JP2853143B2 - A method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

A method of manufacturing a semiconductor device

Info

Publication number
JP2853143B2
JP2853143B2 JP1044265A JP4426589A JP2853143B2 JP 2853143 B2 JP2853143 B2 JP 2853143B2 JP 1044265 A JP1044265 A JP 1044265A JP 4426589 A JP4426589 A JP 4426589A JP 2853143 B2 JP2853143 B2 JP 2853143B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicide film
refractory metal
film
metal silicide
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1044265A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02224224A (en
Inventor
裕司 小松
隆 野口
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to JP1044265A priority Critical patent/JP2853143B2/en
Publication of JPH02224224A publication Critical patent/JPH02224224A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2853143B2 publication Critical patent/JP2853143B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical

Links

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。 The present invention will now be described with reference to BACKGROUND OF THE INVENTION following order.

A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来技術 D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例[第1図] H.発明の効果 (A.産業上の利用分野) 本発明は半導体装置の製造方法、特に高融点金属シリサイド膜を有する半導体装置の製造方法に関する。 A. means F. action G. embodiment for overview C. prior art D. invention solves the problems E. Problems to be solved by the FIELD B. INVENTION INDUSTRIAL APPLICABILITY [Figure 1] H. effect of the invention the present invention (A. relates) is a method of manufacturing a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device having a particularly high melting point metal silicide film.

(B.発明の概要) 本発明は、上記の半導体装置の製造方法において、 半導体素子の特性の変動等を伴うことなく高融点金属シリサイド膜の低抵抗化を図るため、 非晶質の高融点金属シリサイド膜に対してその表面部は結晶化し、裏面部は結晶化しないように短波長のレーザビームを照射する工程を有するものである。 (B. Summary of the Invention) The present invention provides a method of manufacturing the semiconductor device, in order to lower the resistance of the refractory metal silicide film without fluctuation of characteristics of a semiconductor element, an amorphous refractory the surface portion with respect to the metal silicide film is crystallized, the back surface and has a step of irradiating a laser beam of a short wavelength so as not to crystallize.

(C.従来技術) 近年、MOSLSIのゲート電極として多結晶シリコン膜を下層としその上にタングステンシリサイド膜を形成して上層としたポリサイドゲート構造のものが増えつつある。 (C. prior art) In recent years, an increasing number of those polycide gate structure in which the upper layer of polycrystalline silicon film to form a tungsten silicide film as a lower layer thereon as the gate electrode of the MOSLSI. これは従来からのシリコンゲート電極形成プロセス、製造装置をほとんどそのまま利用してゲート電極の低抵抗化を図ることができるためである。 This is because it is possible to reduce the resistance of the silicon gate electrode forming process, almost directly used manufacturing apparatus gate electrode of the prior art.

ところで、上層をタングステンシリサイド膜により形成したゲート電極の低抵抗化は、単に多結晶シリコン膜上にタングステンシリサイド膜を気相成長させるだけで実現できるわけではない。 Incidentally, the resistance of the gate electrode to form a layer of tungsten silicide film is not be realized by merely vapor phase growth of the tungsten silicide film on the polycrystalline silicon film. というのは、タングステンシリサイド膜は通常WF 6 +SiH 4の反応ガスでCVD法により形成されるが、膜形成後の段階では非結晶(アモルファス)であり、タングステンシリサイド膜の持つ低抵抗という利点を充分に活かすには結晶化する必要があるからである。 Because, although the tungsten silicide film is formed by CVD method at normal reaction gases WF 6 + SiH 4, at a later stage film forming a non-crystalline (amorphous), sufficiently advantages of low resistance having a tungsten silicide film the capitalize on it is necessary to crystallize.

そして、タングステンシリサイド膜の結晶化は従来においては半導体ウエハを電気炉にて長時間加熱するという方法で行われていた。 Then, crystallization of the tungsten silicide film was in the prior carried out in a manner that a long time heating the semiconductor wafer in an electric furnace.

