JP2886883B2 - Light disk - Google Patents

Light disk

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JP2886883B2
JP2886883B2 JP1100063A JP10006389A JP2886883B2 JP 2886883 B2 JP2886883 B2 JP 2886883B2 JP 1100063 A JP1100063 A JP 1100063A JP 10006389 A JP10006389 A JP 10006389A JP 2886883 B2 JP2886883 B2 JP 2886883B2
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文良 桐野
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザー光により情報の記録再生或いは消去
を行なう光デイスクに係り、特に高耐食性を有し、かつ
デイスクへの記録感度を制御するのに好適なデイスクに
関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disk for recording / reproducing or erasing information by laser light, and more particularly to an optical disk having high corrosion resistance and controlling the recording sensitivity on the disk. The present invention relates to a suitable disk.

〔従来の技術〕 近年の高度情報化社会の進展により、高密度・大容量
のフアイルメモリーへのニーズが高まつており、これに
応えるものとして光デイスクが注目されている。1回だ
け記録可能な追記型光デイスクは既に実用化されてお
り、さらに何回でも書換え可能な可逆光ディスクとし
て、光磁気記録が最も実用化に近い段階にあり、各所で
研究開発が活発化している。
[Prior Art] With the recent development of a highly information-oriented society, needs for high-density and large-capacity file memories are increasing, and optical disks have been attracting attention in order to meet this demand. Write-once optical disks that can be written only once have already been put into practical use, and magneto-optical recording is at the stage near the stage of practical application as a reversible optical disk that can be rewritten as many times as possible. I have.

光デイスクには、情報記録膜や光の利用効率を向上さ
せるために反射層として金属膜が用いられていたり、保
護膜として用いたりしていた。これら金属材料は、腐食
に対して弱く、情報記録膜については耐食性向上のため
の元素を添加して信頼性向上をはかつていた。しかし、
反射膜に関しては反射率を考慮すると添加できる元素の
種類及び添加濃度に限界があると考えられる。これに関
する公知な例として、特開昭57−169996,特開昭61−848
03をあげることができる。
In optical disks, metal films have been used as reflective layers or as protective films in order to improve the use efficiency of information recording films and light. These metallic materials are vulnerable to corrosion, and the reliability of the information recording film has been improved by adding an element for improving corrosion resistance. But,
It is considered that there is a limit to the type and concentration of elements that can be added to the reflective film in consideration of the reflectance. Known examples of this are disclosed in JP-A-57-169996 and JP-A-61-848.
03 can be given.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記従来技術では、光デイスクの記録媒体として使用
されている金属材料の耐食性改善に関する配慮が十分に
はなされておらず、時間の経過とともに、金属材料膜が
腐食劣化し、記録して情報が消失する等、信頼性の定価
をみたす場合があつた。これら金属材料に生じる腐食の
中で特に問題になるのは、孔食に代表される局部的に腐
食をうけて上記金属膜に穴があくという腐食である。
In the above prior art, sufficient consideration has not been given to the improvement of the corrosion resistance of the metal material used as the recording medium of the optical disk, and the metal material film is corroded and degraded with time, and the information is lost by recording. In some cases, the price of reliability was met. Among the corrosions occurring in these metallic materials, a particular problem is that the metallic film is locally corroded, such as pitting, and a hole is formed in the metal film.

すなわち、光デイスクに設けられた金属層は大気中の
水や酸素に対して活性で腐食を受け易いものが多い。特
に、孔食に代表される局部腐食は、記録した情報が破壊
され、信頼性の低下する、この問題を解決することが実
用化の1つの課題となつていた。記録媒体中の金属材料
は、物理的特性に大きく支配されており、耐食性と物理
的特性の両方を満足しなければならず、それは相矛盾す
る関係にあつた。
That is, the metal layer provided on the optical disk is often active against water or oxygen in the atmosphere and easily corroded. In particular, in the case of local corrosion represented by pitting corrosion, recorded information is destroyed and reliability is reduced. One problem of practical use is to solve this problem. The metal material in the recording medium is largely governed by physical properties, and must satisfy both corrosion resistance and physical properties, which are in conflict.

