JP2888353B2 - Exposure equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、露光装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an exposure apparatus.
（従来の技術） 例えば、半導体デバイスの製造工程における微細な回
路パターンの形成等にフォトリソグラフィー技術が用い
られているが、このようなフォトリソグラフィー技術に
おけるレジストの露光等に、露光装置が用いられてい
る。(Prior Art) For example, a photolithography technique is used for forming a fine circuit pattern in a manufacturing process of a semiconductor device, and an exposure apparatus is used for exposing a resist in such a photolithography technique. I have.
また、近年は、半導体デバイスの高集積化に伴なう回
路パターンの微細化に対応するため、このような半導体
デバイス製造におけるフォトリソグラフィー工程にDUV
（Deep Ultra Violet）の露光工程が加えられるように
なってきた。In recent years, in order to cope with the miniaturization of circuit patterns accompanying the high integration of semiconductor devices, DUV
(Deep Ultra Violet) exposure process has been added.
すなわち、例えばステッパーによって露光されたパタ
ーンの現像解像度を向上する目的でREL（Resolution En
hanced Lithography）工程と称されるDUV露光工程があ
る。これは、被処理体例えば半導体ウエハを加熱しなが
ら、上方から低照度例えば２〜40mW/cm2程度、波長例え
ば250〜400nm程度のDUV光をレジストに均一に照射する
ことにより、解像度を向上させる技術である。That is, for example, REL (Resolution Enhancement) is used for the purpose of improving the development resolution of a pattern exposed by a stepper.
There is a DUV exposure step called a "hanced lithography" step. This improves the resolution by uniformly irradiating the resist with DUV light having a low illuminance, for example, about 2 to 40 mW / cm2, and a wavelength of, for example, about 250 to 400 nm from above while heating an object to be processed, for example, a semiconductor wafer. Technology.
また、現像後のエッチング工程、イオンインプラント
工程でのレジスト剥離を防止するための処理として、レ
ジストキュアリングと称されるDUV露光工程も行われて
いる。これは、半導体ウエハを加熱（あるいは冷却）し
ながら、高照度例えば750mW/cm2程度、波長例えば200〜
350nm程度のDUV光を均一に照射することにより、レジス
トの強度を向上させる技術である。A DUV exposure process called resist curing is also performed as a process for preventing resist peeling in an etching process after development and an ion implant process. This means that while heating (or cooling) the semiconductor wafer, high illuminance, for example, about 750 mW / cm 2 , and wavelength, for example, 200 to
This technology improves the strength of the resist by uniformly irradiating DUV light of about 350 nm.
一般に、上述したような露光工程に利用されるDUV光
は、人体に有害である。このため、このような露光工程
に利用される露光装置では、被処理体を露光室内に収容
し、外部に光が漏れないようにして露光するよう構成さ
れ、また、光源ランプ、ミラー、レフレクター、レンズ
等から構成される光源部も同様にケース内に収容にされ
たものが多い。Generally, DUV light used in the above-described exposure process is harmful to the human body. For this reason, in an exposure apparatus used in such an exposure step, the object to be processed is housed in an exposure chamber, and is configured to perform exposure so that light does not leak outside, and a light source lamp, a mirror, a reflector, Similarly, many light source units including a lens and the like are similarly housed in a case.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような従来の露光装置では、
例えばレジストから発生したミスト等が、照射光を反射
あるいは透過させる光学面に付着し、このような付着物
によって照射光が遮られ、露光量が徐々に低下してしま
う。(Problems to be solved by the invention) However, in the conventional exposure apparatus as described above,
For example, mist or the like generated from the resist adheres to the optical surface that reflects or transmits the irradiation light, and the irradiation light is blocked by such attached matter, so that the exposure amount gradually decreases.
