JP2870217B2 - 振動式半導体トランスデュ−サ - Google Patents
振動式半導体トランスデュ−サInfo
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- JP2870217B2 JP2870217B2 JP12145991A JP12145991A JP2870217B2 JP 2870217 B2 JP2870217 B2 JP 2870217B2 JP 12145991 A JP12145991 A JP 12145991A JP 12145991 A JP12145991 A JP 12145991A JP 2870217 B2 JP2870217 B2 JP 2870217B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力或いは差圧などに
より生じる歪に対応する信号を出力する振動式半導体ト
ランスデュ−サに係り、特に振動子が格納されるセンサ
カプセルと駆動回路を含むセンサアンプとの間の気密を
保持するためのハ−メチック端子の接続本数を削減して
小形化が可能なように改良した振動式半導体トランスデ
ュ−サに関する。
より生じる歪に対応する信号を出力する振動式半導体ト
ランスデュ−サに係り、特に振動子が格納されるセンサ
カプセルと駆動回路を含むセンサアンプとの間の気密を
保持するためのハ−メチック端子の接続本数を削減して
小形化が可能なように改良した振動式半導体トランスデ
ュ−サに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の振動式半導体トランスデュ
−サの電気的接続の全体構成を示す構成図である。１０
はセンサカプセルであり、１１はセンサアンプである。
これ等のセンサカプセル１０とセンサアンプ１１は１つ
の筐体の中に収納されているが、センサカプセル１０と
センサアンプ１１との間はこれ等の間の気密を保持する
ために複数のハ−メチック形の端子を介して信号などが
伝送される。
−サの電気的接続の全体構成を示す構成図である。１０
はセンサカプセルであり、１１はセンサアンプである。
これ等のセンサカプセル１０とセンサアンプ１１は１つ
の筐体の中に収納されているが、センサカプセル１０と
センサアンプ１１との間はこれ等の間の気密を保持する
ために複数のハ−メチック形の端子を介して信号などが
伝送される。
【０００３】センサカプセル１０の中にはシリコンの基
板１２に形成されたＨ形の構成を持つ振動子本体１３、
１４、温度センサ１５などが収納されている。振動子本
体１３の出力端１６、１７は検出端子１８Ａ、１９Ａ
に、駆動端２０、２１は供給端子２２Ａ、２３Ａにそれ
ぞれ接続されている。
板１２に形成されたＨ形の構成を持つ振動子本体１３、
１４、温度センサ１５などが収納されている。振動子本
体１３の出力端１６、１７は検出端子１８Ａ、１９Ａ
に、駆動端２０、２１は供給端子２２Ａ、２３Ａにそれ
ぞれ接続されている。
【０００４】さらに、振動子本体１４の出力端２４、２
５は検出端子２６Ａ、２７Ａに、駆動端２８、２９は供
給端子３０Ａ、３１Ａにそれぞれ接続されている。ま
た、基板１２にダイオ−ドの直列接続により形成された
温度センサ１５はそのアノ−ド端が接続端子３２Ａに、
カソ−ド端が接続端子３３Ａにそれぞれ接続されてい
る。また、基板１２は共通端子３４Ａに接続されてい
る。
５は検出端子２６Ａ、２７Ａに、駆動端２８、２９は供
給端子３０Ａ、３１Ａにそれぞれ接続されている。ま
た、基板１２にダイオ−ドの直列接続により形成された
温度センサ１５はそのアノ−ド端が接続端子３２Ａに、
カソ−ド端が接続端子３３Ａにそれぞれ接続されてい
る。また、基板１２は共通端子３４Ａに接続されてい
る。
【０００５】センサカプセル１０の検出端子１８Ａ、１
９Ａ、供給端子２２Ａ、２３Ａ、供給端子３０Ａ、３１
Ａ、接続端子３２Ａ、３３Ａ、共通端子３４Ａに対応し
て、センサアンプ１１にはそれぞれ検出端子１８Ｂ、１
９Ｂ、供給端子２２Ｂ、２３Ｂ、供給端子３０Ｂ、３１
Ｂ、接続端子３２Ｂ、３３Ｂ、共通端子３４Ｂが設けら
れている。これ等の端子は同一番号の添字Ａ、Ｂが一体
となってハ−メチック端子として構成されている。
９Ａ、供給端子２２Ａ、２３Ａ、供給端子３０Ａ、３１
Ａ、接続端子３２Ａ、３３Ａ、共通端子３４Ａに対応し
