JP2864611B2 - Semiconductor memory - Google Patents
Semiconductor memoryInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体メモリに関し、特に多数ビットのデー
タを並列処理する構成の半導体メモリに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory, and more particularly, to a semiconductor memory having a configuration for processing a plurality of bits of data in parallel.
従来、この種の半導体メモリは、8ビットまでが主流
であり、9ビット以上の多ビット系は、現在の所少数生
産されている場合が多い。Conventionally, this type of semiconductor memory has a mainstream of up to 8 bits, and a small number of multi-bit systems of 9 bits or more are often produced at present.
半導体メモリのビット数を決定する要因としては、マ
イクロコンピュータとのビットのマッチングがあり、現
在、マイクロコンピュータの主流はすでに16ビットへ移
行している。よって近々半導体メモリも16ビット、又は
32ビットの多ビット系へと移行して行くものと推測され
る。Factors that determine the number of bits in a semiconductor memory include bit matching with a microcomputer. At present, the mainstream of microcomputers has already shifted to 16 bits. Therefore, semiconductor memory will soon be 16 bits, or
It is presumed that it will shift to a 32-bit multi-bit system.
9ビット以上の多ビット系の半導体メモリは、マイク
ロコンピュータのビット数に合わせてデータの入出力端
子も製作するのが得策であり、例えば16ビットのマイク
ロコンピュータにはデータの入力用,出力用に各16本の
端子が設けられている。For a multi-bit semiconductor memory of 9 bits or more, it is advisable to manufacture data input / output terminals according to the number of bits of the microcomputer. For example, a 16-bit microcomputer is used for data input and output. There are 16 terminals each.
上述した従来の半導体メモリは、マイクロコンピュー
タのビット数に合わせてデータの入出力端子の数が決定
され、マイクロコンピュータの主流が8ビットから16ビ
ットへ移向しているので、現在使用している8ビットの
半導体メモリ用の試験装置が使用できなくなり、16ビッ
トの半導体メモリ用の試験装置を新たに設置しなけては
ならず、製造費用が増大するという問題点がある。The conventional semiconductor memory described above is currently used because the number of data input / output terminals is determined according to the number of bits of the microcomputer, and the mainstream of microcomputers has shifted from 8 bits to 16 bits. A test device for an 8-bit semiconductor memory cannot be used, and a new test device for a 16-bit semiconductor memory must be newly installed, which causes a problem that manufacturing costs increase.
本発明の目的は、16ビット,32ビットであっても、既
設の8ビットの試験装置を使用して試験することがで
き、製造費用の増大を抑えることができる半導体メモリ
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor memory which can be tested using an existing 8-bit test apparatus even if it is 16 bits or 32 bits, and which can suppress an increase in manufacturing cost. .
本発明の半導体メモリは、並列処理された複数ビット
のデータをそれぞれ対応して出力するためのこのデータ
のビット数と同数の出力端子と、前記複数ビットのデー
タのうちの所定の複数ビットの排他的論理和処理を行う
排他的論理和回路と、テスト信号に応じてこの排他的論
理和回路の出力データを前記複数の出力端子のうちの所
定の出力端子へ伝達するトランスファ回路と、前記テス
ト信号に応じて出力制御信号を出力するデータ出力制御
回路と、前記出力制御信号により活性化制御され前記複
数ビットのデータをそれぞれ対応する前記出力端子へ伝
達する複数の出力回路とを有している。The semiconductor memory according to the present invention has an output terminal having the same number of bits as the number of bits of the data for correspondingly outputting a plurality of bits of the parallel processed data, and exclusive use of a predetermined plurality of bits of the plurality of bits of data. An exclusive-OR circuit for performing an exclusive-OR operation, a transfer circuit for transmitting output data of the exclusive-OR circuit to a predetermined output terminal among the plurality of output terminals according to a test signal, and the test signal And a plurality of output circuits that are activated and controlled by the output control signal and transmit the plurality of bits of data to the corresponding output terminals.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
この実施例は、並列処理されたnビットのデータをそ
れぞれ対応して出力するためのこのデータのビット数と
同数の出力端子TO1〜TOnと、このnビットのデータの排
他的論理和処理を行う排他的論理和回路1と、インバー
タ及びトランスファゲートを備え、テスト信号TSTに応
じてこの排他的論理和回路1の出力データを出力端子TO
1〜TOnのうちの所定の出力端子TO1へ伝達するトランス
ファ回路2と、テスト信号TSTに応じて出力制御信号DOE
を出力するデータ出力制御回路3と、それぞれデータ増
幅器51〜5n及び出力バッファ61〜6nを対応して備え、出
力制御信号DOEにより活性化制御され複数ビットのデー
タをそれぞれ対応する出力端子(TO1〜TOn)へ伝達する
複数の出力回路41〜4nとを有する構成となっている。This embodiment performs an exclusive OR operation on the n-bit data with the same number of output terminals TO1 to TOn as the number of bits of the n-bit data to output correspondingly processed n-bit data. An exclusive OR circuit 1, an inverter and a transfer gate are provided, and output data of the exclusive OR circuit 1 is output to the output terminal TO according to a test signal TST.
A transfer circuit 2 for transmitting to a predetermined output terminal TO1 of 1 to TOn, and an output control signal DOE according to a test signal TST.
, And data amplifiers 51 to 5n and output buffers 61 to 6n, respectively, corresponding to the output terminals (TO1 to TO1 to TOn) is provided with a plurality of output circuits 41 to 4n.
次に、この実施例の動作について説明する。 Next, the operation of this embodiment will be described.
まず、並列処理されたnビットのデータDI1〜DInは、
排他的論理和回路1により処理される。First, n-bit data DI1 to DIn processed in parallel are:
The processing is performed by the exclusive OR circuit 1.
次に、信号TSTが低レベルの場合、トランスファ回路
2はオフ状態となり、排他的論理和回路1の出力データ
を出力端子TO1へ伝達させず、また、データ出力制御回
路3は出力制御信号DOEを高レベルにして出力回路41〜4
nを活性化する。よって、通常の動作状態となり、並列
処理されたnビットのデータDI1〜DInを、出力回路41〜
4nを介して出力端子TO1〜TOnへ伝達する。Next, when the signal TST is at a low level, the transfer circuit 2 is turned off, the output data of the exclusive OR circuit 1 is not transmitted to the output terminal TO1, and the data output control circuit 3 outputs the output control signal DOE. High level output circuit 41 ~ 4
Activate n. Therefore, a normal operation state is set, and the n-bit data DI1 to DIn processed in parallel are output to the output circuits 41 to
The signal is transmitted to output terminals TO1 to TOn via 4n.
次に、テスト信号TSTが高レベルの場合、トランスフ
ァ回路2はオン状態となり、排他的論理和回路1の出力
データを出力端子TO1へ伝達する。このとき、データ出
力制御回路3から出力される出力制御信号DOEは低レベ
ルとなり、出力回路41〜4nは非活性状態になり、従って
出力端子TO1〜TOnへのデータDI1〜DInの伝達はカットさ
れる。Next, when the test signal TST is at a high level, the transfer circuit 2 is turned on and transmits the output data of the exclusive OR circuit 1 to the output terminal TO1. At this time, the output control signal DOE output from the data output control circuit 3 becomes low level, and the output circuits 41 to 4n are deactivated, so that transmission of the data DI1 to DIn to the output terminals TO1 to TOn is cut off. You.
従って、例えば、予めデータの各ビットを同じ論理レ
ベルとして書込んだ後読出し、この回路を通過させて出
力端子TO1のレベルを確認することにより、この半導体
メモリの書込み,読出し動作の良否を確認することがで
きる。Therefore, for example, by writing each bit of data at the same logical level in advance and then reading it out and passing this circuit to check the level of the output terminal TO1, it is possible to check the quality of the writing and reading operations of this semiconductor memory. be able to.
第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
この実施例は、並列処理されたnビットのデータDI1
〜DInを、DI1〜DIk,DI(k+1)〜DInの2つのグルー
プに分割し、これら2つのグループに対しそれぞれ排他
的論理和処理を行う排他的論理和回路1A,1Bを設け、こ
れら排他的論理和回路1A,1Bの出力データを出力端子TO
1,TO2へそれぞれ対応して伝達するようにしたものであ
る。In this embodiment, the n-bit data DI1
The ~DIn, DI1~DIk, divided into two groups of DI (k + 1) ~DIn, the provided these are for the two groups performs exclusive processing exclusive OR circuit 1 A, 1 B, these Exclusive OR circuits 1 A , 1 B output data TO
It is designed to be transmitted to each of TO1 and TO2.
この実施例においては、動作不良があった場合、動作
不良があった部分の範囲を狭い範囲に限定することがで
きるという利点がある。この利点は、分割するグループ
が多くなるほど大きくなる。In this embodiment, there is an advantage that when there is a malfunction, the range of the portion where the malfunction has occurred can be limited to a narrow range. This advantage increases as the number of groups to be divided increases.
以上説明したように本発明は、並列処理された複数ビ
ットのデータの所定の複数ビットの排他的論理和処理を
行う少なくとも1つの排他的論理和回路を設け、この出
力を所定の出力端子へ伝達する構成とすることにより、
この出力端子のレベルにより、排他的論理和処理された
複数ビットのデータの良否を判別することができるの
で、並列処理されたデータの良否を少ない出力端子によ
り確認することができ、従って従来使用していた8ビッ
ト用の試験装置を16ビット,32ビット等の多ビット系の
半導体メモリに使用することができ、製造費用が増大す
るのを抑えることができる効果がある。As described above, according to the present invention, at least one exclusive OR circuit for performing exclusive OR processing of a predetermined plurality of bits of data of a plurality of bits processed in parallel is provided, and this output is transmitted to a predetermined output terminal. By having a configuration that
The quality of the data of a plurality of bits subjected to exclusive OR processing can be determined based on the level of the output terminal, so that the quality of the data processed in parallel can be checked with a small number of output terminals. The 8-bit test device can be used for a 16-bit, 32-bit, or other multi-bit semiconductor memory, which has the effect of suppressing an increase in manufacturing costs.
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の第1及び第2の実
施例を示す回路図である。 1,1A,1B……排他的論理和回路、2,2A……トランスファ
回路、3……データ出力制御回路、41〜4n……出力回
路、51〜5n……データ増幅器、61〜6n……出力バッフ
ァ、TO1〜TOn……出力端子。FIG. 1 and FIG. 2 are circuit diagrams showing first and second embodiments of the present invention, respectively. 1, 1 A , 1 B ... exclusive OR circuit, 2, 2 A ... transfer circuit, 3 ... data output control circuit, 41-4n ... output circuit, 51-5n ... data amplifier, 61- 6n Output buffer, TO1 to TOn Output terminals.
Claims (1)
ぞれ対応して出力するためのこのデータのビット数と同
数の出力端子と、前記複数ビットのデータのうちの所定
の複数ビットの排他的論理和処理を行う排他的論理和回
路と、テスト信号に応じてこの排他的論理和回路の出力
データを前記複数の出力端子のうちの所定の出力端子へ
伝達するトランスファ回路と、前記テスト信号に応じて
出力制御信号を出力するデータ出力制御回路と、前記出
力制御信号により活性化制御され前記複数ビットのデー
タをそれぞれ対応する前記出力端子へ伝達する複数の出
力回路とを有することを特徴とする半導体メモリ。An output terminal having the same number of bits as a plurality of bits of data for outputting a plurality of bits of data processed in parallel, and an exclusive logic of a predetermined plurality of bits of the plurality of bits of data. An exclusive-OR circuit for performing a sum process, a transfer circuit for transmitting output data of the exclusive-OR circuit to a predetermined output terminal among the plurality of output terminals in response to a test signal, A semiconductor device comprising: a data output control circuit that outputs an output control signal to the output terminal; and a plurality of output circuits that are activated and controlled by the output control signal and transmit the plurality of bits of data to the corresponding output terminals. memory.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016841A JP2864611B2 (en) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016841A JP2864611B2 (en) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Semiconductor memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03222199A JPH03222199A (en) | 1991-10-01 |
JP2864611B2 true JP2864611B2 (en) | 1999-03-03 |
Family
ID=11927437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016841A Expired - Lifetime JP2864611B2 (en) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | Semiconductor memory |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2864611B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0676598A (en) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory |
JP4863547B2 (en) * | 2000-12-27 | 2012-01-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor integrated circuit device with built-in BIST circuit |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2016841A patent/JP2864611B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03222199A (en) | 1991-10-01 |
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