JP2862963B2 - ホール効果を用いた磁気読取りヘッド - Google Patents
ホール効果を用いた磁気読取りヘッドInfo
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- JP2862963B2 JP2862963B2 JP2169696A JP16969690A JP2862963B2 JP 2862963 B2 JP2862963 B2 JP 2862963B2 JP 2169696 A JP2169696 A JP 2169696A JP 16969690 A JP16969690 A JP 16969690A JP 2862963 B2 JP2862963 B2 JP 2862963B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/376—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in semi-conductors
- G11B5/378—Integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、記録の読取りのための磁気ヘッド、さらに
詳しくはホール効果を用いた単一トラックまたはマルチ
トラック読取りヘッドに関する。
詳しくはホール効果を用いた単一トラックまたはマルチ
トラック読取りヘッドに関する。
従来の技術 現在、単一トラックまたはマルチトラック磁気記録ヘ
ッドを製造するために一般に使用される材料は、パーマ
ロイ、即ち78％のニッケルを含むフェロニッケル合金等
の材料である。
ッドを製造するために一般に使用される材料は、パーマ
ロイ、即ち78％のニッケルを含むフェロニッケル合金等
の材料である。
発明が解決しようとする課題 現在、これら磁気ヘッドの主な欠点の１つは雑音に関
するものである。この雑音は、磁化領域の特性によるも
のである。というのは、読取りヘッドの材料である合金
が単結晶ではないためである。従って、本発明は、この
問題を解決するため、単結晶を得ることを可能にする記
録読取りのためのホール効果磁気ヘッドのための新しい
構造を提供することを目的とする。
するものである。この雑音は、磁化領域の特性によるも
のである。というのは、読取りヘッドの材料である合金
が単結晶ではないためである。従って、本発明は、この
問題を解決するため、単結晶を得ることを可能にする記
録読取りのためのホール効果磁気ヘッドのための新しい
構造を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 そこで、本発明によれば、ホール効果を用いた磁気読
取りヘッドであって、該ヘッドのアクティブ要素が、磁
性材料と非磁性材料層が積み重なって形成された磁性金
属多重層と電子移動度の高い半導体材料層とがエピタキ
シャル成長により形成された基板と、上記半導体材料層
と接触した電流供給およびホール電圧検出用の電極とを
備え、上記半導体材料と多重層が電気的に互いに絶縁さ
れていることを特徴とする読取りヘッドが提供される。
取りヘッドであって、該ヘッドのアクティブ要素が、磁
性材料と非磁性材料層が積み重なって形成された磁性金
属多重層と電子移動度の高い半導体材料層とがエピタキ
シャル成長により形成された基板と、上記半導体材料層
と接触した電流供給およびホール電圧検出用の電極とを
備え、上記半導体材料と多重層が電気的に互いに絶縁さ
れていることを特徴とする読取りヘッドが提供される。
半導体材料に磁性金属層をエピタキシャル成長させる
ことにより、単結晶が成長する。この構造の磁化は従っ
て、雑音を抑制する単一領域の磁化である。
ことにより、単結晶が成長する。この構造の磁化は従っ
て、雑音を抑制する単一領域の磁化である。
さらに、上記構造を磁気読取りヘッドとして使用する
ために、多重層は垂直な異方性を有する。さらに、この
多重層の全体厚さは100〜1000Åの間である。従って、
界面異方性を利用し、個々の層の厚さが充分に小さい多
重層を作製することにより、多重層に垂直で、この多重
層が特に読取りヘッドとしての用途に好ましい磁化が得
られる。
ために、多重層は垂直な異方性を有する。さらに、この
多重層の全体厚さは100〜1000Åの間である。従って、