例えば、上述したようなDUV露光工程に利用される露
光装置では、レジストミスト等が光学系を構成する機器
に付着しないよう、露光室と光学系機器を収容する光源
部とが、隔離的に構成され、光源部からの光を例えば合
成石英板等からなる窓を介して被処理体に露光するよう
構成されたものが多いが、このような露光装置では、合
成石英板等からなる窓にレジストミスト等が付着し、照
射光が遮られ、全体的な露光量が徐々に低下してしまっ
たり、露光量が部分的に不均一になったりする。For example, in the exposure apparatus used in the DUV exposure process as described above, the exposure chamber and the light source unit that accommodates the optical system devices are configured separately so that the resist mist does not adhere to the devices that constitute the optical system. In many cases, the light from the light source unit is configured to be exposed to an object to be processed through a window made of a synthetic quartz plate or the like. Mist or the like adheres, and the irradiation light is blocked, so that the overall exposure dose gradually decreases or the exposure dose becomes partially non-uniform.
このため、レジストに対する露光が不完全あるいは不
均一になったり、光学系を清掃するためのメンテナンス
頻度が高くなり稼働率の低下を招く等の問題があった。
特に、波長の短い紫外線は、このような付着物に吸収さ
れ易く、その影響を強く受けるため、DUV露光装置等、
短波長の紫外線を用いた露光装置では、このような付着
物が大きな問題となる。For this reason, there have been problems that the exposure of the resist is incomplete or non-uniform, the maintenance frequency for cleaning the optical system increases, and the operation rate decreases.
In particular, ultraviolet light having a short wavelength is easily absorbed by such a deposit, and is strongly affected by the light.
In an exposure apparatus using short-wavelength ultraviolet rays, such a deposit becomes a serious problem.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、光学面に付着する付着物の量を、従来に較べて大幅
に低減することができ、長期間に亘って安定した光量で
露光を行うことのできる露光装置を提供しようとするも
のである。The present invention has been made in view of such a conventional situation, and the amount of deposits adhering to an optical surface can be significantly reduced as compared with the related art. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of performing the following.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理体を収容する露光室と、前
記被処理体に所定の光を照射するための光学系からなる
光源部と、前記露光室と前記光源部との間に設けられた
窓とを有する露光装置において、 前記露光室内の被処理体と前記窓との間から、前記露
光室内に気体を供給するとともに、対向部から排気して
前記窓と略平行な気体流を形成し、露光に際し発生する
前記被処理体からの発生物を、前記気体とともに排出す
るよう構成されたことを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, according to the present invention, an exposure chamber for accommodating an object to be processed, a light source unit including an optical system for irradiating the object with predetermined light, An exposure apparatus having a window provided between the exposure chamber and the light source unit, wherein a gas is supplied into the exposure chamber from between the object to be processed in the exposure chamber and the window, and from a facing unit. The gas is exhausted to form a gas flow substantially parallel to the window, and a product generated from the object to be processed during the exposure is discharged together with the gas.
請求項２の発明は、請求項１記載の露光装置におい
て、 前記窓と略平行な気体流は、複数配列された気体供給
ノズルと、これらの気体供給ノズルと対向するように複
数配列された排気ノズルとによって形成するよう構成さ
れたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the first aspect, the gas flow substantially parallel to the window is provided with a plurality of gas supply nozzles and a plurality of exhausts arranged so as to face the gas supply nozzles. And a nozzle.
請求項３の発明は、請求項２記載の露光装置におい
て、 前記気体供給ノズルと、前記排気ノズルとは、前記被
処理体の径より離間して配置されたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to the second aspect, the gas supply nozzle and the exhaust nozzle are arranged apart from a diameter of the object to be processed.
請求項４の発明は、請求項１〜３いずれか１項記載の
露光装置において、 前記窓と略平行な気体流を、複数段形成するよう構成
されたことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the exposure apparatus according to any one of the first to third aspects, a gas flow substantially parallel to the window is formed in a plurality of stages.
（作 用） 上記構成の本発明の露光装置では、被処理体と露光手
段との間に気体流を形成し、この気体流により露光室内
の浮遊物を排出する手段が設けられている。(Operation) In the exposure apparatus of the present invention having the above-described configuration, there is provided a means for forming a gas flow between the object to be processed and the exposure means, and discharging a floating substance in the exposure chamber by the gas flow.
