JP2882128B2 - 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気機器，電子機器で発
生する異常高電圧，ノイズ，静電気などから機器の半導
体及び回路を保護するためのコンデンサ特性とバリスタ
特性を有する電圧依存性非直線抵抗体磁器素子に関する
ものである。
生する異常高電圧，ノイズ，静電気などから機器の半導
体及び回路を保護するためのコンデンサ特性とバリスタ
特性を有する電圧依存性非直線抵抗体磁器素子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種の電気機器，電子機器におけ
る異常高電圧の吸収，ノイズの除去，火花消去，静電気
対策のために電圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣ
バリスタや、ＺｎＯ系バリスタなどが使用されている。
このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の
ように表すことができる。
る異常高電圧の吸収，ノイズの除去，火花消去，静電気
対策のために電圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣ
バリスタや、ＺｎＯ系バリスタなどが使用されている。
このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の
ように表すことができる。
【０００３】
【数１】 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）α
【０００４】ここで、Ｉは電流、Ｖは電圧、Ｃはバリス
タ固有の定数、αは電圧−電流非直線指数である。
タ固有の定数、αは電圧−電流非直線指数である。
【０００５】ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ
系バリスタではαが５０にもおよぶものがある。このよ
うなバリスタは比較的高い電圧の吸収には優れた性能を
有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量が小さい
ためバリスタ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほと
んど効果を示さず、また誘電損失Tanδが５〜１０％と
大きい。
系バリスタではαが５０にもおよぶものがある。このよ
うなバリスタは比較的高い電圧の吸収には優れた性能を
有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量が小さい
ためバリスタ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほと
んど効果を示さず、また誘電損失Tanδが５〜１０％と
大きい。
【０００６】一方、これらの低電圧のノイズなどの除去
には見かけの誘電率５×１０4程度で、Tanδが１％前後
の半導体コンデンサが利用されている。しかし、このよ
うな半導体コンデンサはサージなどによりある限度以上
の電圧または電流が印加されると静電容量が減少したり
破壊したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくな
ったりする。
には見かけの誘電率５×１０4程度で、Tanδが１％前後
の半導体コンデンサが利用されている。しかし、このよ
うな半導体コンデンサはサージなどによりある限度以上
の電圧または電流が印加されると静電容量が減少したり
破壊したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくな
ったりする。
【０００７】そこで最近になってＳｒＴｉＯ3を主成分
とし、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有
するものが開発され、コンピュータなどの電子機器にお
けるＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子及び回路の保護や電
子機器を相互に継ぐケーブルやコネクタなどから侵入す
るノイズの除去に利用されている。
とし、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有
するものが開発され、コンピュータなどの電子機器にお
けるＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子及び回路の保護や電
子機器を相互に継ぐケーブルやコネクタなどから侵入す
るノイズの除去に利用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記ＳｒＴｉＯ3を主
成分とするバリスタとコンデンサの両方の機能を有する
素子をコネクタなどから侵入するノイズの除去に使用す
