JP2888317B2

JP2888317B2 - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JP2888317B2
Application number: JP4331496A
Authority: JP
Inventors: 明上野; 秀行中西; 秀男永井; 昭男 ▲吉▼川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-12-11
Filing date: 1992-12-11
Publication date: 1999-05-10
Anticipated expiration: 2014-05-10
Also published as: JPH06180852A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置などに用
いられる光ピックアップ装置を小型化するための技術に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、レーザ光を用いた記録再生装置が
普及しつつあるが、そこに用いられる光ピックアップ装
置の小型化が課題である。

【０００３】以下、従来の光ピックアップ装置につい
て、図面を参照しながら説明する。光ピックアップ装置
を小型化する手段の一つは光学系の小型化であり、その
手段として、シリコンの基板上に半導体レーザ素子や光
検出器を一体化した光ピックアップ装置が種々提案され
ている。たとえば、特開昭６４−４６２４３号公報には
図６および図７に示す光ピックアップ装置が開示されて
いる。

【０００４】図６は上記従来の光ピックアップ装置の光
学系の構成を断面図で示す。図において、半導体基板３
４の上面３４ａおよび３４ｂとカバー部材３３の下面３
３ａとが空間を介して対向するように配置され、半導体
基板３４の上面３４ａには第１の光検出部３５と第２の
光検出部３６とが形成され、また、半導体基板３４の上
面３４ｂには半導体レーザ素子３７とモニタ用光検出部
３８とが形成されている。上面３４ｂが上面３４ａに対
して低くなるように段差が形成され、その段差面が半導
体レーザ素子３７から出射するレーザ光ビームＬ₁ に対
向する全反射グレーティング部（以下、反射ミラーと記
す）４０を構成している。半導体基板３４の上面３４ａ
は、たとえば、エッチング処理により精度よく加工され
ている。また、カバー部材３３の上面３３ｂにはホログ
ラム素子により形成されたビームスプリッタ４１が設け
られている。

【０００５】上記の構成において動作を説明すると、半
導体レーザ素子３７から出射したレーザ光ビームＬ₁
が、半導体基板３４の上面３４ａに設けられた反射ミラ
ー４０により３本のレーザ光ビームＬ₂ に分割され、上
方に反射される。それら３本のレーザ光ビームＬ₂はそ
れぞれカバー部材３３の下面３３ａから入射し、カバー
部材３３を透過したのちカバー部材３３の上面３３ｂに
設けられたビームスプリッタ４１に入射する。ビームス
プリッタ４１に達したレーザ光ビームＬ₂の一部はレー
ザ光ビームＬ₃としてカバー部材３３を透過し、下面３
３ａから出射する。出射したレーザ光ビームＬ₃は第１
の光検出部３５に入射し、その一部は第１の光検出部３
５の上面とカバー部材３３の下面３３ａとで反射し、第
２の光検出部３６に入射する。

【０００６】図７は従来の他の光ピックアップ装置の構
成を断面図で示す。この光ピックアップ装置は、図６に
示した光ピックアップ装置における反射ミラー４０の代
わりにプリズム５０を用いたものである。

【０００７】以下、光ピックアップ装置に用いられる光
源について説明する。光ピックアップ装置の光源として
は、ガリウムヒ素（以下、ＧａＡｓと記す）基板上にエ
ピタキシャル成長されたガリウムアルミニウムヒ素（以
下、ＧａＡｌＡｓと記す）系のダブルヘテロ構造レーザ
が一般に使用されている。図８はその構成を斜視図で示
す。図において、８１はガリウムアルミニウムヒ素（Ｇ
ａ_1-xＡｌ_xＡｓ）で構成された活性層であり、アルミニ
ウムの組成比によって発振波長を６８０〜８８０ｎｍの
範囲で選ぶことができる。たとえば、コンパクトディス
クおよびビデオディスク用には７８０ｎｍの波長が使用
され、光ディスク用高出力レーザには８３０ｎｍまたは
７８０ｎｍの波長が使用されている。８２ａ，８２ｂは
ガリウムアルミニウムヒ素（Ｇａ_1-yＡｌ_yＡｓ）で構成
されたクラッド層であり、キャリア（電子、正孔）と光
とを活性層８１内に閉じ込める役目をする。８３はＧａ
Ａｓで構成されたキャップ層であり、電極抵抗を小さく
するために設けられている。