(D.発明が解決しようとする問題点) ところで、ポリサイドゲートの上層を成すタングステンシリサイド膜の結晶化を電気炉による長時間加熱により行うと次のような問題があった。 (D. INVENTION AND SUMMARY Problems) However, when the crystallization of the tungsten silicide film forming the upper layer of the polycide gate performed by prolonged heating by an electric furnace has the following problem.

先ず、電気炉により長時間加熱をした場合、タングステンシリサイド膜が表面から多結晶シリコン層との界面に至るまで完全に結晶化し、ゲート電極中の不純物が相互拡散して不純物濃度分布が変化する。 First, when the long-time heating with an electric furnace, until the tungsten silicide film reaches the interface between the polycrystalline silicon layer from the surface was completely crystallized, impurity in the gate electrode impurity concentration distribution changes to interdiffusion. 所謂不純物濃度が再分布する。 So-called impurity concentration redistribution. これはMOSトランジスタあるいはMOS容量素子の特性に変化をもたらすので好ましくくない。 Preferably Zone Since this results in a change in the characteristics of the MOS transistor or a MOS capacitance element. この点について詳しく説明すると、不純物の相互拡散には、 To explain this point in detail, the mutual diffusion of the impurities,
ゲート電極の下層を成す多結晶シリコン膜中に添加された例えばリンP等の不純物の主として上側(外部)への拡散と、タングステンシリサイド膜中に入り込んだフッ素Fの主として下側の半導体基板中への拡散があるが、 And diffusion into predominantly upper impurities such as, for example, phosphorus P is added to the polycrystalline silicon film (external) forming the lower layer of the gate electrode, mainly lower fluorine F which has entered into the tungsten silicide film into the semiconductor substrate in the Although there is diffusion,
これ等はMOSトランジスタのしきい値電圧Vth、MOS容量素子のゲート容量の変動をもたらすので好ましくないのである。 Like threshold voltage Vth of the MOS transistor, since results in a variation of the gate capacitance of the MOS capacitor element is not preferable. 尚、CVDタングステンシリサイド膜を用いたタングステンポリサイドゲートの容量がタングステンシリサイド膜中のフッ素Fのゲート酸化膜内への拡散によって低下することについては既に1988年秋期応用物理学会予稿集の第616頁、講演ナンバー5a−A−8により発表が為されている。 Incidentally, already 1988 Autumn Applied Physics Society Proceedings page 616 of about the capacity of the tungsten polycide gate with CVD tungsten silicide film is reduced by diffusion into the gate oxide film of fluorine F in the tungsten silicide film , announcement is made by the lecture number 5a-a-8.

また、タングステンシリサイド膜の多結晶シリコン膜と接する部分が結晶化するとタングステンシリサイド膜の内部応力が変化し、高融点金属シリサイド膜とタングステンシリサイド膜との界面で膜剥れが生じ易くなるという問題もある。 Further, the internal stress of the tungsten silicide film when the portion in contact with the polycrystalline silicon film of the tungsten silicide film to crystallize is changed, and the interface with membrane peeling problem tends to occur between the refractory metal silicide film and a tungsten silicide film is there.

また、タングステンシリサイド膜のみならず多結晶シリコン膜までが長時間加熱処理によって結晶化する可能性があるが、そうなるとゲート電極形成のためのパターニング後該ゲート電極をマスクとして不純物のイオン打込みをしてソース、ドレインを形成するときのゲート電極のマスク効果が低下し、イオン打込みされた不純物まで素子の特性に悪影響を及ぼす。 Further, there is a possibility to crystallize tungsten silicide film not only polycrystalline silicon film until the long heat treatment, Sonaruto patterned after the gate electrode for the gate electrode formed by impurity ion implantation as a mask source, reduces the masking effect of the gate electrode when forming the drain, adversely affect the properties of the element to the ion implantation impurities.