る場合、素子の構成は一般的に図３のようになってい
る。図３において、１，２は電極、３はＳｒＴｉＯ 3を
主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性を有する半導体
セラミックからなる素子である。このような素子をコネ
クタに組み込むと一般的に図４のようになる。ところが
図４のような構成にすると、ピン４と素子３の隙間に半
田５の一部が流れ込み見掛け上の電極間距離が小さくな
り、バリスタ電圧が低くなってバリスタ電圧に極性がつ
き絶縁抵抗が低くなるといった欠点を有していた。図４
において、６は導電性接続部材としての半田、７は共通
端子である。
成分とするバリスタとコンデンサの両方の機能を有する
素子をコネクタなどから侵入するノイズの除去に使用す
る場合、素子の構成は一般的に図３のようになってい
る。図３において、１，２は電極、３はＳｒＴｉＯ 3を
主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性を有する半導体
セラミックからなる素子である。このような素子をコネ
クタに組み込むと一般的に図４のようになる。ところが
図４のような構成にすると、ピン４と素子３の隙間に半
田５の一部が流れ込み見掛け上の電極間距離が小さくな
り、バリスタ電圧が低くなってバリスタ電圧に極性がつ
き絶縁抵抗が低くなるといった欠点を有していた。図４
において、６は導電性接続部材としての半田、７は共通
端子である。
【０００９】そこで本発明では、ピンと素子の間の隙間
に半田の一部が流れ込んでもバリスタ電圧が変化せずバ
リスタ電圧に極性がつかず絶縁抵抗が変化しない構成の
素子を提供することを目的とするものである。
に半田の一部が流れ込んでもバリスタ電圧が変化せずバ
リスタ電圧に極性がつかず絶縁抵抗が変化しない構成の
素子を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明では、ＳｒＴｉＯ3を主成分とした電圧依存
性非直線抵抗特性を有する半導体セラミックを全体が円
筒形でかつ円筒の一方の端部が他の部分より大きい径の
円筒状をなすとともに前記大きい径の円筒の長さが他の
部分よりも短く前記全体の円筒の中央部に円筒状の貫通
孔を有するように形成し、かつ円筒の内周面全体に一方
の電極を設けるとともに、前記円筒の外周径が小さい部
分の外周面全体及び前記大きい径の円筒の前記円筒の外
周径が小さい円筒部分に接するドーナツ状の平面に他方
の電極を設けたものである。
めに本発明では、ＳｒＴｉＯ3を主成分とした電圧依存
性非直線抵抗特性を有する半導体セラミックを全体が円
筒形でかつ円筒の一方の端部が他の部分より大きい径の
円筒状をなすとともに前記大きい径の円筒の長さが他の
部分よりも短く前記全体の円筒の中央部に円筒状の貫通
孔を有するように形成し、かつ円筒の内周面全体に一方
の電極を設けるとともに、前記円筒の外周径が小さい部
分の外周面全体及び前記大きい径の円筒の前記円筒の外
周径が小さい円筒部分に接するドーナツ状の平面に他方
の電極を設けたものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、前記円筒の内周電極が一つの
電極として一体化されるため、ピンと素子の隙間に半田
や導電性接着剤などが流れ込んでも一体化された電極の
上であるため、見掛けの電極間距離は変化しない。従っ
て電気的特性は安定でバリスタ電圧は変化せずバリスタ
電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化しないことになる。
電極として一体化されるため、ピンと素子の隙間に半田
や導電性接着剤などが流れ込んでも一体化された電極の
上であるため、見掛けの電極間距離は変化しない。従っ
て電気的特性は安定でバリスタ電圧は変化せずバリスタ
電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化しないことになる。
【００１２】さらに、前記円筒の外周径が小さい部分全
体に他方の電極を設けることにより、前記外周電極を共
通端子に半田や導電性接着剤などで接続した場合、接続
が容易で接着力が大きくできるとともに余分な半田や導
電性接着剤などのたれを前記全体が円筒形で円筒の一方
の端部が他の部分より大きい径の円筒状部分で止めるこ
とにより、見掛けの電極間距離は変化しないようにする
ことができる。また仮に半田などの導電性接着剤がたれ
込んでも他方の電極から離れる方向にたれ込むことか
ら、見掛けの電極間距離は変化しない。また前記大きい
径の円筒の前記円筒の外周径が小さい円筒部分に接する
ドーナツ状の平面に他方の電極を設けたことにより、共
通端子を導電性接着剤などで接続する場合接触する面積
が大きくなり接続が容易で、二方向から接続することが
できるため共通端子と素子の間の接着力を強くすること
ができ、機械的強度を向上させることができるととも
に、温度サイクル試験による特性の劣化を小さくするこ
とができ、信頼性を向上させることができる。また内周
電極，外周電極、及び共通端子の最上層を半田メッキに
することにより、例えばピンと内周電極の隙間や外周電
極と共通端子の隙間を小さくしておけば、導電性接着部
材がなくても加熱処理するだけで内周電極及び外周電
極，共通端子の最上層の半田メッキが互いに溶融して接
続させることができる。また素子の電気的特性を十分に
引き出すためにはＣｕメッキ，Ｎｉメッキ，Ｃｒメッ
キ，Ｓｎメッキ，Ｐｂメッキ，Ａｕメッキ，Ａｇメッ
キ，Ｐｄメッキ，半田メッキのうちの少なくとも１つを
重ねた構成にすることにより、素子と電極の界面にバリ
ヤーを形成することなく素子の電気的特性を十分に引き
出すことができるとともに、容易に半田付けでき、複数
の種類の多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性を
向上させることができる。
体に他方の電極を設けることにより、前記外周電極を共
通端子に半田や導電性接着剤などで接続した場合、接続
が容易で接着力が大きくできるとともに余分な半田や導
電性接着剤などのたれを前記全体が円筒形で円筒の一方
の端部が他の部分より大きい径の円筒状部分で止めるこ
とにより、見掛けの電極間距離は変化しないようにする
ことができる。また仮に半田などの導電性接着剤がたれ
込んでも他方の電極から離れる方向にたれ込むことか
ら、見掛けの電極間距離は変化しない。また前記大きい
径の円筒の前記円筒の外周径が小さい円筒部分に接する
ドーナツ状の平面に他方の電極を設けたことにより、共
通端子を導電性接着剤などで接続する場合接触する面積
が大きくなり接続が容易で、二方向から接続することが
できるため共通端子と素子の間の接着力を強くすること
ができ、機械的強度を向上させることができるととも
に、温度サイクル試験による特性の劣化を小さくするこ
とができ、信頼性を向上させることができる。また内周
電極，外周電極、及び共通端子の最上層を半田メッキに
することにより、例えばピンと内周電極の隙間や外周電
極と共通端子の隙間を小さくしておけば、導電性接着部
材がなくても加熱処理するだけで内周電極及び外周電
極，共通端子の最上層の半田メッキが互いに溶融して接
続させることができる。また素子の電気的特性を十分に
引き出すためにはＣｕメッキ，Ｎｉメッキ，Ｃｒメッ
キ，Ｓｎメッキ，Ｐｂメッキ，Ａｕメッキ，Ａｇメッ
キ，Ｐｄメッキ，半田メッキのうちの少なくとも１つを
重ねた構成にすることにより、素子と電極の界面にバリ
ヤーを形成することなく素子の電気的特性を十分に引き
出すことができるとともに、容易に半田付けでき、複数
の種類の多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性を
向上させることができる。
【００１３】
【実施例】（実施例１）以下に実施例を挙げて具体的に
説明する。
説明する。
【００１４】まずＳｒＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，
ＭｇＣＯ3，ＴｉＯ2を下記の（表１）及び（表２）に示
すように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで
３４ｈ混合する。次に、乾燥した後、１０５０℃で１０
ｈ焼成し、再びボールミルなどで３４ｈ粉砕した後乾燥
し第１成分とする。
ＭｇＣＯ3，ＴｉＯ2を下記の（表１）及び（表２）に示
すように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで
３４ｈ混合する。次に、乾燥した後、１０５０℃で１０
ｈ焼成し、再びボールミルなどで３４ｈ粉砕した後乾燥
し第１成分とする。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】次に、第１成分，第２成分，第３成分を下
記の（表１），（表２）に示した組成比になるように秤
量し、ボールミルなどで３４ｈ混合した後、乾燥し、ポ
リビニルアルコールなどの有機バインダーを１０wt％添
加して造粒した後、１（ｔ／cm2）のプレス圧力で円筒
の外周径が小さい部分は外径４mmφ内径１．４mmφ高さ
２．５mmt，円筒の外周径が大きい部分は外径６mmφ内
径１．４mmφ高さ０．５mmtの円筒状に成形し、空気中
で１２３０℃で１５ｈ焼成し脱バインダーする。次に、
還元性雰囲気、例えばＮ2：Ｈ2＝９：１のガス中で１４
１５℃で４ｈ焼成する。さらにその後、酸化性雰囲気、
例えば空気中で１１３５℃で４ｈ焼成する。こうして得
られた焼結体の内周面にＺｎなどからなるオーミック性
の導電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法に
より設け、前記円筒の外周径が小さい部分の外周面全体
にＺｎなどからなるオーミック性の導電性ペーストを、
