JP2877066B2 - 光クロック抽出方法及び抽出装置 - Google Patents
光クロック抽出方法及び抽出装置Info
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- JP2877066B2 JP2877066B2 JP8042473A JP4247396A JP2877066B2 JP 2877066 B2 JP2877066 B2 JP 2877066B2 JP 8042473 A JP8042473 A JP 8042473A JP 4247396 A JP4247396 A JP 4247396A JP 2877066 B2 JP2877066 B2 JP 2877066B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超高速光通信に用い
られ、入力される光パルスデータからそのクロック周波
数の光クロックパルス列を出力することが可能な光クロ
ック抽出方法及び抽出装置に関する。
られ、入力される光パルスデータからそのクロック周波
数の光クロックパルス列を出力することが可能な光クロ
ック抽出方法及び抽出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年開発が進められている超高速光通信
においては、光信号を電気信号に変換して信号処理を行
う場合の電気信号の処理速度の制限を免れるため、光パ
ルスデータ列から光クロックパルス列を直接生成する技
術が要求されている。従来、この種の光クロック抽出装
置として、特開平６−１３９８１号公報に記載されてい
る技術がある。この技術は、可飽和吸収領域と利得領域
とで構成される受動モード同期半導体レーザを用いたも
のであり、光パルスデータ列をそのクロック周波数ｆと
ほぼ同じ基本モード同期周波数（共振器内の光の周回周
波数）を有する受動モード同期半導体レーザに入射させ
ると、モード同期動作条件あるいはそれに近い条件の基
では、この受動モード同期半導体レーザのモード同期周
波数が入射されたレーザ光のクロック周波数ｆになるよ
うに引き込まれ、周波数ｆの光クロックパルス列が光出
力として得られるものである。
においては、光信号を電気信号に変換して信号処理を行
う場合の電気信号の処理速度の制限を免れるため、光パ
ルスデータ列から光クロックパルス列を直接生成する技
術が要求されている。従来、この種の光クロック抽出装
置として、特開平６−１３９８１号公報に記載されてい
る技術がある。この技術は、可飽和吸収領域と利得領域
とで構成される受動モード同期半導体レーザを用いたも
のであり、光パルスデータ列をそのクロック周波数ｆと
ほぼ同じ基本モード同期周波数（共振器内の光の周回周
波数）を有する受動モード同期半導体レーザに入射させ
ると、モード同期動作条件あるいはそれに近い条件の基
では、この受動モード同期半導体レーザのモード同期周
波数が入射されたレーザ光のクロック周波数ｆになるよ
うに引き込まれ、周波数ｆの光クロックパルス列が光出
力として得られるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光通信での
応用では、１つの光クロック抽出装置で、クロック周波
数ｆおよびその整数倍のクロック周波数の光パルスデー
タ列から、それらのクロック周波数、すなわち周波数ｆ
およびその整数倍周波数ｍｆのクロック周波数の光クロ
ックパルス列を得ることが望まれる。しかしながら、前
記した公報に記載の技術では、受動モード同期半導体レ
ーザにおける基本モード同期周波数ｆの整数倍のクロッ
ク周波数を有する光パルスデータ列からの光クロックパ
ルス列を得ることはできない。それは、受動モード同期
半導体レーザの自己変調機能が基本モード同期周波数ｆ
に限定されており、クロック周波数ｆの整数倍の光パル
ス列が共振器内での安定な再生増幅のサポートを享受す
ることができないためである。つまり、自己変調周波数
に同期した周波数成分のみが増強されるためである。こ
のため、従来できは、個々のクロック周波数に対応する
複数の光クロック抽出装置が必要であり、光通信の設備
の増大化、高コスト化をまねくという問題がある。
応用では、１つの光クロック抽出装置で、クロック周波