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、その一つの目的は半導体素子の特性の変動をもたらすことなく高融点金属シリサイド膜の低抵抗化を図ることにあり、他の目的は高融点金属シリサイド膜の例えば多結晶シリコン膜等の下地との界面での剥れの生じる虞れをなくしつつ高融点金属シリサイド膜の低抵抗化を図ることにあり、更に他の目的は高融点金属シリサイド膜のマスク効果の低減を伴なうことなく高融点金属シリサイド膜の低抵抗化を図ることにある。 The present invention has been made to solve the above problems, an object of the One is to reduce the resistance of the refractory metal silicide film without causing variation in characteristics of a semiconductor element, another purpose the purpose is to reduce the resistance of the refractory metal silicide film of, for example, polycrystalline silicon film or the like underlying the interface at the peeling possibility of eliminating while refractory metal silicide film of occurrence of the, more the other is to reduce the resistance of the refractory metal silicide film without accompanied the reduction of the mask effect of the high melting point metal silicide film.

(E.問題点を解決するための手段) 本発明半導体装置の製造方法は上記問題点を解決するため、非晶質の高融点金属シリサイド膜に対してその表面部は結晶化し、裏面部は結晶化しないように短波長のレーザビームを照射する工程を有するものである。 Method for producing (E. Problems solving means for) the present invention a semiconductor device for solving the above problems, a surface part of the high melting point metal silicide film amorphous crystallizes, the back surface portion so as not to crystallize and has a step of irradiating a laser beam of short wavelength.

(F.作用) 本発明半導体装置の製造方法によれば、非晶質の高融点金属シリサイド膜を膜厚方向における全体に渡って結晶化するのではなくエネルギー照射によって表面部のみを結晶化するので、高融点金属シリサイド膜の下地との界面側の部分は非晶質のままとなり、高融点金属シリサイド膜中の不純物は下側に拡散する虞れは少ないし、下地側からの不純物の上側への拡散もない。 According to the manufacturing method of (F. Operation) The present invention a semiconductor device, to crystallize only the surface portion by the energy irradiation rather than crystallize throughout the refractory metal silicide film amorphous in the film thickness direction since, the side of the interface portion of the base of the refractory metal silicide film will remain amorphous, to impurities of the refractory metal silicide film is possibility is less likely to spread to the lower, upper impurities from the substrate side there is no diffusion into. 従って、不純物濃度分布の変動を生じることなく高融点金属シリサイド膜を低抵抗化することができる。 Therefore, it is possible to reduce the resistance of the refractory metal silicide film without causing fluctuation of the impurity concentration distribution.

そして、高融点金属シリサイド膜の下地との界面側の部分は非晶質のままなので低抵抗化のためのエネルギー照射処理によって高融点金属シリサイド膜の内部応力が変化する虞れはなく、膜剥れは生じにくくなる。 The interface side of the portion of the base of the refractory metal silicide film is not fear that the internal stress of the refractory metal silicide film is changed by the energy irradiation treatment for reducing the resistance so remains amorphous, peeling Re is less likely to occur.

そして、結晶化するのは高融点金属シリサイド膜の表面部であり、高融点金属シリサイド膜の下地側の部分及び下地は結晶化しないのでイオン打込みに対するマスク効果が低下する虞れもない。 Then, to crystallize is the surface portion of the refractory metal silicide film, portions and underlying base side of the refractory metal silicide film is no possibility to decrease masking effect on the ion implantation does not crystallize.

(G.実施例)[第1図] 以下、本発明は半導体装置の製造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。 (G. Example) [Figure 1] Hereinafter, the present invention will be described in detail with the embodiment shown a method of manufacturing a semiconductor device.

第1図(A)、(B)は本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。 Figure 1 (A), (B) is a sectional view showing one embodiment of a manufacturing method of the present invention a semiconductor device in the order of steps.

(A)半導体基板1の表面部を選択的に酸化することによりフィールド絶縁膜2を形成し、全面酸化により半導体基板1の素子形成領域にゲート絶縁膜3を形成し、CV (A) forming a field insulating film 2 by selectively oxidizing the surface portion of the semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 in the element formation region of the semiconductor substrate 1 by the entire surface oxidation, CV
Dにより多結晶シリコン膜4を形成し、しかる後、タングステンシリサイド膜5を形成する。 The polycrystalline silicon film 4 is formed by D, thereafter, a tungsten silicide film 5. 上記多結晶シリコン膜4とタングステンシリサイド膜5とでゲート電極となるタングステンポリサイド膜が構成される。 Tungsten polycide film is formed as a gate electrode between the polycrystalline silicon film 4 and the tungsten silicide film 5.