例えばローラー転写などの方法により設け、さらに前記
大きい径の円筒の前記円筒の外周径が小さい円筒部分に
接するドーナツ状の平面にＺｎなどからなるオーミック
性の導電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法
により他方の電極を設ける。その後１２０℃で１０分間
乾燥させ、さらにその上から非オーミック性の導電性ペ
ーストを同様にしてローラー転写などの方法により設
け、１２０℃で１０分間乾燥させ、６３０℃，３分で焼
成し、内周電極，外周電極を形成する。図１はこのよう
にして得られた素子を示し、１１は円筒の内周面全面に
設けられた内周電極、１２は円筒の外周径が小さい部分
の外周面全体及び大きい径の円筒上で前記円筒の外周径
が小さい円筒部分に接するドーナツ状の平面に設けられ
た外周電極、１３はＳｒＴｉＯ3を主成分とした電圧依
存性非直線抵抗特性を有する半導体セラミックからなる
素子であり、円筒の中央部に円筒状の貫通孔が形成され
ている。次に、図２に示したように半田や導電性接着剤
などの導電性接続部材１４，１５によりピン１６及び共
通端子１７を取り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充
填し、加熱硬化する。なお、１８はケースである。
記の（表１），（表２）に示した組成比になるように秤
量し、ボールミルなどで３４ｈ混合した後、乾燥し、ポ
リビニルアルコールなどの有機バインダーを１０wt％添
加して造粒した後、１（ｔ／cm2）のプレス圧力で円筒
の外周径が小さい部分は外径４mmφ内径１．４mmφ高さ
２．５mmt，円筒の外周径が大きい部分は外径６mmφ内
径１．４mmφ高さ０．５mmtの円筒状に成形し、空気中
で１２３０℃で１５ｈ焼成し脱バインダーする。次に、
還元性雰囲気、例えばＮ2：Ｈ2＝９：１のガス中で１４
１５℃で４ｈ焼成する。さらにその後、酸化性雰囲気、
例えば空気中で１１３５℃で４ｈ焼成する。こうして得
られた焼結体の内周面にＺｎなどからなるオーミック性
の導電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法に
より設け、前記円筒の外周径が小さい部分の外周面全体
にＺｎなどからなるオーミック性の導電性ペーストを、
例えばローラー転写などの方法により設け、さらに前記
大きい径の円筒の前記円筒の外周径が小さい円筒部分に
接するドーナツ状の平面にＺｎなどからなるオーミック
性の導電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法
により他方の電極を設ける。その後１２０℃で１０分間
乾燥させ、さらにその上から非オーミック性の導電性ペ
ーストを同様にしてローラー転写などの方法により設
け、１２０℃で１０分間乾燥させ、６３０℃，３分で焼
成し、内周電極，外周電極を形成する。図１はこのよう
にして得られた素子を示し、１１は円筒の内周面全面に
設けられた内周電極、１２は円筒の外周径が小さい部分
の外周面全体及び大きい径の円筒上で前記円筒の外周径
が小さい円筒部分に接するドーナツ状の平面に設けられ
た外周電極、１３はＳｒＴｉＯ3を主成分とした電圧依
存性非直線抵抗特性を有する半導体セラミックからなる
素子であり、円筒の中央部に円筒状の貫通孔が形成され
ている。次に、図２に示したように半田や導電性接着剤
などの導電性接続部材１４，１５によりピン１６及び共
通端子１７を取り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充
填し、加熱硬化する。なお、１８はケースである。
【００１８】（実施例２）実施例１と同様にして焼成体
を得た後、内周面にＺｎなどからなるオーミック性の導
電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法により
設け、前記円筒の外周径が小さい部分の外周面全体にＺ
ｎなどからなるオーミック性の導電性ペーストを、例え
ばローラー転写などの方法により設け、さらに前記大き
い径の円筒の前記円筒の外周径が小さい円筒部分に接す
るドーナツ状の平面にＺｎなどからなるオーミック性の
導電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法によ
り他方の電極を設けた後、１２０℃で１０分間乾燥さ
せ、６３０℃，３分で焼成する。
を得た後、内周面にＺｎなどからなるオーミック性の導
電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法により
設け、前記円筒の外周径が小さい部分の外周面全体にＺ
ｎなどからなるオーミック性の導電性ペーストを、例え
ばローラー転写などの方法により設け、さらに前記大き
い径の円筒の前記円筒の外周径が小さい円筒部分に接す
るドーナツ状の平面にＺｎなどからなるオーミック性の