数ｆおよびその整数倍のクロック周波数の光パルスデー
タ列から、それらのクロック周波数、すなわち周波数ｆ
およびその整数倍周波数ｍｆのクロック周波数の光クロ
ックパルス列を得ることが望まれる。しかしながら、前
記した公報に記載の技術では、受動モード同期半導体レ
ーザにおける基本モード同期周波数ｆの整数倍のクロッ
ク周波数を有する光パルスデータ列からの光クロックパ
ルス列を得ることはできない。それは、受動モード同期
半導体レーザの自己変調機能が基本モード同期周波数ｆ
に限定されており、クロック周波数ｆの整数倍の光パル
ス列が共振器内での安定な再生増幅のサポートを享受す
ることができないためである。つまり、自己変調周波数
に同期した周波数成分のみが増強されるためである。こ
のため、従来できは、個々のクロック周波数に対応する
複数の光クロック抽出装置が必要であり、光通信の設備
の増大化、高コスト化をまねくという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、１つの光クロック抽出装
置で、基本クロック周波数とその整数倍のクロック周波
数の光クロックパルス列を出力することが可能な光クロ
ック抽出方法とその抽出装置を提供することにある。
置で、基本クロック周波数とその整数倍のクロック周波
数の光クロックパルス列を出力することが可能な光クロ
ック抽出方法とその抽出装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光クロック抽出
方法は、可飽和吸収領域が共振器長の整数分の１の位置
にあるモード同期半導体レーザに、共振器周回周波数の
整数倍とほぼ等しいクロック周波数をもつ光パルスデー
タ列を入力し、前記可飽和吸収領域に逆バイアスを印加
することによって、光パルスデータ列のクロック周波数
を繰り返し周波数とする光クロックパルス列を出力する
ことを特徴とする。
方法は、可飽和吸収領域が共振器長の整数分の１の位置
にあるモード同期半導体レーザに、共振器周回周波数の
整数倍とほぼ等しいクロック周波数をもつ光パルスデー
タ列を入力し、前記可飽和吸収領域に逆バイアスを印加
することによって、光パルスデータ列のクロック周波数
を繰り返し周波数とする光クロックパルス列を出力する
ことを特徴とする。
【０００６】また、本発明の光クロック抽出装置は、入
力光を導く入力手段と、この入力光が入力されるモード
同期半導体レーザと、このモード同期半導体レーザから
の出力光を外部の光回路に導く出力手段とを備えてお
り、モード同期半導体レーザは、その共振器長の１／ｍ
（ｍは整数）の位置に可飽和吸収領域が配置され、その
共振器周回周波数のｍ倍のクロック周波数をもつ光パル
スデータ列が入射されたときに、前記可飽和吸収領域に
逆バイアスを印加することを特徴とする。
力光を導く入力手段と、この入力光が入力されるモード
同期半導体レーザと、このモード同期半導体レーザから
の出力光を外部の光回路に導く出力手段とを備えてお
り、モード同期半導体レーザは、その共振器長の１／ｍ
（ｍは整数）の位置に可飽和吸収領域が配置され、その
共振器周回周波数のｍ倍のクロック周波数をもつ光パル
スデータ列が入射されたときに、前記可飽和吸収領域に
逆バイアスを印加することを特徴とする。
【０００７】また、この光クロック抽出装置では、次の
構成を備えることが好ましい。すなわち、モード同期半
導体レーザには、異なるｍ値に対応した複数個の可飽和
吸収領域と利得領域とが配置され、共振器周回周波数に
対してそれぞれｍ値が異なるｍ倍のクロック周波数の光
パルスデータ列が入射されたときに、これと同じｍ値を
もつ位置に配置された可飽和吸収領域を逆バイアスと
し、他の可飽和吸収領域と利得領域を順バイアスとする
構成が備えられる。この場合、モード同期半導体レーザ
の入射端面から共振器長Ｌに対してＬ／ｍ１の位置に第
１の可飽和吸収領域が配置され、この第１の可飽和吸収
領域からＬ／ｍ２（ｍ１，ｍ２は異なる整数）の位置に
第２の可飽和吸収領域が配置される構成とする。さら
に、モード同期半導体レーザの入射端面位置に可飽和吸
収領域が配置されてもよい。
構成を備えることが好ましい。すなわち、モード同期半
導体レーザには、異なるｍ値に対応した複数個の可飽和
吸収領域と利得領域とが配置され、共振器周回周波数に