尚、多結晶シリコン膜4は、CVDによる成膜後、例えばリンP等の不純物をイオン打込みし、その後、活性化することにより形成する。 Incidentally, the polycrystalline silicon film 4 after film formation by CVD, for example, an impurity such as phosphorus P and ion implantation, is then formed by activating. また、タングステンシリサイド膜5は反応ガスとして例えばWF 6 +SiH 4を用いたCVDにより形成することができる。 Further, a tungsten silicide film 5 can be formed by CVD using, for example, WF 6 + SiH 4 as a reaction gas. そして、CVDにより形成したままの状態ではタングステンシリサイド膜5は非晶質になっている。 Then, in a state formed by CVD tungsten silicide film 5 it has become amorphous. 第1図(A)はタングステンシリサイド膜5のCVDを終えた後の状態を示す。 Figure 1 (A) shows a state after completion of the CVD tungsten silicide layer 5.

(B)次に、同図(B)に示すように、エキシマレーザビームの照射によりタングステンシリサイド膜5の表面部を加熱して結晶化する。 (B) Next, as shown in FIG. (B), is crystallized by heating the surface of the tungsten silicide film 5 by irradiation of the excimer laser beam. 5aはタングステンシリサイド膜5の加熱により結晶化した表面部、5bは非晶質のまま下地側の部分である。 5a is a surface portion which is crystallized by heating the tungsten silicide film 5, 5b is kept underlying portion of the amorphous.

この結晶化は、例えばアルゴンArFレーザ(波長λ=1 This crystallization is, for example argon ArF laser (wavelength lambda = 1
93nm)等を用いて200mJ/cm 2程度のエネルギーで1パルス照射(照射時間は1乃至数十ナノ秒)することにより行うことができる。 1 pulse irradiation at 200 mJ / cm 2 about energy using 93 nm) or the like (irradiation time can be carried out by one to several tens of nanoseconds) to. というのは、タングステンシリサイド膜5の吸光係数はそのレーザビームの波長λに対しては10 6 cm -1程度であるので、タングステンシリサイド膜5の膜厚方向における全部ではなくタングステンシリサイド膜5の表面側の部分5aのみ加熱されて結晶化し、下地側の部分5bは結晶化する程は加熱されず非晶質のままになるからである。 Since the tungsten because the absorption coefficient of the silicide film 5 is 10 6 cm approximately -1 to the wavelength λ of the laser beam, the surface of the tungsten silicide film 5 not all in the thickness direction of the tungsten silicide film 5 is heated only part 5a of the side crystallized portion 5b of the base side is because it remains amorphous without being heated enough to crystallize.

その後は通常のポリサイドゲート技術によるMOSLSIの製造方法と同じ方法によってプロセスを進めれば良い。 Then it Susumere the process in the same manner as conventional MOSLSI manufacturing method according polycide gate technology.

このような半導体装置の製造方法によれば、タングステンシリサイド膜をエキシマレーザビームの照射により表面部のみ結晶化するので、タングステンシリサイド膜中の不純物が下側に拡散する虞れや多結晶シリコン膜中の不純物の上側への拡散の虞れもない。 According to the manufacturing method of the semiconductor device, since the tungsten silicide film to crystallize only the surface area upon irradiation of the excimer laser beam, risk or a polycrystalline silicon film in which impurities in the tungsten silicide film is diffused into the lower there is no risk of spreading to the upper side of impurities. 従って、不純物濃度分布の変動、MOSトランジスタ等の素子の特性の変動を伴なうことなくゲート電極の低抵抗化を行うことができる。 Therefore, the fluctuation of the impurity concentration distribution, it is possible to reduce the resistance of the gate electrode without accompanied variations in characteristics of elements such as MOS transistors.