て、センサアンプ１１にはそれぞれ検出端子１８Ｂ、１
９Ｂ、供給端子２２Ｂ、２３Ｂ、供給端子３０Ｂ、３１
Ｂ、接続端子３２Ｂ、３３Ｂ、共通端子３４Ｂが設けら
れている。これ等の端子は同一番号の添字Ａ、Ｂが一体
となってハ−メチック端子として構成されている。
【０００６】検出端子１８Ｂ、１９Ｂは入力トランス３
５の一次巻線に、その二次巻線は増幅器３６の入力端に
接続されている。増幅器３６の出力端は可変ゲイン増幅
器３７の入力端とＡＧＣ制御回路３８の入力端にそれぞ
れ接続され、このＡＧＣ制御６路３８の出力により可変
ゲイン増幅器３７のゲインが変更される。
５の一次巻線に、その二次巻線は増幅器３６の入力端に
接続されている。増幅器３６の出力端は可変ゲイン増幅
器３７の入力端とＡＧＣ制御回路３８の入力端にそれぞ
れ接続され、このＡＧＣ制御６路３８の出力により可変
ゲイン増幅器３７のゲインが変更される。
【０００７】この可変ゲイン増幅器３７の出力端は駆動
トランス３９の一次巻線に接続されその二次巻線は供給
端子２２Ｂ、２３Ｂに接続されている。そして、振動子
本体１３、入力トランス３５、増幅器３６、ＡＧＣ制御
回路３７、可変ゲイン増幅器３７、駆動トランス３９な
どにより自励発振回路を構成している。さらに、この自
励発振回路の発振周波数ｆ1 はコンパレ−タ４０を介し
て計数回路４１に出力される。
トランス３９の一次巻線に接続されその二次巻線は供給
端子２２Ｂ、２３Ｂに接続されている。そして、振動子
本体１３、入力トランス３５、増幅器３６、ＡＧＣ制御
回路３７、可変ゲイン増幅器３７、駆動トランス３９な
どにより自励発振回路を構成している。さらに、この自
励発振回路の発振周波数ｆ1 はコンパレ−タ４０を介し
て計数回路４１に出力される。
【０００８】ＡＧＣ制御回路３７は発振周波数ｆ1 の振
幅を検出してこれが所定の大きさになるように可変ゲイ
ン増幅器３７のゲインを制御し、コンパレ−タ４０は発
振周波数ｆ1 の波形を整形する。検出端子２６Ｂ、２７
Ｂは入力トランス４２の一次巻線に、その二次巻線は増
幅器４３の入力端に接続されている。増幅器４３の出力
端は可変ゲイン増幅器４４の入力端とＡＧＣ制御回路４
５の入力端にそれぞれ接続され、このＡＧＣ制御回路４
５の出力により可変ゲイン増幅器４４のゲインが変更さ
れる。
幅を検出してこれが所定の大きさになるように可変ゲイ
ン増幅器３７のゲインを制御し、コンパレ−タ４０は発
振周波数ｆ1 の波形を整形する。検出端子２６Ｂ、２７
Ｂは入力トランス４２の一次巻線に、その二次巻線は増
幅器４３の入力端に接続されている。増幅器４３の出力
端は可変ゲイン増幅器４４の入力端とＡＧＣ制御回路４
５の入力端にそれぞれ接続され、このＡＧＣ制御回路４
５の出力により可変ゲイン増幅器４４のゲインが変更さ
れる。
【０００９】この可変ゲイン増幅器４４の出力端は駆動
トランス４６の一次巻線に接続されその二次巻線は供給
端子３０Ｂ、３１Ｂに接続されている。そして、振動子
本体１４、入力トランス４２、増幅器４３、ＡＧＣ制御
回路４５、可変ゲイン増幅器４４、駆動トランス４６な
どにより自励発振回路を構成している。この自励発振回
路の発振周波数ｆ2 は発振周波数ｆ1 とは異なる周波数
であり、コンパレ−タ４７を介して計数回路４８に出力
される。ＡＧＣ制御回路４５は発振周波数ｆ2 の振幅を
検出してこれが所定の大きさになるように可変ゲイン増
幅器４４のゲインを制御し、コンパレ−タ４７は発振周
波数ｆ2 の波形を整形する。
トランス４６の一次巻線に接続されその二次巻線は供給
端子３０Ｂ、３１Ｂに接続されている。そして、振動子
本体１４、入力トランス４２、増幅器４３、ＡＧＣ制御
回路４５、可変ゲイン増幅器４４、駆動トランス４６な
どにより自励発振回路を構成している。この自励発振回
路の発振周波数ｆ2 は発振周波数ｆ1 とは異なる周波数
であり、コンパレ−タ４７を介して計数回路４８に出力
される。ＡＧＣ制御回路４５は発振周波数ｆ2 の振幅を
検出してこれが所定の大きさになるように可変ゲイン増
幅器４４のゲインを制御し、コンパレ−タ４７は発振周
波数ｆ2 の波形を整形する。
【００１０】４９は定電流回路であり、ここから一定の
定電流Ｉc が接続端子３２Ｂ、３２Ａ、温度センサ１
５、接続端子３３Ａ、３３Ｂを介してシリコン基板１２
と接続された共通電位点ＣＯＭに流される。したがっ
て、温度センサ１５の両端にはこの温度センサ１５に発