【０００８】上記各層の集合体であるレーザチップの通
常の大きさは、０．２５×０．３×０．１２ｍｍ程度で
あって非常に小さい。活性層８１にはｐｎ接合が形成さ
れ、ｐ電極８４を正、ｎ電極８５を負にして電圧を印加
することにより活性層８１に電子と正孔が注入され、あ
る電流値でレーザ発振が起きる。レーザチップは通常、
成長層側を下にして、銅ブロック８６上にシリコンなど
により構成したサブマウント８８上にろう材８７を介し
てマウントされる。レーザ共振器を構成するために必要
な反射鏡８９は結晶のへき開面を利用して作られる。

【０００９】図９は図６に示した光ピックアップ装置に
おける半導体レーザ素子３７と反射ミラー４０の近傍を
拡大断面図で示す。半導体レーザ素子３７において、発
光点のある活性層８１とキャツプ層８３側の端面までの
高さＺ₁は通常１０μｍ程度と小さいが、エピタキシャ
ル成長により作成されるため高さＺ₁の精度は高く、±
１μｍ以下程度にできる。一方、活成層８１とＧａＡｓ
基板８０側の端面までの高さＺ₂は１００μｍ程度と大
きく、その精度はＧａＡｓ基板８０の厚さ精度に依存す
る。ＧａＡｓ基板８０はウエハーを研磨またはエッチン
グして加工されるので、その厚さ精度は±１０μｍ程度
であって、高さＺ₁の精度に比べて数値が非常に大き
い。

【００１０】シリコンの半導体基板３４の段差部分は上
面３４ａをエッチングして加工される。エッチングの深
さ（Ｈ₁＋Ｈ₂）は、エッチング時間の短縮および加工精
度の確保のために、なるべく小さい方が望ましい。しか
し、半導体レーザ素子３７の出射光Ｌ₁のＮＡ（Numeric
al Aperture）値を大きくするためには、深さ（Ｈ₁＋Ｈ
₂）を半導体レーザ素子３７の高さの２倍程度、すなわ
ち２００μｍ程度にする必要があり、非常に大きな値と
なる。エッチングの深さを浅くしながらＮＡ値を大きく
するために、半導体レーザ素子３７の発光点と反射ミラ
ー４０との距離Ｘ₁を可能な限り小さくする。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の光ピ
ックアップ装置では、半導体基板上に半導体レーザ素子
と光検出器とを備えた構成において、光ディスクからの
戻り光をホログラム素子などの分割手段で光検出器に入
射させ、たとえば、ビームサイズ法でフォーカシングエ
ラー信号を検出する場合、２つの光検出器の一方は焦点
の前で、他方は焦点の後で受光するように構成する必要
があるが、光検出器をホログラム素子と平行に配置して
いる従来の構成においては、ホログラム素子と２つの光
検出器との距離が同じであるため、ホログラム素子の分
割パワーを操作して、焦点位置をずらす構成が必要であ
る。そのためには、その構成に適合した特別なホログラ
ム素子を作成しなければならない。

【００１２】また、ＮＡ値を大きくするためには、図１
０に示したように、発光点と反射ミラー４０との距離Ｘ
₁を小さくすればよいが、あまり小さくすると半導体レ
ーザ素子３７のＧａＡｓ基板側の高さＺ₂が大きいので
出射光が半導体レーザ素子３７の出射端面の部分３７ｄ
で遮られ、光の利用効率が低下するので、距離Ｘ₁を小
さくするには限度がある。