したがって、例えば半導体ウエハ等に塗布されたレジ
ストから発生し、光学面に付着するレジストミスト等の
量を、従来に較べて大幅に低減することができ、長期間
に亘って安定した光量で露光を行うことができる。Therefore, for example, the amount of resist mist and the like generated from a resist applied to a semiconductor wafer and adhered to an optical surface can be significantly reduced as compared with the related art, and exposure can be performed with a stable light amount for a long time. It can be carried out.
（実施例） 以下、本発明をRELあるいはレジストキュアリング等
に用いるDLV露光装置に適用した一実施例を図面を参照
して説明する。(Embodiment) An embodiment in which the present invention is applied to a DLV exposure apparatus used for REL or resist curing will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、光源部１には、内部を気密に保
持し、内部からの光の漏洩を防ぐ如く構成されたケース
２が設けられており、このケース２内には、所定波長域
の紫外線を照射する光源ランプ３と、この光源ランプ３
からの紫外線を反射および透過して所定の平行ビームを
形成する複数の反射鏡４、５、６および複数のレンズ
７、８等からなる光学系が収容されている。As shown in FIG. 1, the light source unit 1 is provided with a case 2 configured to keep the inside airtight and prevent light from leaking from the inside. Light source lamp 3 for irradiating ultraviolet rays in the region, and this light source lamp 3
An optical system including a plurality of reflecting mirrors 4, 5, 6 and a plurality of lenses 7, 8 for reflecting and transmitting ultraviolet rays from the lens to form a predetermined parallel beam is accommodated.
また、この光源部１の下部には、透明板例えば合成石
英板9aを配置された窓９が設けられており、この窓９を
介して光源部１からの光（紫外線）を照射可能な如く露
光室10が設けられている。なお、ケース２は、上部から
排気可能に構成されている。A window 9 on which a transparent plate, for example, a synthetic quartz plate 9a is disposed, is provided below the light source unit 1 so that light (ultraviolet rays) from the light source unit 1 can be irradiated through the window 9. An exposure chamber 10 is provided. The case 2 is configured to be able to exhaust air from above.
上記露光室10は、内部を気密に保持し、内部からの光
の漏洩を防ぐ如く構成されており、内部に被処理物とし
て例えば半導体ウエハ11を搬入、搬出可能とする如く、
図示しない開口およびこの開口を気密に閉塞するシャッ
タ機構が設けられている。また、この露光室10内には、
その上面に半導体ウエハ11を載置し、所定温度に加熱可
能に構成された円板状の熱板12が設けられている。この
熱板12のほぼ中央には、透孔13が設けられており、この
透孔13の下部には光ガード用円筒14および光センサ15が
設けられており、光源部１から照射される光の強度を透
孔13および光ガイド用円筒14を介して光センサ15により
測定可能に構成されている。さらに、光センサ15の上部
には、内部に冷媒循環路16を形成された冷却ブロック17
が設けられており、熱板12の熱が光センサ15に伝わらな
いよう構成されている。これは、一般に紫外線を測定す
るための光センサ15は熱依存性が強く、そのため、熱板
12の熱が光センサ15に伝わると、その測定結果が大きく
変動してしまうためである。The exposure chamber 10 is configured so as to keep the inside airtight and prevent light leakage from the inside, so that a semiconductor wafer 11 as an object to be processed can be loaded and unloaded inside, for example.
An opening (not shown) and a shutter mechanism for hermetically closing the opening are provided. In the exposure chamber 10,
A semiconductor wafer 11 is placed on the upper surface, and a disc-shaped hot plate 12 configured to be heated to a predetermined temperature is provided. At substantially the center of the hot plate 12, a through hole 13 is provided. Below the through hole 13, a light guard cylinder 14 and an optical sensor 15 are provided. Is configured to be able to be measured by the optical sensor 15 through the through hole 13 and the light guide cylinder 14. Further, a cooling block 17 having a refrigerant circulation path 16 formed therein is provided above the optical sensor 15.