導電性ペーストを、例えばローラー転写などの方法によ
り他方の電極を設けた後、１２０℃で１０分間乾燥さ
せ、６３０℃，３分で焼成する。
【００１９】次に、弱酸などにより導電部分を活性化
し、無電解により活性化した部分にのみＣｕメッキ−Ｎ
ｉメッキを施し、さらにその上に電解半田メッキして三
層構造にし、内周電極１１，外周電極１２を形成する。
次に、実施例１と同様に半田などの導電性接続部材１
４，１５などによりピン１６及び共通端子１７を取り付
け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、加熱硬化す
る。このようにして得られた素子の特性を素子単品とコ
ネクタ組み立て後について（表３），（表４）に示す。
し、無電解により活性化した部分にのみＣｕメッキ−Ｎ
ｉメッキを施し、さらにその上に電解半田メッキして三
層構造にし、内周電極１１，外周電極１２を形成する。
次に、実施例１と同様に半田などの導電性接続部材１
４，１５などによりピン１６及び共通端子１７を取り付
け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、加熱硬化す
る。このようにして得られた素子の特性を素子単品とコ
ネクタ組み立て後について（表３），（表４）に示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】
【表４】
【００２２】なお、Ｖ１mAは１mAの電流を流した時に素
子の両端にかかる電圧であり、Ｖ１mAの極性は正方向の
Ｖ１mAと負方向のＶ１mAの差を正方向のＶ１mAで割った
値であり、絶縁抵抗は印加電圧１２ＶＤＣの時のピン１
６と共通端子１７の間の絶縁抵抗値である。
子の両端にかかる電圧であり、Ｖ１mAの極性は正方向の
Ｖ１mAと負方向のＶ１mAの差を正方向のＶ１mAで割った
値であり、絶縁抵抗は印加電圧１２ＶＤＣの時のピン１
６と共通端子１７の間の絶縁抵抗値である。
【００２３】なお、上記実施例においては、第１成分の
Ｓｒの一部をＣａ，Ｂａ，Ｍｇで置換する割合は、実施
例では一部しか示さなかったが、素子の特性としてバリ
スタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であれば
どのようなものであってもかまわない。また第２成分，
第３成分は実施例では一部の組み合わせについてのみ示
したが、素子の特性としてバリスタ特性とコンデンサ特
性を同時に持つ範囲内であればどのような成分であって
もかまわない。また、オーミック性の電極としてはＺｎ
以外にＡｇ，Ｃｕ，Ｎｉなどがあるが、これら以外でも
素子と電極との界面でオーミック接続がとれるものであ
ればどのようなものであってもかまわない。また、メッ
キする成分及びその組合せについては一部についてのみ
示したがこれら以外の成分及び組合せで同様の効果が得
られるものであれば、これらに限定されない。またメッ
キ方法は電解でも無電解でもかまわないし、酸性メッキ
でも塩基性メッキでも中性メッキでもかまわない。ま
た、電圧依存性非直線抵抗体磁器素子に、例えばフェラ
イト，コイル，トロイダルコイルなどからなるインダク
タンスを接続する構成にし、ノイズ除去効果を改善する
ことができる。
Ｓｒの一部をＣａ，Ｂａ，Ｍｇで置換する割合は、実施
例では一部しか示さなかったが、素子の特性としてバリ
スタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であれば
どのようなものであってもかまわない。また第２成分，
第３成分は実施例では一部の組み合わせについてのみ示
したが、素子の特性としてバリスタ特性とコンデンサ特
性を同時に持つ範囲内であればどのような成分であって
もかまわない。また、オーミック性の電極としてはＺｎ
以外にＡｇ，Ｃｕ，Ｎｉなどがあるが、これら以外でも
素子と電極との界面でオーミック接続がとれるものであ
ればどのようなものであってもかまわない。また、メッ
キする成分及びその組合せについては一部についてのみ
示したがこれら以外の成分及び組合せで同様の効果が得
られるものであれば、これらに限定されない。またメッ
キ方法は電解でも無電解でもかまわないし、酸性メッキ
でも塩基性メッキでも中性メッキでもかまわない。ま
た、電圧依存性非直線抵抗体磁器素子に、例えばフェラ
イト，コイル，トロイダルコイルなどからなるインダク
タンスを接続する構成にし、ノイズ除去効果を改善する
ことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上に示したように本発明によれば、円
筒の内周電極が一つの電極として一体化されるため、ピ
ンと素子の隙間に半田などの導電性接続部材が流れ込ん
でも一体化された電極の上であるため、見掛けの電極間
距離は変化しない。
筒の内周電極が一つの電極として一体化されるため、ピ
ンと素子の隙間に半田などの導電性接続部材が流れ込ん
でも一体化された電極の上であるため、見掛けの電極間
距離は変化しない。
【００２５】従って電気的特性は安定でバリスタ電圧が
変化せず、バリスタ電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化
しない。また、円筒の外周径が小さい部分全体に他方の
電極を設けると共に、大きい径の円筒の外周径が小さい
円筒部分に接するドーナツ状の平面に他方の電極を設け
たことにより、共通端子を導電性接続部材などで接続す
る場合、接触する面積が大きくなり接続が容易で、共通
端子の上下二方向から接続することができるため、共通
端子と素子の間の接着力を強くすることができ、機械的
強度を向上させることができるとともに、特に温度サイ
クル試験による特性の劣化を小さくすることができ、信
頼性を向上させることができる。
変化せず、バリスタ電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化
しない。また、円筒の外周径が小さい部分全体に他方の
電極を設けると共に、大きい径の円筒の外周径が小さい
円筒部分に接するドーナツ状の平面に他方の電極を設け
たことにより、共通端子を導電性接続部材などで接続す
る場合、接触する面積が大きくなり接続が容易で、共通
端子の上下二方向から接続することができるため、共通
端子と素子の間の接着力を強くすることができ、機械的
強度を向上させることができるとともに、特に温度サイ
クル試験による特性の劣化を小さくすることができ、信
頼性を向上させることができる。
【００２６】さらに、円筒の外周径が小さい部分全体に
他方の電極を設けることにより、外周電極を共通端子に
半田などの導電性接続部材で接続した場合、接続が容易
で接着力が大きくできるとともに、余分な半田や導電性
接着剤などのたれを前記全体が円筒形で円筒の一方の端
子が他の部分より大きい径の円筒状部分で止めることに
より、見掛けの電極間距離は変化しないようにすること
ができる。また仮に半田や導電性接着剤などがたれ込ん
でも他方の電極から離れる方向にたれ込むことから、見
掛けの電極間距離は変化しない。
他方の電極を設けることにより、外周電極を共通端子に
半田などの導電性接続部材で接続した場合、接続が容易
で接着力が大きくできるとともに、余分な半田や導電性
接着剤などのたれを前記全体が円筒形で円筒の一方の端
子が他の部分より大きい径の円筒状部分で止めることに
より、見掛けの電極間距離は変化しないようにすること
ができる。また仮に半田や導電性接着剤などがたれ込ん
でも他方の電極から離れる方向にたれ込むことから、見
掛けの電極間距離は変化しない。
【００２７】しかも全体が円筒形で円筒の一方の端部が
他の部分より大きい径の円筒状部分を設けることによ
り、表面絶縁距離を広くとることができるため電気的特
性は安定でバリスタ電圧は変化せずバリスタ電圧に極性
はつかず絶縁抵抗は変化せず、素子をコネクタに組み立
てても組立て前後の特性の変化は極めて小さく安定にな
るという効果が得られ、課電寿命特性を改善することが
でき、信頼性を向上させることができる。
他の部分より大きい径の円筒状部分を設けることによ
り、表面絶縁距離を広くとることができるため電気的特
性は安定でバリスタ電圧は変化せずバリスタ電圧に極性
はつかず絶縁抵抗は変化せず、素子をコネクタに組み立
てても組立て前後の特性の変化は極めて小さく安定にな
るという効果が得られ、課電寿命特性を改善することが
でき、信頼性を向上させることができる。
【００２８】また、内周電極及び外周電極，共通端子の
最上層を半田メッキにすることにより、例えばピンと内
周電極の隙間や外周電極と共通端子の隙間を小さくして
おけば、導電性接着剤がなくても加熱処理するだけで、
内周電極及び外周電極，共通端子の最上層の半田メッキ
が互いに溶融して接続させることができる。
最上層を半田メッキにすることにより、例えばピンと内
周電極の隙間や外周電極と共通端子の隙間を小さくして
おけば、導電性接着剤がなくても加熱処理するだけで、
内周電極及び外周電極，共通端子の最上層の半田メッキ
が互いに溶融して接続させることができる。
【００２９】さらに、素子の電気的特性を十分に引き出
すためにはＣｕメッキ，Ｎｉメッキ，Ｃｒメッキ，Ｓｎ
メッキ，Ｐｂメッキ，Ａｕメッキ，Ａｇメッキ，Ｐｄメ
ッキ，半田メッキのうちの少なくとも１つを重ねた構成
にすることにより、素子と電極の界面にバリヤーを形成
することなく素子の電気的特性を十分に引き出すことが
できるとともに、容易に半田付けでき、さらに複数の種
類の多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性を向上
させることができる。また、素子の形状を円筒状にする
ことにより素子の長さは長くなるが、素子の半径方向に
は寸法を小さくできるため、コネクタのピン間隔を小さ
くすることが可能で、コネクタを小型化するのに有効で
ある。