【００１３】また、図１１に示したように、ＮＡ値を大
きくするために、半導体レーザ素子３７をＧａＡｓ基板
側で半導体基板３４に固定した構成においては、光が半
導体レーザ素子３７で遮られることは少なくなる。この
場合、半導体レーザ素子３７のＺ₂の寸法精度がＺ₁に比
べて悪いので発光点の高さ精度が得られず、図６におけ
る光検出器３５と光検出器３６における光スポットの大
きさが変わってしまうと言う不都合がある。また、上面
３４ａの高さＨ₁を高くする必要があり、エッチングに
よる加工ができず、また、深く加工することが困難であ
るという問題がある。

【００１４】また、図７に示した構成においては、プリ
ズム５０を容易に大きくできるのでＮＡ値は大きくでき
るが、Ｚ₂の寸法精度が悪く、また、プリズムの添付精
度が悪く、さらに、基板３４とプリズム５０が別部品な
ので製造しにくいといった問題がある。

【００１５】本発明は上記課題を解決するもので、小型
化しながら高精度に製作でき、かつＮＡ値を大きくでき
る光ピックアップ装置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体基板上に装着され、レーザ光を出射
する半導体レ−ザ素子と、前記半導体基板を加工して設
けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導
体レーザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半
導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラー
で反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レン
ズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前
記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピ
ックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射
端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が
前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交
差するように配置することにより前記反射ミラーで反射
したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらな
いようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成
長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラ
ーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほ
ぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラ
ム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置であ
る。

【００１７】

【作用】本発明は上記構成において、半導体基板と反射
ミラーとに共通な垂直面を含まない光軸を有する出射光
の反射光は、半導体レーザ素子の出射端面を反射ミラー
に近接して配置しても出射端面に当たらない方向に反射
する。

【００１８】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の実施例の光ピックアップ装
置について、図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の実施例の光ピックアップ装置の構成を概略側断面図
で示す。まず、本発明の光ピックアップ装置における半
導体基板１と半導体レーザ素子２との位置関係について
説明する。図２（ａ）は本実施例の光ピックアップ装置
における半導体レーザ素子とその近傍とを部分上面図で
示し、図２（ｂ）は同側断面図で示す。図において、１
は半導体基板、１ａはその表面、１ｂは半導体基板１を
エッチング加工により形成された所定深さを有する凹部
分の底部、２は半導体レーザ素子、３は前記凹部分にお
ける傾斜した平らな段差面で構成された反射ミラーであ
る。半導体レーザ素子２は、図２（ａ）に示したよう
に、その成長層側の面を底部１ｂに貼り付けて固定さ
れ、また、半導体レーザ素子２の出射端面の底面に平行
な稜線を、底部１ｂの面と反射ミラー３との交線１ｃに
対して傾けて取り付けることにより、半導体レーザ素子
２の出射光の光軸が反射ミラー３と半導体基板１とに共
通な垂直面に交差するように配置される。この設定によ
り、反射光１０が半導体レーザ素子２の出射端面から遠
ざかるように反射し、半導体レーザ素子２の発光点と反
射ミラーとの距離を小さくしても反射光が半導体レーザ
素子２の端面で遮られ難くなり、したがって、レーザ光
の反射ミラー３への入射角を大きくしてＮＡ値を大きく
できる。

【００１９】つぎに本発明の実施例の光ピックアップ装
置の動作について説明する。図１において、反射光１０
が半導体基板１に対して斜めに出射されるため、半導体
基板１を傾け、光ディスク１１に対して反射光１０が垂
直に入射するように設定する。半導体基板１の上面には
トラック方向（以下、Ｘ方向と記す）に関して、反射ミ
ラー３上の反射中心を挟むように２分割光検出器５と２
分割光検出器６とが配置され、また、光ディスク１１の
半径方向（以下、Ｙ方向と記す）に関し、反射ミラー３
上の反射中心を挟むように３分割光検出器７と３分割光
検出器８とが配置されている。さらに、ガラスブロック
１２の互いに平行に対向する表面のうち、反射ミラー３
に対向する表面上にホログラム（以下、ＨＯＥと記す）
素子ＨＯＥ₁１３が形成され、もう一方の表面にＨＯＥ₂
１４が形成されている。ここで、２分割光検出器５と２
分割光検出器６はそれぞれＸ方向の分割線で分割した２
つの受光領域を構成し、３分割光検出器７と３分割光検
出器８はそれぞれＹ方向の分割線で分割した３つの受光
領域を構成する。