また、タングステンシリサイド膜5の下地である多結晶シリコン膜4との界面側の部分5bは非晶質のままなのでエキシマレーザビームの照射によってタングステンシリサイド膜の界面側部分における内部応力が変化する虞れは生じにくくなる。 Further, possibility of varying the internal stress in the interface portion of the tungsten silicide film by irradiation of the excimer laser beam the portion 5b of the interface with the polysilicon film 4 which is the base of the tungsten silicide film 5 remains amorphous less likely to occur.

そして、エキシマレーザビーム照射によってはタングステンシリサイド膜5の界面側の部分5b及び多結晶シリコン膜4は結晶化しないので、後でセルフアライメントによりソース、ドレインを形成するためにゲート電極をマスクとして不純物をイオン打込みする際に必要なマスク効果が低減する虞れはない。 Since some excimer laser beam irradiation portion 5b and the polysilicon film 4 at the interface side of the tungsten silicide film 5 does not crystallize, later source by self-alignment, the impurity as a mask of the gate electrode to form a drain mask effect is not a possibility to reduce required to ion implantation.

(H.発明の効果) 以上に述べたように、本発明半導体装置の製造方法は、非晶質の高融点金属シリサイド膜に対してその表面部は結晶化し、裏面部は結晶化しないように短波長のレーザビームを照射する工程を有することを特徴とするものである。 As mentioned (H. Effect of the Invention) above, the production method of the present invention the semiconductor device has a surface portion with respect to the refractory metal silicide film amorphous crystallizes, the rear surface portion so as not to crystallize it is characterized in further comprising the step of irradiating a laser beam having a short wavelength.

従って、本発明半導体装置の製造方法によれば、非晶質の高融点金属シリサイド膜を全体に渡って結晶化するのではなくエネルギー照射によって表面部のみを結晶化するので、高融点金属シリサイド膜の下地との界面側の部分は非晶質のままとなり、高融点金属シリサイド膜中の不純物は下側に拡散する虞れはないし、高融点金属シリサイド膜の下地側からの不純物の上側への拡散も生じない。 Therefore, according to the manufacturing method of the present invention a semiconductor device, since the crystallization only the surface portion by the energy irradiation rather than crystallize throughout the refractory metal silicide film amorphous, refractory metal silicide film the interface side portions of the base will remain amorphous, impurities of the refractory metal silicide film is to not fear that diffuses to the lower side, to the upper impurities from the substrate side of the refractory metal silicide film diffusion does not occur. 従って、不純物濃度分布の変動を生じることなく高融点金属シリサイド膜を低抵抗化することができる。 Therefore, it is possible to reduce the resistance of the refractory metal silicide film without causing fluctuation of the impurity concentration distribution.

そして、高融点金属シリサイド膜の下地との界面部分は非晶質のままなので低抵抗化のためのエネルギー照射処理によって高融点金属シリサイド膜の内部応力が変化する虞れはなく、膜剥れは生じにくくなる。 The interface between the base of the refractory metal silicide film is not fear that the internal stress of the refractory metal silicide film by energy irradiation treatment for reducing the resistance so remains amorphous changes, film separation is less likely to occur.

そして、結晶化するのは高融点金属シリサイド膜の表面部であり、高融点金属シリサイド膜の下地側の部分及び下地は結晶化しないのでイオン打込みに対するマスク効果が低下する虞れもない。 Then, to crystallize is the surface portion of the refractory metal silicide film, portions and underlying base side of the refractory metal silicide film is no possibility to decrease masking effect on the ion implantation does not crystallize.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図(A)、(B)は本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。 Figure 1 (A), (B) is a sectional view showing one embodiment of a manufacturing method of the present invention a semiconductor device in the order of steps. 符号の説明 5……非晶質の高融点金属シリサイド膜、5a……高融点金属シリサイド膜の結晶化した表面部、5b……高融点金属シリサイド膜の非晶質のままの部分。 PARTS LIST 5 ...... amorphous refractory metal silicide film, crystallized surface portion of 5a ...... refractory metal silicide film, an amorphous remains part of 5b ...... refractory metal silicide film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl. 6 ,DB名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/51 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (58) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/51

