the charge injection prevention layer, a high electric field is applied, causing a tunnel effect and current flowing through the charge injection prevention layer. . Such a charge injection prevention layer is formed of a single layer such as an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, an insulating monomolecular film, or a stack of these. Examples of the inorganic insulating film include AszOi, B2O3, etc. ,BizO,,CdS,C
aO, CeO2, CrzOx, Coo, Ge01
,)1fO,,FezO3,LazO= ,11go
, MnO2, Nd2O2, Nb2O%, PbO, 5b
zOs, Stow, 5eO1, Taxes, Ti
0g, WOs, VzOs, y, o,, Y2O1, Zr
O,, BaTiO2, AIto.

、旧2Tie、 、CaO−5rO、Ca0−YzOs
、Cr−5in、 LiTa01、PbTiO3、Pb
ZrO3、Zr0z−Co 、 Zr0l−5iO1、
AtN 、、ON、 NbN 、 5isNa 、Ta
N 、 TiN 、 VN、 ZrN 。
, Old 2Tie, , CaO-5rO, Ca0-YzOs
, Cr-5in, LiTa01, PbTiO3, Pb
ZrO3, Zr0z-Co, Zr0l-5iO1,
AtN,,ON,NbN,5isNa,Ta
N, TiN, VN, ZrN.

SiC、TiC、WC,Al4C3等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。尚、この層の
膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の
点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに
整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用
して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷
輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無
機光導′iS層、有機光導電層、有機無機複合型光導電
層で形成され、その膜厚は0.1〜IOμm程度である
。具体的には、電極がマイナスの場合はB、AI、C。
It is formed of SiC, TiC, WC, Al4C3, etc. by glow discharge, vapor deposition, sputtering, etc. The thickness of this layer is determined depending on the material used, taking into account the insulating properties to prevent charge injection and the tunnel effect. Next, the charge injection prevention layer utilizing a rectifying effect is provided with a charge transporting layer having a charge transporting ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate using a rectifying effect. That is, such a charge injection prevention layer is formed of an inorganic photoconductive iS layer, an organic photoconductive layer, and an organic-inorganic composite photoconductive layer, and has a thickness of about 0.1 to IO .mu.m. Specifically, if the electrode is negative, B, AI, C.

a、In等をドープしたアモルファスシリコン光導電層
、アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ビラ
プリン、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アント
ラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中
に分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合
は、P、N、As、Sb、Bi等をドープしたアモルフ
ァスシリコン光導電層、ZnO光導電層等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の方
法により形成される。
a, amorphous silicon photoconductive layer doped with In, etc., amorphous selenium, or oxadiazole, birapurine, polyvinylcarbazole, stilbene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane, triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine, etc. in the resin. When the electrode is positive, an amorphous silicon photoconductive layer doped with P, N, As, Sb, Bi, etc., a ZnO photoconductive layer, etc. are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering, etc. It is formed by a method such as CVD or coating.

このようにして形成される感光体と静電画像記録媒体に
より静電画像記録装置を作製するには、感光体における
光導電層面と、静電画像記録媒体面とを接触させるか、
あるいは非接触の状態で対向させて積層させるものであ
り、非接触の場合には機械的に非接触を保つか、感光体
と静電画像記録媒体の端部にスペーサーを介して対向さ
せるとよい。またどのような情報入力手段を使用するか
にもよるが、感光体面と静電画像記録媒体面の適宜箇所
にスペーサーを配置してもよいことは勿論である。非接
触の場合、感光体と静電画像記録媒体との間隔は1〜5
0μmが適当であり、またスペーサーはプラスチック等
の有機材、またはガラス等の無機材を使用することがで
きる。
In order to produce an electrostatic image recording device using the photoreceptor and electrostatic image recording medium formed in this way, the photoconductive layer surface of the photoreceptor and the electrostatic image recording medium surface are brought into contact, or
Alternatively, they are stacked facing each other in a non-contact state. In the case of non-contact, it is preferable to maintain non-contact mechanically or to face the photoreceptor and the electrostatic image recording medium with a spacer interposed at the end of the medium. . Although it depends on what kind of information input means is used, it goes without saying that spacers may be placed at appropriate locations on the surface of the photoreceptor and the surface of the electrostatic image recording medium. In the case of non-contact, the distance between the photoreceptor and the electrostatic image recording medium is 1 to 5
A suitable value is 0 μm, and the spacer can be made of an organic material such as plastic or an inorganic material such as glass.

次ぎに静電画像記録方法について説明する。Next, an electrostatic image recording method will be explained.

第6図、第7図は本発明の第2図に示した静電画像記録
媒体への静電画像記録方法を説明するための図で、第6
図は微粒子が光導電性微粒子の場合、第7図は微粒子が
導電性微粒子の場合であり、図中1は感光体、5は光導
電層支持体、7は感光体電極、9は光導電層、17は電
源である。
6 and 7 are diagrams for explaining the electrostatic image recording method on the electrostatic image recording medium shown in FIG. 2 of the present invention.
The figure shows the case where the fine particles are photoconductive fine particles, and Figure 7 shows the case where the fine particles are conductive fine particles. In the figure, 1 is the photoreceptor, 5 is the photoconductive layer support, 7 is the photoreceptor electrode, and 9 is the photoconductive Layer 17 is a power source.

まず第6図に示す静電画像記録方法は、1m+s厚のガ
ラスからなる光導電層支持体5上に1000人厚のIr
Oからなる透明な感光体電極7を形成し、この上に10
μm程度の光導電N9を形成して感光体1を構成してい
る。第6図(a)に示すようにこのt光体lに対して、
10μm程度の空隙を介して静電画像記録媒体3が配置
される。
First, in the electrostatic image recording method shown in FIG.
A transparent photoreceptor electrode 7 made of O is formed, and 10
The photoreceptor 1 is constructed by forming a photoconductive layer N9 of about μm. As shown in FIG. 6(a), for this t light body l,
The electrostatic image recording medium 3 is placed with a gap of about 10 μm in between.

次いで同図(b)に示すように電源17により電極7.
13間に電圧を印加する。暗所であれば光導電Ji9は
高抵抗体であるため、空隙に加わる電圧がパッシェンの
法則に従う放電開始電圧以下であれば、電極間には何の
変化も生じない。また放電開始電圧以上の電圧が外部電
源により空隙に印加されると放電が起こり、静電画像記
録媒体表面に電荷が蓄積され、放電開始電圧に下がるま
でその状態が続き、カブリ電荷となる。感光体1側より
光18が入射すると、光が入射した部分の光導電層9は
導電性を示し放電が生じ、静電画像記録媒体表面に電荷
が蓄積される。また予め均一なカブリ電荷がある場合で
も、光が入射した部分では更に電荷が蓄積される。
Next, as shown in FIG. 7(b), the electrode 7.
A voltage is applied between 13. In the dark, since the photoconductive Ji9 is a high resistance material, no change occurs between the electrodes as long as the voltage applied to the gap is equal to or lower than the discharge start voltage according to Paschen's law. Further, when a voltage equal to or higher than the discharge starting voltage is applied to the gap by an external power source, a discharge occurs, charge is accumulated on the surface of the electrostatic image recording medium, and this state continues until the voltage drops to the discharge starting voltage, resulting in fogging charge. When light 18 is incident from the photoreceptor 1 side, the photoconductive layer 9 in the area where the light is incident exhibits conductivity, a discharge occurs, and charges are accumulated on the surface of the electrostatic image recording medium. Further, even if there is a uniform fog charge in advance, charge is further accumulated in the portion where light is incident.