【００２０】上記構成において、半導体レーザ素子２か
ら出射されたレーザ光９は反射ミラー３で反射され、反
射光１０はＨＯＥ₁１３とＨＯＥ₂１４を透過して、０次
光が対物レンズ１７で光ディスク１１に集光される。光
ディスク１１からの戻り光は、対物レンズ１７を通っ
て、ＨＯＥ₁１３に入射してＸ方向に回折され、その±
１次光は２分割光検出器５と２分割光検出器６で受光さ
れる。この２分割光検出器５と２分割光検出器６の出力
信号からプッシュプル法によりトラッキングエラー信号
と情報信号とを取り出す。また、ＨＯＥ₂１４でＹ方向
に回折された±１次光は、３分割光検出器７と３分割光
検出器８で受光され、その出力信号からビームサイズ法
によりフォーカシングエラー信号を取り出す。

【００２１】すなわち、２分割光検出器５と２分割光検
出器６の受光素子５Ａ，５Ｂ，６Ａ，６Ｂのそれぞれの
光電出力をＴ_5A，Ｔ_5B，Ｔ_6A，Ｔ_6Bとすると、トラッキ
ングエラー信号は、（Ｔ_5A−Ｔ_5B）＋（Ｔ_6A−Ｔ_6B）なる演算により得ることができる。

【００２２】また、３分割光検出器７と３分割光検出器
８の各受光素子を７Ａ，７Ｂ，７Ｃと８Ａ，８Ｂ，８Ｃ
とし、それらの出力をそれぞれＦ_7A，Ｆ_7B，Ｆ_7Cと
Ｆ_8A，Ｆ _8B，Ｆ_8Cとするとフォーカシングエラー信号
は、（Ｆ_7B＋Ｆ_7C−Ｆ_7A）−（Ｆ_8B＋Ｆ_8C−Ｆ_8A）なる演算により得ることができる。

【００２３】以上のように本実施例によれば、半導体レ
ーザ素子の出射端面稜線が反射ミラーの稜線に対して傾
斜させることにより出射光軸を半導体基板と反射ミラー
とに共通な垂直面に交差させ、また、発光点と反射ミラ
ーとの距離を小さく配置することにより、反射光が半導
体レーザ素子の端面で遮られることなくＮＡ値を大きく
できる。

【００２４】また、本実施例によれば、フォーカシング
エラー信号を得るための分割用のＨＯＥ₂１４の分割の
パワーを均等にしても、ＨＯＥ₂１４と３分割光検出器
７との距離と、ＨＯＥ₂１４と３分割光検出器８との距
離とが異なっているため、３分割光検出器７と３分割光
検出器８に入射する光は、焦点を前後とすることができ
る。

【００２５】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら説明する。図３（ａ）は
本実施例の光ピックアップ装置における半導体レーザ素
子とその近傍とを部分上面図で示し、図３（ｂ）は同側
断面図で示す。図において、図２の実施例と同じ構成要
素には同一番号を付与して説明を省略する。本実施例が
第１の実施例と異なる点は、半導体レーザ素子２の２次
へき開をレーザ光出射部分に対して均等ではなく、大き
く偏らせ、レーザ光９が半導体レーザ素子２の端部近傍
から出射するようにしている。したがって、発光点を実
施例１の場合よりもさらに反射ミラー３により近づけて
設定できるので、ＮＡ値を大きくしても反射面の面積を
小さくでき、したがって、エッチングにより加工した反
射ミラーの深さが浅くて済み、より製作し易くなる。

