JP2000124556A - 光クロック抽出回路 - Google Patents
光クロック抽出回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光信号列からビットレートの整数分の１の周
波数の短光クロックパルス列を抽出する。 【解決手段】 多重化前周波数成分f/m を含むクロック
周波数ｆの光信号パルス列を、所定長のリング状光導波
路61と結合した光導波路62を介して共振器長が所定の半
導体レーザ素子１へ入射する。光導波路の透過率は周波
数間隔ｆで極小値を持つ周波数依存性を有するため、光
データパルス列はクロック周波数ｆの成分が抑制されて
f/m の成分が効果的に取出される。レーザ素子１は、利
得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和
吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加する
ことで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行
う。このレーザ素子に光導波路62通過後の光データを入
射すると、レーザ素子は周波数f/m で領域102 の吸収が
効果的に変調されモード同期周波数が光信号パルス列の
整数分の１のクロック周波数f/m に引込まれ、繰返し周
波数f/m の安定な光クロックパルスとなる。
波数の短光クロックパルス列を抽出する。 【解決手段】 多重化前周波数成分f/m を含むクロック
周波数ｆの光信号パルス列を、所定長のリング状光導波
路61と結合した光導波路62を介して共振器長が所定の半
導体レーザ素子１へ入射する。光導波路の透過率は周波
数間隔ｆで極小値を持つ周波数依存性を有するため、光
データパルス列はクロック周波数ｆの成分が抑制されて
f/m の成分が効果的に取出される。レーザ素子１は、利
得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和
吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加する
ことで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行
う。このレーザ素子に光導波路62通過後の光データを入
射すると、レーザ素子は周波数f/m で領域102 の吸収が
効果的に変調されモード同期周波数が光信号パルス列の
整数分の１のクロック周波数f/m に引込まれ、繰返し周
波数f/m の安定な光クロックパルスとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光クロック抽出回路に関
し、特に光通信に有用な非常に高ビットレートの光信号
パルス列からそのビットレートの整数分の１の周波数を
有する光クロックパルス列を発生する光クロック抽出回
路に関する。
し、特に光通信に有用な非常に高ビットレートの光信号
パルス列からそのビットレートの整数分の１の周波数を
有する光クロックパルス列を発生する光クロック抽出回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超高速の光通信システムを構築す
るために、電子回路による速度制限を受けない光信号処
理技術への要求が高まっている。その主要な技術の一つ
としては、光信号パルス列からこれに同期した光クロッ
クパルス列を生成する光クロック抽出が挙げられる。光
クロック抽出を実現する１つの例としては、モード同期
している半導体レーザへの注入同期を用いた光クロック
抽出回路があり、入力光信号の注入により、１０ＧＨｚ
以上の繰り返し周波数の光クロック発生が実現されるこ
とが報告されている。この技術については、例えば特開
平６−１３９８１号公報に記載されている。
るために、電子回路による速度制限を受けない光信号処
理技術への要求が高まっている。その主要な技術の一つ
としては、光信号パルス列からこれに同期した光クロッ
クパルス列を生成する光クロック抽出が挙げられる。光
クロック抽出を実現する１つの例としては、モード同期
している半導体レーザへの注入同期を用いた光クロック
抽出回路があり、入力光信号の注入により、１０ＧＨｚ
以上の繰り返し周波数の光クロック発生が実現されるこ
とが報告されている。この技術については、例えば特開
平６−１３９８１号公報に記載されている。
【０００３】この技術は、利得領域と可飽和吸収領域と
で構成される受動モード同期半導体レーザを用いたもの
であり、光信号パルス列をそのクロック周波数とほぼ同
じ基本モード同期周波数（共振器内の光の周回周波数）