そこで、本発明の目的は、光デイスクの記録媒体中に
用いられている金属材料の耐食性を光学的性質或いは磁
気的性質を低下させずに向上させ、この材料を用いるこ
とにより高信頼性を有する光デイスクを提供することに
ある。
Therefore, an object of the present invention is to improve the corrosion resistance of a metal material used in an optical disk recording medium without deteriorating the optical or magnetic properties, and to use this material to have high reliability. To provide an optical disk.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は上記両特性を同時に満足する手法として、金
属材料中に窒素を混入させる。具体的には成膜を窒素雰
囲気或いは窒素含有雰囲気にて行なうことにより窒素を
金属層中へ混入させることができる。例えば、スパツタ
リング方により成膜を行うときに放電ガスに窒素ガス或
いは窒素含有雰囲気を用いる。このようにして形成され
た金属膜は湿食だけでなく孔食にも強く、著しく耐食性
を高めることができる。
In the present invention, as a method for simultaneously satisfying both of the above characteristics, nitrogen is mixed into a metal material. Specifically, by forming the film in a nitrogen atmosphere or a nitrogen-containing atmosphere, nitrogen can be mixed into the metal layer. For example, a nitrogen gas or a nitrogen-containing atmosphere is used as a discharge gas when a film is formed by a sputtering method. The metal film thus formed is resistant not only to wet corrosion but also to pitting corrosion, and can significantly improve corrosion resistance.

〔作用〕[Action]

光デイスクの最上層に設ける金属膜を形成するのに当
り、金属層中に窒素を含ませることにより、膜中への酸
素の拡散を抑制でき、かつ孔食等の局部腐食、特に腐食
性イオンに対して不活性化できるので、高耐食性を有し
保護膜としての作用を有する。これにより、光記録媒体
の保護膜として有用である。また、この金属層中に含有
させる窒素濃度を制御することにより、膜の熱伝導率を
変化させることができ、その結果、デイスクへの記録感
度を自由に選択できる。これにより、デイスクドライブ
とデイスクとの整合性を容易にとめることができる。さ
らに、この窒素を含む金属膜は内部応力がフリーな状態
にあり、膜の剥離やクラツク発生が著るしく抑御され、
デイスクの信頼性が向上する。
In forming the metal film provided on the uppermost layer of the optical disk, by including nitrogen in the metal layer, diffusion of oxygen into the film can be suppressed, and local corrosion such as pitting corrosion, particularly corrosive ions , It has high corrosion resistance and acts as a protective film. This is useful as a protective film for an optical recording medium. Further, by controlling the concentration of nitrogen contained in the metal layer, the thermal conductivity of the film can be changed, and as a result, the recording sensitivity to the disk can be freely selected. Thereby, the consistency between the disk drive and the disk can be easily stopped. In addition, the metal film containing nitrogen has a state in which internal stress is free, and peeling of the film and generation of cracks are significantly suppressed,
The reliability of the disk is improved.

本発明の膜を保護膜として用いた例えば基板/第1誘
電体膜/記録膜/第2誘電体膜/金属保護膜のような構
造のデイスクでは、最表面の金属保護膜が高耐食性を有
しているので、その膜の下層となる3層は、全く腐食を
受けない。このことは、ビツトエラーレイト或いは欠陥
レートが増加しないことから確められる。
In a disk having a structure such as a substrate / first dielectric film / recording film / second dielectric film / metal protective film using the film of the present invention as a protective film, the outermost metal protective film has high corrosion resistance. Therefore, the three layers below the film are not eroded at all. This is confirmed by the fact that the bit error rate or defect rate does not increase.

