JP2875066B2 - Probe cleaning device for tunnel microscope - Google Patents

Probe cleaning device for tunnel microscope

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    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/10STM [Scanning Tunnelling Microscopy] or apparatus therefor, e.g. STM probes
    • G01Q60/16Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、探針を3次元的に駆動
して試料にnmオーダで接近させ、そのときのトンネル
電流を検出する走査型トンネル顕微鏡(STM)用探針
のクリーニング装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe cleaning device for a scanning tunneling microscope (STM) for driving a probe three-dimensionally to approach a sample on the order of nm and detecting a tunnel current at that time. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】探針先端の原子と試料の原子との電子雲
とが重なり合うnmオーダまで探針の先端を試料表面に
近づけ、この状態で探針と試料との間にバイアス電圧を
印加すると、探針と試料間にトンネル電流が流れる。こ
の電流は、特に、探針と試料との間の距離(探針の高
さ)に依存するため、トンネル電流の大きさを測定する
ことにより試料と探針との間の距離を超精密に測定する
ことができる。
2. Description of the Related Art When the tip of a probe is brought close to the surface of the sample until the electron cloud of the atoms at the tip of the probe and the atoms of the sample overlap with each other, a bias voltage is applied between the probe and the sample in this state. Then, a tunnel current flows between the probe and the sample. Since this current depends particularly on the distance between the probe and the sample (height of the probe), the distance between the sample and the probe can be determined very precisely by measuring the magnitude of the tunnel current. Can be measured.

【0003】STMは、トンネル電流が一定になるよう
に探針の高さを制御しながら、探針を水平方向に走査し
たときの探針の高さの軌跡により試料表面の凹凸形状を
観察するものであり、表面原子配列を解析する上で注目
されている装置である。また、STMは、表面分析の手
段として定着しつつあり、さらに、その応用分野も表面
の原子位置を調べる顕微鏡法のみならず、表面の電子状
態を局所的に調べる分光法の分野にも広がってきてい
る。しかも、STMは、その原理、機構の簡便さ、さら
に装置サイズも小さいことから短期間に各種の分野に応
用されて普及してきており、例えば、表面の原子・分子
レベルを含めた凹凸像の観察を始め、原子間力を利用し
た原子間力顕微鏡、磁気力を利用した磁気力顕微鏡、金
属/半導体・半導体/半導体などの界面の電子構造の情
報が得られるバリステック顕微鏡などがあり、またデバ
イス分野における表面粗さ計、超微細加工装置への応用
などもある。しかし、STMがトンネル効果による電流
を使用している装置であるため、探針と試料の表面状態
が安定な画像を得るための重要な要因となる。しかし、
例えば、探針先端には水蒸気、ハイドロカーボン等が付
着し、試料表面の凹凸像の質が悪化してしまう。
In the STM, while controlling the height of the probe so that the tunnel current is constant, the unevenness of the surface of the sample is observed based on the locus of the height of the probe when the probe is scanned in the horizontal direction. This is a device that has attracted attention in analyzing surface atomic arrangements. In addition, STM is becoming established as a means of surface analysis, and its application field is expanding not only to microscopy for examining the atomic position of a surface but also to spectroscopy for locally examining the electronic state of a surface. ing. In addition, STM has been widely applied in various fields in a short period of time because of its principle, simple mechanism, and small device size. For example, observation of uneven images including surface atomic and molecular levels , Atomic force microscope using atomic force, magnetic force microscope using magnetic force, ballistic microscope that can obtain information on the electronic structure of the interface of metal / semiconductor / semiconductor / semiconductor, etc. There are also applications to surface roughness meters and ultra-fine processing equipment in the field. However, since the STM is an apparatus using a current by the tunnel effect, the surface condition of the probe and the sample is an important factor for obtaining a stable image. But,
For example, water vapor, hydrocarbon, and the like adhere to the tip of the probe, and the quality of the uneven image on the sample surface deteriorates.

【0004】そこで、探針をクリーニングする必要が生
ずるが、これまでの探針クリーニング方式としては、探
針をトンネル顕微鏡装置にセットした状態で装置全体を
焼き出す方法、FIM(Field Ion Micr
oscopy)法、イオンスパッタ法などが行われてい
る。
Therefore, it is necessary to clean the probe. Conventional methods for cleaning the probe include a method in which the probe is set in a tunnel microscope device and the entire device is burned out, and a FIM (Field Ion Micr).
oscopy) method, ion sputtering method, and the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、装置全体を焼
き出す方法では十分な清浄化を行うことはできず、また
FIM法やイオンスパッタ法では一旦探針を取外してク
リーニングする必要があり、そのため探針を汚してしま
ったり、清浄化して探針をSTMに取付けたときに探針
先端が試料面に垂直にセットされず、正確に試料の観察
面とならない場合も生じ、また装置が大型化してしまう
という問題もある。
However, the method of baking out the entire apparatus cannot perform sufficient cleaning, and the FIM method or the ion sputtering method requires that the probe be once removed and cleaned. When the probe is contaminated or cleaned and the probe is attached to the STM, the tip of the probe may not be set perpendicular to the sample surface, and may not accurately become the sample observation surface. There is also a problem that.

【0006】これまでのように、探針をトンネル電流が
一定になるように制御しながら試料表面を走査すること
によって試料の表面凹凸像を観察するのであれば、一定
のシーケンスにしたがって3次元スキャナの各圧電素子
を制御するだけでよいが、STMを走査型トンネル電子
分光法として使用してスペクトルをとる必要がある場
合、試料と探針の対向する表面が原子レベルで清浄であ
る必要があり、探針のクリーニングについての簡便な方
法の開発が望まれている。
As described above, if the surface of the sample is to be observed by scanning the surface of the sample while controlling the probe so that the tunnel current is constant, the three-dimensional scanner is required to follow a predetermined sequence. It is only necessary to control each of the piezoelectric elements, but if it is necessary to take a spectrum using STM as scanning tunneling electron spectroscopy, the opposing surfaces of the sample and the probe must be clean at the atomic level. It is desired to develop a simple method for cleaning the probe.

【0007】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、既に組み込まれている試料加熱用の端子を利用し、
探針を取り外さずにそのままの状態で極めて簡便にクリ
ーニングすることができるトンネル顕微鏡用探針清浄化
装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and utilizes an already incorporated terminal for heating a sample,
An object of the present invention is to provide a probe cleaning device for a tunnel microscope which can extremely easily clean the probe without removing the probe.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は探針を3次元的
に駆動し、試料に探針を近づけてトンネル電流を検出す
る走査型トンネル顕微鏡において、探針と対向する位置
に試料を固定するカートリッジ型試料ホルダに探針加熱
用ヒータを設けて加熱用ホルダを構成し、前記ヒータに
通電することにより探針を加熱クリーニングすることを
特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, in a scanning tunneling microscope for driving a probe three-dimensionally, approaching the probe to the sample and detecting tunnel current, the sample is fixed at a position facing the probe. A heater for probe heating is provided on a cartridge-type sample holder to be formed to constitute a heating holder, and the probe is heated and cleaned by energizing the heater.

【0009】また、本発明は、探針との間に高電圧を印
加する電極を配置し、探針に高電圧を印加しながら加熱
することを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that an electrode for applying a high voltage is arranged between the probe and the probe, and the probe is heated while applying a high voltage to the probe.

【0010】[0010]

【作用】本発明のトンネル顕微鏡用探針清浄化装置は、
試料加熱、バイアス電圧の印加、トンネル電流の検出等
のための端子を有するカートリッジ型の試料ホルダに加
熱用ヒータを設けて試料ホルダと同一形状の加熱用ホル
ダを構成し、試料ホルダと加熱用ホルダの交換のみによ
って探針をスキャナヘッドから取り外すことなく、間接
的に加熱クリーニングすることができる。また、探針と
対向する電極を設けて高電圧を印加することにより、探
針先端のクリーニングとともに、形状をリモルドするこ
とも可能であり、また探針に金属イオン源を付けて加熱
することにより、試料に対して金属を蒸着させることも
可能である。
The probe cleaning device for a tunnel microscope according to the present invention comprises:
A cartridge-type sample holder having terminals for heating a sample, applying a bias voltage, detecting a tunnel current, and the like is provided with a heater for heating to form a heating holder having the same shape as the sample holder. By only exchanging the probe, the probe can be indirectly heated and cleaned without removing the probe from the scanner head. In addition, by applying a high voltage by providing an electrode facing the probe, it is possible to remold the shape while cleaning the tip of the probe, and by heating the probe with a metal ion source attached. It is also possible to deposit a metal on the sample.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明のトンネル顕微鏡用探針清浄化
装置の1実施例を示す図である。図中、1は加熱ホル
ダ、2a、2bは電流導入端子、3はヒータ、4は外部
ホルダ、5は絶縁碍子、6、7はステージ電極部、8は
探針、9は探針ホルダ、10は圧電走査素子、11は固
定ホルダ、12はマグネティックローダである。
FIG. 1 is a view showing an embodiment of a probe cleaning apparatus for a tunnel microscope according to the present invention. In the figure, 1 is a heating holder, 2a and 2b are current introduction terminals, 3 is a heater, 4 is an external holder, 5 is an insulator, 6 and 7 are stage electrode portions, 8 is a probe, 9 is a probe holder, 10 Is a piezoelectric scanning element, 11 is a fixed holder, and 12 is a magnetic loader.

【0012】加熱ホルダ1は、外部ホルダ4に取り付け
られた絶縁碍子5の端部に電流導入端子2a、2bが設
けられており、通常は絶縁碍子5上に試料が取付けられ
てカートリッジタイプの試料ホルダとして機能するもの
である。この加熱ホルダ1は、マグネティックローダ1
2に外部ホルダ4がネジ止めされ、真空外から図示しな
い磁石によりマグネティックローダ12を操作すること
により移動させることができ、試料ステージ(図示せ
ず)の電極部6、7に装着される。加熱ホルダ1の電流
導入端子2a、2bは試料加熱、トンネル電流の検出、
バイアス電圧印加用等に使用されるものである。
The heating holder 1 is provided with current introduction terminals 2a and 2b at the ends of an insulator 5 attached to an outer holder 4. Usually, a sample is mounted on the insulator 5 and a cartridge type sample is provided. It functions as a holder. This heating holder 1 is a magnetic loader 1
The external holder 4 is screwed to the base 2 and can be moved by operating the magnetic loader 12 by a magnet (not shown) from outside the vacuum, and attached to the electrode portions 6 and 7 of the sample stage (not shown). The current introduction terminals 2a and 2b of the heating holder 1 heat the sample, detect the tunnel current,
It is used for bias voltage application and the like.

【0013】図1は、既存の試料ホルダに探針加熱用の
ヒータ3を取りつけて加熱ホルダとしたものであり、本
実施例ではヒータとしてタングステン線などの高融点線
材を用いる。このタングステン線はコイル状に巻かれて
おり、マグネティックローダ12を操作して試料ホルダ
1をステージ電極部6、7に装着するとホルダ側の電流
導入端子2a、2bはステージ電極部に接触するので、
ステージ電極部を通して通電し、加熱することができ
る。したがって、対向する圧電走査素子10に取付けら
れている探針3をコイル内に挿入することにより加熱ク
リーニングが可能になる。このように、既存の試料ホル
ダに、単にヒータを設けるだけで、通常の試料加熱のよ
うな方法で探針を取り外すことなく加熱クリーニングす
ることができる。
FIG. 1 shows a heating holder in which a heater 3 for heating a probe is attached to an existing sample holder. In this embodiment, a high melting point wire such as a tungsten wire is used as a heater. The tungsten wire is wound in a coil shape. When the magnetic loader 12 is operated to mount the sample holder 1 on the stage electrode portions 6 and 7, the current introduction terminals 2a and 2b on the holder side contact the stage electrode portion.
Electricity can be passed through the stage electrode portion to heat it. Therefore, heat cleaning can be performed by inserting the probe 3 attached to the opposing piezoelectric scanning element 10 into the coil. Thus, by simply providing a heater on the existing sample holder, heating cleaning can be performed without removing the probe by a method such as ordinary sample heating.

【0014】図2は加熱ホルダの例を示す図である。図
2に示す加熱ホルダは、ヒータ3がコイル状であり、マ
グネティックローダと嵌合する外部ホルダ4が絶縁碍子
5の周囲に環状に設けられており、マグネティックロー
ダの先端を外部ホルダ4の内側または外側に押し込んで
嵌合させ、図示しない真空外の磁石により加熱ホルダを
電極ステージに装着し、探針先端をコイル内にセットし
て電流導入端子2a、2bを通して通電することにより
ヒータ3で探針を加熱クリーニングする。
FIG. 2 shows an example of a heating holder. In the heating holder shown in FIG. 2, the heater 3 has a coil shape, and an external holder 4 that fits with the magnetic loader is provided in an annular shape around the insulator 5, and the tip of the magnetic loader is placed inside or outside the external holder 4. The heater is attached to the electrode stage by pressing it outward, and the heating holder is mounted on the electrode stage by a magnet (not shown) outside the vacuum. Heat cleaning.

【0015】図3は加熱ホルダの他の例を示す図であ
る。図3に示すホルダはヒータ3がカップ状のものであ
り、図2の場合と同様に探針先端をヒータカップに入れ
て加熱することによりクリーニングすることができる。
図4は本発明の他の実施例を示す図である。本実施例は
図1に示すようなヒータに探針を挿入したときに、探針
に対向した位置に外部電源から高電圧が印加できる針状
電極13を配置したものであり、外部電源から高電圧を
印加することにより電界蒸発により探針先端を清浄化す
ることができ、また探針先端を安定した形状にリモルド
することも可能である。
FIG. 3 is a view showing another example of the heating holder. In the holder shown in FIG. 3, the heater 3 has a cup shape, and can be cleaned by placing the tip of the probe in a heater cup and heating the same as in the case of FIG.
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, when the probe is inserted into a heater as shown in FIG. 1, a needle electrode 13 to which a high voltage can be applied from an external power supply is arranged at a position facing the probe. By applying a voltage, the tip of the probe can be cleaned by electric field evaporation, and the tip of the probe can be remolded into a stable shape.

【0016】図5はヒータ3に探針を挿入したときに、
探針に対向した位置に金属プレート14を対向電極とし
て用いた例を示している。
FIG. 5 shows that when a probe is inserted into the heater 3,
An example is shown in which a metal plate 14 is used as a counter electrode at a position facing the probe.

【0017】本実施例では金属プレート14に探針をn
mオーダで接近させ、金属プレートと探針間のトンネル
電流を検出して金属プレート14表面のSTM像を観察
しながら探針をクリーニングすることが可能である。ま
た、探針にガリウムやゲルマニウムなどの金属イオン源
15を付けることにより、試料に対して金属が蒸着して
いく様子も観察することが可能となる。
In this embodiment, the probe is connected to the metal plate 14 by n.
The probe can be cleaned while approaching in the order of m, detecting the tunnel current between the metal plate and the probe, and observing the STM image on the surface of the metal plate 14. In addition, by attaching a metal ion source 15 such as gallium or germanium to the probe, it is possible to observe how the metal is deposited on the sample.

【0018】なお、上記実施例では超高真空に保持した
状態でクリーニングを行う例について説明したが、探針
の周囲のみガスを導入する機構を設け、プラズマ放電を
起こさせて探針先端をエッチングすることにより清浄化
するようにしてもよい。
Although the above embodiment has been described with respect to an example in which cleaning is performed while maintaining an ultra-high vacuum, a mechanism for introducing gas only around the probe is provided to cause plasma discharge to etch the tip of the probe. By doing so, the cleaning may be performed.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、既存の試
料ホルダを利用して探針加熱用ヒータを取り付けて加熱
ホルダを構成し、探針加熱することにより簡単にクリー
ニングすることができ、また、金属イオン源等を探針に
付けて加熱することにより、試料に対して金属を蒸着す
ることができるので蒸着の様子等を観察することが可能
となり、また高電圧を印加しながら探針を加熱すること
により、探針先端を電界蒸発を利用して清浄化すること
ができる。
As described above, according to the present invention, a probe holder heater is mounted using an existing sample holder to constitute a heating holder, and cleaning can be easily performed by heating the probe. Also, by attaching a metal ion source or the like to the probe and heating it, the metal can be deposited on the sample, so that it is possible to observe the state of the deposition, etc., and to probe while applying a high voltage. By heating the needle, the tip of the probe can be cleaned using electric field evaporation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 トンネル顕微鏡用探針清浄化装置の1実施例
を示す図である。
FIG. 1 is a view showing one embodiment of a probe cleaning device for a tunnel microscope.

【図2】 コイルヒータを用いた加熱ホルダの例を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a heating holder using a coil heater.

【図3】 カップヒータを用いた加熱ホルダの例を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a heating holder using a cup heater.

【図4】 電解蒸発を利用したクリーニングを説明する
図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating cleaning using electrolytic evaporation.

【図5】 STM像を観察しながらクリーニングする例
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of cleaning while observing an STM image.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…加熱ホルダ、2a、2b…電流導入端子、3…ヒー
タ、4…外部ホルダ、5…絶縁碍子、6、7…ステージ
電極部、8…探針、9…探針ホルダ、10…圧電走査素
子、11…固定ホルダ、12…マグネティックローダ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Heating holder, 2a, 2b ... Current introduction terminal, 3 ... Heater, 4 ... External holder, 5 ... Insulator, 6, 7 ... Stage electrode part, 8 ... Probe, 9 ... Probe holder, 10 ... Piezoelectric scanning Element, 11: fixed holder, 12: magnetic loader.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 7/34 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01B 7/34

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 探針を3次元的に駆動し、試料に探針を
近づけてトンネル電流を検出する走査型トンネル顕微鏡
において、探針と対向する位置に試料を固定するカート
リッジ型試料ホルダに探針加熱用ヒータを設けて加熱用
ホルダを構成し、前記ヒータに通電することにより探針
を加熱クリーニングすることを特徴とするトンネル顕微
鏡用探針清浄化装置。
In a scanning tunneling microscope in which a probe is three-dimensionally driven to bring a probe close to a sample and a tunnel current is detected, a probe is mounted on a cartridge type sample holder for fixing the sample at a position facing the probe. A probe cleaning device for a tunnel microscope, comprising a heater for heating provided with a needle heater, and heating and cleaning the probe by energizing the heater.
【請求項2】 請求項1記載の装置において、探針との
間に高電圧を印加する電極を配置し、探針に高電圧を印
加しながら加熱することを特徴とするトンネル顕微鏡用
探針清浄化装置。
2. The probe according to claim 1, wherein an electrode for applying a high voltage is arranged between the probe and the probe, and the probe is heated while applying a high voltage to the probe. Purification equipment.
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US7361893B1 (en) * 2005-09-30 2008-04-22 Ut-Battelle, Llc In situ scanning tunneling microscope tip treatment device for spin polarization imaging
CN107560573B (en) * 2017-08-31 2019-08-09 安徽理工大学 A kind of suspension-wire type stiffness variable micro-nano gauge head
CN114392985B (en) * 2022-01-19 2023-10-10 南京理工大学 Method for cleaning near-local electrode of three-dimensional atomic probe by using Tesla coil

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