を有する受動モード同期半導体レーザに入射させると、
可飽和吸収領域の吸収が光信号パルス列により光学的に
変調されて、受動モード同期半導体レーザのモード同期
周波数が入射された光信号パルス列のクロック周波数に
引き込まれる、という現象を利用したものである。
で構成される受動モード同期半導体レーザを用いたもの
であり、光信号パルス列をそのクロック周波数とほぼ同
じ基本モード同期周波数（共振器内の光の周回周波数）
を有する受動モード同期半導体レーザに入射させると、
可飽和吸収領域の吸収が光信号パルス列により光学的に
変調されて、受動モード同期半導体レーザのモード同期
周波数が入射された光信号パルス列のクロック周波数に
引き込まれる、という現象を利用したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、大容量光通
信を実現する通信法式の１つとして提案されている時分
割多重光通信においては、低ビットレートの複数のチャ
ンネルを光信号を少し時間軸上でずらした形で多重し、
高ビットレートの多重光信号にしてデータを伝送する。
この通信方式においては、受信側で高ビットレートの多
重光信号から多重前の低ビットレートのクロック信号
（分周光クロック）を抽出する必要がある（分周光クロ
ック抽出）。しかし、多重化した高ビットレートの光信
号には多重化前の低ビットレートの周波数成分が含まれ
ていないために、上記の公開公報に開示された技術で
は、分周光クロックを得ることができないという問題が
ある。
信を実現する通信法式の１つとして提案されている時分
割多重光通信においては、低ビットレートの複数のチャ
ンネルを光信号を少し時間軸上でずらした形で多重し、
高ビットレートの多重光信号にしてデータを伝送する。
この通信方式においては、受信側で高ビットレートの多
重光信号から多重前の低ビットレートのクロック信号
（分周光クロック）を抽出する必要がある（分周光クロ
ック抽出）。しかし、多重化した高ビットレートの光信
号には多重化前の低ビットレートの周波数成分が含まれ
ていないために、上記の公開公報に開示された技術で
は、分周光クロックを得ることができないという問題が
ある。
【０００５】また、これを解消する手段として多重する
低ビットレートの光信号の１つまたは複数のチャンネル
の光強度を大きくして多重化前の周波数成分を意図的に
残存させる手法が挙げられるが、光増幅器の飽和などに
より全チャンネルを合わせた光出力に制限があるため
に、残存させる周波数成分の強度を大きくできないとい
う問題がある。
低ビットレートの光信号の１つまたは複数のチャンネル
の光強度を大きくして多重化前の周波数成分を意図的に
残存させる手法が挙げられるが、光増幅器の飽和などに
より全チャンネルを合わせた光出力に制限があるため
に、残存させる周波数成分の強度を大きくできないとい
う問題がある。
【０００６】本発明の目的は、上述した従来の光クロッ
ク抽出回路の持つ欠点を除去して、光信号パルス列から
そのビットレートの整数分の１の周波数を有する光クロ
ックパルス列を安定に発生する光クロック抽出回路を提
供することである。
ク抽出回路の持つ欠点を除去して、光信号パルス列から
そのビットレートの整数分の１の周波数を有する光クロ
ックパルス列を安定に発生する光クロック抽出回路を提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一端か
ら光信号が入力され他端に光信号を出力する入出力光導
波路と、この入出力光導波路に近接して設けられたリン
グ状光導波路と、前記入出力光導波路を伝搬する光信号
を前記のリング状光導波路に合流させる光結合器と、複
数の電極を有する半導体レーザ素子と、前記入出力光導
波路と前記半導体レーザ素子とを光学的に結合させる手
段とを有し、前記リング状光導波路の光路長Ｌが、ｃを
真空中の光速、ｎ1 を群速度分布を含んだ前記導波路の
屈折率、ｆを前記光信号のクロック周波数としたとき、
Ｌ＝ｃ／（ｎ1 ｆ）と等しく、前記半導体レーザ素子の
光の周回周波数が前記光信号のクロック周波数の整数分
の１とほぼ等しいことを特徴とする光クロック抽出回路
が得られる。
ら光信号が入力され他端に光信号を出力する入出力光導
波路と、この入出力光導波路に近接して設けられたリン
グ状光導波路と、前記入出力光導波路を伝搬する光信号
を前記のリング状光導波路に合流させる光結合器と、複
数の電極を有する半導体レーザ素子と、前記入出力光導
波路と前記半導体レーザ素子とを光学的に結合させる手
段とを有し、前記リング状光導波路の光路長Ｌが、ｃを
真空中の光速、ｎ1 を群速度分布を含んだ前記導波路の
屈折率、ｆを前記光信号のクロック周波数としたとき、
