JP2867745B2 - 枚葉式ウェット剥離装置 - Google Patents
枚葉式ウェット剥離装置Info
- Publication number
- JP2867745B2 JP2867745B2 JP3145546A JP14554691A JP2867745B2 JP 2867745 B2 JP2867745 B2 JP 2867745B2 JP 3145546 A JP3145546 A JP 3145546A JP 14554691 A JP14554691 A JP 14554691A JP 2867745 B2 JP2867745 B2 JP 2867745B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- photoresist
- single wafer
- laser light
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は枚葉式ウェット剥離装置
に関し、特に半導体製造時に使用されるホトレジストの
枚葉式ウェット剥離装置に関する。
に関し、特に半導体製造時に使用されるホトレジストの
枚葉式ウェット剥離装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ホトレジストを除去する方法とし
て、図３に示すように、ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋
Ｈ2Ｏ）とＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）を薬液とし、バ
ッチ方式で半導体基板を処理する酸剥離方法がある。
て、図３に示すように、ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋
Ｈ2Ｏ）とＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）を薬液とし、バ
ッチ方式で半導体基板を処理する酸剥離方法がある。
【０００３】この方法において、ＡＰＭは薬液恒温槽１
６内で５０〜７０℃の温度の範囲内で、ＳＰＭは薬液恒
温槽１８内で１２０〜１５０℃の温度範囲内で一定の温
度に制御されていた。また、１７は水洗槽、１９はスピ
ンドライヤである。
６内で５０〜７０℃の温度の範囲内で、ＳＰＭは薬液恒
温槽１８内で１２０〜１５０℃の温度範囲内で一定の温
度に制御されていた。また、１７は水洗槽、１９はスピ
ンドライヤである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のホトレ
ジストの酸剥離法は、バッチ式で処理を行うため、各半
導体基板毎の剥離状態をインラインで確認できないとい
う欠点があった。
ジストの酸剥離法は、バッチ式で処理を行うため、各半
導体基板毎の剥離状態をインラインで確認できないとい
う欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、各半導体基板毎の剥離状
態をインラインで確認できる枚葉式ウェット剥離装置を
提供することにある。
態をインラインで確認できる枚葉式ウェット剥離装置を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る枚葉式ウェット剥離装置は、レーザー
光源と、ディテクターとを有し、半導体基板上に形成さ
れたホトレジストを除去する枚葉式ウェット剥離装置で
あって、レーザー光源は、半導体基板上のホトレジスト
及びスカム等の有機物の有無を検出するためのレーザー
光を半導体基板上に照射するものであり、ディテクタ
は、半導体基板上のホトレジスト及びスカム等の有機物
からのみの反射光強度を検出するものである。
め、本発明に係る枚葉式ウェット剥離装置は、レーザー
光源と、ディテクターとを有し、半導体基板上に形成さ
れたホトレジストを除去する枚葉式ウェット剥離装置で
あって、レーザー光源は、半導体基板上のホトレジスト
及びスカム等の有機物の有無を検出するためのレーザー
光を半導体基板上に照射するものであり、ディテクタ
は、半導体基板上のホトレジスト及びスカム等の有機物
からのみの反射光強度を検出するものである。
【０００７】
【作用】本発明の枚葉式ウェット剥離装置は、レーザー
光を半導体基板上に照射し、基板上のホトレジスト及び
スカム等の有機物からの反射光を検出し、その信号の変
化に基づいてホトレジストの除去状態をインラインで確
認するようにしたものである。
光を半導体基板上に照射し、基板上のホトレジスト及び
スカム等の有機物からの反射光を検出し、その信号の変
化に基づいてホトレジストの除去状態をインラインで確
認するようにしたものである。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す構成図である。
示す構成図である。
【００１０】図において、８はＳＰＭが供給される薬液
恒温槽、９はＡＰＭが供給される薬液恒温槽、４はエッ
チング室、３は半導体基板２をチャックするスピンチャ
ック、６はスピンチャック３を回転駆動するスピンモー
タである。また、エッチング室４は、その底部側が薬液
恒温槽８，９にそれぞれ連通され、薬液恒温槽８，９内
の薬液は、ポンプ１１，１３、バルブ１０，１２、フィ
ルター１４，１５を介してエッチング室４のスプレーノ
ズル７から基板２に向けて噴射される。また、スプレー
ノズル７から純水が噴射される。
恒温槽、９はＡＰＭが供給される薬液恒温槽、４はエッ
チング室、３は半導体基板２をチャックするスピンチャ
ック、６はスピンチャック３を回転駆動するスピンモー
タである。また、エッチング室４は、その底部側が薬液
恒温槽８，９にそれぞれ連通され、薬液恒温槽８，９内