次いで電源17をOFFとし、静電画像記録媒体3を感
光体1から剥離し、同図(c)のように全面露光20さ
せると、カブリ電荷がない場合を例に取ると露光部の粒
子層に電子、正孔キャリアーが発生すると共に、光が入
射した部分に形成される像電荷により電極13に誘起さ
れる反対電荷が、形成された電界により絶縁層11°を
トンネリング現象により移動し、粒子層における反対電
荷を中和し、像電荷と同極性の電荷が安定した状態で蓄
積されるものである。尚全面露光に際しては粒子層を露
光させ、電子、正孔キャリアーを発生させる必要がある
ので、絶縁層側から露光させる場合には電極としては不
透明性のものでよいが、絶縁層は透明又は半透明層であ
る必要があり、透明性を有する樹脂を使用するとよい、
また電極側から全面露光させる場合には、電極としては
ITO1酸化錫等の透明無機導電層、又は金等の蒸着膜
等の透明電極を使用する必要がある。
Next, the power supply 17 is turned off, the electrostatic image recording medium 3 is peeled off from the photoreceptor 1, and the entire surface is exposed to light 20 as shown in FIG. Electron and hole carriers are generated, and the opposite charge induced in the electrode 13 by the image charge formed at the part where the light is incident moves through the insulating layer 11° by the created electric field by a tunneling phenomenon, and the particle This neutralizes the opposite charges in the layer and allows charges of the same polarity as the image charge to be accumulated in a stable state. In addition, when exposing the entire surface, it is necessary to expose the particle layer to generate electrons and hole carriers, so when exposing from the insulating layer side, the electrode may be opaque, but the insulating layer may be transparent or semi-transparent. It needs to be a transparent layer, and it is better to use transparent resin.
Further, when the entire surface is exposed from the electrode side, it is necessary to use a transparent inorganic conductive layer such as ITO1 tin oxide, or a transparent electrode such as a vapor deposited film of gold or the like.

次に第7図により微粒子が導電性微粒子である場合につ
いて説明する。
Next, the case where the fine particles are conductive fine particles will be explained with reference to FIG.

第7図(b)に示すように感光体1側より光18が入射
すると、静電画像記録媒体表面との間に放電が生じ、静
電画像記録媒体表面に電荷が蓄積される0次いでその電
荷により形成される電界により、電極に誘起された反対
電荷が絶縁層11’中をトンネリング現象により移動し
、導電性粒子粒子層に情報電荷として永続的に蓄積され
るものである。露光が終了したら電圧をOFFにし、次
いで静電画像記録媒体3を取り出すことにより静電潜像
の形成が終了する。
As shown in FIG. 7(b), when light 18 is incident from the photoreceptor 1 side, a discharge is generated between the surface of the electrostatic image recording medium and charges are accumulated on the surface of the electrostatic image recording medium. Due to the electric field formed by the charges, opposite charges induced in the electrode move through the insulating layer 11' by a tunneling phenomenon, and are permanently stored in the conductive particle layer as information charges. When the exposure is completed, the voltage is turned off and the electrostatic image recording medium 3 is then taken out, thereby completing the formation of the electrostatic latent image.

また第1図に示す静電画像記録媒体においては、電極1
3上に直接微粒子12を積層するものであるが、この場
合にも上記第2図にしめした静電画像記録媒体と同様に
微粒子中に情報電荷を蓄積しうるちのである。
Further, in the electrostatic image recording medium shown in FIG.
In this case, information charges can be accumulated in the particles as in the case of the electrostatic image recording medium shown in FIG. 2 above.

なお、感光体1と静電画像記録媒体3とは上記のように
非接触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、露光
された段階で電荷は静電画像記録媒体電極13に引かれ
て光導電N9を通過し、静電画像記録媒体表面に達し、
絶縁層11表面で停止し、上記同様に情報電荷が粒子中
に蓄積される。
Note that the photoreceptor 1 and the electrostatic image recording medium 3 may be of a contact type instead of a non-contact type as described above, and in the case of a contact type, charges are drawn to the electrostatic image recording medium electrode 13 at the stage of exposure. It passes through the photoconductive N9 and reaches the surface of the electrostatic image recording medium.
The particles stop at the surface of the insulating layer 11, and information charges are accumulated in the particles in the same manner as described above.

このようにして情報電荷を微粒子中に蓄積した静電画像
記録媒体は、第3図、第4図に示すように電極端末に絶
縁性樹脂をコーティングすることにより保護1110を
形成して封止することにより微粒子中の情報電荷を永続
的に保持させる。
The electrostatic image recording medium in which information charges are accumulated in the particles in this way is sealed by coating the electrode terminals with an insulating resin to form a protection 1110, as shown in FIGS. 3 and 4. This allows the information charges in the particles to be retained permanently.

この静電画像記録方法は面状アナログ記録とした場合、
銀塩写真法と同様に高解像度が得られ、また形成される
粒子層12の電荷は絶縁層中に保護され、放電せず長期
間保存される。
When this electrostatic image recording method is used for planar analog recording,
Similar to silver salt photography, high resolution can be obtained, and the charges of the formed particle layer 12 are protected in the insulating layer and stored for a long period of time without being discharged.

本発明の静電画像記録媒体への情報入力方法としては高
解像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録
方法がある。まず高解像度静電カメラは通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに、前面に感光体
電極7を設けた光導電層9からなる感光体1と、感光体
1に対向し後面に静電画像記録媒体電極13を設けた絶
縁層11からなる静電画像記録媒体とにより声己録部材
を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光に応じて光導
電層を導電性として入射光量に応じて絶縁層上に電荷を
蓄積させることにより入射光学像の静電潜像を微粒子中
に形成するもので、機械的なシャッタも使用しうるし、
また電気的なシャッタも使用しうるちのであり、また静
電潜像は明所、暗所に関係なく長期間保持することが可
能である。
Methods for inputting information to the electrostatic image recording medium of the present invention include a method using a high-resolution electrostatic camera and a recording method using a laser. First of all, a high-resolution electrostatic camera uses a photoreceptor 1 consisting of a photoconductive layer 9 with a photoreceptor electrode 7 on the front surface, instead of the photographic film used in ordinary cameras, and a photoreceptor 1 on the rear surface facing the photoreceptor 1. An electrostatic image recording medium consisting of an insulating layer 11 provided with an electrostatic image recording medium electrode 13 constitutes a voice recording member, and a voltage is applied to the image electrode to make the photoconductive layer conductive according to the incident light. It forms an electrostatic latent image of an incident optical image in fine particles by accumulating charges on an insulating layer according to the amount of light, and a mechanical shutter can also be used.
It is also possible to use an electric shutter, and the electrostatic latent image can be retained for a long time regardless of whether it is in a bright or dark place.