生する基板１２の温度に依存する温度電圧ＶT が発生
し、この温度電圧ＶT は電圧／周波数変換器５０で周波
数信号ｆT に変換されて計数回路５１に出力されてい
る。
定電流Ｉc が接続端子３２Ｂ、３２Ａ、温度センサ１
５、接続端子３３Ａ、３３Ｂを介してシリコン基板１２
と接続された共通電位点ＣＯＭに流される。したがっ
て、温度センサ１５の両端にはこの温度センサ１５に発
生する基板１２の温度に依存する温度電圧ＶT が発生
し、この温度電圧ＶT は電圧／周波数変換器５０で周波
数信号ｆT に変換されて計数回路５１に出力されてい
る。
【００１１】マイクロプロセッサ５２は計数回路４１、
４８で計数された計数値に基づいて、実質的に発振周波
数ｆ1 とｆ2 との差を演算し、さらに計数回路５１の計
数値に基づいてこれ等に対して温度補償を実行し、基板
１２に印加された差圧ΔＰなどに起因する歪に対応する
信号を出力端５３に出力する。
４８で計数された計数値に基づいて、実質的に発振周波
数ｆ1 とｆ2 との差を演算し、さらに計数回路５１の計
数値に基づいてこれ等に対して温度補償を実行し、基板
１２に印加された差圧ΔＰなどに起因する歪に対応する
信号を出力端５３に出力する。
【００１２】次に、以上のように構成された振動子本体
が固定されるシリコン基板の具体的な構成について図３
を用いて説明する。図３（イ）はシリコン基板の上面
図、図３（ロ）はその断面図である。シリコン基板１２
は外径が矩形状をなしており、周囲に肉厚部５４を有し
中央部に凹部５５が形成されて薄肉状のダイアフラム５
６とされている。振動子本体１３はダイアフラム５６の
上部の中央部分に、振動子本体１４は肉厚部５４とダイ
アフラム５６との境界部にそれぞれ形成されている。
が固定されるシリコン基板の具体的な構成について図３
を用いて説明する。図３（イ）はシリコン基板の上面
図、図３（ロ）はその断面図である。シリコン基板１２
は外径が矩形状をなしており、周囲に肉厚部５４を有し
中央部に凹部５５が形成されて薄肉状のダイアフラム５
６とされている。振動子本体１３はダイアフラム５６の
上部の中央部分に、振動子本体１４は肉厚部５４とダイ
アフラム５６との境界部にそれぞれ形成されている。
【００１３】そして、図３（イ）に示すように振動子本
体１３のＨ形の長手方向の長さは振動子本体１４のＨ形
の長さに対して、例えば短くして振動子本体１３と１４
とが互いに異なる固有周波数になるようにされている。
なお、シリコン基板１２は円形、或いは多角形でも良
い。図４（イ）に示すように凹部５５側から例えば圧力
ＰH が印加されたときは図中に矢印で示すように振動子
本体１３には引張応力が、振動子本体１４には圧縮応力
がそれぞれ働く。また、これとは反対にダイアフラム５
６の外部から圧力ＰL が印加されたときは振動子本体１
３には圧縮応力が、振動子本体１４には引張応力がそれ
ぞれ働く。ＰH ＝ＰL である静圧下では等しく圧縮応力
が働く。
体１３のＨ形の長手方向の長さは振動子本体１４のＨ形
の長さに対して、例えば短くして振動子本体１３と１４
とが互いに異なる固有周波数になるようにされている。
なお、シリコン基板１２は円形、或いは多角形でも良
い。図４（イ）に示すように凹部５５側から例えば圧力
ＰH が印加されたときは図中に矢印で示すように振動子
本体１３には引張応力が、振動子本体１４には圧縮応力
がそれぞれ働く。また、これとは反対にダイアフラム５
６の外部から圧力ＰL が印加されたときは振動子本体１
３には圧縮応力が、振動子本体１４には引張応力がそれ
ぞれ働く。ＰH ＝ＰL である静圧下では等しく圧縮応力
が働く。
【００１４】このため、圧力による振動子本体１３と１
４との固有振動数の変化の差をマイクロプロセッサ５２
で演算することにより静圧の影響を相殺しながら感度を
大きくすることができる。次に、振動子本体の具体的な
構成について説明する。振動子本体１３側と１４側との
自励発振回路の構成は基本的に同一であるので、振動子
本体１３側をベ−スとしてその概要について図５と図６
を用いて説明する。図５、図６は振動子自体の具体的な
構成を示す構成図である。図６は図５に示す振動子本体
の要部の構成を示し、図６（イ）は振動子本体の上部を
覆うシェルを除去したときの上面図、図６（ロ）は図６
（イ）のＸ−Ｘ´断面をそれぞれ示している。
４との固有振動数の変化の差をマイクロプロセッサ５２