の薬液は、ポンプ１１，１３、バルブ１０，１２、フィ
ルター１４，１５を介してエッチング室４のスプレーノ
ズル７から基板２に向けて噴射される。また、スプレー
ノズル７から純水が噴射される。
【００１１】さらにレーザー光源１は波長０．７８μ
ｍ，出力１００ｍＷ〜３００ｍＷのレーザー光１ａを出
力する半導体レーザーであり、半導体基板２の表面にパ
ターン形成されたホトレジスト等にレーザー光１ａを照
射するものである。ディテクター５は、半導体基板２で
反射するレーザー光１ａを検出し電気信号に変換する受
光器である。
ｍ，出力１００ｍＷ〜３００ｍＷのレーザー光１ａを出
力する半導体レーザーであり、半導体基板２の表面にパ
ターン形成されたホトレジスト等にレーザー光１ａを照
射するものである。ディテクター５は、半導体基板２で
反射するレーザー光１ａを検出し電気信号に変換する受
光器である。
【００１２】ホトレジストの剥離は枚葉式ウェット剥離
装置により行う。このときの剥離方法を説明する。図１
に示すように、ホトレジストのパターン形成された半導
体基板２をエッチング室４内のスピンチャック３に固定
する。
装置により行う。このときの剥離方法を説明する。図１
に示すように、ホトレジストのパターン形成された半導
体基板２をエッチング室４内のスピンチャック３に固定
する。
【００１３】次にスピンモーター６を２００〜１０００
ｒｐｍの間の任意の回転数で回転し、スピンチャック３
上の半導体基板２を回転させる。
ｒｐｍの間の任意の回転数で回転し、スピンチャック３
上の半導体基板２を回転させる。
【００１４】次に、薬液恒温槽８内で１２０〜１５０℃
の任意の温度に保たれているＳＰＭをバルブ１０，ポン
プ１１，フィルター１４を通してスプレーノズル７より
スプレー状にして半導体基板２上に２〜５分吹き付け
る。
の任意の温度に保たれているＳＰＭをバルブ１０，ポン
プ１１，フィルター１４を通してスプレーノズル７より
スプレー状にして半導体基板２上に２〜５分吹き付け
る。
【００１５】その後、バルブ１０を閉めＳＰＭのスプレ
ーを止めると同時に、純水をスプレーノズル７より半導
体基板２上に５〜１０分吹き付ける。
ーを止めると同時に、純水をスプレーノズル７より半導
体基板２上に５〜１０分吹き付ける。
【００１６】次に、純水を止め薬液恒温槽９内で５０〜
７０℃の任意の温度に保たれているＡＰＭをバルブ１
２，ポンプ１３，フィルター１５を通してスプレーノズ
ル７よりスプレー状にして半導体基板２上に２〜５分吹
き付ける。
７０℃の任意の温度に保たれているＡＰＭをバルブ１
２，ポンプ１３，フィルター１５を通してスプレーノズ
ル７よりスプレー状にして半導体基板２上に２〜５分吹
き付ける。
【００１７】その後、バルブ１２を閉めＡＰＭのスプレ
ーを止めると同時に、純水をスプレーノズル７より半導
体基板２上に５〜１０分吹き付ける。
ーを止めると同時に、純水をスプレーノズル７より半導
体基板２上に５〜１０分吹き付ける。
【００１８】次に、純水を止めスピンモーター６の回転
数を上げ、スピンチャック３上の半導体基板２を１５０
０〜２０００ｒｐｍで回転させ半導体基板２を乾燥し、
半導体基板２の回転を停止する。
数を上げ、スピンチャック３上の半導体基板２を１５０
０〜２０００ｒｐｍで回転させ半導体基板２を乾燥し、
半導体基板２の回転を停止する。
【００１９】ここで、半導体基板２上に剥離残り等有機
物のスカム残りがないかどうかをチェックする。すなわ
ち、半導体基板２上に、レーザー光源１より発生するレ
ーザー光１ａを照射する。レーザー光１ａは０．７８μ
ｍの波長（赤外）であり、ホトレジスト等の有機物が残
っている場合、照射したレーザー光１ａの反射光がある
強度を持っており、ディテクター５で検出する。半導体
基板２に照射したレーザー光１ａの反射光の強度変化を
ディテクター５により検出することにより、ホトレジス
トが完全に除去されているかを判断し、ホトレジストが
完全に除去され、ディテクター５で検出される信号が飽
和した場合は、処理の終わった半導体基板２を次工程へ
送る。
物のスカム残りがないかどうかをチェックする。すなわ
ち、半導体基板２上に、レーザー光源１より発生するレ
ーザー光１ａを照射する。レーザー光１ａは０．７８μ
ｍの波長（赤外）であり、ホトレジスト等の有機物が残
っている場合、照射したレーザー光１ａの反射光がある
強度を持っており、ディテクター５で検出する。半導体
基板２に照射したレーザー光１ａの反射光の強度変化を
ディテクター５により検出することにより、ホトレジス
トが完全に除去されているかを判断し、ホトレジストが
完全に除去され、ディテクター５で検出される信号が飽
和した場合は、処理の終わった半導体基板２を次工程へ
送る。
【００２０】ディテクター５で検収される信号が変化し
ている場合は、ホトレジストが残っていると判断される
ため、この場合は、前述した剥離の方法でホトレジスト
が完全に剥離除去されるまで一連の処理を行う。
ている場合は、ホトレジストが残っていると判断される
ため、この場合は、前述した剥離の方法でホトレジスト
が完全に剥離除去されるまで一連の処理を行う。
【００２１】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す構成図である。
示す構成図である。
【００２２】実施例１では、半導体基板２上の固定され
た領域に対してレーザー光源１のレーザー光１ａを照射
し、剥離残りや有機物のスカム等がないかどうかのチェ
ックを行っていた。
た領域に対してレーザー光源１のレーザー光１ａを照射
し、剥離残りや有機物のスカム等がないかどうかのチェ
ックを行っていた。
【００２３】これに対して実施例２では図２に示すよう
に、半導体基板２の全領域の剥離残りや有機物の残りや
スカム等が除去されているかどうかを検出するため、レ