Ｌ＝ｃ／（ｎ1 ｆ）と等しく、前記半導体レーザ素子の
光の周回周波数が前記光信号のクロック周波数の整数分
の１とほぼ等しいことを特徴とする光クロック抽出回路
が得られる。
【０００８】そして、前記入出力光導波路を伝搬する光
信号を前記リング状光導波路に合流させる光結合器が方
向性結合器であることを特徴とする。また、前記入出力
光導波路、リング状光導波路、光結合器、光増幅器が、
全て同一の誘電体または半導体基板上に形成されている
ことを特徴とする。更に、前記光増幅器が半導体光増幅
器であることを特徴とし、また前記光増幅器が導波路型
光増幅器であることを特徴とする、そして、前記半導体
レーザ素子が同一の誘電体または半導体基板上に形成さ
れたことを特徴とする。
信号を前記リング状光導波路に合流させる光結合器が方
向性結合器であることを特徴とする。また、前記入出力
光導波路、リング状光導波路、光結合器、光増幅器が、
全て同一の誘電体または半導体基板上に形成されている
ことを特徴とする。更に、前記光増幅器が半導体光増幅
器であることを特徴とし、また前記光増幅器が導波路型
光増幅器であることを特徴とする、そして、前記半導体
レーザ素子が同一の誘電体または半導体基板上に形成さ
れたことを特徴とする。
【０００９】本発明に作用を述べる。多重化前の周波数
成分ｆ／ｍを含んだクロック周波数ｆの光信号パルス列
は、長さｃ／（ｎ1 ｆ）（ただし、ｃは真空中の光速、
ｎ1は群速度分散を含んだ導波路の屈折率）のリング状
光導波路と結合した入出力光導波路を介して、共振器長
がほぼｍｃ／（２ｎ2 ｆ）（ただし、ｍは２以上の整
数、ｎ2 は群速度分散を含んだ半導体レーザの屈折率）
の２電極半導体レーザ素子へ入射される。入出力光導波
路の透過率は周波数間隔ｆで極小値を持つ周波数依存性
を有するため、光データパルス列はクロック周波数であ
る周波数ｆの成分が抑制されて周波数ｆ／ｍの成分が効
果的に取出される。
成分ｆ／ｍを含んだクロック周波数ｆの光信号パルス列
は、長さｃ／（ｎ1 ｆ）（ただし、ｃは真空中の光速、
ｎ1は群速度分散を含んだ導波路の屈折率）のリング状
光導波路と結合した入出力光導波路を介して、共振器長
がほぼｍｃ／（２ｎ2 ｆ）（ただし、ｍは２以上の整
数、ｎ2 は群速度分散を含んだ半導体レーザの屈折率）
の２電極半導体レーザ素子へ入射される。入出力光導波
路の透過率は周波数間隔ｆで極小値を持つ周波数依存性
を有するため、光データパルス列はクロック周波数であ
る周波数ｆの成分が抑制されて周波数ｆ／ｍの成分が効
果的に取出される。
【００１０】一方、半導体レーザ素子は、利得領域に直
流電流源によって順電流を注入し、可飽和吸収領域に直
流電圧源により逆バイアスを印加することにより、ほぼ
ｆ／ｍの繰り返し周波数でモード同期動作を行う。この
半導体レーザ素子に入出力光導波路通過後の光データを
入射させると、半導体レーザ素子は周波数ｆ／ｍで可飽
和吸収領域の吸収が効果的に変調されて、モード同期周
波数が光信号パルス列の整数分の１のクロック周波数ｆ
／ｍに引き込まれるため、繰り返し周波数ｆ／ｍの安定
な光クロックパルスを得ることができるのである。
流電流源によって順電流を注入し、可飽和吸収領域に直
流電圧源により逆バイアスを印加することにより、ほぼ
ｆ／ｍの繰り返し周波数でモード同期動作を行う。この
半導体レーザ素子に入出力光導波路通過後の光データを
入射させると、半導体レーザ素子は周波数ｆ／ｍで可飽
和吸収領域の吸収が効果的に変調されて、モード同期周
波数が光信号パルス列の整数分の１のクロック周波数ｆ
／ｍに引き込まれるため、繰り返し周波数ｆ／ｍの安定
な光クロックパルスを得ることができるのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例の構成
を示している。この例では伝送路からの光信号パルス列
は入出力光導波路６２、光増幅器５１、アイソレータ４
１、レンズ３１を通じて、２電極半導体レーザ素子１に
入射される。また、入出力光導波路に入射した光信号パ
ルス列の一部は光結合器６３を介してリング状光導波路
６１と結合している。
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例の構成
を示している。この例では伝送路からの光信号パルス列
は入出力光導波路６２、光増幅器５１、アイソレータ４
１、レンズ３１を通じて、２電極半導体レーザ素子１に
入射される。また、入出力光導波路に入射した光信号パ
ルス列の一部は光結合器６３を介してリング状光導波路
６１と結合している。
【００１２】ここで、リング状光導波路の長さは光信号
パルス列のクロック周波数をｆとして、ｃ／（ｎ1 ｆ）
