JP2865524B2

JP2865524B2 - サーマルインクジェットヘッド

Info

Publication number: JP2865524B2
Application number: JP16784993A
Authority: JP
Inventors: 卓朗関谷
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-04-23
Filing date: 1993-07-07
Publication date: 1999-03-08
Anticipated expiration: 2014-03-08
Also published as: JPH0768760A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ノンインパクト記録用
ヘッドの一つである発熱体基板と流路基板とを積層させ
たヘッド構造のサーマルインクジェットヘッドに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ノンインパクト記録法は、記録時におけ
る騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいという点
において、関心の高い記録法とされている。中でも、高
速記録が可能で、特別な定着処理を必要とせず所謂普通
紙に記録を行うことが可能な、所謂インクジェット記録
法は極めて有力な記録法である。そこで、従来において
もインクジェット記録法に関して様々な方式が提案さ
れ、種々の改良も加えられ、現に商品化されているもの
や、実用化に向けて開発段階のものもある。

【０００３】このようなインクジェット記録法は、所謂
インクと称される記録液体の小滴（droplet）を飛翔さ
せて普通紙などの記録媒体に付着させて記録を行うもの
である。その一例として、例えば本出願人提案による特
公昭５６−９４２９号公報に示されるようなものがあ
る。これは、要約すれば、液室内のインクを加熱して気
泡を発生させることでインクに圧力上昇を生じさせ、微
細な毛細管ノズルからインクを飛び出させて記録するよ
うにしたものである。

【０００４】その後、このようなインク飛翔原理を利用
して多くの提案がなされている。これらの提案の中で、
例えば特開昭５６−１２３８６９号公報、特開昭５７−
４３８７６号公報、特開昭５７−２１２０６７号公報、
特開昭５７−２１２０６８号公報、特開昭５７−２１２
０６９号公報、特開昭５８−２２０７５４号公報、特開
昭５８−２２０７５６号公報に示されたものでは、発熱
体基板上にフォトリソグラフィー技術によってインク流
路パターンを形成し、その上にガラス板等の天板を載せ
て蓋をし、インク流路及びノズルを形成するようにして
いる。

【０００５】しかし、インク流路パターンをフォトリソ
グラフィー技術によって形成する場合、数１０μｍの厚
さのレジストパターンを形成しなければならない。よっ
て、半導体工業分野で行われている１μｍ程度の厚さの
レジストパターンを形成する場合と異なり、精度のよい
インク流路パターンを形成するのが非常に困難である。
また、このようなパターン形成後に、天板を蓋として貼
付ける際にこのパターンが崩れる、という問題があり、
高精度なインク流路及びノズルを形成するのが困難であ
る。

【０００６】このような点を考慮し、特開平２−６７１
４０号公報に示されるような流路基板の製法が本出願人
により提案されている。これは、単結晶シリコン（Ｓ
ｉ）の異方性エッチングを利用したＶ字溝を流路とする
ようにしたものである。このように形成されるインク流
路は、Ｖ字溝の両側２面を形成する面が（１１１）面と
なり、単結晶の精度で形成でき、かつ、その面も非常に
滑らかとなるため、インクジェットの流路として考えた
場合、非常に都合のよいものとなる。さらには、単結晶
シリコンによる流路基板に形成する溝を、２つの等価な
（１１１）面と１つの（１００）面とで形成される台形
状とするものも、本出願人により提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
提案例による場合も、実際には、Ｖ字溝又は台形状溝を
形成した流路基板をどのように取出したらよいか、或い
は、どのようにアセンブリすれば歩留まりよく、かつ、
効率よく、ヘッドを完成し得るか、といった点について
は、十分に検討されておらず、流路基板自体或いは流路
基板をアセンブリしたヘッドの歩留まりはそれ程高くな
っていないのが実情である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、単結晶基板上に蓄熱層と発熱層とこの発熱層に通電
するための電極と保護層とを形成した発熱体基板と、前
記単結晶基板と同じ結晶方位面に切出された単結晶基板
上に異方性エッチングにより流路用溝を形成した流路基
板とよりなり、前記発熱体基板とこの流路基板とを結晶
軸方向を揃えるとともに発熱面と溝面とが相対するよう
に積層し、この積層物を前記流路用溝とほぼ垂直方向に
切断してインク流路開口を形成してサーマルインクジェ
ットヘッドを構成した。

【０００９】この際、請求項２記載の発明では、発熱体
基板と流路基板とを形成する単結晶基板をともに（１０
０）面の結晶方位面に切出された単結晶シリコンウエハ
とし、双方の単結晶基板の＜１１０＞軸方向を揃えて積
層させた。

【００１０】さらに、請求項３記載の発明では、単結晶
基板を（１００）面の結晶方位面に切出された単結晶シ
リコンウエハとし、流路用溝をＶ字溝とし、前記シリコ
ンウエハの直交する２つの等価な＜１１０＞軸方向のダ
イシングによりチップ化した流路基板とした。

【００１１】一方、請求項４記載の発明では、単結晶基
板を（１００）面の結晶方位面に切出された単結晶シリ
コンウエハとし、流路用溝を台形状溝とし、前記シリコ
ンウエハの直交する２つの等価な＜１１０＞軸方向のダ
イシングによりチップ化した流路基板とした。

【００１２】また、請求項５記載の発明では、異方性エ
ッチングにより流路用溝より深く形成したチップ化溝に
よりチップ化した流路基板とした。

【００１３】さらに、これらの発明において、請求項６
記載の発明では、流路用溝を有する溝面とは反対側から
発熱体基板に対する取付方向を認識させるための認識手
段を有する流路基板とした。

【００１４】一方、請求項７記載の発明では、発熱体基
板上にフォトファブリケーションにより形成された位置
決めパターンと、流路基板に対して前記位置決めパター
ンに対応する位置に異方性エッチングにより貫通形成さ
れた位置決め透視部との組合せよりなる位置整合手段を
設けた。

【００１５】

【作用】請求項１記載の発明においては、発熱体基板と
流路基板とを同じ結晶方位面に切出された単結晶基板で
形成し、その結晶軸方向を揃えて積層するとともにその
積層物を流路基板における流路用溝とほぼ垂直方向に切
断してインク流路開口を形成しているので、両者を積
層、切断して吐出ノズルを形成するヘッド構造に関し
て、両者が同じ結晶軸方向に切断されるものとなり、そ
の切断時に破損が生ずることがなく、歩留まりの高いヘ
ッドとなる。

【００１６】特に、請求項２記載の発明においては、発
熱体基板、流路基板とも単結晶シリコンウエハによるそ
の単結晶基板を＜１１０＞軸方向を揃えて積層させてい
るので、切断によりインク流路開口を形成する際に、＜
１１０＞軸方向に切込みが入ることになり、その切断時
に破損が生ずることがなく、歩留まりが一層向上するも
のとなる。

【００１７】また、請求項３又は４記載の発明において
は、単結晶基板を（１００）面の結晶方位面に切出され
たシリコンウエハとし、その（１００）面に流路用溝を
Ｖ字溝又は台形状溝として形成した流路基板のチップを
シリコンウエハから取出す際に、直交する２つの等価な
＜１１０＞軸方向のダイシングによりチップ化するよう
にしたので、破損することがなく、高い歩留まりで流路
基板が得られる。

【００１８】さらに、請求項５記載の発明においては、
異方性エッチングにより流路用溝より深く形成したチッ
プ化溝により流路基板をチップ化するようにしたので、
流路用溝を形成する工程で済むことになり、後でダイシ
ング等を行う必要がなく、工程が短縮される。また、異
方性エッチングによるチップ化溝でチップ化するので、
得られる流路基板チップは寸法精度の高いものとなる。

【００１９】一方、請求項６記載の発明においては、流
路基板を発熱体基板上に積層取付けする際に、流路基板
が不透明であっても、その溝面とは反対の外部から視認
し得る面に流路用溝等の取付方向を認識させる認識手段
を有するので、発熱体基板上への積層取付けを容易に行
うことができる。

【００２０】また、請求項７記載の発明においては、発
熱体基板に形成した位置決めパターンと流路基板に貫通
形成した位置決め透視部との組合せによる位置整合手段
を設けたので、流路基板が不透明であってもアセンブリ
時に発熱部と流路用溝とを精度高く位置整合させること
ができる。特に、流路基板側の位置決め透視部は異方性
エッチングによるため、レーザ加工等による単純な貫通
加工によるものに比べて、非常に高精度となり、精度の
高い位置整合が可能となる。

【００２１】

【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。本実施例のサーマルインクジェットヘッドの構成及
び動作原理を図１ないし図３を参照して説明する。この
ヘッドチップ１は図１（ａ）に示すように発熱体基板２
上に流路基板３を積層させたものである。ここに、流路
基板３には表裏に貫通したインク流入口４が形成されて
いるとともに、ノズル５を形成するための流路用溝６が
複数本形成されている。前記インク流入口４はこれらの
流路用溝６に連なったインク供給室領域に連通してい
る。また、発熱体基板２上には図２に示すように各ノズ
ル５（流路用溝６）に対応してエネルギー作用部を構成
する発熱体（ヒータ）８が複数個形成され、各々個別に
制御電極９に接続されているとともに共通電極１０に共
通接続されている。これらの電極９，１０の一端は発熱
体基板２の端部まで引出され、駆動信号導入部となるボ
ンディングパッド部１１とされている。ここに、発熱体
基板２の発熱面上に流路基板３の溝面側を相対させて積
層接合することにより、流路用溝６及びインク供給室領
域は閉じられた状態となり、先端にノズル５を有するイ
ンク流路とインク供給室７とが形成される。

【００２２】このようなヘッドチップ１において、サー
マルインクジェットによるインク噴射は図３に示すよう
なプロセスにより行われる。まず、定常状態では同図
（ａ）に示すような状態にあり、ノズル５先端のオリフ
ィス面でインク１４の表面張力と外圧とが平衡状態にあ
る。ついで、ヒータ８が加熱され、その表面温度が急上
昇し隣接インク層に沸騰現象が起きるまで加熱されると
同図（ｂ）に示すように、微小な気泡１５が点在する状
態となる。さらに、ヒータ８全面で急激に加熱された隣
接インク層が瞬時に気化し、沸騰膜を作り、同図（ｃ）
に示すように気泡１５が成長する。この時、ノズル５内
の圧力は、気泡１５の成長した分だけ上昇し、オリフィ
ス面での外圧とのバランスが崩れ、オリフィスよりイン
ク柱１６が成長し始める。同図（ｄ）は気泡１５が最大
に成長した状態を示し、オリフィス面より気泡１５の体
積に相当する分のインク１４が押出される。この時、ヒ
ータ８には既に電流が流れていない状態にあり、ヒータ
８の表面温度は降下しつつある。気泡１５の体積の最大
値は電気パルス印加のタイミングよりやや遅れたものと
なる。やがて、気泡１５はインク１４などにより冷却さ
れて同図（ｅ）に示すように収縮し始める。インク柱１
６の先端部では押出された速度を保ちつつ前進し、後端
部では気泡１５の収縮に伴うインク流路の内圧の減少に
よってオリフィス面からインク流路内にインク１４が逆
流し、インク柱１６基部にくびれが生ずる。その後、同
図（ｆ）に示すように気泡１５がさらに収縮し、ヒータ
８面にインク１４が接し、ヒータ８面がさらに冷却され
る。オリフィス面では外圧がインク流路内圧より高い状
態になるため、メニスカスが大きくインク流路内に入り
込んでくる。インク柱１６の先端部は液滴１７となって
記録紙（図示せず）の方向へ５〜１０m／secの速度で飛
翔する。その後、同図（ｇ）に示すように毛細管現象に
よりオリフィスにインク１４が再び供給（リフィル）さ
れて同図（ａ）の定常状態に戻る過程で、気泡１５は完
全に消滅する。

【００２３】ついで、このようなヘッドチップ１を構成
する発熱体基板２、流路基板３等について詳細に説明す
る。まず、発熱体基板２について説明する。一般に、こ
の種のサーマルインクジェットヘッド用の発熱体基板と
しては熱伝導率の高いＳｉウエハやアルミナセラミック
スなどが使用される他、材料入手の容易なガラス基板な
どが使用されるが、本実施例の発熱体基板２は単結晶基
板、より好ましくは、半導体工業分野で多用されている
単結晶Ｓｉウエハ、最適には、（１００）面の結晶方位
面に切出された単結晶Ｓｉウエハが用いられる。このよ
うな単結晶Ｓｉウエハ上にヒータ８等が形成されること
になる。

【００２４】このＳｉウエハは例えば拡散炉中でＯ₂ ，
Ｈ₂Ｏのガスを流しながら、８００〜１０００℃の高温
にさらされ、表面に熱酸化膜ＳｉＯ₂ を１〜２μｍ成長
させる。この熱酸化膜ＳｉＯ₂ は図４に示すように蓄熱
層２１として働き、発熱体で発生した熱が発熱体基板２
側に逃げないようにすることで、インク方向に効率よく
熱が伝わるようにするためのものである。この蓄熱層２
１上にはヒータ８となる発熱層２２が形成される。この
発熱層２２を構成する材料としては、タンタル‐ＳｉＯ
₂ の混合物、窒化タンタル、ニクロム、銀‐パラジウム
合金、シリコン半導体、或いは、ハフニウム、ランタ
ン、ジルコニウム、チタン、タンタル、タングステン、
モリブデン、ニオブ、クロム、バナジウム等の金属の硼
化物が有用である。金属の硼化物中、特に優れているも
のは、硼化ハフニウムであり、以下、硼化ジルコニウ
ム、硼化ランタン、硼化タンタル、硼化バナジウム、硼
化ニオブの順となる。発熱層２２はこのような材料を用
いて、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などの手法
により形成される。発熱層２２の膜厚としては、単位時
間当りの発熱量が所望通りとなるように、その面積、材
料及び熱作用部分の形状及び大きさ、さらには、実際面
での消費電力等によって決定されるが、通常、０．００
１〜０．５μｍ、より好ましくは０．０１〜１μｍとさ
れる。本実施例では、その一例としてＨｆＢ₂ （硼化ハ
フニム）を材料として２０００Åの膜厚にスパッタリン
グ形成されている。

【００２５】電極９，１０を構成する材料としては、通
常使用されている電極材料の多くのものを使用し得る。
具体的には、例えばＡｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等が
挙げられ、これらを使用して蒸着等の手法により発熱層
２２上の所定位置に所定の大きさ、形状、膜厚で形成さ
れる。本実施例では、例えばＡｌを用い、スパッタリン
グ法により膜厚１．４μｍの電極９，１０を形成した。

【００２６】ついで、これらの発熱層２２や電極９，１
０上には保護層２３が形成される。この保護層２３に要
求される特性は、ヒータ８部分で発生した熱をインクに
効率よく伝達することを妨げず、かつ、ヒータ８をイン
クから保護し得ることである。よって、この保護層２３
を構成する材料としては、例えば酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化タ
ンタル、酸化ジルコニウム等がよい。これらを材料とし
て、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法により保護層
２３が形成される。また、炭化珪素、酸化アルミニウム
等のセラミックス材料を用いてもよい。保護層２３の膜
厚としては、通常、０．０１〜１０μｍとされるが、好
ましくは、０．１〜５μｍ、最適には０．１〜３μｍ程
度とするのがよい。本実施例では、ＳｉＯ₂ 膜としてス
パッタリング法により１．２μｍの膜厚に形成した。

【００２７】さらに、保護層２３上に耐キャビテーショ
ン保護層２４が形成されている。この保護層２４は発熱
体領域を気泡発生によるキャビテーション破壊から保護
するためのものであり、例えば、Ｔａをスパッタリング
法により４０００Åの膜厚に形成される。さらに、その
上部には、電極９，１０対応位置に位置させて膜厚２μ
ｍのＲesin層が電極保護層２５として形成されている。

【００２８】次に、流路基板３について説明する。この
流路基板３は発熱体基板２と同じく単結晶Ｓｉウエハ、
より具体的には、図５に示すように（１００）面の結晶
方位に切出されたＳｉウエハが用いられる。この単結晶
Ｓｉウエハは図におけるＸ軸とＹ軸とが互いに直交する
＜１１０＞となるように選定され、かつ、Ｘ‐Ｙ軸面
（上下面）が単結晶の（１００）面となるように選定さ
れている。このようにすると、単結晶の（１１１）面は
Ｙ軸に平行で、かつ、Ｘ‐Ｙ軸面に対して約５４．７°
の角度で交わることになる。流路基板３に形成される流
路用溝６はＶ字溝形状とされるが、このＶ字溝はその２
つの傾斜面が各々（１１１）面で構成されている。（１
１１）面は他の結晶面に比べ水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、ヒトラジンのようなアルカリ系溶液によるエ
ッチング速度が極めて遅く、（１００）面をアルカリ系
溶液でエッチングすると、（１１１）面で規制されたＶ
字形の溝を流路用溝６として得ることができる。このよ
うなＶ字溝の上部の幅はフォトエッチングの際のフォト
レジストの間隔で定まり、極めて精度の高いものとな
る。また、Ｖ字溝の深さは（１００）面と（１１１）面
とのなす角度（約５４．７°）と上面の幅とで定まるの
で、これも極めて精度の高いものとなる。さらには、エ
ッチングによって現れた（１１１）面は極めて平滑で直
線性のよいものとなる。

【００２９】ここに、このような単結晶Ｓｉウエハを用
いて、異方性フォトエッチング法により流路用溝６を形
成する方法について、図６を参照して説明する。まず、
図５で説明したような結晶方位のＳｉ単結晶からなる流
路基板３を用意する。図６（ａ）に示す状態では、紙面
に対して垂直方向が＜１１０＞軸、この基板３の上下面
が（１００）面となる。このような基板３を、例えば８
００〜１２００℃程度の水蒸気雰囲気中に置き、表面全
面に熱酸化膜２６を形成する。熱酸化膜２６の膜厚はエ
ッチング深さの０．３％程度あれば十分である。つい
で、同図（ｂ）に示すように、熱酸化膜２６の上面全面
に周知の方法でフォトレジストを塗布し、これを写真乾
板を用いて露光し、現像を行い、フォトレジストパター
ン２７を得る。ついで、同図（ｃ）に示すように、この
フォトレジストパターン２７により露出している部分の
熱酸化膜２６をフッ酸水溶液等により除去し、シリコン
の露出部３ａを得て、その後、フォトレジストパターン
２７を取り去る。このような状態にある基板３を、例え
ば５〜４０％，８０℃の水酸化カリウム溶液中において
エッチングする。これにより露出部３ａのエッチングが
進行するが、（１１１）面のエッチング進行速度は（１
００）面におけるエッチング進行速度の０．３〜０．４
％程度であるため、異方性エッチングとなり、露出部３
ａの各溝部からは基板３の上面（前述したように、（１
００）面である）に対し、tan~¹√２（約５４．７°）
の角度をなす（１１１）面が現れる。結局、エッチング
により形成される流路用溝６の溝形状は同図（ｄ）に示
すように台形状となる。さらにエッチングを進めると、
流路用溝６は同図（ｅ）に示すように、２つの（１１
１）面によって規制されたＶ字溝となる。

【００３０】このようなＶ字溝の精度について考察する
と、まず、熱酸化膜２６端部の下溝における、いわゆる
アンダカットは極めて小さく、純度の高い水酸化ナトリ
ウムを使用した場合、（１００）面のエッチング深さの
０．２％程度でしかない。従って、Ｖ字溝の幅（Ｗ）
は、フォトマスクの誤差を考慮に入れても±１μｍ程度
の精度とすることができる。また、Ｖ字溝の底部がなす
角度は（１１１）面同士がなす角度（約７０．６°）で
決定される。Ｖ字形の深さ（ｄ）はＷ／√２となる。

【００３１】最後に、同図（ｆ）に示すように、エッチ
ングマスクに使用した熱酸化膜２６をフッ酸水溶液等に
より除去することによりＶ字溝形状なる流路用溝６が形
成された単結晶Ｓｉのみによる流路基板３となる。な
お、このような流路基板３を実際にヘッドチップ１に適
用するには、Ｓｉウエハをインクから保護するため、Ｓ
ｉＯ₂ ，Ｓｉ₃Ｎ₄等の保護膜で保護するようにするのが
よい。

【００３２】このように異方性エッチングによりＶ字溝
形状で形成された流路用溝６を有する流路基板３は、前
述したようにヒータ８等が形成された発熱体基板２上
に、接合又は圧接されて積層状態とされる。この際、発
熱体基板２及び流路基板３は、双方の基板の＜１１０＞
軸方向を揃えて積層接合される。ここに、積層されたこ
れらの基板２，３について、ヒータ８部分から少し下流
（１００〜２００μｍ程度）の領域において、流路（流
路用溝６）に対してほぼ垂直方向にダイシングソーによ
って切断することにより、インク流路開口、ここではイ
ンク吐出用のノズル５が切出されてヘッドチップ１が完
成する。図１（ａ）はこのようにして完成したヘッドチ
ップ１を示し、同図（ｂ）はそのインク吐出用のノズル
５から見た一部を拡大して示す正面図である。

【００３３】なお、インク吐出用のノズル５の形成方法
としては、上記のように、ダイシングソーによって切断
した面（インク流路開口面）をそのまま直接インク吐出
用ノズル面とする他、例えば、図７に示すように、三角
形状の吐出ノズル２８ａを形成したノズル板２８を別個
に用意し、これをインク流路開口が切断形成されたヘッ
ドチップ１端面に接合させるようにしてもよい。このよ
うなノズル板２８は、例えばポリサルフォン、ポリエー
テルサルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリプロ
ピレンなどの樹脂板（厚さは、１０〜５０μｍ程度）
に、エキシマレーザを照射して樹脂を除去・蒸発させる
ことにより吐出ノズル２８ａを形成したものとすればよ
い。このような製法によると、吐出ノズル２８ａ用の三
角形のマスクパターンに沿った精密な加工を簡単に行う
ことができ、高精度なノズル板２８が得られる。このノ
ズル板２８はヘッドチップ１の切断面に接着剤により接
合される。また、このような製法で得られる吐出ノズル
２８ａの大きさは、ヘッドチップ１の切断面におけるイ
ンク流路の断面の大きさと同等か、やや小さめとするの
がよい。何れにしても、このようにノズル板２８を別体
で設けたヘッド構造によれば、図１等に示したものに比
べ、インク噴射の安定性が高いものとなる。

【００３４】このような本実施例の基本構成によれば、
インク流路が非常に滑らかなため、インク噴射性能に優
れたものとなる。

【００３５】次に、本実施例の特徴の一つである請求項
３記載の発明によるチップ化処理について説明する。本
実施例では、発熱体基板２、流路基板３とも単結晶材
料、具体的には、Ｓｉウエハにより形成されている。従
って、単結晶の持つ性質として、機械的に脆く、その取
出し（チップ化分離）には細心の注意を要する。この
点、本実施例では、特に流路基板３をＳｉウエハから流
路基板チップに分離する方法が工夫されている。

【００３６】まず、単結晶材料は、一般に、へき開と呼
ばれる性質を有しており、結晶軸の方向には容易に割れ
易くなっている。本実施例のように、（１００）面のＳ
ｉウエハを使用して流路基板３を作製する場合であれ
ば、Ｓｉウエハは、＜１１０＞軸方向に割れ易いものと
なる。そこで、本実施例では、Ｓｉウエハから微小な流
路基板チップを形成する際には、その割れ易い結晶軸方
向に、ダイシング溝を入れてチップ化するように工夫さ
れている。つまり、直交する２つの＜１１０＞軸方向に
ダイシング溝を入れて、矩形状の流路基板チップを形成
するものである。

【００３７】これに対応して、発熱体基板２側について
も、流路基板３側と同じく、（１００）面のＳｉウエハ
に関して、直交する２つの＜１１０＞軸方向にダイシン
グ溝を入れることで、矩形状の発熱体基板チップを形成
するように設定されている。

【００３８】ここに、チップ化についての実験例を示
す。（実験１）厚さ０．５mmで（１００）面に結晶方位面を
持つように切出した直径５インチのＳｉウエハを用い、
７mm×１０mmの大きさの矩形チップをダイシング法によ
り１４４個切出す実験を行ったものである。使用したダ
イシングソーはディスコ社製のＤＡＤ−２Ｈ／５型であ
り、ブレード回転数は３００００rpm 、ブレード送り速
度は２mm／ｓとした。使用したブレードは、ディスコ社
製ＮＢＣ−Ｚ６００（＝外径５２mm×厚さ０．１mm×内
径４０mm）である。Ｓｉウエハをダイシングフィルムに
貼付け、ダイシングソーに真空チャックし、０．５mmの
切込み深さで直交する２つの＜１１０＞軸方向にダイシ
ングを行ったものである。この結果、１４４個のチップ
を全て破損なくチップ化できたものである。

【００３９】（実験２）実験１と同じダイシングソー、
Ｓｉウエハ等を用い、ダイシング方向のみを、＜１１０
＞軸方向とは無関係（ランダム）な方向として１４４個
分のチップ化を行ったものである。結果は、１４４個の
チップの内、１１３個のチップに微小な欠け、或いは、
全面に割れが生じ、３１個のチップだけが、７mm×１０
mmの大きさで破損のない矩形チップとして得られたもの
である。破損等を生じたチップを観察したところ、欠
け、或いは、割れが＜１１０＞軸方向に生じていたこと
が判明した。

【００４０】以上の実験結果からも分かるように、Ｓｉ
ウエハからチップ化する場合には、結晶軸の方向にダイ
シングを行うことが重要である。従って、本実施例のよ
うに、（１００）面を結晶方位面として切出されたＳｉ
ウエハに流路用溝６を形成してなる流路基板３をＳｉウ
エハから切断してチップ化して得る際、直交する２つの
等価な＜１１０＞軸方向にダイシングを行えば、歩留ま
りの高いものとなる。また、（１００）面を結晶方位面
として切出されたＳｉウエハによる発熱体基板２を、Ｓ
ｉウエハから切断してチップ化して得る際、直交する２
つの等価な＜１１０＞軸方向にダイシングを行えば、歩
留まりの高いものとなる。

【００４１】また、本実施例の特徴の一つである請求項
１記載の発明によるヘッドチップ１のダイシング処理
（インク吐出ノズル面の切出し）について説明する。本
実施例では、発熱体基板２、流路基板３とも、単結晶材
料よりなり、これらの基板２，３は積層された状態でダ
イシングによりインク吐出ノズル面が切出される。この
際、上述した実験結果からも分かるように、仮に、ダイ
シング時に結晶軸方向から外れた方向にダイシングを行
うと、破損のないヘッドチップ（基板２枚の積層物）を
得ることが困難となる。この点、本実施例では、発熱体
基板２、流路基板３ともに同一方位面に切出されたＳｉ
ウエハをベースとし、両基板２，３とも同一結晶軸にダ
イシングを行うことによりチップ化したものを用いるよ
うにされている。

【００４２】具体的には、（１００）面を結晶方位面と
して切出されたＳｉウエハ上にヒータ８等を形成した発
熱体基板２は直交する２つの等価な＜１１０＞軸方向に
ダイシングを行ってチップ化され、（１００）面を結晶
方位面として切出されたＳｉウエハ上に異方性エッチン
グにより流路用溝６を形成した流路基板３は直交する２
つの等価な＜１１０＞軸方向にダイシングを行ってチッ
プ化されたものが用いられ、これらの２つのチップが積
層される。積層状態で、ヒータ８部分より少し下流領域
において、＜１１０＞軸方向（換言すれば、流路用溝６
に直交する方向）にダイシングソーによって両基板２，
３の積層物を切断することにより、インク吐出ノズル面
が切出し形成される。つまり、２枚の基板２，３をその
結晶軸方向を揃えて積層し、同じ結晶軸方向に切断する
ようにしているので、欠けや割れなどの破損を生ずるこ
となく、インク吐出ノズル面を形成できることになる。

【００４３】この点に関する具体例を比較例と対比して
示す。（具体例１）具体例として、まず、直径５インチ、厚さ
０．５mmで（１００）面を結晶方位面として切出された
Ｓｉウエハを用い、４００dpi で１２８素子分を配列さ
れた発熱体基板２を作製した。チップは、７mm×１０mm
の大きさで１４４個取りとした。このＳｉウエハを前述
した実験１と同じ方法・処理で直交する＜１１０＞軸方
向にダイシングを行い、チップ化した。次いで、同様
に、直径５インチ、厚さ０．５mmで（１００）面を結晶
方位面として切出されたＳｉウエハを用い、４００dpi
で１２８本分の流路用溝６をＶ字溝として異方性エッチ
ングにより形成した流路基板３を作製した。チップは、
７mm×１０mmの大きさで１４４個取りとした。このＳｉ
ウエハを前述した実験１と同じ方法・処理で直交する＜
１１０＞軸方向にダイシングを行い、チップ化した。こ
れらの２つのチップ（発熱体基板チップと流路基板チッ
プ）を、発熱面と溝面とが相対するようにして積層し、
接着接合して積層物とした。このような積層物を５０個
作製し、ヒータ８部分より下流１００μｍの位置で流路
用溝６にほぼ直交する＜１１０＞軸方向にダイシングを
行い、インク吐出ノズル面を切出すようにした。この
時、ダイシングの条件は、ブレード厚さを０．２５mmと
し、切込み深さは１mmとし、ブレード送り速度を０．３
mm／ｓとした以外は、実験１の場合と同じとした。結果
は、５０個全てについて、破損を生ずることなく、イン
ク吐出ノズル面を良好に切出すことができたものであ
る。

【００４４】（比較例）具体例１で作製したものと同じ
積層物を２０個用意し、流路の領域において流路用溝６
に対して垂直ではない方向（ここでは、垂直方向から約
２０°ずれた方向）に、具体例１の場合と同じ切込み深
さでダイシングを行ったところ、２０個の積層物全てに
破損を生じたものである。

【００４５】さらに、本発明の特徴の一つである請求項
５記載の発明によるチップ化処理について説明する。こ
れは、特に流路基板３のチップ化に関するものであり、
前述したチップ化処理は、ダイシングによりチップ化し
たが、ここでは、流路用溝６等を形成するための異方性
エッチングを利用するようにしたものである。前述した
ように、流路用溝６を有する本実施例の流路基板３は異
方性エッチングにより形成される。そこで、ここではＳ
ｉウエハから流路基板をチップ化する際にもこの異方性
エッチングを利用することにより、別工程を要せず、容
易にして、高精度な寸法でチップ化できるようにしたも
のである。

【００４６】図８はその一例を示すもので、Ｓｉウエハ
に流路用溝６をＶ字溝として形成する異方性エッチング
工程において、流路基板３のサイズ輪郭位置に、流路用
溝６よりもはるかに深い溝、ここではＳｉウエハの底面
に到達する程の深さのＶ字溝をチップ化溝３０として形
成し、このチップ化溝３０部分でチップ化分離して、各
流路基板３を形成するようにしたものである。

【００４７】ここに、チップ化溝３０のような深くて大
きい溝を形成するには、図６に示した異方性エッチング
工程において、Ｓｉウエハの露出部３ａの幅を大きくす
ればよい。また、流路用溝６の深さとチップ化溝３０の
深さとに違いがあると、エッチング時間の違いが問題に
なるという懸念が生ずるが、実際には、このようなエッ
チング時間の違いは殆ど問題とはならない。その理由
は、流路用溝６のようなＶ字溝は一旦形成されると（異
方性エッチングがＶ字溝の下端まで達すると）、そのＶ
字溝は、２つの（１１１）面で形成された溝となるた
め、エッチングがほぼストップし、それ以上、殆ど進行
しない状態となるからである。これは、（１１１）面が
他の面に比べてそのエッチング速度が極めて遅いためで
ある。従って、流路用溝６がほぼ形成された後もしばら
くの間、Ｓｉウエハをエッチング液に漬けておくことに
より、流路用溝６のエッチングを殆ど進行させることな
く、チップ化溝３０についてその（１００）面による露
出部３ａが露出している限り、エッチングが進行してい
くことになる。その後、チップ化溝３０の下端がＳｉウ
エハの底面に達するまでエッチングが進行した時点でエ
ッチングを終了させることにより、流路基板３のチップ
化が終了する。

【００４８】ところで、チップ化溝３０形成のためにエ
ッチングをＳｉウエハの底面まで行うと、その終了時点
では、全てのチップがバラバラになってしまう。このよ
うにバラバラになったチップをエッチング槽内で全て簡
単に収容し得るエッチング槽構造であればこのままでよ
いが、バラバラとなったチップの収容が困難なエッチン
グ槽を用いる場合には、例えば、図９に示すように、Ｓ
ｉウエハの途中の深さでエッチングを止めて形成される
チップ化溝３１としてもよい。このようなチップ化溝３
１による場合、チップ化溝３１に対して僅かな折曲げ力
を作用すれば、単結晶のへき開特性により、容易にチッ
プ化分離することができる。

【００４９】また、このようなチップ化溝３０を形成す
る平面的なパターンとしては、例えば図１０に示すよう
に僅かな保持部３０ａを残して十字状に不連続的に形成
することで、Ｓｉウエハの底面までチップ化溝３０用の
エッチングを行ったとしても、バラバラとならないよう
にしてもよい。後工程で、この保持部３０ａをチップ化
分離することは容易である。

【００５０】また、本発明の特徴の一つである請求項６
記載の発明によるヘッドチップ１作製のための積層過程
の効率化について説明する。本実施例では、前述したよ
うにＳｉウエハを材料として流路基板３を形成している
ので、ガラス板製等のものと異なり、不透明であるた
め、流路用溝６側を下面として発熱体基板２上に積層さ
せる際、どの位置に流路用溝６が形成されているかは上
面（裏面）側からは認識できず、不便であり、アセンブ
リ工程に必要以上に時間がかかってしまう。そこで、こ
こでは、単純には例えばインク流入口４の位置を流路基
板３の矩形チップにおいてその中心位置（対角線の交差
する位置）から外れた位置、具体的には、インク吐出口
とは反対の後部側にシフトした位置に形成することによ
り、インク流入口４を認識手段とし、流路基板３を積層
アセンブリ化する際の方向性が分かるように構成されて
いる。これにより、流路基板３が不透明であっても、発
熱体基板２上に正しい方向性で積層取付けすることがで
き、作業効率のよいものとなる。

【００５１】この他、例えば図１１（ａ）（ｂ）に示す
ように、流路基板３の角部や側辺等の適宜個所に切欠３
２ａ，３２ｂを認識手段として形成し、どの位置に流路
用溝６があるかといった取付け方向性を外から容易に認
識できるものとなる。このように切欠３２ａ，３２ｂは
異方性エッチング工程を利用してそのまま形成すること
ができ、特別な工程を要することもない。

【００５２】さらに、本発明の特徴の一つである請求項
７記載の発明によるアセンブリ化工程における位置整合
方式について説明する。これは、Ｓｉウエハによる流路
基板３が不透明であっても、その流路用溝６を各ヒータ
８に対して正しく位置整合させた状態でアセンブリ化し
得るようにしたものである。まず、発熱体基板２上には
流路基板３の４隅相当位置に位置させてＬ字形状の４つ
の位置決めパターン３３がフォトファブリケーションに
より形成されている。即ち、これらの位置決めパターン
３３はＸ軸、Ｙ軸なる２軸方向の辺を有するものとされ
ている。また、これらの位置決めパターン３３の位置、
形状に対応させて、流路基板３の４隅はその形成工程に
用いる異方性エッチングを利用して角状に切欠形成（貫
通形成）した４つの位置決め透視部３４が形成され、対
応する位置の位置決めパターン３３と位置決め透視部３
４との対により、４つの位置整合手段３５が構成されて
いる。即ち、位置決め透視部３４も位置決めパターン３
３のＸ軸、Ｙ軸なる２軸方向の辺に対応すべき辺を有す
るものとして形成されている。

【００５３】このような構成によれば、図１２に示すよ
うに流路基板３を発熱体基板２上に積層させてアセンブ
リ化する際に、各位置整合手段３５において、図１３に
示すように位置決め透視部３４の各辺が位置決めパター
ン３３の２軸方向の各辺の位置に対応するように位置合
わせすればよく、簡単に流路用溝６とヒータ８とが正し
い位置関係となるように位置整合させてアセンブリ化す
ることができる。ここに、流路基板３においては、異方
性エッチング工程を利用するため、別工程を要しないと
ともに、レーザ加工等による場合に比して、位置精度の
高い位置決め透視部３４を形成できるものとなる。

【００５４】なお、位置決め透視部としては図１２や図
１３に示したように流路基板３の４隅部分に形成したも
のに限らず、例えば、図１４に示すように流路用溝６な
どの支障ない４個所位置に異方性エッチングにより角穴
状に貫通形成した位置決め透視部３６としてもよい（こ
れらの位置決め透視部３６の対応位置に図１２等に示し
た位置決めパターン３３が形成される）。

【００５５】ところで、上記説明では、流路基板３にお
ける流路用溝６をＶ字状溝として形成したが、図１５等
に示すように、台形状溝とした流路用溝６を形成したも
のにも、前述したダイシング処理等を同様に適用し得る
（請求項３記載の発明に相当する）。ここでは、このよ
うな台形状溝による流路用溝６の形成方法等について説
明する。

【００５６】まず、流路基板３としては、この場合も前
述したように単結晶Ｓｉウエハ、より具体的には、図５
に対応させた図１６に示すように（１００）面の結晶方
位に切出されたＳｉウエハが用いられる。この単結晶Ｓ
ｉウエハは図におけるＸ軸とＹ軸とが互いに直交する＜
１１０＞軸となるように選定され、かつ、Ｘ‐Ｙ軸面
（上下面）が単結晶の（１００）面となるように選定さ
れている。このようにすると、単結晶の（１１１）面は
Ｙ軸に平行で、かつ、Ｘ‐Ｙ軸面に対して約５４．７°
の角度で交わることになる。

【００５７】このような流路基板３に形成される流路用
溝６は発熱体基板２と積層した状態で断面台形状となる
ような形状とされるが、その断面台形状をなす２つの側
面は各々等価な（１１１）面により傾斜面として形成さ
れ、インク流路において天井面をなす底面は（１００）
面により形成されている。ここに、（１１１）面は他の
結晶面に比べアルカリ系溶液によるエッチング速度が極
めて遅く、（１００）面をアルカリ系溶液でエッチング
すると、（１００）面に対して約５４．７°をなす（１
１１）面が現れ、図１６に示すように断面台形状をなす
ように拡開した流路用溝６が形成される。このような断
面台形状溝の上部の幅Ｗ₁ はフォトエッチングの際のフ
ォトレジストの間隔で定まり、極めて精度の高いものと
なる。また、断面台形状溝の深さｄは、異方性エッチン
グ時間をコントロールすることにより容易に管理でき
る。さらには、このようなエッチングによって現れた
（１１１）面は鏡面状態となっており極めて平滑で直線
性のよいものとなる。

【００５８】ここに、このような単結晶Ｓｉウエハを用
いて、異方性フォトエッチング法により断面台形状の流
路用溝６を形成する方法について、図１７を参照して説
明する。基本的には、図６により説明した形成方法でよ
く、図１７（ａ）〜（ｄ）なる工程は、図６（ａ）〜
（ｄ）と同様に行われる。ただし、異方性エッチングを
行うためのエッチング液としては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等に代えて、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム水溶液が用いられる。これによれば、異方性エッ
チングにより鏡面仕上げされる（１１１）面に加えて、
流路天井面を形成する（１００）面も非常に滑らかな状
態に仕上げられることが判明したからである。図１７
（ｄ）に示すような断面台形状溝の精度について考察す
ると、まず、熱酸化膜２６端部の下溝における、いわゆ
るアンダカットは極めて小さく、（１００）面のエッチ
ング深さの０．２％程度でしかない。従って、断面台形
状溝の上部の幅Ｗ₁ は、フォトマスクの誤差を考慮に入
れても±１μｍ程度の精度とすることができる。

【００５９】この後、Ｖ字状溝の場合と異なり、図１７
（ｄ）に示す段階でエッチングを終了させ、最後に、同
図（ｅ）に示すように、エッチングマスクに使用した熱
酸化膜２６をフッ酸水溶液等により除去することにより
断面台形状なる流路用溝６が形成された単結晶Ｓｉのみ
による流路基板３となる。なお、このような流路基板３
を実際にヘッドチップ１に適用するには、Ｓｉウエハを
インクから保護するため、ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃Ｎ₄等の保護
膜で保護するようにするのがよい。

【００６０】このように異方性エッチングにより台形状
溝として形成された流路用溝６を有する流路基板３は、
前述した場合と同様に、発熱体基板２上に、接合又は圧
接されて積層状態とされる。この際、発熱体基板２及び
流路基板３は、双方の基板の＜１１０＞軸方向を揃えて
積層接合される。ここに、積層されたこれらの基板２，
３について、ヒータ８部分から少し下流（１００〜２０
０μｍ程度）の領域において、流路（流路用溝６）に対
してほぼ垂直方向にダイシングソーによって切断するこ
とによりインク吐出用のノズル５が切出されてヘッドチ
ップ１が完成する。図１５（ａ）はこのようにして完成
したヘッドチップ１を示し、同図（ｂ）はそのインク吐
出用のノズル５から見た一部を拡大して示す正面図であ
る。

【００６１】なお、インク吐出用のノズル５の形成方法
としては、この場合も、図７に示した場合に準じて、図
１８に示すように、台形状の吐出ノズル２８ｂを形成し
たノズル板２８を別個に用意し、これをヘッドチップ１
端面に接合させるようにしてもよい。

【００６２】このような台形状溝による流路用溝６を形
成した流路基板３を用いる場合も、Ｖ字状溝による場合
と同様に、Ｓｉウエハの（１００）面に対する異方性エ
ッチングにより形成されるため、非常に高精度であり、
かつ、流路面も非常に滑らかなものとなり、インク流路
として理想的なものとなる。特に、台形状溝による場合
は、Ｖ字状溝による場合に比べ、ヒータ８部分で発生す
る気泡のトラップ、即ち、流路天井面付近での気泡の残
留が少なくなるメリットもある。

【００６３】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、単結晶基
板上に蓄熱層と発熱層とこの発熱層に通電するための電
極と保護層とを形成した発熱体基板と、前記単結晶基板
と同じ結晶方位面に切出された単結晶基板上に異方性エ
ッチングにより流路用溝を形成した流路基板とよりな
り、前記発熱体基板とこの流路基板とを結晶軸方向を揃
えるとともに発熱面と溝面とが相対するように積層し、
この積層物を流路用溝とほぼ垂直方向に切断してインク
流路開口を形成してサーマルインクジェットヘッドを構
成することで、発熱体基板と流路基板とを同じ結晶方位
面に切出された単結晶基板で形成したので、両基板を積
層、切断して吐出ノズルを形成するヘッド構造に関し
て、両基板が同じ結晶軸方向に切断されるものとなり、
その切断時に破損が生ずることがなく、歩留まりの高い
ヘッドを提供できる。

【００６４】特に、請求項２記載の発明によれば、発熱
体基板、流路基板とも単結晶シリコンウエハによるその
単結晶基板を＜１１０＞軸方向を揃えて積層させている
ので、切断によりインク流路開口を形成する際に、＜１
１０＞軸方向に切込みが入ることになり、その切断時に
破損が生ずることがなく、歩留まりが一層向上するもの
となる。

【００６５】また、請求項３又は４記載の発明によれ
ば、単結晶基板を（１００）面の結晶方位面に切出され
たシリコンウエハとし、その（１００）面に流路用溝を
Ｖ字溝又は台形状溝として形成した流路基板のチップを
シリコンウエハから取出す際に、直交する２つの等価な
＜１１０＞軸方向のダイシングによりチップ化するよう
にしたので、ダイシングに際して破損することがなく、
高い歩留まりで流路基板を作製できるものとなる。

【００６６】また、請求項５記載の発明によれば、異方
性エッチングにより流路用溝より深く形成したチップ化
溝により流路基板をチップ化するようにしたので、流路
用溝を形成する工程で済ませることができ、後で別工程
としてダイシング等を行う必要がなく、工程を短縮で
き、かつ、異方性エッチングによるチップ化溝でチップ
化するので、得られる流路基板チップの寸法精度の高い
ものとすることができる。

【００６７】さらに、これらの発明において、請求項６
記載の発明によれば、流路基板を発熱体基板上に積層取
付けする際に、流路基板が不透明であっても、その溝面
とは反対の外部から視認し得る面に流路用溝等の取付方
向を認識させる認識手段を有するようにしたので、発熱
体基板上への積層取付けを容易に行うことができる。

【００６８】一方、請求項７記載の発明によれば、発熱
体基板に形成した位置決めパターンと流路基板に貫通形
成した位置決め透視部との組合せによる位置整合手段を
設けたので、流路基板が不透明であってもアセンブリ時
に発熱部と流路用溝とを精度高く位置整合させることが
でき、特に、流路基板側の位置決め透視部は異方性エッ
チングによるため、別工程を必要としないとともに、レ
ーザ加工等による単純な貫通加工によるものに比べて、
非常に高精度となり、精度の高い位置整合が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示し、（ａ）はヘッドチッ
プの斜視図、（ｂ）はその一部を拡大して示す正面図で
ある。

【図２】発熱体基板を示す斜視図である。

【図３】サーマルインクジェットの記録原理を順に示す
縦断側面図である。

【図４】ヒータ付近を拡大して示す縦断側面図である。

【図５】流路基板の結晶面及び結晶軸方向を示す斜視図
である。

【図６】流路基板に関する異方性エッチング工程を順に
示す縦断正面図である。

【図７】変形例を示す分解斜視図である。

【図８】チップ化処理の特徴を示す正面図である。

【図９】その変形例を示す正面図である。

【図１０】別の変形例を示す平面図である。

【図１１】流路基板を示す平面図である。

【図１２】アセンブリ化処理の特徴を示す分解斜視図で
ある。

【図１３】その一部を拡大して示す平面図である。

【図１４】その変形例を示す平面図である。

【図１５】台形状溝による実施例を示し、（ａ）はヘッ
ドチップの斜視図、（ｂ）はその一部を拡大して示す正
面図である。

【図１６】その流路基板の結晶面及び結晶軸方向を示す
斜視図である。

【図１７】その流路基板に関する異方性エッチング工程
を順に示す縦断正面図である。

【図１８】その変形例を示す分解斜視図である。

【符号の説明】

２発熱体基板３流路基板４認識手段６流路用溝９，１０電極２１蓄熱層２２発熱層２３保護層３０，３１チップ化溝３２ａ，３２ｂ認識手段３３位置決めパターン３４位置決め透視部３５位置整合手段３６位置決め透視部

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶基板上に蓄熱層と発熱層とこの発
熱層に通電するための電極と保護層とを形成した発熱体
基板と、前記単結晶基板と同じ結晶方位面に切出された
単結晶基板上に異方性エッチングにより流路用溝を形成
した流路基板とよりなり、前記発熱体基板とこの流路基
板とを結晶軸方向を揃えるとともに発熱面と溝面とが相
対するように積層し、この積層物を前記流路用溝とほぼ
垂直方向に切断してインク流路開口を形成したことを特
徴とするサーマルインクジェットヘッド。
【請求項２】発熱体基板と流路基板とを形成する単結
晶基板をともに（１００）面の結晶方位面に切出された
単結晶シリコンウエハとし、双方の単結晶基板の＜１１
０＞軸方向を揃えて積層させたことを特徴とする請求項
１記載のサーマルインクジェットヘッド。
【請求項３】単結晶基板を（１００）面の結晶方位面
に切出された単結晶シリコンウエハとし、流路用溝をＶ
字溝とし、前記シリコンウエハの直交する２つの等価な
＜１１０＞軸方向のダイシングによりチップ化した流路
基板としたことを特徴とする請求項１又は２記載のサー
マルインクジェットヘッド。
【請求項４】単結晶基板を（１００）面の結晶方位面
に切出された単結晶シリコンウエハとし、流路用溝を台
形状溝とし、前記シリコンウエハの直交する２つの等価
な＜１１０＞軸方向のダイシングによりチップ化した流
路基板としたことを特徴とする請求項１又は２記載のサ
ーマルインクジェットヘッド。
【請求項５】異方性エッチングにより流路用溝より深
く形成したチップ化溝によりチップ化した流路基板とし
たことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載のサー
マルインクジェットヘッド。
【請求項６】流路用溝を有する溝面とは反対側から発
熱体基板に対する取付方向を認識させるための認識手段
を有する流路基板としたことを特徴とする請求項１，
２，３，４又は５記載のサーマルインクジェットヘッ
ド。
【請求項７】発熱体基板上にフォトファブリケーショ
ンにより形成された位置決めパターンと、流路基板に対
して前記位置決めパターンに対応する位置に異方性エッ
チングにより貫通形成された位置決め透視部との組合せ
よりなる位置整合手段を設けたことを特徴とする請求項
１，２，３，４又は５記載のサーマルインクジェットヘ
ッド。