本発明は光記録媒体の信頼性向上に有用であるばかり
でなく、デイスクの記録感度の制御を容易にする。すな
わち、金属中の窒素含有濃度が高くなると熱伝導率が低
下してゆく。この性質を利用するとデイスクの記録感度
を任意に選択でき、デイスクドライブとの整合性がとり
易くなる。特に放電ガスの制御のようなプロセス的な制
御で上記の如く膜の特性制御ができる点は、デイスクの
生産性を低下させずにデイスクドライブとの整合性を高
められるという利点が得られる。
The present invention is useful not only for improving the reliability of the optical recording medium, but also for facilitating the control of the recording sensitivity of the disk. That is, as the concentration of nitrogen contained in the metal increases, the thermal conductivity decreases. By utilizing this property, the recording sensitivity of the disc can be arbitrarily selected, and the consistency with the disc drive can be easily obtained. In particular, the fact that the characteristics of the film can be controlled by the process control such as the control of the discharge gas as described above has an advantage that the consistency with the disk drive can be enhanced without lowering the productivity of the disk.

さらに、本発明の金属膜では膜の内部応力をほぼフリ
ーな状態にまで低下させることができ、基板の機械的特
性の改善、特に上下振れ加速度を小さくすることがで
き、さらに、基板と記録媒体とのはく離やクラツクの発
生を抑制できる。
Further, in the metal film of the present invention, the internal stress of the film can be reduced to a substantially free state, the mechanical characteristics of the substrate can be improved, particularly the vertical vibration acceleration can be reduced, and the substrate and the recording medium can be further reduced. Peeling and cracking can be suppressed.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の詳細を実施例1〜2を用いて説明す
る。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples 1 and 2.

[実施例1] 第1図は本実施例において作製した光デイスクの断面
模式図である。デイスクの作製は、まず表面に案内溝や
ピツト(図示略)を有するデイスク基板1上に、第1誘
電体膜2として窒化シリコン膜をスパツタ法により以下
に示す条件にて形成した。
Example 1 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical disk manufactured in this example. First, a silicon nitride film was formed as a first dielectric film 2 on a disk substrate 1 having a guide groove or a pit (not shown) on the surface thereof by a sputter method under the following conditions.

・ターゲツト:Si3N4 ・放電ガス:Ar−N2混合ガス(Ar/N2=80/20) ・放電ガス圧力:1×10-2(Torr) ・投入RF電圧密度:4.5(W/cm2) 得られた膜2は、厚さが850Å,屈折率:n=2.05であ
つた。この上にTb24Fe61Co10Nb3なる組成の情報記録膜
3を形成した。スパツタの条件は次に示すとおりであ
る。
· Tagetsuto: Si 3 N 4 · discharge gas: Ar-N 2 mixed gas (Ar / N 2 = 80/ 20) · discharge gas pressure: 1 × 10 -2 (Torr) · input RF Voltage Density: 4.5 (W / cm 2 ) The obtained film 2 had a thickness of 850 ° and a refractive index of n = 2.05. To form the Tb 24 Fe 61 Co 10 Nb 3 having the composition information recording layer 3 thereon. The conditions of the spatter are as follows.

・ターゲツト:Tb24Fe61Co10Nb3合金ターゲツト ・放電ガス:Ar(純度99.999%以上) ・放電ガス圧力:5×10-3(Torr) ・投入RF電力密度:4.5W/cm2 得られた膜3の厚さは、300Å,磁気特性は、カー回
転角:θk:0.33゜キユリー温度:TC=200℃,補償温度:T
COmP=80℃,保磁力:HC=10KOeである。ひきつづき、第
2誘電体膜4として窒素シリコン膜をスパツタ法により
形成した。この場合のスパツタの条件は、放電ガスに純
Arを使用し、この圧力を2×10-2Torrとした以外、先の
第1誘電体膜2と同一条件とした。得られた膜の膜厚は
200Å,屈折率:n=2.15であつた。
・ Target: Tb 24 Fe 61 Co 10 Nb 3 alloy target ・ Discharge gas: Ar (purity of 99.999% or more) ・ Discharge gas pressure: 5 × 10 -3 (Torr) ・ Input RF power density: 4.5 W / cm 2 The thickness of the film 3 is 300 °, the magnetic characteristics are Kerr rotation angle: θ k : 0.33 °, Curie temperature: T C = 200 ° C., compensation temperature: T
CoMP = 80 ° C., the coercive force: a H C = 10KO e. Subsequently, a nitrogen silicon film was formed as the second dielectric film 4 by a sputter method. The condition of the spatter in this case is that the discharge gas is pure.
The conditions were the same as for the first dielectric film 2 except that Ar was used and the pressure was 2 × 10 −2 Torr. The thickness of the obtained film is
200 °, refractive index: n = 2.15.

最後に、金属膜5をスパツタ法により成膜した。その
時のスパツタ条件は以下に示すとおりである。
Finally, a metal film 5 was formed by a sputter method. The spatter conditions at that time are as follows.

・ターゲツト:Al85Ti15 ・放電ガス:Ar/N2(=90/10) ・放電ガス圧力:1×10-2(Torr) ・投入RF電力密度:4.5W/cm2 このようにして形成した金属膜は、非晶質で反射率82
%を有していた。また、膜中の窒素濃度は、放電ガス中
のN2濃度を変化させることによつて制御できた。
・ Target: Al 85 Ti 15・ Discharge gas: Ar / N 2 (= 90/10) ・ Discharge gas pressure: 1 × 10 -2 (Torr) ・ Input RF power density: 4.5 W / cm 2 The metal film is amorphous and has a reflectance of 82.
%. Further, the nitrogen concentration in the film could be controlled by changing the N 2 concentration in the discharge gas.

まず、このようにして作製したデイスクの信頼性試験
を次に述べる手法により行なつた。すなわち、デイスク
を80℃−85%RH(相対湿度85%)環境中に放置したとき
の欠陥レートの経時変化を測定した。エラーレイトを用
いなかつたのは、孔食等の腐食に起因するエラーの他
に、ビツトシフトや装置上のエラーも含まれ、両者の区
別が明確にできないからである。
First, a reliability test of the disk manufactured as described above was performed by the following method. That is, the change with time of the defect rate when the disk was left in an environment of 80 ° C. and 85% RH (85% relative humidity) was measured. The reason why the error rate is not used is that not only errors caused by corrosion such as pitting corrosion but also bit shifts and errors on the apparatus are included, and it is not possible to clearly distinguish between the two.

その結果を第2図に示す。比較例のデイスクは、先の
金属膜5の形成に際し、窒素を含まない純Arを放電ガス
を用いて形成したものである。その結果、20%窒素を含
みAr雰囲気中で形成した金属膜を用いた本実施例のデイ
スクでは、この境界中に3000時間放置しても欠陥レート
の変化はみられなかつた。これに対し、比較例のデイス
クでは、放置後1500時間近辺から増加しはじめ、2000時
間経過後では急激な増大をみた。
The result is shown in FIG. In the disk of the comparative example, pure Ar containing no nitrogen was formed using a discharge gas when the metal film 5 was formed. As a result, in the disk of this example using a metal film containing 20% nitrogen and formed in an Ar atmosphere, no change in the defect rate was observed even after being left in this boundary for 3000 hours. On the other hand, the disk of the comparative example started to increase at around 1500 hours after standing, and showed a sharp increase after 2000 hours.

欠陥の原因は、基板の欠陥や製造プロセス上発生した
欠陥を除くと金属膜に発生した孔食が主であつた。窒素
含有雰囲気で形成した膜は、孔食に代表される局部腐食
に対する耐食性が特に大きく、光デイスクの高信頼化に
大きく寄与している。特にこの効果は、金属膜中の窒素
の濃度に大きく依存している。0.5〜数%の窒素含有Ar
雰囲気で形成した膜は、逆に局部腐食に対して弱いとい
つた現象もみられ、窒素濃度は5%以上が特に好まし
い。
The cause of the defect was mainly pitting corrosion generated in the metal film except for the defect of the substrate and the defect generated in the manufacturing process. A film formed in a nitrogen-containing atmosphere has particularly high corrosion resistance against local corrosion typified by pitting corrosion, and greatly contributes to high reliability of an optical disk. In particular, this effect largely depends on the concentration of nitrogen in the metal film. Ar containing 0.5 to several% of nitrogen
On the contrary, the film formed in the atmosphere has a phenomenon that the film is weak against local corrosion, and the nitrogen concentration is particularly preferably 5% or more.

第3図は放電ガス中の窒素濃度を変化(膜中の窒素濃
度の制御を相当)させて得られていくつかのデイスクに
おける再生出力の記録レーザ出力依存性を示す。最小記
録レーザー出力は、N2濃度0%の時、5.2mWであつた。
これに対し、10%,20%,30%と窒素濃度を増大させるに
従い、4.0mW,3.7mW,3.5mWと感度が向上した。このよう
に、本発明によると成膜時のガス組成の制御で記録感度
を任意に選択でき、デイスクドライブとの整合をとる場
合の感度の微調整等に有効である。これは、雰囲気のN2
濃度を制御すると金属膜の熱伝導率が変化するためであ
る。
FIG. 3 shows the recording laser output dependence of the reproduction output on several disks obtained by changing the nitrogen concentration in the discharge gas (corresponding to the control of the nitrogen concentration in the film). The minimum recording laser power, when the N 2 concentration of 0%, Atsuta at 5.2 mW.
On the other hand, as the nitrogen concentration was increased to 10%, 20%, and 30%, the sensitivity was improved to 4.0 mW, 3.7 mW, and 3.5 mW. As described above, according to the present invention, the recording sensitivity can be arbitrarily selected by controlling the gas composition at the time of film formation, which is effective for fine adjustment of the sensitivity when matching with the disk drive. This is the atmosphere N 2
This is because controlling the concentration changes the thermal conductivity of the metal film.

第4図は上記金属膜の内部応力を測定し、N2濃度との
関係を調べた結果を示す。これによると、窒素濃度の増
加と共に内部応力が急激に低下し、窒素濃度10%以上で
ほぼストレスフリーとなつている。内部応力が低下させ
ることにより、ストレスに基づく層間や媒体と基板の間
の剥離やクラツクを抑制できるという効果が得られる。
Figure 4 shows the results of measuring the internal stress of the metal film, was examined the relationship between the N 2 concentration. According to this, the internal stress sharply decreases as the nitrogen concentration increases, and becomes almost stress-free at a nitrogen concentration of 10% or more. By reducing the internal stress, an effect is obtained in that separation or cracks between layers or between the medium and the substrate due to the stress can be suppressed.

このデイスクを60℃−95%RH中に放置したときの剥離
やクラツクの発生について調べた。ここで比較試料は窒
素を含まない雰囲気で作製した金属膜のデイスクを用い
た。基板はいずれのデイスクともポリカーボネート基板
を使用した。その結果、本発明を用いて作製したデイス
クは、上記の環境に2000時間放置しても媒体と基板との
剥離やクラツクの発生はみられなかつた。これに対し、
比較例のデイスクでは1500時間近辺から内周部と外周部
の平坦部分に剥離が生じはじめ、その後時間の経過とと
もに剥離が進行した。このように、膜の内部応力は、は
く離発生の要因の1つであり、本発明の実施によりスト
レスフリーとすることによつてその発生が抑制できる。
The disk was examined for peeling and cracking when left in 60 ° C.-95% RH. Here, as a comparative sample, a disk of a metal film manufactured in an atmosphere containing no nitrogen was used. As a substrate, a polycarbonate substrate was used for each disk. As a result, the disk manufactured by using the present invention showed no peeling of the medium and the substrate and no generation of cracks even after being left in the above environment for 2000 hours. In contrast,
In the disk of the comparative example, peeling began to occur in the flat part of the inner peripheral part and the outer peripheral part from around 1500 hours, and thereafter, the peeling progressed with the passage of time. As described above, the internal stress of the film is one of the causes of peeling, and the occurrence of the peeling can be suppressed by making the film stress-free by implementing the present invention.

