JP2875197B2 - 低級パラフィン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換方法 - Google Patents
低級パラフィン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換方法Info
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低級パラフィン系炭化水
素を芳香族炭化水素に変換する方法に関するものであ
る。 【０００２】更に詳細には、本発明は炭素数５以下の低
級パラフィン系炭化水素例えばエタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタンおよびこれらの混合物を芳香族炭化水素へ
変換する方法に関するものである。 【０００３】 【従来の技術】天然ガスに含まれる低級パラフィン系炭
化水素および石油精製工程より生産される軽質パラフィ
ン系炭化水素の利用はこれらの炭化水素の生産量が多量
である故重要な問題である。 【０００４】最近、イオン交換したＨ−ＺＳＭ−５系触
媒を用いてエタンを芳香族炭化水素へ変換する技術が多
数知られている。例えば、米国特許第４，１２０，９１
０号明細書（１９７８ 特許権者−モービルオイル社）
にはＣｕ−Ｚｎ／Ｈ−ＺＳＭ−５系触媒を使用する方法
が記載されている。また、米国特許第４，３５０，８３
５号明細書（１９８２ 特許権者−モービルオイル社）
にはＧａ／Ｈ−ＺＳＭ−５系触媒を使用する方法が記載
されている。さらに、ヨーロッパ特許出願公開第５０．
０２１号明細書（１９８２）にはガリウム交換アルミノ
シリケート触媒を使用する方法が記載されている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術ではエタンの変換率および芳香族炭化水素への選択率
は共に高くなく、さらに触媒の改良および反応特性の研
究が必要であった。このため低級パラフィン系炭化水素
例えばプロパンを液体燃料または芳香族炭化水素へ選択
的に変換するための新規触媒の研究が行われた。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者は先にアルミノ
シリケート触媒の製法について研究した（特願昭５５−
１３６７５号）。 【０００７】上記の形状選択性にすぐれたメタロシリケ
ート触媒と脱水素機能をもつ触媒とを組み合わせた触媒
及びガリウム−シリケート触媒は低級パラフィン系炭化
水素を芳香族炭化水素へ高変換率でしかも高選択率で変
換できることを見出した。 【０００８】 【作用】低級パラフィン系炭化水素から芳香族炭化水素
への変換反応は最初低級パラフィン系炭化水素（例えば
プロパン）が脱水素触媒（例えばＰｔ）の作用でオレフ
ィン系炭化水素（例えばプロペン）に脱水素し、次にメ
タロシリケート触媒の酸性点においてプロペン分子が重
合して高分子オレフィンになり次いで芳香族炭化水素が
生成する。主なる反応生成物はメタン、エタンおよび芳
香族炭化水素に限定されるが、炭素数１および２の炭化
水素の生成を抑制することが必要である。 【０００９】触媒の製法 本発明方法で使用するＰｔ又はＧａ／メタロシリケート
触媒およびＧａ−シリケート触媒の製法は次の如くであ
る。 【００１０】（１） 白金担持メタロシリケート触媒 メタロシリケート触媒 （Ｓｉ／Ｍｅ＝２５〜３２００）
（Ｍｅ＝ＡｌまたはＧａ）を担体とし、これに所定濃度
のテトラアンミン白金塩〔Ｐｔ（ＮＨ３）４Ｃｌ２〕水
溶液を用いて含浸法またはイオン交換法でＰｔおよびＧ
ａのそれぞれを担持した。 【００１１】メタロシリケート触媒の組成およびその製
法は次の如くである。すなわち、組成は Ｓｉ／Ｍｅ（原子比） ２５−３２００ ＯＨ−／ＳｉＯ２ （モル比） ０．３−１．０ Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２ （モル比） ３０−１００ Ｒ／Ｒ＋アルカリ金属（モル比） ０．０５−０．１５ ＮａＣｌ／Ｈ２Ｏ（モル比） ０．０１−０．０６ （式中、Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチオン、好
