JP2862889B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2862889B2 JP2862889B2 JP5643889A JP5643889A JP2862889B2 JP 2862889 B2 JP2862889 B2 JP 2862889B2 JP 5643889 A JP5643889 A JP 5643889A JP 5643889 A JP5643889 A JP 5643889A JP 2862889 B2 JP2862889 B2 JP 2862889B2
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Description
本発明は半導体レーザ装置の構造に係り、特に民生用
において、要求される高出力半導体レーザ装置に関す
る。
において、要求される高出力半導体レーザ装置に関す
る。
第２次高調波発生の光源として用いるため、横単一モ
ードで且つ出力ビームが単峰の高出力カレーザが要求さ
れている。高出力化を制限する要因は、単面における光
密度である。即ち、端面での光スポットサイズを広げな
ければならない。エレクトロニクスレター９号169ペー
ジに示されているように、サイフレス等は、ストライプ
を共振器方向に複数本並べることにより、高出力化を図
っている。発熱の問題を考慮しなくてもよいパルス駆動
の場合は、すべてのストライプで位相同期することがで
きる。この場合を第２図に示した。 なお、共振器方向に複数のストライプを設けた半導体
レーザ装置は、特開昭61−69187号公報、特開昭61−691
88号公報、特開昭62−54989号公報、特開昭62−62579号
公報、特開昭62−145791号公報、及び特開昭62−145792
号公報にも開示されている。
ードで且つ出力ビームが単峰の高出力カレーザが要求さ
れている。高出力化を制限する要因は、単面における光
密度である。即ち、端面での光スポットサイズを広げな
ければならない。エレクトロニクスレター９号169ペー
ジに示されているように、サイフレス等は、ストライプ
を共振器方向に複数本並べることにより、高出力化を図
っている。発熱の問題を考慮しなくてもよいパルス駆動
の場合は、すべてのストライプで位相同期することがで
きる。この場合を第２図に示した。 なお、共振器方向に複数のストライプを設けた半導体
レーザ装置は、特開昭61−69187号公報、特開昭61−691
88号公報、特開昭62−54989号公報、特開昭62−62579号
公報、特開昭62−145791号公報、及び特開昭62−145792
号公報にも開示されている。
しかし、第３図で示したように、発熱の問題を考慮し
なければならない連続発振時には中央のストライプのみ
で位相同期発振をしてしまい。外側のストライプでは位
相同期が起こらない。従って、出力光のコヒーレンシー
が低下する。このことは、第４図を用いて以下のように
説明できる。連続発振時は、第４図（ｂ）に示したよう
に、ストライプ領域の中央部では温度上昇が著しいが、
ストライプの端に近い部分では発熱した熱がストライプ
の両側に逃げることができるために温度上昇は小さい。
従って、ストライプ領域で温度分布が生じてしまい、そ
の結果ストライプ領域の結晶の光学的な性質が不均一に
なる。そのために、ストライプ全体で位相同期発振する
ことができないのである。 本発明は、パルス駆動の場合のみではなく、連続発振
時においてもストライプ領域全体で位相同期発振するフ
ェーズドアレイ型半導体レーザ装置を提供することを目
的とする。
なければならない連続発振時には中央のストライプのみ
で位相同期発振をしてしまい。外側のストライプでは位
相同期が起こらない。従って、出力光のコヒーレンシー
が低下する。このことは、第４図を用いて以下のように
説明できる。連続発振時は、第４図（ｂ）に示したよう
に、ストライプ領域の中央部では温度上昇が著しいが、
ストライプの端に近い部分では発熱した熱がストライプ
の両側に逃げることができるために温度上昇は小さい。
従って、ストライプ領域で温度分布が生じてしまい、そ
の結果ストライプ領域の結晶の光学的な性質が不均一に
なる。そのために、ストライプ全体で位相同期発振する
ことができないのである。 本発明は、パルス駆動の場合のみではなく、連続発振
時においてもストライプ領域全体で位相同期発振するフ
ェーズドアレイ型半導体レーザ装置を提供することを目
的とする。
上記目的を達成するために、ストライプ領域の両側に
近接した部分に、発振に寄与しない電流が流れる構造と
した。即ち、ストライプ領域の両側にダミーストライ
プ、または、ダミー領域を設けた。 本発明によれば、共振器長方向にストライプを平行に
複数設け、夫々のストライプ同志で位相同期発振する構
造の半導体レーザ装置や、共振器方向にストライプが複
数有り、夫々のストライプ同志でカップリング領域を介
して位相同期発振する構造の半導体レーザ装置におい
て、複数のストライプからなるストライプ領域に隣接し
てレーザ発振に寄与しない電流が流れる領域を設ける。
この領域をダミーストライプとして構成する場合、ダミ
ーストライプの端面の反射率をストライプ領域のそれよ
り低くすると良く、ダミーストライプ部のみに吸収領域
を設けても良い。また、ダミーストライプのみが共振器
方向の途中でストライプが存在しない領域を有するよう
にしても良い。
近接した部分に、発振に寄与しない電流が流れる構造と
した。即ち、ストライプ領域の両側にダミーストライ
プ、または、ダミー領域を設けた。 本発明によれば、共振器長方向にストライプを平行に
複数設け、夫々のストライプ同志で位相同期発振する構
造の半導体レーザ装置や、共振器方向にストライプが複
数有り、夫々のストライプ同志でカップリング領域を介
して位相同期発振する構造の半導体レーザ装置におい
て、複数のストライプからなるストライプ領域に隣接し
てレーザ発振に寄与しない電流が流れる領域を設ける。
この領域をダミーストライプとして構成する場合、ダミ
ーストライプの端面の反射率をストライプ領域のそれよ
り低くすると良く、ダミーストライプ部のみに吸収領域
を設けても良い。また、ダミーストライプのみが共振器
方向の途中でストライプが存在しない領域を有するよう
にしても良い。
代表的な１例を第１図に示した。これは、素子の上面
図である。ストライプ領域の両側にダミーストライプを
設けた。これにより、第４図（ａ）に示したように、発
熱の影響を考慮しなければならない連続発振時において
もストライプ領域内では温度分布が均一になる。このた
め、ストライプ全体で安定に位相同期発振をする。従っ
て、連続発振時においてもコヒーレンス性のよいレーザ
光が得られる。
図である。ストライプ領域の両側にダミーストライプを
設けた。これにより、第４図（ａ）に示したように、発
熱の影響を考慮しなければならない連続発振時において
もストライプ領域内では温度分布が均一になる。このた
め、ストライプ全体で安定に位相同期発振をする。従っ
て、連続発振時においてもコヒーレンス性のよいレーザ
光が得られる。
以下、本発明の実施例について第１図及び第５−10図
を用いて詳細に説明する。 ［実施例１］ 実施例１を第１図及び第５図（ａ）、第５図（ｂ）を
用いて説明する。 第１図は、素子の上面図であり、ストライプ形状を示
している。第５図（ａ）は、第１図におけるＡ−Ａ′断
面図、即ち、ダミーストライプが存在する部分の断面図
で、両端のストライプはダミーストライプである。第５
図（ｂ）は、第１図におけるＢ−Ｂ′断面図、即ち、ダ
ミーストライプのない部分の断面図である。 まず、素子の断面構造を第５図（ａ）及び第５図
（ｂ）に示した。ｎ型GaAs基板結晶３の上にｎ型Al0.37
Ga0.63Asクラッド層４、Al0.06Ga0.94As活性層５、ｐ型
Al0.37Ga0.63Asクラッド層６、ｎ型GaAs電流狭搾層７を
MBE法により順次形成する。ホトエッチング工程により
第１図に示されているように、ｎ型GaAs電流狭搾層７を
完全に除去し、ｐ型Al0.37Ga0.63Asクラッド層６の表面
を露出する幅１−10μｍの溝ストライプ１を共振器方向
に２−10本、0.5−５μｍの間隔で形成する。また、ス
トライプ領域の外側にダミーストライプ２を設ける。こ
の時、ダミーストライプの幅は、４−６μｍとし、ま
た、両端のストライプとの間隔は、４−６μｍとした。
また、両端面近傍にダミーストライプの存在しない領域
を、20−40μｍ設けた。次にMBE法によりｐ型Al0.37Ga
0.63As埋込クラッド層８、ｐ型GaAsキャップ層９を形成
する。その後、ｐ側電極10、ｎ側電極11を形成した後、
劈開法により、共振器長約300μｍのレーザ素子を得
た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で，また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。 ［実施例２］ 実施例２を第６図及び第６図を用いて説明する。 第６図は、素子の上面図であり、ストライプ形状を示
している。第７図は素子の断面図である。 まず、素子の断面構造を第８図に示した。ｎ型GaAs基
板結晶３の上にｎ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層15、Al
0.14Ga0.86As活性層16、ｐ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層
17、ｐ型Al0.30Ga0.70As界面改良層18、ｎ型GaAs電流狭
搾層７をMOCVD法により順次形成する。第６図に示した
ようにホトエッチング工程によりｎ型GaAs電流狭搾層７
を完全に除去し、ｐ型Al0.30Ga0.70As界面改良層18の表
面を露出する幅１−10μｍの溝ストライプを共振器方向
に２−20本、0.5−５μｍの間隔で形成する。また、ス
トライプ領域の両側にダミーストライプ２を形成する。
この時、ダミーストライプの幅は、４−６μｍとし、ま
た、両端のストライプとの間隔は、４−６μｍとした。
次にMOCVD法によりｐ型Al0.60Ga0.40As埋込クラッド層1
9、ｐ型GaAsキャップ層９を形成する。その後、ｐ側電
極10、ｎ側電極11を形成した後、劈開法により、共振器
長約300μｍのレーザ素子を得た。この後、素子の端面
に、前面には低反射膜コーティング（反射率をRLとす
る。）を施した。また、後面には、ストライプ領域には
高反射膜コーティング（反射率をRHとする。）を施し
た。さらに、ダミーストライプ部には反射率が少なくと
もRHよりも小さくなるように反射膜コーティングを施し
た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で、また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。あっ
た。 ［実施例３］ 実施例３を第８図及び第９図を用いて説明する。 第８図は、素子の上面図であり、ストライプ形状を示
している。第９図は第８図における素子のＡ−Ａ′断面
図である。 まず、素子の断面構造を第９図に示した。ｎ型GaAs基
板結晶３の上にｎ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層22、Al
0.14Ga0.86As活性層23をMOCVD法により順次形成する。
次に、ホトエッチング工程によりAl0.14Ga0.86As活性層
23を貫通し、ｎ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層22の途中で
止まるようにエッチングを行うことで、第８図に示した
ようなストライプを形成する。ストライプ領域の外側に
は、ダミーストライプ２を形成する。この時、ダミース
トライプの幅は、４−６μｍとし、また、両端のストラ
イプとの間隔は、４−６μｍとした。第８図ではストラ
イプが４本と５本のＹ状のものを示したが、ストライプ
の本数は、２−20本のいずれでもよい。また、ストライ
プの幅は１−10μｍとする。次にMOCVD法によりｐ型Al
0.50Ga0.50As埋込クラッド層24、ｎ型GaAsキャップ層25
を形成する。その後、ストライプ領域及びダミーストラ
イプ領域の上部に、Znを拡散する（第９図Zn拡散領域2
6）。その後、ｐ側電極10、ｎ側電極11を形成した後、
劈開法により、共振器長約300μｍのレーザ素子を得
た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で、また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。あっ
た。 ［実施例４］ 実施例４を第10図及び第11図を用いて説明する。 第10図は、素子の上面図であり、スラライプ形状を示
している。第11図は第10図における素子のＡ−Ａ′断面
図である。 まず、素子の断面構造を第11図に示した。ｐ型GaAs基
板結晶28の上にｎ型GaAs電流狭搾層29をMOCVD法により
形成する。次に、第10図に示したように、ホトエッチン
グ工程により、ｎ型GaAs電流狭搾層29を貫通し、ｐ型Ga
As基板に達する幅１−10μｍのストライプを２−20本形
成する。また、ストライプ領域の両側に発振に寄与しな
い電流の流れる領域（ダミー領域27）もまた形成する。
このダミー領域は、幅４−５μｍで、共振器長方向の長
さとして20−39μｍのものを、第10図で示したようにス
トライプ領域より４−６μｍ離して、10μｍ間隔に設け
てある。次に、ｐ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層30、Al
0.14Ga0.86As活性層31をLPE法により順次形成する。そ
の後、ｎ側電極34、ｐ側電極35を形成した後、劈開法に
より、共振器長約300μｍのレーザ素子を得た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で、また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。あっ
た。 なお、本発明は、実施例に示した波長830nm前後に限
らず、波長680−890nmのAlGaAs系半導体レーザ装置で、
室温連続発振できる全範囲にわたり、同様な結果が得ら
れた。本実施例では活性層として単一のAlGaAs層を用い
たが、AlGaAs系の超格子で活性層を形成したMQW（Multi
−Quantum Well）構造の場合も同様の結果が得られた。
また、レーザの構造としては前記実施例で示した３層導
波路を基本とするものに限らず、活性層の片側に隣接し
て光ガイド層を設けるLOC（Large Optical Cavity）構
造や、活性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設
けるGRIN−SCH（Graded−Index−Separate−Confinemen
t−heterostructure）構造にも本発明を適用することが
できた。 また、前記実施例において導電型をすべて反対にした
構造（ｐ型をｎ型に、ｎ型をｐ型に置き換えた構造）に
おいても、同様な結果が得られた。 また、本実施例では、AlGaAs系の材料を用いている
が、AlGaP,AsAlInP,AaAlGaInP,AlGaInAsなど、すべての
材料系に適応できることはいうまでもない。
を用いて詳細に説明する。 ［実施例１］ 実施例１を第１図及び第５図（ａ）、第５図（ｂ）を
用いて説明する。 第１図は、素子の上面図であり、ストライプ形状を示
している。第５図（ａ）は、第１図におけるＡ−Ａ′断
面図、即ち、ダミーストライプが存在する部分の断面図
で、両端のストライプはダミーストライプである。第５
図（ｂ）は、第１図におけるＢ−Ｂ′断面図、即ち、ダ
ミーストライプのない部分の断面図である。 まず、素子の断面構造を第５図（ａ）及び第５図
（ｂ）に示した。ｎ型GaAs基板結晶３の上にｎ型Al0.37
Ga0.63Asクラッド層４、Al0.06Ga0.94As活性層５、ｐ型
Al0.37Ga0.63Asクラッド層６、ｎ型GaAs電流狭搾層７を
MBE法により順次形成する。ホトエッチング工程により
第１図に示されているように、ｎ型GaAs電流狭搾層７を
完全に除去し、ｐ型Al0.37Ga0.63Asクラッド層６の表面
を露出する幅１−10μｍの溝ストライプ１を共振器方向
に２−10本、0.5−５μｍの間隔で形成する。また、ス
トライプ領域の外側にダミーストライプ２を設ける。こ
の時、ダミーストライプの幅は、４−６μｍとし、ま
た、両端のストライプとの間隔は、４−６μｍとした。
また、両端面近傍にダミーストライプの存在しない領域
を、20−40μｍ設けた。次にMBE法によりｐ型Al0.37Ga
0.63As埋込クラッド層８、ｐ型GaAsキャップ層９を形成
する。その後、ｐ側電極10、ｎ側電極11を形成した後、
劈開法により、共振器長約300μｍのレーザ素子を得
た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で，また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。 ［実施例２］ 実施例２を第６図及び第６図を用いて説明する。 第６図は、素子の上面図であり、ストライプ形状を示
している。第７図は素子の断面図である。 まず、素子の断面構造を第８図に示した。ｎ型GaAs基
板結晶３の上にｎ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層15、Al
0.14Ga0.86As活性層16、ｐ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層
17、ｐ型Al0.30Ga0.70As界面改良層18、ｎ型GaAs電流狭
搾層７をMOCVD法により順次形成する。第６図に示した
ようにホトエッチング工程によりｎ型GaAs電流狭搾層７
を完全に除去し、ｐ型Al0.30Ga0.70As界面改良層18の表
面を露出する幅１−10μｍの溝ストライプを共振器方向
に２−20本、0.5−５μｍの間隔で形成する。また、ス
トライプ領域の両側にダミーストライプ２を形成する。
この時、ダミーストライプの幅は、４−６μｍとし、ま
た、両端のストライプとの間隔は、４−６μｍとした。
次にMOCVD法によりｐ型Al0.60Ga0.40As埋込クラッド層1
9、ｐ型GaAsキャップ層９を形成する。その後、ｐ側電
極10、ｎ側電極11を形成した後、劈開法により、共振器
長約300μｍのレーザ素子を得た。この後、素子の端面
に、前面には低反射膜コーティング（反射率をRLとす
る。）を施した。また、後面には、ストライプ領域には
高反射膜コーティング（反射率をRHとする。）を施し
た。さらに、ダミーストライプ部には反射率が少なくと
もRHよりも小さくなるように反射膜コーティングを施し
た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で、また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。あっ
た。 ［実施例３］ 実施例３を第８図及び第９図を用いて説明する。 第８図は、素子の上面図であり、ストライプ形状を示
している。第９図は第８図における素子のＡ−Ａ′断面
図である。 まず、素子の断面構造を第９図に示した。ｎ型GaAs基
板結晶３の上にｎ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層22、Al
0.14Ga0.86As活性層23をMOCVD法により順次形成する。
次に、ホトエッチング工程によりAl0.14Ga0.86As活性層
23を貫通し、ｎ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層22の途中で
止まるようにエッチングを行うことで、第８図に示した
ようなストライプを形成する。ストライプ領域の外側に
は、ダミーストライプ２を形成する。この時、ダミース
トライプの幅は、４−６μｍとし、また、両端のストラ
イプとの間隔は、４−６μｍとした。第８図ではストラ
イプが４本と５本のＹ状のものを示したが、ストライプ
の本数は、２−20本のいずれでもよい。また、ストライ
プの幅は１−10μｍとする。次にMOCVD法によりｐ型Al
0.50Ga0.50As埋込クラッド層24、ｎ型GaAsキャップ層25
を形成する。その後、ストライプ領域及びダミーストラ
イプ領域の上部に、Znを拡散する（第９図Zn拡散領域2
6）。その後、ｐ側電極10、ｎ側電極11を形成した後、
劈開法により、共振器長約300μｍのレーザ素子を得
た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で、また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。あっ
た。 ［実施例４］ 実施例４を第10図及び第11図を用いて説明する。 第10図は、素子の上面図であり、スラライプ形状を示
している。第11図は第10図における素子のＡ−Ａ′断面
図である。 まず、素子の断面構造を第11図に示した。ｐ型GaAs基
板結晶28の上にｎ型GaAs電流狭搾層29をMOCVD法により
形成する。次に、第10図に示したように、ホトエッチン
グ工程により、ｎ型GaAs電流狭搾層29を貫通し、ｐ型Ga
As基板に達する幅１−10μｍのストライプを２−20本形
成する。また、ストライプ領域の両側に発振に寄与しな
い電流の流れる領域（ダミー領域27）もまた形成する。
このダミー領域は、幅４−５μｍで、共振器長方向の長
さとして20−39μｍのものを、第10図で示したようにス
トライプ領域より４−６μｍ離して、10μｍ間隔に設け
てある。次に、ｐ型Al0.50Ga0.50Asクラッド層30、Al
0.14Ga0.86As活性層31をLPE法により順次形成する。そ
の後、ｎ側電極34、ｐ側電極35を形成した後、劈開法に
より、共振器長約300μｍのレーザ素子を得た。 試作した素子は、発振波長830nmにおいて、室温連続
発振した。しきい値電流は３本の場合は100mAで、ま
た、６本の場合は200mAで、また、10本の場合は300mA
で、また20本の場合は550mAであった。発振横モード
は、安定な単一モードであった。これらの素子はすべ
て、ストライプ領域全体で位相同期発振をした。あっ
た。 なお、本発明は、実施例に示した波長830nm前後に限
らず、波長680−890nmのAlGaAs系半導体レーザ装置で、
室温連続発振できる全範囲にわたり、同様な結果が得ら
れた。本実施例では活性層として単一のAlGaAs層を用い
たが、AlGaAs系の超格子で活性層を形成したMQW（Multi
−Quantum Well）構造の場合も同様の結果が得られた。
また、レーザの構造としては前記実施例で示した３層導
波路を基本とするものに限らず、活性層の片側に隣接し
て光ガイド層を設けるLOC（Large Optical Cavity）構
造や、活性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設
けるGRIN−SCH（Graded−Index−Separate−Confinemen
t−heterostructure）構造にも本発明を適用することが
できた。 また、前記実施例において導電型をすべて反対にした
構造（ｐ型をｎ型に、ｎ型をｐ型に置き換えた構造）に
おいても、同様な結果が得られた。 また、本実施例では、AlGaAs系の材料を用いている
が、AlGaP,AsAlInP,AaAlGaInP,AlGaInAsなど、すべての
材料系に適応できることはいうまでもない。
ストライプ領域の両側に発振に寄与しない電流が流れ
る領域を設けたことにより、ストライプ領域の温度分布
を均一にすることができた。これにより、連続発振時に
おいても、ストライプ領域全体でフェーズカップリング
したコヒーレンス性の優れた、横単一モードのフェーズ
ドアレイ半導体レーザを得ることができた。
る領域を設けたことにより、ストライプ領域の温度分布
を均一にすることができた。これにより、連続発振時に
おいても、ストライプ領域全体でフェーズカップリング
したコヒーレンス性の優れた、横単一モードのフェーズ
ドアレイ半導体レーザを得ることができた。
第１図は、本発明による構造及び実施例１の素子の上面
図、第２図は従来構造のフェーズアレイレーザをパルス
で駆動した場合を示す図、第３図は従来構造のフェーズ
ドアレイレーザを連続発振駆動した場合を示す図、第４
図（ａ）は、ダミーストライプを設けた場合の温度分布
を示した図、第４図（ｂ）は従来構造の温度分布を示し
た図、第５図（ａ）は実施例１の第１図におけるＡ−
Ａ′断面図を示した図、第５図（ｂ）は実施例１の第１
図におけるＢ−Ｂ′断面図を示した図、第６図は実施例
２の素子の上面図、第７図は実施例２の素子の断面図、
第８図は実施例３の素子の上面図、第９図は実施例３の
第８図における素子のＡ−Ａ′断面図、第10図は実施例
４の素子の上面図、第11図は実施例４の素子の第10図に
おけるＡ−Ａ′断面図を示した図である。 符号の説明 １……ストライプ、２……ダミーストライプ、３……ｎ
型GaAs基板、４……ｎ型AlGaAsクラッド層、５……活性
層、６……ｐ型AlGaAsクラッド層、７……ｎ型GaAs電流
狭搾層、８……ｐ型AlGaAs埋込クラッド層、９……ｐ型
GaAsキャップ層、10……ｐ側電極、11……ｎ側電極、12
……無反射膜、13……高反射膜、14……低反射膜、15,1
6……活性層、17……ｐ型AlGaAsクラッド層、18……ｐ
型AlGaAs界面改良層、19……ｐ型AlGaAs埋込クラッド
層、20……ストライプ、21……ダミーストライプ領域、
22……ｎ型AlGaAsクラッド層、23……活性層、24……ｐ
型AlGaAsクラッド層、25……ｎ型GaAsキャップ層、26…
…Zn拡散領域、27……ダミー領域、28……ｐ型GaAs基
板、29……ｎ型GaAs電流狭搾層、30……ｐ型AlGaAsクラ
ッド層、31……活性層、32……ｎ型AlGaAsクラッド層、
33……ｎ型GaAsキャップ層、34……ｎ側電極、35……ｐ
側電極。
図、第２図は従来構造のフェーズアレイレーザをパルス
で駆動した場合を示す図、第３図は従来構造のフェーズ
ドアレイレーザを連続発振駆動した場合を示す図、第４
図（ａ）は、ダミーストライプを設けた場合の温度分布
を示した図、第４図（ｂ）は従来構造の温度分布を示し
た図、第５図（ａ）は実施例１の第１図におけるＡ−
Ａ′断面図を示した図、第５図（ｂ）は実施例１の第１
図におけるＢ−Ｂ′断面図を示した図、第６図は実施例
２の素子の上面図、第７図は実施例２の素子の断面図、
第８図は実施例３の素子の上面図、第９図は実施例３の
第８図における素子のＡ−Ａ′断面図、第10図は実施例
４の素子の上面図、第11図は実施例４の素子の第10図に
おけるＡ−Ａ′断面図を示した図である。 符号の説明 １……ストライプ、２……ダミーストライプ、３……ｎ
型GaAs基板、４……ｎ型AlGaAsクラッド層、５……活性
層、６……ｐ型AlGaAsクラッド層、７……ｎ型GaAs電流
狭搾層、８……ｐ型AlGaAs埋込クラッド層、９……ｐ型
GaAsキャップ層、10……ｐ側電極、11……ｎ側電極、12
……無反射膜、13……高反射膜、14……低反射膜、15,1
6……活性層、17……ｐ型AlGaAsクラッド層、18……ｐ
型AlGaAs界面改良層、19……ｐ型AlGaAs埋込クラッド
層、20……ストライプ、21……ダミーストライプ領域、
22……ｎ型AlGaAsクラッド層、23……活性層、24……ｐ
型AlGaAsクラッド層、25……ｎ型GaAsキャップ層、26…
…Zn拡散領域、27……ダミー領域、28……ｐ型GaAs基
板、29……ｎ型GaAs電流狭搾層、30……ｐ型AlGaAsクラ
ッド層、31……活性層、32……ｎ型AlGaAsクラッド層、
33……ｎ型GaAsキャップ層、34……ｎ側電極、35……ｐ
側電極。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (2)
- 【請求項１】活性層又はクラッド層にレーザ光出射端面
から該出射端面の反対側の端面まで延伸した複数のスト
ライプ状の電流注入部が設けられた第１領域と、上記第
１領域の両側に上記活性層の一部に電流を注入する電流
注入部を夫々設けた第２領域と、上記第１領域及び上記
第２領域に電流を注入するように設けられた一対の電極
とを含み、上記第２領域に設けられた電流注入部は上記
レーザ光出射端面から離間して形成されていることを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】上記第２領域に設けられた電流注入部は、
前記光出射端面から当該光出射端面の反対側の端面の方
向に略対応した列状に配された複数領域を有してなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5643889A JP2862889B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体レーザ装置 |
| CA002011155A CA2011155C (en) | 1989-03-06 | 1990-02-28 | Semiconductor laser device |
| DE69020922T DE69020922T2 (de) | 1989-03-06 | 1990-03-01 | Halbleiterlaser-Anordnung. |
| EP90104014A EP0386634B1 (en) | 1989-03-06 | 1990-03-01 | Semiconductor laser device |
| US07/489,282 US5042046A (en) | 1989-03-06 | 1990-03-06 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5643889A JP2862889B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237187A JPH02237187A (ja) | 1990-09-19 |
| JP2862889B2 true JP2862889B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=13027091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5643889A Expired - Lifetime JP2862889B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-10 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862889B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4680604B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-05-11 | 株式会社リコー | 光走査装置および画像形成装置 |
| JP5899146B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-04-06 | 日本電信電話株式会社 | 多波長半導体レーザ光源 |
| JP2021118308A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザーダイオードバー及び波長ビーム結合システム |
| JP2021118307A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザーダイオードバー及び波長ビーム結合システム |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP5643889A patent/JP2862889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02237187A (ja) | 1990-09-19 |
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