Are provided so that the heat of the heating plate 12 is not transmitted to the optical sensor 15. This is because the optical sensor 15 for measuring ultraviolet light generally has a strong heat dependency, and
This is because when the heat of 12 is transmitted to the optical sensor 15, the measurement result fluctuates greatly.
また、第２図にも示すように、上記熱板12には、この
熱板12を貫通する如く複数例えば３本のピン18が設けら
れている。これらのピン18は、搬入、搬出時に半導体ウ
エハ11を熱板12に上に仮支持し、熱板12と半導体ウエハ
11との間に搬送用アーム挿入、引き抜き用の空隙を設け
るためのものであり、シリンダ19により上下動自在に構
成されている。Further, as shown in FIG. 2, the hot plate 12 is provided with a plurality of, for example, three pins 18 so as to penetrate the hot plate 12. These pins 18 temporarily support the semiconductor wafer 11 on the hot plate 12 during loading and unloading, and
This is for providing a gap for inserting and pulling out the transfer arm with the transfer arm 11, and is configured to be vertically movable by a cylinder 19.
さらに、第２図にも示すように、露光室10の一方の側
壁には、上部と下部に上部気体供給ノズル20と、下部気
体供給ノズル21がそれぞれ一列に複数並べて設けられて
いる。これらの上部気体供給ノズル20と下部気体供給ノ
ズル21は、それぞれ集合管22、23によって集合され、バ
ルブ24、25を介して気体供給源として例えば窒素ガス供
給源26、27に接続されている。Further, as shown in FIG. 2, on one side wall of the exposure chamber 10, an upper gas supply nozzle 20 and a plurality of lower gas supply nozzles 21 are provided in a line in an upper part and a lower part, respectively. The upper gas supply nozzle 20 and the lower gas supply nozzle 21 are collected by collecting pipes 22 and 23, respectively, and connected to valves such as nitrogen gas supply sources 26 and 27 via valves 24 and 25, respectively.
一方、上記上部気体供給ノズル20、下部気体供給ノズ
ル21に対向する露光室10の側壁には、これらのノズルに
対向する如く、上部排気ノズル30と、下部排気ノズル31
がそれぞれ一列に複数例えば８こ並べて設けられてい
る。これらの上部排気ノズル30と下部排気ノズル31は、
それぞれ集合管32、33によって集合され、バルブ34、35
を介して排気装置36、37に接続されている。On the other hand, on the side wall of the exposure chamber 10 facing the upper gas supply nozzle 20 and the lower gas supply nozzle 21, an upper exhaust nozzle 30 and a lower exhaust nozzle 31 are provided so as to face these nozzles.
Are provided in a row, for example, eight in a row. These upper exhaust nozzle 30 and lower exhaust nozzle 31
Collected by collecting pipes 32 and 33, respectively, valves 34 and 35
Are connected to the exhaust devices 36 and 37 via the.
そして、これらの上部気体供給ノズル20と上部排気ノ
ズル30、および下部気体供給ノズル21と下部気体供給ノ
ズル31とによって、露光室10内の半導体ウエハ11と窓９
との間に上下２層の窒素ガス流を形成可能な如く形成さ
れている。The semiconductor wafer 11 and the window 9 in the exposure chamber 10 are formed by the upper gas supply nozzle 20 and the upper exhaust nozzle 30 and the lower gas supply nozzle 21 and the lower gas supply nozzle 31.
Are formed so as to be able to form two upper and lower layers of nitrogen gas flow.
次に上記構成のこの実施例の露光装置の動作について
説明する。Next, the operation of the exposure apparatus of this embodiment having the above configuration will be described.
まず、露光室10の図示しないシャッタ機構を開とし、
例えば搬送用アーム等により露光室10内に被処理物とし
て、半導体ウエハ11を搬入する。First, a shutter mechanism (not shown) of the exposure chamber 10 is opened,
For example, a semiconductor wafer 11 is loaded into the exposure chamber 10 as an object to be processed by a transfer arm or the like.
なお、半導体ウエハ11は、RELの場合、例えばステッ
パーによって露光された現像前の半導体ウエハ11であ
り、レジストキュアリングの場合、現像後の半導体ウエ
ハ11である。In the case of REL, the semiconductor wafer 11 is, for example, a semiconductor wafer 11 before development exposed by a stepper, and in the case of resist curing, it is a semiconductor wafer 11 after development.
この時、予め、シリンダ19によりピン18（この実施例
の場合３本設けられている）を上昇させておき、熱板12
の上部にピン18が突出した状態に設定しておく。そし
て、搬送用アームにより、半導体ウエハ11をこれらのピ
ン18上に載置する。At this time, the pins 18 (three provided in this embodiment) are raised by the cylinder 19 in advance, and the hot plate 12
The pin 18 is set in a state where the pin 18 protrudes from the upper part. Then, the semiconductor wafer 11 is placed on these pins 18 by the transfer arm.
この後、シャッタ機構を閉とし、露光室10内を気密に
保持するとともに、ピン18を下降させて半導体ウエハ11
を熱板12上に載置し、半導体ウエハ11の加熱および窓９
を介して光源部１からの紫外線の照射を開始する。ま
た、これと同時に、バルブ24、25を開とし、上部気体供
給ノズル20および下部気体供給ノズル21から露光室10内
に不活性気体例えば窒素ガスを供給するとともに、バル
ブ34、35を開とし、排気装置36、37を駆動して、上記排
気ノズル30および下部排気ノズル31から排気を行う。Thereafter, the shutter mechanism is closed, the inside of the exposure chamber 10 is kept airtight, and the pins 18 are lowered so that the semiconductor wafer 11 is closed.
Is placed on the hot plate 12 to heat the semiconductor wafer 11 and the window 9.
Irradiation of ultraviolet light from the light source unit 1 is started. At the same time, the valves 24 and 25 are opened, an inert gas such as nitrogen gas is supplied into the exposure chamber 10 from the upper gas supply nozzle 20 and the lower gas supply nozzle 21, and the valves 34 and 35 are opened. The exhaust devices 36 and 37 are driven to exhaust air from the exhaust nozzle 30 and the lower exhaust nozzle 31.
なお、この時、上部気体供給ノズル20と上部排気ノズ
ル30との間には、窓９の表面を覆う如くエアカーテン状
のほぼ平行な窒素ガス流が形成されるよう、窒素ガスの
供給量と排気量がバランスするように調節する。一方、
下部気体供給ノズル21からの窒素ガスの供給量と、下部
排気ノズル31からの排気量とは、やや窒素ガスの供給が
過多となるよう調節し、露光室10内の雰囲気を窒素ガス
に置換する。At this time, between the upper gas supply nozzle 20 and the upper exhaust nozzle 30, the supply amount of the nitrogen gas is adjusted so that a substantially parallel nitrogen gas flow in an air curtain shape is formed so as to cover the surface of the window 9. Adjust so that the displacement is balanced. on the other hand,
The supply amount of nitrogen gas from the lower gas supply nozzle 21 and the exhaust amount from the lower exhaust nozzle 31 are adjusted so that the supply of nitrogen gas is slightly excessive, and the atmosphere in the exposure chamber 10 is replaced with nitrogen gas. .
したがって、加熱に伴って半導体ウエハ11に塗布され
たレジストからレジストミスト等が発生するが、このよ
うなレジストミストは、上部気体供給ノズル20と上部排
気ノズル30、および下部気体供給ノズル21と下部排気ノ
ズル31との間に形成される窒素ガス流によってその大部
分が露光室10外に排出され、窓９の合成石英板9aに付着
することを防止することができる。Therefore, a resist mist or the like is generated from the resist applied to the semiconductor wafer 11 with the heating, and such a resist mist is formed by the upper gas supply nozzle 20 and the upper exhaust nozzle 30, and the lower gas supply nozzle 21 and the lower exhaust gas. Most of the nitrogen gas flow formed between the nozzle 31 and the nozzle 31 can be prevented from being discharged to the outside of the exposure chamber 10 and attached to the synthetic quartz plate 9a of the window 9.
上述したような露光室10への窒素ガスの供給および排
気を所定時間（レジストミストの発生が微少となるま
で）行い、この後、各バルブ24、25、34、35を閉とす
る。そして、露光室10を密閉状態として、半導体ウエハ
11の加熱および紫外線の照射をさらに続けて行う。The above-described supply and exhaust of the nitrogen gas to the exposure chamber 10 are performed for a predetermined time (until the generation of the resist mist becomes very small), and thereafter, the valves 24, 25, 34, and 35 are closed. Then, the exposure chamber 10 is sealed, and the semiconductor wafer is
Heating and irradiation of ultraviolet rays of 11 are further continued.
なお、処理途中で露光室10内の窒素ガス流を停止させ
るのは、この窒素ガス流によって半導体ウエハ11が冷却
され、半導体ウエハ11に温度勾配が生じ、処理が不均一
になることを防止するためである。The reason why the nitrogen gas flow in the exposure chamber 10 is stopped during the processing is that the semiconductor wafer 11 is cooled by the nitrogen gas flow, and a temperature gradient is generated in the semiconductor wafer 11, thereby preventing the processing from becoming uneven. That's why.
そして、所定時間の加熱および紫外線の照射が終了す
ると、シリンダ19によりピン18を上昇させ、半導体ウエ
ハ11をピン18上に支持するとともに、露光室10の図示し
ないシャッタ機構を開とし、例えば搬送用アーム等によ
りこの半導体ウエハ11を搬出し、一枚の半導体ウエハ11
の処理が終了する。なお、この時、各バルブ24、25、3
4、35を開として露光室10内に再び窒素ガス流を形成
し、この窒素ガス流により搬出前の半導体ウエハ11を常
温近傍の温度まで冷却冷却することもできる。このよう
な冷却を実施すれば、露光室10内の不所望な温度上昇も
防止することができる。When heating for a predetermined time and irradiation of ultraviolet rays are completed, the pins 18 are raised by the cylinder 19, the semiconductor wafer 11 is supported on the pins 18, and a shutter mechanism (not shown) of the exposure chamber 10 is opened, for example, for transport. The semiconductor wafer 11 is unloaded by an arm or the like, and one semiconductor wafer 11 is
Is completed. At this time, each valve 24, 25, 3
By opening the holes 4 and 35, a nitrogen gas flow is formed again in the exposure chamber 10, and the semiconductor wafer 11 before unloading can be cooled and cooled to a temperature near room temperature by the nitrogen gas flow. By performing such cooling, an undesired rise in temperature in the exposure chamber 10 can be prevented.
すなわち、この実施例の露光装置では、露光室10内の
加熱板12（半導体ウエハ11）と窓９との間に、エアカー
テン状の窒素ガス流を形成するよう構成されているの
で、半導体ウエハ11に塗布されたレジストから発生した
レジストミスト等の大部分がこの窒素ガス流によって露
光室10外へ排出され、窓９の合成石英板9aに付着するレ
ジストミスト等の付着物の量を従来に較べて大幅に低減
することができる。したがって、長期間に亘って安定し
た光量で露光処理を実施することができる。That is, in the exposure apparatus of this embodiment, an air curtain-like nitrogen gas flow is formed between the heating plate 12 (semiconductor wafer 11) and the window 9 in the exposure chamber 10. Most of the resist mist and the like generated from the resist applied to 11 are discharged out of the exposure chamber 10 by the nitrogen gas flow, and the amount of the resist mist and the like adhering to the synthetic quartz plate 9a of the window 9 is conventionally reduced. It can be greatly reduced in comparison. Therefore, the exposure processing can be performed with a stable light amount over a long period of time.
ところで、このように構成された露光装置であって
も、窓９に僅かずつレジストミスト等が付着する。そこ
で、この実施例の露光装置では、熱板12の下部に光セン
サ15が設けられており、熱板12上に半導体ウエハ11を載
置しない状態で光源部１から窓９を介して照射される紫
外線の強度を測定可能に構成されている。By the way, even in the exposure apparatus configured as described above, a resist mist or the like adheres to the window 9 little by little. Therefore, in the exposure apparatus of this embodiment, an optical sensor 15 is provided below the hot plate 12, and the light is irradiated from the light source unit 1 through the window 9 in a state where the semiconductor wafer 11 is not mounted on the hot plate 12. It is configured to measure the intensity of ultraviolet light.
したがって、この光センサ15による測定結果により光
源ランプ３の劣化、窓９の汚れ等による光量の低下を検
出することができる。この光センサ15の測定結果からメ
ンテナンス時期を決定したり、紫外線の照射時間を制御
する（光量が低下したら照射時間を長くする）ことによ
り、光量の低下により半導体ウエハ11に対する照射量が
不足することを防止できる。Therefore, it is possible to detect a decrease in the amount of light due to the deterioration of the light source lamp 3, the contamination of the window 9, and the like, based on the measurement result by the optical sensor 15. By determining the maintenance time from the measurement result of the optical sensor 15 or controlling the irradiation time of the ultraviolet rays (extending the irradiation time when the light amount decreases), the irradiation amount of the semiconductor wafer 11 becomes insufficient due to the decrease in the light amount. Can be prevented.
また、光源部１内の窓９の手前（光源ランプ３側）等
に別に光センサを設けておけば、この光センサの測定結
果と光センサ15の測定結果とから光量の低下が光源ラン
プ３の劣化に起因するものであるか、窓９の汚れに起因
するものであるかを判定することが可能となる。If an optical sensor is provided separately in front of the window 9 in the light source unit 1 (on the side of the light source lamp 3) or the like, a decrease in the amount of light is determined based on the measurement results of the optical sensor and the optical sensor 15. It is possible to determine whether the change is caused by deterioration of the window 9 or by the stain on the window 9.
さらに、例えば第３図に示すように、窓９の合成石英
板9aを着脱自在に構成すれば、清掃等のメンテナンスを
容易に実施することができる。Further, for example, as shown in FIG. 3, if the synthetic quartz plate 9a of the window 9 is configured to be detachable, maintenance such as cleaning can be easily performed.
第３図に示す例では、光源部１の光学系を収容するケ
ース２の底板2aに設けられた溝2bに合成石英板9aを着脱
自在に嵌合し固定するよう構成されている。そして、こ
の合成石英板9aとレンズ８を支持するハウジング40との
間を、半円筒状の部材を組み合せ、例えば複数のねじ41
等により固定してなる円筒状ガイド42およびＯリング4
3、44等により気密に閉塞するよう構成されている。し
たがって、ねじ41を緩め、円筒状ガイド42を合成石英板
9aの上部から取り外すことにより、合成石英板9aを底板
2aから簡単に取り外すことができる。In the example shown in FIG. 3, a synthetic quartz plate 9a is detachably fitted and fixed in a groove 2b provided in a bottom plate 2a of a case 2 accommodating the optical system of the light source unit 1. Then, a semi-cylindrical member is combined between the synthetic quartz plate 9a and the housing 40 supporting the lens 8, and for example, a plurality of screws 41
Cylindrical guide 42 and O-ring 4 fixed by
It is configured so as to be airtightly closed by 3, 44 and the like. Therefore, loosen the screw 41 and attach the cylindrical guide 42 to the synthetic quartz plate.
By removing it from the top of 9a, the synthetic quartz plate 9a
It can be easily removed from 2a.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の露光装置によれば、光
学面に付着する付着物の量を、従来に較べて大幅に低減
することができ、長期間に亘って安定した光量で露光を
行うことができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the exposure apparatus of the present invention, the amount of deposits on the optical surface can be significantly reduced as compared with the conventional apparatus, and the exposure apparatus is stable for a long period of time. Exposure can be performed with a light amount.
第１図は本発明の一実施例の露光装置の構成を示す図、
第２図は第１図の露光装置の露光室の構成を示す図、第
３図は第１図の露光装置の窓の構成を示す図である。 １……光源部、２……ケース、３……光源ランプ、４、
５、６……反射鏡、７、８……レンズ、９……窓、9a…
…合成石英板、10……露光室、11……半導体ウエハ、12
……熱板、13……透孔、14……光ガイド用円筒、15……
光センサ、16……冷媒循環路、17……冷却ブロック、18
……ピン、19……シリンダ、20……上部気体供給ノズ
ル、21……下部気体供給ノズル、22、23……集合管、2
4、25……バルブ、26、27……窒素ガス供給源、30……
上部排気ノズル、31……下部排気ノズル、32、33……集
合管、34、35……バルブ、36、37……排気装置。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a view showing a configuration of an exposure chamber of the exposure apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a view showing a configuration of a window of the exposure apparatus of FIG. 1 ... light source unit, 2 ... case, 3 ... light source lamp, 4,
5, 6 ... Reflector, 7, 8 ... Lens, 9 ... Window, 9a ...
... Synthetic quartz plate, 10 ... Exposure chamber, 11 ... Semiconductor wafer, 12
…… Hot plate, 13 …… Hole, 14 …… Cylinder for light guide, 15 ……
Optical sensor, 16: refrigerant circulation path, 17: cooling block, 18
... Pin, 19 ... Cylinder, 20 ... Upper gas supply nozzle, 21 ... Lower gas supply nozzle, 22, 23 ... Collecting pipe, 2
4, 25: Valve, 26, 27 ... Nitrogen gas supply source, 30 ...
Upper exhaust nozzle, 31 Lower exhaust nozzle, 32, 33 Collecting pipe, 34, 35 Valve, 36, 37 Exhaust device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 博之 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 田島 智早 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (72)発明者 田上 公一 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−181426（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−97216（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Hiroyuki Kudo 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside Tel Kyushu Co., Ltd. Kyushu Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Tagami 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tel Kyushu Co., Ltd. (56) References JP-A-62-181426 (JP, A) JP-A-3-97216 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/027
Claims (4)
体に所定の光を照射するための光学系からなる光源部
と、前記露光室と前記光源部との間に設けられた窓とを
有する露光装置において、 前記露光室内の被処理体と前記窓との間から、前記露光
室内に気体を供給するとともに、対向部から排気して前
記窓を略平行な気体流を形成し、露光に際し発生する前
記被処理体からの発生物を、前記気体とともに排出する
よう構成されたことを特徴とする露光装置。An exposure chamber for accommodating an object to be processed, a light source section comprising an optical system for irradiating the object with predetermined light, and a light source section provided between the exposure chamber and the light source section. In an exposure apparatus having a window, a gas is supplied into the exposure chamber from between the object to be processed in the exposure chamber and the window, and exhausted from an opposing portion to form a gas flow substantially parallel to the window. An exposure apparatus configured to discharge, from the object to be processed, which is generated during exposure together with the gas.
ズルと、これらの気体供給ノズルと対向するように複数
配列された排気ノズルとによって形成するよう構成され
たことを特徴とする露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the gas flow substantially parallel to the window comprises a plurality of gas supply nozzles and a plurality of exhaust nozzles arranged to face the gas supply nozzles. An exposure apparatus characterized by being formed by:
理体の径より離間して配置されたことを特徴とする露光
装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the gas supply nozzle and the exhaust nozzle are arranged apart from a diameter of the object to be processed.
において、 前記窓と略平行な気体流を、複数段形成するよう構成さ
れたことを特徴とする露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a gas flow substantially parallel to the window is formed in a plurality of stages.
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