またプリズムにより光情報を、R,G、B光成分に分離
し、平行光として取り出すカラーフィルターを使用し、
R,G、B分解した静電画像記録媒体3セツトで1コマ
を形成するか、または1千面上にR,G、B像を並べて
1セツトで1コマとすることにより、カラー撮影するこ
ともできる。
In addition, a color filter is used to separate the optical information into R, G, and B light components using a prism and extract it as parallel light.
Color photography is performed by forming one frame with three sets of electrostatic image recording media separated into R, G, and B, or by arranging R, G, and B images on 1,000 planes and making one frame with one set. You can also do it.

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー(514,488nm)、ヘリウム−ネ
オンレーザ−(633nm)、半導体レーザー(780
nm、810nm等)が使用でき、感光体と静電画像記
録媒体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔
をおいて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキ
ャリアの極性と同し極性に感光体電極をセットするとよ
い、この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画
信号に対応したレーザー露光をスキャニングにより行う
ものである0画像のようなアナログ的な記録は、レーザ
ーの光強度を変調して行い、文字、コード、線画のよう
なデジタル的な記録は、レーザー光の0N−OFFIJ
御により行う、また画像において網点形成されるものに
は、レーザー光にドツトジェネレーター0N−OFF制
御をかけて形成するものである。尚、感光体における光
導電層の分光特性は、パンクロマティックである必要は
な(、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。
For recording methods using lasers, the light sources include argon laser (514,488 nm), helium-neon laser (633 nm), and semiconductor laser (780 nm).
nm, 810 nm, etc.), and a voltage is applied to the photoreceptor and the electrostatic image recording medium with their surfaces brought into close contact with each other or facing each other with a fixed interval. In this case, it is best to set the photoreceptor electrode to the same polarity as the carrier of the photoreceptor. In this state, laser exposure corresponding to image signals, character signals, code signals, and line drawing signals is performed by scanning. Analog recording, such as the
Halftone dots are formed by controlling the dot generator, and halftone dots are formed by applying dot generator ON-OFF control to laser light. Note that the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor do not need to be panchromatic (it only needs to be sensitive to the wavelength of the laser light source).

次に、静電画像記録媒体に記録された静電画像の再生方
法について説明する。
Next, a method for reproducing an electrostatic image recorded on an electrostatic image recording medium will be explained.

第8図は静電画像記録再生方法における電位読み取り方
法の例を示す図で、第1図と同一番号は同一内容を示し
ている。なお、図中、21は電位読み取り部、23は検
出電極、25はガード電極、27はコンデンサ、29は
電圧計である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of a potential reading method in an electrostatic image recording and reproducing method, and the same numbers as in FIG. 1 indicate the same contents. In the figure, 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, 27 is a capacitor, and 29 is a voltmeter.

情報電荷を蓄積した静電画像記録媒体から情報を再生す
るには、電極端末を封止した保護層10を剥離して電極
を露出させて表面電位との電位差を読み取るか、また保
護層の柔軟性を利用して端子を突き刺して電極と接触さ
せ表面電位との電位差を読み取ることにより行われる。
To reproduce information from an electrostatic image recording medium that has accumulated information charges, it is necessary to peel off the protective layer 10 that seals the electrode terminals to expose the electrodes and read the potential difference with the surface potential. This is done by making use of the characteristics of the terminal to pierce the terminal and contact it with the electrode, and then reading the potential difference between the surface potential and the surface potential.

電位読み取り部21を静電画像記録媒体表面に対向させ
ると、検出電極23に微粒子層に蓄積された電荷によっ
て生じる電界が作用し、検出電極面上に静電画像記録媒
体上の電荷と等量の誘導電荷が生ずる。この誘導電荷と
逆極性の等量の電荷でコンデンサ27が充電されるので
、コンデンサの電極間に蓄積電荷に応じた電位差が生じ
、この値を電圧計29で読むことによって情報電荷の電
位を求めることができる。そして、電位読み取り部21
で静電画像記録媒体面上を走査することにより静電潜像
を電気信号として出力することができる。なお、検出電
極23だけでは静電画像記録媒体の検出電極対向部位よ
りも広い範囲の電荷による電界(電気力線)が作用して
分解能が落ちるので、検出電極の周囲に接地したガード
電極25を配置するようにしてもよい、これによって、
電気力線は面に対して垂直方向を向くようになるので、
検出電極23に対向した部位のみの電気力線が作用する
ようになり、検出電極面積に略等しい部位の電位を読み
取ることができる。電位読み取りの精度、分解能は検出
電極、ガード電極の形状、大きさ、及び静電画像記録媒
体との間隔によって大きく変わるため、要求される性能
に合わせて最適条件を求めて設計する必要がある。
When the potential reading section 21 is placed to face the surface of the electrostatic image recording medium, an electric field generated by the charges accumulated in the fine particle layer acts on the detection electrode 23, and an amount equal to the charge on the electrostatic image recording medium is generated on the detection electrode surface. An induced charge of . Since the capacitor 27 is charged with an equal amount of charge of opposite polarity to this induced charge, a potential difference corresponding to the accumulated charge is generated between the electrodes of the capacitor, and by reading this value with a voltmeter 29, the potential of the information charge is determined. be able to. Then, the potential reading section 21
By scanning the electrostatic latent image on the surface of the electrostatic image recording medium, the electrostatic latent image can be output as an electrical signal. Note that if only the detection electrode 23 is used, the electric field (electric line of force) due to charges in a wider range than the area facing the detection electrode of the electrostatic image recording medium will act, reducing the resolution, so a guard electrode 25 grounded around the detection electrode is used. You may also be able to place
Since the electric lines of force are oriented perpendicular to the surface,
Electric lines of force only act on the portion facing the detection electrode 23, and the potential of the portion approximately equal to the area of the detection electrode 23 can be read. The accuracy and resolution of potential reading vary greatly depending on the shape and size of the detection electrode and guard electrode, as well as the distance from the electrostatic image recording medium, so it is necessary to find and design optimal conditions according to the required performance.

第9図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、61は電位読み取り装置、63は増幅器、65はCR
T、67はプリンタである。
FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of an electrostatic image reproduction method, in which 61 is a potential reading device, 63 is an amplifier, and 65 is a CR
T, 67 is a printer.

図において、電位読み取り装置61で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器63で増幅してCRT65で表示し
、またプリンタ67でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。
In the figure, a potential reading device 61 detects the charge potential, and an amplifier 63 amplifies the detected output, which can be displayed on a CRT 65 and printed out using a printer 67. In this case, it is possible to arbitrarily select and output the part to be read at any time, and it is also possible to reproduce it repeatedly.

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。
Furthermore, since the electrostatic latent image is obtained as an electrical signal, it can also be used for recording on other recording media, etc., if necessary.

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。
Next, a color filter used to form a color image will be explained.

第10図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、71,73.75はプリズムブロック、77.79
.81はフィルタ、83.85は反射鏡である。
Figure 10 is a diagram showing a color separation optical system using a prism. In the figure, 71, 73.75 are prism blocks, 77.79
.. 81 is a filter, and 83.85 is a reflecting mirror.

色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック71のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ77からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック73に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ79
.81からG色光酸分、R色光成分が取り出される。そ
して、G、B色光成分を、反射鏡83.85で反射させ
ることにより、R,G、B光を平行光として取り出すこ
とができる。
The color separation optical system consists of three prism blocks, and a part of the light information incident on the a-plane of the prism block 71 is separated and reflected on the b-plane, and further reflected on the a-plane, and a B color light component is extracted from the filter 77. It will be done. The remaining optical information enters the prism block 73, travels to the zero plane, where some of it is separated and reflected, and the rest goes straight to the filters 79.
.. From 81, the G color photoacid component and the R color light component are taken out. Then, by reflecting the G and B color light components with the reflecting mirrors 83.85, the R, G, and B light can be extracted as parallel light.

二のようなフィルタ91を、第11図に示すように感光
体1の前面に配置して撮影することにより、第11図(
ロ)のようにR,G、B分解した静電画像記録媒体3セ
ツトで1コマを形成するか、また第11図(ハ)に示す
ように1平面上にRlG、B像として並べて1セツトで
1コマとすることもできる。
By placing a filter 91 as shown in FIG. 11 in front of the photoreceptor 1 and photographing,
Either three sets of electrostatic image recording media separated into R, G, and B form one frame as shown in (b), or one set is arranged as RlG and B images on one plane as shown in FIG. 11 (c). You can also make it into one frame.

〔作用) 本発明の静電画像記録媒体は、支持体上に電極を設け、
次いで該電極上近傍に光導電性微粒子、又は導電性微粒
子を単層状、もしくは複数層状に積層し、更に該微粒子
層上に10”〜10”Ω・cmO比抵抗値を有する絶縁
層を積層することにより形成されるものであり、感光体
における光導電層面にその静電画像記録媒体表面を接触
又は非接触に対向させ、両電極間に電圧を印加した状態
で像露光させることにより、まず静電画像記録媒体表面
に情報電荷が蓄積される0粒子層が光導電性微粒子より
なる時には、静電画像記録媒体を感光体から剥離し全面
露光させると、露光部の粒子層にキャリアーが発生し、
静電画像記録媒体表面に蓄積された情報電荷により形成
される電界により、静電画像記録媒体電極から情報電荷
に対応する電荷が光導電性微粒子層に注入され、情報電
荷として蓄積されるものである。また粒子層が導電性微
粒子の時には、静電画像記録媒体表面の電荷により形成
される電界により、上記同様にして電極より電荷7!l
(導電性粒子層に蓄積され、情報電荷として絶縁層中に
おける導電性微粒子層に蓄積される。情報蓄積後は電極
端末を保護層で封止することにより微粒子中に蓄積され
た情報電荷は永続的に保持される。
[Function] The electrostatic image recording medium of the present invention includes an electrode provided on a support,
Next, photoconductive fine particles or conductive fine particles are laminated in a single layer or multiple layers near the electrode, and an insulating layer having a specific resistance value of 10" to 10" ΩcmO is further laminated on the fine particle layer. The surface of the electrostatic image recording medium is placed in contact or non-contact with the photoconductive layer surface of the photoreceptor, and a voltage is applied between both electrodes to expose the image. When the zero particle layer on the surface of an electrostatic image recording medium in which information charges are accumulated is made of photoconductive fine particles, when the electrostatic image recording medium is peeled off from the photoreceptor and exposed to light over the entire surface, carriers are generated in the particle layer in the exposed area. ,
Due to the electric field formed by the information charges accumulated on the surface of the electrostatic image recording medium, charges corresponding to the information charges are injected from the electrodes of the electrostatic image recording medium into the photoconductive fine particle layer, and are accumulated as information charges. be. When the particle layer is made of conductive fine particles, the electric field formed by the charges on the surface of the electrostatic image recording medium causes the electrode to charge 7! l
(Accumulated in the conductive particle layer and stored as information charge in the conductive fine particle layer in the insulating layer. After information storage, the electrode terminal is sealed with a protective layer, so that the information charge accumulated in the fine particles is permanently stored.) is maintained.

蓄積された情報電荷は、絶縁層内部に蓄積されるために
極めて安定であり、粒子層は絶縁層下にに積層させるも
のであるので、水浸させても乾燥後は微粒子層に蓄積さ
れた電荷により再度表面電荷が誘起されるので、空気中
の湿気等による情報電荷の減衰を防止することができる
ものである。
The accumulated information charge is extremely stable because it is accumulated inside the insulating layer, and since the particle layer is laminated under the insulating layer, even if it is immersed in water, it will not be accumulated in the particle layer after drying. Since the surface charge is induced again by the charge, it is possible to prevent the information charge from attenuating due to moisture in the air or the like.

また情報再生に際しては保護層を剥離、又は保護層を嵌
挿させて電極と表面電位との電位差を計測することによ
り容易にその電位差を検出することができるものである
Further, when reproducing information, the potential difference can be easily detected by peeling off the protective layer or inserting the protective layer and measuring the potential difference between the electrode and the surface potential.

以下、実施例を説明する。Examples will be described below.

静電画像記録媒体の作製方法 〔実施例1〕 ll1lll厚のガラス基板上に、真空蒸着(10−’
T。
Method for producing an electrostatic image recording medium [Example 1] Vacuum deposition (10-'
T.

rr)法でAl電極を1000人の膜厚で積層する。そ
のへ2電極上にスパッタリング法により500人の膜厚
にSing絶縁層を蒸着させる0次いでこの基板をヒー
ター板で100℃に加熱し、その状態でセレンを低真空
下(3Torr)で蒸着させることによりSing絶縁
層上に直径平均0.5μmのセレン粒子層を単層で設け
た。更にそのセレン粒子層上にシリコン樹脂(TSR−
144東芝シリコン社製)のキシレン50%溶液をスピ
ンナーコート(1000rpm X30S)で塗布し、
60°C,3hr乾燥後、膜厚10μmの絶縁層を設け
、本発明の静電画像記録媒体を作製した。
Al electrodes are laminated to a thickness of 1,000 layers using the rr) method. Then, on the two electrodes, a Sing insulating layer is deposited to a thickness of 500 mm using a sputtering method.Next, this substrate is heated to 100°C with a heater plate, and selenium is deposited under low vacuum (3 Torr) in that state. A single layer of selenium particles having an average diameter of 0.5 μm was provided on the Sing insulating layer. Furthermore, silicone resin (TSR-
144 manufactured by Toshiba Silicon Co., Ltd.) was applied with a spinner coat (1000 rpm X30S),
After drying at 60°C for 3 hours, an insulating layer with a thickness of 10 μm was provided to produce an electrostatic image recording medium of the present invention.

〔実施例2〕 (実施例1における微粒子が導電性微粒子の場合) 実施例1と同様の条件で蒸着用材料をセレンに代えて金
を使用して、坩堝による抵抗加熱により低真空蒸着を行
った。その結果平均粒子径0.2μmの黒色の金微粒子
がシリコン樹脂表面上に単層状態で形成され、ついで実
施例1同様シリコン樹i (TSR−144東芝シリコ
ン社製)のキシレン50%溶液をスビンナーコー) (
11000rp X 30s)で塗布し、60°C13
hr乾燥後、膜厚10μmの絶縁層を設け、本発明の静
電画像記録媒体を作製した。
[Example 2] (When the fine particles in Example 1 are conductive fine particles) Under the same conditions as in Example 1, using gold instead of selenium as the deposition material, low vacuum deposition was performed by resistance heating in a crucible. Ta. As a result, black fine gold particles with an average particle diameter of 0.2 μm were formed in a single layer on the surface of the silicone resin, and then, as in Example 1, a 50% xylene solution of silicone resin i (TSR-144 manufactured by Toshiba Silicon Co., Ltd.) was added to the surface of the silicone resin. ) (
11000rp x 30s) and 60°C13
After drying for hours, an insulating layer with a thickness of 10 μm was provided to produce an electrostatic image recording medium of the present invention.