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】非晶質の高融点金属シリサイド膜に対してその表面部は結晶化し、裏面部は結晶化しないように短波長のレーザビームを照射する工程を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法 The surface portions with respect to claim 1 Amorphous refractory metal silicide film is crystallized, the semiconductor device is the rear surface portion characterized by having a step of irradiating a laser beam of a short wavelength so as not to crystallize method of production
  2. 【請求項2】表面部に半導体素子が形成される半導体基板の表面に形成された半導体層と非晶質の高融点金属シリサイド膜からなるところのポリサイドゲートとなる電極の上記高融点金属シリサイド膜に対してその表面部は結晶化し、裏面部は結晶化しないように短波長のレーザビームを照射する工程を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法 Wherein the refractory metal of the surface portion in the semiconductor device becomes made at the polycide gate of a refractory metal silicide film formed on the surface semiconductor layer and the amorphous semiconductor substrates formed electrodes silicide the surface portion to the film is crystallized, a method of manufacturing a semiconductor device includes the rear surface portion characterized by having a step of irradiating a laser beam of a short wavelength so as not to crystallize
JP1044265A 1989-02-25 1989-02-25 A method of manufacturing a semiconductor device Expired - Fee Related JP2853143B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1044265A JP2853143B2 (en) 1989-02-25 1989-02-25 A method of manufacturing a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1044265A JP2853143B2 (en) 1989-02-25 1989-02-25 A method of manufacturing a semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02224224A JPH02224224A (en) 1990-09-06
JP2853143B2 true JP2853143B2 (en) 1999-02-03

Family

ID=12686680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1044265A Expired - Fee Related JP2853143B2 (en) 1989-02-25 1989-02-25 A method of manufacturing a semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2853143B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (en) 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 Vacuum processing apparatus and method operating

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH084078B2 (en) * 1985-05-27 1996-01-17 富士通株式会社 A method of manufacturing a semiconductor device
JPS63202039A (en) * 1987-02-17 1988-08-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02224224A (en) 1990-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2857006B2 (en) Self-aligned cobalt silicide on Mos integrated circuits
JP3173854B2 (en) A thin film insulated gate semiconductor device a semiconductor device manufacturing method and was created
US6518102B1 (en) Method for manufacturing transistor semiconductor devices with step of annealing to getter metal with phosphorous
US5064775A (en) Method of fabricating an improved polycrystalline silicon thin film transistor
KR100267579B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
JP3478012B2 (en) Method of manufacturing a thin film semiconductor device
US5977559A (en) Thin-film transistor having a catalyst element in its active regions
JP3173926B2 (en) Preparation method and a semiconductor device of a thin film insulated gate semiconductor device
US5395804A (en) Method for fabricating a thin film transistor
JP3019885B2 (en) Method of manufacturing a field effect thin film transistor
US6331468B1 (en) Formation of integrated circuit structure using one or more silicon layers for implantation and out-diffusion in formation of defect-free source/drain regions and also for subsequent formation of silicon nitride spacers
US6159856A (en) Method of manufacturing a semiconductor device with a silicide layer
US5476802A (en) Method for forming an insulated gate field effect transistor
JP3182893B2 (en) A method of manufacturing a thin film transistor
JPH10135137A (en) Method of forming crystalline semiconductor
JPH084067B2 (en) A method of manufacturing a semiconductor device
JP3168421B2 (en) A method of manufacturing a semiconductor device
JPH07118443B2 (en) Manufacturing method of a semiconductor device
JP3227980B2 (en) Channel to a method for preparation of polycrystalline silicon thin film forming method and mos transistor
JPH05102483A (en) Film transistor and its manufacturing method
JP2623276B2 (en) Method of manufacturing a thin film semiconductor device
KR20010060231A (en) Method of Producing A Semiconductor Device
JPH05109737A (en) Manufacture of thin film transistor
JPH05190484A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH0834256B2 (en) Method for manufacturing high density integrated circuits

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees