JP2869998B2 - 圧電発振器 - Google Patents
圧電発振器Info
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- JP2869998B2 JP2869998B2 JP1051418A JP5141889A JP2869998B2 JP 2869998 B2 JP2869998 B2 JP 2869998B2 JP 1051418 A JP1051418 A JP 1051418A JP 5141889 A JP5141889 A JP 5141889A JP 2869998 B2 JP2869998 B2 JP 2869998B2
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- capacitance
- piezoelectric oscillator
- oscillation
- lead terminals
- oscillation circuit
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S331/00—Oscillators
- Y10S331/03—Logic gate active element oscillator
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子内の構成及び圧電発振器内の前記
半導体素子と圧電振動子との接続の構成に関する。
半導体素子と圧電振動子との接続の構成に関する。
従来の半導体素子は少なくとも発振回路を有してお
り、前記発振回路は第３図に示すように、インバータ31
と帰還抵抗32とドレイン抵抗33と前記インバータ31のゲ
ートに接続されるゲート容量34と前記インバータ31のド
レイン側に接続されるドレイン容量35とで構成され、電
極パッド38,39を有している。第４図において、半導体
素子50をダイパット51に固着し、金属細線（本例ではAu
ワイヤー）52により所定のリード端子53,54に電気的に
接続し、圧電振動子（本例では水晶振動子）55は、所定
の前記リード端子53に電気的に接続されていた。
り、前記発振回路は第３図に示すように、インバータ31
と帰還抵抗32とドレイン抵抗33と前記インバータ31のゲ
ートに接続されるゲート容量34と前記インバータ31のド
レイン側に接続されるドレイン容量35とで構成され、電
極パッド38,39を有している。第４図において、半導体
素子50をダイパット51に固着し、金属細線（本例ではAu
ワイヤー）52により所定のリード端子53,54に電気的に
接続し、圧電振動子（本例では水晶振動子）55は、所定
の前記リード端子53に電気的に接続されていた。
しかし、従来の技術では、圧電振動子の発振周波数を
変えた場合、各発振周波数での最適な発振回路定数（特
に容量）も変える必要があるが、半導体素子内の発振回
路のゲート容量及びドレイン容量は作り込みの時点で一
定であるため、最適条件でないところで発振せざるを得
なく、発振の位相条件、振幅条件等の悪化により、不安
定発振、発振停止等の異常発振が生じるという問題点を
有していた。
変えた場合、各発振周波数での最適な発振回路定数（特
に容量）も変える必要があるが、半導体素子内の発振回
路のゲート容量及びドレイン容量は作り込みの時点で一
定であるため、最適条件でないところで発振せざるを得
なく、発振の位相条件、振幅条件等の悪化により、不安
定発振、発振停止等の異常発振が生じるという問題点を
有していた。
そこで本発明は、このような問題点を解決するため、
圧電振動子の発振周波数を変えても各発振周波数におい
て最適な容量を選択し安定した発振をさせることを目的
とする。
圧電振動子の発振周波数を変えても各発振周波数におい
て最適な容量を選択し安定した発振をさせることを目的
とする。
本発明の圧電発振器は、圧電振動子と、当該圧電振動
子が接続される２つのリード端子と、当該リード端子に
接続され発振回路を内蔵した半導体素子と、を有するも
のであって、 半導体素子は、一つ以上の容量セルを有し、当該容量
セルのパッドは圧電振動子へ接続される発振回路の電極
パッドの間に配置されており、容量セルのパッドは、２
つのリード端子の双方に任意に接続可能に構成され、圧
電発振器の発振周波数に応じて、２つのリード端子のい
ずれかに選択的に電気的に接続されることを特徴とす
る。
子が接続される２つのリード端子と、当該リード端子に
接続され発振回路を内蔵した半導体素子と、を有するも
のであって、 半導体素子は、一つ以上の容量セルを有し、当該容量
セルのパッドは圧電振動子へ接続される発振回路の電極
パッドの間に配置されており、容量セルのパッドは、２
つのリード端子の双方に任意に接続可能に構成され、圧
電発振器の発振周波数に応じて、２つのリード端子のい
ずれかに選択的に電気的に接続されることを特徴とす
る。
また、この場合、電極パッドに接続されている容量セ
ルをさらに備え、当該容量セルは、２つのリード端子に
それぞれ固定的に接続されることが望ましい。
ルをさらに備え、当該容量セルは、２つのリード端子に
それぞれ固定的に接続されることが望ましい。
本発明の半導体素子及び圧電発振器を図面を用い詳細
に説明する。
に説明する。
尚、圧電発振器は水晶発振器を例にする。
第１図は本発明の半導体素子の内部に構成された発振
回路及び容量の一実施例を示す回路図であり、半導体素
子は、インバータ１と並列に帰還抵抗２が接続され、前
記インバータ１のゲートに片方を接地したゲート容量４
と電極パッド８が接続されている。また前記インバータ
１のドレインにドレイン抵抗３を介して片方を接地した
ドレイン容量５と電極パッド９が接続されて発振回路を
形成している。片方を接地した容量6,7はそれぞれのパ
ッド10,11に接続されている。
回路及び容量の一実施例を示す回路図であり、半導体素
子は、インバータ１と並列に帰還抵抗２が接続され、前
記インバータ１のゲートに片方を接地したゲート容量４
と電極パッド８が接続されている。また前記インバータ
１のドレインにドレイン抵抗３を介して片方を接地した
ドレイン容量５と電極パッド９が接続されて発振回路を
形成している。片方を接地した容量6,7はそれぞれのパ
ッド10,11に接続されている。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の半導体素子及び圧電
発振器の一実施例を示す平面図であり、半導体素子20内
に構成される前記発振回路の二つの電極パッド8,9の間
に前記容量6,7のそれぞれのパッド10,11が存在してい
る。
発振器の一実施例を示す平面図であり、半導体素子20内
に構成される前記発振回路の二つの電極パッド8,9の間
に前記容量6,7のそれぞれのパッド10,11が存在してい
る。
ダイパッド21に固着された前記半導体素子20を金属細
線（本例ではAuワイヤー）22により所定のリード端子23
〜25にワイヤーボンディング接続等により電気的に接続
し、水晶振動子26は前記半導体素子20の内部に構成され
た発振回路と電気的に接続されたゲート用リード端子2
3、ドレイン用リード端子24に電気的に接続される。
線（本例ではAuワイヤー）22により所定のリード端子23
〜25にワイヤーボンディング接続等により電気的に接続
し、水晶振動子26は前記半導体素子20の内部に構成され
た発振回路と電気的に接続されたゲート用リード端子2
3、ドレイン用リード端子24に電気的に接続される。
前記容量6,7は必要に応じ、前記ゲート用リード端子2
3及びドレイン用リード端子24に選択的に前記Auワイヤ
ー22によるワイヤーボンディング接続等で電気的に接続
できるので、前記半導体素子20の内部に構成された発振
回路のゲート側、ドレイン側の容量を任意に変えること
ができる。
3及びドレイン用リード端子24に選択的に前記Auワイヤ
ー22によるワイヤーボンディング接続等で電気的に接続
できるので、前記半導体素子20の内部に構成された発振
回路のゲート側、ドレイン側の容量を任意に変えること
ができる。
下表にその一実施例をあげる。ただし、ゲート容量４
はCG、ドレイン容量５はCd、容量６はC1、容量７はC2と
する。
はCG、ドレイン容量５はCd、容量６はC1、容量７はC2と
する。
尚、本実施例では、半導体素子の内部に容量を設けて
あるが、前記容量が前記半導体素子とは別の素子（例え
ば半導体素子）内に設けても同等の効果が得られる。ま
た、前記容量は、必要に応じ数を増減させてもよい。
あるが、前記容量が前記半導体素子とは別の素子（例え
ば半導体素子）内に設けても同等の効果が得られる。ま
た、前記容量は、必要に応じ数を増減させてもよい。
以上述べたように本発明によれば、容量を必要に応じ
半導体素子内に構成された発振回路と電気的に接続され
た二本のリード端子に選択的に電気的接続できることか
ら、前記半導体素子内の発振回路の容量値を、前記圧電
振動子の発振周波数を変えた時に、各発振周波数での最
適な発振回路の容量値に設定することができ、安定した
発振を得ることができる。
半導体素子内に構成された発振回路と電気的に接続され
た二本のリード端子に選択的に電気的接続できることか
ら、前記半導体素子内の発振回路の容量値を、前記圧電
振動子の発振周波数を変えた時に、各発振周波数での最
適な発振回路の容量値に設定することができ、安定した
発振を得ることができる。
第１図は本発明の半導体素子の内部に構成された発振回
路及び容量の一実施例を示す回路図。 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の半導体素子及び圧電発
振器の一実施例を示す平面図。 第３図は従来の半導体素子の内部に構成された発振回路
の回路図。 第４図は従来の半導体素子及び圧電発振器を示す平面
図。 1,31……インバータ 2,32……帰還抵抗 3,33……ドレイン抵抗 4,34……ゲート容量 5,35……ドレイン容量 6,7……容量 8,9,12,38,39,42……電極パッド 10,11……パッド 20,50……半導体素子 21,51……ダイパット 22,52……Auワイヤー 23〜25,53〜55……リード端子 26,56……水晶振動子 27,57……樹脂部
路及び容量の一実施例を示す回路図。 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の半導体素子及び圧電発
振器の一実施例を示す平面図。 第３図は従来の半導体素子の内部に構成された発振回路
の回路図。 第４図は従来の半導体素子及び圧電発振器を示す平面
図。 1,31……インバータ 2,32……帰還抵抗 3,33……ドレイン抵抗 4,34……ゲート容量 5,35……ドレイン容量 6,7……容量 8,9,12,38,39,42……電極パッド 10,11……パッド 20,50……半導体素子 21,51……ダイパット 22,52……Auワイヤー 23〜25,53〜55……リード端子 26,56……水晶振動子 27,57……樹脂部
Claims (2)
- 【請求項１】圧電振動子と、当該圧電振動子が接続され
る２つのリード端子と、当該リード端子に接続され発振
回路を内蔵した半導体素子と、を有する圧電発振器にお
いて、 前記半導体素子は、一つ以上の容量セルを有し、当該容
量セルのパッドは前記圧電振動子へ接続される発振回路
の電極パッドの間に配置されており、 前記容量セルの前記パッドは、前記２つのリード端子の
双方に任意に接続可能に構成され、前記圧電発振器の発
振周波数に応じて、前記２つのリード端子のいずれかに
選択的に電気的に接続されることを特徴とする圧電発振
器。 - 【請求項２】前記電極パッドに接続されている容量セル
をさらに備え、当該容量セルは、前記２つのリード端子
にそれぞれ固定的に接続されることを特徴とする請求項
１記載の圧電発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051418A JP2869998B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 圧電発振器 |
| US07/487,756 US5038119A (en) | 1989-03-03 | 1990-03-01 | Piezoelectric oscillator semiconductor circuit with oscillation circuit adjustment means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051418A JP2869998B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 圧電発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230805A JPH02230805A (ja) | 1990-09-13 |
| JP2869998B2 true JP2869998B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=12886381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051418A Expired - Lifetime JP2869998B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 圧電発振器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038119A (ja) |
| JP (1) | JP2869998B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327104A (en) * | 1991-10-21 | 1994-07-05 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator formed in resin package containing, IC chip and piezoelectric oscillator element |
| US5229640A (en) * | 1992-09-01 | 1993-07-20 | Avx Corporation | Surface mountable clock oscillator module |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3754152A (en) * | 1971-11-03 | 1973-08-21 | Bulova Watch Co Inc | Incrementally adjustable capacitor unit for tuning a crystal-controlled oscillator |
| CH609525GA3 (en) * | 1975-08-28 | 1979-03-15 | Oscillator circuit for an electronic timepiece | |
| JPS55137705A (en) * | 1979-04-15 | 1980-10-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Temperature compensating unit of crystal oscillating circuit |
| JPS5786082A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-28 | Seiko Epson Corp | Oscillation circuit for electronic watch |
| DE3382208D1 (de) * | 1982-12-15 | 1991-04-18 | Nec Corp | Monolithisches vielschichtkeramiksubstrat mit mindestens einer dielektrischen schicht aus einem material mit perovskit-struktur. |
| JPS62200804A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Ricoh Co Ltd | プログラム可能なアナログ量素子をもつ半導体集積回路装置 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1051418A patent/JP2869998B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-01 US US07/487,756 patent/US5038119A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02230805A (ja) | 1990-09-13 |
| US5038119A (en) | 1991-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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