ましくは、第４級プロピルアンモニウムカチオンであ
り、アルカリ金属はナトリウムイオンまたはカリウムイ
オン、ＭｅはＡｌまたはＧａである）で表わされる。ま
た、アルミニウム塩もしくはガリウム塩、第４級アルキ
ルアンモニウムカチオンおよび無機塩を含む水溶液をＡ
液とし、ケイ酸塩水溶液をＢ液とし、イオン調整剤であ
るＮａＣｌ水溶液をＣ液とし、Ａ液およびＢ液をそれぞ
れ一定速度でＣ液に添加し、この際にＡ液には前記イオ
ン調整剤を添加し、Ｃ液には第４級アルキルアンモニウ
ムカチオン、無機酸および水酸化アルカリを添加して各
液組成の濃度変化を少なくしてＡ液およびＢ液をＣ液へ
添加し（第１工程）、得られたゲル混合物を擂潰、細分
化し（第２工程）、擂潰、細分化されたゲル混合物を室
温から１５０℃ないし１９０℃まで一定速度または指数
函数的速度で昇温して水熱合成反応を行なわせ（第３工
程）て製造される（特願昭５８−１１６９８７号明細書
中の記載に準拠）。 【００１２】(2) ガリウムシリケート触媒 上記の白金担持メタロシリケート触媒（Si／Me＝２５〜
３２００）の担体として使用するメタロシリケート触媒
（Si／Me＝２５〜３２００）のMeとしてはSi／Meの原子
比が２５〜３２００に相当する例えばGa2(SO4)3・8H2O
を使用して製造した。 【００１３】反応条件 使用触媒は０．２５ないし１．５重量％（好ましくは
０．５ないし１．０重量％）のPtまたはGaを担持したメ
タロシリケート触媒（Si／Me＝２５〜３２００）（Meは
前記と同意義を有する）である。 【００１４】触媒担体であるメタロシリケート触媒（Ｓ
ｉ／Ｍｅ）としてはＭｅがＡｌまたはＧａである触媒を
使用する。 【００１５】PtまたはGa金属の担持法はイオン交換法ま
たは含浸法が使用される。例えばPtを含浸法で担持する
場合には、例えば水溶性のテトラアンミン白金塩〔Pt(N
H3)4Cl2〕水溶液をメタロシリケート触媒に含浸させた
後乾燥し、空気中にて２００ないし４００℃で熱分解し
て製造した。 【００１６】ガリウム−シリケート触媒は上記メタロシ
リケート触媒（Si／Ga）の場合と同様にして製造した。 【００１７】次に実施例を掲げて本発明を説明するが、
これに限定されるものではない。 【００１８】上記の如くして調製したガリウムシリケー
ト触媒（Ｓｉ／Ｍｅ＝４０）を打錠成型後１０ないし２
０メッシュに破砕したものを低級パラフィン系炭化水素
であるプロパンから芳香族炭化水素への変換反応に使用
した。 なお、比較のために、上記の如く調製したＰｔ担
持またはＧａ担持しアルミノシリケート触媒（Ｓｉ／Ｍ
ｅ＝４０）および無担持のアルミノシリケート触媒（Ｈ
−ＺＳＭ−５Ｓｉ／Ｍｅ＝４０）をそれぞれ使用した。 【００１９】得られた触媒０．５ｇを内径６mmの反応管
に充填し、通常の常圧流通反応装置を用い、プロパン２
０％（容量）と窒素８０％（容量）とを含む混合ガスを
常圧下、SV(GHSV) 2,000 hr-1、0.8℃／分の一定速度で
反応温度まで昇温した。 【００２０】生成ガス中の成分はインテグレーター付の
ガスクロマトグラフィーで分析した。使用カラムはＭＳ
−５Ａ、シリコンOVおよびVZ−１０であった。 【００２１】〔Ａ〕プロパン転化率の温度依存性の触媒
調製法による影響 各種濃度の白金またはガリウム担持アルミノシリケート
触媒およびガリウムシリケート触媒についての選択性と
温度との関係を調べ、アルミノシリケート触媒と比較
し、その結果を表−１に示した。 【００２２】表−１に示したPt／アルミノシリケート触
媒、Ga／アルミノシリケート触媒、Ga−シリケート触媒
およびＨ−ＺＳＭ−５触媒によるプロパン転化率と反応
温度（２００〜５００℃）との関係を第１図に示した。 【００２３】反応条件は供給ガスC3H8 ２０％（容
量）、N2 ８０％（容量）：ＳＶ＝２０００hr-1であっ
た。 【００２４】 【表１】 【００２５】表−１および第１図より含浸法およびイオ
ン交換法による触媒およびガリウム−シリケート触媒は
ともに反応温度３００℃付近から反応が開始されること
がわかった。また含浸法調製によるものは５００℃で転
化率が７０％にとヾまったが、イオン交換法調製による
ものは転化率が９０％以上に達した。 【００２６】これは担持されたPtおよびGaのシリケート
触媒のミクロ構造中への分散がイオン交換法の方がよい
ことにもとづくものと考察される。 【００２７】Pt／アルミノシリケート触媒（Al／Si＝２
５−３２００）についてPt含量が０．２５重量％以下で
はプロパン転化率が小さく、一方Pt含量が１．５重量％
以上では分解反応が主反応となり、芳香族選択率が小さ
い。好ましい範囲は０．５ないし１．０％（重量）であ
る。 【００２８】Ga／アルミノシリケート触媒（Al／Si＝２
５−３２００）およびGa−シリケート触媒についてもGa
含量はPtの場合と同様であった。 【００２９】〔Ｂ〕生成ガス中の炭化水素分布の温度依
存性 含浸法によって調製した０．５重量％Pt／アルミノシリ
ケート触媒（Si／Al＝４０）を使用した。 【００３０】反応条件は供給ガスC3H8 ２０％、N2 ８０
％：ＳＶ＝２０００hr-1反応温度３００〜５００℃であ
った。 【００３１】生成ガス中の芳香族炭化水素、C4以上のパ
ラフィン系炭化水素、C3H6、C2H4、C2H6、CH4およびC3H
8の分布状態を調べた。 【００３２】その結果を第２図に示した。 【００３３】また、イオン交換法により調製した０．５
重量％Pt／アルミノシリケート触媒（Si／Al＝４０）を
使用して同様に実験し、その結果を第３図に示した。 【００３４】更にイオン交換法により調製した１．０重
量％Pt／アルミノシリケート触媒（Si／Al＝４０）を用
いて同様に実験し、その結果は第４図に示した。 【００３５】反応条件は上記と同一であった。 【００３６】第２図、第３図および第４図において、同
一反応温度におけるプロパン転化率、生成ガス中のC1−
C2炭化水素および芳香族炭化水素の含量は含浸法よりイ
オン交換法によって調製した触媒の方が高いことがわか
った。 【００３７】また反応温度の依存性は含浸法で作った触
媒もイオン交換法で作った触媒も同様の傾向を示した。
すなわち、反応温度が高くなるに従って生成ガス中の
Ｃ、ないしC2炭化水素および芳香族炭化水素の含有率が
高くなり、反応温度４００℃以上では炭素数４以上の炭
化水素は殆んど芳香族炭化水素であった。 【００３８】これは供給ガス中のプロパンが触媒中の白
金成分の脱水素能によりプロペンになり、これが重合し
て重合オレフィンになるが、反応温度が高温であるため
重合オレフィンはすべてC1−C2炭化水素と芳香族に変換
したものと考えられる。 【００３９】 【発明の効果】脱水素機能を有する担持金属PtおよびGa
が高分散の状態でメタロシリケート触媒のミクロ構造中
に分散しているので、パラフィンから芳香族への変換反
応において高活性のため低温で反応が行われるので芳香
族の分解による選択性の低下を防止でき、芳香族の収率
が増大する。
素を芳香族炭化水素に変換する方法に関するものであ
る。 【０００２】更に詳細には、本発明は炭素数５以下の低
級パラフィン系炭化水素例えばエタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタンおよびこれらの混合物を芳香族炭化水素へ
変換する方法に関するものである。 【０００３】 【従来の技術】天然ガスに含まれる低級パラフィン系炭
化水素および石油精製工程より生産される軽質パラフィ
ン系炭化水素の利用はこれらの炭化水素の生産量が多量
である故重要な問題である。 【０００４】最近、イオン交換したＨ−ＺＳＭ−５系触
媒を用いてエタンを芳香族炭化水素へ変換する技術が多
数知られている。例えば、米国特許第４，１２０，９１
０号明細書（１９７８ 特許権者−モービルオイル社）
にはＣｕ−Ｚｎ／Ｈ−ＺＳＭ−５系触媒を使用する方法
が記載されている。また、米国特許第４，３５０，８３
５号明細書（１９８２ 特許権者−モービルオイル社）
にはＧａ／Ｈ−ＺＳＭ−５系触媒を使用する方法が記載
されている。さらに、ヨーロッパ特許出願公開第５０．
０２１号明細書（１９８２）にはガリウム交換アルミノ
シリケート触媒を使用する方法が記載されている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術ではエタンの変換率および芳香族炭化水素への選択率
は共に高くなく、さらに触媒の改良および反応特性の研
究が必要であった。このため低級パラフィン系炭化水素
例えばプロパンを液体燃料または芳香族炭化水素へ選択
的に変換するための新規触媒の研究が行われた。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者は先にアルミノ
シリケート触媒の製法について研究した（特願昭５５−
１３６７５号）。 【０００７】上記の形状選択性にすぐれたメタロシリケ
ート触媒と脱水素機能をもつ触媒とを組み合わせた触媒
及びガリウム−シリケート触媒は低級パラフィン系炭化
水素を芳香族炭化水素へ高変換率でしかも高選択率で変
換できることを見出した。 【０００８】 【作用】低級パラフィン系炭化水素から芳香族炭化水素
への変換反応は最初低級パラフィン系炭化水素（例えば
プロパン）が脱水素触媒（例えばＰｔ）の作用でオレフ
ィン系炭化水素（例えばプロペン）に脱水素し、次にメ
タロシリケート触媒の酸性点においてプロペン分子が重
合して高分子オレフィンになり次いで芳香族炭化水素が
生成する。主なる反応生成物はメタン、エタンおよび芳
香族炭化水素に限定されるが、炭素数１および２の炭化
水素の生成を抑制することが必要である。 【０００９】触媒の製法 本発明方法で使用するＰｔ又はＧａ／メタロシリケート
触媒およびＧａ−シリケート触媒の製法は次の如くであ
る。 【００１０】（１） 白金担持メタロシリケート触媒 メタロシリケート触媒 （Ｓｉ／Ｍｅ＝２５〜３２００）
（Ｍｅ＝ＡｌまたはＧａ）を担体とし、これに所定濃度
のテトラアンミン白金塩〔Ｐｔ（ＮＨ３）４Ｃｌ２〕水
溶液を用いて含浸法またはイオン交換法でＰｔおよびＧ
ａのそれぞれを担持した。 【００１１】メタロシリケート触媒の組成およびその製
法は次の如くである。すなわち、組成は Ｓｉ／Ｍｅ（原子比） ２５−３２００ ＯＨ−／ＳｉＯ２ （モル比） ０．３−１．０ Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２ （モル比） ３０−１００ Ｒ／Ｒ＋アルカリ金属（モル比） ０．０５−０．１５ ＮａＣｌ／Ｈ２Ｏ（モル比） ０．０１−０．０６ （式中、Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチオン、好
ましくは、第４級プロピルアンモニウムカチオンであ
り、アルカリ金属はナトリウムイオンまたはカリウムイ
オン、ＭｅはＡｌまたはＧａである）で表わされる。ま
た、アルミニウム塩もしくはガリウム塩、第４級アルキ
ルアンモニウムカチオンおよび無機塩を含む水溶液をＡ
液とし、ケイ酸塩水溶液をＢ液とし、イオン調整剤であ
るＮａＣｌ水溶液をＣ液とし、Ａ液およびＢ液をそれぞ
れ一定速度でＣ液に添加し、この際にＡ液には前記イオ
ン調整剤を添加し、Ｃ液には第４級アルキルアンモニウ
ムカチオン、無機酸および水酸化アルカリを添加して各
液組成の濃度変化を少なくしてＡ液およびＢ液をＣ液へ
添加し（第１工程）、得られたゲル混合物を擂潰、細分
化し（第２工程）、擂潰、細分化されたゲル混合物を室
温から１５０℃ないし１９０℃まで一定速度または指数
函数的速度で昇温して水熱合成反応を行なわせ（第３工
程）て製造される（特願昭５８−１１６９８７号明細書
中の記載に準拠）。 【００１２】(2) ガリウムシリケート触媒 上記の白金担持メタロシリケート触媒（Si／Me＝２５〜
３２００）の担体として使用するメタロシリケート触媒
（Si／Me＝２５〜３２００）のMeとしてはSi／Meの原子
比が２５〜３２００に相当する例えばGa2(SO4)3・8H2O
を使用して製造した。 【００１３】反応条件 使用触媒は０．２５ないし１．５重量％（好ましくは
０．５ないし１．０重量％）のPtまたはGaを担持したメ
タロシリケート触媒（Si／Me＝２５〜３２００）（Meは
前記と同意義を有する）である。 【００１４】触媒担体であるメタロシリケート触媒（Ｓ
ｉ／Ｍｅ）としてはＭｅがＡｌまたはＧａである触媒を
使用する。 【００１５】PtまたはGa金属の担持法はイオン交換法ま
たは含浸法が使用される。例えばPtを含浸法で担持する
場合には、例えば水溶性のテトラアンミン白金塩〔Pt(N
H3)4Cl2〕水溶液をメタロシリケート触媒に含浸させた
後乾燥し、空気中にて２００ないし４００℃で熱分解し
て製造した。 【００１６】ガリウム−シリケート触媒は上記メタロシ
リケート触媒（Si／Ga）の場合と同様にして製造した。 【００１７】次に実施例を掲げて本発明を説明するが、
これに限定されるものではない。 【００１８】上記の如くして調製したガリウムシリケー
ト触媒（Ｓｉ／Ｍｅ＝４０）を打錠成型後１０ないし２
０メッシュに破砕したものを低級パラフィン系炭化水素
であるプロパンから芳香族炭化水素への変換反応に使用
した。 なお、比較のために、上記の如く調製したＰｔ担
持またはＧａ担持しアルミノシリケート触媒（Ｓｉ／Ｍ
ｅ＝４０）および無担持のアルミノシリケート触媒（Ｈ
−ＺＳＭ−５Ｓｉ／Ｍｅ＝４０）をそれぞれ使用した。 【００１９】得られた触媒０．５ｇを内径６mmの反応管
に充填し、通常の常圧流通反応装置を用い、プロパン２
０％（容量）と窒素８０％（容量）とを含む混合ガスを
常圧下、SV(GHSV) 2,000 hr-1、0.8℃／分の一定速度で
反応温度まで昇温した。 【００２０】生成ガス中の成分はインテグレーター付の
ガスクロマトグラフィーで分析した。使用カラムはＭＳ
−５Ａ、シリコンOVおよびVZ−１０であった。 【００２１】〔Ａ〕プロパン転化率の温度依存性の触媒
調製法による影響 各種濃度の白金またはガリウム担持アルミノシリケート
触媒およびガリウムシリケート触媒についての選択性と
温度との関係を調べ、アルミノシリケート触媒と比較
し、その結果を表−１に示した。 【００２２】表−１に示したPt／アルミノシリケート触
媒、Ga／アルミノシリケート触媒、Ga−シリケート触媒
およびＨ−ＺＳＭ−５触媒によるプロパン転化率と反応
温度（２００〜５００℃）との関係を第１図に示した。 【００２３】反応条件は供給ガスC3H8 ２０％（容
量）、N2 ８０％（容量）：ＳＶ＝２０００hr-1であっ
た。 【００２４】 【表１】 【００２５】表−１および第１図より含浸法およびイオ
ン交換法による触媒およびガリウム−シリケート触媒は
ともに反応温度３００℃付近から反応が開始されること
がわかった。また含浸法調製によるものは５００℃で転
化率が７０％にとヾまったが、イオン交換法調製による
ものは転化率が９０％以上に達した。 【００２６】これは担持されたPtおよびGaのシリケート
触媒のミクロ構造中への分散がイオン交換法の方がよい
ことにもとづくものと考察される。 【００２７】Pt／アルミノシリケート触媒（Al／Si＝２
５−３２００）についてPt含量が０．２５重量％以下で
はプロパン転化率が小さく、一方Pt含量が１．５重量％
以上では分解反応が主反応となり、芳香族選択率が小さ
い。好ましい範囲は０．５ないし１．０％（重量）であ
る。 【００２８】Ga／アルミノシリケート触媒（Al／Si＝２
５−３２００）およびGa−シリケート触媒についてもGa
含量はPtの場合と同様であった。 【００２９】〔Ｂ〕生成ガス中の炭化水素分布の温度依
存性 含浸法によって調製した０．５重量％Pt／アルミノシリ
ケート触媒（Si／Al＝４０）を使用した。 【００３０】反応条件は供給ガスC3H8 ２０％、N2 ８０
％：ＳＶ＝２０００hr-1反応温度３００〜５００℃であ
った。 【００３１】生成ガス中の芳香族炭化水素、C4以上のパ
ラフィン系炭化水素、C3H6、C2H4、C2H6、CH4およびC3H
8の分布状態を調べた。 【００３２】その結果を第２図に示した。 【００３３】また、イオン交換法により調製した０．５
重量％Pt／アルミノシリケート触媒（Si／Al＝４０）を
使用して同様に実験し、その結果を第３図に示した。 【００３４】更にイオン交換法により調製した１．０重
量％Pt／アルミノシリケート触媒（Si／Al＝４０）を用
いて同様に実験し、その結果は第４図に示した。 【００３５】反応条件は上記と同一であった。 【００３６】第２図、第３図および第４図において、同
一反応温度におけるプロパン転化率、生成ガス中のC1−
C2炭化水素および芳香族炭化水素の含量は含浸法よりイ
オン交換法によって調製した触媒の方が高いことがわか
った。 【００３７】また反応温度の依存性は含浸法で作った触
媒もイオン交換法で作った触媒も同様の傾向を示した。
すなわち、反応温度が高くなるに従って生成ガス中の
Ｃ、ないしC2炭化水素および芳香族炭化水素の含有率が
高くなり、反応温度４００℃以上では炭素数４以上の炭
化水素は殆んど芳香族炭化水素であった。 【００３８】これは供給ガス中のプロパンが触媒中の白
金成分の脱水素能によりプロペンになり、これが重合し
て重合オレフィンになるが、反応温度が高温であるため
重合オレフィンはすべてC1−C2炭化水素と芳香族に変換
したものと考えられる。 【００３９】 【発明の効果】脱水素機能を有する担持金属PtおよびGa
が高分散の状態でメタロシリケート触媒のミクロ構造中
に分散しているので、パラフィンから芳香族への変換反
応において高活性のため低温で反応が行われるので芳香
族の分解による選択性の低下を防止でき、芳香族の収率
が増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】プロパン転化率（％）と反応温度（℃）との関
係を示すグラフ。なお、曲線のNo.は触媒番号を示す。 【図２】含浸法によって調製した０．５（重量）％Pt／
アルミノシリケート触媒（No.1）の反応温度（℃）と生
成ガス中の炭化水素分布（c−wt％）との関係を示すグ
ラフ。 【図３】イオン交換法によって調製した０．５（重量）
％Pt／アルミノシリケート触媒（No.2）の反応温度
（℃）と生成ガス中の炭化水素分布（c−wt％）との関
係を示すグラフ。 【図４】イオン交換法によって調製した１．０重量％Pt
／アルミノシリケート触媒（No.3）の反応温度（℃）と
生成ガス中の炭化水素分布（c−wt％）との関係を示す
グラフ。
係を示すグラフ。なお、曲線のNo.は触媒番号を示す。 【図２】含浸法によって調製した０．５（重量）％Pt／
アルミノシリケート触媒（No.1）の反応温度（℃）と生
成ガス中の炭化水素分布（c−wt％）との関係を示すグ
ラフ。 【図３】イオン交換法によって調製した０．５（重量）
％Pt／アルミノシリケート触媒（No.2）の反応温度
（℃）と生成ガス中の炭化水素分布（c−wt％）との関
係を示すグラフ。 【図４】イオン交換法によって調製した１．０重量％Pt
／アルミノシリケート触媒（No.3）の反応温度（℃）と
生成ガス中の炭化水素分布（c−wt％）との関係を示す
グラフ。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ
Ｃ１０Ｇ 35/085 Ｃ１０Ｇ 35/085
// Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
C07C 15/02
B01J 29/06
B01J 29/068
C07C 2/76
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．低級パラフィン系炭化水素を、メタロシリケート触
媒の存在下で反応温度３００℃ないし５００℃で処理す
る低級パラフィン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換
方法であって、該メタロシリケートが次の組成 Ｓｉ／Ｇａ（原子比） ２５−３２００ ＯＨ−／ＳｉＯ２（モル比） ０．３−１．０ Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２（モル比） ３０−１００ Ｒ／Ｒ＋アルカリ金属（モル比） ０．０５−０．１５ ＮａＣｌ／Ｈ２Ｏ（モル比） ０．０１−０．０６ （式中、Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチオンであ
り、アルカリ金属はナトリウムイオンまたはカリウムイ
オンである）で表わされ、ガリウム塩、第４級アルキル
アンモニウムカチオンおよび無機塩を含む水溶液をＡ液
とし、ケイ酸塩水溶液をＢ液とし、イオン調整剤である
塩化ナトリウム水溶液をＣ液とし、Ａ液およびＢ液をそ
れぞれ一定速度でＣ液に添加し、この際にＡ液には前記
イオン調整剤を添加し、Ｃ液には第４級アルキルアンモ
ニウムカチオン、無機酸および水酸化アルカリを添加し
て各液組成の濃度変化を少なくしてＡ液およびＢ液をＣ
液へ添加し、得られたゲル混合物を擂潰、細分化し、擂
潰、細分化されたゲル混合物を室温から１５０℃ないし
１９０℃まで一定速度または指数函数的速度で昇温して
水熱合成反応を行なわせて製造されたメタロシリケート
であることを特徴とする低級パラフィン系炭化水素の芳
香族炭化水素への変換方法。 ２．前記メタロシリケートには、０．２５ないし１．５
重量％の白金またはガリウムが担持されている請求項１
に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309726A JP2875197B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 低級パラフィン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309726A JP2875197B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 低級パラフィン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59169367A Division JP2617291B2 (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 低級パラフイン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09328442A JPH09328442A (ja) | 1997-12-22 |
| JP2875197B2 true JP2875197B2 (ja) | 1999-03-24 |
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ID=17996565
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7309726A Expired - Lifetime JP2875197B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 低級パラフィン系炭化水素の芳香族炭化水素への変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875197B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089847A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Uop Llc | Co-current catalyst flow with feed for fractionated feed recombined and sent to high temperature reforming reactors |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101216831B1 (ko) | 2004-07-02 | 2012-12-28 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 액정 매질 |
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1995
- 1995-11-06 JP JP7309726A patent/JP2875197B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09328442A (ja) | 1997-12-22 |
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