JP2859758B2 - 光磁気ディスク装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクを収容
したカートリッジがセットされると、外部磁界発生手段
を光磁気ディスクの半径方向に移動させ、所定位置で前
記光磁気ディスクに対して外部磁界を作用させる光磁気
ディスク装置、又は、光磁気ディスクを収容したカート
リッジがセットされると、外部磁界発生手段を光磁気デ
ィスク記録面上に移動させ、前記光磁気ディスクに対し
て外部磁界を作用させる光磁気ディスク装置に関し、更
に、詳しくは、適切な外部磁界の得られる光磁気ディス
ク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録は、光磁気ディスクに記録す
る方向に弱い直流の外部磁界をかけ、これにレーザ光を
当てて熱を加えると、保磁力が落ち、外部磁界の向きに
磁化が反転することを用いて行う。よって、データのラ
イト時には、外部磁界発生手段が光磁気ディスクに対し
て適正な外部磁界を作用させることが必要である。

【０００３】次に、図面を用いて従来の光磁気ディスク
装置を説明する。図１１は従来例の光磁気ディスク装置
の一例を説明する要部斜視図、図１２は図１１における
平面構成図、図１３は図１２における正面図、図１４は
図１１に示す磁気ディスク装置のキャリッジ昇降機構を
説明する平面図、図１５は図１４における正面図、図１
６はカートリッジの正面図、図１７は図１６においてシ
ャッタが開いた時を示す図、図１８は図１６におけるＡ
−Ａ断面図である。

【０００４】図１１乃至図１３において、１は装置枠、
２は光磁気ディスクを回転可能に収容するカートリッジ
がセットされるカートリッジホルダである。３はカート
リッジホルダの下方に設けられ、光磁気ディスクのハブ
と係合することにより、光磁気ディスクを回転駆動する
スピンドルモータである。 ４は半導体レーザ等を用い
たレーザ光源４ａ，図示しないコリメータレンズ，プリ
ズム，ビームスプリッタ及びレーザ光を光磁気ディスク
上に集光する対物レンズ４ｂが設けられ、レーザ光の入
射スポットを光磁気ディスクのトラックに追従させるた
めのアクチュエータ４ｃよりなるレーザ光入射手段であ
る。

【０００５】５はレーザ光入射手段４と共通の対物レン
ズ，アクチュエータ，ビームスプリッタや図示しない検
出光路のビームスプリッタ，集光レンズ，検光子等及び
光検出素子５ａを含む光磁気ディスクからの反射光検出
手段であり、６はレーザ光入射手段４及び反射光検出手
段５が設けられたキャリッジである。

【０００６】７はキャリッジ６が摺動可能に係合し、キ
ャリッジ６を光磁気ディスクのトラックを横切る方向に
案内する一対のガイドである。８は駆動コイル８ａと磁
気回路８ｂより構成されるムービングコイル型フォース
モータのキャリッジ移動手段で、駆動コイル８ａに電流
を流すことにより、キャリッジ６を光磁気ディスクの半
径を横切る方向に移動せしめ、所望のトラック上に位置
決めを行なうものである。９は光磁気ディスクに外部磁
界を作用させる外部磁界発生手段である。

【０００７】装置枠１には、図１６に示すようなカート
リッジ１０が挿入されるカートリッジ挿入口１ａが設け
られている。カートリッジホルダ２は、後述するような
昇降手段によって、カートリッジ挿入口１ａと同レベル
のカートリッジ着脱位置と、この着脱位置から下降しカ
ートリッジ１０内の光磁気ディスク１１が回転手段３と
係合するディスク駆動位置（図１３におけるカートリッ
ジホルダ２のレベル）との間で上下方向に駆動される。

【０００８】又、カートリッジホルダ２には、カートリ
ッジ１０の排出を行う作用部材（後述する）が設けられ
ており、作用部材はカートリッジ１０がカートリッジホ
ルダ２に挿入される際にカートリッジ１０のシャッタ１
２を図１７に示したように開放し、内部の光磁気ディス
ク１１が外部に露出するので、カートリッジホルダ１２
がディスク駆動位置に下降すると光磁気ディスク１１の
ハブがスピンドルモータ３と係合可能となる。尚、図１
７は光磁気ディスク１１の記録面（表面）側を示してお
り、チャッキングは裏面で行なわれ、この裏面側のシャ
ッタ１２は、磁気ディスク１１の磁性体で作られたハブ
５２まで外部に露出可能な形状（図１７に破線で示す）
となっている。

【０００９】光磁気ディスク１１は上述のようにスピン
ドルモータ３と係合して回転駆動され、ガイド７と移動
手段８とで移動されるキャリッジ６に搭載されたレーザ
光入射手段４によって、レーザ光を入射されると共に、
外部磁界発生手段９によって外部磁界を作用されること
により、レーザ光又は外部磁界が担持した情報をトラッ
クに記録する。

【００１０】上述の光磁気記録装置は、外部磁界発生手
段９として、強磁性体からなるコアが磁気回路を形成す
るように絶縁被覆電線からなる励磁コイルを保持した構
造のものを用いている。

【００１１】次に、カートリッジホルダ昇降手段につい
ての説明を図１４及び図１５を用いて行う。先ず、装置
枠１ｂには、垂直方向に突出する３本のガイドピン１
ｆ，１ｇ，１ｈが設けられている。１３は装置枠１上に
配設されるスライド枠であり、このスライド枠１３に
は、ガイドピン１ｆ，１ｇ，１ｈがそれぞれ係合し、カ
ートリッジ１０の挿入方向に延出する直線溝１３ｅ，１
３ｆ，１３ｇが形成されている。このガイドピン１ｆ，
１ｇ，１ｈの係合により、スライド枠１３のカートリッ
ジ１０の挿入方向の移動範囲が規制されている。

【００１２】カートリッジホルダ２には、図１５に示す
ように回転可能に取り付けられたコロ２ａが設けられて
いる。一方、装置枠１側には、上下方向に延出する上下
案内溝１ｃが形成されており、この上下案内溝１ｃに、
コロ２ａが摺動可能に係合している。更に、カートリッ
ジホルダ２には、図１５にに示すように、カムフォロア
２ｂ，２ｃが回転可能に設けられている。又、スライド
枠１３の側部には、カムフォロア２ｂ，２ｃが当接可能
な斜面を有するカム部１３ａ，１３ｂが形成されてい
る。そして、一端部がスライド枠１３に、他端部がカー
トリッジホルダ２にそれぞれ係止されたばねによって、
カートリッジホルダ２はスライド枠１３方向に付勢さ
れ、この付勢により、カムフォロア２ｂ，２ｃはカム部
１３ａ，１３ｂに押圧されるようになっている。

【００１３】カートリッジホルダ２には、立ち上げ折曲
部２ｅが形成され、この立ち上げ折曲部２ｅには、外部
磁界発生手段の支持枠１５が回動可能に支持されてい
る。そして、支持枠１５の支軸を介して一方側に伸びる
支持腕１５ａには、外部磁界発生手段９の励磁コイル９
ａを保持するコア９ｂを可動可能に軸支され、ばね１５
ｂにより、支持腕１５ａ側すなわち、コア９ｂ側を下げ
る方向の回動付勢が与えられている。又、支持枠１５に
は支軸を介して他方側に被動ピン１５ｄが設けられてい
る。この被動ピン１５ｄは、固定枠１ｂに形成された作
用腕１ｅの下端面が形成され、この作用腕１ｅの下端面
には、被動ピン１５ｄが当接可能となっている。そし
て、カートリッジホルダ２がカートリッジ着脱位置に上
昇したときには、被動ピン１５ｄが作用腕１ｅに当接
し、ばね１５ｂに付勢力に抗して支持枠１５は図１５に
おいて、時計方向（コア９ｂ側が上がる方向）に回転す
るようになっている。

【００１４】コア９ｂは、ばね９ｆによって支持軸を中
心に図１５において、時計方向の付勢力を受けており、
支持枠１５が上述のように作用腕１ｅによってばね１５
ｂの付勢に抗し、回転すると、コア９ｂに植設した位置
決めピン９ｃ，９ｄ，９ｅのうちの９ｃと９ｄとが支持
腕１５ａの下面に当接し、外部磁界発生手段９がカート
リッジホルダ２の上面上に支持されるようになる。この
ばね９ｆの付勢力は、ばね１５ｂに比較して弱く設定さ
れ、支持枠１５がばね１５ｂの付勢によって回動する
と、位置決めピン９ｃ，９ｄ，９ｅがカートリッジホル
ダ２の上面に当接して、それにより、外部磁界発生手段
９がカートリッジホルダ２の上面に平行、すなわち光磁
気ディスク１１の面に平行で、且つ、カートリッジホル
ダ２の上面よりも下に入り込んだ位置に支持されるよう
になる。

【００１５】以上から明らかなように、カートリッジホ
ルダ２がカートリッジ着脱位置に保持されているとき
は、外部磁界発生手段９はカートリッジホルダ２の上面
以上に支持されているので、カートリッジ１０の着脱に
おいて、カートリッジ１０が外部磁界発生手段９に接触
する恐れはない。

【００１６】この状態のカートリッジホルダ２に、図１
６のカートリッジ１０を装置枠１のカートリッジ挿入口
１ａより押し込むと、カートリッジ１０のシャッタ１２
が開放される。

【００１７】次に、このカートリッジのシャッタオープ
ン機構を説明する。カートリッジホルダ２の上板部に
は、始端カートリッジキャリア２の側部側で、終端がカ
ートリッジキャリア２のｃ中心側である案内溝２ｉが穿
設されている。この案内溝２ｉには、作用部材２ｆの一
方の端部に植設された作用ピン２ｇが遊嵌し、更にこの
作用ピン２ｇの先端部は、カートリッジ１０の先端辺１
０ａに当接可能となっている。作用部材２ｆの他端側に
は、長穴２ｊが穿設され、この長穴２ｊには、カートリ
ッジホルダ２の上板部に設けられたピン２１が遊嵌して
いる。そして、付勢ばね２ｈにより、作用部材２ｆは作
用ピン２ｇが長穴２ｉの始端側に付勢されている。

【００１８】このような構成において、カートリッジ１
０の先端辺１０ａが、カートリッジホルダ２の上板部に
摺動且つ及び回動可能に取り付けられた作用部材２ｆの
先端部に植設した作用ピン２ｇを作用部材２ｆの付勢ば
ね２ｈの付勢に抗して、作用ピン２ｇをカートリッジホ
ルダ２の上板部に設けた案内溝２ｉに従い、図 図で右
上方へと押し進める。それにより作用ピン２ｇは、図１
６でカートリッジ１０の先端辺より上方に突出している
シャッタ１２の突出縁部の右端を左方へと押して、シャ
ッタ１２を図１７に示したように開放し、先端辺１０ａ
の溝１０ｂ内に落ち込まないようになる。それによっ
て、作用部材２ｆは作用ピン２ｇが溝１０ｂに落ち込ん
だ状態で保存され、その作用ピン２ｇによってシャッタ
１２は開放状態に保存される。

【００１９】更に、カートリッジ１０を押し込むと、先
端辺１０ａがロック部材１４の解除ピン１４ｂを押して
ロック部材１４をその付勢ばね１４ｃの付勢に抗して図
の時計方向に回動させ、それによってロック部材１４
のロックピン１４ａがスライド枠１３の被係止段部１３
ｃから外れるようになる。それによりスライド部材１３
は、その付勢ばね１３ｄに引かれて、スライド枠１３の
直線溝１３ｅ，１３ｆ，１３ｇのいずれかの右端が固定
枠１ｂに植設したガイドピン１ｆ，１ｇ，１ｈのいずれ
かに当接するまで左方に移動する。それによってカート
リッジホルダ２は、スライド枠１３のカム部１３ａ，１
３ｂに従い、固定枠１ｂの上下案内溝１ｃに案内され
て、カートリッジ１０内の光磁気ディスク１１は回転手
段３に係合するディスク駆動位置に下降する。

【００２０】カートリッジホルダ２がディスク駆動位置
に下降すると、支持枠１５の被駆動ピン１５ｄが作用腕
１ｅとの係合から離れて、支持枠１５がばね１５ｂの付
勢によって回動し、コア９ｂの位置決めピン９ｃ，９
ｄ，９ｅがカートリッジホルダ２の上面に当接して、外
部磁界発生手段カートリッジホルダ２の上面に近接した
位置に設定される。

【００２１】従って、カートリッジホルダ２がディスク
駆動位置にある状態で、キャリッジ移動手段８によって
キャリッジ６を移動させ、回転手段３によって光磁気デ
ィスク１１を回転させて、レーザ光入射手段４によって
外部磁界を作用させれば、外部磁界が強く作用して良好
な記録を行うことができる。

【００２２】記録を終えたカートリッジ１０を記録装置
から取り出すのは、図示しないスイッチをオンにし、復
元用モータ１６を回転させることによって行われる。す
なわち、復元用モータ１６が回転すると、図示しない歯
車列を介して作動歯車１７が図１４の反時計方向に１回
転し、作動歯車１７に植設された押しピン１７ａがスラ
イド枠１３の被押部１３ｈを押してスライド枠１３をば
ね１３ｄの付勢に抗し右方向に図示位置を越えるように
なるまで移動させる。それによって、カートリッジ２は
スライド枠１３のカム部１３ａ，１３ｂにより図示位置
を越えるようになるまで上昇させられると共に、外部磁
界発生手段８は、支持枠１５が 被動ピン１５ｄを作用
腕１ｅで押されてばね１５ｂの付勢に抗した回動をする
ことにより、カートリッジホルダ２の上面以上の位置に
上昇させられる。

【００２３】そして、スライド枠１３が上述のように移
動すると、ロック部材１４はばね１４ｃの付勢によって
ロックピン１４ａがスライド枠１３の被係止段部１３ｃ
に係合し得る位置まで回動し、作動歯車１７が１回転し
て押しピン１７ａが図示位置に戻るときにスライド枠１
３がばね１３ｄの付勢により左方に戻ろうとしても、ロ
ックピン１４ａがスライド枠１３を図示位置に係止す
る。従って、カートリッジホルダ２及び外部磁界発生手
段９も図示位置に保存される。又、ロック部材１４は、
上述の回動で解除ピン１４ｂにより、カートリッジ１０
の先端辺１０ａを左方に押して、溝１０ｂから作用部材
２ｆの作用ピン２ｇを脱出させる。作用ピン２ｇは、溝
１０ｂから脱出すると、ばね２ｈの付勢によって図１５
の位置に戻り、その際カートリッジ１０の先端辺を押し
て、カートリッジ１０の大半がカートリッジ挿入口１ａ
の外に出る状態に排出する。この排出においても、前述
のように外部磁界発生手段９は上昇位置に保持されてい
るので、カートリッジ１０が外部磁界発生手段９に接触
することはない。後は簡単にカートリッジ１０をカート
リッジ挿入口１ａより抜き取ることができる。

【００２４】上記光磁気ディスク装置の外部磁界発生手
段９はカートリッジ１０が挿入されると、光磁気ディス
ク１１のなす平面と略垂直方向に移動して光磁気ディス
ク１１の近傍に移動するものであるが、他に、光磁気デ
ィスク１１のなす平面と略水平で光磁気ディスク１１の
半径方向に方向に移動して、光磁気ディスク１１の近傍
に移動するものもある。

【００２５】このタイプの外部磁界発生装置は、光磁気
ディスク１１のなす平面で光磁気ディスク１１の半径方
向に方向に延出するガイドを設け、このガイドに摺動可
能に外部磁界発生手段を係合させる。そして、外部磁界
発生手段の駆動機構として、例えば、外部磁界発生手段
側にラックを設け、光磁気ディスク装置側にこのラック
に噛合するピニオンを設け、カートリッジ１０が挿入さ
れると、ピニオンを駆動し、外部磁界発生手段を光磁気
ディスク方向に駆動させる。

【００２６】この時、光磁気ディスク装置側に位置検出
手段（例えば、フォトカプラ）を設け、所定の位置に外
部磁界発生手段がくると、外部磁界発生手段の移動を停
止するようにしている。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の従
来の光磁気ディスク装置において、外部磁界発生手段の
光磁気ディスクに対する位置精度は、外部磁界発生手段
を光磁気ディスクのなす平面と略垂直方向に駆動するタ
イプのものは、機構部品自体の精度によって決定され
る。

【００２８】又、外部磁界発生手段が光磁気ディスクの
なす平面と略平行に駆動されるタイプのものは、位置検
出手段によって、最終的な精度は決定される。しかし、
両方のタイプにおいても、機構部品の経時変化，温度特
性等の原因により、外部磁界発生手段の光磁気ディスク
に対する位置が変化し、光磁気ディスクに対して適切な
外部磁界が作用しないという問題点がある。

【００２９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、常に、最適な外部磁界が得られる光
磁気ディスク装置を提供することにある。

【００３０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の発明は、光磁気ディスクを収容したカートリ
ッジがセットされると、外部磁界発生手段を移動させ、
前記光磁気ディスクに対して所定位置で外部磁界を作用
させる光磁気ディスク装置において、セットされた光磁
気ディスクに対して外部磁界発生手段を移動せしめる外
部磁界発生手段移動機構と、該外部磁界発生手段移動機
構を駆動する移動機構駆動回路と、装置本体側に設けら
れ、前記外部磁界発生手段の位置を検出する位置検出手
段と、前記位置信号検出手段よりの位置信号と閾値との
比較を行う比較手段と、該比較手段の比較結果に基づい
て、前記移動機構駆動回路を制御する制御部と、所定の
時期に前記閾値の値を更正する閾値更正部とを具備する
ものである。

【００３１】請求項２記載の発明は、請求項１の光磁気
ディスク装置における前記閾値更正部は、前記光磁気デ
ィスクの所定のトラックに書込まれた所定の信号を読み
取り、その時の読取信号により前記閾値を更正するもの
である。

【００３２】請求項３記載の発明は、請求項２の光磁気
ディスク装置における前記閾値更正部は、読取信号のレ
ベルによって、閾値を更正するものである。請求項４記
載の発明は、請求項２の光磁気ディスク装置における前
記閾値更正部は、読取信号のエラーレートによって、閾
値を更正するものである。

【００３３】請求項５記載の発明は、請求項１記載の光
磁気ディスク装置本体側に外部磁界発生手段の磁界を検
出する外部磁界検出手段を設け、前記閾値更正部は、前
記外部磁界検出手段での磁界の検出値が所定の値以上に
なるように、前記閾値を更正することを特徴とする光磁
気ディスク装置である。

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５い
ずれかの光磁気ディスク装置において、前記所定の時期
は、通電時間の積算値に基づいて決定するものである。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至５いずれかの光磁
気ディスク装置において、前記所定の時期は、電源投入
回数の積算値に基づいて決定するものである。

【００３９】請求項８記載の発明は、請求項１乃至５い
ずれかの光磁気ディスク装置において、前記所定の時期
は、カートリッジのローディング回数の積算値に基づい
て決定するものである。

【００４０】

【００４１】

【作用】請求項１記載の光磁気ディスク装置では、移動
機構駆動回路を介して外部磁気発生手段移動機構を駆動
すると、外部磁界発生手段は移動する。位置検出手段
は、外部磁界発生手段の位置信号を出力し、比較手段
は、閾値と位置信号との比較を行い、制御部は比較結果
に基づいて所定の位置で外部磁気発生手段を停止させ
る。

【００４２】そして、所定の時期に、閾値更正部は更生
を行う。請求項２記載の光磁気ディスク装置では、請求
項１記載の閾値更正部は、光磁気ディスクの所定のトラ
ックに書込まれた所定の信号を読み取り、その時の読み
取り信号により閾値を更正する。

【００４３】請求項３記載の光磁気ディスク装置では、
請求項２記載の閾値更正部は、読取信号のレベルによっ
て、閾値を更正する。請求項４記載の光磁気ディスク装
置では、請求項２記載の閾値更正部は、読取信号のエラ
ーレートによって、閾値を更正する。

【００４４】請求項５記載の光磁気ディスク装置では、
請求項１記載の閾値更正部は外部磁界検出装置で検出さ
れた磁界の検出値が所定の値以上になるように閾値を更
正する。請求項６記載の光磁気ディスク装置では、請求
項１乃至５のいずれかの光磁気ディスク装置において、
前記所定の時期は、通電時間の積算値に基づいて決定さ
れる。

【００４５】

【００４６】

【００４７】

【００４８】請求項７記載の光磁気ディスク装置では、
請求項１乃至５のいずれかの光磁気ディスク装置におい
て、前記所定の時期は、電源投入回数の積算値に基づい
て決定される。請求項８記載の光磁気ディスク装置で
は、請求項１乃至５のいずれかの光磁気ディスク装置に
おいて、前記所定の時期は、カートリッジのローディン
グ回数の積算値に基づいて決定される。

【００４９】

【００５０】

【実施例】次に図面を用いて本発明の一実施例を説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を説明する構成図、図
２は図１に示す第１の実施例の光磁気ディスク装置の構
成図、図３は第１の実施例の通常時の作動を説明するフ
ロー図、図４は閾値更正時の作動を説明するフロー図、
図５は本発明の第２の実施例を説明する構成図、図６は
図５に示す実施例の作動を説明するフロー図、図７は第
２の実施例の他の実施例を説明する図、図８は本発明の
第３の実施例の構成を説明する図、図９は第３の実施例
の作動を説明するフロー図、図１０は第４の実施例を説
明するフロー図である。

【００５１】図１乃至４図を用いて本発明の第１の実施
例を説明する。最初に、図２を用いて本実施例の光磁気
ディスクの構成を説明する。図２において、図１１と同
一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
この図において、磁界発生手段９は図示しない外部磁界
発生手移動機構５０によって矢印Ａ方向に移動可能とな
っている。５１はカートリッジホルダ２上に設けられ、
外部磁界発生手段９の位置を検出する位置検出手段（本
実施例ではフォトカプラを用いている）である。

【００５２】次に、図１を用いて本実施例の回路構成を
説明する。５２は外部発生手段移動機構を駆動する移動
機構駆動回路、５３は本実施例の光磁気ディスク装置の
制御部、５４は位置検出手段５１よりの位置信号と所定
の閾値との比較を行う比較手段、５５は比較手段５４で
使用される閾値の更正を行う閾値更正部である。

【００５３】次に、上記構成の光磁気ディスク装置の通
常時の作動を図３を用いて説明する。先ず、制御部５３
はカートリッジがカートリッジホルダ２の奥まで挿入さ
れたかどうかを検出する（ステップ１）。この検出は、
例えば、カートリッジホルダ２の奥に設けられたマイク
ロスイッチがカートリッジの前面に押圧されてオンする
ことで検出される。又、カートリッジが完全に挿入され
たならば、シャッタが開き、内部の光磁気ディスクが外
部に露出した状態となる。更に、この時点では、外部磁
界発生手段９はシャッタのウインドウ上より離れた位置
に退避している。

【００５４】カートリッジが所定の位置まで挿入された
ならば、制御部５３は移動機構駆動回路５２がオンし、
外部磁界発生手段５０をシャッタのウインドウ方向へ駆
動する（ステップ２）。位置検出手段５１は外部磁界発
生手段９の位置信号を比較手段５４へ送出する（ステッ
プ３）。比較手段５１では、位置信号と所定の閾値とが
等しくなるまで比較が行われる（ステップ４）。

【００５５】そして、位置信号と閾値とが等しくなる
と、制御部５３は移動機構駆動回路５２の駆動を停止
し、外部磁界発生装置９はカートリッジのウインドウ上
に停止する（ステップ５）。

【００５６】次に、比較手段５４で用いられる閾値の更
正を行う閾値更正部５５のフローを図４を用いて説明す
る。先ず、図３で説明を行ったフローでカートリッジを
セットし、外部磁界発生手段９をカートリッジのウイン
ドウ上と思われる位置に移動させる（ステップ１１）。

【００５７】次に、カートリッジの光 磁気ディスクの
所定のトラック（例えば、最内周）に対して、データと
して記録でき得る最高の周波数でＭＯ信号を書き込む。
続いてこのデータを消去し、その上により低い周波数の
ＭＯ信号を書き込む（ステップ１２）。

【００５８】続いて、このＭＯ信号を読み取る（ステッ
プ１３）。この時のエラー信号の数が一定値Ｃ以下であ
れば、ステップ１１での外部磁界発生手段の移動で用い
た閾値を更正値としてそのまま保持する。

【００５９】又、エラー信号が一定値Ｃ以上であれば、
比較手段５４で用いる閾値の値を変化させ、外部磁界発
生手段移動機構５０を介して外部磁界発生手段９の位置
を微調整し（ステップ１６）、ステップ１２へ戻り、エ
ラー信号が一定値Ｃ以下になるまで同じ動作（ステップ
１２〜ステップ１４）を繰り返して行う。

【００６０】そして、エラー信号が一定値Ｃ以下になっ
た時点での閾値を更正値として用いる（ステップ１
５）。尚、数回試行して、望むべきエラーレートが得ら
れない場合には、その中で最も良い時点での閾値を更正
値として用いる。

【００６１】上記構成によれば、光磁気ディスク装置の
機構部品の経時変化，温度特性等の原因により、外部磁
界発生手段の光磁気ディスクに対する位置が変化して
も、所定の間隔で上記実施例のような更正を行うこと
で、常に、最適な外部磁界を得ることができる。

【００６２】本発明は、上記実施例に限るものではな
い。ステップ１６での外部磁界発生手段９の位置調整
は、予めエラーレートと磁界発生手段との位置との関係
を示すデータをテーブルに書き込んでおき、このデータ
を取り込んで、１回の位置調整で閾値を更正するように
してもよい。

【００６３】又、ＭＯ信号を読み取り、エラーレートを
見る代わりに、ディジタル化する前のＲＦ信号（読取信
号）の振幅を用いて閾値の判定を行うようにしてもよ
い。次に、図５及び図６を用いて本発明の第２の実施例
を説明する。尚、本実施例を説明する図５及び図６にお
いて第１の実施例で説明を行った図１乃至図４と同一部
分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。

【００６４】第１の実施例と異なる部分は、レーザ光入
射手段４に、磁界発生手段９からの磁界を検出する外部
磁界検出手段としてのホール素子６１を設けていること
である。

【００６５】このホール素子６１の出力を用いて閾値の
判定を行うようにしている。次に、上記構成の作動を図
６を用いて説明する。先ず、図３で説明を行ったフロー
でカートリッジをセットし、外部磁界発生手段９をカー
トリッジのウインドウ上と思われる位置に移動させる
（ステップ２１）。

【００６６】この時の磁界強度が一定値Ｃ′以上であれ
ば、ステップ２１での外部磁界発生手段の移動で用いた
閾値を更正値としてそのまま保持する。又、磁界強度が
一定値Ｃ′以下であれば、比較手段５４で用いる閾値の
値を変化させ、外部磁界発生手段移動機構５０を介して
外部磁界発生手段９の位置を微調整し（ステップ２
４）、ステップ２２へ戻り、外部磁界強度が一定値Ｃ′
以上になるまで同じ動作（ステップ２２及びステップ２
４）を繰り返して行う。

【００６７】そして、外部磁界強度が一定値Ｃ′以上に
なった時点での閾値を更正値として用いる（ステップ２
３）。尚、数回試行して、望むべきエラーレートが得ら
れない場合には、その中で最も良い時点での閾値を更正
値として用いる。

【００６８】上記構成によれば、光磁気ディスク装置の
機構部品の経時変化，温度特性等の原因により、外部磁
界発生手段の光磁気ディスクに対する位置が変化して
も、所定の間隔で上記実施例のような更正を行うこと
で、常に、最適な外部磁界を得ることができる。

【００６９】尚、本発明は上記構成に限るものではな
い。上記実施例では、外部磁界検出手段として、レーザ
光入射手段４にホール素子６１を設けるようにしたが、
それに限るものではない。例えば、図７に示すように、
実際にデータのリード／ライトに供せられる光磁気ディ
スクのカートリッジと外観寸法が等しい模擬カートリッ
ジ６２のウインドウ６３にホール素子６４を設け、模擬
カートリッジ６２内部にホール素子６４を駆動及び外部
磁界の検出を行う回路６５を設け、更に、模擬カートリ
ッジ６２の側面に信号の授受のための接点６６を設け
る。一方、光ディスク装置の方にも、模擬カートリッジ
６２がセットされると、接点６６に当接する接点を設け
る。

【００７０】そして、閾値の更正時には、この模擬カー
トリッジ６２を光磁気ディスク装置にセットして、閾値
の更正を行うようにしてもよい。次に、第３の実施例の
説明を行う。第１の実施例の光ディスク装置は、カート
リッジ１０が挿入されると、外部磁界発生手段９が光磁
気ディスク１１のなす平面と略水平で光磁気ディスク１
１の半径方向に方向に移動して、光磁気ディスク１１の
近傍に移動するタイプに限定されていた。しかし、本実
施例の光磁気ディスク装置は、このようなタイプの光磁
気ディスク装置に加え、外部磁界発生装置が外部磁界発
生手段９はカートリッジ１０が挿入されると、光磁気デ
ィスク１１のなす平面と略垂直方向に移動して光磁気デ
ィスク１１の近傍に移動するものにも適用可能である。

【００７１】先ず、図８を用いて本実施例の構成を説明
する。本実施例において、第１の実施例と同一部分には
同一符号を付してそれらの説明は省略する。図におい
て、７１は外部磁界発生手段への駆動電流を更正する電
流更正部である。

【００７２】次に、電流構成部７１の作動を図９を用い
て説明する。先ず、図３で説明を行ったフローでカート
リッジをセットし、外部磁界発生手段９をカートリッジ
のウインドウ上と思われる位置に移動させる（ステップ
３１）。

【００７３】次に、カートリッジの光磁気ディスクの所
定のトラック（例えば、最内周）に対して、データとし
て記録でき得る最高の周波数でＭＯ信号を書き込む。続
いてこのデータを消去し、その上により低い周波数のＭ
Ｏ信号を書き込む（ステップ３２）。

【００７４】続いて、このＭＯ信号を読み取る（ステッ
プ３３）。この時のエラー信号の数が一定値Ｃ以下であ
れば、ステップ３１での外部磁界発生手段の移動で用い
た閾値を更正値としてそのまま保持する。

【００７５】又、エラー信号が一定値Ｃ以上であれば、
外部磁界発生装置へ流す電流値を変化させ（ステップ３
６）、ステップ３２へ戻り、エラー信号が一定値Ｃ以下
になるまで同じ動作（ステップ３２〜ステップ３４）を
繰り返して行う。

【００７６】そして、エラー信号が一定値Ｃ以下になっ
た時点での電流値を更正値として用いる（ステップ３
５）。尚、数回試行して、望むべきエラーレートが得ら
れない場合には、その中で最も良い時点での閾値を更正
値として用いる。

【００７７】上記構成によれば、光磁気ディスク装置の
機構部品の経時変化，温度特性等の原因により、外部磁
界発生手段の光磁気ディスクに対する位置が変化して
も、所定の間隔で上記実施例のような更正を行うこと
で、常に、最適な外部磁界を得ることができる。

【００７８】本発明は、上記実施例に限るものではな
い。ステップ３６での外部磁界発生手段への電流値調整
は、予めエラーレートとが磁界発生手段へ印加される電
流値との関係を示すデータをテーブルに書き込んでお
き、このデータを取り込んで、１回の位置調整で閾値を
更正するようにしてもよい。

【００７９】又、ＭＯ信号を読み取り、エラーレートを
見る代わりに、ディジタル化する前のＲＦ信号（読取信
号）の振幅を用いて判定を行うようにしてもよい。次
に、本発明の第４の実施例を説明する。本実施例におい
ては、第２の実施例と同様に、レーザ光入射手段４に磁
界発生手段９からの磁界を検出する外部磁界検出手段と
してのホール素子６１を設けている。

【００８０】このホール素子６１の出力を用いて電流値
の判定を行うようにしている。次に、上記構成の作動を
図１０を用いて説明する。先ず、図３で説明を行ったフ
ローでカートリッジをセットし、外部磁界発生手段９を
カートリッジのウインドウ上と思われる位置に移動させ
る（ステップ４１）。

【００８１】この時の磁界強度が一定値Ｃ′以上であれ
ば、ステップ４１での外部磁界発生手段へ印加した電流
値を更正値としてそのまま保持する。又、磁界強度が一
定値Ｃ′以下であれば、比較手段で用いる閾値の値を変
化させ、外部磁界発生手段９へ印加する電流値を微調整
し（ステップ４４）、ステップ４２へ戻り、外部磁界強
度が一定値Ｃ′以上になるまで同じ動作（ステップ２２
及びステップ２４）を繰り返して行う。

【００８２】そして、外部磁界強度が一定値Ｃ′以上に
なった時点での電流値を更正値として用いる（ステップ
２３）。尚、数回試行して、望むべきエラーレートが得
られない場合には、その中で最も良い時点での電流値を
更正値として用いる。

【００８３】上記構成によれば、光磁気ディスク装置の
機構部品の経時変化，温度特性等の原因により、外部磁
界発生手段の光磁気ディスクに対する位置が変化して
も、所定の間隔で上記実施例のような更正を行うこと
で、常に、最適な外部磁界を得ることができる。

【００８４】尚、本発明は上記構成に限るものではな
い。上記実施例では、外部磁界検出手段として、レーザ
光入射手段４にホール素子を設けるようにしたが、それ
に限るものではない。例えば、図７に示すように、実際
にデータのリード／ライトに供せられる光磁気ディスク
のカートリッジと外観寸法が等しい模擬カートリッジ６
２のウインドウ６３にホール素子６４を設け、模擬カー
トリッジ６２内部にホール素子６４を駆動及び外部磁界
の検出を行う回路６５を設け、更に、模擬カートリッジ
６２の側面に信号の授受のための接点６６を設ける。一
方、光ディスク装置の方にも、模擬カートリッジ６２が
セットされると、接点６６に当接する接点を設ける。

【００８５】そして、電流値の更正時には、この模擬カ
ートリッジ６２を光磁気ディスク装置にセットして、電
流値の更正を行うようにしてもよい。又、上記各実施例
での更正の間隔は、下記のようなパターンで行われる。 通電時間の積算値で決定する。 電源投入回数の積算値で決定する。 カートリッジのローディング回数の積算値で決定す
る。

【００８６】さらに、更正時期となったならば、光磁気
ディスク装置の表示部に、更正要求の表示を行うように
してもよい。

【００８７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、常
に、最適な外部磁界が得られる光磁気ディスク装置を実
現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を説明する構成図であ
る。

【図２】図１に示す第１の実施例の光磁気ディスク装置
の構成図である。

【図３】第１の実施例の通常時の作動を説明するフロー
図である。

【図４】閾値更正時の作動を説明するフロー図である。

【図５】本発明の第２の実施例を説明する構成図であ
る。

【図６】図５に示す実施例の作動を説明するフロー図で
ある。

【図７】第２の実施例の他の実施例を説明する図であ
る。

【図８】本発明の第３の実施例の構成を説明する図であ
る。

【図９】第３の実施例の作動を説明するフロー図であ
る。

【図１０】第４の実施例を説明するフロー図である。

【図１１】従来例の光磁気ディスク装置の一例を説明す
る要部斜視図である。

【図１２】図１１における平面構成図である。

【図１３】図１２における正面図である。

【図１４】図１１に示す磁気ディスク装置のキャリッジ
昇降機構を説明する平面図である。

【図１５】図１４における正面図である。

【図１６】カートリッジの正面図である。

【図１７】図１６においてシャッタが開いた時を示す図
である。

【図１８】図１６におけるＡ−Ａ断面図である。

【符号の説明】

９ 外部磁界発生手段 ５０ 磁界発生手段移動機構 ５１ 位置検出装置 ５２ 移動機構駆動回路 ５３ 制御部 ５４ 比較部 ５５ 閾値更正部 ６１ ホール素子 ７１ 電流更正部

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気ディスクを収容したカートリッジ
   がセットされると、外部磁界発生手段を移動させ、前記
   光磁気ディスクに対して所定位置で外部磁界を作用させ
   る光磁気ディスク装置において、 セットされた光磁気ディスクに対して外部磁界発生手段
   を移動せしめる外部磁界発生手段移動機構と、 該外部磁界発生手段移動機構を駆動する移動機構駆動回
   路と、 装置本体側に設けられ、前記外部磁界発生手段の位置を
   検出する位置検出手段と、 前記位置検出手段よりの位置信号と閾値との比較を行う
   比較手段と、 該比較手段の比較結果に基づいて、前記移動機構駆動回
   路を制御する制御部と、所定の時期に 前記閾値の値を更正する閾値更正部と、 を具備することを特徴とする光磁気ディスク装置。
2. 【請求項２】 前記閾値更正部は、 前記光磁気ディスクの所定のトラックに書込まれた所定
   の信号を読み取り、その時の読取信号により前記閾値を
   更正することを特徴とする請求項１記載の光磁気ディス
   ク装置。
3. 【請求項３】 前記閾値更正部は、 読取信号のレベルによって、閾値を更正することを特徴
   とする請求項２記載の光磁気ディスク装置。
4. 【請求項４】 前記閾値更正部は、 読取信号のエラーレートによって、閾値を更正すること
   を特徴とする請求項２記載の光磁気ディスク装置。
5. 【請求項５】 光磁気ディスク装置本体側に外部磁界発
   生手段の磁界を検出する外部磁界検出手段を設け、 前記閾値更正部は、前記外部磁界検出手段での磁界の検
   出値が所定の値以上になるように、前記閾値を更正する
   ことを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク装置。
6. 【請求項６】 前記所定の時期は、通電時間の積算値に
   基づいて決定することを特徴とする請求項１乃至５いず
   れかに記載の光磁気ディスク装置。
7. 【請求項７】 前記所定の時期は、電源投入回数の積算
   値に基づいて決定することを特徴とする請求項１乃至５
   いずれかに記載の光磁気ディスク装置。
8. 【請求項８】 前記所定の時期は、カートリッジのロー
   ディング回数の積算値に基づいて決定することを特徴と
   する請求項１乃至５のいずれかに記載の光磁気ディスク
   装置。