界面異方性を利用し、個々の層の厚さが充分に小さい多
重層を作製することにより、多重層に垂直で、この多重
層が特に読取りヘッドとしての用途に好ましい磁化が得
られる。
上記の構造では、主に垂直磁化を有する多重層のた
め、磁束線が集中することになる。この磁束線の集中
は、多重層がエピタキシャル成長された半導体層に磁界
を発生する。従って、磁気テープ等の磁気記録基板の磁
化が変化する間、半導体層に誘導されたホール電圧の変
化を検出することができる。
め、磁束線が集中することになる。この磁束線の集中
は、多重層がエピタキシャル成長された半導体層に磁界
を発生する。従って、磁気テープ等の磁気記録基板の磁
化が変化する間、半導体層に誘導されたホール電圧の変
化を検出することができる。
本発明の別の特徴により、ホール電圧の検出を妨害し
ないように、ホール効果を用いた磁気読取りヘッドは半
導体材料層と多重層の間に絶縁層を備える。この絶縁層
は、絶縁性酸化物またはGaAlAs等のギャップ高さの充分
な半導体材料から作製されるのが望ましい。絶縁層を全
く含まないホール効果磁気読取りヘッドは、多重層と半
導体層の間にショットキダイオードが形成されて漏れを
生じないような材料で作製される。そのため、多重層の
第一金属層と半導体材料層の間に充分な障壁高さがなけ
ればならない。
ないように、ホール効果を用いた磁気読取りヘッドは半
導体材料層と多重層の間に絶縁層を備える。この絶縁層
は、絶縁性酸化物またはGaAlAs等のギャップ高さの充分
な半導体材料から作製されるのが望ましい。絶縁層を全
く含まないホール効果磁気読取りヘッドは、多重層と半
導体層の間にショットキダイオードが形成されて漏れを
生じないような材料で作製される。そのため、多重層の
第一金属層と半導体材料層の間に充分な障壁高さがなけ
ればならない。
本発明のその他の特徴ならびに利点は、添付の図面を
参照にして以下に行うホール効果磁気読取りヘッドの様
々な実施例の説明から理解されることであろう。
参照にして以下に行うホール効果磁気読取りヘッドの様
々な実施例の説明から理解されることであろう。
尚、添付の図面では、説明を単純にするため、同じ要
素には同じ参照番号および記号を用いた。さらに、図面
をさらにわかり易くするため、様々な厚さの層を拡大し
て示した。
素には同じ参照番号および記号を用いた。さらに、図面
をさらにわかり易くするため、様々な厚さの層を拡大し
て示した。
実施例 第１図に示されるように、本発明に従うホール効果磁
気ヘッドは、主に基板１の上に、次の層を順次エピタキ
シャル成長させることにより構成される。即ち、電子移
動度の高い半導体材料から成る層２と、絶縁層３と、磁
性材料および非磁性材料の積み重なった層から構成され
る多重層４である。雑音を減らすことができる単結晶構
造を得るため、分子線エピタキシーのような特殊なエピ
タキシャル技術を用いて上記の構造を形成する。さら
に、エピタキシーが可能となるように、基板１は、格子
パラメータが付着させる材料と適合するように選択しな
ければならない。高い電子移動度を備える半導体材料
は、ガリウム砒素（GaAs）等の元素の周期表のIII族お
よびＶ族の元素の化合物から選択するか、あるいはこの
材料はドープされたシリコンである。
気ヘッドは、主に基板１の上に、次の層を順次エピタキ
シャル成長させることにより構成される。即ち、電子移
動度の高い半導体材料から成る層２と、絶縁層３と、磁
性材料および非磁性材料の積み重なった層から構成され
る多重層４である。雑音を減らすことができる単結晶構
造を得るため、分子線エピタキシーのような特殊なエピ
タキシャル技術を用いて上記の構造を形成する。さら
に、エピタキシーが可能となるように、基板１は、格子
パラメータが付着させる材料と適合するように選択しな
ければならない。高い電子移動度を備える半導体材料
は、ガリウム砒素（GaAs）等の元素の周期表のIII族お
よびＶ族の元素の化合物から選択するか、あるいはこの
材料はドープされたシリコンである。
従って、第１および第２図の上部に示した構造は、ド
ープされていないガリウム砒素製の基板１と、所望の電
子移動度を得るようにドープされたガリウム砒素製の層
２から形成されることができる。この場合、絶縁層３
は、例えば、GaAlAs等の充分な障壁高さを有する半導体
材料を用いて作製することができる。他のタイプの絶縁