〔実施例3〕 (電極上に直接微粒子層を設ける場合)1mm厚のガラ
ス基板上に、真空蒸着(10−’Torr)法でAl電
極を1000人の膜厚で積層する。次いでこの基板をヒ
ーター板で100”Cに加熱し、そのA2電極上にその
状態でセレンを低真空下(3Torr)で蒸着させるこ
とにより電極上に直径平均06.5μmのセレン粒子層
を単層で設けた。更にそのセレン粒子層上にシリコン樹
脂(TSR−144東芝シリコン社製)のキシレン50
%溶液をスピンナーコート(1000rpm X30s
)で塗布し、 60℃、3hr乾燥後、膜厚10.cr
mの絶縁層を設け、本発明の静電画像記録媒体を作製し
た。
[Example 3] (In the case of providing a fine particle layer directly on an electrode) An Al electrode is laminated to a thickness of 1000 nm on a 1 mm thick glass substrate by vacuum evaporation (10-' Torr). Next, this substrate is heated to 100"C with a heater plate, and selenium is deposited on the A2 electrode under low vacuum (3 Torr) in that state, thereby forming a single layer of selenium particles with an average diameter of 06.5 μm on the electrode. Further, xylene 50 of silicone resin (TSR-144 manufactured by Toshiba Silicon Co., Ltd.) was provided on the selenium particle layer.
% solution by spinner coating (1000 rpm
), and after drying at 60°C for 3 hours, the film thickness was 10. cr
An electrostatic image recording medium of the present invention was prepared by providing an insulating layer of m.

〔実施例4〕 実施例1のセレン蒸着において、蒸着時間を60秒から
300秒に増加した結果、5iO1絶縁層上に複数層状
に結晶セレンが形成された。これは光学顕微鏡により確
められた。後は実施例1と同様の方法で静電画像記録媒
体を得た。
[Example 4] In the selenium deposition of Example 1, as a result of increasing the deposition time from 60 seconds to 300 seconds, multiple layers of crystalline selenium were formed on the 5iO1 insulating layer. This was confirmed by optical microscopy. Thereafter, an electrostatic image recording medium was obtained in the same manner as in Example 1.

〔参考例1〕・・・単層系有機感光体(PVK −TN
F )作製方法 ポリ−N−ビニルカルバゾールLog (亜南香料(株
)製)、2,4.7−トリニトロフルオレノン10g、
ポリエステル樹脂2g(バインダー:バイロン200東
洋紡(株)製)、テトラハイドロフラン(THF)90
gの組成を有する混合液を暗所で作製し、IntOs−
5nOiを約1000人の膜厚でスパンターしたガラス
基板(lam厚)に、ドクターブレードを用いて塗布し
、60°Cで約1時間通風乾燥し、膜厚約lOμmの光
導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うため
に、更に1日自然乾燥を行って用いた。
[Reference Example 1]...Single-layer organic photoreceptor (PVK-TN
F) Production method Poly-N-vinylcarbazole Log (manufactured by Anan Perfumery Co., Ltd.), 10 g of 2,4.7-trinitrofluorenone,
2 g of polyester resin (binder: Byron 200 manufactured by Toyobo Co., Ltd.), 90% tetrahydrofuran (THF)
A mixed solution having a composition of g was prepared in a dark place, and IntOs-
A photosensitive layer having a photoconductive layer with a film thickness of about 10 μm was obtained by applying 5 nOi to a spuntered glass substrate (lam thickness) with a film thickness of about 1000 μm using a doctor blade and drying with ventilation at 60° C. for about 1 hour. I got it. In addition, in order to completely dry the sample, it was further air-dried for one day before use.

〔参考例2〕 アモルファスシリコンaSi:H無99感光体の作製方
法を第12図により説明する。
[Reference Example 2] A method for manufacturing an amorphous silicon aSi:H-free 99 photoreceptor will be explained with reference to FIG.

■基板洗浄 SnO□の薄膜感光体電極層を一方の表面に設けたコー
ニング社7059ガラス(23X16XO39L、光学
研磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各
液中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
■Substrate cleaning Corning's 7059 glass (23X16XO39L, optically polished) with a SnO□ thin film photoreceptor electrode layer on one surface is ultrasonically cleaned in trichloroethane, acetone, and ethanol for 10 minutes each in this order. .

■装置の準備 洗浄の済んだ基板を反応室104内のアノード106上
に熱伝導が十分であるようにセットした後、反応室内を
10−’Torr台までり、Pにより真空引きし、反応
容器およびガス管の焼出しを1508C〜350°Cで
約1時間行い、焼出し後装置を冷却する。
■ Preparation of the device After setting the cleaned substrate on the anode 106 in the reaction chamber 104 so as to ensure sufficient heat conduction, the inside of the reaction chamber is heated to 10-' Torr level, and the reaction chamber is evacuated with P. Then, the gas pipe is baked out at 1508° C. to 350° C. for about 1 hour, and the device is cooled after baking out.

■a−3i :H(n” )の堆積 ガラス基板が350°Cになるようにヒーターを108
!II整、加熱し、予めタンク101内で混合しておい
たP H3/ S i H4−1000ppseのガス
をニードルパルプとPMBの回転数を制御することによ
って反応室104の内圧が200sT。
■a-3i: Heat the heater at 108°C so that the temperature of the glass substrate on which H(n”) is deposited is 350°C.
! II. The internal pressure of the reaction chamber 104 was brought to 200 sT by controlling the rotational speed of the needle pulp and PMB using the P H3/S i H4-1000 ppse gas that had been heated and mixed in advance in the tank 101.

rrになるように流し内圧が一定になった後、Matc
hing Box 103を通じて、40WのRf P
ower 102 (13,56KHz)を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分
間行い、Rfの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。
After the flow internal pressure becomes constant so that it becomes rr, Matc
40W Rf P through hing Box 103
power 102 (13,56 KHz) is input to form plasma between the cathode and anode. Deposition is carried out for 4 minutes, then Rf input is stopped and the needle pulp is closed.

その結果、ブロッキング層を構成する約0. 2μmの
a−3i:H(n”)膜が基板上に堆積された。
As a result, approximately 0.0. A 2 μm a-3i:H(n”) film was deposited on the substrate.

■a−3i:Hの堆積 5iHn100%ガスを■と同じ方法で内圧が200 
mTorrになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Matching Box 103を通じて、4
0WのRfPower 102 (13,56KHz)
を投入し、プラズマを形成して70分間維持する。
■a-3i: Deposition of H 5iHn100% gas in the same way as ■
When the internal pressure becomes constant, 4 mTorr is applied through Matching Box 103.
0W RfPower 102 (13,56KHz)
to form a plasma and maintain it for 70 minutes.