ーザー光源１，ディテクター５が可動する機能を有して
いる。
に、半導体基板２の全領域の剥離残りや有機物の残りや
スカム等が除去されているかどうかを検出するため、レ
ーザー光源１，ディテクター５が可動する機能を有して
いる。
【００２４】本実施例によれば、半導体基板２上のＡ点
よりＢ点まで全域にわたり半導体基板２上のホトレジス
トの剥離状態を検出することができるという利点があ
る。
よりＢ点まで全域にわたり半導体基板２上のホトレジス
トの剥離状態を検出することができるという利点があ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体基板上に
形成されたホトレジストを枚葉式ウェット剥離装置で除
去する工程において、レーザー光源を有しレーザー光を
半導体基板上に照射し、ホトレジスト及びスカム等の有
機物からの反射光をディテクターで検出し、信号の変化
をとらえることにより、ホトレジストの除去状態をイン
ラインで確認できる効果がある。
形成されたホトレジストを枚葉式ウェット剥離装置で除
去する工程において、レーザー光源を有しレーザー光を
半導体基板上に照射し、ホトレジスト及びスカム等の有
機物からの反射光をディテクターで検出し、信号の変化
をとらえることにより、ホトレジストの除去状態をイン
ラインで確認できる効果がある。
【００２６】さらに、インラインでホトレジストの除去
状態を確認できるため、ホトレジスト及びスカム等の有
機物を完全に除去できる効果がある。
状態を確認できるため、ホトレジスト及びスカム等の有
機物を完全に除去できる効果がある。
【００２７】また、図３に示す従来のバッチ方式で半導
体基板をディップ処理する酸剥離装置と比較すると、本
実施例の枚葉式ウェット剥離装置は図４に示すように、
不良発生率を低減できるという効果がある。
体基板をディップ処理する酸剥離装置と比較すると、本
実施例の枚葉式ウェット剥離装置は図４に示すように、
不良発生率を低減できるという効果がある。
【図１】本発明の実施例１を示す構成図である。
【図２】本発明の実施例２を示す構成図である。
【図３】従来のバッチ方式の酸剥離装置を示すブロック
図である。
図である。
【図４】本実施例と従来例との酸剥離装置における不良
発生率を示す特性図である。
発生率を示す特性図である。
１ レーザー光源 ２ 半導体基板 ３ スピンチャック ４ エッチング室 ５ ディテクター ６ スピンモーター ７ スプレーノズル ８，９，１６，１８ 薬液恒温槽 １０，１２ バルブ １１，１３ ポンプ １４，１５ フィルター １７ 水洗槽 １９ スピンドライヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザー光源と、ディテクターとを有
し、半導体基板上に形成されたホトレジストを除去する
枚葉式ウェット剥離装置であって、 レーザー光源は、半導体基板上のホトレジスト及びスカ
ム等の有機物の有無を検出するためのレーザー光を半導
体基板上に照射するものであり、 ディテクタは、半導体基板上のホトレジスト及びスカム
等の有機物からのみの反射光強度を検出するものである
ことを特徴とする枚葉式ウェット剥離装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145546A JP2867745B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 枚葉式ウェット剥離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145546A JP2867745B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 枚葉式ウェット剥離装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343411A JPH04343411A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2867745B2 true JP2867745B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=15387684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145546A Expired - Lifetime JP2867745B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 枚葉式ウェット剥離装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867745B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153823A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | フオトレジストの現像検出装置 |
| JPS6410249A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Fujitsu Ltd | Method for detecting resist |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3145546A patent/JP2867745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04343411A (ja) | 1992-11-30 |
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