で演算することにより静圧の影響を相殺しながら感度を
大きくすることができる。次に、振動子本体の具体的な
構成について説明する。振動子本体１３側と１４側との
自励発振回路の構成は基本的に同一であるので、振動子
本体１３側をベ−スとしてその概要について図５と図６
を用いて説明する。図５、図６は振動子自体の具体的な
構成を示す構成図である。図６は図５に示す振動子本体
の要部の構成を示し、図６（イ）は振動子本体の上部を
覆うシェルを除去したときの上面図、図６（ロ）は図６
（イ）のＸ−Ｘ´断面をそれぞれ示している。
【００１５】振動子本体１３は、例えば伝導形式がｎ形
のシリコン単結晶で出来たダイアフラム５６の上に一体
に形成されたｐ形のシリコンで出来た第１振動子１３
Ａ、１３Ｂと第２振動子１３Ｃで構成されるＨ形の振動
子として構成されている。ダイアフラム５６は、周囲に
肉厚部（図示せず）５４を有するｎ形のシリコン基板の
下面の中央部をエッチングして薄肉として形成されてお
り、測定圧力がこの面に印加されることによって全体と
して変位する。このダイアフラム５６の上面の結晶面
（１００）の一部にはエッチングにより各振動子が収納
されるＨ形状の凹部５７が形成されている。
のシリコン単結晶で出来たダイアフラム５６の上に一体
に形成されたｐ形のシリコンで出来た第１振動子１３
Ａ、１３Ｂと第２振動子１３Ｃで構成されるＨ形の振動
子として構成されている。ダイアフラム５６は、周囲に
肉厚部（図示せず）５４を有するｎ形のシリコン基板の
下面の中央部をエッチングして薄肉として形成されてお
り、測定圧力がこの面に印加されることによって全体と
して変位する。このダイアフラム５６の上面の結晶面
（１００）の一部にはエッチングにより各振動子が収納
されるＨ形状の凹部５７が形成されている。
【００１６】この凹部５７を跨ぐようにして、梁状の第
１振動子１３Ａ、１３Ｂがそれぞれ結晶軸＜００１＞に
平行にダイアフラム５６と一体にｐ形で形成され、これ
等の中央部をこれ等の振動子に直角にｐ形の梁状の第２
振動子１３Ｃで結合してＨ形の振動子が形成されてい
る。この第１振動子１３Ａの両端には駆動電極として機
能する駆動端２０と２１が、更に第１振動子１３Ｂの両
端には出力電極として機能する出力端１６と１７が形成
されている。
１振動子１３Ａ、１３Ｂがそれぞれ結晶軸＜００１＞に
平行にダイアフラム５６と一体にｐ形で形成され、これ
等の中央部をこれ等の振動子に直角にｐ形の梁状の第２
振動子１３Ｃで結合してＨ形の振動子が形成されてい
る。この第１振動子１３Ａの両端には駆動電極として機
能する駆動端２０と２１が、更に第１振動子１３Ｂの両
端には出力電極として機能する出力端１６と１７が形成
されている。
【００１７】そして、出力端１６、１７はそれぞれ検出
端子１８Ａ、１９Ａに、駆動端２０、２１は供給端子２
２Ａ、２３Ａにそれぞれ接続されている。なお、以上の
図５、図６においては説明の便宜上、ダイアフラム５６
の上部を覆うシェルを除いて記載しているが、実際には
第１振動子１３Ａ、１３Ｂ、および第２振動子１３Ｃの
周囲は所定の間隙を以てエピタキシャル成長などの半導
体技術でダイアフラム５６と一体に覆われ、更にこの間
隙の内部は真空に保持され振動子の振動に対して高いＱ
フアクタが維持されるようになっている。
端子１８Ａ、１９Ａに、駆動端２０、２１は供給端子２
２Ａ、２３Ａにそれぞれ接続されている。なお、以上の
図５、図６においては説明の便宜上、ダイアフラム５６
の上部を覆うシェルを除いて記載しているが、実際には
第１振動子１３Ａ、１３Ｂ、および第２振動子１３Ｃの
周囲は所定の間隙を以てエピタキシャル成長などの半導
体技術でダイアフラム５６と一体に覆われ、更にこの間
隙の内部は真空に保持され振動子の振動に対して高いＱ
フアクタが維持されるようになっている。
【００１８】以上の構成において、駆動トランス３９に
可変ゲイン増幅器３７から出力された駆動電圧により、
第一振動子１３Ａが磁石５８の磁場との相互作用により
励振されて振動する。この振動により、第一振動子１３
Ａは第二振動子１３Ｃを介して振動させられこの振動は
磁石５８との相互作用により入力トランス３５の入力端
に起電力ｅを発生させる。この起電力ｅは入力トランス
３５を介して増幅器３６に入力され増幅されて出力端に
取出される。この増幅された電圧は駆動トランス３９に
正帰還され、これが繰り返されて系が自励発振をする。