対してそれぞれｍ値が異なるｍ倍のクロック周波数の光
パルスデータ列が入射されたときに、これと同じｍ値を
もつ位置に配置された可飽和吸収領域を逆バイアスと
し、他の可飽和吸収領域と利得領域を順バイアスとする
構成が備えられる。この場合、モード同期半導体レーザ
の入射端面から共振器長Ｌに対してＬ／ｍ１の位置に第
１の可飽和吸収領域が配置され、この第１の可飽和吸収
領域からＬ／ｍ２（ｍ１，ｍ２は異なる整数）の位置に
第２の可飽和吸収領域が配置される構成とする。さら
に、モード同期半導体レーザの入射端面位置に可飽和吸
収領域が配置されてもよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の光クロック抽出装置
の概念構成図である。光クロック抽出装置は、モード同
期半導体レーザ１を主体に構成され、このモード同期半
導体レーザ１の入力側に光パルスデータを入射させるた
めの入力回路１Ｘが設けられ、出力側に光クロックパル
ス列を出力する出力回路１Ｙが設けられる。前記モード
同期半導体レーザ１は、基板１７、Ｎ型クラッド層１
６、活性層１５、Ｐ型クラッド層１４、キャップ層１３
ａ〜１３ｅを層状に形成した構造であり、前記キャップ
層１３ａ〜１３ｅにそれぞれＰ側電極１８ａ〜１８ｅが
設けられ、基板１７にＮ側電極１９が設けられている。
ここで、これらＰ側電極１８ａ〜１８ｅにはそれぞれ個
別に逆バイアス、あいは順バイアスが印加可能に回路構
成が行われている。
参照して説明する。図１は本発明の光クロック抽出装置
の概念構成図である。光クロック抽出装置は、モード同
期半導体レーザ１を主体に構成され、このモード同期半
導体レーザ１の入力側に光パルスデータを入射させるた
めの入力回路１Ｘが設けられ、出力側に光クロックパル
ス列を出力する出力回路１Ｙが設けられる。前記モード
同期半導体レーザ１は、基板１７、Ｎ型クラッド層１
６、活性層１５、Ｐ型クラッド層１４、キャップ層１３
ａ〜１３ｅを層状に形成した構造であり、前記キャップ
層１３ａ〜１３ｅにそれぞれＰ側電極１８ａ〜１８ｅが
設けられ、基板１７にＮ側電極１９が設けられている。
ここで、これらＰ側電極１８ａ〜１８ｅにはそれぞれ個
別に逆バイアス、あいは順バイアスが印加可能に回路構
成が行われている。
【０００９】また、前記モード同期半導体レーザ１の共
振器長Ｌは、ほぼｃ／２ｎｆ（ただし、ｃは真空中の光
速、ｎは群速度分散を含んだ屈折率）である。また、前
記キャップ層１３ａ〜１３ｅを分割形成することで、キ
ャップ層１３ｂ，１３ｄの領域が可飽和吸収領域１１
ａ，１１ｂとして構成され、キャップ層１３ａ，１３
ｃ，１３ｅの領域が利得領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃと
して構成されている。そして、これら可飽和吸収領域１
１ａ，１１ｂは、共振器長Ｌに対して、Ｌ／ｍ（ただ
し、ｍは２以上の整数）の位置、ここでは、入射端面２
０ａからＬ／２の位置と、さらにこの位置からＬ／４の
位置にそれぞれ可飽和吸収領域１１ａ，１１ｂを配置し
ている。
振器長Ｌは、ほぼｃ／２ｎｆ（ただし、ｃは真空中の光
速、ｎは群速度分散を含んだ屈折率）である。また、前
記キャップ層１３ａ〜１３ｅを分割形成することで、キ
ャップ層１３ｂ，１３ｄの領域が可飽和吸収領域１１
ａ，１１ｂとして構成され、キャップ層１３ａ，１３
ｃ，１３ｅの領域が利得領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃと
して構成されている。そして、これら可飽和吸収領域１
１ａ，１１ｂは、共振器長Ｌに対して、Ｌ／ｍ（ただ
し、ｍは２以上の整数）の位置、ここでは、入射端面２
０ａからＬ／２の位置と、さらにこの位置からＬ／４の
位置にそれぞれ可飽和吸収領域１１ａ，１１ｂを配置し
ている。
【００１０】一方、前記入力回路１Ｘは、レンズ３ａ、
光アイソレータ４ａ、レンズ３ｂで構成され、光ファイ
バ２ａから射出された光パルスデータ列Ｓ１を前記モー
ド同期半導体レーザ１の入射端面２０ａに入射させる。
また、前記出力回路１Ｙは、レンズ３ｃ、光アイソレー
タ4b、レンズ３ｄが構成され、前記モード同期半導体レ
ーザ１の出射端面２０ｂから出力される光クロックパル