さらにこの効果は、Tiを含むAl膜以外に、Ta,Cr,Ni,Z
r,Cuを添加したAl合金を用いても同様の効果が得られ
る。注意しなければならないのは、各金属元素と窒素と
の反応性を考慮して、N2濃度や投入RFパワー等を制御す
ることが重要である。すなわち、金属が窒化物となつて
しまうと、吸収係数が小さくなり反射率が低下したり透
過率が増加したりするため、性能が変動する要因とな
る。また、Ti,Ta等の元素を母元素のAl,Cr,Cuに添加す
るのは単に耐食性を向上させるためだけでなく、金属層
の熱伝導率を制御し、デイスクの記録−消去特性を任意
に選択できるようにするためでもある。
In addition to this effect, in addition to the Al film containing Ti, Ta, Cr, Ni, Z
Similar effects can be obtained by using an Al alloy to which r and Cu are added. It should be noted that it is important to control the N 2 concentration and the input RF power in consideration of the reactivity between each metal element and nitrogen. That is, when the metal becomes nitride, the absorption coefficient decreases, the reflectance decreases, and the transmittance increases, which causes a change in performance. The addition of elements such as Ti and Ta to the base elements Al, Cr and Cu is not only to improve the corrosion resistance, but also to control the thermal conductivity of the metal layer and to make the recording / erasing characteristics of the disc optional. It is also to make it possible to select.

[実施例2] 本実施例は、金属膜5にCu,CrまたはAl単体を用いた
場合である。金属膜5の保護膜としての有効性を確かめ
るために、ガラス円板上にスパツタ法によりCu,Cr或い
はAl膜を形成し、その試料を、1規定の塩化ナトリウム
水溶液中に浸漬したときの浸漬電位の経時変化を測定し
た。この浸漬電位は表面状態の変化、例えば膜の溶解等
に対応しており耐食性評価の指針となる。測定装置の概
略図を第5図に示す。参照電極にAg/AgCl電極を用い、
試料極との間の電位をエレクトロメーターにより測定
し、その結果をレコーダに出力した。その結果を第6図
に示す。この図は、Al膜の場合である。
Embodiment 2 This embodiment is a case where Cu, Cr or Al alone is used for the metal film 5. In order to confirm the effectiveness of the metal film 5 as a protective film, a Cu, Cr or Al film is formed on a glass disk by a spatter method, and the sample is immersed in a 1N aqueous sodium chloride solution. The change with time of the potential was measured. This immersion potential corresponds to a change in the surface state, for example, dissolution of the film, and serves as a guideline for evaluating corrosion resistance. FIG. 5 shows a schematic diagram of the measuring device. Using Ag / AgCl electrode as reference electrode,
The potential between the electrode and the sample was measured by an electrometer, and the result was output to a recorder. The results are shown in FIG. This figure shows the case of an Al film.

ここで、スパツタの条件は、次に示すとおりで、厚さ
は500Åである。
Here, the condition of the spatter is as follows, and the thickness is 500 mm.

・ターゲツト:Al(純度99.999%以上) ・放電ガス:Ar/N2=95/5 ・投入RF電極:4.2W/cm2 ・放電ガス圧力:1×10-2Torr また、比較のための試料は、放電ガスに純Arを用いた
他は上記と同様の条件とした。そして形成した膜の厚さ
は500Åである。
· Tagetsuto: Al (purity 99.999% or higher), the discharge gas: Ar / N 2 = 95/ 5 · applied RF electrode: 4.2 W / cm 2 and discharging gas pressure: 1 × 10 -2 Torr Also, samples for comparison The conditions were the same as above except that pure Ar was used as the discharge gas. The thickness of the formed film is 500 mm.

まず、本発明を用いて作製した膜では浸漬初期にわず
かな電位変動が観測された。しかし浸漬12分間以降での
電位変動は見られなかつた。この浸漬初期の電位変動
は、膜形成時に侵入したゴミ等の異物を核にした孔食の
発生に対応していることが、顕微鏡観察の結果より判明
した。これに対して、N2を含まない雰囲気中で成膜した
Al膜では、その電位の変化が浸漬初期(〜15分位まで)
と、30分以降との2つの領域に分けられる。初期の電位
変動の方は、上記実施例の場合と同様に異物を核とした
孔食の発生を対応していた。しかし、変動の度合は比較
例の方が大きく、耐食性が弱いことがわかる。また、浸
漬30分間以降に生じている腐食は、核を有していない孔
食の発生に対応していた。このように本発明を用いて作
製した金属膜は、高耐食性を有しており、保護膜として
有用である。
First, in the film manufactured using the present invention, a slight potential change was observed at the beginning of immersion. However, no potential fluctuation was observed after 12 minutes of immersion. Microscopic observation revealed that the potential fluctuations at the initial stage of immersion corresponded to the occurrence of pitting caused by foreign matter such as dust that had entered during film formation. In contrast, a film was formed in an atmosphere containing no N 2
In the Al film, the change in the potential is the initial stage of immersion (up to about 15 minutes)
And 30 minutes later. The initial potential fluctuation corresponded to the occurrence of pitting with foreign matter as a nucleus, as in the case of the above embodiment. However, the degree of fluctuation is larger in the comparative example, indicating that the corrosion resistance is weak. Corrosion occurring after 30 minutes of immersion corresponded to the occurrence of pitting corrosion without nuclei. As described above, the metal film manufactured by using the present invention has high corrosion resistance and is useful as a protective film.

次に、膜形成時の放電ガス中のN2濃度と膜の熱伝導率
との関係について調べた。一般に熱伝導率は、膜の比抵
抗に反比例していると近似できるので、ここでは比抵抗
の変化により熱伝導率の相対変化を求めた。第7図は上
記の測定結果を示す。この図より、N2をわずかに放電ガ
ス中に含ませることで、急激に比抵抗が大きくなる。す
なわち、熱伝導率はN2濃度が高くなるにつれて小さくな
ることがわかつた。この傾向は、Al,Cr,Cuいずれの材料
を用いた場合も同じである。このことから、N2濃度を制
御することにより、膜の熱伝導率が制御できるので、デ
イスクの4層目の金属膜5(第1図)として用いると、
デイスクの記録−消去特性を任意に変えられるので、デ
イスクドライブとの整合性をとるのが容易になる。
Next, the relationship between the N 2 concentration in the discharge gas at the time of film formation and the thermal conductivity of the film was examined. In general, the thermal conductivity can be approximated to be inversely proportional to the specific resistance of the film. Therefore, here, the relative change in the thermal conductivity was determined from the change in the specific resistance. FIG. 7 shows the above measurement results. According to this figure, the specific resistance sharply increases by slightly including N 2 in the discharge gas. That is, it was found that the thermal conductivity decreased as the N 2 concentration increased. This tendency is the same when using any material of Al, Cr and Cu. From this, the thermal conductivity of the film can be controlled by controlling the N 2 concentration. Therefore, when the film is used as the fourth metal film 5 (FIG. 1) of the disk,
Since the recording / erasing characteristics of the disk can be arbitrarily changed, it is easy to achieve consistency with the disk drive.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、金属膜中に窒素を含有させることに
より、湿食や酸化に対する耐性向上とともに、孔食に代
表される局部腐食に対して著しく耐食性が改善されるの
で、デイスクの信頼性が著しく向上する。その効果は、
ある一定量以上の窒素濃度が確保されていればよく、放
電ガス濃度で約5%以上である。
According to the present invention, by including nitrogen in the metal film, the resistance to wet corrosion and oxidation is improved, and the corrosion resistance to local corrosion typified by pitting is significantly improved. Significantly improved. The effect is
It is sufficient that a nitrogen concentration of a certain amount or more is secured, and the discharge gas concentration is about 5% or more.

さらに窒素濃度を制御することにより金属膜の熱伝導
率を変化させることができるので、デイスクへの記録−
消去感度を任意に選択でき、デイスクドライブとの整合
性をとるのが容易になる。
Further, by controlling the nitrogen concentration, the thermal conductivity of the metal film can be changed.
The erasing sensitivity can be arbitrarily selected, and it is easy to achieve consistency with the disk drive.

また、窒素を含有させることで、膜の内部応力を低減
できるのでストレスに基づく、膜のクラツクやはく離を
抑制することができる。
Further, by containing nitrogen, the internal stress of the film can be reduced, so that cracks and peeling of the film due to the stress can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例において作製した光デイスクの
断面模式図、第2図は本発明の実施例のデイスクの耐食
性能を示す欠陥レートの経時変化の測定図、第3図は本
発明の実施例の光デイスクの再生出力の記録レーザー出
力依存性を示す特性図、第4図は内部応力の窒素濃度依
存性を示す測定図、第5図は浸漬電位測定装置の概略模
式図、第6図は浸漬電位の経時変化の測定図、第7図は
比抵抗の窒素濃度依存性の測定図である。 1……基板、2……第1誘電体膜、3……情報記録膜、 4……第2誘電体膜、5……金属膜。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical disk manufactured in an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a measurement diagram of the change over time in the defect rate indicating the corrosion resistance of the disk of the embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the recording laser output dependency of the reproduction output of the optical disk according to the embodiment, FIG. 4 is a measurement diagram showing the nitrogen concentration dependency of the internal stress, FIG. 5 is a schematic diagram of an immersion potential measuring device, FIG. 6 is a measurement diagram of the change with time in the immersion potential, and FIG. 7 is a measurement diagram of the nitrogen concentration dependence of the specific resistance. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... board | substrate, 2 ... 1st dielectric film, 3 ... information recording film, 4 ... 2nd dielectric film, 5 ... metal film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−69049(JP,A) 特開 昭62−180538(JP,A) 特開 昭64−53360(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Norio Ota 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Hitachi, Ltd. Central Research Laboratory (56) References JP-A-63-69049 (JP, A) JP-A-62 -180538 (JP, A) JP-A-64-53360 (JP, A)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】レーザ光を用いて記録、再生、あるいは消
去を行う光ディスクにおいて、基板上に第1誘電体膜、
該第1誘電体膜の上に情報記録膜、該情報記録膜の上に
窒化膜からなる第2誘電体膜、該第2誘電体膜の上に金
属反射膜を有し、該金属反射膜が窒素を混入してなるこ
とを特徴とする光ディスク。
1. An optical disc on which recording, reproduction, or erasing is performed using a laser beam, a first dielectric film on a substrate,
An information recording film on the first dielectric film, a second dielectric film made of a nitride film on the information recording film, and a metal reflection film on the second dielectric film; An optical disc characterized by being mixed with nitrogen.
【請求項2】レーザ光を用いて記録、再生、あるいは消
去を行う光ディスクにおいて、基板上に第1誘電体膜、
該第1誘電体膜の上に情報記録膜、該情報記録膜の上に
窒化膜からなる第2誘電体膜、該第2誘電体膜の上に金
属反射膜を有し、該金属反射膜が窒素を混入してなる金
属材料層であり、該金属材料層はAl、Cu、Crの内から選
ばれる少なくとも1種の元素を含有する光ディスク。
2. An optical disk on which recording, reproduction, or erasure is performed using a laser beam, wherein a first dielectric film is formed on a substrate.
An information recording film on the first dielectric film, a second dielectric film made of a nitride film on the information recording film, and a metal reflection film on the second dielectric film; Is a metal material layer formed by mixing nitrogen, wherein the metal material layer contains at least one element selected from Al, Cu, and Cr.
【請求項3】レーザ光を用いて記録、再生、あるいは消
去を行う光ディスクにおいて、基板上に第1誘電体膜、
該第1誘電体膜の上に情報記録膜、該情報記録膜の上に
窒化膜からなる第2誘電体膜、該第2誘電体膜の上に金
属反射膜を有し、該金属反射膜が窒素を混入してなる金
属材料層であり、該金属材料層はAl、Cu、Crの内から選
ばれる少なくとも1種の元素に、その元素以外の元素で
かつAl、Cu、Cr、Nb、Ti、Ta、Ni、Zrの内から選ばれる
少なくとも1種の元素を含有する光ディスク。
3. An optical disk on which recording, reproduction, or erasing is performed using a laser beam, wherein a first dielectric film is formed on a substrate.
An information recording film on the first dielectric film, a second dielectric film made of a nitride film on the information recording film, and a metal reflection film on the second dielectric film; Is a metal material layer obtained by mixing nitrogen, the metal material layer includes at least one element selected from Al, Cu, and Cr, and an element other than the element and Al, Cu, Cr, Nb, An optical disc containing at least one element selected from Ti, Ta, Ni, and Zr.
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JPS6369049A (en) * 1986-09-11 1988-03-29 Seiko Epson Corp Optical recording medium
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