可変ゲイン増幅器３７から出力された駆動電圧により、
第一振動子１３Ａが磁石５８の磁場との相互作用により
励振されて振動する。この振動により、第一振動子１３
Ａは第二振動子１３Ｃを介して振動させられこの振動は
磁石５８との相互作用により入力トランス３５の入力端
に起電力ｅを発生させる。この起電力ｅは入力トランス
３５を介して増幅器３６に入力され増幅されて出力端に
取出される。この増幅された電圧は駆動トランス３９に
正帰還され、これが繰り返されて系が自励発振をする。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような振動式半導体トランスデュ−サのセンサカプセル
１０には、検出端子１８Ａ、１９Ａ、供給端子２２Ａ、
２３Ａ、検出端子２６Ａ、２７Ａ、供給端子３０Ａ、３
１Ａ、接続端子３２Ａ、３３Ａ、共通端子３４Ａの合計
１１本もの端子を必要とする。これ等の端子はセンサカ
プセル１０とセンサアンプ１１との間を気密を保持しな
がら電気的に接続する必要があるので、ハ−メチック端
子を必要とするが、このように多くの端子を用いるハ−
メチック端子を使用すると、大きなスペ−スを必要とす
るので耐圧力を保持するのが困難になると共に小形化の
障害ともなり、さらにコストの上昇につながるという問
題がある。
ような振動式半導体トランスデュ−サのセンサカプセル
１０には、検出端子１８Ａ、１９Ａ、供給端子２２Ａ、
２３Ａ、検出端子２６Ａ、２７Ａ、供給端子３０Ａ、３
１Ａ、接続端子３２Ａ、３３Ａ、共通端子３４Ａの合計
１１本もの端子を必要とする。これ等の端子はセンサカ
プセル１０とセンサアンプ１１との間を気密を保持しな
がら電気的に接続する必要があるので、ハ−メチック端
子を必要とするが、このように多くの端子を用いるハ−
メチック端子を使用すると、大きなスペ−スを必要とす
るので耐圧力を保持するのが困難になると共に小形化の
障害ともなり、さらにコストの上昇につながるという問
題がある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決するための構成として、測定すべき歪が印加される
シリコン基板上に設けられた第１・第２のＨ形の振動子
本体と、このシリコン基板に設けられこのシリコン基板
の温度を検出して温度信号として出力する温度センサ
と、先の各振動子本体から出力される出力信号を導出す
る第１・第２の各一対の検出端子と、温度センサから引
き出された一対の接続端と、第１振動子本体に駆動信号
が供給される第１供給端子と、第２振動子本体に駆動信
号が供給される第２供給端子と、第１・第２振動子本体
に供給される各駆動信号の帰路となり温度センサの接続
端の一方が接続されかつシリコン基板の電位と同一電位
に保持された共通端子とを有するセンサカプセルと、第
１検出端子に入力端が接続されその出力端は第１供給端
子に接続されて自励発振を起こして第１周波数を出力す
る第１増幅手段と、第２検出端子に入力端が接続されそ
の出力端は第２供給端子に接続されて自励発振を起こし
て第２周波数を出力する第２増幅手段と、第１周波数と
前記第２周波数との差を演算すると共に温度信号を用い
て温度補正をして歪に対応する信号を出力する演算手段
を有するセンサアンプとを具備するようにしたものであ
る。
解決するための構成として、測定すべき歪が印加される
シリコン基板上に設けられた第１・第２のＨ形の振動子
本体と、このシリコン基板に設けられこのシリコン基板
の温度を検出して温度信号として出力する温度センサ
と、先の各振動子本体から出力される出力信号を導出す
る第１・第２の各一対の検出端子と、温度センサから引
き出された一対の接続端と、第１振動子本体に駆動信号
が供給される第１供給端子と、第２振動子本体に駆動信
号が供給される第２供給端子と、第１・第２振動子本体
に供給される各駆動信号の帰路となり温度センサの接続
端の一方が接続されかつシリコン基板の電位と同一電位
に保持された共通端子とを有するセンサカプセルと、第
１検出端子に入力端が接続されその出力端は第１供給端
子に接続されて自励発振を起こして第１周波数を出力す
る第１増幅手段と、第２検出端子に入力端が接続されそ
の出力端は第２供給端子に接続されて自励発振を起こし
て第２周波数を出力する第２増幅手段と、第１周波数と
前記第２周波数との差を演算すると共に温度信号を用い
て温度補正をして歪に対応する信号を出力する演算手段
を有するセンサアンプとを具備するようにしたものであ
る。
【００２１】
【作 用】第１振動子本体と第２振動子本体の固有振動
数が各々異なっていることを利用して自励発振回路を構
成するので、第１振動子本体と第２振動子本体に供給さ
れる各駆動信号の帰路と、温度センサの接続端の一方
と、シリコン基板の電位と同一電位に保持する共通端子
とを１つにまとめることができ、これによりハ−メチッ
ク端子の大きさを小さくすることが可能となり、耐圧力
が向上する。
数が各々異なっていることを利用して自励発振回路を構
成するので、第１振動子本体と第２振動子本体に供給さ
れる各駆動信号の帰路と、温度センサの接続端の一方
と、シリコン基板の電位と同一電位に保持する共通端子
とを１つにまとめることができ、これによりハ−メチッ
ク端子の大きさを小さくすることが可能となり、耐圧力
が向上する。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明の１実施例の構成を示す構成図で
ある。なお、以下の説明においては、図２〜図６に示す
構成と同一の機能を有する部分については同一の符号を
付して適宜にその説明を省略する。
明する。図１は本発明の１実施例の構成を示す構成図で
ある。なお、以下の説明においては、図２〜図６に示す
構成と同一の機能を有する部分については同一の符号を
付して適宜にその説明を省略する。
【００２３】６０はセンサカプセル、６１はセンサアン
プである。これ等の間は接続端子３２Ａと３２Ｂ、供給
端子２２Ａと２２Ｂ、検出端子１８Ａと１８Ｂ、検出端
子１９Ａと１９Ｂ、供給端子３０Ａと３０Ｂ、検出端子
２６Ａと２６Ｂ、検出端子２７Ａと２７Ｂ、共通端子３
３Ａと３３Ｂでそれぞれ接続されている。そして、これ
等の端子はセンサカプセル６０とセンサアンプ６１との
間を気密に保持するためにハ−メチック端子として構成
されている。
プである。これ等の間は接続端子３２Ａと３２Ｂ、供給
端子２２Ａと２２Ｂ、検出端子１８Ａと１８Ｂ、検出端
子１９Ａと１９Ｂ、供給端子３０Ａと３０Ｂ、検出端子
２６Ａと２６Ｂ、検出端子２７Ａと２７Ｂ、共通端子３
３Ａと３３Ｂでそれぞれ接続されている。そして、これ
等の端子はセンサカプセル６０とセンサアンプ６１との
間を気密に保持するためにハ−メチック端子として構成
されている。
【００２４】さらに、振動子本体１３の駆動端２１、振
動子本体１４の駆動端２９、温度センサ１５の接続端の
一方、及びシリコン基板１２とはそれぞれ共通端子３３
Ａに共通に接続されている。
動子本体１４の駆動端２９、温度センサ１５の接続端の
一方、及びシリコン基板１２とはそれぞれ共通端子３３
Ａに共通に接続されている。
【００２５】また、可変ゲイン増幅器３７の出力端はコ
ンデンサ６２を介して供給端子２２Ｂに、可変ゲイン増
幅器４４の出力端はコンデンサ６３を介して供給端子３
０Ｂにそれぞれ接続されている。その他の構成は第２図
に示す振動式半導体トランスデュ−サとほぼ同一の構成
である。
ンデンサ６２を介して供給端子２２Ｂに、可変ゲイン増
幅器４４の出力端はコンデンサ６３を介して供給端子３
０Ｂにそれぞれ接続されている。その他の構成は第２図
に示す振動式半導体トランスデュ−サとほぼ同一の構成
である。
【００２６】以上の構成において、振動子本体１３の検
出端子（１８Ａ、１８Ｂ）と検出端子（１９Ａ、１９
Ｂ）、入力トランス３５、増幅器３６、ＡＧＣ制御回路
３７、可変ゲイン増幅器３７、コンデンサ６２、供給端
子（２２Ｂ、２２Ａ）、振動子本体１３の駆動端（２
０、２１）、共通端子（３３Ａ、３３Ｂ）、可変ゲイン
増幅器３７の出力端のル−プにより第１の自励発振回路
６４を構成し、その発振周波数ｆ1 はコンパレ−タ４０
を介して計数回路４１に出力される。
出端子（１８Ａ、１８Ｂ）と検出端子（１９Ａ、１９
Ｂ）、入力トランス３５、増幅器３６、ＡＧＣ制御回路
３７、可変ゲイン増幅器３７、コンデンサ６２、供給端
子（２２Ｂ、２２Ａ）、振動子本体１３の駆動端（２
０、２１）、共通端子（３３Ａ、３３Ｂ）、可変ゲイン
増幅器３７の出力端のル−プにより第１の自励発振回路
６４を構成し、その発振周波数ｆ1 はコンパレ−タ４０
を介して計数回路４１に出力される。
【００２７】また、振動子本体１４の検出端子（２６
Ａ、２６Ｂ）と検出端子（２７Ａ、２７Ｂ）、入力トラ
ンス４６、増幅器４３、ＡＧＣ制御回路４５、可変ゲイ
ン増幅器４４、コンデンサ６３、供給端子（３０Ｂ、３
０Ａ）、振動子本体１４の駆動端（２８、２９）、共通
端子（３３Ａ、３３Ｂ）、可変ゲイン増幅器４４の出力
端のル−プにより第２の自励発振回路６５を構成し、そ
の発振周波数ｆ2 はコンパレ−タ４７を介して計数回路
４８に出力される。
Ａ、２６Ｂ）と検出端子（２７Ａ、２７Ｂ）、入力トラ
ンス４６、増幅器４３、ＡＧＣ制御回路４５、可変ゲイ
ン増幅器４４、コンデンサ６３、供給端子（３０Ｂ、３
０Ａ）、振動子本体１４の駆動端（２８、２９）、共通
端子（３３Ａ、３３Ｂ）、可変ゲイン増幅器４４の出力
端のル−プにより第２の自励発振回路６５を構成し、そ
の発振周波数ｆ2 はコンパレ−タ４７を介して計数回路
４８に出力される。
【００２８】この場合の振動子本体１４は図３（イ）に
示すように振動子本体１３とはそのＨ形の寸法が異なっ
ているので、その固有振動数は振動子本体１３とは異な
った固有周波数となっている。このため、これらの第
１、第２の自励発振回路６４、６５の発振は独立にそれ
ぞれ発振周波数ｆ1 とｆ2 で動作する。したがって、振
動子本体１３、１４の駆動端２１、２９の一端を共通の
共通端子（３３Ａ、３３Ｂ）に接続しても相互干渉を起
こすことはない。さらに、温度センサ１５は直流の定電
流ＩC が流れるので、共通端子（３３Ａ、３３Ｂ）に接
続することができる。
示すように振動子本体１３とはそのＨ形の寸法が異なっ
ているので、その固有振動数は振動子本体１３とは異な
った固有周波数となっている。このため、これらの第
１、第２の自励発振回路６４、６５の発振は独立にそれ
ぞれ発振周波数ｆ1 とｆ2 で動作する。したがって、振
動子本体１３、１４の駆動端２１、２９の一端を共通の
共通端子（３３Ａ、３３Ｂ）に接続しても相互干渉を起
こすことはない。さらに、温度センサ１５は直流の定電
流ＩC が流れるので、共通端子（３３Ａ、３３Ｂ）に接
続することができる。
【００２９】以上の点を考慮することにより、センサカ
プセル６０とセンサアンプ６１との間を接続するハ−メ
チックの端子の数を図２に示す１１個から８個に低減さ
せることができる。このほかにシリコン基板１２も共通
端子３３Ａに接続されるので、振動子本体１３、１４の
電位を基板１２の電位に固定することができ、耐ノイズ
性能を向上させることができる。
プセル６０とセンサアンプ６１との間を接続するハ−メ
チックの端子の数を図２に示す１１個から８個に低減さ
せることができる。このほかにシリコン基板１２も共通
端子３３Ａに接続されるので、振動子本体１３、１４の
電位を基板１２の電位に固定することができ、耐ノイズ
性能を向上させることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上、実施例と共に具体的に説明したよ
うに本発明によれば、２個の振動子本体の有する固有振
動数が異なっている点に着目して、これ等の共通部分を
共用化するようにしてセンサカプセルとセンサアンプと
の間を接続する端子の数を低減し、これによりハ−メチ
ック端子の大きさを小さくして耐圧力設計を容易にする
共にコストの低減も達成することができ、さらに、振動
子本体の電位を基板の電位に固定することが可能とな
り、耐ノイズ性能を向上させることができる。
うに本発明によれば、２個の振動子本体の有する固有振
動数が異なっている点に着目して、これ等の共通部分を
共用化するようにしてセンサカプセルとセンサアンプと
の間を接続する端子の数を低減し、これによりハ−メチ
ック端子の大きさを小さくして耐圧力設計を容易にする
共にコストの低減も達成することができ、さらに、振動
子本体の電位を基板の電位に固定することが可能とな
り、耐ノイズ性能を向上させることができる。
【図１】本発明の１実施例の構成を示す構成図である。
【図２】従来の振動式半導体トランスデュ−サの構成を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図３】図２に示すシリコン基板とその近傍の具体的な
構成を部分構成図である。
構成を部分構成図である。
【図４】図３に示す部分構成の作用を説明する説明図で
ある。
ある。
【図５】図３に示す振動子本体の具体的な構成を示す構
成図である。
成図である。
【図６】図５に示す振動子本体の上部を覆うシェルを除
去したときの構成を示す構成図である。
去したときの構成を示す構成図である。
１０、６０ センサカプセル １１、６１ センサアンプ １２ シリコン基板 １３、１４ 振動子本体 １５ 温度センサ １８Ａ、１８Ｂ、１９Ａ、１９Ｂ 検出端子 ２６Ａ、２６Ｂ、２７Ａ、２７Ｂ 検出端子 ２２Ａ、２２Ｂ、３０Ａ、３０Ｂ 供給端子 ３２Ａ、３２Ｂ 接続端子 ３３Ａ、３３Ｂ 共通端子 ３６、４３ 増幅器 ３７、４４ 可変ゲイン増幅器 ４１、４８、５１ 計数回路 ５２ マイクロプロセッサ ６４、６５ 自励発振回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−38934（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−114730（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−337432（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01L 9/00
Claims (1)
- 【請求項１】測定すべき歪が印加されるシリコン基板上
に設けられた第１・第２のＨ形の振動子本体と、前記シ
リコン基板に設けられこのシリコン基板の温度を検出し
て温度信号として出力する温度センサと、前記各振動子
本体から出力される出力信号を導出する第１・第２の各
一対の検出端子と、前記温度センサから引き出された一
対の接続端と、前記第１振動子本体に駆動信号が供給さ
れる第１供給端子と、前記第２振動子本体に駆動信号が
供給される第２供給端子と、前記第１・第２振動子本体
に供給される前記各駆動信号の帰路となり前記温度セン
サの接続端の一方が接続されかつ前記シリコン基板の電
位と同一電位に保持された共通端子とを有するセンサカ
プセルと、前記第１検出端子に入力端が接続されその出
力端は前記第１供給端子に接続されて自励発振を起こし
て第１周波数を出力する第１増幅手段と、前記第２検出
端子に入力端が接続されその出力端は前記第２供給端子
に接続されて自励発振を起こして第２周波数を出力する
第２増幅手段と、前記第１周波数と前記第２周波数との
差を演算すると共に前記温度信号を用いて温度補正をし
て前記歪に対応する信号を出力する演算手段を有するセ
ンサアンプとを具備する振動式半導体トランスデュ−
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12145991A JP2870217B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 振動式半導体トランスデュ−サ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12145991A JP2870217B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 振動式半導体トランスデュ−サ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350528A JPH04350528A (ja) | 1992-12-04 |
| JP2870217B2 true JP2870217B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=14811662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12145991A Expired - Fee Related JP2870217B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 振動式半導体トランスデュ−サ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870217B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12145991A patent/JP2870217B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04350528A (ja) | 1992-12-04 |
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