ス列Ｓ２を光ファイバ２ｂに対して入射させる。
光アイソレータ４ａ、レンズ３ｂで構成され、光ファイ
バ２ａから射出された光パルスデータ列Ｓ１を前記モー
ド同期半導体レーザ１の入射端面２０ａに入射させる。
また、前記出力回路１Ｙは、レンズ３ｃ、光アイソレー
タ4b、レンズ３ｄが構成され、前記モード同期半導体レ
ーザ１の出射端面２０ｂから出力される光クロックパル
ス列Ｓ２を光ファイバ２ｂに対して入射させる。
【００１１】このように構成された光クロック抽出装置
の動作を図２を参照して説明する。例えば、ここでモー
ド同期半導体レーザ１のＰ側電極１８ａ〜１８ｅに対
し、可飽和吸収領域１１ａに対してのみ逆バイアスを印
加し、利得領域１２ａ〜１２ｃと可飽和吸収領域１１ｂ
に順バイアスを印加する。これにより、モード同期半導
体レーザ１は、光パルスデータ列Ｓ１が入力されないと
きには、自己変調周波数が２ｆの受動モード同期動作を
する。したがって、図２（ｂ）のように、入力回路１Ｘ
からクロック周波数２ｆの光パルスデータ列Ｓ１がモー
ド同期半導体レーザ１に入射されると、クロック周波数
２ｆの光パルス列は共振器内での安定な再生増幅にサポ
ートされ、クロック周波数２ｆが繰り返し周波数となる
光クロックパルス列が出射端面２０ｂから出射される。
したがって、出力回路１Ｙから周波数２ｆの光クロック
パルス列が出力されることになる。
の動作を図２を参照して説明する。例えば、ここでモー
ド同期半導体レーザ１のＰ側電極１８ａ〜１８ｅに対
し、可飽和吸収領域１１ａに対してのみ逆バイアスを印
加し、利得領域１２ａ〜１２ｃと可飽和吸収領域１１ｂ
に順バイアスを印加する。これにより、モード同期半導
体レーザ１は、光パルスデータ列Ｓ１が入力されないと
きには、自己変調周波数が２ｆの受動モード同期動作を
する。したがって、図２（ｂ）のように、入力回路１Ｘ
からクロック周波数２ｆの光パルスデータ列Ｓ１がモー
ド同期半導体レーザ１に入射されると、クロック周波数
２ｆの光パルス列は共振器内での安定な再生増幅にサポ
ートされ、クロック周波数２ｆが繰り返し周波数となる
光クロックパルス列が出射端面２０ｂから出射される。
したがって、出力回路１Ｙから周波数２ｆの光クロック
パルス列が出力されることになる。
【００１２】同様にして、可飽和吸収領域１１ｂに対し
てのみ逆バイアスを印加し、利得領域１２ａ〜１２ｃと
可飽和吸収領域１１ａに順バイアスを印加する。これに
より、モード同期半導体レーザ１は、光パルスデータ列
Ｓ１が入力されないときには、自己変調周波数が４ｆの
受動モード同期動作をする。したがって、図２（ｃ）の
ように、入力回路１Ｘからクロック周波数４ｆの光パル
スデータ列Ｓ１がモード同期半導体レーザ１に入射され
ると、クロック周波数４ｆの光パルス列は共振器内での
安定な再生増幅にサポートされ、クロック周波数４ｆが
繰り返し周波数となる光クロックパルス列が出射端面２
０ｂから出射される。したがって、出力回路１Ｙから周
波数４ｆの光クロックパルス列が出力されることにな
る。
てのみ逆バイアスを印加し、利得領域１２ａ〜１２ｃと
可飽和吸収領域１１ａに順バイアスを印加する。これに
より、モード同期半導体レーザ１は、光パルスデータ列
Ｓ１が入力されないときには、自己変調周波数が４ｆの
受動モード同期動作をする。したがって、図２（ｃ）の
ように、入力回路１Ｘからクロック周波数４ｆの光パル
スデータ列Ｓ１がモード同期半導体レーザ１に入射され
ると、クロック周波数４ｆの光パルス列は共振器内での
安定な再生増幅にサポートされ、クロック周波数４ｆが
繰り返し周波数となる光クロックパルス列が出射端面２
０ｂから出射される。したがって、出力回路１Ｙから周
波数４ｆの光クロックパルス列が出力されることにな
る。
【００１３】なお、逆バイアスが印加された可飽和吸収
領域では、入射光パルスのような強度の高い光が通過す
ると吸収飽和作用を示し、その一方で自然放出光のよう
な強度の低い光が通過すると吸収作用を示すため、光パ
ルスが共振器を多数回周回しても、モード同期半導体レ
ーザ１は通常のレーザのように増幅されながら連続的に
重畳される自然放出ノイズを抑制することができる。
領域では、入射光パルスのような強度の高い光が通過す
ると吸収飽和作用を示し、その一方で自然放出光のよう
な強度の低い光が通過すると吸収作用を示すため、光パ