層、特に酸化物を基材とする絶縁層を使用することも可
能である。読取りヘッドのアクティブ部分を形成する磁
気多重層４は、この多重層に垂直な磁化による磁気記録
の情報を転写できるようにされていなければならない。
その結果、この磁気多重層４は磁性層と非磁性層を積み
重ねることにより形成され、磁性層41はコバルトもしく
はコバルト合金から作製されるのが望ましいのに対し、
非磁性層42はクロム、銀またはこれら金属の合金から作
製される。さらに、個々の層の厚さは充分小さく、数オ
ングストロームから30Å〜60Åの間にあり、多重層全体
の厚さは100〜1000Åである。
ープされていないガリウム砒素製の基板１と、所望の電
子移動度を得るようにドープされたガリウム砒素製の層
２から形成されることができる。この場合、絶縁層３
は、例えば、GaAlAs等の充分な障壁高さを有する半導体
材料を用いて作製することができる。他のタイプの絶縁
層、特に酸化物を基材とする絶縁層を使用することも可
能である。読取りヘッドのアクティブ部分を形成する磁
気多重層４は、この多重層に垂直な磁化による磁気記録
の情報を転写できるようにされていなければならない。
その結果、この磁気多重層４は磁性層と非磁性層を積み
重ねることにより形成され、磁性層41はコバルトもしく
はコバルト合金から作製されるのが望ましいのに対し、
非磁性層42はクロム、銀またはこれら金属の合金から作
製される。さらに、個々の層の厚さは充分小さく、数オ
ングストロームから30Å〜60Åの間にあり、多重層全体
の厚さは100〜1000Åである。
従って、多重層の各層間の面内異方性を利用し、多重
層の厚さによって、多重層に垂直な磁化が得られる。こ
の磁化により、多重層を磁気記録媒体の読取りに使用す
ることが可能になる。
層の厚さによって、多重層に垂直な磁化が得られる。こ
の磁化により、多重層を磁気記録媒体の読取りに使用す
ることが可能になる。
実際、使用される多重層の構造は、異方エネルギ： Ea＝Keffsin2θ， ここで、Keff＝Ｋ−２πM2（K:異方性の係数） （ただし、θは磁化方向と多重層に対する垂線の間の角
度であり、Ｍは磁化である） を有する垂直異方性を備えなければならない。このよう
な多重層のヒステリシス周期は主に矩形であり、磁界の
保磁力は： Hc＝2Keff/M に等しい。この磁界Hcは、所与の領域から磁化が反転し
ている領域に移行するとき、記録により生じた磁界の影
響下で多重層の磁化が反転するように充分小さくなけれ
ばならない（実際には、記録のタイプに応じてHc＝100
〜500Oeである）。多重層の厚さｔは、記録への影響が
無視できる程度となるように充分小さくし、また、この
記録を変更しないように充分小さくしなければならない
（即ち、tMHc≪ｔ′Ｍ′Hc′、ただし、ｔ′、Ｍ′、
Hc′はそれぞれ磁気テープの厚さ、磁化および保磁力を
指す）。
度であり、Ｍは磁化である） を有する垂直異方性を備えなければならない。このよう
な多重層のヒステリシス周期は主に矩形であり、磁界の
保磁力は： Hc＝2Keff/M に等しい。この磁界Hcは、所与の領域から磁化が反転し
ている領域に移行するとき、記録により生じた磁界の影
響下で多重層の磁化が反転するように充分小さくなけれ
ばならない（実際には、記録のタイプに応じてHc＝100
〜500Oeである）。多重層の厚さｔは、記録への影響が
無視できる程度となるように充分小さくし、また、この
記録を変更しないように充分小さくしなければならない
（即ち、tMHc≪ｔ′Ｍ′Hc′、ただし、ｔ′、Ｍ′、
Hc′はそれぞれ磁気テープの厚さ、磁化および保磁力を
指す）。
本発明のもう１つの実施例によれば、半導体層２と多
重層４の間に備えられる絶縁層３が取り除かれる。この
場合、このようにして得たショットキダイオードが漏れ
を生じてはならない。これは、多重層４の第一磁気層と
半導体層２の間の障壁高さが充分でなければならないこ
とを意味する。
重層４の間に備えられる絶縁層３が取り除かれる。この
場合、このようにして得たショットキダイオードが漏れ
を生じてはならない。これは、多重層４の第一磁気層と
半導体層２の間の障壁高さが充分でなければならないこ
とを意味する。
この絶縁は、以下に詳しく説明するように、半導体層
に誘導されたホール効果の測定により多重層の磁化の検