（ただし、ｃは真空中の光速、ｎ1 は群速度分散を含ん
だ導波路の屈折率）、また半導体レーザ素子１の共振器
長はほぼｍｃ／（２ｎ2 ｆ）（ただし、ｍは２以上の整
数、ｎ2 は群速度分散を含んだ半導体レーザの屈折率）
である。半導体レーザ素子１の出力はレンズ３２、アイ
ソレータ４２を通じて出射される。
パルス列のクロック周波数をｆとして、ｃ／（ｎ1 ｆ）
（ただし、ｃは真空中の光速、ｎ1 は群速度分散を含ん
だ導波路の屈折率）、また半導体レーザ素子１の共振器
長はほぼｍｃ／（２ｎ2 ｆ）（ただし、ｍは２以上の整
数、ｎ2 は群速度分散を含んだ半導体レーザの屈折率）
である。半導体レーザ素子１の出力はレンズ３２、アイ
ソレータ４２を通じて出射される。
【００１３】このように構成された光クロック抽出器の
動作を図２，３を参照して説明する。図２はリング状光
導波路５２前後の光信号パルス列の光スペクトルを示し
た図である。ここでクロック周波数ｆの光パルス列は多
重化前の周波数成分ｆ／ｍを意図的に残存させており、
それを反映して光スペクトルは周波数間隔ｆのピークに
加えて、周波数間隔ｆ／ｍの強度の弱いピークを有して
いる。
動作を図２，３を参照して説明する。図２はリング状光
導波路５２前後の光信号パルス列の光スペクトルを示し
た図である。ここでクロック周波数ｆの光パルス列は多
重化前の周波数成分ｆ／ｍを意図的に残存させており、
それを反映して光スペクトルは周波数間隔ｆのピークに
加えて、周波数間隔ｆ／ｍの強度の弱いピークを有して
いる。
【００１４】入出力光導波路６２とリング状光導波路６
１の光結合器に方向性結合器を用いた場合、モード結合
定数をκ、方向性結合器の結合長をｌ、方向性結合器の
強度挿入損失をγ、導波路の伝搬定数をβ、導波路の強
度損失係数をρ、リング状光導波路の長さをＬとする
と、入出力光導波路６２の透過関数は、
１の光結合器に方向性結合器を用いた場合、モード結合
定数をκ、方向性結合器の結合長をｌ、方向性結合器の
強度挿入損失をγ、導波路の伝搬定数をβ、導波路の強
度損失係数をρ、リング状光導波路の長さをＬとする
と、入出力光導波路６２の透過関数は、
【数１】 で表される。
【００１５】ここで、リング状光導波路長さＬ＝ｃ／
（ｎ1 ｆ）とすると、入出力光光導波路６２の透過率の
図２（ｂ）は様に周波数間隔ｆで極小値を持つ周波数依
存性を有する。よって、入出力光導波路６２通過後の光
データの光スペクトルは図２（ｃ）の様になり、光デー
タのクロック周波数である周波数ｆの成分が抑制されて
周波数ｆ／ｍの成分を効果的に取出すことができる。
（ｎ1 ｆ）とすると、入出力光光導波路６２の透過率の
図２（ｂ）は様に周波数間隔ｆで極小値を持つ周波数依
存性を有する。よって、入出力光導波路６２通過後の光
データの光スペクトルは図２（ｃ）の様になり、光デー
タのクロック周波数である周波数ｆの成分が抑制されて
周波数ｆ／ｍの成分を効果的に取出すことができる。
【００１６】一方、半導体レーザ素子１は、利得領域１
０１に直流電流源２１によって順電流を注入し、可飽和
吸収領域１０２に直流電圧源２２により逆バイアスを印
加することにより、ほぼｆ／ｍの繰り返し周波数でモー
ド同期動作を行う。入出力光導波路６２通過後の光デー
タを光増幅器５１で増幅して半導体レーザに入射する
と、半導体レーザ素子１は、周波数ｆ／ｍで可飽和吸収
領域１０２の吸収が効果的に変調されて、モード同期周
波数が光信号パルス列の整数分の１のクロック周波数ｆ
／ｍに引き込まれるため、安定な分周された光クロック
パルスを得ることができる。
０１に直流電流源２１によって順電流を注入し、可飽和
吸収領域１０２に直流電圧源２２により逆バイアスを印
加することにより、ほぼｆ／ｍの繰り返し周波数でモー
ド同期動作を行う。入出力光導波路６２通過後の光デー
タを光増幅器５１で増幅して半導体レーザに入射する
と、半導体レーザ素子１は、周波数ｆ／ｍで可飽和吸収
領域１０２の吸収が効果的に変調されて、モード同期周
波数が光信号パルス列の整数分の１のクロック周波数ｆ
／ｍに引き込まれるため、安定な分周された光クロック
パルスを得ることができる。
【００１７】図３は本発明の第２の実施例の光クロック
抽出器の構成を示す。同図中、図１と同一構成部分につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。この例で
は基板７１上の入出力光導波路６２の出力側の導波路に
光増幅器５２が挿入されている。この様な光増幅器は、
例えば半導体光導波路では、信号光に対応したバンドギ
ャップを有する領域を選択成長技術により形成し、この
領域に電流注入することにより実現が可能である。
抽出器の構成を示す。同図中、図１と同一構成部分につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。この例で
は基板７１上の入出力光導波路６２の出力側の導波路に
光増幅器５２が挿入されている。この様な光増幅器は、
例えば半導体光導波路では、信号光に対応したバンドギ
ャップを有する領域を選択成長技術により形成し、この
領域に電流注入することにより実現が可能である。
【００１８】また、別の手法としては、石英導波路と両
端面に反射防止膜が形成された半導体増幅器をシリコン
基板上に実装することによっても実現が可能である。さ
らには、エルビウムイオン等を光導波路にドープし、励
起光源によりエルビウムイオンの特定のエネルギー準位
を励起して反転分布を形成した導波路型光増幅器を使用
することもできる。これらの手法は、小型化がファイバ
型光増幅器や半導体光増幅器への結合に要する部品点数
と結合損失を低減することができるという利点を有す
る。
端面に反射防止膜が形成された半導体増幅器をシリコン
基板上に実装することによっても実現が可能である。さ
らには、エルビウムイオン等を光導波路にドープし、励
起光源によりエルビウムイオンの特定のエネルギー準位
を励起して反転分布を形成した導波路型光増幅器を使用
することもできる。これらの手法は、小型化がファイバ
型光増幅器や半導体光増幅器への結合に要する部品点数
と結合損失を低減することができるという利点を有す
る。
【００１９】図４は本発明の第３の実施例の光クロック
抽出器の構成を示す。同図中、図１と同一構成部分につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。この例で
は、入出力光導波路６２、リング状光導波路６１、光結
合６３、光増幅器５２、利得領域１０１、可飽和吸収領
域１０２、分布ブラッグ反射鏡１０３の全てを選択成長
技術を用いて同一の半導体基板７１上に形成している。
また、分布ブラッグ反射鏡１０３は電子ビーム露光技術
により作製が可能である。
抽出器の構成を示す。同図中、図１と同一構成部分につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。この例で
は、入出力光導波路６２、リング状光導波路６１、光結
合６３、光増幅器５２、利得領域１０１、可飽和吸収領
域１０２、分布ブラッグ反射鏡１０３の全てを選択成長
技術を用いて同一の半導体基板７１上に形成している。
また、分布ブラッグ反射鏡１０３は電子ビーム露光技術
により作製が可能である。
【００２０】本光クロック抽出器においては、利得領域
１０１の端面と分布ブラッグ反射鏡１０３が共振器とし
て作用するため、利得領域１０１、可飽和吸収領域１０
２、分布ブラッグ反射鏡１０３の部分が半導体レーザ素
子１と同様なモード同期半導体レーザとして動作する。
そのため、本光クロック抽出回路は一つの半導体基板上
で上記の実施例と同じ機能を実現することが可能であ
る。
１０１の端面と分布ブラッグ反射鏡１０３が共振器とし
て作用するため、利得領域１０１、可飽和吸収領域１０
２、分布ブラッグ反射鏡１０３の部分が半導体レーザ素
子１と同様なモード同期半導体レーザとして動作する。
そのため、本光クロック抽出回路は一つの半導体基板上
で上記の実施例と同じ機能を実現することが可能であ
る。
【００２１】また、別の手法としては、シリコン基板上
に、導波路、光増幅器、両端面が劈開面である半導体レ
ーザ素子をシリコン基板上に実装することにより同様な
機能を実現することが可能である。この手法は、小型化
が図れると同時に、半導体レーザへの結合に要する部品
点数と結合損失を低減することができるという利点を有
する。
に、導波路、光増幅器、両端面が劈開面である半導体レ
ーザ素子をシリコン基板上に実装することにより同様な
機能を実現することが可能である。この手法は、小型化
が図れると同時に、半導体レーザへの結合に要する部品
点数と結合損失を低減することができるという利点を有
する。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明の光クロック抽
出器によれば、今後の超高速光通信応用上重要な、超高
速の光信号パルス列からそのビットレートの整数分の１
の周波数を有する光クロックパルス列を容易に得ること
ができるという効果がある。
出器によれば、今後の超高速光通信応用上重要な、超高
速の光信号パルス列からそのビットレートの整数分の１
の周波数を有する光クロックパルス列を容易に得ること
ができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の光クロック抽出回路の
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明による光クロック抽出器の動作原理を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の第２の実施例の光クロック抽出回路の
構成図である。
構成図である。
【図４】本発明の第３の実施例の光クロック抽出回路の
構成図である。
構成図である。
１ 半導体レーザ素子 ２１ 直流電流源 ２２ 直流電圧源 ３１，３２ レンズ ４１，４２ アイソレータ ５１，５２ 光増幅器 ６１ リング状光導波路 ６２ 入出力光導波路 ６３ 光結合器 １０１ 利得領域 １０２ 可飽和吸収領域 １０３ 分布ブラッグ反射鏡
Claims (6)
- 【請求項１】 一端から光信号が入力され他端に光信号
を出力する入出力光導波路と、この入出力光導波路に近
接して設けられたリング状光導波路と、前記入出力光導
波路を伝搬する光信号を前記のリング状光導波路に合流
させる光結合器と、複数の電極を有する半導体レーザ素
子と、前記入出力光導波路と前記半導体レーザ素子とを
光学的に結合させる手段とを有し、前記リング状光導波
路の光路長Ｌが、ｃを真空中の光速、ｎ1 を群速度分布
を含んだ前記導波路の屈折率、ｆを前記光信号のクロッ
ク周波数としたとき、Ｌ＝ｃ／（ｎ1 ｆ）と等しく、前
記半導体レーザ素子の光の周回周波数が前記光信号のク
ロック周波数の整数分の１とほぼ等しいことを特徴とす
る光クロック抽出回路。 - 【請求項２】 前記入出力光導波路を伝搬する光信号を
前記リング状光導波路に合流させる光結合器が方向性結
合器であることを特徴とする請求項１記載の光クロック
抽出回路。 - 【請求項３】 前記入出力光導波路、リング状光導波
路、光結合器、光増幅器が、全て同一の誘電体または半
導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項１
または２記載の光クロック抽出回路。 - 【請求項４】 前記光増幅器が半導体光増幅器であるこ
とを特徴とする請求項３記載の光クロック抽出回路。 - 【請求項５】 前記光増幅器が導波路型光増幅器である
ことを特徴とする請求項３記載の光クロック抽出回路。 - 【請求項６】 前記半導体レーザ素子が同一の誘電体ま
たは半導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項
１〜５いずれか記載の光クロック抽出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298981A JP2000124556A (ja) | 1998-10-21 | 1998-10-21 | 光クロック抽出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298981A JP2000124556A (ja) | 1998-10-21 | 1998-10-21 | 光クロック抽出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124556A true JP2000124556A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17866699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10298981A Pending JP2000124556A (ja) | 1998-10-21 | 1998-10-21 | 光クロック抽出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101268568B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2013-05-28 | 한국과학기술원 | 0．1 ∼ 30 ＭＨｚ의 반복률을 갖는 광섬유 레이저 시스템 및 이를 이용한 시편 가공 |
-
1998
- 1998-10-21 JP JP10298981A patent/JP2000124556A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101268568B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2013-05-28 | 한국과학기술원 | 0．1 ∼ 30 ＭＨｚ의 반복률을 갖는 광섬유 레이저 시스템 및 이를 이용한 시편 가공 |
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