ルスが共振器を多数回周回しても、モード同期半導体レ
ーザ１は通常のレーザのように増幅されながら連続的に
重畳される自然放出ノイズを抑制することができる。
【００１４】一方、入射される光パルスデータ列Ｓ１の
周波数がｆである場合には、モード同期半導体レーザ１
においては、前記した入射レーザ光通過時の吸収飽和作
用によって共振器内の周回周波数に対応して周波数ｆの
自己変調機能が増強され、ｍｆの自己変調機能は抑制さ
れる。このため、図２（ａ）のように、周波数ｆで共振
器内を周回する光パルス列の再生増幅がサポートされ、
周波数ｆの光クロックパルス列Ｓ２が出射される。
周波数がｆである場合には、モード同期半導体レーザ１
においては、前記した入射レーザ光通過時の吸収飽和作
用によって共振器内の周回周波数に対応して周波数ｆの
自己変調機能が増強され、ｍｆの自己変調機能は抑制さ
れる。このため、図２（ａ）のように、周波数ｆで共振
器内を周回する光パルス列の再生増幅がサポートされ、
周波数ｆの光クロックパルス列Ｓ２が出射される。
【００１５】したがって、この第１の実施形態の光クロ
ック抽出装置では、入力光として光パルスデータ列のク
ロック周波数がｆ，２ｆ，４ｆと相違される場合でも、
モード同期半導体レーザ１の可飽和吸収領域に対するバ
イアスを変化させることで、各光パルスデータ列に対応
したクロック周波数の光クロックパルス列を出力するこ
とが実現される。これにより、１つのモード同期半導体
レーザ、換言すれば入力回路と出力回路を含む１つの光
クロック抽出装置によって異なる複数の周波数の光クロ
ックを生成して出力することが可能となり、光通信装置
における設備の簡略化を図り、かつ設備費用の低コスト
化を図ることが可能となる。
ック抽出装置では、入力光として光パルスデータ列のク
ロック周波数がｆ，２ｆ，４ｆと相違される場合でも、
モード同期半導体レーザ１の可飽和吸収領域に対するバ
イアスを変化させることで、各光パルスデータ列に対応
したクロック周波数の光クロックパルス列を出力するこ
とが実現される。これにより、１つのモード同期半導体
レーザ、換言すれば入力回路と出力回路を含む１つの光
クロック抽出装置によって異なる複数の周波数の光クロ
ックを生成して出力することが可能となり、光通信装置
における設備の簡略化を図り、かつ設備費用の低コスト
化を図ることが可能となる。
【００１６】ここで、本発明においては、図３に示すよ
うに、モード同期半導体レーザ１Ａでは、その入射端面
２０ａの位置に、キャップ層１３ｆ、Ｐ側電極１８ｆを
形成して可飽和吸収領域１１ｃを付設してもよい。この
ようにすれば、クロック周波数ｆの光パルスデータ列Ｓ
１が入射されたとき、共振器端に配置された可飽和吸収
領域１１ｃに逆バイアスを印加し、他の可飽和吸収領域
１１ａ，１１ｂおよび利得領域１２ａ〜１２ｃに順バイ
アスを印加することで、周波数ｆの光クロックパルス列
を出射させることも可能である。
うに、モード同期半導体レーザ１Ａでは、その入射端面
２０ａの位置に、キャップ層１３ｆ、Ｐ側電極１８ｆを
形成して可飽和吸収領域１１ｃを付設してもよい。この
ようにすれば、クロック周波数ｆの光パルスデータ列Ｓ
１が入射されたとき、共振器端に配置された可飽和吸収
領域１１ｃに逆バイアスを印加し、他の可飽和吸収領域
１１ａ，１１ｂおよび利得領域１２ａ〜１２ｃに順バイ
アスを印加することで、周波数ｆの光クロックパルス列
を出射させることも可能である。
【００１７】なお、前記実施形態では、ｍが２，４の場
合について説明したが、ｍの値は必要に応じて任意の値
に設定することが可能であり、これにより周波数ｍｆの
光クロックパルス列を得ることができることは言うまで
もないことである。
合について説明したが、ｍの値は必要に応じて任意の値
に設定することが可能であり、これにより周波数ｍｆの
光クロックパルス列を得ることができることは言うまで
もないことである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、可飽和吸
収領域が共振器長の整数分の１の位置にあるモード同期
半導体レーザに、共振器周回周波数の整数倍とほぼ等し
いクロック周波数をもつ光パルスデータ列を入力し、前
記可飽和吸収領域に逆バイアスを印加することによっ