出を乱さないために必要である。
に誘導されたホール効果の測定により多重層の磁化の検
出を乱さないために必要である。
再び第２および第３図に示すように、多重層４を保護
層５で被覆することもできる。この保護層は窒化物を基
材とする層または非磁性耐摩耗層により形成される。
層５で被覆することもできる。この保護層は窒化物を基
材とする層または非磁性耐摩耗層により形成される。
第４図に示すように、読取りヘッドは、それぞれ電流
引き込み線用と、ホール電圧コネクタVH−およびVH＋用
の２つの電極対６、６および７、７を備える。これらの
電極は、半導体層２の表面に金属層を付着することによ
り得られる。絶縁層を備える読取りヘッドの場合、絶縁
層をエッチング除去することが必要である。エッチング
の後、抵抗が非常に低いコンタクトを半導体層２に付着
させる。
引き込み線用と、ホール電圧コネクタVH−およびVH＋用
の２つの電極対６、６および７、７を備える。これらの
電極は、半導体層２の表面に金属層を付着することによ
り得られる。絶縁層を備える読取りヘッドの場合、絶縁
層をエッチング除去することが必要である。エッチング
の後、抵抗が非常に低いコンタクトを半導体層２に付着
させる。
第5A図および第5B図に示すように、本発明に従う読取
りヘッドは、第5A図に示すような水平方向記録のテープ
10Aと、第5B図に示すような垂直方向記録のテープ10Bの
両方に用いることができる。前者の場合には、読取りヘ
ッドはテープに対して垂直に配置される。次に、磁束線
を点線で示したように方向付ける。ここでは、２つの矢
印が、それぞれテープおよびヘッドの多重層における磁
化の方向を示している。
りヘッドは、第5A図に示すような水平方向記録のテープ
10Aと、第5B図に示すような垂直方向記録のテープ10Bの
両方に用いることができる。前者の場合には、読取りヘ
ッドはテープに対して垂直に配置される。次に、磁束線
を点線で示したように方向付ける。ここでは、２つの矢
印が、それぞれテープおよびヘッドの多重層における磁
化の方向を示している。
後者の場合には、読取りヘッドはテープに平行に配置
する。
する。
このタイプのヘッドを用いて、読取りは、２つの現象
を組み合わせる、即ち： −磁気記録に示された情報を第5A図および第5B図の矢印
Ｆで表すように多重層に垂直な磁化に転写し、 −半導体層２に誘導されたホール効果の測定により多重
層の磁化を検出する ことにより行われる。
を組み合わせる、即ち： −磁気記録に示された情報を第5A図および第5B図の矢印
Ｆで表すように多重層に垂直な磁化に転写し、 −半導体層２に誘導されたホール効果の測定により多重
層の磁化を検出する ことにより行われる。
第６図に示すように、テープ10上での矢印Ｆで示され
る反対方向の磁化により、２種類の情報が磁気テープ10
に記録される。この磁気テープの磁化領域の変化によっ
て、磁性金属多重層における磁化方向の変化、従って、
第６図のグラフに示すように半導体層で測定されたホー
ル電圧VHの符号の変化が起こる。従って、磁気ヘッドの
下方でテープの流れから起こるホール電圧は容易に使用
することのできるデジタル型電圧である。
る反対方向の磁化により、２種類の情報が磁気テープ10
に記録される。この磁気テープの磁化領域の変化によっ
て、磁性金属多重層における磁化方向の変化、従って、
第６図のグラフに示すように半導体層で測定されたホー
ル電圧VHの符号の変化が起こる。従って、磁気ヘッドの
下方でテープの流れから起こるホール電圧は容易に使用
することのできるデジタル型電圧である。
第７図に示すように、前述の読取りヘッドの構造はマ
ルチトラック読取りヘッド用にも使用することができ
る。この場合、共通の基板１の上に、半導体層２が作製
される。この半導体層２は絶縁層３と多重層４で被覆さ
れている。マルチトラックを得るためには、多重層、絶
縁層および半導体層を基板に達するまでエッチングし
て、エッチング20を施し、ヘッドを互いに隔てさせる。
ルチトラック読取りヘッド用にも使用することができ
る。この場合、共通の基板１の上に、半導体層２が作製
される。この半導体層２は絶縁層３と多重層４で被覆さ
れている。マルチトラックを得るためには、多重層、絶
縁層および半導体層を基板に達するまでエッチングし
て、エッチング20を施し、ヘッドを互いに隔てさせる。
従って、パーマロイタイプの標準材料の代わりに多重
層構造を利用し、垂直な磁気を与える垂直異方性を得る
ように多重層を形成する磁気および非磁気層の成分と厚
さを選択し、さらにまた、単結晶を得るように多重層を
作製するための特殊な方法を用いることにより、単結晶
の読取りヘッドが得られ、従って、雑音をかなり減少さ
せることが可能になる。このようにして、誘導ホール電
圧のデジタル型検出を提供する読取りヘッドが実現され
ることになる。
層構造を利用し、垂直な磁気を与える垂直異方性を得る
ように多重層を形成する磁気および非磁気層の成分と厚
さを選択し、さらにまた、単結晶を得るように多重層を
作製するための特殊な方法を用いることにより、単結晶
の読取りヘッドが得られ、従って、雑音をかなり減少さ
せることが可能になる。このようにして、誘導ホール電
圧のデジタル型検出を提供する読取りヘッドが実現され
ることになる。
第１図は、ホール効果の単一トラック磁気読取りヘッド
の実施例を斜めから見た概略図であり、 第２図は、第１図に示した実施例を線Ａ−Ａで切断した
断面図であり、 第３図は、本発明に従うホール効果磁気ヘッドの別の実
施例を示す第２図と同様な断面図であり、 第４図は、コンタクトの配置を示す上面図であり、 第5A図および第5B図は、本発明に従う読取りヘッドの動
作を説明するための概略的な図であり、 第６図は、読取りヘッドにより読み取られるテープの磁
化に応じたホール電圧信号の範囲を示し、 第７図は、本発明に従うマルチトラックホール効果読取
りヘッドを斜めから見た概略図である。 （主な参照番号） １……基板、２……半導体層、３……絶縁層、４……多
重層、41……磁性層、42……非磁性層、５……保護層、
６、７……電極、10A、10B……テープ、20……エッチン
グ、
の実施例を斜めから見た概略図であり、 第２図は、第１図に示した実施例を線Ａ−Ａで切断した
断面図であり、 第３図は、本発明に従うホール効果磁気ヘッドの別の実
施例を示す第２図と同様な断面図であり、 第４図は、コンタクトの配置を示す上面図であり、 第5A図および第5B図は、本発明に従う読取りヘッドの動
作を説明するための概略的な図であり、 第６図は、読取りヘッドにより読み取られるテープの磁
化に応じたホール電圧信号の範囲を示し、 第７図は、本発明に従うマルチトラックホール効果読取
りヘッドを斜めから見た概略図である。 （主な参照番号） １……基板、２……半導体層、３……絶縁層、４……多
重層、41……磁性層、42……非磁性層、５……保護層、
６、７……電極、10A、10B……テープ、20……エッチン
グ、
Claims (16)
- 【請求項１】ホール効果を用いた磁気読取りヘッドであ
って、該ヘッドのアクティブ要素が、磁性材料と非磁性
材料の層が積み重なって形成された磁性金属の多重層と
電子移動度の高い半導体材料層とがエピタキシャル成長
により形成された基板と、上記半導体材料層と接触する
電流供給およびホール電圧検出用の電極とを備え、上記
半導体材料と多重層が電気的に互いに絶縁されているこ
とを特徴とする読取りヘッド。 - 【請求項２】上記多重層が垂直異方性を有することを特
徴とする請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項３】上記多重層を形成する層の非磁性材料が、
クロム、銀またはこれら金属の合金から選択されること
を特徴とする請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項４】上記多重層を形成する層の磁性材料が、コ
バルトまたはコバルト合金から選択されることを特徴と
する請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項５】上記多重層が100〜1000Åの厚さであるこ
とを特徴とする請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項６】上記電子移動度の高い半導体材料が、GaAs
等の元素周期表のIII族及びＶ族の元素の化合物から選
択されることを特徴とする請求項１記載の読取りヘッ
ド。 - 【請求項７】上記電子移動度の高い半導体材料が、ドー
プされたシリコンから成ることを特徴とする請求項１記
載の読取りヘッド。 - 【請求項８】上記基板が、半導体層の定着を可能にする
ことを特徴とする請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項９】上記基板が、半導体材料層と同じ材料から
成るが、ドープされていないことを特徴とする請求項１
記載の読取りヘッド。 - 【請求項１０】上記基板、半導体材料層、ならびに多重
層が、互いに適合する格子パラメータを有する材料から
成ることを特徴とする請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項１１】上記半導体材料層と多重層の間に、絶縁
層を備えることを特徴とする請求項１記載の読取りヘッ
ド。 - 【請求項１２】上記絶縁層が絶縁性酸化物、あるいは、
GaAlAs等のギャップ高さが充分な半導体材料から成るこ
とを特徴とする請求項11記載の読取りヘッド。 - 【請求項１３】上記多重層が保護層で被覆されることを
特徴とする請求項１記載の読取りヘッド。 - 【請求項１４】上記保護層が、窒化物を基材とする層、
または耐摩耗性非磁性層で形成されることを特徴とする
請求項13記載の読取りヘッド。 - 【請求項１５】少なくとも半導体層と多重層が分子線エ
ピタキシーにより作製されることを特徴とする請求項１
記載の読取りヘッド。 - 【請求項１６】共通の基板上に形成され、エッチングに
より互いに隔てられた請求項１記載のいくつかの読取り
ヘッドを備えることを特徴とするマルチトラック読取り
ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8908561A FR2648941B1 (fr) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | Tete de lecture magnetique a effet hall |
| FR8908561 | 1989-06-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337813A JPH0337813A (ja) | 1991-02-19 |
| JP2862963B2 true JP2862963B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=9383169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169696A Expired - Lifetime JP2862963B2 (ja) | 1989-06-27 | 1990-06-27 | ホール効果を用いた磁気読取りヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093753A (ja) |
| EP (1) | EP0406051B1 (ja) |
| JP (1) | JP2862963B2 (ja) |
| DE (1) | DE69011997T2 (ja) |
| FR (1) | FR2648941B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5251082A (en) * | 1991-06-13 | 1993-10-05 | Elliott Timothy J | Miniaturized disk file pluggable into a card terminal |
| FR2700633B1 (fr) * | 1993-01-20 | 1995-03-17 | Silmag Sa | Procédé de réalisation d'une tête magnétique à détecteur de champ à semiconducteur et tête obtenue par ce procédé. |
| US5543988A (en) * | 1993-04-30 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Hall sensor with high spatial resolution in two directions concurrently |
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