【００２６】以上のように本実施例によれば、半導体レ
ーザ素子２の２次へき開をレーザ光出射部分に対して均
等ではなく、大きく偏らせ、レーザ光９が半導体レーザ
素子２の端部近傍から出射するようにするとともに、半
導体レーザ素子の出射端面稜線が反射面の稜線に対して
傾斜させて出射光の光軸を半導体面と反射面との共通な
垂直面に交差させ、かつ、発光点と反射ミラーとの距離
を小さく配置することにより、ＮＡ値を大きくできる。

【００２７】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説
明する。図４は本実施例の光ピックアップ装置の構成を
部分上面図で示す。図４において、１は半導体基板、２
は半導体レーザ素子、３は半導体基板１の上面をエッチ
ング加工して形成した多角形の凹部の傾斜した平らな段
差面により構成した反射ミラーであり、半導体レーザ素
子２は実施例１と同様に、出射端面稜線が反射ミラー稜
線に傾斜するように配置することにより、反射したレー
ザ光９が半導体レーザ素子２に干渉しないように設定し
ている。また、１２は反射ミラー３の面に設けた段差で
あり、レーザ光９の当たっている反射面だけを半導体レ
ーザ素子の出射端面に近付けて配置し、ＮＡ値を大きく
しても反射面の面積を小さくでき、反射ミラー３のエッ
チング加工の深さを浅くできるので製作が容易になる。

【００２８】また、４はレーザ光９の出射パワーをモニ
タする後方モニタ用光検出器、５および６は２分割光検
出器、７および８は３分割光検出器である。後方モニタ
用光検出器４の位置は２分割光検出器５および６と、３
分割光検出器７および８とレーザ光が干渉しない位置に
設定できるため、前記各光検出器を凹部分に近づけて配
置でき、小型化が可能となる。また、後方モニタ用光検
出器４の後方には他の光検出器がなく、半導体レーザ素
子２の後方出射光が後方モニタ用光検出器４以外の光検
出器に入射しないので、オフセットなどを生じることが
ない。また、後方モニタ用光検出器４における反射光は
反射ミラー３における反射光１０と方向が９０度程度ず
れているので、半導体レーザ素子２の後方出射光が対物
レンズなどに入射することを防止できる。

【００２９】図５（ａ），図５（ｂ）に半導体レーザ素
子２を反射ミラー３に対して斜めにマウントする場合の
実施例を上面図で示す。

【００３０】図５（ａ）は半導体基板１をエッチングで
加工した段差面を複数個有する多角形の凹部の底面１ｂ
に、実施例１と同様に半導体レーザ素子２の出射端面稜
線が反射ミラーの稜線に対して斜めになるように配置し
たときに、半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２
ｃ，２ｄが、ほぼ前記段差面の稜線部分に位置するよう
に設定しておき、半導体レーザ素子２を凹部の底面にマ
ウントするとき、この四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと４
つの段差面との隙間Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄが均等にな
るように配置すれば、容易に所定の位置と角度でマウン
トできる。

【００３１】図５（ｂ）は半導体基板１をエッチング加
工で凹部を形成し、半導体レーザ素子２をその出射端面
稜線が反射ミラー３の稜線に対して斜めになるように配
置したとき、半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２
ｃ，２ｄに対向する部分に角部Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ
を設けておく。半導体レーザ素子２をマウントすると
き、この角部Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄに半導体レーザ素
子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが一致するように配
置すれば、容易に望んだ位置および角度でマウントでき
る。

【００３２】以上のように、本発明の実施例の光ピック
アップ装置によれば、容易に反射ミラー３に対して、半
導体レーザ素子２を斜めに精度よくマウントすることが
可能となる。

【００３３】

【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明は、半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半
導体レーザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所
定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レー
ザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基
板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射
したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、
前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検
出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックア
ップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を
前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半
導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差する
ように配置することにより前記反射ミラーで反射したレ
ーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないよう
にして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側
の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反
射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直
に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子
に対して傾けて配置したことにより、フォーカシングエ
ラー信号を得るためのホログラム素子での分割パワーを
特別に変化させなくても、分割素子の距離が異なってい
るため、適正な配置にすることができ、また、レーザ光
の一部と半導体レーザ素子との干渉がなくなり、十分な
ＮＡ値が確保できる。