堆積終了はRfの投入を止め、ニードルパルプを閉じる
。 l1eater l O8Off後、基板が冷えて
いるから取り出す。
When the deposition is completed, the input of Rf is stopped and the needle pulp is closed. l1eater l After O8Off, the board is cold, so take it out.

この結果、約18.8.umの膜がa・si:H(n゛
)膜上に堆積された。
As a result, approximately 18.8. A um film was deposited on the a·si:H(n′) film.

こうしてSnO,/a−3i:H(n”)ブロッキング
層/a−3t :H(non−dope)20μmの感
光体を作製することができた。
In this way, a photoreceptor with a SnO,/a-3i:H(n'') blocking layer/a-3t:H (non-dope) of 20 μm was fabricated.

(参考例2)・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(Te)が13重量%の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりa−5e−
Te薄膜を真空度10−’To r r、抵抗加熱法で
ITOガラス基板上に蒸着した。膜厚は1μmとした。
(Reference Example 2)...Production method of amorphous selenium-tellurium inorganic photoreceptor A-5e-
A Te thin film was deposited on an ITO glass substrate using a resistance heating method at a vacuum level of 10-' Torr. The film thickness was 1 μm.

さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法でS
eのみの蒸着を行いa −5e−Te層上に10uma
−5g層を積層した。
Furthermore, while maintaining the degree of vacuum, S is heated using the same resistance heating method.
Evaporate only e to 10uma on the a-5e-Te layer.
-5g layers were laminated.

〔参考例3〕・・・機能分離型感光体の作製方法(電荷
発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250ml容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズNo3.180mJ!を加え
、振動ミル(安用電機製作所KED9−4)により、約
4時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンE−2000(三菱ガス化学)を0.4g加え
約4時間攪拌する。この溶液をInオ03−5nO□を
約1000人スパッターしたガラス基板([膜厚)にド
クターブレードを用いて塗布し、膜厚的ltImの電荷
発生層を得た。乾燥は室温で1日行った。
[Reference Example 3] Method for producing a functionally separated photoreceptor (method for forming a charge generation layer) A mixed solution having a composition of 0.4 g of chlorodiane blue and 40 g of dichloroethane was placed in a 250 ml stainless steel container, and a glass Peas No.3.180mJ! was added and pulverized for about 4 hours using a vibrating mill (Yasuyo Denki Seisakusho KED9-4) to obtain chlorocyan blue with a particle size of ~5 μm. After filtering the glass peas, 0.4 g of polycarbonate, Nipilon E-2000 (Mitsubishi Gas Chemical) was added and stirred for about 4 hours. This solution was applied using a doctor blade to a glass substrate (film thickness) on which about 1000 InO03-5nO□ had been sputtered to obtain a charge generation layer having a film thickness of ltIm. Drying was carried out at room temperature for one day.

〔電荷輸送層の形成方法〕[Method for forming charge transport layer]

4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデヒド−
1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g。
4-Dibenzylamino-2-methylbenzaldehyde-
0.1 g of 1,1'-diphenylhydrazone.

ポリカーボネート(ニーピロンE−2000) 0 、
 1 g 。
Polycarbonate (Kneepilon E-2000) 0,
1 g.

ジクロルエタン2.0gの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約lOμ
mの電荷輸送層を得た。乾燥は60°Cで2時間行った
A mixed solution having a composition of 2.0 g of dichloroethane was applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and a mixture of about 10μ
A charge transport layer of m was obtained. Drying was performed at 60°C for 2 hours.

〔参考例4〕 (電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(接水化学、5LE
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
10,塩、 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タ
ッチミキサーで1日間撹拌し、よ(分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したITO上に塗布し、60°C12時間以上乾燥さ
せた。乾燥後の膜厚は1μm以下。
[Reference Example 4] (Formation method of charge generation layer) Butyral resin (Water Chemistry, 5LE) was added to 10 g of butyl acetate.
C) 0.25g, azulenium C having the following structural formula
10. Mix 0.5 g of salt and 133 g of glass peas, stir with a touch mixer for 1 day, then disperse and apply with a doctor blade or applicator on ITO layered on a glass plate. It was dried at 60°C for 12 hours or more.The film thickness after drying was 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC1
91) (以下余白) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚
10μm以下であった。
(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nipiron E2000) and a hydrazone derivative represented by the following structural formula (Anan Perfume Co., Ltd., CTC1).
91) (hereinafter referred to as margin) and 0.5 g of the mixture was applied onto the charge generation layer using a doctor blade and dried at 60°C for 12 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.

〔参考例5〕 (電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積木化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、  1を33g1タツチミキサー
で1日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したITO
上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の
被膜は、膜厚1am以下であうた。
[Reference Example 5] (Method for forming a charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (5LEC, manufactured by Building Blocks Chemical), and 0.2 g of titanyl phthalocyanine.
5g, 4.10-dibromoanthrone 0.25g
, Glass Peas No. 1 was stirred for 1 day with 33 g of 1 touch mixer, dispersed well, and then laminated on a glass plate with a doctor blade or applicator.
It was coated on top and dried at 60°C for 2 hours or more. The film after drying had a film thickness of 1 am or less.

(電荷輸送層の作製方法) ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTCI91)0.5gを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、6
0℃、2時間以上乾燥させた。11!厚は10μm以上
であった。
(Preparation method of charge transport layer) Dissolve 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) and 0.5 g of the above hydrazone derivative (Anan Perfume, CTCI91) in 9.5 g of dichloroethane, and use a doctor blade to generate the above charge. Apply on layer, 6
It was dried at 0°C for 2 hours or more. 11! The thickness was 10 μm or more.

〔参考例6〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に、可溶性ポリアミド(
東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜lum塗布、60℃、2時間以上乾燥
させた。
[Reference Example 6]... Method for producing a functionally separated photoreceptor provided with a charge injection prevention layer (method for forming a charge injection prevention layer) Soluble polyamide (
Toagosei Chemical Co., Ltd., FS-175SV10) was applied at a thickness of 0.5 to lum using a spin coater and dried at 60° C. for 2 hours or more.

(電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積木化学、5LE
C)0.25g、前記したアズレニウムC1og塩0.
5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タッチ
ミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の
被膜は、膜厚1μm以下であった。
(Method for forming charge generation layer) Add butyral resin (Building Chemical, 5LE) to 10 g of butyl acetate.
C) 0.25g of the azulenium C1og salt described above.
5 g and Glass Peas No. 133 g were mixed, stirred for 1 day with a touch mixer, dispersed well, applied on the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator, and dried at 60° C. for 2 hours or more. . The film after drying had a thickness of 1 μm or less.

(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60″C12時間以上乾燥させた。膜厚10μ
m以下であった。
(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nipiron E2000), and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (CTC191, manufactured by Anan Kaori Co., Ltd.)
was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried for over 12 hours at 60"C. Film thickness: 10μ.
m or less.

〔参考例7〕 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に、可溶性ポリアミド(
東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm!!!布、60℃、2時間以上
乾燥させた。
[Reference Example 7] (Method for forming charge injection prevention layer) Soluble polyamide (
Toagosei Kagaku, FS-175SV10) with a spin coater to a thickness of 0.5 to 1 μm! ! ! The cloth was dried at 60° C. for 2 hours or more.

(電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積木化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、1を33g、タッチミキサーで1
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚
1μm以下であった。
(Method for forming a charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (5LEC, manufactured by Building Blocks Chemical), and 0.2 g of titanyl phthalocyanine.
5g, 4.10-dibromoanthrone 0.25g
, Glass Peas No. 1, 33g, 1 with a touch mixer
Stir for several days, disperse well, and apply the mixture onto the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator.
It was dried at 60°C for 2 hours or more. The film after drying had a thickness of 1 μm or less.

(1it荷輸送層の形成方法) 溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネー
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.
5gを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10
μm以上であった。
(Method for forming a 1-it cargo transport layer) 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) was added to 9.5 g of dichloroethane as a solvent.
The above hydrazone derivative (Anan Perfume, CTC191) 0.
5 g was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60°C for 12 hours or more. Film thickness is 10
It was more than μm.

〔参考例8〕 (感光体電極層の形成方法) 青板ガラス上に、酸化インジウム錫(ITO1比抵抗1
00Ω・cm”)をスパッタリング法により蒸着させた
[Reference Example 8] (Method for forming photoreceptor electrode layer) Indium tin oxide (ITO1 specific resistance 1
00Ω·cm”) was deposited by sputtering.

また、EB法により同様に蒸着させることができる。Further, it can be similarly deposited by the EB method.

(電荷注入防止層の形成方法) 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。
(Method for Forming Charge Injection Prevention Layer) Silicon dioxide was deposited on the photoreceptor electrode layer by sputtering.

膜厚は100〜3000人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
The film thickness can be from 100 to 3,000, and aluminum oxide may be used instead of silicon dioxide, and the EB method can be used instead of the sputtering method.

(電荷発生層の形成方法) 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含有
量13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。
(Method for Forming Charge Generation Layer) Selenium-tellurium (tellurium content: 13% by weight) was deposited on the charge injection prevention layer by resistance heating. Film thickness is 2
It is less than μm.

(電荷輸送層の形成方法) 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
(Method for Forming Charge Transport Layer) Granular selenium was used on the charge generation layer and deposited by resistance heating. The film thickness is 10 μm or less.

〔実施例5〕・・・静電画像記録、再生方法第6図に示
すように参考例1で作製した単層系有機感光体(PVK
 −TNF) 1と、実施例1で作製した静電画像記録
媒体とを、膜厚10μmのポリエステルフィルムをスペ
ーサーとし、静電画像記録媒体表面を上記感光体の光導
電層面に対向させて接地した0次いで両電極間に、感光
体側を正、樹脂層側を負にして、700vの直流電圧を
印加した。
[Example 5] Electrostatic image recording and reproducing method As shown in Figure 6, a single layer organic photoreceptor (PVK) prepared in Reference Example 1 was used.
-TNF) 1 and the electrostatic image recording medium produced in Example 1 were grounded using a 10 μm thick polyester film as a spacer, with the surface of the electrostatic image recording medium facing the photoconductive layer surface of the photoreceptor. Then, a DC voltage of 700 V was applied between both electrodes, with the photoreceptor side being positive and the resin layer side being negative.

尚、アモルファスシリコン感光体の場合は、感光体側を
負、アモルファスセレン感光体の場合には正にして電圧
を印加するとよい。
In addition, in the case of an amorphous silicon photoreceptor, it is preferable to apply a voltage with the photoreceptor side being negative, and in the case of an amorphous selenium photoreceptor, with the voltage being positive.

電圧の印加状態で、感光体側より照度1000ルツクス
のハロゲンランプを光源とする露光を1秒間行い、露光
終了後、静電画像記録媒体を取り出し、全面露光するこ
とにより静電潜像の形成が終了する。
With voltage applied, exposure is performed from the photoreceptor side for 1 second using a halogen lamp with an illuminance of 1000 lux as a light source. After the exposure is complete, the electrostatic image recording medium is taken out and the entire surface is exposed to light to complete the formation of the electrostatic latent image. do.

次いで電極13の露出部をシリコーン樹脂をコーティン
グして封止した後、媒体を水浸させた。
Next, the exposed portion of the electrode 13 was sealed by coating with silicone resin, and then the medium was immersed in water.

水浸後媒体を取り出し、水分を蒸発させた後、保護WA
lOを剥離して第8図に示すようにして電極と媒体表面
との電位差を測定した結果、媒体表面に50Vの表面電
位が表面電位計により測定されたが、未露光部での表面
電位はO■であった。
After immersing in water, remove the medium and evaporate the water, then use the protective WA
As a result of peeling off the IO and measuring the potential difference between the electrode and the medium surface as shown in Figure 8, a surface potential of 50 V was measured on the medium surface using a surface potentiometer, but the surface potential in the unexposed area was It was O■.

また全面露光する前に暗所で静電画像記録媒体の表面電
位を測定した時には露光部で100Vの表面電位が測定
され、全面露光により電荷がセレン粒子中に蓄積されて
いることがわかった。
Furthermore, when the surface potential of the electrostatic image recording medium was measured in a dark place before the entire surface was exposed, a surface potential of 100 V was measured in the exposed area, indicating that charges were accumulated in the selenium particles due to the entire surface being exposed.

次に露光時に解像度パターンフィルムを感光体ガラス基
板側に密着させて同様の露光を行った後、第8図に示す
ように静電画像記録媒体を50×50μmの微小面積表
面電位測定プローブ面でXY軸ススキャニング行い、5
0μm単位の電位データを処理し、CRT上に電位−輝
度変換により拡大表示した結果、1100uまでの解像
度パターンをCRT上に確認できた。露光後、静電画像
記録媒体を室温25℃、35%の状態で3ケ月放置後、
同様の電位スキャニング読み取りを行った結果、露光直
後と全(変化のない解像度パターン表示が得られた。
Next, during exposure, the resolution pattern film was brought into close contact with the photoreceptor glass substrate side, and after similar exposure, the electrostatic image recording medium was placed on the surface of the surface potential measurement probe with a micro area of 50 x 50 μm, as shown in Figure 8. Perform XY axis scanning, 5
As a result of processing potential data in units of 0 μm and enlarging and displaying it on a CRT by potential-luminance conversion, a resolution pattern of up to 1100 μm could be confirmed on the CRT. After exposure, the electrostatic image recording medium was left at a room temperature of 25°C and 35% for 3 months.
As a result of performing a similar potential scanning reading, a resolution pattern display with no change was obtained at all (immediately after exposure).

また露光方法として、通常のカメラを使用し、−700
Vの電圧印加状態で、露出f−1,4、シャッタ−スピ
ード1/60秒で、屋外昼間の複写体撮影を行つた。露
光後、静電画像記録媒体を50X50μmの微小面積表
面電位測定プローブ面でXY軸ススキャニング行い、5
0μm単位の電位データを処理し、CRT上に電位−輝
度変換により拡大表示した結果、諧調性を有する画像形
成が行われた。
Also, as an exposure method, using a normal camera, -700
The copy was photographed outdoors in the daytime with a voltage of V applied, exposure f-1, 4, and shutter speed 1/60 seconds. After exposure, the electrostatic image recording medium was scanned in the XY axes with a 50×50 μm micro-area surface potential measurement probe surface.
As a result of processing potential data in units of 0 μm and enlarging and displaying it on a CRT by potential-luminance conversion, an image with gradation was formed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の静電画像記録媒体は、支持体上に電極を設け、
次いで該電極上近傍に光導電性微粒子、又は導電性微粒
子を単層状、もしくは複数層状に積層し、更に該微粒子
層上にIQ14〜101@Ω・cmO比抵抗値を有する
絶縁層を積層することにより形成され、情報蓄積後には
電極端末を保護層で封止することにより微粒子中に蓄積
された情報電荷は永続的に保持されるものである。
The electrostatic image recording medium of the present invention includes an electrode provided on a support,
Next, photoconductive fine particles or conductive fine particles are laminated in a single layer or a plurality of layers near the electrode, and an insulating layer having an IQ of 14 to 101@Ω·cmO resistivity is further laminated on the fine particle layer. The information charges accumulated in the microparticles are permanently retained by sealing the electrode terminals with a protective layer after information accumulation.

蓄積された情報電荷は、絶縁層内部に蓄積されるために
極めて安定であり、水浸させても、乾燥後は静電画像記
録媒体表面に微粒子層に蓄積された電荷により再度表面
電荷が誘起されるので、空気中の湿気等により情報電荷
の減衰を防止することができるものである。
The accumulated information charge is extremely stable because it is accumulated inside the insulating layer, and even if it is immersed in water, after drying, the surface charge will be induced again on the surface of the electrostatic image recording medium by the charge accumulated in the fine particle layer. Therefore, it is possible to prevent information charges from attenuating due to moisture in the air.

また誘起された表面電位は、保護層を剥離、又は保1層
を嵌挿させて電極と表面電位との電位差を計測する電位
読み取り方法により容易に検出することができ、更にそ
の静電潜像に対応した電気信号を出力させ、CRT表示
、或いはプリンタによりプリントアウトすることができ
るものである。
In addition, the induced surface potential can be easily detected by a potential reading method that measures the potential difference between the electrode and the surface potential by peeling off the protective layer or inserting a protective layer, and furthermore, the electrostatic latent image It is possible to output an electric signal corresponding to the image and display it on a CRT or print it out using a printer.

また情報蓄積手段が静電荷単位であるために、静電画像
記録媒体に蓄積される情報は高品質、高解像であり、更
に処理工程が5便で、長時間の記憶が可能であり、また
その記憶した情報を目的に応じた画質で、任意に反復再
生することができるものである。
In addition, since the information storage means is a unit of electrostatic charge, the information stored on the electrostatic image recording medium is of high quality and high resolution, and furthermore, it requires only 5 processing steps and can be stored for a long time. In addition, the stored information can be repeatedly reproduced at any desired image quality depending on the purpose.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図は本発明の静電画像記録媒体断面図、第
3図、第4図は本発明の静電画像記録媒体の静電画像記
録後の保存状態を断面で示す図、第5図は各種のフレキ
シブル静電画像記録媒体を示す斜視図、第6図、第7図
は本発明における静電画像記録媒体への静電画像記録方
法を説明するための図、第8図は直流増幅型の電位読み
取り方法の例を示す図、第9図は本発明の静電画像記録
媒体を使用した静電画像記録再生方法の概略構成を示す
図、第10図は色分解光学系の構成を示す図、第11図
はカラー静電潜像を形成する場合の説明図、第12図は
a−3t:H感光体の作製方法を説明するための図であ
る。 1は感光体、3は静電画像記録媒体、5は光導電層支持
体、7は感光体電橋、9は光導電層、lOは保護層、1
1.11’ は絶縁層、12は絶縁層欠落部、13は静
電画像記録媒体電極、15は絶縁層支持体、16は微粒
子、17は電源、18はパターン露光光、20は全面露
光光、21は電位読み取り部、23は検出電極、25は
ガード電極、27はコンデンサ。 出  願  人  大日本印刷株式会社代理人 弁理士
  内1)亘彦(外5名)第1図 其5図 (a) 第2図 第3Il 第4図 (b) 第5I12I (C) (d) 1り 第7 図 (a) (b) (C) 第6 図 (b) +muu↓1出↓ヒ20 (d) 第1o図 第11図 :躍 ン一
1 and 2 are cross-sectional views of the electrostatic image recording medium of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing the storage state of the electrostatic image recording medium of the present invention after electrostatic image recording, FIG. 5 is a perspective view showing various flexible electrostatic image recording media, FIGS. 6 and 7 are diagrams for explaining the method of recording an electrostatic image on an electrostatic image recording medium according to the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing an example of a DC amplification type potential reading method, FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of an electrostatic image recording and reproducing method using the electrostatic image recording medium of the present invention, and FIG. 10 is a color separation optical system. FIG. 11 is an explanatory diagram for forming a color electrostatic latent image, and FIG. 12 is a diagram for explaining the method for producing an a-3t:H photoreceptor. 1 is a photoconductor, 3 is an electrostatic image recording medium, 5 is a photoconductive layer support, 7 is a photoconductor bridge, 9 is a photoconductive layer, IO is a protective layer, 1
1.11' is an insulating layer, 12 is an insulating layer missing part, 13 is an electrostatic image recording medium electrode, 15 is an insulating layer support, 16 is a fine particle, 17 is a power source, 18 is a pattern exposure light, and 20 is an entire surface exposure light. , 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, and 27 is a capacitor. Applicant Dainippon Printing Co., Ltd. Agent Patent attorney (1) Nobuhiko (5 others) Figure 1, Figure 5 (a) Figure 2, Figure 3I, Figure 4 (b) Figure 5I12I (C) (d) 1ri Fig. 7 (a) (b) (C) Fig. 6 (b) +muu↓1 output↓hi20 (d) Fig. 1o Fig. 11: Jumping one

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)支持体上に電極層を設け、次いで該電極層上近傍
に光導電性微粒子、または導電性微粒子を単層状、もし
くは複数層状に積層し、更に該微粒子層上に絶縁層を積
層した内部蓄積型静電画像記録媒体。
(1) An electrode layer was provided on a support, then photoconductive fine particles or conductive fine particles were laminated in a single layer or multiple layers near the electrode layer, and an insulating layer was further laminated on the fine particle layer. Internal storage type electrostatic image recording medium.
(2)上記光導電性微粒子が電極層上に直接積層された
ものである請求項1記載の内部蓄積型静電画像記録媒体
(2) The internal storage type electrostatic image recording medium according to claim 1, wherein the photoconductive fine particles are directly laminated on the electrode layer.
(3)上記光導電性微粒子、または導電性微粒子が、電
極層上に1000Å以下の膜厚の絶縁層を介して積層さ
れたものである請求項1記載の内部蓄積型静電画像記録
媒体。
(3) The internal storage type electrostatic image recording medium according to claim 1, wherein the photoconductive fine particles or the conductive fine particles are laminated on an electrode layer with an insulating layer having a thickness of 1000 Å or less interposed therebetween.
JP6724289A 1989-03-16 1989-03-18 Internal accumulation type electrostatic charge image recording medium Pending JPH02245758A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903296A (en) * 1993-04-26 1999-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method

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