て、光パルスデータ列のクロック周波数を繰り返し周波
数とする光クロックパルス列を出力することが可能とさ
れるので、１つの光クロック抽出装置で、周波数ｆとそ
の整数倍の周波数ｍｆの光クロックパルス列を得ること
ができ、光通信装置の設備の簡略化、低コスト化が実現
できる。
収領域が共振器長の整数分の１の位置にあるモード同期
半導体レーザに、共振器周回周波数の整数倍とほぼ等し
いクロック周波数をもつ光パルスデータ列を入力し、前
記可飽和吸収領域に逆バイアスを印加することによっ
て、光パルスデータ列のクロック周波数を繰り返し周波
数とする光クロックパルス列を出力することが可能とさ
れるので、１つの光クロック抽出装置で、周波数ｆとそ
の整数倍の周波数ｍｆの光クロックパルス列を得ること
ができ、光通信装置の設備の簡略化、低コスト化が実現
できる。
【図１】本発明の第１の実施形態の概念構成を示す構成
図である。
図である。
【図２】本発明にかかる入射光パルスデータ列と出射光
クロックパルス列とのタイミングを示す図である。
クロックパルス列とのタイミングを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の概念構成を示す構成
図である。
図である。
１，１Ａ モード同期半導体レーザ １Ｘ 入力回路 １Ｙ 出力回路 ２ａ，２ｂ 光ファイバ ３ａ〜３ｄ レンズ ４ａ，４ｂ 光アイソレータ １１ａ〜１１ｃ 可飽和吸収領域 １２ａ〜１２ｃ 利得領域 １３ａ〜１３ｆ キャップ層 １４ Ｐ型クラッド層 １５ 活性層 １６ Ｎ型クラッド層 １７ 基板 １８ａ〜１８ｆ Ｐ側電極 １９ Ｎ側電極 ２０ａ，２０ｂ 端面
Claims (5)
- 【請求項１】 入力光をモード同期半導体レーザに入射
し、このモード同期半導体レーザから前記入力光に対応
した出力光を出射するようにした光クロック抽出方法に
おいて、可飽和吸収領域が共振器長の整数分の１の位置
にある前記モード同期半導体レーザに、共振器周回周波
数の整数倍とほぼ等しいクロック周波数をもつ光パルス
データ列を入力し、前記可飽和吸収領域に逆バイアスを
印加することによって、前記光パルスデータ列のクロッ
ク周波数を繰り返し周波数とする光クロックパルス列を
出力することを特徴とする光クロック抽出方法。 - 【請求項２】 入力光を導く入力手段と、この入力光が
入力されるモード同期半導体レーザと、このモード同期
半導体レーザからの出力光を外部の光回路に導く出力手
段とを備える光クロック抽出装置において、前記モード
同期半導体レーザは、その共振器長の１／ｍ（ｍは整
数）の位置に可飽和吸収領域が配置され、その共振器周
回周波数のｍ倍のクロック周波数をもつ光パルスデータ
列が入射されたときに、前記可飽和吸収領域に逆バイア
スを印加することを特徴とする光クロック抽出装置。 - 【請求項３】 前記モード同期半導体レーザには、異な
るｍ値に対応した複数個の可飽和吸収領域と利得領域と
が配置され、共振器周回周波数に対してそれぞれｍ値が
異なるｍ倍のクロック周波数の光パルスデータ列が入射
されたときに、これと同じｍ値をもつ位置に配置された
可飽和吸収領域を逆バイアスとし、他の可飽和吸収領域
と利得領域を順バイアスとする請求項２に記載の光クロ
ック抽出装置。 - 【請求項４】 前記モード同期半導体レーザの入射端面
から共振器長Ｌに対してＬ／ｍ１の位置に第１の可飽和
吸収領域が配置され、この第１の可飽和吸収領域からＬ
／ｍ２（ｍ１，ｍ２は異なる整数）の位置に第２の可飽
和吸収領域が配置される請求項３に記載の光クロック抽
出装置。 - 【請求項５】 前記モード同期半導体レーザの入射端面
位置に可飽和吸収領域が配置される請求項４に記載の光
クロック抽出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8042473A JP2877066B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 光クロック抽出方法及び抽出装置 |
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1996
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