【００３４】また、反射ミラーのレーザ光の当たってい
ない半導体レーザ素子側の部分を逃がす構成にすること
により、半導体レーザ素子と反射ミラーをさらに近づけ
ることが可能となり、半導体基板をエッチングして作る
反射ミラーの深さが浅くて済み、製作がより容易にな
る。また、半導体レーザ素子からのレーザ光出射位置
を、半導体レーザ素子の直上から見て、中央よりも反射
ミラー面に近い側へオフセットすることにより、半導体
レーザ素子の発光点を反射ミラーにより近づけることが
可能となり、上記と同様の効果が得られる。さらに、半
導体レーザ素子の位置決め用マークを半導体基板上にエ
ッチングにより設けることにより、半導体レーザ素子を
マウントするとき、斜めに位置決めすることが大変容易
になる。また、エッチングで反射ミラー面と同時に製作
するために、位置決め用マークの製作も容易で、精度も
高いものにできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における光ピックアップ装置の
構成を示す概略側断面図

【図２】（ａ）本発明の第１の実施例における半導体レ
ーザ素子と反射ミラー近傍の位置関係を示す部分上面図（ｂ）同側断面図

【図３】（ａ）本発明の第２の実施例における半導体レ
ーザ素子と反射ミラー近傍の位置関係を示す部分上面図（ｂ）同側断面図

【図４】本発明の第３の実施例における半導体基板上の
半導体レーザ素子、反射ミラーおよび光検出器の位置関
係を示す上面図

【図５】（ａ）本発明の第３の実施例における半導体レ
ーザ素子と反射ミラー近傍の他の位置関係を示す上面図（ｂ）同変形例の上面図

【図６】従来の光ピックアップ装置の一構成例を示す断
面図

【図７】従来の光ピックアップ装置の他の構成例を示す
断面図

【図８】従来の光ピックアップ装置における半導体レー
ザ素子と反射ミラー近傍の構成を示す斜視図

【図９】光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ
素子と反射ミラーとの近傍を拡大して示す断面図

【図１０】従来の光ピックアップ装置における半導体レ
ーザ素子と反射ミラーとの位置関係を示す部分断面図

【図１１】従来の光ピックアップ装置における半導体レ
ーザ素子と反射ミラーとの位置関係を示す部分断面図

【符号の説明】

１半導体基板２半導体レーザ素子３反射ミラー５２分割光検出器６２分割光検出器７３分割光検出器８３分割光検出器９出射光１０反射光１１光ディスク１３ホログラム素子１４ホログラム素子１７対物レンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼川昭男大阪府門真市大字門真1006番地松下電子工業株式会社内 (56)参考文献特開平４−216328（ＪＰ，Ａ) 特開平４−139628（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−46243（ＪＰ，Ａ) 実開昭61−168663（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 7/135 G11B 7/125

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に装着され、レーザ光を出
射する半導体レ−ザ素子と、前記半導体基板を加工して
設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半
導体レ−ザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記
半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラ
ーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レ
ンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の
前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光
ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出
射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸
が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に
交差するように配置することにより前記反射ミラーで反
射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たら
ないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル
成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミ
ラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対して
ほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログ
ラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置。
【請求項２】レーザ光が当たらない反射ミラーの部分
であって、半導体レーザ素子が近接する部分を半導体レ
ーザ素子から遠ざけるように削除した請求項１記載の光
ピックアップ装置。
【請求項３】レーザ光の出射位置が出射端面の中央よ
りも反射ミラーの反射面に近づく位置に偏っている半導
体レーザ素子を用いた請求項１記載の光ピックアップ装
置。
【請求項４】段差面の一部が半導体レーザ素子を半導
体基板上に固定するときの位置決め用の段差を構成する
請求項１記載の光ピックアップ装置。