すためにはＣｕメッキ，Ｎｉメッキ，Ｃｒメッキ，Ｓｎ
メッキ，Ｐｂメッキ，Ａｕメッキ，Ａｇメッキ，Ｐｄメ
ッキ，半田メッキのうちの少なくとも１つを重ねた構成
にすることにより、素子と電極の界面にバリヤーを形成
することなく素子の電気的特性を十分に引き出すことが
できるとともに、容易に半田付けでき、さらに複数の種
類の多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性を向上
させることができる。また、素子の形状を円筒状にする
ことにより素子の長さは長くなるが、素子の半径方向に
は寸法を小さくできるため、コネクタのピン間隔を小さ
くすることが可能で、コネクタを小型化するのに有効で
ある。
【図１】本発明の一実施例による電圧依存性非直線抵抗
体磁器素子を示す断面図
体磁器素子を示す断面図
【図２】同素子をコネクタに組み立てた時の断面図
【図３】従来の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子を示す
断面図
断面図
【図４】同素子をコネクタに組み立てた時の断面図
１１ 内周電極 １２ 外周電極 １３ 素子
Claims (6)
- 【請求項１】ＳｒＴｉＯ3を主成分とした電圧依存性非
直線抵抗特性を有する半導体セラミックを全体が円筒形
でかつ円筒の一方の端部が他の部分より大きい径の円筒
状をなすとともに前記大きい径の円筒の長さが他の部分
よりも短く前記全体の円筒の中央部に円筒状の貫通孔を
有するように形成し、かつ前記円筒の内周面全体に一方
の電極を設けるとともに、前記円筒の外周径が小さい部
分の外周面全体及び前記大きい径の円筒の前記円筒の外
周径が小さい円筒部分に接するドーナツ状の平面に他方
の電極を設けたことを特徴とする電圧依存性非直線抵抗
体磁器素子。 - 【請求項２】電極は、下地がオーミック性電極で、上地
が非オーミック性電極であることを特徴とする請求項１
記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。 - 【請求項３】電極は、下地がオーミック性電極で、上地
がＣｕメッキ，Ｎｉメッキ，Ｃｒメッキ，Ｓｎメッキ，
Ｐｂメッキ，Ａｕメッキ，Ａｇメッキ，Ｐｄメッキ，半
田メッキのうちの少なくとも１つを重ねたものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子。 - 【請求項４】電極は、Ｃｕメッキ，Ｎｉメッキ，Ｃｒメ
ッキ，Ｓｎメッキ，Ｐｂメッキ，Ａｕメッキ，Ａｇメッ
キ，Ｐｄメッキ，半田メッキのうちの少なくとも１つを
重ねたものであることを特徴とする請求項１記載の電圧
依存性非直線抵抗体磁器素子。 - 【請求項５】電極は最上層が半田メッキであることを特
徴とする請求項１記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素
子。 - 【請求項６】主成分のＳｒの一部をＣａ，Ｂａ，Ｍｇの
うち少なくとも一つ以上の元素で置換したことを特徴と
する請求項１記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269204A JP2882128B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269204A JP2882128B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109507A JPH05109507A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2882128B2 true JP2882128B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=17469126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3269204A Expired - Fee Related JP2882128B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882128B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201703064A (zh) * | 2015-04-24 | 2017-01-16 | Littelfuse Japan G K | 保護元件 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP3269204A patent/JP2882128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05109507A (ja) | 1993-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |